JP2004531081A - 実質的にディスク形状の加工品を移送する方法、およびこの方法を実行する装置 - Google Patents
実質的にディスク形状の加工品を移送する方法、およびこの方法を実行する装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004531081A JP2004531081A JP2003507884A JP2003507884A JP2004531081A JP 2004531081 A JP2004531081 A JP 2004531081A JP 2003507884 A JP2003507884 A JP 2003507884A JP 2003507884 A JP2003507884 A JP 2003507884A JP 2004531081 A JP2004531081 A JP 2004531081A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- workpiece
- adhesive
- foil
- adhesive layer
- carrier
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67132—Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68318—Auxiliary support including means facilitating the separation of a device or wafer from the auxiliary support
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S414/00—Material or article handling
- Y10S414/135—Associated with semiconductor wafer handling
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
- Y10T156/11—Methods of delaminating, per se; i.e., separating at bonding face
- Y10T156/1126—Using direct fluid current against work during delaminating
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
- Y10T156/11—Methods of delaminating, per se; i.e., separating at bonding face
- Y10T156/1126—Using direct fluid current against work during delaminating
- Y10T156/1132—Using vacuum directly against work during delaminating
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
- Y10T156/17—Surface bonding means and/or assemblymeans with work feeding or handling means
- Y10T156/1702—For plural parts or plural areas of single part
- Y10T156/1705—Lamina transferred to base from adhered flexible web or sheet type carrier
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
- Y10T156/19—Delaminating means
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
- Y10T156/19—Delaminating means
- Y10T156/1928—Differential fluid pressure delaminating means
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
- Y10T156/19—Delaminating means
- Y10T156/1928—Differential fluid pressure delaminating means
- Y10T156/1944—Vacuum delaminating means [e.g., vacuum chamber, etc.]
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
- Y10T156/19—Delaminating means
- Y10T156/1978—Delaminating bending means
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
- Grinding Of Cylindrical And Plane Surfaces (AREA)
- Electrical Discharge Machining, Electrochemical Machining, And Combined Machining (AREA)
Abstract
【課題】加工品キャリアから加工品を簡単且つ安価に取り外す。
【解決手段】ディスク形状の加工品を、この加工品がその第１の主表面に沿って第１の両面接着ホイルによって固定されている加工品キャリアからキャリアホイル上へ移送する方法であって、第１の両面接着ホイルは第１の接着層によって加工品キャリアに接続され、且つ第２の接着層によって加工品に接続され、接着材料の分解を通して第２の接着層を上記第１の接着層の接着力よりも実質的に小さい低下した接着力に弱化させる処理ステップと、加工品キャリアを第１の保持装置に固定する処理ステップと、第２の両面接着ホイルが第３の接着層によって第２の保持装置の表面に接続され、且つ第４の接着層によって加工品に接着され、第３および第４の接着層の接着力は、弱化した第２の接着層の接着力よりも実質的に大きくなるように、加工品をその第２の主表面で第２の両面接着ホイルによって第２の保持装置に固定する処理ステップと、引張り力を第１および第２の保持装置の間に印加することによって、弱化した第２の接着層に沿って加工品を第１の両面接着ホイルから分離する処理ステップと、加工品を第２の保持装置とともにキャリアホイルの上方に配置する処理ステップと、第４の接着層を接着物質の分解によって、第３の接着層の接着力よりも実質的に小さな低下した接着力に弱化させる処理ステップと、キャリアホイルに接するように加工品を設置する処理ステップと、第２の両面接着ホイルと加工品との間に印加されるガス圧力によって、弱化した第４の接着層に沿って加工品を第２の両面接着ホイルから分離する処理ステップと、を備える方法が記述されている。この方法を実行する装置も記述されている。これにより、上述した種類の加工品を加工品キャリアから簡単且つ安価に取り外すことが可能になる。
