JP2004526293A - チャンバ内の表面上へのプロセス残留分の堆積を減少させる装置及び方法 - Google Patents
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Abstract
基体30を処理し、基体30に対して遂行されるプロセスを監視することができる処理チャンバ35は、支持体45と、ガス入口と、ガスエナージャイザと、排出口85と、その中に堆積する処理残留物を減少させるようなサイズの凹み145を有する壁とを含む。処理チャンバ35内で基体30に対して遂行することができるプロセスを、壁38内の凹み145を通して監視するためにプロセス監視システム35を使用することができる。
Description
【0001】
(技術分野)
本発明は、チャンバ内の表面上へのプロセス残留分の堆積を減少させる装置及び方法に関する。
【0002】
(従来の技術)
基体製造プロセスにおいては、半導体、誘電体、及び導体材料が基体上に形成され、エッチングされて、ゲート、バイア、コンタクトホール、または相互接続線のパターンが形成される。これらの材料は、典型的には、化学蒸着(CVD)、物理蒸着(PVD)、酸化及び窒化プロセスによって形成される。例えば、CVDプロセスでは反応性ガスを使用して材料の層を基体上に堆積させ、PVDではターゲットをスパッタさせて材料を基体上に堆積させる。酸化及び窒化プロセスでは、基体を適当なガス状環境に曝すことによって、典型的には二酸化シリコンのような酸化物、または窒化シリコンのような窒化物の層を形成させる。エッチングプロセスでは、フォトリソグラフ法によってフォトレジストまたはハードマスクのパターン化された耐エッチングマスクが基体上に形成され、次いで基体の露出された部分がエネルギを与えられた(以下、「付勢された」という)ガスによってエッチングされる。これらのプロセスにおいては、所定のステージにおいてプロセス条件を変化させるか、または基体の処理を停止することが望ましいことが多い。例えば、ゲート構造のエッチングでは、下側に位置するゲート酸化物に到達した時に、上側に位置するポリシリコンのエッチングを停止させることが望ましい。また、例えば材料の所定の厚みが得られた時に、堆積、酸化、または窒化プロセスを停止させることが望ましいことが多い。
【0003】
基体製造プロセス中に、チャンバ内の壁及び他の表面上へプロセス残留分が堆積するのを減少させることが望ましい。プロセス残留分は剥落し、基体を汚染させる恐れがある。また、残留分は、例えば壁に設けられている窓及びその窓上に堆積された残留分が窓を通過する放射の強度を減衰させる場合には、壁を通る放射の通過を妨害し得る。あるプロセスステージが完了したこと、またはあるプロセスがエンドポイントに到達したことを決定するために、普通のプロセス監視方法によって放射を監視することができる。これらの方法は、限定するものではないが、例えば、(1)チャンバ内のプラズマの放出スペクトルを分析してプロセスのエンドポイントを決定するプラズマ放出分析法(米国特許第4,328,068号及び同第5,362,256号参照)、(2)基体から反射され、偏光された光ビームを分析して反射ビームの位相シフト及びサイズを決定する楕円偏光法(エリプソメトリ)(米国特許第3,874,797号及び同第3,824,017号参照)、及び(3)基体から反射した放射を監視する干渉分析法(米国特許第4,618,262号参照)を含むことができる。
【0004】
従って、チャンバ表面、特にチャンバ内の壁または窓の表面上へのプロセス残留分の堆積を減少させることも望ましい。
【0005】
(発明の概要)
本発明は、これらの要望を満足させることができる装置及び方法を提供する。一面において本発明は、基体支持体、ガス入口、ガスエナージャイザ、ガス出口、及びプロセス残留分が内部に堆積するのを減少させるようなサイズの凹みを有する壁を備えている処理チャンバを含む基体処理装置を提供する。
【0006】
別の面において本発明は、支持体、ガス入口、ガスエナージャイザ、排出口、及びプロセス残留分が内部に形成するのを減少させるための手段を有する壁を含むチャンバを備え、支持体上に保持された基体を、ガス入口から導入され、ガスエナージャイザによって付勢され、そして排出口から排出されるプロセスガスによって処理することができるようにした基体処理装置を提供する。
【0007】
別の面において本発明は、チャンバ内において基体を処理する方法を提供し、本方法は、基体をチャンバ内に配置するステップと、付勢されたガスをチャンバ内に供給して基体を処理するステップと、プロセス残留分が内部に形成されるのを減少させるようになっている凹みをチャンバの壁に設けるステップとを含む。
【0008】
別の面において本発明は、基体支持体、ガス入口、ガスエナージャイザ、ガス排出口、及び内面を有する壁を有する処理チャンバを備えている基体処理装置を提供し、壁の内面にはプロセス残留分が内部に堆積するのを減少させるようなサイズのアスペクト比を有する凹みが形成されている。
【0009】
さらなる面において本発明は、基体支持体、ガス入口、ガスエナージャイザ、ガス排出口、及びプロセス残留分が内部に堆積するのを減少させるようなサイズの凹みを有する壁を含む処理チャンバと、凹みを有する壁の部分付近に磁界を維持するようになっている磁界の源と、処理チャンバ内の基体に対して遂行可能なプロセスを、壁内の凹みを通して監視することができるプロセス監視システムとを備えている基体処理装置を提供する。
【0010】
更に別の面において本発明は、基体支持体、ガス入口、ガスエナージャイザ、ガス排出口、及びプロセス残留分が内部に堆積するのを減少させるようなサイズの凹みを有する壁を含む処理チャンバと、凹みを有する壁の部分の周りに電場を維持するようになっている電場の源と、処理チャンバ内の基体に対して遂行可能なプロセスを、壁内の凹みを通して監視することができるプロセス監視システムとを含む基体処理装置を提供する。
【0011】
更に別の面において本発明は、基体支持体、ガス入口、ガスエナージャイザ、ガス排出口、及び支持体の周りの側壁を含む処理チャンバを備えている基体処理装置を提供し、側壁はプロセス残留分が内部に堆積するのを減少させるようなサイズの少なくとも1つの凹みを有している。
【0012】
更に別の面において本発明は、チャンバ内において基体を処理する方法を提供し、本方法は、基体をチャンバ内に配置するステップと、付勢されたガスをチャンバ内に供給して基体を処理するステップと、チャンバの側壁内に凹みを設けるステップと、凹みを通して放射を通過させるステップとを含む。
【0013】
以下に添付図面を参照して本発明を説明するが、この説明は単なる例示に過ぎず、本発明がこの説明に限定されるものではないことを理解されたい。
【0014】
(実施の形態)
基体処理装置20は、基体30上に能動または受動電子デバイスを製造するために使用される。例示した実施の形態では、装置20は、例えば図1aに示すように、基体30を処理するための処理ゾーン40を限定している壁38を有する処理チャンバ35を備えている。チャンバ壁38は、金属、またはセラミック材料、または両者で作ることができる。例えば壁38は、例えばアルミニウムのような金属で作られている側壁部分と、例えばAl2O3、SiO2、AlN、BN、Si、SiC、Si3N4、TiO2、ZrO2の1つまたはそれ以上、及びそれらの混合体または化合物(例えば、石英)のようなセラミックで作られている天井部分を含むことができる。処理ゾーン40は、基体30を支持するための基体支持体45を含み、基体支持体45は基体30を静電的に保持するための静電チャック50を含むことができる。プロセスガスは、ガス源70、1つまたはそれ以上の流れ制御弁75、及び1つまたはそれ以上のガス入口80を含むガス供給65を通して処理ゾーン40内へ導入される。使用済みのプロセスガス及びエッチング副産物は、排出ポンプ90を含む排出システム85を介して処理チャンバ35から排出され、処理チャンバ35内のプロセスガスの圧力を制御するために絞り弁95が設けられている。
【0015】
ガスエナージャイザ60は電磁エネルギをプロセスガスへ結合し、付勢された及び中性のガス状種を形成させる。図1bのチャンバ形態は、カリフォルニア州サンタクララのアプライドマテリアルズ製のDPS型チャンバ35を表している。この処理チャンバ35においては、ガスエナージャイザ60は処理チャンバ35の天井55に近接して維持されているアンテナ100を含み、プロセスガスにエネルギを誘導結合することによって処理ゾーン40内のプロセスガスを付勢するようになっている。天井55の少なくとも一部分は、誘電材料(例えば酸化アルミニウム)のような電磁エネルギに対して透過性の材料で作られる。代替として、または組合わせとして、支持体45及び基体30の周りの側壁96のような処理電極を帯電させることによって容量的にプロセスガスへエネルギを結合し、プロセスガスを付勢することができる。これもアプライドマテリアルズ製のIPS型チャンバのような別のチャンバ設計(図示せず)では、天井55は、処理チャンバ35内へRFエネルギを容量的に結合するための処理電極として働く半導電性材料からなる。プロセスガスへ結合されるエネルギの周波数は、典型的には約50kHzから約60MHzまでである。例えば、約500Wから約2000Wまでの(源)電力レベルのアンテナ電源104によってこれらの周波数のRF電圧をインダクタアンテナ100へ印加し、プロセスガスを付勢することができる。
【0016】
更に別のチャンバ設計(図示せず)では、電子サイクロン共鳴によって、または1989年6月35日付米国特許第4,842,683号に開示されているこれもアプライドマテリアルズ製のMxP型チャンバのように、付勢されたプロセスガスに磁石または電磁石コイルのような磁界発生器によって磁界を印加することもできる。例えば、これもアプライドマテリアルズ製のMxP/RPS型チャンバのように、典型的には処理チャンバ35に近接している遠隔チャンバ(図示せず)内でプロセスガスを付勢することもできる。一般に、遠隔チャンバは処理チャンバ35の上流にあり、電磁エネルギを結合して遠隔チャンバ内のプロセスガスを活性化させるガスエナージャイザを含むことができる。適当な電磁源(これも図示せず)は、例えば、マイクロ波印加装置、マイクロ波同調アセンブリ、及びマグネトロンマイクロ波発生器からなる。
【0017】
プロセス監視システム25は、例えばプラズマ放出分析法、楕円偏光法、または干渉分析法によって、処理チャンバ35内で遂行されているプロセスを監視するために使用することができる。典型的には、プロセス監視システム25は、壁38の放射透過性部分を通してプロセスを監視する。例えば、壁38は窓部分130を含むことができ、この窓130はそれを通して幾つかの型の放射を通過させることができる。例えば、窓130は、プラズマ内で生成可能な、または基体30またはチャンバ35内の表面から反射する紫外、可視、または赤外放射に対して実質的に透過性であることができる。例えば、図1aに示すように、放射源150から基体30上へ放射ビームを導き、基体から反射したビーム148bを監視するようにプロセス監視システム25が設けられている場合は、放射源150から放出され、基体30によって反射された放射に対して窓130は透過性である。従って、窓130は、プロセス監視システム25によって監視される放射波長または周波数に対して実質的に透過性の材料で作ることができる。赤外、可視、及び紫外放射に対して透過性にする場合には、窓130は、Al2O3、Si、SiO2、TiO2、ZrO2の1つまたはそれ以上、またはそれらの混合体及び化合物のようなセラミックで作ることができる。セラミックは、フッ素含有プラズマのようなハロゲン含有プラズマ内で耐浸食性を呈することができるサファイア(単結晶アルミナ)のような単結晶材料からなることもできる。カリフォルニア州サンディエゴのキョウセラセラミックスから、適当なサファイア窓を入手することができる。一般的に、窓130は、多辺形、矩形、または円形からなることができる。窓130の表面は、窓130を通過する放射の散乱を減少させるために滑らかに研磨することができる。例えば、窓130の表面粗さを約1μmより小さくすることによって、可視、紫外、及び赤外放射の散乱が減少する。
【0018】
図1aに示す実施の形態では、窓130はチャンバ35の壁38の一体化部分である。窓130は、基体30の直上の天井55に位置決めされており、窓130を透過した放射ビームを殆ど垂直な入射角(即ち約85°から約95°まで)で基体30上へ入射させることを可能にするような形状であり、そのようなサイズである。このような放射を使用すれば、基体30上でエッチングされつつあるトレンチの深さの変化を観測することができる。窓130は、側壁上、または例えば評価される放射がチャンバ35内のプラズマからの放出スペクトルである場合には天井55の異なる部分上のような、壁38の他の部分に配置することもできる。
【0019】
本発明の1つのバージョンでは、壁38は、壁38の内面142において始まっている凹み145を含んでいる。図5a及び5bに示すように、凹み145は壁38内の窓130まで延ばす、または窓130で終端させることも、または凹み145をチャンバ35の他の構造またはデバイスにおいて終端させることもできる。凹み145は、壁38の一部分または厚み全体を通って延びるアパーチャ、トレンチ、または溝であることができる。凹み145の断面形状は、円形、多辺形、三角形、六角形、方形、または矩形であることができる。例えば、凹み145は、窓130上にプロセス残留分の形成を減少させるために、付勢されたガス種が窓130へ接近することを制御しながら、放射は処理チャンバ35とプロセス監視システム25との間を通過できるようにする通路からなることができる。このバージョンでは、凹み145は、十分な量の放射を通過させてプロセス監視システム25を動作させながら、しかも付勢されたガス種の接近を制御できるような形状であり、そのようなサイズである。例えば、凹み145は、視線入射放射ビーム148a及び基体30からの視線反射放射ビーム148bの両者を通過させ、且つ干渉分析法または楕円偏光法を遂行できるような形状であり、そのようなサイズである。また凹み145は、例えばプラズマ放出分析を遂行するために、プラズマからのスペクトル放出を監視するような形状であり、そのようなサイズであることができる。
【0020】
凹み145のアスペクト比(深さと開口サイズとの比)が、凹み145へのイオン及び中性ガス種の接近を制御する。例えば、凹み145の深さは、ガス種が例えば凹み145内の窓130へ到達するまでに走行しなければならない距離を制御するようなサイズとすることができる。凹み145の開口サイズは、凹み145内へ進入するガス種の量を制御するようなサイズにすることができる。凹み145は、例えばプラズマが窓130に到達する前にそれを消弧(extinguish)させるように十分に側壁再結合(sidewall recombination)させることによって、チャンバプラズマが凹み145へ進入することを排除するようなサイズにすることもできる(凹みのサイズは、プラズマシースの厚みに依存する)。例えば、ガス種が凹み145の通路を通過する際にガス種が凹みの側壁と衝突するか、または互いに結合する場合には、僅かなガス種が凹み145の深さを横切って通過する。また凹み145を通って進入または走行するガス種の数を減少させること、及び/または、幾らかのガス種が通路を通って走行して凹み側壁148または窓130上に形成されるプロセス残留分堆積をスパッタまたはエッチングできるようにすることが望ましい。
【0021】
以上から、凹み145の深さと開口サイズとの比である凹み145のアスペクト比は、幾らかのガス種(例えば、プロセス残留分を形成し得る中性ガス種のような)の進入を禁止しながら、他のガス種(例えば、プロセス残留分を除去するのを援助し得る帯電した、または化学的に活性化された種のような)が凹み145内へ進入して走行し、それによって窓130に到達するガス種の型または量を制御できるようにサイズを決めることができると考えられる。ポリシリコンのプラズマエッチングに有用な一実施の形態では、凹み145は、少なくとも約0.25:1の、オプションとして約12:1より小さいアスペクト比を有している。このアスペクト比は、少なくとも約3:1、及び例えば約4:1から約5:1までのように7.5:1より小さくすることもできる。このようなアスペクト比を有する凹み145の側壁148上にはプロセス残留分は僅かに堆積するか、または全く堆積しない。また凹み145内の窓130上には、プロセス残留分は殆ど堆積しない。しかしながら、幾つかのプロセスにおいては、望ましくないガス種が窓130に到達するのを選択的に濾過して排除し、それを防ぐために、例えば約0.25:1から約3:1の、または約0.5:1から約2:1のようにより小さいアスペクト比が有用である。
