JP2004511779A5 - - Google Patents

Claims (7)

1. 検体を検出するセンサであって、
   導電特性を有して第１導電素子を画定する基本部分と、
   前記基本部分に近接する結合剤層と、
   前記基本部分に近接する半導体素子と、
   前記半導体素子及び前記第１導電素子に電気的に接触させられる第２導電素子とを含み、前記基本部分及び前記結合剤層がセンサ片を画定することを特徴とするセンサ。
2. 前記基本部分と前記結合剤層との間に配置されて前記基本部分に結合される化学材料体（entity）をさらに含む請求項１記載のセンサ。
3. 前記センサ片を検出ユニットに接続する２つの等位のリード線を更に含み、前記等位のリード線の少なくとも１つが前記半導体素子に電気的に接触させられることを特徴とする請求項１乃至２のいずれか記載のセンサ。
4. 所定の検体を検出する方法であって、
   第１導電素子を画定する、電気的に導電性の基本部分を設けるステップと、
   前記基本部分に近接して高分子の結合剤層を形成し、前記高分子が前記所定の検体と特異性レベルで反応することをができることを特徴とするステップと、
   前記基本部分に近接して半導体素子を配置し、前記基本部分、前記結合剤層、及び前記半導体素子がセンサ片を画定することを特徴とするステップと、
   前記所定の検体を前記結合剤層に曝露するステップと、
   閉電気回路において生成された電流を検出し、前記電流が前記所定の検体の存在に応答し、前記閉電気回路が前記基本部分、前記半導体素子、及び前記半導体素子に電気的に接触させられる第２導電素子から成ることを特徴とするステップと、
   から成る方法。
5. 化学材料体を前記基本部分に結合するステップと、
   前記化学材料体に近接して前記結合剤層を形成するステップと、
   をさらに含む請求項４記載の方法。
6. 前記検出ステップが、検出ユニットのリード線を前記センサ片に等位に接続することによってなされ、前記リード線の１つが前記半導体素子に接続されることを特徴とする請求項４乃至５のいずれか記載の方法。
7. 前記検出ユニットを接続する前記ステップが、電極を前記センサ片及び前記半導体素子へ接触することによってなされ、前記電極の電気的受動が前記接続ステップをなす間維持されることを特徴とする請求項６記載の方法。