【解決手段】ディスク形状の加工品を、この加工品がその第１の主表面に沿って第１の両面接着ホイルによって固定されている加工品キャリアからキャリアホイル上へ移送する方法であって、第１の両面接着ホイルは第１の接着層によって加工品キャリアに接続され、且つ第２の接着層によって加工品に接続され、接着材料の分解を通して第２の接着層を上記第１の接着層の接着力よりも実質的に小さい低下した接着力に弱化させる処理ステップと、加工品キャリアを第１の保持装置に固定する処理ステップと、第２の両面接着ホイルが第３の接着層によって第２の保持装置の表面に接続され、且つ第４の接着層によって加工品に接着され、第３および第４の接着層の接着力は、弱化した第２の接着層の接着力よりも実質的に大きくなるように、加工品をその第２の主表面で第２の両面接着ホイルによって第２の保持装置に固定する処理ステップと、引張り力を第１および第２の保持装置の間に印加することによって、弱化した第２の接着層に沿って加工品を第１の両面接着ホイルから分離する処理ステップと、加工品を第２の保持装置とともにキャリアホイルの上方に配置する処理ステップと、第４の接着層を接着物質の分解によって、第３の接着層の接着力よりも実質的に小さな低下した接着力に弱化させる処理ステップと、キャリアホイルに接するように加工品を設置する処理ステップと、第２の両面接着ホイルと加工品との間に印加されるガス圧力によって、弱化した第４の接着層に沿って加工品を第２の両面接着ホイルから分離する処理ステップと、を備える方法が記述されている。この方法を実行する装置も記述されている。これにより、上述した種類の加工品を加工品キャリアから簡単且つ安価に取り外すことが可能になる。
Description
【技術分野】
【０００１】
本発明は、実質的にディスク形状の加工品を移送する方法に関する。さらに本発明は、この方法を実行する装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
いわゆる加工品キャリア、特にキャリアディスクまたはキャリアプレート上での一時的な接着は、実質的に平坦であって、特に非常に薄く且つ壊れやすい加工品の片面または両面表面処理を行う場合に適切な手順であるが、この処理は加工品の変形または破損を回避するために行われるものである。この場合における非常に薄い加工品とは、厚さがその長さ、幅または直径に対して小さな加工品であると理解する必要がある。
【０００３】
ドイツ特許公開公報第１９８５０８７３号では、複数の電子回路部を備える実質的にディスク形状の半導体技術製品を、少なくとも第１の主表面とこの第１の主表面の反対側に配置された第２の主表面とに沿って処理する方法を記載している。製品のこれら主表面の内の一方に処理プロセスを行うこの方法において、層型接着剤が製品の向かい合った主表面に平面的に与えられ、この接着剤の上に寸法が少なくとも実質的に安定しているキャリアエレメントが設けられることによって製品の上記向かい合った主表面に平面的な接続を形成する。
【特許文献１】
ドイツ特許公開公報第１９８５０８７３号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の目的は、加工品キャリアから上述した種類の加工品を簡単且つ安価に取り外すことを可能とする方法を提供することである。さらに本発明は、このような方法を実行する装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明によれば、この目的は、実質的にディスク形状の加工品を、この加工品がその主表面の内の第１の主表面に沿って少なくとも実質的に平面的に両面接着ホイルによって固定されている加工品キャリアから、表面上に上記加工品が上記第１の主表面に沿って少なくとも実質的に平面的に設けられ且つ固定されるべきキャリアホイル上へ移送する方法であって、第１の両面接着ホイルは、その第１の表面に設けられた第１の接着層によって加工品キャリアの第１の表面に接着され、且つその第２の表面に設けられた第２の接着層によって加工品にその第１の主表面に沿って接着される、方法によって達成される。この目的のために本発明にかかる方法は、
上記第２の接着層を形成する接着物質の少なくとも部分的な分解によって第２の接着層を上記第１の接着層の接着力よりも実質的に小さい低下した接着力に弱化させる処理ステップと、
加工品キャリアを第１の保持装置に固定する処理ステップと、
第２の両面接着ホイルがその第１の表面に設けられた第３の接着層によって第２の保持装置の表面に接着され、且つその第２の表面に設けられた第４の接着層によって加工品の第２の主表面に沿って加工品に接着され、第３および第４の接着層の接着力は、弱化した第２の接着層の接着力よりも実質的に大きくなるように、加工品を第１の主表面と反対側のその第２の主表面に沿って少なくとも実質的に平面的に第２の両面接着ホイルによって第２の保持装置の表面に固定する処理ステップと、
加工品の主表面に対して少なくとも部分的に直角となる引張り力を第１および第２の保持装置の間に印加することによって、弱化した第２の接着層に沿って加工品を第１の両面接着ホイルから分離する処理ステップと、
第２の保持装置およびキャリアホイルに互いに接着されている加工品を、加工品の第１の主表面がキャリアホイルの表面に対向するように配置する処理ステップと、
第４の接着層を接着物質の少なくとも部分的な分解によって弱化させ、これにより第４の接着層を第３の接着層の接着力よりも実質的に小さな低下した接着力に形成する処理ステップと、
少なくとも実質的に平面的に加工品をその第１の主表面がキャリアホイルの表面に接するように設置する処理ステップと、
第２の保持装置に接着されている第２の両面接着ホイルと加工品との間にガス圧力によって発生した力を印加することによって、弱化した第４の接着層に沿って加工品を第２の両面接着ホイルから分離する処理ステップとを備える。
【０００６】
本発明にかかる方法は、安価且つ簡単に、機械的に脆弱な加工品をも安全に加工品キャリアからキャリアホイルへ移送することを可能にする。
【０００７】
特に、少なくとも実質的に堅牢に構成された加工品キャリアをこれに用いることができる。第１の保持装置への加工品キャリアの固定は必要に応じて接着または磁力によって行ってもよい。
【０００８】
移送のために弱化すべき接着層には、熱または紫外線に感受性がある接着物質を準備することが好ましい。接着層の弱化は熱または紫外線の影響によって行われる。
【０００９】
本発明にかかる方法のさらなる実施の形態および詳細は、独立の請求項１に続く従属請求項において規定される。
【００１０】
さらに、本発明にかかる上記方法を実行するために、実質的にディスク形状の加工品を、この加工品がその主表面の内の第１の主表面に沿って少なくとも実質的に平面的に第１の両面接着ホイルによって固定されている加工品キャリアから、表面上に上記加工品が上記第１の主表面に沿って少なくとも実質的に平面的に設けられ且つ固定されるべきキャリアホイル上へ移送する装置が提案されている。上記第１の両面接着ホイルは、その第１の表面に設けられた第１の接着層によって加工品キャリアの第１の表面に接着され、且つその第２の表面に設けられた第２の接着層によってその第１の主表面に沿って加工品に接着される。本発明にかかる装置は、加工品キャリアを上記第１の保持装置に固定する第１の保持装置と、加工品が第１の主表面と反対側のその第２の主表面に沿って少なくとも実質的に平面的に第２の両面接着ホイルによって固定されるべき表面を有する第２の保持装置であって、これにより第２の両面接着ホイルがその第１の表面に設けられた第３の接着層によって第２の保持装置の表面に接着され、且つその第２の表面に設けられた第４の接着層によって加工品の第２の主表面に沿って加工品に接着され、第３および第４の接着層の接着力が、その弱化した状態にある第２の接着層の接着力よりも実質的に大きくなる、第２の保持装置と、を備える。
【００１１】
本発明にかかる装置は、第１および第２の保持装置の間に加工品の各主表面に対して少なくとも部分的に直角な引張り力を印加することによって、弱化した第２の接着層に沿って加工品を第１の両面接着ホイルから分離する引張り装置と、第２および第４の接着層に作用して、接着物質の少なくとも部分的な分解によって上記接着層の接着力を低下した接着力に形成することで上記接着層を弱化させる装置と、上記第２の保持装置に接着されている第２の両面接着ホイルと加工品との間にガス圧力によって発生した力を印加することによって、弱化した第４の接着層に沿って加工品を第２の両面接着ホイルから分離するガス圧力装置と、をさらに備える。
【００１２】
本発明にかかる装置は構成が簡単であると共に、信頼性があって安価であり、従って合理的な製造を可能にする。
【００１３】
本発明にかかる装置は、第１の保持装置へ加工品キャリアを固定するための、必要に応じて作動または作動停止をすることが可能な磁石装置で構成されることが好ましく、上記加工品は強磁性体から構成される。これによって第１の保持装置へ加工品キャリアを簡単、迅速且つ確実に固定することが可能となる。必要に応じて、接着によって加工品キャリアを第１の保持装置へ固定する。