【0022】
一般に、窓130の前に凹み145を配置すると、プロセス残留分を形成させるガス状種(例えば、残留分形成種であり得る中性ガス状種)の接近が減少するために、または残留分除去種(例えば、プロセス残留分をエッチングして除去し得る高度に付勢されたガス状イオン)の接近が可能になるために、窓130上へのプロセス残留分の堆積が減少するものと考えられる。従って、凹み145の動作は、凹み145のアスペクト比、深さ、または開口サイズ、及びチャンバ内で遂行されるプロセスの特性に依存して、異なるモードで発生し得る。例えば、約2ミリトルから約10ミリトルまでのガス圧で遂行されるシリコンエッチングプロセスにおいては、異なる2つのメカニズムが現れるものと考えられる。第1のモードでは、側壁との多重衝突、及びその後の凹み側壁148へのガス種の付着によって、窓130に到達する残留分形成ガス種束は減少するものと考えられる。凹み145は、プラズマが窓130に到達する前にそれを消弧させるように十分に側壁再結合させることによって、プラズマ(もし存在すれば)が凹み145へ進入することを排除するようにも動作する。適当な凹み145は、アスペクト比が少なくとも4:1であり、直径はプラズマシース厚み(もしプラズマが存在すれば)の10倍よりも小さい。アスペクト比を増加させれば、窓130上の既に低下せしめられたプロセス残留分堆積速度を更に低下させることができる。上記プロセス例では、約5:1のアスペクト比と約4mmの孔直径とを有する凹み145は、プロセス残留分堆積速度を、凹み145を用いない場合の1%以下にする。
【0023】
更に、凹み145の第2の動作モードは、凹み145のサイズ及びアスペクト比が堆積対エッチングの平衡を変化させ、窓130上に形成されるプロセス残留分の正味除去を発生する場合に出現するものと考えられる。第2のモードは、窓130上に形成されたプロセス残留分をエッチングして除去するような付勢されたガス種(プラズマからのような、しかしプラズマは必要ない)が存在する場合に有用である。凹み145の特定のサイズ及びアスペクト比は、プロセスに依存する。例えば、窓130の内側上のプロセス残留分の正味エッチングを発生させるためには、1.5のアスペクト比を有する単一の凹み145で十分であろう。このようなアスペクト比の場合、基体30の大きい視線面積を得るために、凹み145のアレイを使用することもできる。基体30またはチャンバ壁から反射した視線放射の透過を最大にするために、凹み145のアレイは、図8bに示すように、凹み145間の壁厚を薄くした六角形密集アレイ内の六角形、または方形アレイ内の方形のような非円形孔にすることができる。
【0024】
凹み145の深さまたは開口サイズは、互いに独立的に、または予め選択されたアスペクト比に関係付けて選択することができる。例えば、最適深さdは、ガス流量及びガス圧に依存させることも、またはそれがガス種の平均自由経路長、それらの分子のサイズ、及びそれらの反応性に関係しているので、ガス組成にさえ依存させることができる。例えば、約1ミリトル乃至約1000ミリトルのガス圧において遂行されるシリコンエッチングプロセスの場合、最適凹み深さdは、約0.5から約500mmまで、または約10mmから約50mmまででさえあることもできる。凹み145の開口サイズは、線形寸法(矩形または平行四辺形の場合の幅のような)を有することも、または円形寸法(丸孔の場合の直径のような)を有することもできる。凹み145の開口サイズは、典型的には約0.1mmから約50mmまでである。
【0025】
凹み145を通る通路は、例えば図6aに示すように基体30の処理表面に対して垂直に位置決めすることも、または図6b及び6cに示すようにチャンバ35の内面に対して傾斜した角度に位置決めすることもできる。付勢されたガス種の走行の主方向に対する通路の角度は、付勢されたガス種が凹み145内へ、及びオプションとして窓130へ接近することも制御する。例えば、凹み145のの縦方向または中心軸は、付勢された種の走行方向に沿うように角度を付けることができる。また図6b及び6cに示すように、凹み145は、基体30に直角な面に対して傾斜させて(例えば、約90°より小さい角度で、または例えば約60°から約90°まで、または約70°から約88°まで、そして一実施例では約80°に)配向することができる。角度を傾斜させた凹み145は、基体30から反射した視線放射、またはプラズマの特定領域から発した放射を選択的に通過させるためにも使用することができる。
【0026】
別のバージョンでは、複数の凹み145は、基体30の1つまたはそれ以上の異なる領域から反射した、またはチャンバ35内のプラズマの部分からの放射を通過させるように配列することができる。例えば、1つの凹み145を70°の角度に傾斜させ、別の凹み145を80°の角度に傾斜させ、更に別の凹み145を90°の角度にすることができる。このようにすると、1つまたはそれ以上の凹み145を通る視線(基体への、またはプラズマの一部分への)を監視することが可能になり、適切なプロセス監視領域を選択する上で所望の柔軟性が得られる。
【0027】
別のバージョンでは、1つまたはそれ以上の窓130をチャンバ35の側壁96内に設けることができる。例えば、図1cに示すバージョンでは、2つの窓130がチャンバ35のほぼ反対側の側壁96上に設けられている。このバージョンでは、プロセス監視システム25は、1つの窓130を通して放射ビーム148aを基体上へ入射させるようになっている放射源150を含むことができる。基体30から反射して他の窓130を通る放射ビーム148bは、干渉分析または偏光分析のために放射検出器160によって検出することができる。代替として、または付加的に、側壁96内の窓130を、例えばプラズマ放出分析を遂行するためにプラズマからのスペクトル放出を監視するような形状とし、そのようなサイズにすることができる。図1cに示すように、1つまたはそれ以上の窓は上述した型の凹み145を含むことができる。窓130及び/または凹み145は、チャンバ35のサイズ及び放射ビーム148aの所望入射角に依存して、側壁96に対して約5°から約85°まで、より好ましくは約60°から約70°までの角度に傾斜させることができる。
【0028】
壁と一体である代わりに、図2aに示すように、窓130は天井55上に位置決めされた分離構造であることもできる。この実施の形態では、窓130は、天井55内の対応アパーチャ134に嵌合するようなサイズの放射透過性材料のプラグ132からなる。例えば、プラグ132は、アパーチャ134の深さより小さい外向きに延びるポスト136を有する円板133からなることができる。円板133は天井55から延びている円形の棚138に載るようなサイズであり、シール139を円板133と円形の棚との間に形成してチャンバ35内にガス状環境を閉じ込めることができる。図2bに示すように、ポスト136のトップ及びアパーチャ134の周縁側壁は、壁38内に凹み145を限定している。この実施の形態は、プラグ132が浸食された時に交換することも、清浄化のために取り外すことも、または異なるプロセスを監視するために変化させることもできるので有利である。
【0029】
別の実施の形態では、図3及び4に示すように、壁38は離散した、そして壁38から分離した、または図5a、b、及び6a−cに示すように壁38と一体のマスクまたはマスキング部分140(以下、両方の用語を使用する)からなる。マスクまたはマスキング部分140とは、窓上へのプロセス残留分の形成を減少させるのに役立つ壁38の部分、窓自体の部分であることができる構造、または分離した構造のことをいう。図3の例では、窓130は、チャンバ35の天井55内のアパーチャ134上に取付けられている上述したような放射透過性の材料で作られた板135からなる。上側に位置するマスキング部分140は、それを通って延びる少なくとも1つの凹み145を有している。マスキング部分140は、放射が凹み145を通過できるようにしながら、窓130上へのプロセス残留分及び副産物の堆積を減少させるように(そして、そのようにしなければチャンバ35内に露出する)板135の表面をカバーしている。マスキング部分140は、チャンバ35内のプロセスガスまたはプラズマによる浸食に耐える耐プラズマ材料のような材料(例えばAl2O3、SiO2、AlN、BN、Si、SiC、Si3N4、TiO2、及びZrO2の1つまたはそれ以上のような)で作ることも、または窓130または壁38と同一の材料であることもできる。
【0030】
このようなマスキング部分140及び凹み付き窓130は、ポリシリコンのエッチング中にエッチング材残留分の形成速度を約3乃至約10Å /時まで減少させることが分かった。これは、保護されない窓の場合の約0.03乃至0.1ミクロン/時の速度の約100分の1である。更に、マスキング部分140は、窓130を化学的に反応性のプロセスガスによる浸食から保護し、下側に位置する窓130の寿命を延ばす。窓130上へのプロセス残留分の堆積が減少するので、プロセス監視システム25の信号対雑音比が高まり、チャンバ35内において多数の基体30を処理した後でさえ、放射の読みはより正確で、信頼できるものになる。もしサファイアのような耐プラズマ窓材料が使用されていれば、窓130上への残留分の形成が僅かになるか、または全く形成されないように、そしてそれによって清浄化することなく窓130を多数回使用できるように、アスペクト比を選択することができる。より正確なプロセス監視方法によって、基体30上へより薄いフィルムを堆積させることも、またはそのフィルムをエッチングすることも可能になる。更に、窓130の表面を清浄化するために処理チャンバ35を屡々開放する必要がないので、チャンバの使用効率及び基体のスループットを増加させることができる。
【0031】
窓130は、放射透過性板135からなることもできる。図4に示すように、この板135は基体30の面に対して、または板135上への反射照射の入射角に対してある角度に取付けられている。窓130の傾斜角は、放射源から発して、または基体30から反射して窓130を通過する放射の反射を減少させる。適当な傾斜角は少なくとも約2°であり、好ましくは約15°より小さくすることができる。板135は、例えば板135の下にステップ152を設けることによって、板135の一方の側または縁を反対の側/縁に対して持ち上げることによってある角度に傾斜させることができる。一実施の形態では、ステップ152は、約0.5mmから約5mmのサイズである。
【0032】
壁38のマスキング部分140は、複数の凹み145を含むこともできる。例えば、図7a及び7bに示す凹み145のアレイは、適当な強度の放射を通過させることができるように十分に大きい累積開口面積を有している。凹み145は、源放射ビーム148aが基体30の表面を横切って走査できるように、それらを離間させることも、または基体30のバイア、トレンチ、または平坦部分のような特定のフィーチャ上に位置決めすることもできる。例えば、300mmのウェーハを処理するために使用されるチャンバ35では、壁38は、約200mm2から約2,000mm2(0.3から約3平方インチ)までの、より好ましくは約400mm2から約600mm2(0.6から約0.9平方インチ)までの合計累積開口面積を有する凹み145のアレイからなることができる。凹み145の実際のサイズ、数、及び配列は、チャンバのサイズ及びジオメトリ、基体の直径、遂行されるプロセス、及びプロセス監視システム25の要求に依存する。干渉分析式プロセス監視システム25に有用な実施の形態では、マスキング部分140は、例えば約3個から約800個までの、または約7個から約200個までの凹みのアレイを含むことができ、凹み145は約0.25mm乃至約15mmだけ離間させることができる。
【0033】
凹み145のアレイは、図6cに示すようなシャワーヘッド形態(各凹み145は、例えば凹み145の壁が互いに隣接している円錐の形状である)に配列することもできる。凹み145のアレイは、干渉分析法または偏光分析法では基体30の広い面積が見られるように、またはプラズマ放出分析法ではプラズマの1つまたはそれ以上の予め選択された領域が見られるように配置、または配向することができる。アレイは、異なるサイズの凹み145からなることもできる。例えば、図7aに示すように、窓130の中心部分の上に配置され、例えば3.5mm乃至5mmの直径を有する第1の凹み145aと、周縁部分の上に配置され、例えば2mm乃至3mmの直径を有する複数の第2の凹み145bとからなることができる。
【0034】
更に別の実施の形態では、例えば図8a及び8bに示すように、凹み145は互いに密に離間している六角形の開口からなる。この実施の形態では、凹み145は、直シリンダの形状であり、円板状の窓130の露出された全部分を実質的にカバーするサイズである。このバージョンでは、マスキング部分は、酸化アルミニウム製のアパーチャ構造からなることができる。図示の実施の形態では、マスキング部分140は盛り上がったペデスタルからなり、周囲に環状のリップ154を有している。盛り上がったペデスタル153は、約0.5mmから約500mmまでの厚みと、約50mmから約200mmまでの直径とを有し、隅を丸めてプラズマ浸食を減少させるようにしてある。環状リップ154は、マスキング部分を容易にチャンバ35に取付けることができるようなサイズであり、その厚みは約0.5mmから約10mmまでである。
【0035】
例えば図9a及び10aに示す本発明の別の実施の形態では、処理チャンバ35は、例えば凹み145の周り、及びオプションとして窓130の周りのような壁38の一部分の周り、及びその付近に電磁界または電磁エネルギを発生させるようになっている電磁界源190を備えている。支持体45上に保持された基体30が付勢されたプロセスガスによって処理される時に、壁38の周りの電磁界は壁38上、凹み145内、または窓130上へのプロセス残留分の堆積を減少させる。
【0036】
例えば、図9aに示す実施の形態では、電磁界源190は、壁38の一部分の付近、凹み145の周り、または窓130を横切って磁界を維持するようになっている磁界源195を備えることができる。磁界源195は、壁38、凹み145、または窓130に近接または隣接して位置決めされ、それらの周りに磁気エネルギを発生する少なくとも1つの磁石200または電磁石(図示せず)からなる。磁界源195は、チャンバ35の他の部分に比して凹み145または窓130を横切って選択的に集中する磁界を発生する。例えば、(磁力線で表されているように)磁気エネルギは凹み145または窓130の周りの空間に閉じ込められ、チャンバ35内へ小さい距離だけ突入することもできる。
【0037】
磁気エネルギは、凹み145内へのガス種の進入、または窓130へのガス種のアクセスを制御するために印加することができる。例えば、磁気エネルギは、帯電したプラズマイオン及びプラズマの電子を閉じ込める、または壁38または窓130から遠去けるように反発させ、それによってそれらの上へのこれらのガス種からのプロセス残留分の堆積を減少または阻止するために、壁38または窓130の面に平行に印加される磁界成分を有することができる。壁38または窓130に平行な面内の成分を有する磁界は、この領域内の帯電イオン及び電子をこの領域の周りを円形運動で回転させ、それによってそれらが壁38または窓130に到達するのを阻止するものと考えられる。実際の磁界強度は、窓のサイズ、プラズマイオンのエネルギ、その他の要因に依存する。しかしながら、適当な磁界強度は、約10ガウスから約10,000ガウスまでであり、50ガウスから約2000ガウスまでさえ使用できる。
【0038】
