JP2004531079A5 - - Google Patents

Claims (13)

1. 基板に酸化物層を形成するための方法であって、
   この基板を反応室に配置しており、
   この反応室は、
   反応室に酸素分子を含む酸化媒体を供給するための供給手段と、
   反応室への酸化媒体の供給を制御するための制御手段と、
   反応室から排気ガスを除去するための排気装置と、
   酸素分圧を測定するための検出部とを備えており、
   上記検出部が排気ガス中の酸素分圧を測定する工程と、
   上記酸化物層の形成中に、上記反応室への酸素分子の供給量を変えることによって、排気ガス中の酸素分圧を一定に保つ工程とを有することを特徴とする、基板に酸化物層を形成するための方法。
2. 上記酸化媒体が、さらに水蒸気を含んでいる請求項１に記載の方法。
3. 上記酸化媒体が、さらに触媒を含んでいる請求項１または２に記載の方法。
4. 上記酸化媒体を供給する際の酸素対水蒸気のモル比を一定とする工程を有している請求項２に記載の方法。
5. 上記酸化媒体を供給する際の酸素対水蒸気対触媒のモル比を一定とする工程を有している請求項２または４に記載の方法。
6. 上記酸化媒体が、さらに不活性ガスを含んでいる請求項１〜５のいずれか１項に記載の方法。
7. 酸化媒体を供給する際に不活性ガスの割合を制御することによって、上記酸化分圧を一定に保つ工程を有している請求項６に記載の方法。
8. 上記反応室に二次供給を行い、この二次供給によってこの反応室に不活性ガスを供給する工程を有している請求項１〜７のいずれか１項に記載の方法。
9. 上記酸化剤を供給する際に、最小の割合の不活性ガスを供給する工程を有している請求項６〜８のいずれか１項に記載の方法。
10. 基板材料を酸化することによって、上記酸化物層を形成する工程を有している請求項１〜９のいずれか１項に記載の方法。
11. 上記基板はシリコンウェハーである請求項１〜１０のいずれか１項に記載の方法。
12. 上記反応は炉の中で行われ、酸化物層の形成を高温で行う工程を有している請求項１〜１１のいずれか１項に記載の方法。
13. 上記反応室内のガス圧の合計を測定するための検出部を備え、
    上記反応室内の圧力の合計に排気ガス中の酸素濃度を乗じることによって、上記酸素分圧を算出する工程を有している請求項１〜１２のいずれか１項に記載の方法。