【００１４】
ガス圧力装置の効果を向上させるため、第２の保持装置とキャリアホイルとの間に実質的にガスを通さない密封を形成する封止装置を設けてもよい。
【００１５】
本発明にかかる装置のさらなる詳細および実施の形態は、独立の請求項８に続く従属請求項内に見出すことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
図１の線図において、加工品１、特に薄型半導体ウェーハは、ここで示されている加工品１の位置において下部表面を形成するその第１の主表面で両面接着ホイル３によって加工品キャリア２に平面的に固定されている。第１の両面接着ホイル３は２つの表面が接着層で覆われているホイル型合成樹脂体によって既知の方法で形成されている。これら表面の内の第１の表面は第１の接着層と加工品キャリア２を対面させ、第２の表面は第２の接着層と加工品１を対面させている。この配置は図５に示されている。
【００１７】
図２は、参照番号４で示される熱または紫外線の作用を受けている図１の構成を図式的に示している。この作用によって少なくとも部分的に第１の両面接着ホイル３の第２の接着層が分解され、それによって弱化されるため、その接着力が低下する。この目的のため、第１の接着層とは異なり、第１の両面接着ホイル３の第２の接着層は感熱または感紫外線材料から作成されている。
【００１８】
図３はこの実施の形態の次の処理ステップを図式的に示している。加工品キャリア２および第１の両面接着ホイル３によってその上に固定された加工品１は、第２の接着層が弱化された後に第１の保持装置５の上に固定される。この固定は接着により、または第１の保持装置に組み込まれて加工品キャリア２に磁力を加える磁気装置によって行ってもよい。加工品キャリア２はこの目的のために強磁性体から作成される。ここでは、第１の両面接着ホイル３と加工品キャリア２との間の接着層の接着力並びに加工品キャリア２と第１の保持装置５との間の接着力は、ここに示される処理ステップにおいては第１の両面接着ホイル３を加工品１上に依然保持させる第１の両面接着ホイル３の弱化した第２の接着層の接着力よりも実質的に大きい。
【００１９】
図３から明らかなように、加工品キャリア２はその全体面が第１の保持装置５に接するように配置されることが好ましい。
【００２０】
図４は、第２の両面接着ホイル７によって平面的に加工品１の第２の主表面の上に第２の保持装置６を固定した後の先行する図の配置を図式的に示している。加工品１のこの第２の主表面は図４に示されているように加工品１の上側である。
【００２１】
図４に示された配置の詳細は図５の分解図に示されている。この図では、上部から底部へ、第２の保持装置６と、第２の両面接着ホイル７と、加工品１と、第１の両面接着ホイル３と、加工品キャリア２と、加工品キャリア２を第１の保持装置５に固定する接着剤８と、この第１の保持装置５自体とをこの順番で図式的に示している。第２の両面接着ホイル７はここではその第１の表面９に第３の接着層およびその第２の表面１１に接する第４の接着層を備えている。加工品１の第１の主表面の参照番号は１３である。加工品１の第２の主表面の参照番号は１４である。第１の両面接着ホイル３はその第１の表面１５に第１の接着層１６を有し、かつ、その第２の表面１７に第２の接着層１８を有している。第１の両面接着ホイル３によって加工品が固定されている加工品キャリア２の第１の表面の参照番号は１９であり、この面１９とは反対側の加工品キャリア２の第２の表面２０は、このキャリアを第１の保持装置５に固定する働きをする。
【００２２】
示されている実施の形態における次の処理ステップが図６に図式的に示されている。ここにおいて、図４または５の配置が引張り装置（図示せず）内に導入され、これによって第２の保持装置６に参照番号２１の矢印によって示される引張り力が加えられる。示されている実施の形態におけるすべての接着要素または層の接着力は第２の接着層１８の接着力よりも実質的に大きいので、引張り力２１の印加により図４の配置が上記第２の接着層に沿って分離し、それによって加工品１はそれ自体をその第１の主表面１３により第２の接着層１８から引き離す。この状態は図６に示されている。
【００２３】
次の処理ステップにおいて、加工品キャリア２が依然固定されている第１の保持装置５が完全に取り外され、第２の保持装置６が加工品と共にキャリアホイル２２の上の位置に置かれている。キャリアホイル２２は示されている実施の形態において安定化のため平面的な基礎表面２３によって支持されている。このようにして達成される状態は図７に示されている。
【００２４】
図８は、第２の両面接着ホイル７が再びここで参照番号４で示される熱または紫外線に曝されている次の処理ステップを示している。加工品１をこの第２の両面接着ホイル７に接着させている第２の両面接着ホイル７の第２の表面１１に接する第４の接着層１２には、熱または紫外線に感受性があり、その作用によって分解することができる接着物質が準備される。この結果、第４の接着層１２は、その接着力が図８に示される処理ステップの第２の両面接着ホイル７と第２の保持装置６との間に得られる接着力よりも遥かに低下している。第４の接着層１２の弱化は加工品１がキャリアホイル２２の上に設置される前に起こり、これによってキャリアホイル２２の破損が回避される。
【００２５】
図９に示される次の処理ステップにおいて、加工品１はキャリアホイル２２に接するように配設されており、この目的のため、加工品１を備えた第２の保持装置６が矢印２４で示される移送でキャリアホイル２２の上に下げられる。この処理ステップは、先行する処理ステップによって引き起こされた加工品１の温度の上昇がまず除去されているという条件を前提としている。
【００２６】
図１０は、先行する図面に示されている配置に再び関連して、弱化した第４の接着層１２に沿って第２の両面接着ホイル７から加工品１を分離する次の処理ステップを図式的に示している。この目的のため、第２の保持装置６は加圧されたガス、好ましくは圧縮空気を圧力吸気弁２８を通して注入することができる内部空間２５を備えている。第２の両面接着ホイル７によって加工品１が固定されていた表面２７を形成している第２の保持装置６の部分に孔２６が設けられ、これらの孔を通して吸気弁２８を通って流入した圧縮空気が再び流出することができる。対応する穴が第２の両面接着ホイル７に設けられているため、孔２６は第２の両面接着ホイル７に覆われていない。これによって第２の保持装置６の内部空間２５内のガス圧力が加工品１に直接作用することが可能となり、第２の両面接着ホイル７はそれ自体を第２の保持装置６の表面２７から引き離すことがない。これによって、確実に加工品１が第２の両面接着ホイル７から分離され、キャリアホイル２２の上に堆積される。
【００２７】
この堆積ステップは、ガス圧力によって発生した力の印加と少なくとも実質的に同時に加工品１を第２の両面接着ホイル７から分離する間に、一方では第２の保持装置６および第２の保持装置６に接続されている第２の両面接着ホイル７と、他方では加工品１が接着されているキャリアホイル２２との間で移送が行われるという点でサポートされることが好ましい。この移送は少なくとも部分的に加工品１の主表面に対して直角となるように行われ、これは図１０に参照番号３０の矢印によって示されている。この移送３０によって第２の保持装置６がキャリアホイル２２および加工品１から除去される。同時に行われる孔２６を通しての加圧されたガスの流出は図１０の矢印２９で図式的に示されている。
【００２８】
上述した処理ステップが完了した後、加工品１はその第２の主表面に対して行われるさらなる処理のためにキャリアホイル２２に接して存在し、上記キャリアホイルは加工品１が半導体技術製品である場合のために鋸引ホイル（ｓａｗｉｎｇ ｆｏｉｌ）として構成されることが好ましい。
【００２９】