図9aに示す実施の形態では、磁界源195は、窓130の周縁の周りに反対の磁極が互いに対面(例えば、N極205aとS極205bとが対面)して配置された複数の磁極205からなる。図9bに示す別の実施の形態では、磁界源195は、アパーチャ215を横切る磁界を維持するように配列されている磁極205a、bを有する典型的には強磁性材料製の磁気ヨーク210からなる。磁気ヨーク210は、反対磁極が互いに対面している1対の半径方向に延びる磁極205a、bからなる。代替として、図9cに示すように、磁界源195は複数の磁石200からなることができ、プロセス監視システム25を動作させるために窓130を放射が通過できるようなサイズのアパーチャ215を横切って互いに対面している磁極205を有する。アパーチャ215は円形、三角形、または矩形であることができるが、一般に円形開口は、磁界源のために良好な軸対称と、プラズマによる浸食を受け憎い滑らかな内面とを提供する。
【0039】
図10aに示す別の実施の形態では、電磁界源190は、壁38、凹み145の周りに、または窓130を横切る電気エネルギを発生してそれらの周りに電界を維持する電界源220からなる。電界は、例えば、ガス種を形成している帯電残留分を反発させることによって、または付勢されたガス種を窓130に衝突せしめてプロセス残留分をエッチングにより除去することによって、壁38上、凹み145内、または窓130上へのプロセス残留分の堆積を減少させることができる。電界源220は、壁38に近接し、隣接し、または背後にあり、凹み145の周りにあり、または窓130の付近にあってそれらに電気エネルギを結合する電極225からなる。電界は、壁38または窓130の面に平行な、または直角な電界成分を有することができる。電極225は、壁38の全面積、または窓130だけをカバーする電界を発生するのに十分に大きいサイズであることができる。電圧源245は、電極225を直流、交流、またはRF電圧で電気的にバイアスする。図10aに示すように、電圧源245は、インダクタアンテナ100の選択されたコイルを電極225に接続する電気タップ250であることができる。従って、アンテナ電源104は、電極225及びインダクタアンテナ100の両者に給電するために、または電極225を約10Vから約10,000Vまで、より好ましくは約20Vから約4,000Vまでの電圧でバイアスするために使用することができる。
【0040】
電極225は、電極225内に誘起され得る何等かの渦電流を減少させるような形状で、そのようなサイズの渦電流減少用スロット232を更に含むことができる。渦電流は、インダクタアンテナ100のような他のプロセス成分から電気エネルギが電極225に結合されることによって発生し得る。渦電流減少用スロット232は、電極225内の渦電流の流路を妨害する。例えば、図10bに示す実施の形態では、電極225は、円形渦電流を妨害する1つまたはそれ以上の放射状切欠きを持つ渦電流スロット232を有する円板235からなる。図10c及び10dに示す他の実施の形態では、渦電流スロット232は、一連の楔状の切込み242、または互いに離間した円形の孔243及びスロット240のアレイからなっている。
【0041】
上述した凹み145、またはマスキング部分140は、電磁界源装置190の何れかのバージョンを組合わせても使用できることに注目されたい。例えば、凹み145を有するマスキング部分140は、凹み145が磁気ヨーク210内のアパーチャ215または電極225内のアパーチャ230と整列するように、アパーチャ215、またはアパーチャ230上に位置合わせすることができる。例えば、図10eは、電極145内のアパーチャ230と整合するようなサイズで、そのように分配されている凹み145を有する壁38を示している。別の例として、図10fは、電極225が、放射透過性プラグ132からなる窓130によって限定されている大きい凹み145に接している実施の形態を示している。
【0042】
以下に図2を参照して、壁38、凹み付き窓130、及びプロセス監視システム25を有する本発明による処理チャンバ35の実施の形態の動作を説明する。この例では、プロセス監視システム25は、基体から反射した放射ビーム148bの特性(例えば、エッチングプロセスのエンドポイントを決定するために、その強度)を評価する干渉分析システムを備えている。プロセス監視システム25は、チャンバ35の外側または内側にあって放射の源をチャンバ内へ供給することができる放射源150を含む。放射源150は、例えば、チャンバ35の内側で生成されるプラズマからの放出からなり、これは、一般的には多重スペクトルであり、あるスペクトルにまたがる多重波長を有する放射を供給するることができる。放射源150は、源150からの入射放射ビーム148aが窓130及び凹み145を通過してチャンバ35内へ進入できるように、チャンバ35の外側に位置決めすることもできる。外部放射源150は、紫外(UV)、可視、または赤外放射を発生することも、またはX線のような他の型の放射を発生することもできる。一実施の形態では、放射源150は、例えばHe−NeまたはNd−YAGレーザのような単一の、または幾つかの波長の主放射を有する単色放射のような、優位波長を有する放射を発生する。
【0043】
別の実施の形態では、放射源150は多色放射を発生し、それを実質的に単一波長だけを供給するように選択的に濾波することができる。例えば、多色放射を発生する適当な放射源150は、チャンバ内のプラズマ放出、約180nmから約600nmまでの範囲内の波長を有する多色放射スペクトルを生成することができる水銀放電灯、キセノン、Hg−Xe及びタングステン・ハロゲン灯のようなアーク灯、及びLEDのような発光ダイオードを含む。多色放射源150は、特定のプラズマ放出スペクトル波長を使用できるように、選択された周波数を有する入射放射ビーム148aを得るために濾波することも、または放射検出器の前にカラーフィルタ(図示せず)を配置して、放射検出器160へ進入する反射放射ビーム148bの強度を測定する前に不要波長を濾波して除去することもできる。また、偏光された放射の偏光状態がプロセス窓130上に形成されたプロセス残留分によって変更され得るので、入射放射ビーム148aは非偏光放射からなることができる。しかしながら、上述したように窓130に堆積を生じない場合には、窓130上には殆ど、または全くプロセス残留分が形成されないので、偏光光を使用することができる。
【0044】
放射源150は、レーザビームのような放射ビーム148aを、基体30の表面に対してほぼ直角に、即ち90°に近い角度に導いて高いアスペクト比を有するフィーチャのエッチングを測定することができる(このようなアスペクト比を有するフィーチャは、基体30上に低い角度で、即ち鋭角で導かれる放射ビームをブロックし得る)。典型的には、放射源150からの放射ビーム148aを基体表面上へ導かれる平行化ビームに集束させ、及び/または、基体30から放射検出器160へ戻される反射放射148bを集束させるために、1つまたはそれ以上の集束用凸レンズ165を使用する。一般的には、入射ビームスポットの面積は、例えばバイア、または深くて狭いトレンチのような小さい開口を有する高アスペクト比のフィーチャをエッチングする際の基体30の表面トポグラフィの変化を補償するために(フィーチャのサイズに対して)大きくするが、基体30の特定フィーチャ上に入射ビームスポットを集束させるために小さくすることもできる。
【0045】
オプションとして、基体30の処理を監視するためにビームスポットを“駐車(park)”させるように、基体表面を横切って入射放射ビーム148aを運動させて処理中の基体の適当な部分を探知する位置決め装置170を使用することができる。典型的には、放射ビーム位置決め装置170は、小さい角度だけ回転して放射源150からの入射放射ビーム148aを基体表面の異なる位置上へ偏向させ、また反射放射ビーム148bを受けてそれを放射検出器160上に集束させる1つまたはそれ以上の主鏡175からなる。別の実施の形態では、位置決め装置170は、処理中に源放射ビーム148aを基体表面を横切ってラスタパターンで走査させる。例えば、ビーム位置決め装置170は、放射源150、集束用アセンブリ、集光レンズ、及び検出器160を取付けた可動ステージ(図示せず)からなる走査アセンブリを含むことができる。この可動ステージは、基体表面を横切って入射ビームを運動させるために、ステッパモータのような駆動メカニズムによって、設定された間隔で運動させることができる。
【0046】
放射検出器160は放射感応表面を有する電子成分からなり、反射放射148bの強度に応答して信号を発生する。干渉分析法においては、反射放射148bは、建設的及び/または破壊的干渉を受けて処理中の層の厚み、または基体30上のエッチング中のトレンチの深さの増減に伴って変動する強度を発生し、放射検出器160は、反射放射148bの測定された強度に関係付けられた電気出力信号を発生する。検出器160は、反射放射148bの測定された強度に応答して電気出力信号を発生する光起電力セル、フォトダイオード、光電子増倍管、またはフォトトランジスタのような放射センサからなる。検出器信号は、電気成分を通過する電流のレベルの変化、または電気成分にまたがって印加される電圧の変化からなることができる。検出器は、日本のハママツから市販されているような光電子増倍管(PMT)からなることができる。
【0047】
コントローラ155は、放射検出器160から信号を受信し、アルゴリズムを使用して計算された値、または格納されている値に対してその信号を評価し、そして評価された信号に関係付けて、またはプログラムされているガイドラインに従って処理チャンバ35内の処理条件を変化させる。例えば、プロセスのエンドポイントに到達したことを検出すると、コントローラ155は第1の処理条件を第2の処理条件へ変化させ、基体上のある層の全体がエッチングされる前にその層のエッチング速度を変化させるか、またはエッチングプロセスを停止させることができる。エッチング速度はプロセスガスの組成を変化させ、化学的により反応性のエッチャントガスの含量を減少させることによって低下させることができ、プロセスガスに結合されるRFエネルギを低下させることができ、または基体温度を下降させることができる。典型的なコントローラ155は、例えば、カリフォルニア州サンタクララのインテルコーポレーションから市販されているペンティアム(登録商標)マイクロプロセッサのような1つまたはそれ以上の中央プロセッサユニット(CPU)からなるコンピュータを含み、CPUは周辺制御部品を有するメモリシステムに相互接続されている。CPUは、処理チャンバ35の特定部品を動作させるASIC(特定用途向け集積回路)からなることもできる。オペレータとコンピュータコントローラ155との間のインタフェースは、CRTモニタ及び放射ペン(図示せず)、またはキーボード、マウス、または位置決め通信デバイスのような他のデバイスを含むことができる。コントローラを動作させるために、コンピュータプログラムまたはコンピュータ命令を使用することができる。
【0048】
プロセスを遂行するために、基体30は、ロボットアーム(図示せず)によってロードロック転送チャンバ(図示せず)からスリット弁を通して処理チャンバ35の処理ゾーン40内へ転送され、支持体45上に配置されて静電チャック50によってそこに保持される。オプションとして、熱伝達ガスを基体30の下に供給して基体30の温度を制御する。次いで、処理チャンバ35内の処理条件を、基体30上の層を処理するように設定する。これらの処理条件は、プロセスガスの組成及び流量、ガスエナージャイザ60の電力レベル、ガス圧、及び基体温度の1つまたはそれ以上からなる。プロセスは、例えば各ステージが異なる処理条件を有しているような、多重ステージにおいて遂行することもできる。例えば、エッチングプロセスでは、基体30をエッチングすることができるように付勢されるプロセスガスは、処理チャンバ35内の基体30をエッチングするのに適する処理条件において付勢され、維持される。基体30上の層をエッチングするのに適するプロセスガスは、例えば、HCl、BCl3、HBr、Br2、Cl2、CCl4、SiCl4、SF6、F2、NF3、HF、CF3、CF4、CH3F、CHF3、C2H2F2、C2H4F6、C2F6、C3F8、C4F8、C2HF5、C4F10、CF2Cl2、CFCl3、O2、N2、He及びそれらの混合体を含む。付勢されたプロセスガスとは、解離した、解離してないイオン種及び中性種をより高いエネルギ状態へ励起できるように、プロセスガスを活性化する、またはエネルギを与えることをいう。また、始めに、基体上のエッチングすべき層の初期厚みを決定するために、反射率測定装置(例えば、カリフォルニア州サンタクララのKLA−TENCORから入手可能なモデルUV1050)を使用することができる。実際の層厚を使用して、エッチングプロセスの総合動作時間を推定し、及び/またはエッチングプロセスの後に基体30上に残留する層の所定の厚みを得るためにエッチングすべき層の厚みを計算することができる。
【0049】
例
以下に説明する例は本発明の原理を示しているが、当業者には明白なように、本発明は他の応用に使用することが可能であり、本発明の範囲は以下の諸例に限定されるものではない。
【0050】
これらの例においては、一般に、処理チャンバ35内においてエッチングプロセスを遂行し、またプロセス中に基体30から反射され、窓130を通過した放射の干渉信号を測定した。概述すれば、遂行したエッチングプロセスは、50sccmのCF4及び40sccmのSF6を2乃至3ミリトルの圧力で使用し、また750Wの源電力及び90Wのバイアス電力を使用する主ポリシリコンエッチングステージからなっていた。プロセス監視システム25によってプロセスエンドポイントを検出して主エッチングステージを停止させ、60sccmのSF6を約10ミリトルの圧力で使用し、また600Wの源電力及び1Wのバイアス電力を使用する第2のエッチングステージにおいて付加的なポリシリコンを除去した。周期的な時間間隔で窓130を取り外し、DekTakまたはアルファステップのようなスタイラスステップ高さ測定デバイスによって窓130上に堆積したプロセス残留分の厚み、及び窓130内の浸食深さを測定した。また、エッチングプロセス中に254nmの波長を有する放射を基体30から反射させ、既知の強度の放射源150及び透過した放射の強度を正確に測定することができる放射検出器160を使用して、窓130を通過する紫外放射の%透過率を測定した。
【0051】
例 1:プロセス残留分の効果
例1(比較対照の目的で、ベースラインを決定するために遂行した)では、基体30を上述したようにしてエッチングし、エッチングプロセスの始まりにおけるチャンバ内の窓130がきれいで、残留分が存在していない時と、エッチング中のプロセス残留分が窓130上に堆積した時に、%透過率を測定した。窓130はチャンバに向かって開いており、それを覆うマスキング部分140は用いなかった。図11aの“きれいな窓”線(a)はきれいな窓130を通過する反射放射の測定された透過スペクトルを示しており、“汚れた窓”線(b)は52時間にわたってチャンバを動作させて窓130上にプロセス残留分を堆積させた時の透過率の損失を示している。透過スペクトルの変化は、窓130上に堆積したプロセス残留分の高い吸収を示している。図11bは、エッチングプロセス中に現れるエンドポイント信号が、時間の経過と共に減少していることを更に示している。エンドポイント信号の振幅は、窓130上に堆積したプロセス残留分の厚みが増したために1/5またはそれ以下まで減少している。
【0052】
例 2:窓上のマスキング部分
例2では、エッチングプロセス中に窓130の上にアパーチャ145のアレイを有するマスク140を位置決めし、例1と同じ測定を行った。酸化アルミニウム製のマスキング部分140は、盛り上がったペデスタル153を環状リップ154が取り巻いていた(図8a及び8bに示す形態を、図3に示すチャンバ配向で使用)。盛り上がったペデスタルは約19mm(0.75インチ)の厚みであり、約3.8mm(0.15インチ)の開口幅と5:1のアスペクト比とを有する19個の六角形凹みのアレイを含んでいた。マスキング部分140は、窓130から約0.038インチに位置決めされていた。
【0053】
80分にわたってエッチングチャンバを動作させた後に、窓130を取り外した。窓130の部分に累積したプロセス残留分の厚み、及び窓130の浸食の深さの両者を測定した。マスキング部分140及びその凹み145が、窓130上へのプロセス残留分の形成を大幅に減少させることが分かった。それは、プロセス残留分の厚みが測定限界以下であることから理解される。エッチングプロセス中に、窓130は浸食されなかった。更に、窓130を通る紫外放射の透過率の%変化も検出限界以下、即ち1%より小さいことも分かった。
【0054】
例 3乃至例 11
これらの例は、窓130をカバーしているマスキング部分140内の異なるサイズの凹み145の効果を決定するために遂行された。所定の直径及びアスペクト比を有する単一の円形凹み145を有するマスキング部分140自体は、チャンバ35内の窓130上に位置決めした。チャンバ35内において80分にわたってポリシリコンエッチングプロセスを遂行し、次いで、マスキング部分140を取り外して窓130上に形成されたプロセス残留分の厚みを測定した。次いで、窓130(きれいにしてない)を再配置し、付加的な18時間のチャンバ動作の後に再試験した。新しい窓130、及び異なる直径またはアスペクト比を有する凹みを有する他のマスキング部分140を用いて、この実験を繰り返した。以下の表1は、25時間のチャンバ処理の後に、窓130上に形成されたプロセス残留分の厚み、及び窓130の浸食の深さを要約したものである。実験的に測定された残留分の厚み及び浸食深さレベルに基づいて決定された150時間のエッチングの後の窓130を通る放射(254nm)の%透過も示してある。
【0055】
【表1】
【0056】
例9乃至11においては、異なるサイズの凹み145によってカバーされた窓130上のプロセス残留分の堆積が測定された。これらの凹み145はアレイに配列され、凹みは(i)深さ0.75”及び直径0.3”、(ii)深さ1.5”及び直径0.20”、または(iii)深さ0.75”及び直径0.15”の何れかを有している。これらの試料においては、同一のアスペクト比を有する単一の凹み145を有する窓130の場合と本質的に同一のプロセス残留分の厚み及び浸食深さが得られた。
【0057】
異なる凹み形態を有する窓130上のプロセス残留分堆積及びエッチング特性の概要を図12に示す。これらの結果は予測されなかったものであり、幾つかの実効プロセスレジームが決定された。大きいアパーチャを有する凹み145(本質的には、普通のマスクされていない窓)の場合、上記プロセス例においてはプロセス残留分の堆積速度は約600Å /時と高い。大きいアスペクト比(>2)に対応する小さいアパーチャ(<0.3インチ)を有する凹みの場合、堆積速度は遙かに小さく、凹みの直径を減少させるにつれて更に小さくなる。中間のサイズのアパーチャと、約1から約2までのアスペクト比を有する凹みの場合、プロセス残留分の物理的堆積は減少するが、プラズマが窓130に到達して窓130の正味のエッチングが発生する。従って、上述したポリシリコンエッチングプロセスの場合の凹み145の1バージョンは、約0.75:1から約7.5:1までのアスペクト比と、0.01インチから約1.5インチまでの直径からなる。
【0058】
窓浸食データから、窓130を交換または手動清浄化しないでも、少なくとも400時間にわたってチャンバを動作させるために使用できることが予測された。これは、窓130を遙かに屡々交換しなければならない従来の技術に対して大幅な改善である。更に、上側にマスキング部分140及び凹み145を有する窓130は、普通のマスクされていない窓130の浸食速度よりも遙かに小さい残留分堆積または浸食速度を呈した。
【0059】
例 12
先行例からのデータを、深さ1”及び直径1.5”の凹み145を有するマスキング部分140を設計するためにも使用した。マスキング部分140をチャンバ35の窓130上に取付け、ポリシリコンエッチングプロセスを実行した。100RF時間の処理の後に窓130を測定したところ、浸食の深さが約19ミクロンであり、プロセス残留分の厚みが約13ミクロンであること、そして凹み145の側壁上のプロセス残留分の厚みが約18ミクロンであることが分かった。窓130に対して遂行した放射散乱試験によれば、窓の寿命が400RFプラズマ時間を超えることが分かった。更に、プロセスエンドポイントが検出される時間は比較的安定していて信頼できるものであり、図13aに示すように放射信号の振幅の低下は見られなかった。図13aは、エッチングチャンバ35の100時間の動作に対する反射放射信号(線401)の波頂から波底までの振幅と、比較的一定の光電子増倍管(PMT)の%利得(線402)を示している。図13bは100時間のエッチング動作の前(線404)及び後(線403)の、窓130を通る透過スペクトルを示しており、窓130を通過する放射のスペクトルには殆ど、または全く変化がないこと、従ってエッチングプロセスの後も透過損失は殆ど、または全くないことを示している。254nmにおける透過は、実際には僅かに増加している。エッチングプロセス中に凹み145を有するマスキング部分140を窓130上に保持した場合、100時間のチャンバ35の動作の前(図14a)及び後(図14b)の反射放射の振幅も、測定された波形の高さ、位置、または形状の変化を殆ど、または全く示さなかった。
【0060】
例 13−20
これらの例は、上側に位置するマスキング部分140内に凹み145を有する窓130を、多くの異なるプロセスに対して窓130上へのプロセス残留分の堆積を減少させるために使用できることを示している。図15は、窓130上にマスキング部分140を用いる、及び用いない場合の、多くの異なるプロセスの窓130上へのプロセス残留分の堆積速度を(プロセスガスの主要組成と共に)示している。下側に(M)を有するバーは、窓130の上にマスキング部分140が存在する場合に得られた堆積速度を示し、それ以外のバーはマスキング部分を用いないで得られた堆積速度を表している。殆ど全てのプロセスの場合に、マスキング部分140が窓130上への残留分堆積の速度を大幅に減少させていることが分かる。
【0061】
チャンバ35内にマスキング部分140を用いて、及び用いないでエッチングプロセスによって得られる被エッチング基体の特徴または特性に何等かの変化が生じたか否かを決定するために、付加的な試験を遂行した。しかしながら、チャンバ35内の窓130をカバーするマスキング部分140を用いても、用いなくても基体30のエッチングの速度、及び臨界寸法損及びプロファイル角のような他のエッチング特性は同一のままであった。これらの実験は、マスキング部分140がエッチングプロセスの結果に重大な影響を及ぼさないことを示した。
【0062】
以上の諸例は、チャンバ35内で遂行される多くの異なるプロセスを正確に、且つ信頼できるように監視するために本発明を使用できることを示している。本発明は、窓130上へのプロセス残留分の形成を減少させ、またチャンバ35内の窓130の浸食をも減少させることができる。その結果、たとえ多数の基体30をエッチングした後であっても、窓130を通して測定される干渉放射の振幅は高く維持される。マスキング部分140及び凹み130は、長いプロセス実行時間にわたって窓130を通って透過する放射の減衰を大幅に低下させ、放射信号検出レベルを増加させ、そしてきれいな窓130が必要なために処理を停止させる必要性を減少させる。従って、チャンバ35は、窓130を取り外す、またはきれいにするために停止させることなく、長時間にわたって有利に使用することができる。
【0063】
以上に本発明を好ましい実施の形態に関して説明したが、他の実施の形態も可能である。例えば、当業者には明白なように、プロセス監視システムはスパッタリングチャンバ、イオン注入チャンバ、または堆積チャンバのような他の応用にも使用可能である。更に、本発明の教示から窓と等価な構成を設計できることも明白であろう。従って、特許請求の範囲に記載の本発明の思想及び範囲が以上の説明によって限定されるものではない。
【図面の簡単な説明】
【図1a】
本発明によるチャンバの実施の形態の例を示す断面図である。
【図1b】
本発明によるチャンバの実施の形態の例を示す断面図である。
【図1c】
本発明によるチャンバの実施の形態の例を示す断面図である。
【図2a】
凹み部分を有するチャンバ壁の断面図である。
【図2b】
凹み部分を有するチャンバ壁の断面図である。
【図3】
凹みを含み、チャンバ壁内の窓をカバーしている分離したマスキング部分の断面図である。
【図4】
窓上に凹みを有するマスキング部分の別の実施の形態を、プロセス監視システムと共に示す断面図である。
【図5a】
凹み付きマスキング部分及び窓部分を含む壁の断面図である。
【図5b】
図5aの壁の上面図である。
【図6a】
複数の凹みを有するマスキング部分を備えた壁の例示実施の形態の断面図である。
【図6b】
複数の凹みを有するマスキング部分を備えた壁の例示実施の形態の断面図である。
【図6c】
複数の凹みを有するマスキング部分を備えた壁の例示実施の形態の断面図である。
【図7a】
1つまたはそれ以上の直径を有する凹みのアレイを有するマスキング部分を有する壁の別の実施の形態の断面図である。
【図7b】
図7aの壁の上面図である。
【図8a】
六角形凹みのアレイを有するマスキング部分を有する壁の別の実施の形態の断面図である。
【図8b】
図8aの壁の上面図である。
【図9a】
チャンバ内の窓を横切る磁界を維持する電磁界源を有するチャンバの部分断面図である。
【図9b】
対面する磁極を有する磁石からなる電磁界源の上面図である。
【図9c】
複数の磁石からなる別の電磁界源の上面図である。
【図10a】
チャンバ内の窓を横切る電界を維持する電磁界源を有するチャンバの部分断面図である。
【図10b】
窓を横切る電界を維持するために使用することができる電極の実施の形態の上面図である。
【図10c】
窓を横切る電界を維持するために使用することができる電極の実施の形態の上面図である。
【図10d】
窓を横切る電界を維持するために使用することができる電極の実施の形態の上面図である。
【図10e】
電極の実施の形態を有するチャンバの部分断面図である。
【図10f】
電極の実施の形態を有するチャンバの部分断面図である。
【図11a】
基体から反射し、きれいな窓(a)、及び52時間にわたって処理プラズマに曝された窓(b)を通過する放射の透過スペクトルを示すグラフである。
【図11b】
数日にわたってチャンバを動作させたためにチャンバの窓上に形成されたプロセス残留分の厚みの増加を原因として、基体反射放射の振幅の減少を時間の関数として示すグラフである。
【図12】
窓上に形成されたプロセス残留分の決定された厚みを、窓をカバーするマスキング部分内の凹みのアスペクト比の関数として示すグラフである。
【図13a】
基体から反射した放射の波頂・波底振幅、及び約100時間のエッチングチャンバの動作の後のPMT利得%を示すグラフである。
【図13b】
窓を通る放射の%透過率を、チャンバ内における100時間のエッチングの前及び後の放射の波長の関数として示すグラフである。
【図14a】
チャンバ内におけるエッチング前に窓を通過する基体反射放射の相対振幅を示す図である。
【図14b】
チャンバ内における100時間のエッチング後に窓を通過する基体反射放射の相対振幅を示す図である。
【図15】
マスキング部分を有する窓((M)で示す)上に、及びマスキング部分を有していない窓上に形成されるプロセス残留分の堆積速度を、異なるプロセスガスレシピに関して示す図である。
(技術分野)
本発明は、チャンバ内の表面上へのプロセス残留分の堆積を減少させる装置及び方法に関する。
【0002】
(従来の技術)
基体製造プロセスにおいては、半導体、誘電体、及び導体材料が基体上に形成され、エッチングされて、ゲート、バイア、コンタクトホール、または相互接続線のパターンが形成される。これらの材料は、典型的には、化学蒸着(CVD)、物理蒸着(PVD)、酸化及び窒化プロセスによって形成される。例えば、CVDプロセスでは反応性ガスを使用して材料の層を基体上に堆積させ、PVDではターゲットをスパッタさせて材料を基体上に堆積させる。酸化及び窒化プロセスでは、基体を適当なガス状環境に曝すことによって、典型的には二酸化シリコンのような酸化物、または窒化シリコンのような窒化物の層を形成させる。エッチングプロセスでは、フォトリソグラフ法によってフォトレジストまたはハードマスクのパターン化された耐エッチングマスクが基体上に形成され、次いで基体の露出された部分がエネルギを与えられた(以下、「付勢された」という)ガスによってエッチングされる。これらのプロセスにおいては、所定のステージにおいてプロセス条件を変化させるか、または基体の処理を停止することが望ましいことが多い。例えば、ゲート構造のエッチングでは、下側に位置するゲート酸化物に到達した時に、上側に位置するポリシリコンのエッチングを停止させることが望ましい。また、例えば材料の所定の厚みが得られた時に、堆積、酸化、または窒化プロセスを停止させることが望ましいことが多い。
【0003】
基体製造プロセス中に、チャンバ内の壁及び他の表面上へプロセス残留分が堆積するのを減少させることが望ましい。プロセス残留分は剥落し、基体を汚染させる恐れがある。また、残留分は、例えば壁に設けられている窓及びその窓上に堆積された残留分が窓を通過する放射の強度を減衰させる場合には、壁を通る放射の通過を妨害し得る。あるプロセスステージが完了したこと、またはあるプロセスがエンドポイントに到達したことを決定するために、普通のプロセス監視方法によって放射を監視することができる。これらの方法は、限定するものではないが、例えば、(1)チャンバ内のプラズマの放出スペクトルを分析してプロセスのエンドポイントを決定するプラズマ放出分析法(米国特許第4,328,068号及び同第5,362,256号参照)、(2)基体から反射され、偏光された光ビームを分析して反射ビームの位相シフト及びサイズを決定する楕円偏光法(エリプソメトリ)(米国特許第3,874,797号及び同第3,824,017号参照)、及び(3)基体から反射した放射を監視する干渉分析法(米国特許第4,618,262号参照)を含むことができる。
【0004】
従って、チャンバ表面、特にチャンバ内の壁または窓の表面上へのプロセス残留分の堆積を減少させることも望ましい。
【0005】
(発明の概要)
本発明は、これらの要望を満足させることができる装置及び方法を提供する。一面において本発明は、基体支持体、ガス入口、ガスエナージャイザ、ガス出口、及びプロセス残留分が内部に堆積するのを減少させるようなサイズの凹みを有する壁を備えている処理チャンバを含む基体処理装置を提供する。
【0006】
別の面において本発明は、支持体、ガス入口、ガスエナージャイザ、排出口、及びプロセス残留分が内部に形成するのを減少させるための手段を有する壁を含むチャンバを備え、支持体上に保持された基体を、ガス入口から導入され、ガスエナージャイザによって付勢され、そして排出口から排出されるプロセスガスによって処理することができるようにした基体処理装置を提供する。
【0007】
別の面において本発明は、チャンバ内において基体を処理する方法を提供し、本方法は、基体をチャンバ内に配置するステップと、付勢されたガスをチャンバ内に供給して基体を処理するステップと、プロセス残留分が内部に形成されるのを減少させるようになっている凹みをチャンバの壁に設けるステップとを含む。
【0008】
別の面において本発明は、基体支持体、ガス入口、ガスエナージャイザ、ガス排出口、及び内面を有する壁を有する処理チャンバを備えている基体処理装置を提供し、壁の内面にはプロセス残留分が内部に堆積するのを減少させるようなサイズのアスペクト比を有する凹みが形成されている。
【0009】
さらなる面において本発明は、基体支持体、ガス入口、ガスエナージャイザ、ガス排出口、及びプロセス残留分が内部に堆積するのを減少させるようなサイズの凹みを有する壁を含む処理チャンバと、凹みを有する壁の部分付近に磁界を維持するようになっている磁界の源と、処理チャンバ内の基体に対して遂行可能なプロセスを、壁内の凹みを通して監視することができるプロセス監視システムとを備えている基体処理装置を提供する。
【0010】
更に別の面において本発明は、基体支持体、ガス入口、ガスエナージャイザ、ガス排出口、及びプロセス残留分が内部に堆積するのを減少させるようなサイズの凹みを有する壁を含む処理チャンバと、凹みを有する壁の部分の周りに電場を維持するようになっている電場の源と、処理チャンバ内の基体に対して遂行可能なプロセスを、壁内の凹みを通して監視することができるプロセス監視システムとを含む基体処理装置を提供する。
【0011】
更に別の面において本発明は、基体支持体、ガス入口、ガスエナージャイザ、ガス排出口、及び支持体の周りの側壁を含む処理チャンバを備えている基体処理装置を提供し、側壁はプロセス残留分が内部に堆積するのを減少させるようなサイズの少なくとも1つの凹みを有している。