図１１は、第２の保持装置６とキャリアホイル２２との間に実質的にガスを通さない密封を形成する封止装置３１を備える上述した装置の変形例を示している。ガス圧力が圧力ガス吸気弁２８を通して供給されると、加工品１に対する圧力が上昇することによって、超過圧力３２が第２の保持装置６とキャリアホイル２２との間の中間スペース内に発生するために加工品１をキャリアホイル２２上に押圧する。図１１に示される装置は、基礎支持体２３に対するキャリアホイル２２および加工品１の真空吸引をもたらすためにキャリアホイル２２の基礎支持体２３に孔３３をさらに備えている。
【００３０】
図示されていない変形例においては、加工品キャリア２は強磁性体から構成してもよく、第１の保持装置５への加工品キャリア２の固定は磁気装置によって行ってもよい。このような実施の形態においては接着剤８は使用されない。さらに、強磁性体から形成されるこのような加工品キャリア２は、実施の形態に示されている種類の第１の保持装置５に接着剤８によって固定してもよいことは明らかである。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】第１の両面接着ホイルによって加工品キャリアに固定されている加工品の例を示す線図である。
【図２】第１の両面接着ホイルと加工品との間の第２の接着層を弱化させる熱または紫外線の作用を図式的に示している。
【図３】第１の保持装置に固定した後の図１および２の加工品を有する加工品キャリアを示している。
【図４】加工品がさらに第２の保持装置に固定された後の図３の配置を示している。
【図５】図４の配置の分解図である。
【図６】加工品を加工品キャリアから分離した後の図４の配置を示している。
【図７】キャリアホイルの上の位置に置かれている加工品を有する第２の保持装置を示している。
【図８】加工品を第２の保持装置に固定するための接着層の弱化を示している。
【図９】加工品のキャリアホイル上への設置を示している。
【図１０】加工品の第２の保持装置からの分離を示している。
【図１１】第２の保持装置とキャリアホイルとの間に封止装置を有する図３乃至１０に示された装置の変形例を示している。
【０００１】
本発明は、実質的にディスク形状の加工品を移送する方法に関する。さらに本発明は、この方法を実行する装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
いわゆる加工品キャリア、特にキャリアディスクまたはキャリアプレート上での一時的な接着は、実質的に平坦であって、特に非常に薄く且つ壊れやすい加工品の片面または両面表面処理を行う場合に適切な手順であるが、この処理は加工品の変形または破損を回避するために行われるものである。この場合における非常に薄い加工品とは、厚さがその長さ、幅または直径に対して小さな加工品であると理解する必要がある。
【０００３】
ドイツ特許公開公報第１９８５０８７３号では、複数の電子回路部を備える実質的にディスク形状の半導体技術製品を、少なくとも第１の主表面とこの第１の主表面の反対側に配置された第２の主表面とに沿って処理する方法を記載している。製品のこれら主表面の内の一方に処理プロセスを行うこの方法において、層型接着剤が製品の向かい合った主表面に平面的に与えられ、この接着剤の上に寸法が少なくとも実質的に安定しているキャリアエレメントが設けられることによって製品の上記向かい合った主表面に平面的な接続を形成する。
【特許文献１】
ドイツ特許公開公報第１９８５０８７３号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の目的は、加工品キャリアから上述した種類の加工品を簡単且つ安価に取り外すことを可能とする方法を提供することである。さらに本発明は、このような方法を実行する装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明によれば、この目的は、実質的にディスク形状の加工品を、この加工品がその主表面の内の第１の主表面に沿って少なくとも実質的に平面的に両面接着ホイルによって固定されている加工品キャリアから、表面上に上記加工品が上記第１の主表面に沿って少なくとも実質的に平面的に設けられ且つ固定されるべきキャリアホイル上へ移送する方法であって、第１の両面接着ホイルは、その第１の表面に設けられた第１の接着層によって加工品キャリアの第１の表面に接着され、且つその第２の表面に設けられた第２の接着層によって加工品にその第１の主表面に沿って接着される、方法によって達成される。この目的のために本発明にかかる方法は、
上記第２の接着層を形成する接着物質の少なくとも部分的な分解によって第２の接着層を上記第１の接着層の接着力よりも実質的に小さい低下した接着力に弱化させる処理ステップと、
加工品キャリアを第１の保持装置に固定する処理ステップと、
第２の両面接着ホイルがその第１の表面に設けられた第３の接着層によって第２の保持装置の表面に接着され、且つその第２の表面に設けられた第４の接着層によって加工品の第２の主表面に沿って加工品に接着され、第３および第４の接着層の接着力は、弱化した第２の接着層の接着力よりも実質的に大きくなるように、加工品を第１の主表面と反対側のその第２の主表面に沿って少なくとも実質的に平面的に第２の両面接着ホイルによって第２の保持装置の表面に固定する処理ステップと、
加工品の主表面に対して少なくとも部分的に直角となる引張り力を第１および第２の保持装置の間に印加することによって、弱化した第２の接着層に沿って加工品を第１の両面接着ホイルから分離する処理ステップと、
第２の保持装置およびキャリアホイルに互いに接着されている加工品を、加工品の第１の主表面がキャリアホイルの表面に対向するように配置する処理ステップと、
第４の接着層を接着物質の少なくとも部分的な分解によって弱化させ、これにより第４の接着層を第３の接着層の接着力よりも実質的に小さな低下した接着力に形成する処理ステップと、
少なくとも実質的に平面的に加工品をその第１の主表面がキャリアホイルの表面に接するように設置する処理ステップと、
第２の保持装置に接着されている第２の両面接着ホイルと加工品との間にガス圧力によって発生した力を印加することによって、弱化した第４の接着層に沿って加工品を第２の両面接着ホイルから分離する処理ステップとを備える。
【０００６】
本発明にかかる方法は、安価且つ簡単に、機械的に脆弱な加工品をも安全に加工品キャリアからキャリアホイルへ移送することを可能にする。
【０００７】
特に、少なくとも実質的に堅牢に構成された加工品キャリアをこれに用いることができる。第１の保持装置への加工品キャリアの固定は必要に応じて接着または磁力によって行ってもよい。
【０００８】
移送のために弱化すべき接着層には、熱または紫外線に感受性がある接着物質を準備することが好ましい。接着層の弱化は熱または紫外線の影響によって行われる。
【０００９】
本発明にかかる方法のさらなる実施の形態および詳細は、独立の請求項１に続く従属請求項において規定される。
【００１０】
さらに、本発明にかかる上記方法を実行するために、実質的にディスク形状の加工品を、この加工品がその主表面の内の第１の主表面に沿って少なくとも実質的に平面的に第１の両面接着ホイルによって固定されている加工品キャリアから、表面上に上記加工品が上記第１の主表面に沿って少なくとも実質的に平面的に設けられ且つ固定されるべきキャリアホイル上へ移送する装置が提案されている。上記第１の両面接着ホイルは、その第１の表面に設けられた第１の接着層によって加工品キャリアの第１の表面に接着され、且つその第２の表面に設けられた第２の接着層によってその第１の主表面に沿って加工品に接着される。本発明にかかる装置は、加工品キャリアを上記第１の保持装置に固定する第１の保持装置と、加工品が第１の主表面と反対側のその第２の主表面に沿って少なくとも実質的に平面的に第２の両面接着ホイルによって固定されるべき表面を有する第２の保持装置であって、これにより第２の両面接着ホイルがその第１の表面に設けられた第３の接着層によって第２の保持装置の表面に接着され、且つその第２の表面に設けられた第４の接着層によって加工品の第２の主表面に沿って加工品に接着され、第３および第４の接着層の接着力が、その弱化した状態にある第２の接着層の接着力よりも実質的に大きくなる、第２の保持装置と、を備える。
【００１１】