【0012】
更に別の面において本発明は、チャンバ内において基体を処理する方法を提供し、本方法は、基体をチャンバ内に配置するステップと、付勢されたガスをチャンバ内に供給して基体を処理するステップと、チャンバの側壁内に凹みを設けるステップと、凹みを通して放射を通過させるステップとを含む。
【0013】
以下に添付図面を参照して本発明を説明するが、この説明は単なる例示に過ぎず、本発明がこの説明に限定されるものではないことを理解されたい。
【0014】
(実施の形態)
基体処理装置20は、基体30上に能動または受動電子デバイスを製造するために使用される。例示した実施の形態では、装置20は、例えば図1aに示すように、基体30を処理するための処理ゾーン40を限定している壁38を有する処理チャンバ35を備えている。チャンバ壁38は、金属、またはセラミック材料、または両者で作ることができる。例えば壁38は、例えばアルミニウムのような金属で作られている側壁部分と、例えばAl2O3、SiO2、AlN、BN、Si、SiC、Si3N4、TiO2、ZrO2の1つまたはそれ以上、及びそれらの混合体または化合物(例えば、石英)のようなセラミックで作られている天井部分を含むことができる。処理ゾーン40は、基体30を支持するための基体支持体45を含み、基体支持体45は基体30を静電的に保持するための静電チャック50を含むことができる。プロセスガスは、ガス源70、1つまたはそれ以上の流れ制御弁75、及び1つまたはそれ以上のガス入口80を含むガス供給65を通して処理ゾーン40内へ導入される。使用済みのプロセスガス及びエッチング副産物は、排出ポンプ90を含む排出システム85を介して処理チャンバ35から排出され、処理チャンバ35内のプロセスガスの圧力を制御するために絞り弁95が設けられている。
【0015】
ガスエナージャイザ60は電磁エネルギをプロセスガスへ結合し、付勢された及び中性のガス状種を形成させる。図1bのチャンバ形態は、カリフォルニア州サンタクララのアプライドマテリアルズ製のDPS型チャンバ35を表している。この処理チャンバ35においては、ガスエナージャイザ60は処理チャンバ35の天井55に近接して維持されているアンテナ100を含み、プロセスガスにエネルギを誘導結合することによって処理ゾーン40内のプロセスガスを付勢するようになっている。天井55の少なくとも一部分は、誘電材料(例えば酸化アルミニウム)のような電磁エネルギに対して透過性の材料で作られる。代替として、または組合わせとして、支持体45及び基体30の周りの側壁96のような処理電極を帯電させることによって容量的にプロセスガスへエネルギを結合し、プロセスガスを付勢することができる。これもアプライドマテリアルズ製のIPS型チャンバのような別のチャンバ設計(図示せず)では、天井55は、処理チャンバ35内へRFエネルギを容量的に結合するための処理電極として働く半導電性材料からなる。プロセスガスへ結合されるエネルギの周波数は、典型的には約50kHzから約60MHzまでである。例えば、約500Wから約2000Wまでの(源)電力レベルのアンテナ電源104によってこれらの周波数のRF電圧をインダクタアンテナ100へ印加し、プロセスガスを付勢することができる。
【0016】
更に別のチャンバ設計(図示せず)では、電子サイクロン共鳴によって、または1989年6月35日付米国特許第4,842,683号に開示されているこれもアプライドマテリアルズ製のMxP型チャンバのように、付勢されたプロセスガスに磁石または電磁石コイルのような磁界発生器によって磁界を印加することもできる。例えば、これもアプライドマテリアルズ製のMxP/RPS型チャンバのように、典型的には処理チャンバ35に近接している遠隔チャンバ(図示せず)内でプロセスガスを付勢することもできる。一般に、遠隔チャンバは処理チャンバ35の上流にあり、電磁エネルギを結合して遠隔チャンバ内のプロセスガスを活性化させるガスエナージャイザを含むことができる。適当な電磁源(これも図示せず)は、例えば、マイクロ波印加装置、マイクロ波同調アセンブリ、及びマグネトロンマイクロ波発生器からなる。
【0017】
プロセス監視システム25は、例えばプラズマ放出分析法、楕円偏光法、または干渉分析法によって、処理チャンバ35内で遂行されているプロセスを監視するために使用することができる。典型的には、プロセス監視システム25は、壁38の放射透過性部分を通してプロセスを監視する。例えば、壁38は窓部分130を含むことができ、この窓130はそれを通して幾つかの型の放射を通過させることができる。例えば、窓130は、プラズマ内で生成可能な、または基体30またはチャンバ35内の表面から反射する紫外、可視、または赤外放射に対して実質的に透過性であることができる。例えば、図1aに示すように、放射源150から基体30上へ放射ビームを導き、基体から反射したビーム148bを監視するようにプロセス監視システム25が設けられている場合は、放射源150から放出され、基体30によって反射された放射に対して窓130は透過性である。従って、窓130は、プロセス監視システム25によって監視される放射波長または周波数に対して実質的に透過性の材料で作ることができる。赤外、可視、及び紫外放射に対して透過性にする場合には、窓130は、Al2O3、Si、SiO2、TiO2、ZrO2の1つまたはそれ以上、またはそれらの混合体及び化合物のようなセラミックで作ることができる。セラミックは、フッ素含有プラズマのようなハロゲン含有プラズマ内で耐浸食性を呈することができるサファイア(単結晶アルミナ)のような単結晶材料からなることもできる。カリフォルニア州サンディエゴのキョウセラセラミックスから、適当なサファイア窓を入手することができる。一般的に、窓130は、多辺形、矩形、または円形からなることができる。窓130の表面は、窓130を通過する放射の散乱を減少させるために滑らかに研磨することができる。例えば、窓130の表面粗さを約1μmより小さくすることによって、可視、紫外、及び赤外放射の散乱が減少する。
【0018】
図1aに示す実施の形態では、窓130はチャンバ35の壁38の一体化部分である。窓130は、基体30の直上の天井55に位置決めされており、窓130を透過した放射ビームを殆ど垂直な入射角(即ち約85°から約95°まで)で基体30上へ入射させることを可能にするような形状であり、そのようなサイズである。このような放射を使用すれば、基体30上でエッチングされつつあるトレンチの深さの変化を観測することができる。窓130は、側壁上、または例えば評価される放射がチャンバ35内のプラズマからの放出スペクトルである場合には天井55の異なる部分上のような、壁38の他の部分に配置することもできる。
【0019】
本発明の1つのバージョンでは、壁38は、壁38の内面142において始まっている凹み145を含んでいる。図5a及び5bに示すように、凹み145は壁38内の窓130まで延ばす、または窓130で終端させることも、または凹み145をチャンバ35の他の構造またはデバイスにおいて終端させることもできる。凹み145は、壁38の一部分または厚み全体を通って延びるアパーチャ、トレンチ、または溝であることができる。凹み145の断面形状は、円形、多辺形、三角形、六角形、方形、または矩形であることができる。例えば、凹み145は、窓130上にプロセス残留分の形成を減少させるために、付勢されたガス種が窓130へ接近することを制御しながら、放射は処理チャンバ35とプロセス監視システム25との間を通過できるようにする通路からなることができる。このバージョンでは、凹み145は、十分な量の放射を通過させてプロセス監視システム25を動作させながら、しかも付勢されたガス種の接近を制御できるような形状であり、そのようなサイズである。例えば、凹み145は、視線入射放射ビーム148a及び基体30からの視線反射放射ビーム148bの両者を通過させ、且つ干渉分析法または楕円偏光法を遂行できるような形状であり、そのようなサイズである。また凹み145は、例えばプラズマ放出分析を遂行するために、プラズマからのスペクトル放出を監視するような形状であり、そのようなサイズであることができる。
【0020】
凹み145のアスペクト比(深さと開口サイズとの比)が、凹み145へのイオン及び中性ガス種の接近を制御する。例えば、凹み145の深さは、ガス種が例えば凹み145内の窓130へ到達するまでに走行しなければならない距離を制御するようなサイズとすることができる。凹み145の開口サイズは、凹み145内へ進入するガス種の量を制御するようなサイズにすることができる。凹み145は、例えばプラズマが窓130に到達する前にそれを消弧(extinguish)させるように十分に側壁再結合(sidewall recombination)させることによって、チャンバプラズマが凹み145へ進入することを排除するようなサイズにすることもできる(凹みのサイズは、プラズマシースの厚みに依存する)。例えば、ガス種が凹み145の通路を通過する際にガス種が凹みの側壁と衝突するか、または互いに結合する場合には、僅かなガス種が凹み145の深さを横切って通過する。また凹み145を通って進入または走行するガス種の数を減少させること、及び/または、幾らかのガス種が通路を通って走行して凹み側壁148または窓130上に形成されるプロセス残留分堆積をスパッタまたはエッチングできるようにすることが望ましい。
【0021】
以上から、凹み145の深さと開口サイズとの比である凹み145のアスペクト比は、幾らかのガス種(例えば、プロセス残留分を形成し得る中性ガス種のような)の進入を禁止しながら、他のガス種(例えば、プロセス残留分を除去するのを援助し得る帯電した、または化学的に活性化された種のような)が凹み145内へ進入して走行し、それによって窓130に到達するガス種の型または量を制御できるようにサイズを決めることができると考えられる。ポリシリコンのプラズマエッチングに有用な一実施の形態では、凹み145は、少なくとも約0.25:1の、オプションとして約12:1より小さいアスペクト比を有している。このアスペクト比は、少なくとも約3:1、及び例えば約4:1から約5:1までのように7.5:1より小さくすることもできる。このようなアスペクト比を有する凹み145の側壁148上にはプロセス残留分は僅かに堆積するか、または全く堆積しない。また凹み145内の窓130上には、プロセス残留分は殆ど堆積しない。しかしながら、幾つかのプロセスにおいては、望ましくないガス種が窓130に到達するのを選択的に濾過して排除し、それを防ぐために、例えば約0.25:1から約3:1の、または約0.5:1から約2:1のようにより小さいアスペクト比が有用である。
【0022】
一般に、窓130の前に凹み145を配置すると、プロセス残留分を形成させるガス状種(例えば、残留分形成種であり得る中性ガス状種)の接近が減少するために、または残留分除去種(例えば、プロセス残留分をエッチングして除去し得る高度に付勢されたガス状イオン)の接近が可能になるために、窓130上へのプロセス残留分の堆積が減少するものと考えられる。従って、凹み145の動作は、凹み145のアスペクト比、深さ、または開口サイズ、及びチャンバ内で遂行されるプロセスの特性に依存して、異なるモードで発生し得る。例えば、約2ミリトルから約10ミリトルまでのガス圧で遂行されるシリコンエッチングプロセスにおいては、異なる2つのメカニズムが現れるものと考えられる。第1のモードでは、側壁との多重衝突、及びその後の凹み側壁148へのガス種の付着によって、窓130に到達する残留分形成ガス種束は減少するものと考えられる。凹み145は、プラズマが窓130に到達する前にそれを消弧させるように十分に側壁再結合させることによって、プラズマ(もし存在すれば)が凹み145へ進入することを排除するようにも動作する。適当な凹み145は、アスペクト比が少なくとも4:1であり、直径はプラズマシース厚み(もしプラズマが存在すれば)の10倍よりも小さい。アスペクト比を増加させれば、窓130上の既に低下せしめられたプロセス残留分堆積速度を更に低下させることができる。上記プロセス例では、約5:1のアスペクト比と約4mmの孔直径とを有する凹み145は、プロセス残留分堆積速度を、凹み145を用いない場合の1%以下にする。
【0023】
更に、凹み145の第2の動作モードは、凹み145のサイズ及びアスペクト比が堆積対エッチングの平衡を変化させ、窓130上に形成されるプロセス残留分の正味除去を発生する場合に出現するものと考えられる。第2のモードは、窓130上に形成されたプロセス残留分をエッチングして除去するような付勢されたガス種(プラズマからのような、しかしプラズマは必要ない)が存在する場合に有用である。凹み145の特定のサイズ及びアスペクト比は、プロセスに依存する。例えば、窓130の内側上のプロセス残留分の正味エッチングを発生させるためには、1.5のアスペクト比を有する単一の凹み145で十分であろう。このようなアスペクト比の場合、基体30の大きい視線面積を得るために、凹み145のアレイを使用することもできる。基体30またはチャンバ壁から反射した視線放射の透過を最大にするために、凹み145のアレイは、図8bに示すように、凹み145間の壁厚を薄くした六角形密集アレイ内の六角形、または方形アレイ内の方形のような非円形孔にすることができる。
【0024】
凹み145の深さまたは開口サイズは、互いに独立的に、または予め選択されたアスペクト比に関係付けて選択することができる。例えば、最適深さdは、ガス流量及びガス圧に依存させることも、またはそれがガス種の平均自由経路長、それらの分子のサイズ、及びそれらの反応性に関係しているので、ガス組成にさえ依存させることができる。例えば、約1ミリトル乃至約1000ミリトルのガス圧において遂行されるシリコンエッチングプロセスの場合、最適凹み深さdは、約0.5から約500mmまで、または約10mmから約50mmまででさえあることもできる。凹み145の開口サイズは、線形寸法(矩形または平行四辺形の場合の幅のような)を有することも、または円形寸法(丸孔の場合の直径のような)を有することもできる。凹み145の開口サイズは、典型的には約0.1mmから約50mmまでである。
【0025】
凹み145を通る通路は、例えば図6aに示すように基体30の処理表面に対して垂直に位置決めすることも、または図6b及び6cに示すようにチャンバ35の内面に対して傾斜した角度に位置決めすることもできる。付勢されたガス種の走行の主方向に対する通路の角度は、付勢されたガス種が凹み145内へ、及びオプションとして窓130へ接近することも制御する。例えば、凹み145のの縦方向または中心軸は、付勢された種の走行方向に沿うように角度を付けることができる。また図6b及び6cに示すように、凹み145は、基体30に直角な面に対して傾斜させて(例えば、約90°より小さい角度で、または例えば約60°から約90°まで、または約70°から約88°まで、そして一実施例では約80°に)配向することができる。角度を傾斜させた凹み145は、基体30から反射した視線放射、またはプラズマの特定領域から発した放射を選択的に通過させるためにも使用することができる。
【0026】
別のバージョンでは、複数の凹み145は、基体30の1つまたはそれ以上の異なる領域から反射した、またはチャンバ35内のプラズマの部分からの放射を通過させるように配列することができる。例えば、1つの凹み145を70°の角度に傾斜させ、別の凹み145を80°の角度に傾斜させ、更に別の凹み145を90°の角度にすることができる。このようにすると、1つまたはそれ以上の凹み145を通る視線(基体への、またはプラズマの一部分への)を監視することが可能になり、適切なプロセス監視領域を選択する上で所望の柔軟性が得られる。
【0027】
別のバージョンでは、1つまたはそれ以上の窓130をチャンバ35の側壁96内に設けることができる。例えば、図1cに示すバージョンでは、2つの窓130がチャンバ35のほぼ反対側の側壁96上に設けられている。このバージョンでは、プロセス監視システム25は、1つの窓130を通して放射ビーム148aを基体上へ入射させるようになっている放射源150を含むことができる。基体30から反射して他の窓130を通る放射ビーム148bは、干渉分析または偏光分析のために放射検出器160によって検出することができる。代替として、または付加的に、側壁96内の窓130を、例えばプラズマ放出分析を遂行するためにプラズマからのスペクトル放出を監視するような形状とし、そのようなサイズにすることができる。図1cに示すように、1つまたはそれ以上の窓は上述した型の凹み145を含むことができる。窓130及び/または凹み145は、チャンバ35のサイズ及び放射ビーム148aの所望入射角に依存して、側壁96に対して約5°から約85°まで、より好ましくは約60°から約70°までの角度に傾斜させることができる。
【0028】
壁と一体である代わりに、図2aに示すように、窓130は天井55上に位置決めされた分離構造であることもできる。この実施の形態では、窓130は、天井55内の対応アパーチャ134に嵌合するようなサイズの放射透過性材料のプラグ132からなる。例えば、プラグ132は、アパーチャ134の深さより小さい外向きに延びるポスト136を有する円板133からなることができる。円板133は天井55から延びている円形の棚138に載るようなサイズであり、シール139を円板133と円形の棚との間に形成してチャンバ35内にガス状環境を閉じ込めることができる。図2bに示すように、ポスト136のトップ及びアパーチャ134の周縁側壁は、壁38内に凹み145を限定している。この実施の形態は、プラグ132が浸食された時に交換することも、清浄化のために取り外すことも、または異なるプロセスを監視するために変化させることもできるので有利である。
【0029】
別の実施の形態では、図3及び4に示すように、壁38は離散した、そして壁38から分離した、または図5a、b、及び6a−cに示すように壁38と一体のマスクまたはマスキング部分140(以下、両方の用語を使用する)からなる。マスクまたはマスキング部分140とは、窓上へのプロセス残留分の形成を減少させるのに役立つ壁38の部分、窓自体の部分であることができる構造、または分離した構造のことをいう。図3の例では、窓130は、チャンバ35の天井55内のアパーチャ134上に取付けられている上述したような放射透過性の材料で作られた板135からなる。上側に位置するマスキング部分140は、それを通って延びる少なくとも1つの凹み145を有している。マスキング部分140は、放射が凹み145を通過できるようにしながら、窓130上へのプロセス残留分及び副産物の堆積を減少させるように(そして、そのようにしなければチャンバ35内に露出する)板135の表面をカバーしている。マスキング部分140は、チャンバ35内のプロセスガスまたはプラズマによる浸食に耐える耐プラズマ材料のような材料(例えばAl2O3、SiO2、AlN、BN、Si、SiC、Si3N4、TiO2、及びZrO2の1つまたはそれ以上のような)で作ることも、または窓130または壁38と同一の材料であることもできる。
【0030】
このようなマスキング部分140及び凹み付き窓130は、ポリシリコンのエッチング中にエッチング材残留分の形成速度を約3乃至約10Å /時まで減少させることが分かった。これは、保護されない窓の場合の約0.03乃至0.1ミクロン/時の速度の約100分の1である。更に、マスキング部分140は、窓130を化学的に反応性のプロセスガスによる浸食から保護し、下側に位置する窓130の寿命を延ばす。窓130上へのプロセス残留分の堆積が減少するので、プロセス監視システム25の信号対雑音比が高まり、チャンバ35内において多数の基体30を処理した後でさえ、放射の読みはより正確で、信頼できるものになる。もしサファイアのような耐プラズマ窓材料が使用されていれば、窓130上への残留分の形成が僅かになるか、または全く形成されないように、そしてそれによって清浄化することなく窓130を多数回使用できるように、アスペクト比を選択することができる。より正確なプロセス監視方法によって、基体30上へより薄いフィルムを堆積させることも、またはそのフィルムをエッチングすることも可能になる。更に、窓130の表面を清浄化するために処理チャンバ35を屡々開放する必要がないので、チャンバの使用効率及び基体のスループットを増加させることができる。
【0031】
窓130は、放射透過性板135からなることもできる。図4に示すように、この板135は基体30の面に対して、または板135上への反射照射の入射角に対してある角度に取付けられている。窓130の傾斜角は、放射源から発して、または基体30から反射して窓130を通過する放射の反射を減少させる。適当な傾斜角は少なくとも約2°であり、好ましくは約15°より小さくすることができる。板135は、例えば板135の下にステップ152を設けることによって、板135の一方の側または縁を反対の側/縁に対して持ち上げることによってある角度に傾斜させることができる。一実施の形態では、ステップ152は、約0.5mmから約5mmのサイズである。
【0032】
壁38のマスキング部分140は、複数の凹み145を含むこともできる。例えば、図7a及び7bに示す凹み145のアレイは、適当な強度の放射を通過させることができるように十分に大きい累積開口面積を有している。凹み145は、源放射ビーム148aが基体30の表面を横切って走査できるように、それらを離間させることも、または基体30のバイア、トレンチ、または平坦部分のような特定のフィーチャ上に位置決めすることもできる。例えば、300mmのウェーハを処理するために使用されるチャンバ35では、壁38は、約200mm2から約2,000mm2(0.3から約3平方インチ)までの、より好ましくは約400mm2から約600mm2(0.6から約0.9平方インチ)までの合計累積開口面積を有する凹み145のアレイからなることができる。凹み145の実際のサイズ、数、及び配列は、チャンバのサイズ及びジオメトリ、基体の直径、遂行されるプロセス、及びプロセス監視システム25の要求に依存する。干渉分析式プロセス監視システム25に有用な実施の形態では、マスキング部分140は、例えば約3個から約800個までの、または約7個から約200個までの凹みのアレイを含むことができ、凹み145は約0.25mm乃至約15mmだけ離間させることができる。
【0033】
凹み145のアレイは、図6cに示すようなシャワーヘッド形態(各凹み145は、例えば凹み145の壁が互いに隣接している円錐の形状である)に配列することもできる。凹み145のアレイは、干渉分析法または偏光分析法では基体30の広い面積が見られるように、またはプラズマ放出分析法ではプラズマの1つまたはそれ以上の予め選択された領域が見られるように配置、または配向することができる。アレイは、異なるサイズの凹み145からなることもできる。例えば、図7aに示すように、窓130の中心部分の上に配置され、例えば3.5mm乃至5mmの直径を有する第1の凹み145aと、周縁部分の上に配置され、例えば2mm乃至3mmの直径を有する複数の第2の凹み145bとからなることができる。
【0034】
更に別の実施の形態では、例えば図8a及び8bに示すように、凹み145は互いに密に離間している六角形の開口からなる。この実施の形態では、凹み145は、直シリンダの形状であり、円板状の窓130の露出された全部分を実質的にカバーするサイズである。このバージョンでは、マスキング部分は、酸化アルミニウム製のアパーチャ構造からなることができる。図示の実施の形態では、マスキング部分140は盛り上がったペデスタルからなり、周囲に環状のリップ154を有している。盛り上がったペデスタル153は、約0.5mmから約500mmまでの厚みと、約50mmから約200mmまでの直径とを有し、隅を丸めてプラズマ浸食を減少させるようにしてある。環状リップ154は、マスキング部分を容易にチャンバ35に取付けることができるようなサイズであり、その厚みは約0.5mmから約10mmまでである。
【0035】
例えば図9a及び10aに示す本発明の別の実施の形態では、処理チャンバ35は、例えば凹み145の周り、及びオプションとして窓130の周りのような壁38の一部分の周り、及びその付近に電磁界または電磁エネルギを発生させるようになっている電磁界源190を備えている。支持体45上に保持された基体30が付勢されたプロセスガスによって処理される時に、壁38の周りの電磁界は壁38上、凹み145内、または窓130上へのプロセス残留分の堆積を減少させる。
【0036】
例えば、図9aに示す実施の形態では、電磁界源190は、壁38の一部分の付近、凹み145の周り、または窓130を横切って磁界を維持するようになっている磁界源195を備えることができる。磁界源195は、壁38、凹み145、または窓130に近接または隣接して位置決めされ、それらの周りに磁気エネルギを発生する少なくとも1つの磁石200または電磁石(図示せず)からなる。磁界源195は、チャンバ35の他の部分に比して凹み145または窓130を横切って選択的に集中する磁界を発生する。例えば、(磁力線で表されているように)磁気エネルギは凹み145または窓130の周りの空間に閉じ込められ、チャンバ35内へ小さい距離だけ突入することもできる。
【0037】
磁気エネルギは、凹み145内へのガス種の進入、または窓130へのガス種のアクセスを制御するために印加することができる。例えば、磁気エネルギは、帯電したプラズマイオン及びプラズマの電子を閉じ込める、または壁38または窓130から遠去けるように反発させ、それによってそれらの上へのこれらのガス種からのプロセス残留分の堆積を減少または阻止するために、壁38または窓130の面に平行に印加される磁界成分を有することができる。壁38または窓130に平行な面内の成分を有する磁界は、この領域内の帯電イオン及び電子をこの領域の周りを円形運動で回転させ、それによってそれらが壁38または窓130に到達するのを阻止するものと考えられる。実際の磁界強度は、窓のサイズ、プラズマイオンのエネルギ、その他の要因に依存する。しかしながら、適当な磁界強度は、約10ガウスから約10,000ガウスまでであり、50ガウスから約2000ガウスまでさえ使用できる。
【0038】
図9aに示す実施の形態では、磁界源195は、窓130の周縁の周りに反対の磁極が互いに対面(例えば、N極205aとS極205bとが対面)して配置された複数の磁極205からなる。図9bに示す別の実施の形態では、磁界源195は、アパーチャ215を横切る磁界を維持するように配列されている磁極205a、bを有する典型的には強磁性材料製の磁気ヨーク210からなる。磁気ヨーク210は、反対磁極が互いに対面している1対の半径方向に延びる磁極205a、bからなる。代替として、図9cに示すように、磁界源195は複数の磁石200からなることができ、プロセス監視システム25を動作させるために窓130を放射が通過できるようなサイズのアパーチャ215を横切って互いに対面している磁極205を有する。アパーチャ215は円形、三角形、または矩形であることができるが、一般に円形開口は、磁界源のために良好な軸対称と、プラズマによる浸食を受け憎い滑らかな内面とを提供する。
【0039】
図10aに示す別の実施の形態では、電磁界源190は、壁38、凹み145の周りに、または窓130を横切る電気エネルギを発生してそれらの周りに電界を維持する電界源220からなる。電界は、例えば、ガス種を形成している帯電残留分を反発させることによって、または付勢されたガス種を窓130に衝突せしめてプロセス残留分をエッチングにより除去することによって、壁38上、凹み145内、または窓130上へのプロセス残留分の堆積を減少させることができる。電界源220は、壁38に近接し、隣接し、または背後にあり、凹み145の周りにあり、または窓130の付近にあってそれらに電気エネルギを結合する電極225からなる。電界は、壁38または窓130の面に平行な、または直角な電界成分を有することができる。電極225は、壁38の全面積、または窓130だけをカバーする電界を発生するのに十分に大きいサイズであることができる。電圧源245は、電極225を直流、交流、またはRF電圧で電気的にバイアスする。図10aに示すように、電圧源245は、インダクタアンテナ100の選択されたコイルを電極225に接続する電気タップ250であることができる。従って、アンテナ電源104は、電極225及びインダクタアンテナ100の両者に給電するために、または電極225を約10Vから約10,000Vまで、より好ましくは約20Vから約4,000Vまでの電圧でバイアスするために使用することができる。
【0040】
電極225は、電極225内に誘起され得る何等かの渦電流を減少させるような形状で、そのようなサイズの渦電流減少用スロット232を更に含むことができる。渦電流は、インダクタアンテナ100のような他のプロセス成分から電気エネルギが電極225に結合されることによって発生し得る。渦電流減少用スロット232は、電極225内の渦電流の流路を妨害する。例えば、図10bに示す実施の形態では、電極225は、円形渦電流を妨害する1つまたはそれ以上の放射状切欠きを持つ渦電流スロット232を有する円板235からなる。図10c及び10dに示す他の実施の形態では、渦電流スロット232は、一連の楔状の切込み242、または互いに離間した円形の孔243及びスロット240のアレイからなっている。
【0041】
上述した凹み145、またはマスキング部分140は、電磁界源装置190の何れかのバージョンを組合わせても使用できることに注目されたい。例えば、凹み145を有するマスキング部分140は、凹み145が磁気ヨーク210内のアパーチャ215または電極225内のアパーチャ230と整列するように、アパーチャ215、またはアパーチャ230上に位置合わせすることができる。例えば、図10eは、電極145内のアパーチャ230と整合するようなサイズで、そのように分配されている凹み145を有する壁38を示している。別の例として、図10fは、電極225が、放射透過性プラグ132からなる窓130によって限定されている大きい凹み145に接している実施の形態を示している。
【0042】
以下に図2を参照して、壁38、凹み付き窓130、及びプロセス監視システム25を有する本発明による処理チャンバ35の実施の形態の動作を説明する。この例では、プロセス監視システム25は、基体から反射した放射ビーム148bの特性(例えば、エッチングプロセスのエンドポイントを決定するために、その強度)を評価する干渉分析システムを備えている。プロセス監視システム25は、チャンバ35の外側または内側にあって放射の源をチャンバ内へ供給することができる放射源150を含む。放射源150は、例えば、チャンバ35の内側で生成されるプラズマからの放出からなり、これは、一般的には多重スペクトルであり、あるスペクトルにまたがる多重波長を有する放射を供給するることができる。放射源150は、源150からの入射放射ビーム148aが窓130及び凹み145を通過してチャンバ35内へ進入できるように、チャンバ35の外側に位置決めすることもできる。外部放射源150は、紫外(UV)、可視、または赤外放射を発生することも、またはX線のような他の型の放射を発生することもできる。一実施の形態では、放射源150は、例えばHe−NeまたはNd−YAGレーザのような単一の、または幾つかの波長の主放射を有する単色放射のような、優位波長を有する放射を発生する。
【0043】
別の実施の形態では、放射源150は多色放射を発生し、それを実質的に単一波長だけを供給するように選択的に濾波することができる。例えば、多色放射を発生する適当な放射源150は、チャンバ内のプラズマ放出、約180nmから約600nmまでの範囲内の波長を有する多色放射スペクトルを生成することができる水銀放電灯、キセノン、Hg−Xe及びタングステン・ハロゲン灯のようなアーク灯、及びLEDのような発光ダイオードを含む。多色放射源150は、特定のプラズマ放出スペクトル波長を使用できるように、選択された周波数を有する入射放射ビーム148aを得るために濾波することも、または放射検出器の前にカラーフィルタ(図示せず)を配置して、放射検出器160へ進入する反射放射ビーム148bの強度を測定する前に不要波長を濾波して除去することもできる。また、偏光された放射の偏光状態がプロセス窓130上に形成されたプロセス残留分によって変更され得るので、入射放射ビーム148aは非偏光放射からなることができる。しかしながら、上述したように窓130に堆積を生じない場合には、窓130上には殆ど、または全くプロセス残留分が形成されないので、偏光光を使用することができる。
【0044】