本発明にかかる装置は、第１および第２の保持装置の間に加工品の各主表面に対して少なくとも部分的に直角な引張り力を印加することによって、弱化した第２の接着層に沿って加工品を第１の両面接着ホイルから分離する引張り装置と、第２および第４の接着層に作用して、接着物質の少なくとも部分的な分解によって上記接着層の接着力を低下した接着力に形成することで上記接着層を弱化させる装置と、上記第２の保持装置に接着されている第２の両面接着ホイルと加工品との間にガス圧力によって発生した力を印加することによって、弱化した第４の接着層に沿って加工品を第２の両面接着ホイルから分離するガス圧力装置と、をさらに備える。
【００１２】
本発明にかかる装置は構成が簡単であると共に、信頼性があって安価であり、従って合理的な製造を可能にする。
【００１３】
本発明にかかる装置は、第１の保持装置へ加工品キャリアを固定するための、必要に応じて作動または作動停止をすることが可能な磁石装置で構成されることが好ましく、上記加工品は強磁性体から構成される。これによって第１の保持装置へ加工品キャリアを簡単、迅速且つ確実に固定することが可能となる。必要に応じて、接着によって加工品キャリアを第１の保持装置へ固定する。
【００１４】
ガス圧力装置の効果を向上させるため、第２の保持装置とキャリアホイルとの間に実質的にガスを通さない密封を形成する封止装置を設けてもよい。
【００１５】
本発明にかかる装置のさらなる詳細および実施の形態は、独立の請求項８に続く従属請求項内に見出すことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
図１の線図において、加工品１、特に薄型半導体ウェーハは、ここで示されている加工品１の位置において下部表面を形成するその第１の主表面で両面接着ホイル３によって加工品キャリア２に平面的に固定されている。第１の両面接着ホイル３は２つの表面が接着層で覆われているホイル型合成樹脂体によって既知の方法で形成されている。これら表面の内の第１の表面は第１の接着層と加工品キャリア２を対面させ、第２の表面は第２の接着層と加工品１を対面させている。この配置は図５に示されている。
【００１７】
図２は、参照番号４で示される熱または紫外線の作用を受けている図１の構成を図式的に示している。この作用によって少なくとも部分的に第１の両面接着ホイル３の第２の接着層が分解され、それによって弱化されるため、その接着力が低下する。この目的のため、第１の接着層とは異なり、第１の両面接着ホイル３の第２の接着層は感熱または感紫外線材料から作成されている。
【００１８】
図３はこの実施の形態の次の処理ステップを図式的に示している。加工品キャリア２および第１の両面接着ホイル３によってその上に固定された加工品１は、第２の接着層が弱化された後に第１の保持装置５の上に固定される。この固定は接着により、または第１の保持装置に組み込まれて加工品キャリア２に磁力を加える磁気装置によって行ってもよい。加工品キャリア２はこの目的のために強磁性体から作成される。ここでは、第１の両面接着ホイル３と加工品キャリア２との間の接着層の接着力並びに加工品キャリア２と第１の保持装置５との間の接着力は、ここに示される処理ステップにおいては第１の両面接着ホイル３を加工品１上に依然保持させる第１の両面接着ホイル３の弱化した第２の接着層の接着力よりも実質的に大きい。
【００１９】
図３から明らかなように、加工品キャリア２はその全体面が第１の保持装置５に接するように配置されることが好ましい。
【００２０】
図４は、第２の両面接着ホイル７によって平面的に加工品１の第２の主表面の上に第２の保持装置６を固定した後の先行する図の配置を図式的に示している。加工品１のこの第２の主表面は図４に示されているように加工品１の上側である。
【００２１】
図４に示された配置の詳細は図５の分解図に示されている。この図では、上部から底部へ、第２の保持装置６と、第２の両面接着ホイル７と、加工品１と、第１の両面接着ホイル３と、加工品キャリア２と、加工品キャリア２を第１の保持装置５に固定する接着剤８と、この第１の保持装置５自体とをこの順番で図式的に示している。第２の両面接着ホイル７はここではその第１の表面９に第３の接着層およびその第２の表面１１に接する第４の接着層を備えている。加工品１の第１の主表面の参照番号は１３である。加工品１の第２の主表面の参照番号は１４である。第１の両面接着ホイル３はその第１の表面１５に第１の接着層１６を有し、かつ、その第２の表面１７に第２の接着層１８を有している。第１の両面接着ホイル３によって加工品が固定されている加工品キャリア２の第１の表面の参照番号は１９であり、この面１９とは反対側の加工品キャリア２の第２の表面２０は、このキャリアを第１の保持装置５に固定する働きをする。
【００２２】
示されている実施の形態における次の処理ステップが図６に図式的に示されている。ここにおいて、図４または５の配置が引張り装置（図示せず）内に導入され、これによって第２の保持装置６に参照番号２１の矢印によって示される引張り力が加えられる。示されている実施の形態におけるすべての接着要素または層の接着力は第２の接着層１８の接着力よりも実質的に大きいので、引張り力２１の印加により図４の配置が上記第２の接着層に沿って分離し、それによって加工品１はそれ自体をその第１の主表面１３により第２の接着層１８から引き離す。この状態は図６に示されている。
【００２３】
次の処理ステップにおいて、加工品キャリア２が依然固定されている第１の保持装置５が完全に取り外され、第２の保持装置６が加工品と共にキャリアホイル２２の上の位置に置かれている。キャリアホイル２２は示されている実施の形態において安定化のため平面的な基礎表面２３によって支持されている。このようにして達成される状態は図７に示されている。
【００２４】
図８は、第２の両面接着ホイル７が再びここで参照番号４で示される熱または紫外線に曝されている次の処理ステップを示している。加工品１をこの第２の両面接着ホイル７に接着させている第２の両面接着ホイル７の第２の表面１１に接する第４の接着層１２には、熱または紫外線に感受性があり、その作用によって分解することができる接着物質が準備される。この結果、第４の接着層１２は、その接着力が図８に示される処理ステップの第２の両面接着ホイル７と第２の保持装置６との間に得られる接着力よりも遥かに低下している。第４の接着層１２の弱化は加工品１がキャリアホイル２２の上に設置される前に起こり、これによってキャリアホイル２２の破損が回避される。
【００２５】
図９に示される次の処理ステップにおいて、加工品１はキャリアホイル２２に接するように配設されており、この目的のため、加工品１を備えた第２の保持装置６が矢印２４で示される移送でキャリアホイル２２の上に下げられる。この処理ステップは、先行する処理ステップによって引き起こされた加工品１の温度の上昇がまず除去されているという条件を前提としている。
【００２６】
図１０は、先行する図面に示されている配置に再び関連して、弱化した第４の接着層１２に沿って第２の両面接着ホイル７から加工品１を分離する次の処理ステップを図式的に示している。この目的のため、第２の保持装置６は加圧されたガス、好ましくは圧縮空気を圧力吸気弁２８を通して注入することができる内部空間２５を備えている。第２の両面接着ホイル７によって加工品１が固定されていた表面２７を形成している第２の保持装置６の部分に孔２６が設けられ、これらの孔を通して吸気弁２８を通って流入した圧縮空気が再び流出することができる。対応する穴が第２の両面接着ホイル７に設けられているため、孔２６は第２の両面接着ホイル７に覆われていない。これによって第２の保持装置６の内部空間２５内のガス圧力が加工品１に直接作用することが可能となり、第２の両面接着ホイル７はそれ自体を第２の保持装置６の表面２７から引き離すことがない。これによって、確実に加工品１が第２の両面接着ホイル７から分離され、キャリアホイル２２の上に堆積される。
【００２７】