放射源150は、レーザビームのような放射ビーム148aを、基体30の表面に対してほぼ直角に、即ち90°に近い角度に導いて高いアスペクト比を有するフィーチャのエッチングを測定することができる(このようなアスペクト比を有するフィーチャは、基体30上に低い角度で、即ち鋭角で導かれる放射ビームをブロックし得る)。典型的には、放射源150からの放射ビーム148aを基体表面上へ導かれる平行化ビームに集束させ、及び/または、基体30から放射検出器160へ戻される反射放射148bを集束させるために、1つまたはそれ以上の集束用凸レンズ165を使用する。一般的には、入射ビームスポットの面積は、例えばバイア、または深くて狭いトレンチのような小さい開口を有する高アスペクト比のフィーチャをエッチングする際の基体30の表面トポグラフィの変化を補償するために(フィーチャのサイズに対して)大きくするが、基体30の特定フィーチャ上に入射ビームスポットを集束させるために小さくすることもできる。
【0045】
オプションとして、基体30の処理を監視するためにビームスポットを“駐車(park)”させるように、基体表面を横切って入射放射ビーム148aを運動させて処理中の基体の適当な部分を探知する位置決め装置170を使用することができる。典型的には、放射ビーム位置決め装置170は、小さい角度だけ回転して放射源150からの入射放射ビーム148aを基体表面の異なる位置上へ偏向させ、また反射放射ビーム148bを受けてそれを放射検出器160上に集束させる1つまたはそれ以上の主鏡175からなる。別の実施の形態では、位置決め装置170は、処理中に源放射ビーム148aを基体表面を横切ってラスタパターンで走査させる。例えば、ビーム位置決め装置170は、放射源150、集束用アセンブリ、集光レンズ、及び検出器160を取付けた可動ステージ(図示せず)からなる走査アセンブリを含むことができる。この可動ステージは、基体表面を横切って入射ビームを運動させるために、ステッパモータのような駆動メカニズムによって、設定された間隔で運動させることができる。
【0046】
放射検出器160は放射感応表面を有する電子成分からなり、反射放射148bの強度に応答して信号を発生する。干渉分析法においては、反射放射148bは、建設的及び/または破壊的干渉を受けて処理中の層の厚み、または基体30上のエッチング中のトレンチの深さの増減に伴って変動する強度を発生し、放射検出器160は、反射放射148bの測定された強度に関係付けられた電気出力信号を発生する。検出器160は、反射放射148bの測定された強度に応答して電気出力信号を発生する光起電力セル、フォトダイオード、光電子増倍管、またはフォトトランジスタのような放射センサからなる。検出器信号は、電気成分を通過する電流のレベルの変化、または電気成分にまたがって印加される電圧の変化からなることができる。検出器は、日本のハママツから市販されているような光電子増倍管(PMT)からなることができる。
【0047】
コントローラ155は、放射検出器160から信号を受信し、アルゴリズムを使用して計算された値、または格納されている値に対してその信号を評価し、そして評価された信号に関係付けて、またはプログラムされているガイドラインに従って処理チャンバ35内の処理条件を変化させる。例えば、プロセスのエンドポイントに到達したことを検出すると、コントローラ155は第1の処理条件を第2の処理条件へ変化させ、基体上のある層の全体がエッチングされる前にその層のエッチング速度を変化させるか、またはエッチングプロセスを停止させることができる。エッチング速度はプロセスガスの組成を変化させ、化学的により反応性のエッチャントガスの含量を減少させることによって低下させることができ、プロセスガスに結合されるRFエネルギを低下させることができ、または基体温度を下降させることができる。典型的なコントローラ155は、例えば、カリフォルニア州サンタクララのインテルコーポレーションから市販されているペンティアム(登録商標)マイクロプロセッサのような1つまたはそれ以上の中央プロセッサユニット(CPU)からなるコンピュータを含み、CPUは周辺制御部品を有するメモリシステムに相互接続されている。CPUは、処理チャンバ35の特定部品を動作させるASIC(特定用途向け集積回路)からなることもできる。オペレータとコンピュータコントローラ155との間のインタフェースは、CRTモニタ及び放射ペン(図示せず)、またはキーボード、マウス、または位置決め通信デバイスのような他のデバイスを含むことができる。コントローラを動作させるために、コンピュータプログラムまたはコンピュータ命令を使用することができる。
【0048】
プロセスを遂行するために、基体30は、ロボットアーム(図示せず)によってロードロック転送チャンバ(図示せず)からスリット弁を通して処理チャンバ35の処理ゾーン40内へ転送され、支持体45上に配置されて静電チャック50によってそこに保持される。オプションとして、熱伝達ガスを基体30の下に供給して基体30の温度を制御する。次いで、処理チャンバ35内の処理条件を、基体30上の層を処理するように設定する。これらの処理条件は、プロセスガスの組成及び流量、ガスエナージャイザ60の電力レベル、ガス圧、及び基体温度の1つまたはそれ以上からなる。プロセスは、例えば各ステージが異なる処理条件を有しているような、多重ステージにおいて遂行することもできる。例えば、エッチングプロセスでは、基体30をエッチングすることができるように付勢されるプロセスガスは、処理チャンバ35内の基体30をエッチングするのに適する処理条件において付勢され、維持される。基体30上の層をエッチングするのに適するプロセスガスは、例えば、HCl、BCl3、HBr、Br2、Cl2、CCl4、SiCl4、SF6、F2、NF3、HF、CF3、CF4、CH3F、CHF3、C2H2F2、C2H4F6、C2F6、C3F8、C4F8、C2HF5、C4F10、CF2Cl2、CFCl3、O2、N2、He及びそれらの混合体を含む。付勢されたプロセスガスとは、解離した、解離してないイオン種及び中性種をより高いエネルギ状態へ励起できるように、プロセスガスを活性化する、またはエネルギを与えることをいう。また、始めに、基体上のエッチングすべき層の初期厚みを決定するために、反射率測定装置(例えば、カリフォルニア州サンタクララのKLA−TENCORから入手可能なモデルUV1050)を使用することができる。実際の層厚を使用して、エッチングプロセスの総合動作時間を推定し、及び/またはエッチングプロセスの後に基体30上に残留する層の所定の厚みを得るためにエッチングすべき層の厚みを計算することができる。
【0049】
例
以下に説明する例は本発明の原理を示しているが、当業者には明白なように、本発明は他の応用に使用することが可能であり、本発明の範囲は以下の諸例に限定されるものではない。
【0050】
これらの例においては、一般に、処理チャンバ35内においてエッチングプロセスを遂行し、またプロセス中に基体30から反射され、窓130を通過した放射の干渉信号を測定した。概述すれば、遂行したエッチングプロセスは、50sccmのCF4及び40sccmのSF6を2乃至3ミリトルの圧力で使用し、また750Wの源電力及び90Wのバイアス電力を使用する主ポリシリコンエッチングステージからなっていた。プロセス監視システム25によってプロセスエンドポイントを検出して主エッチングステージを停止させ、60sccmのSF6を約10ミリトルの圧力で使用し、また600Wの源電力及び1Wのバイアス電力を使用する第2のエッチングステージにおいて付加的なポリシリコンを除去した。周期的な時間間隔で窓130を取り外し、DekTakまたはアルファステップのようなスタイラスステップ高さ測定デバイスによって窓130上に堆積したプロセス残留分の厚み、及び窓130内の浸食深さを測定した。また、エッチングプロセス中に254nmの波長を有する放射を基体30から反射させ、既知の強度の放射源150及び透過した放射の強度を正確に測定することができる放射検出器160を使用して、窓130を通過する紫外放射の%透過率を測定した。
【0051】
例 1:プロセス残留分の効果
例1(比較対照の目的で、ベースラインを決定するために遂行した)では、基体30を上述したようにしてエッチングし、エッチングプロセスの始まりにおけるチャンバ内の窓130がきれいで、残留分が存在していない時と、エッチング中のプロセス残留分が窓130上に堆積した時に、%透過率を測定した。窓130はチャンバに向かって開いており、それを覆うマスキング部分140は用いなかった。図11aの“きれいな窓”線(a)はきれいな窓130を通過する反射放射の測定された透過スペクトルを示しており、“汚れた窓”線(b)は52時間にわたってチャンバを動作させて窓130上にプロセス残留分を堆積させた時の透過率の損失を示している。透過スペクトルの変化は、窓130上に堆積したプロセス残留分の高い吸収を示している。図11bは、エッチングプロセス中に現れるエンドポイント信号が、時間の経過と共に減少していることを更に示している。エンドポイント信号の振幅は、窓130上に堆積したプロセス残留分の厚みが増したために1/5またはそれ以下まで減少している。
【0052】
例 2:窓上のマスキング部分
例2では、エッチングプロセス中に窓130の上にアパーチャ145のアレイを有するマスク140を位置決めし、例1と同じ測定を行った。酸化アルミニウム製のマスキング部分140は、盛り上がったペデスタル153を環状リップ154が取り巻いていた(図8a及び8bに示す形態を、図3に示すチャンバ配向で使用)。盛り上がったペデスタルは約19mm(0.75インチ)の厚みであり、約3.8mm(0.15インチ)の開口幅と5:1のアスペクト比とを有する19個の六角形凹みのアレイを含んでいた。マスキング部分140は、窓130から約0.038インチに位置決めされていた。
【0053】
80分にわたってエッチングチャンバを動作させた後に、窓130を取り外した。窓130の部分に累積したプロセス残留分の厚み、及び窓130の浸食の深さの両者を測定した。マスキング部分140及びその凹み145が、窓130上へのプロセス残留分の形成を大幅に減少させることが分かった。それは、プロセス残留分の厚みが測定限界以下であることから理解される。エッチングプロセス中に、窓130は浸食されなかった。更に、窓130を通る紫外放射の透過率の%変化も検出限界以下、即ち1%より小さいことも分かった。
【0054】
例 3乃至例 11
これらの例は、窓130をカバーしているマスキング部分140内の異なるサイズの凹み145の効果を決定するために遂行された。所定の直径及びアスペクト比を有する単一の円形凹み145を有するマスキング部分140自体は、チャンバ35内の窓130上に位置決めした。チャンバ35内において80分にわたってポリシリコンエッチングプロセスを遂行し、次いで、マスキング部分140を取り外して窓130上に形成されたプロセス残留分の厚みを測定した。次いで、窓130(きれいにしてない)を再配置し、付加的な18時間のチャンバ動作の後に再試験した。新しい窓130、及び異なる直径またはアスペクト比を有する凹みを有する他のマスキング部分140を用いて、この実験を繰り返した。以下の表1は、25時間のチャンバ処理の後に、窓130上に形成されたプロセス残留分の厚み、及び窓130の浸食の深さを要約したものである。実験的に測定された残留分の厚み及び浸食深さレベルに基づいて決定された150時間のエッチングの後の窓130を通る放射(254nm)の%透過も示してある。
【0055】
【表1】
【0056】
例9乃至11においては、異なるサイズの凹み145によってカバーされた窓130上のプロセス残留分の堆積が測定された。これらの凹み145はアレイに配列され、凹みは(i)深さ0.75”及び直径0.3”、(ii)深さ1.5”及び直径0.20”、または(iii)深さ0.75”及び直径0.15”の何れかを有している。これらの試料においては、同一のアスペクト比を有する単一の凹み145を有する窓130の場合と本質的に同一のプロセス残留分の厚み及び浸食深さが得られた。
【0057】
異なる凹み形態を有する窓130上のプロセス残留分堆積及びエッチング特性の概要を図12に示す。これらの結果は予測されなかったものであり、幾つかの実効プロセスレジームが決定された。大きいアパーチャを有する凹み145(本質的には、普通のマスクされていない窓)の場合、上記プロセス例においてはプロセス残留分の堆積速度は約600Å /時と高い。大きいアスペクト比(>2)に対応する小さいアパーチャ(<0.3インチ)を有する凹みの場合、堆積速度は遙かに小さく、凹みの直径を減少させるにつれて更に小さくなる。中間のサイズのアパーチャと、約1から約2までのアスペクト比を有する凹みの場合、プロセス残留分の物理的堆積は減少するが、プラズマが窓130に到達して窓130の正味のエッチングが発生する。従って、上述したポリシリコンエッチングプロセスの場合の凹み145の1バージョンは、約0.75:1から約7.5:1までのアスペクト比と、0.01インチから約1.5インチまでの直径からなる。
【0058】
窓浸食データから、窓130を交換または手動清浄化しないでも、少なくとも400時間にわたってチャンバを動作させるために使用できることが予測された。これは、窓130を遙かに屡々交換しなければならない従来の技術に対して大幅な改善である。更に、上側にマスキング部分140及び凹み145を有する窓130は、普通のマスクされていない窓130の浸食速度よりも遙かに小さい残留分堆積または浸食速度を呈した。
【0059】
例 12
先行例からのデータを、深さ1”及び直径1.5”の凹み145を有するマスキング部分140を設計するためにも使用した。マスキング部分140をチャンバ35の窓130上に取付け、ポリシリコンエッチングプロセスを実行した。100RF時間の処理の後に窓130を測定したところ、浸食の深さが約19ミクロンであり、プロセス残留分の厚みが約13ミクロンであること、そして凹み145の側壁上のプロセス残留分の厚みが約18ミクロンであることが分かった。窓130に対して遂行した放射散乱試験によれば、窓の寿命が400RFプラズマ時間を超えることが分かった。更に、プロセスエンドポイントが検出される時間は比較的安定していて信頼できるものであり、図13aに示すように放射信号の振幅の低下は見られなかった。図13aは、エッチングチャンバ35の100時間の動作に対する反射放射信号(線401)の波頂から波底までの振幅と、比較的一定の光電子増倍管(PMT)の%利得(線402)を示している。図13bは100時間のエッチング動作の前(線404)及び後(線403)の、窓130を通る透過スペクトルを示しており、窓130を通過する放射のスペクトルには殆ど、または全く変化がないこと、従ってエッチングプロセスの後も透過損失は殆ど、または全くないことを示している。254nmにおける透過は、実際には僅かに増加している。エッチングプロセス中に凹み145を有するマスキング部分140を窓130上に保持した場合、100時間のチャンバ35の動作の前(図14a)及び後(図14b)の反射放射の振幅も、測定された波形の高さ、位置、または形状の変化を殆ど、または全く示さなかった。
【0060】
例 13−20
これらの例は、上側に位置するマスキング部分140内に凹み145を有する窓130を、多くの異なるプロセスに対して窓130上へのプロセス残留分の堆積を減少させるために使用できることを示している。図15は、窓130上にマスキング部分140を用いる、及び用いない場合の、多くの異なるプロセスの窓130上へのプロセス残留分の堆積速度を(プロセスガスの主要組成と共に)示している。下側に(M)を有するバーは、窓130の上にマスキング部分140が存在する場合に得られた堆積速度を示し、それ以外のバーはマスキング部分を用いないで得られた堆積速度を表している。殆ど全てのプロセスの場合に、マスキング部分140が窓130上への残留分堆積の速度を大幅に減少させていることが分かる。
【0061】
チャンバ35内にマスキング部分140を用いて、及び用いないでエッチングプロセスによって得られる被エッチング基体の特徴または特性に何等かの変化が生じたか否かを決定するために、付加的な試験を遂行した。しかしながら、チャンバ35内の窓130をカバーするマスキング部分140を用いても、用いなくても基体30のエッチングの速度、及び臨界寸法損及びプロファイル角のような他のエッチング特性は同一のままであった。これらの実験は、マスキング部分140がエッチングプロセスの結果に重大な影響を及ぼさないことを示した。