この堆積ステップは、ガス圧力によって発生した力の印加と少なくとも実質的に同時に加工品１を第２の両面接着ホイル７から分離する間に、一方では第２の保持装置６および第２の保持装置６に接続されている第２の両面接着ホイル７と、他方では加工品１が接着されているキャリアホイル２２との間で移送が行われるという点でサポートされることが好ましい。この移送は少なくとも部分的に加工品１の主表面に対して直角となるように行われ、これは図１０に参照番号３０の矢印によって示されている。この移送３０によって第２の保持装置６がキャリアホイル２２および加工品１から除去される。同時に行われる孔２６を通しての加圧されたガスの流出は図１０の矢印２９で図式的に示されている。
【００２８】
上述した処理ステップが完了した後、加工品１はその第２の主表面に対して行われるさらなる処理のためにキャリアホイル２２に接して存在し、上記キャリアホイルは加工品１が半導体技術製品である場合のために鋸引ホイル（ｓａｗｉｎｇ ｆｏｉｌ）として構成されることが好ましい。
【００２９】
図１１は、第２の保持装置６とキャリアホイル２２との間に実質的にガスを通さない密封を形成する封止装置３１を備える上述した装置の変形例を示している。ガス圧力が圧力ガス吸気弁２８を通して供給されると、加工品１に対する圧力が上昇することによって、超過圧力３２が第２の保持装置６とキャリアホイル２２との間の中間スペース内に発生するために加工品１をキャリアホイル２２上に押圧する。図１１に示される装置は、基礎支持体２３に対するキャリアホイル２２および加工品１の真空吸引をもたらすためにキャリアホイル２２の基礎支持体２３に孔３３をさらに備えている。
【００３０】
図示されていない変形例においては、加工品キャリア２は強磁性体から構成してもよく、第１の保持装置５への加工品キャリア２の固定は磁気装置によって行ってもよい。このような実施の形態においては接着剤８は使用されない。さらに、強磁性体から形成されるこのような加工品キャリア２は、実施の形態に示されている種類の第１の保持装置５に接着剤８によって固定してもよいことは明らかである。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】第１の両面接着ホイルによって加工品キャリアに固定されている加工品の例を示す線図である。
【図２】第１の両面接着ホイルと加工品との間の第２の接着層を弱化させる熱または紫外線の作用を図式的に示している。
【図３】第１の保持装置に固定した後の図１および２の加工品を有する加工品キャリアを示している。
【図４】加工品がさらに第２の保持装置に固定された後の図３の配置を示している。
【図５】図４の配置の分解図である。
【図６】加工品を加工品キャリアから分離した後の図４の配置を示している。
【図７】キャリアホイルの上の位置に置かれている加工品を有する第２の保持装置を示している。
【図８】加工品を第２の保持装置に固定するための接着層の弱化を示している。
【図９】加工品のキャリアホイル上への設置を示している。
【図１０】加工品の第２の保持装置からの分離を示している。
【図１１】第２の保持装置とキャリアホイルとの間に封止装置を有する図３乃至１０に示された装置の変形例を示している。
Claims (14)
- 実質的にディスク形状の加工品を、この加工品がその主表面の内の第１の主表面に沿って少なくとも実質的に平面的に両面接着ホイルによって固定されている加工品キャリアから、表面上に前記加工品が前記第１の主表面に沿って少なくとも実質的に平面的に設けられ且つ固定されるべきキャリアホイル上へ移送する方法であって、第１の両面接着ホイルは、その第１の表面に設けられた第１の接着層によって加工品キャリアの第１の表面に接着され、且つその第２の表面に設けられた第２の接着層によって加工品にその第１の主表面に沿って接着され、
前記第２の接着層を形成する接着物質の少なくとも部分的な分解によって第２の接着層を前記第１の接着層の接着力よりも実質的に小さい低下した接着力に弱化させる処理ステップと、
加工品キャリアを第１の保持装置に固定する処理ステップと、
第２の両面接着ホイルがその第１の表面に設けられた第３の接着層によって第２の保持装置の表面に接着され、且つその第２の表面に設けられた第４の接着層によって加工品の第２の主表面に沿って加工品に接着され、第３および第４の接着層の接着力は、弱化した第２の接着層の接着力よりも実質的に大きくなるように、加工品を第１の主表面と反対側のその第２の主表面に沿って少なくとも実質的に平面的に第２の両面接着ホイルによって第２の保持装置の表面に固定する処理ステップと、
加工品の主表面に対して少なくとも部分的に直角となる引張り力を第１および第２の保持装置の間に印加することによって、弱化した第２の接着層に沿って加工品を第１の両面接着ホイルから分離する処理ステップと、
第２の保持装置およびキャリアホイルに互いに接着されている加工品を、加工品の第１の主表面がキャリアホイルの表面に対向するように配置する処理ステップと、
第４の接着層を接着物質の少なくとも部分的な分解によって弱化させ、これにより第４の接着層を第３の接着層の接着力よりも実質的に小さな低下した接着力に形成する処理ステップと、
少なくとも実質的に平面的に加工品をその第１の主表面がキャリアホイルの表面に接するように設置する処理ステップと、
第２の保持装置に接着されている第２の両面接着ホイルと加工品との間にガス圧力によって発生した力を印加することによって、弱化した第４の接着層に沿って加工品を第２の両面接着ホイルから分離する処理ステップとを備える、方法。 - ガス圧力によって発生した力を第２の保持装置に接着されている第２の両面接着ホイルと加工品との間に印加することと少なくとも実質的に同時に、弱化した第４の接着層に沿って加工品を第２の両面接着ホイルから分離するプロセスの間、第１の保持装置とキャリアホイル上に設けられた加工品との間で加工品の主表面に対する少なくとも部分的に直角な移送が行われることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
- 加工品キャリアとして、少なくとも実質的に堅牢に構成された加工品キャリアが用いられることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
- 弱化した第２の接着層の接着力よりも加工品キャリアと第１の保持装置との間の接着の接着力が実質的に大きくなるように、第１の保持装置への加工品キャリアの固定は接着によって行われることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
- 加工品キャリアは強磁性体で構成され、第１の保持装置への加工品キャリアの固定は、弱化した第２の接着層の接着力よりも加工品キャリアと第１の保持装置との間に得られる磁力が実質的に大きくなるように、磁気装置によって行われることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
- 接着層には感熱接着物質が準備され、接着層の弱化は熱の影響によって達成されることを特徴とする、請求項１乃至５のいずれかに記載の方法。
- 接着層には紫外線に感受性のある接着物質が準備され、接着層の弱化は紫外線の影響によって達成されることを特徴とする、請求項１乃至５のいずれかに記載の方法。
- 実質的にディスク形状の加工品を、この加工品がその主表面の内の第１の主表面に沿って少なくとも実質的に平面的に第１の両面接着ホイルによって固定されている加工品キャリアから、表面上に前記加工品が前記第１の主表面に沿って少なくとも実質的に平面的に設けられ且つ固定されるべきキャリアホイル上へ移送する装置であって、前記第１の両面接着ホイルは、その第１の表面に設けられた第１の接着層によって加工品キャリアの第１の表面に接着され、且つその第２の表面に設けられた第２の接着層によってその第１の主表面に沿って加工品に接着され、
加工品キャリアを前記第１の保持装置に固定する第１の保持装置と、
加工品が第１の主表面と反対側のその第２の主表面に沿って少なくとも実質的に平面的に第２の両面接着ホイルによって固定されるべき表面を有する第２の保持装置であって、これにより第２の両面接着ホイルがその第１の表面に設けられた第３の接着層によって第２の保持装置の表面に接着され、且つその第２の表面に設けられた第４の接着層によって加工品の第２の主表面に沿って加工品に接着され、第３および第４の接着層の接着力が、その弱化した状態にある第２の接着層の接着力よりも実質的に大きくなる、第２の保持装置と、