【0062】
以上の諸例は、チャンバ35内で遂行される多くの異なるプロセスを正確に、且つ信頼できるように監視するために本発明を使用できることを示している。本発明は、窓130上へのプロセス残留分の形成を減少させ、またチャンバ35内の窓130の浸食をも減少させることができる。その結果、たとえ多数の基体30をエッチングした後であっても、窓130を通して測定される干渉放射の振幅は高く維持される。マスキング部分140及び凹み130は、長いプロセス実行時間にわたって窓130を通って透過する放射の減衰を大幅に低下させ、放射信号検出レベルを増加させ、そしてきれいな窓130が必要なために処理を停止させる必要性を減少させる。従って、チャンバ35は、窓130を取り外す、またはきれいにするために停止させることなく、長時間にわたって有利に使用することができる。
【0063】
以上に本発明を好ましい実施の形態に関して説明したが、他の実施の形態も可能である。例えば、当業者には明白なように、プロセス監視システムはスパッタリングチャンバ、イオン注入チャンバ、または堆積チャンバのような他の応用にも使用可能である。更に、本発明の教示から窓と等価な構成を設計できることも明白であろう。従って、特許請求の範囲に記載の本発明の思想及び範囲が以上の説明によって限定されるものではない。
【図面の簡単な説明】
【図1a】
本発明によるチャンバの実施の形態の例を示す断面図である。
【図1b】
本発明によるチャンバの実施の形態の例を示す断面図である。
【図1c】
本発明によるチャンバの実施の形態の例を示す断面図である。
【図2a】
凹み部分を有するチャンバ壁の断面図である。
【図2b】
凹み部分を有するチャンバ壁の断面図である。
【図3】
凹みを含み、チャンバ壁内の窓をカバーしている分離したマスキング部分の断面図である。
【図4】
窓上に凹みを有するマスキング部分の別の実施の形態を、プロセス監視システムと共に示す断面図である。
【図5a】
凹み付きマスキング部分及び窓部分を含む壁の断面図である。
【図5b】
図5aの壁の上面図である。
【図6a】
複数の凹みを有するマスキング部分を備えた壁の例示実施の形態の断面図である。
【図6b】
複数の凹みを有するマスキング部分を備えた壁の例示実施の形態の断面図である。
【図6c】
複数の凹みを有するマスキング部分を備えた壁の例示実施の形態の断面図である。
【図7a】
1つまたはそれ以上の直径を有する凹みのアレイを有するマスキング部分を有する壁の別の実施の形態の断面図である。
【図7b】
図7aの壁の上面図である。
【図8a】
六角形凹みのアレイを有するマスキング部分を有する壁の別の実施の形態の断面図である。
【図8b】
図8aの壁の上面図である。
【図9a】
チャンバ内の窓を横切る磁界を維持する電磁界源を有するチャンバの部分断面図である。
【図9b】
対面する磁極を有する磁石からなる電磁界源の上面図である。
【図9c】
複数の磁石からなる別の電磁界源の上面図である。
【図10a】
チャンバ内の窓を横切る電界を維持する電磁界源を有するチャンバの部分断面図である。
【図10b】
窓を横切る電界を維持するために使用することができる電極の実施の形態の上面図である。
【図10c】
窓を横切る電界を維持するために使用することができる電極の実施の形態の上面図である。
【図10d】
窓を横切る電界を維持するために使用することができる電極の実施の形態の上面図である。
【図10e】
電極の実施の形態を有するチャンバの部分断面図である。
【図10f】
電極の実施の形態を有するチャンバの部分断面図である。
【図11a】
基体から反射し、きれいな窓(a)、及び52時間にわたって処理プラズマに曝された窓(b)を通過する放射の透過スペクトルを示すグラフである。
【図11b】
数日にわたってチャンバを動作させたためにチャンバの窓上に形成されたプロセス残留分の厚みの増加を原因として、基体反射放射の振幅の減少を時間の関数として示すグラフである。
【図12】
窓上に形成されたプロセス残留分の決定された厚みを、窓をカバーするマスキング部分内の凹みのアスペクト比の関数として示すグラフである。
【図13a】
基体から反射した放射の波頂・波底振幅、及び約100時間のエッチングチャンバの動作の後のPMT利得%を示すグラフである。
【図13b】
窓を通る放射の%透過率を、チャンバ内における100時間のエッチングの前及び後の放射の波長の関数として示すグラフである。
【図14a】
チャンバ内におけるエッチング前に窓を通過する基体反射放射の相対振幅を示す図である。
【図14b】
チャンバ内における100時間のエッチング後に窓を通過する基体反射放射の相対振幅を示す図である。
【図15】
マスキング部分を有する窓((M)で示す)上に、及びマスキング部分を有していない窓上に形成されるプロセス残留分の堆積速度を、異なるプロセスガスレシピに関して示す図である。
Claims (69)
- 基体処理装置であって、
基体支持体、ガス入口、ガスエナージャイザ、ガス排出口、及びプロセス残留分が内部に堆積するのを減少させるようなサイズの凹みを有する壁を含む処理チャンバ、
を備えていることを特徴とする基体処理装置。 - 前記処理チャンバ内で遂行することができるプロセスを、前記壁内の凹みを通して監視することができるプロセス監視システムを更に備えていることを特徴とする請求項1に記載の装置。
- 前記凹みは、前記壁の内面において始まっていることを特徴とする請求項1に記載の装置。
- 前記凹みは、前記壁の放射透過性部分において終端していることを特徴とする請求項3に記載の装置。
- 前記凹みは、少なくとも約0.25:1のアスペクト比を有していることを特徴とする請求項1に記載の装置。
- 前記凹みは、少なくとも3:1のアスペクト比を有していることを特徴とする請求項5に記載の装置。
- 前記凹みは、約12:1より小さいアスペクト比を有していることを特徴とする請求項5に記載の装置。
- 前記凹みは、約0.1mmから約50mmまでの開口サイズを有していることを特徴とする請求項1に記載の装置。
- 前記凹みは、約0.5mmから約500mmまでの深さを有していることを特徴とする請求項1に記載の装置。
- 前記凹みは、前記チャンバ内に形成することができるプラズマシースの厚みの約10倍より小さい直径を有していることを特徴とする請求項1に記載の装置。
- 前記壁は、電磁放射に対して少なくとも部分的に透過性、導電性、または両者である材料で作られていることを特徴とする請求項1に記載の装置。
- 前記壁は、Al2O3、SiO2、AlN、BN、Si、SiC、Si3N4、TiO2、ZrO2の1つまたはそれ以上、及びそれらの混合体及び化合物からなることを特徴とする請求項1に記載の装置。
- 前記壁は、石英からなることを特徴とする請求項12に記載の装置。
- 前記壁は、複数の凹みを有することを特徴とする請求項1に記載の装置。
- 前記壁は、前記凹みを内部に有するマスキング部分を更に含むことを特徴とする請求項1に記載の装置。
- 前記凹みの周りに電磁界を維持するようになっている電磁界源を更に備えていることを特徴とする請求項1に記載の装置。
- 前記電磁界源は、電界または磁界源からなることを特徴とする請求項16に記載の装置。
- 基体処理装置であって、
(a)支持体、ガス入口、ガスエナージャイザ、排出口、及び壁を有するチャンバと、
(b)前記壁上へのプロセス残留分の形成を減少させる手段と、
を備え、
前記支持体上に保持された基体を、ガス入口から導入され、前記ガスエナージャイザによって付勢され、そして前記排出口によって排出されるプロセスガスによって処理できるようになっている、
ことを特徴とする基体処理装置。 - 前記基体に対して遂行されているプロセスを監視するために使用することができる放射透過性部分を更に含むことを特徴とする請求項18に記載の装置。
- 前記手段は、付勢されたガス種が前記放射透過性部分に接近するのを制御することを特徴とする請求項19に記載の装置。
- 前記手段は、前記壁内の1つまたはそれ以上の凹みからなることを特徴とする請求項18に記載の装置。
- 前記凹みは、少なくとも約0.25:1のアスペクト比を有していることを特徴とする請求項21に記載の装置。
- 前記壁を通過する放射を監視するためのプロセス監視システムを更に備えていることを特徴とする請求項18に記載の装置。
- チャンバ内において基体を処理する方法であって、
(a)前記チャンバ内に前記基体を配置するステップと、
(b)前記チャンバ内に付勢されたガスを供給して前記基体を処理するステップと、
(c)前記チャンバの壁内に凹みを設けるステップと、
を含み、
前記凹みは、その中にプロセス残留分が形成されるのを減少させるようになっている、
ことを特徴とする方法。 - 前記凹み付近の放射透過性壁部分を通して前記放射を通過させるステップを更に含むことを特徴とする請求項24に記載の方法。
- Al2O3、SiO2、AlN、BN、Si、SiC、Si3N4、TiO2、ZrO2の1つまたはそれ以上、及びそれらの混合体及び化合物からなる材料を通して前記放射を通過させるステップを更に含むことを特徴とする請求項24に記載の方法。
- 前記基体上へ放射を導くステップ、前記基体から反射した放射を測定するステップ、または両者を含むことを特徴とする請求項24に記載の方法。
- 前記凹みの周りに電界または磁界を印加するステップを更に含むことを特徴とする請求項24に記載の方法。
- 前記凹みを内部に有するマスキング部分を有する壁を設けるステップを更に含むことを特徴とする請求項24に記載の方法。
- 基体処理装置であって、
基体支持体と、
ガス入口と、
ガスエナージャイザと、
ガス排出口と、
内面において始まっている凹みを含む壁と、
を備え、
前記凹みは、プロセス残留分がその中に堆積するのを減少させるサイズのアスペクト比を有している、
ことを特徴とする基体処理装置。 - 前記凹み内の放射透過性部分と、前記処理チャンバ内で遂行することができるプロセスを前記放射透過性部分を通して監視することができるプロセス監視システムとを更に備えていることを特徴とする請求項30に記載の装置。
- 前記凹みは、少なくとも約0.25:1のアスペクト比を有していることを特徴とする請求項30に記載の装置。
- 前記凹みは、約90°より小さい角度で傾斜している通路からなることを特徴とする請求項30に記載の装置。
- 前記壁は、Al2O3、SiO2、AlN、BN、Si、SiC、Si3N4、TiO2、ZrO2の1つまたはそれ以上、及びそれらの混合体及び化合物からなることを特徴とする請求項30に記載の装置。
- 複数の凹みを含むことを特徴とする請求項30に記載の装置。
- 前記凹みは、前記プラズマから発する放射、または前記基体の異なる部分から反射する放射を通過させるように配列されていることを特徴とする請求項35に記載の装置。
- 基体処理装置であって、
基体支持体、ガス入口、ガスエナージャイザ、ガス排出口、及びプロセス残留分が内部に堆積するのを減少させるようなサイズの凹みを有する壁を含む処理チャンバと、
前記凹みを有する壁の部分付近に磁界を維持するようになっている磁界源と、
前記処理チャンバ内で遂行することができるプロセスを、前記壁内の凹みを通して監視することができるプロセス監視システムと
を備えていることを特徴とする基体処理装置。 - 前記磁界源は、1つまたはそれ以上の永久磁石または電磁石からなることを特徴とする請求項37に記載の装置。
- 前記凹みは、前記壁内の放射透過性部分まで延びていることを特徴とする請求項37に記載の装置。
- 前記プロセス監視システムは、前記チャンバから発して前記凹み及び前記放射透過性部分を通過する放射の属性を評価することを特徴とする請求項37に記載の装置。
- 前記凹みは、少なくとも約0.25:1のアスペクト比を有していることを特徴とする請求項37に記載の装置。
- 前記壁は、電磁放射に対して少なくとも部分的に透過性、導電性、または両者である材料で作られていることを特徴とする請求項37に記載の装置。
- 前記凹みを有する前記壁の部分付近に電界を維持するようになっている電界源を更に備えていることを特徴とする請求項37に記載の装置。
- 基体処理装置であって、
基体支持体、ガス入口、ガスエナージャイザ、ガス排出口、及びプロセス残留分が内部に堆積するのを減少させるようなサイズの凹みを有する壁を含む処理チャンバと、
前記凹みの周りに電界を維持するようになっている電界源と、
前記処理チャンバ内で遂行することができるプロセスを、前記壁内の凹みを通して監視することができるプロセス監視システムと
を備えていることを特徴とする基体処理装置。 - 前記電界源は、前記壁に近接している電極からなることを特徴とする請求項44に記載の装置。
- 前記凹みは、前記壁内の放射透過性部分まで延びていることを特徴とする請求項44に記載の装置。
- 前記プロセス監視システムは、前記チャンバから発して前記凹み及び前記放射透過性部分を通過する放射の属性を評価することを特徴とする請求項46に記載の装置。
- 前記凹みは、少なくとも約0.25:1のアスペクト比を有していることを特徴とする請求項44に記載の装置。
- 前記壁は、電磁放射に対して少なくとも部分的に透過性、導電性、または両者である材料で作られていることを特徴とする請求項44に記載の装置。
- 前記凹みを有する前記壁の部分付近に磁界を維持するようになっている磁界源を更に備えていることを特徴とする請求項44に記載の装置。
- 基体処理装置であって、
基体支持体、ガス入口、ガスエナージャイザ、ガス排出口、及び前記支持体の周りの側壁を含む処理チャンバを備え、前記側壁は、プロセス残留分が内部に堆積するのを減少させるようなサイズの凹みを有していることを特徴とする基体処理装置。 - 前記側壁内に第2の凹みを更に有していることを特徴とする請求項51に記載の装置。
- 前記凹みは、前記側壁に対して傾斜していることを特徴とする請求項51に記載の装置。
- 前記凹みは、前記側壁に対して約50°から約60°まで傾斜していることを特徴とする請求項53に記載の装置。
- 前記処理チャンバ内で遂行することができるプロセスを、前記壁内の凹みを通して監視することができるプロセス監視システムを更に備えていることを特徴とする請求項53に記載の装置。
- 前記凹みは、前記壁の内面において始まっていることを特徴とする請求項51に記載の装置。
- 前記凹みは、前記壁の放射透過性部分において終端していることを特徴とする請求項56に記載の装置。
- 前記凹みは、少なくとも約0.25:1のアスペクト比を有していることを特徴とする請求項51に記載の装置。
- 前記凹みは、約0.1mmから約50mmまでの開口サイズを有していることを特徴とする請求項51に記載の装置。
- 前記凹みは、約0.5mmから約500mmまでの深さを有していることを特徴とする請求項51に記載の装置。
- 前記側壁は、複数の凹みを有していることを特徴とする請求項51に記載の装置。
- 前記側壁は、前記支持体の両側上に複数の凹みを有していることを特徴とする請求項51に記載の装置。
- 前記側壁は、前記凹みをその中に有するマスキング部分を更に有していることを特徴とする請求項51に記載の装置。
- 前記凹みの周りに電磁界を維持するようになっている電磁界源を更に備えていることを特徴とする請求項51に記載の装置。
- チャンバ内において基体を処理する方法であって、
(a)前記チャンバ内に前記基体を配置するステップと、
(b)前記チャンバ内に付勢されたガスを供給して前記基体を処理するステップと、
(c)前記チャンバの側壁内に凹みを設けるステップと、
(d)放射を、前記凹みを通過させるステップと、
を含むことを特徴とする方法。 - 前記凹み付近の放射透過性壁部分を通して前記放射を通過させるステップを含むことを特徴とする請求項65に記載の方法。
- 前記ステップ(d)は、前記基体上へ放射を導くステップ、前記基体から反射した放射を測定するステップ、または両者を含むことを特徴とする請求項65に記載の方法。
- 前記ステップ(d)は、前記放射を第1の凹みを通して前記基体上へ通過させるステップと、反射した放射を第2の凹みを通して検出するステップとを含むことを特徴とする請求項65に記載の方法。
- 前記凹みは、プロセス残留分が内部に堆積するのを減少させるようになっていていることを特徴とする請求項65に記載の方法。
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