第１および第２の保持装置の間に加工品の各主表面に対して少なくとも部分的に直角な引張り力を印加することによって、弱化した第２の接着層に沿って加工品を第１の両面接着ホイルから分離する引張り装置と、
第２および第４の接着層に作用して、接着物質の少なくとも部分的な分解によって前記接着層の接着力を低下した接着力に形成することで前記接着層を弱化させる装置と、
前記第２の保持装置に接着されている第２の両面接着ホイルと加工品との間にガス圧力によって発生した力を印加することによって、弱化した第４の接着層に沿って加工品を第２の両面接着ホイルから分離するガス圧力装置と、を備える装置。 - 加工品キャリアは少なくとも実質的に堅牢に構成されていることを特徴とする、請求項８に記載の装置。
- 加工品キャリアは、弱化した第２の接着層の接着力よりも接着力が実質的に大きな接着剤によって第１の保持装置に固定されていることを特徴とする、請求項８に記載の装置。
- 加工品キャリアが強磁性体で構成されていることを特徴とし、また、弱化した第２の接着層の接着力よりも実質的に大きな磁力による、加工品キャリアと第１の保持装置との間での磁気吸引を介して加工品キャリアを第１の保持装置に固定するために、必要に応じて作動または作動停止をすることができる磁気装置を特徴とする、請求項８に記載の装置。
- 第２の保持装置とキャリアホイルとの間に実質的にガスを通さない密封を形成する封止装置を特徴とする、請求項８に記載の装置。
- 加工品は、第１の主表面に対して実質的に直角に機械的に分離されるべき複数の電子回路部を形成するように少なくともその第１の主表面に沿って構成される半導体技術製品、好ましくは半導体ウェーハであることを特徴とする、請求項８に記載の装置。
- キャリアホイルは、好ましくは鋸引ホイル（ｓａｗｉｎｇ ｆｏｉｌ）の形態で電子回路部を機械的に分離するためのキャリア媒体として設計されることを特徴とする、請求項１３に記載の装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE10128923A DE10128923A1 (de) | 2001-06-15 | 2001-06-15 | Verfahren zum Umsetzen eines im wesentlichen scheibenförmigen Werkstücks und Vorrichtung zur Durchführung dieses Verfahrens |
| PCT/IB2002/002258 WO2003001587A2 (en) | 2001-06-15 | 2002-06-13 | Method of transferring a substantially disc-shaped workpiece |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2004531081A true JP2004531081A (ja) | 2004-10-07 |
| JP4283107B2 JP4283107B2 (ja) | 2009-06-24 |
Family
ID=7688305
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003507884A Expired - Fee Related JP4283107B2 (ja) | 2001-06-15 | 2002-06-13 | 実質的にディスク形状の加工品を移送する方法、およびこの方法を実行する装置 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6997226B2 (ja) |
| EP (1) | EP1402571B1 (ja) |
| JP (1) | JP4283107B2 (ja) |
| AT (1) | ATE337613T1 (ja) |
| DE (2) | DE10128923A1 (ja) |
| WO (1) | WO2003001587A2 (ja) |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4130167B2 (ja) | 2003-10-06 | 2008-08-06 | 日東電工株式会社 | 半導体ウエハの剥離方法 |
| JP4592270B2 (ja) | 2003-10-06 | 2010-12-01 | 日東電工株式会社 | 半導体ウエハの支持材からの剥離方法およびこれを用いた装置 |
| DE102005036821A1 (de) * | 2005-08-04 | 2007-03-15 | Siemens Ag | Verfahren zum Transferieren und Vorrichtung zum Handhaben von elektronischen Bauelementen |
| DE102008055155A1 (de) * | 2008-12-23 | 2010-07-01 | Thin Materials Ag | Trennverfahren für ein Schichtsystem umfassend einen Wafer |
| KR101869922B1 (ko) * | 2011-11-28 | 2018-06-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 진공 필링 장치 및 진공 필링 방법 |
| CN103846646A (zh) * | 2012-12-07 | 2014-06-11 | 富泰华工业（深圳）有限公司 | 拆卸装置 |
| US20160144608A1 (en) * | 2014-11-23 | 2016-05-26 | Mikro Mesa Technology Co., Ltd. | Method for transferring device |
| CN206067049U (zh) | 2016-07-29 | 2017-04-05 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 膜材以及撕膜装置 |
| US9997399B2 (en) * | 2016-08-16 | 2018-06-12 | Mikro Mesa Technology Co., Ltd. | Method for transferring semiconductor structure |
| US9722134B1 (en) * | 2016-08-16 | 2017-08-01 | Mikro Mesa Technology Co., Ltd. | Method for transferring semiconductor structure |
| CN106965501B (zh) * | 2017-03-27 | 2019-07-05 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 一种膜状结构、撕膜设备及撕膜方法 |
| US10170443B1 (en) * | 2017-11-28 | 2019-01-01 | International Business Machines Corporation | Debonding chips from wafer |
| KR102505213B1 (ko) * | 2017-12-08 | 2023-03-03 | 삼성전자주식회사 | 분리용 전자 장치 및 이의 공정 방법 |
| US10236195B1 (en) | 2017-12-20 | 2019-03-19 | Mikro Mesa Technology Co., Ltd. | Method for transferring device |
| DE102019135499B3 (de) * | 2019-12-20 | 2021-04-01 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Ablöseelement, Ablöseeinheit und Verfahren zum Ablösen einer Halbleiterschicht von einem Substrat |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06268051A (ja) * | 1993-03-10 | 1994-09-22 | Mitsubishi Electric Corp | ウエハ剥し装置 |
| JP3560823B2 (ja) * | 1998-08-18 | 2004-09-02 | リンテック株式会社 | ウェハ転写装置 |
| DE19850873A1 (de) * | 1998-11-05 | 2000-05-11 | Philips Corp Intellectual Pty | Verfahren zum Bearbeiten eines Erzeugnisses der Halbleitertechnik |
| US6470946B2 (en) * | 2001-02-06 | 2002-10-29 | Anadigics, Inc. | Wafer demount gas distribution tool |
-
2001
- 2001-06-15 DE DE10128923A patent/DE10128923A1/de not_active Withdrawn
-
2002
- 2002-06-13 US US10/480,732 patent/US6997226B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-06-13 JP JP2003507884A patent/JP4283107B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2002-06-13 EP EP02735851A patent/EP1402571B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-06-13 AT AT02735851T patent/ATE337613T1/de not_active IP Right Cessation
- 2002-06-13 DE DE60214182T patent/DE60214182T2/de not_active Expired - Lifetime
- 2002-06-13 WO PCT/IB2002/002258 patent/WO2003001587A2/en active IP Right Grant
-
2005
- 2005-12-02 US US11/293,637 patent/US7160410B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP1402571A2 (en) | 2004-03-31 |
| ATE337613T1 (de) | 2006-09-15 |
| DE60214182D1 (de) | 2006-10-05 |
| EP1402571B1 (en) | 2006-08-23 |
| WO2003001587A2 (en) | 2003-01-03 |
| WO2003001587A3 (en) | 2003-06-05 |
| US20060081339A1 (en) | 2006-04-20 |
| US7160410B2 (en) | 2007-01-09 |
| DE10128923A1 (de) | 2003-01-23 |
| US20040168764A1 (en) | 2004-09-02 |
| US6997226B2 (en) | 2006-02-14 |
| DE60214182T2 (de) | 2007-07-19 |
| JP4283107B2 (ja) | 2009-06-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7160410B2 (en) | Method of transferring a substantially disc-shaped workpiece, and device for carrying out this method | |
| TWI286352B (en) | Method of separating semiconductor wafer, and separating apparatus using the same | |
| TW201818449A (zh) | 接合裝置及接合系統 | |
| WO2007074651A1 (ja) | 固体撮像素子モジュールの製造方法 | |
| JP7134284B2 (ja) | 搬送装置、および搬送方法 | |
| JP6782617B2 (ja) | 被加工物の固定方法、及び被加工物の加工方法 | |
| TWI525678B (zh) | Sheet Adhesive Device and Paste Method | |
| JP2004241568A (ja) | 基板脱着装置、基板脱着方法及び基板処理システム | |
| JP4209141B2 (ja) | 実質的にディスク形状の半製品を移送する方法、およびこの方法を実行する装置 | |
| JP4447206B2 (ja) | 半導体ウエーハ保護ユニット及び半導体ウエーハ処理方法 | |
| JP2002164305A (ja) | 半導体チップのピックアップ装置 | |
| JP5261308B2 (ja) | 押圧装置 | |
| TW201534548A (zh) | 可撓性顯示面板之取下裝置、取下方法及製造方法 | |
| JP5386795B2 (ja) | 接合装置、接合方法 | |
| TWI762698B (zh) | 基板處理方法 | |
| JP2008016751A (ja) | 半導体チップの保護テープ貼付方法 | |
| JP2006013073A (ja) | ボンディング装置、ボンディング方法及び半導体装置の製造方法 | |
| JP2005209829A (ja) | 半導体ウェハ固定方法及び装置、並びに半導体ウェハが固定された構造体 | |
| JP6698337B2 (ja) | 半導体ウェハの保持方法及び半導体デバイスの製造方法 | |
| WO2003054943A1 (fr) | Substrat support pour piece en forme de feuille mince | |
| TW201921545A (zh) | 基板處理系統及基板處理方法 | |
| JP2014045199A (ja) | 接合装置、接合方法 | |
| JP2022049272A (ja) | シート剥離装置およびシート剥離方法 | |
| JPS63101216A (ja) | ぜい性薄板材料の移載方法 | |
| JPH04283433A (ja) | 光ディスクの製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050613 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080328 |
|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20080522 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080630 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090220 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090318 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120327 Year of fee payment: 3 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |