JP2004509756A - 二酸化炭素に使用するためのホスフェートフルオロ界面活性剤 - Google Patents

二酸化炭素に使用するためのホスフェートフルオロ界面活性剤 Download PDF

Info

Publication number
JP2004509756A
JP2004509756A JP2002530688A JP2002530688A JP2004509756A JP 2004509756 A JP2004509756 A JP 2004509756A JP 2002530688 A JP2002530688 A JP 2002530688A JP 2002530688 A JP2002530688 A JP 2002530688A JP 2004509756 A JP2004509756 A JP 2004509756A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
surfactant
composition
group
interest
carbon dioxide
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2002530688A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2004509756A5 (ja
Inventor
デシモーネ,ジョゼフ・エム
ケイパー,ジェイソン・エス
Original Assignee
ユニヴァーシティ・オヴ・ノース・キャロライナ・アト・チャペル・ヒル
ノース・キャロライナ・ステイト・ユニヴァーシティ
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ユニヴァーシティ・オヴ・ノース・キャロライナ・アト・チャペル・ヒル, ノース・キャロライナ・ステイト・ユニヴァーシティ filed Critical ユニヴァーシティ・オヴ・ノース・キャロライナ・アト・チャペル・ヒル
Publication of JP2004509756A publication Critical patent/JP2004509756A/ja
Publication of JP2004509756A5 publication Critical patent/JP2004509756A5/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C11ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11DDETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D1/00Detergent compositions based essentially on surface-active compounds; Use of these compounds as a detergent
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C11ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11DDETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D1/00Detergent compositions based essentially on surface-active compounds; Use of these compounds as a detergent
    • C11D1/004Surface-active compounds containing F
    • C11D1/006Surface-active compounds containing fluorine and phosphorus
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82BNANOSTRUCTURES FORMED BY MANIPULATION OF INDIVIDUAL ATOMS, MOLECULES, OR LIMITED COLLECTIONS OF ATOMS OR MOLECULES AS DISCRETE UNITS; MANUFACTURE OR TREATMENT THEREOF
    • B82B3/00Manufacture or treatment of nanostructures by manipulation of individual atoms or molecules, or limited collections of atoms or molecules as discrete units
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y30/00Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C11ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11DDETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D1/00Detergent compositions based essentially on surface-active compounds; Use of these compounds as a detergent
    • C11D1/02Anionic compounds
    • C11D1/34Derivatives of acids of phosphorus
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00Manufacture or treatment of nanostructures
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C11ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11DDETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D2111/00Cleaning compositions characterised by the objects to be cleaned; Cleaning compositions characterised by non-standard cleaning or washing processes
    • C11D2111/10Objects to be cleaned
    • C11D2111/14Hard surfaces
    • C11D2111/22Electronic devices, e.g. PCBs or semiconductors
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S438/00Semiconductor device manufacturing: process
    • Y10S438/906Cleaning of wafer as interim step

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Emulsifying, Dispersing, Foam-Producing Or Wetting Agents (AREA)
  • Detergent Compositions (AREA)
  • Extraction Or Liquid Replacement (AREA)
  • Carbon And Carbon Compounds (AREA)
  • Pharmaceuticals Containing Other Organic And Inorganic Compounds (AREA)
  • Solid-Sorbent Or Filter-Aiding Compositions (AREA)

Abstract

対象とする組成物から水を除去する方法は、水を含む対象とする第1の組成物に、(1)少なくとも1つのホスフェート基を含む少なくとも1つの界面活性剤と、(2)二酸化炭素を含む溶媒とを含む対象とする第2の組成物を接触させるステップを含み、少なくとも1つの界面活性剤が第1の組成物から水の少なくとも一部を除去するように界面活性剤の少なくとも一部は溶媒に可溶性である。

Description

【0001】
[関連出願の参照]
本願は、その開示内容が全体としてその内容が本明細書に組み入れられている、2000年9月26日に提出された暫定出願番号第60/235,516号の優先権を主張する。
【0002】
[技術分野]
本発明は、一般に、二酸化炭素に溶解性を示す界面活性剤と、これを使用するシステムとに関する。
【0003】
[背景技術]
清潔で、豊富にあり、同調可能な溶媒として二酸化炭素を使用することは環境的に有用であると思われ、従って、例えば、洗浄プロトコール、コーティング並びにポリマー製造および加工を含む数多くの用途において検討されている。例えば、Wells,S.L、DeSimone,J.Angew.Chem.Int.Ed.2001,40,518参照。上記の可能な利点にもかかわらず、水などの多数の物質は溶解度が低いという点において、二酸化炭素は制限されることが多い。
【0004】
このような起こりうる溶解度の限界に応えて、二酸化炭素への水の分散を助けると思われるとして、フルオロ界面活性剤が開発されている。例えば、Harrison,K、Goveas,J、Johnston,K.P.、O’Rear、E.A.Langmuir 1994,10,3536,Johnston,K.P.、Harrison,K.L.、Clarke,M.J.、Howdle,S.M.、Heitz,M.P.、Bright,F.V.、Carlier,C.、Randolph,T.W.Science 1996,271,624,Eastoe,J.、Bayazit,Z.、Martel,S.、Steyler,D.C.、Hennan,R.K.Langmuir 1996,12,1423,Eastoe,J.、Cazelles,B.M.H.、Steyler,D.C.、Holmes,J.H.、Pitt,A.R.、Wear,T.J.、Heenan,R.K.Langmuir 1997,13,6980,Zielinski,R.G.、Kline,S.R.、Kaler,E.W.、Rosov,N. Langmuir 1997,13,3934,Eastoe,J.、Downer,A.、Paul,A.、Steytler,D.C.、Rumsey,E.、Penfold,J.、Heenan,R.K.Phys.Chem.Chem.Phys.2000,2,5235,Lee Jr.,C.T.、Bhargava,P、Johnston,K.P. J.Phys.Chem.B 2000,104,4448,Lee Jr.,C.T.,、Bhargava,P.、Johnston,K.P.J.Phys.CHem.B2000,104,4448,LeeJr.,C.T.、Johnston,K.P.、Dai,H.J.、Cochran,H.D.、Melnichenko,Y.B.、Wignall,G.D.J.Phys.Chem.B2001,105,3540,およびLiu,Z.−T.、Erkey,C.Langmuir2001,17,274参照。従って、水分量がかなり多い水含有(water−in)−二酸化炭素(W/C)マイクロエマルジョンが得られており、ナノ粒子合成、有機反応、ボルタンメトリー測定および酵素変換などの数多くの用途に使用することができる。例えば、Holmes,J.D.、Bhargava,P.A.、Korgel,B.A.、Johnston,K.P.Lngmuir1999,15,6613,Ji,M.、Chen,X.、Wai,C.M、Fulton,J.L.J.Am.Chem.Soc.1999,121,2631,Jacobson,G.B.、Lee Jr.、C.T.、Johnston,K.P.J.Org.Chem.1999,64,1201,Ode,H.、Hunt,F.、Kithara,S.、Way,C.M.Anal.Chem.2000,72,4738,Lee,D.Hutchison,J.C.,Demimonde,J.M.,Murray,R.M.J.Am.Chem.Soc.2001,123,8406,Holmes,J.D.、Settler,D.C.、Rees,G.D.、Robinson,B.H.Languor1998,14,6371およびKane,M.A.、Baker,G.A.、Pander,S.、Bright,F.V.Languor2000,16,4901参照。W/Cシステムはまた、コンピュータ処理の主題となっている。例えば、Satanically,S.、Cui,S.T.、Cummings,P.T.、Cochran,H.D.Languor1999,15,5188参照。
【0005】
にもかかわらず、これらのシステムの利点にもかかわらず、二酸化炭素中に存在する例えば、水などの種々の物質の揮発の改善を可能にする界面活性剤およびシステムを使用する必要性が界面活性剤およびシステム分野にある。
【0006】
[発明の開示]
一側面において、本発明は、対象とする第1の組成物から水を除去する方法を提供する。本発明の方法は、水を含む対象とする第1の組成物に、(1)少なくとも1つのホスフェート基を含む少なくとも1つの界面活性剤と、(2)二酸化炭素を含む溶媒とを含む対象とする第2の組成物を接触させるステップであって、少なくとも1つの界面活性剤が第1の組成物から水の少なくとも一部を除去するように、界面活性剤の少なくとも一部が溶媒に可溶性であるステップとを含む。
【0007】
別の側面において、本発明は、基材に界面活性剤を適用する方法を提供する。本発明の方法は、(1)少なくとも1つのホスフェート基を含む少なくとも1つの界面活性剤と,(2)二酸化炭素を含む溶媒とを含み、界面活性剤の少なくとも一部が溶媒に可溶性である対象とする組成物を提供するステップと、
二酸化炭素が界面活性剤から分離し、界面活性剤が基材をコーティングするように、対象とする組成物を基材に適用するステップとを含む。
【0008】
別の側面において、本発明は、(1)少なくとも1つのホスフェート基を含む少なくとも1つの界面活性剤と、(2)二酸化炭素を含む溶媒とを含む対象とする組成物を提供する。
【0009】
本発明のこれらの側面および他の側面は、本明細書においてより詳細に記載される。
【0010】
[好ましい実施形態の詳細な説明]
本発明は、好ましい実施形態、図面および実施例に関して以下に記載されている。これらは本発明の範囲を限定する働きをするのではなく、本発明の範囲を例示すると考えられるべきである。
【0011】
一側面において、本発明は、対象とする組成物に関する。対象とする組成物は、(1)少なくとも1つのホスフェート基を含む少なくとも1つの界面活性剤と、(2)二酸化炭素を含む溶媒とを含む。
【0012】
界面活性剤は数多くの実施形態に例示されている。種々の実施形態において、界面活性剤は少なくとも1つのフッ化炭素基を含む。本発明の目的のために、少なくとも1つのフッ化炭素基は二酸化炭素に親和性を有すると考えられる。すなわち、少なくとも1つのフッ化炭素基は「CO−親和性」である。好ましくは、少なくとも1つのフッ化炭素基は、ホスフェート基に結合する酸素原子に結合した水素スペーサーを含む。
【0013】
種々の好ましい実施形態において、少なくとも1つのフッ化炭素基は、式、
2m+1(CH
(式中、mは1〜24であり、nは1〜24である)のものである。
【0014】
他の実施形態において、界面活性剤は、ホスフェート基に結合した炭化水素含有基をさらに含んでもよい。本発明によると、炭化水素含有基は、ある種の実施形態において、「CO−低親和性」であり、二酸化炭素に対する親和性がない。にもかかわらず、分岐鎖形態で存在する場合には、炭化水素含有基は荷電した界面活性剤をCOに分散させるのに有用となりうると考えられる。Eastoeら Journal of the American Chemical Society;2001;123(5);988−989参照。
【0015】
好ましい実施形態において、炭化水素含有鎖は、式、
2m+1
(式中、mは1〜24である)のものである。
【0016】
種々の実施形態において、界面活性剤は陰イオン界面活性剤として存在してもよい。陰イオン界面活性剤の限定的ではない例は、式(VIII)および(IX)並びに以下に詳細に記載するものである:
【化36】
Figure 2004509756
【化37】
Figure 2004509756
(式中、Rは分岐鎖または直鎖炭化水素(例えば、C2n+1(式中、nは1〜24である)または炭化水素/フッ化炭素基)であり、Mは、例えば、K、NaまたはNH などの対陽イオン(countercation)である)。
【0017】
ある種の実施形態において、界面活性剤はハイブリッド界面活性剤の形態で存在してもよい。本発明の目的のためには、「ハイブリッド界面活性剤」という用語は、少なくとも1つのフッ化炭素基と少なくとも1つの炭化水素含有基とを有する界面活性剤と規定される。これらの例は式(X)、(XI)および(XI’)のものである:以下に記載するように、ハイブリッド界面活性剤はまた種々の実施形態において陰イオン界面活性剤を含む。
【化38】
Figure 2004509756
【化39】
Figure 2004509756
【化40】
Figure 2004509756
(式中、Rは独立に選択されてもよく、分岐鎖または直鎖炭化水素基(例えば、C2n+1(式中、nは1〜24である)である)。Rは、好ましくは、C17またはC1429である。別の実施形態において、Rは、例えば、C2n+1(CH(式中、nは1〜4であり、mは1〜24である)などのフッ化炭素基を含有してもよい。Rは独立に選択され、分岐鎖または直鎖フッ化炭素基(例えば、炭化水素/フッ化炭素基)(例えば、C2n+1(CH(式中、nは1〜24であり、mは1〜24である)であり、Mは、例えば、K、NaまたはNH などの対陽イオン(countercation)である。Rの好ましい基は、C13(CHおよびC1021(CHであるが、これらに限定されず、Rの好ましい基はC、C17、C1225およびC1633であるが、これらに限定されない。Xは、ヒドロキシ基(−OH)、アルキル基(ホスフェート結合が形成されるように)およびホスホアミド基(例えば、ピペリジン、モルホリノ等など)などの官能基である。好ましい一実施形態において、MがNH である場合には、RおよびRは各々独立に選択され、好ましくはC(CH〜C17(CHである。
【0018】
本発明による別の好ましい陰イオン界面活性剤は以下の式、
【化41】
Figure 2004509756
(式中、RはCF(CH〜C2449(CHであり、nは1〜24である)のものである。
【0019】
他の実施形態において、界面活性剤は陽イオン界面活性剤の形態で存在してもよい。陽イオン界面活性剤の例は、式(VI)および(VII)、
【化42】
Figure 2004509756
【化43】
Figure 2004509756
(式中、Rは分岐鎖または直鎖炭化水素基(例えば、C2n+1(式中、nは1〜24である)または例えば、C2n+1(CH(式中、nは1〜24であり、mは1〜24である)を含む炭化水素/フッ化炭素基であってもよく、Xは、ハロゲン(例えば、塩素、臭素)、トリフレートまたは「BarF」(以下に記載するKobayashi試薬の陰イオン)
【化44】
Figure 2004509756
であってもよい対イオンである)によって表されるもの(例えば、ホスフェートピペラジニウム)であるが、これらに限定されない。一例として、1つ以上のモルホリン単位がホスフェート基に結合してもよい。式(I)〜(V)および(IX)および(X)によって表される実施形態がこのような構造を記載する。さらに、ある種の実施形態は、ホスフェート基に結合した少なくとも1つのフッ化炭素含有基を例示する。一例において、例示するように、フッ化炭素基は、酸素原子、次いでリン原子に結合する炭化水素スペーサー(例えば、メチレン単位1〜12の鎖長)に結合する。
【化45】
Figure 2004509756
【化46】
Figure 2004509756
(式中、mおよびnは、各々独立に、1〜24のmおよび1〜24のnから選択される)。好ましい実施形態において、式(I)に関して、mは6、8または10であってもよく、nは2である。好ましい実施形態において、式(II)に関して、mは6または8であってもよく、nは2である。
【0020】
式(III)〜(IV)の炭化水素類似物も含まれる。
【化47】
Figure 2004509756
【化48】
Figure 2004509756
(式中、mは、独立に選択され、1〜24である)。好ましくは、mは10である。
【0021】
ハイブリッドモルホリン含有界面活性剤も使用することができ、式、
【化49】
Figure 2004509756
(式中、xは1〜24であり、mは1〜24であり、nは1〜24である)のものである。好ましい実施形態において、xは8であり、mは6であり、nは2である。
【0022】
界面活性剤は逆ミセルおよび/または水含有(water−in)二酸化炭素エマルジョン(すなわち、マイクロエマルジョン)を形成することができる可能性があると考えられる。ある種の実施形態において、水を含有するこのような組成物は均質な流体または相として存在することができる。従って、別の形態において、本発明は、本明細書に規定する対象とする組成物と水とを含む逆ミセルを提供する。本発明の目的のためには、「逆ミセル」という用語は、水成分がミセルの内側部分に存在するミセルと規定される。従って、逆ミセル中に存在する各界面活性剤の「親水性」部分はミセルの内側部分に存在するが、各界面活性剤の「CO−親和性」部分はミセルの外側部分に存在する。結果として、界面活性剤は数多くの用途に有用である。例えば、逆ミセルは、数多くの製薬学的に活性な薬剤を封入することができ、その選択は当業者に周知である。他の種々の実施形態において、界面活性剤はまた、現像時に使用される比較的少量の水が溶解されていることがあり、主に二酸化炭素を含有する相に「除去される」、COに基づいたリソグラフィーなどの用途におけるクリーニングまたは水除去並びにマイクロエマルジョン水プール内におけるナノ粒子を合成する際にも使用することができる。反応炉/鋳型としてマイクロエマルジョン水プールを使用して、有機(すなわち、ポリマー)および無機ナノ粒子も製造することができる。界面活性剤はまた、水溶液から金属抽出などの抽出用途においても使用することができる。
【0023】
本発明の対象とする組成物および方法によって種々の量の水を取り込むことができる。例えば、一実施形態において、水の量は、界面活性剤の重量に基づいて約0、5、10、20、30または40〜約60、70、80、90、95、100、150または200パーセントであってもよい。さらに詳細には、本発明によると、界面活性剤は水の形態で自身の重量の100パーセントを取り込むことができる。
【0024】
本発明の目的のためには、二酸化炭素は液体または超臨界形態で使用される。対象とする組成物は、典型的には、連続相として二酸化炭素を使用し、対象とする組成物は、好ましくは、二酸化炭素の約50、60または75重量パーセント〜約80、90または99重量パーセントを含む。液体COを使用する場合には、過程中に使用する温度は、好ましくは、31℃未満である。好ましい一実施形態において、COは「超臨界」相に使用される。本明細書において使用する「超臨界」は、液体媒体が、圧力によって液化されえないほど十分に高い温度であることを意味する。COの熱力学的特性はHyatt,J.Org.Chem.49:5097−5101(1984)に報告されており、その文献には、COの臨界温度は約31℃であると述べられている。特に、本発明の方法は、好ましくは、約20℃〜約60℃の温度範囲で実施される。使用される圧力は、好ましくは、約1000psia(6.9MPa)〜約5500psia(37.9MPa)である。
【0025】
対象とする組成物は、上記のもの以外の成分も含んでもよい。好ましくは、これらの成分は界面活性剤と反応しない。例示的な成分には、ポリマー改良剤、水、レオロジー改良剤、可塑剤、抗菌剤、難燃剤および粘性低下改良剤が挙げられるが、これらに限定されない。共存溶媒および共存界面活性剤も必要に応じて使用することができる。これらの成分は、反応性機能的ポリマーと反応しない限り使用することができる。
【0026】
使用してもよい例示的な共存溶媒には、アルコール(例えば、メタノール、エタノールおよびイソプロパノール)、フッ化溶媒および他のハロゲン化溶媒(例えば、クロロトリフルオロメタン、トリクロロフルオロメタン、パーフルオロプロパン、クロロジフルオロメタンおよび6フッ化硫黄)、アミン(例えば、N−メチルピロリドン)、アミド(例えば、ジメチルアセタミド)、芳香族溶媒(例えば、ベンゼン、トルエンおよびキシレン)、エステル(例えば、酢酸エチル、2塩基エステルおよび乳酸エステル)、エーテル(例えば、ジエチルエーテル、テトラヒドロフランおよびグリコールエーテル)、脂肪族炭化水素(例えば、メタン、エタン、プロパン、ブタン、n−ペンタンおよびヘキサン)、オキシド(例えば、亜酸化窒素)、オレフィン(例えば、エチレンおよびプロピレン)、天然型炭化水素(例えば、、イソプレン、テルペンおよびd−リモネン)、ケトン(例えば、アセトンおよびメチルエチルケトン)、有機シリコーン、アルキルピロリドン(例えば、N−メチルピロリドン)、パラフィン(例えば、イソパラフィンおよび他のアルカンおよびパラフィンワックス、石油系溶媒および溶媒混合物、並びに入手可能で、好適な任意の他の相溶性溶媒または混合物が挙げられるが、これらに限定されない。上記共存溶媒の混合物も使用することができる。
【0027】
使用することができると思われる例示的な共存界面活性剤には、オクタノール、デカノール、ドデカノール、セチルアルコール、ラウリルアルコール等などの長鎖アルコール(例えば、C以上)および2つ以上のアルコール基または他の水素結合官能基を含有する種、アミド、アミンおよび他の同様の成分が挙げられるが、これらに限定されない。共存界面活性剤として有用な好適な他の種類の物質は当業者に周知であり、本発明の対象とする組成物に使用することができる。上記の混合物を使用することができる。
【0028】
本発明はまた、二酸化炭素から界面活性剤を分離し、基材に界面活性剤を適用する方法を提供する。特に、本発明の方法は、(1)少なくとも1つのホスフェート基を含む少なくとも1つの界面活性剤と,(2)二酸化炭素を含む溶媒とを含み、界面活性剤の少なくとも一部が溶媒に可溶性である対象とする組成物を提供するステップと、二酸化炭素が界面活性剤から分離し、界面活性剤が基材をコーティングするように、対象とする組成物を基材に適用するステップとを含む。物質を分離し、基材に適用する技法は当技術上周知であり、例えば、その開示内容全体として本明細書に組み入れられている、DeSimoneらに付与された米国特許番号第5,863,612号のカラム5、47行〜カラム6、11行などに記載されている。界面活性剤を分離する方法の例には、二酸化炭素を気化させて、界面活性剤を残留させるおよび界面活性剤を含有する容器もしくは反応炉に非溶媒を導入するか、または界面活性剤のための非溶媒を含有する別の容器に容器もしくは反応炉の内容物を移すことによって非溶媒中で界面活性剤を沈殿させることが挙げられるが、これらに限定されない。一実施形態において、分離するステップおよび適用するステップは一緒に実施してもよく、一例として、界面活性剤を含有する溶液を開口部に通し(例えば、噴霧または噴霧−乾燥)、粒子、粉末コーティング、繊維および他のコーティングを基材上に形成することを含む。金属、有機ポリマー、無機ポリマー、織物およびそれらの複合物などであるが、これらに限定されない多種多様の基材を使用することができる。例示的な基材には、集積回路、シリコンウェーハ、水を含有するバイアス(vias)を備えるシリコンウェーハ、集積回路の中間層誘電体として使用される低誘電率表面、MEM、多孔性物質、マイクロ−多孔性物質、ナノ−多孔性物質、不織材料、被洗浄表面、不活性化層による被処理面、被コーティング面、自己組織化単分子層(「SAM」)による被処理面、フォトレジストコーティング面、光インターフェイス、光学リレー、光ファイバー、金属処理面およびマイクロミラーが挙げられるが、これらに限定されない。これらの応用技術は液体および超臨界溶液について証明されている。界面活性剤は、基材上に低表面エネルギーコーティングを形成することができる。基材の実施形態の例には、織物、紙、光ファイバーおよび他の表面が挙げられるが、これらに限定されない。
【0029】
対象とする組成物、特に界面活性剤は、洗浄過程、重合過程のための溶媒プール形成、無機粒子合成および酵素反応などであるが、これらに限定されない数多くの用途に有用である。
【0030】
対象とする組成物は種々の量の界面活性剤を含んでもよい。好ましい実施形態において、対象とする組成物は約1、2、5または7〜約5、8、10、15または20重量パーセントの界面活性剤を含む。
【0031】
別の形態において、本発明は、対象とする組成物から水を除去する方法を提供する。本発明の方法は、水を含む対象とする第1の組成物に、(1)少なくとも1つのホスフェート基を含む少なくとも1つの界面活性剤と、(2)二酸化炭素を含む溶媒とを含む対象とする第2の組成物を接触させるステップを含み、少なくとも1つの界面活性剤が第1の組成物から水の少なくとも一部を除去するように界面活性剤の少なくとも一部が溶媒に可溶性である。
【0032】
界面活性剤を含む対象とする第2の組成物を記載する実施形態は上記および二酸化炭素を含む溶媒について記載されている。好ましい実施形態において、対象とする第2の組成物は、対象とする第1の組成物と接触させる前後は均質な相として存在してもよいが、他の実施形態も含むことができ、すなわち、対象とする第2の組成物は不均質であってもよい。
【0033】
水を含む対象とする第1の組成物は、例えば、種々の製造物品などの数多くの実施形態の形態で存在してもよい。このような実施形態の例には、集積回路、シリコンウェーハ、水を含有するバイアス(vias)を備えるシリコンウェーハ、集積回路の中間層誘電体として使用される低誘電率表面、MEM、多孔性物質、マイクロ−多孔性物質、ナノ−多孔性物質、不織材料、被洗浄表面、不活性化層による被処理面、被コーティング面、自己組織化単分子層(「SAM」)による被処理面、フォトレジストコーティング面、光インターフェイス、光学リレー、光ファイバー、金属処理面およびマイクロミラーが挙げられるが、これらに限定されない。
【0034】
水除去を実施する方法は、当業者に周知のシステム、容器、セルおよび装置で実施することができる。このようなシステム、容器、セルおよび装置には、高圧に耐えることができるものが挙げられるが、これらに限定されない。このような装置は、必要に応じて、撹拌手段および加熱手段を含有してもよく、その選択は周知である。水除去方法は、バッチ、連続および半連続システムを使用することによって実施することができる。
【0035】
本発明に使用される界面活性剤は、例えば、Sadtler,V.M、Jeanneaux,F.、Krafft,M.P.、Rabai,J.、Riess,J.G.New Journal of Chemistry、1998、609などの種々の技術によって製造することができる。他の合成経路も使用することができる。一例として、フッ化炭素単位が結合しているモルホリノ界面活性剤は、N(CHCHおよび(CHCHOの存在下において、オキシ塩化リンによるフッ化アルコールの第一ホスフェート化によって製造することができる。一実施形態において、ジ−およびトリエステルの形成並びにアルコールの塩素化は、おそらく、乾燥エーテルおよび過剰量のトリエチルアミンを使用することによって回避できると思われ、塩化トリエチルアンモニウムが沈殿される。その後、(パーフルオロアルキル)アルキルジモルホリホリノホスフェートがモルホリンとの反応によって得られる。ビス[(F−アルキル)アルキル]モノモルホリノホスフェートの合成も、Sadtler,V.M.らに記載されているように、OPClによるF−アルキル化アルコールの直接ホスフェート化およびモルホリンとの反応に関係することがある。
【0036】
ピペラジン界面活性剤は、Katrizky,A.R.、Davis,T.L.、Rewcastle G.W.、Rubel,G.O.およびPike,M.T.、Langmuir 1988 4,732−735の教示に従って製造することができる。Katrizkyらに記載されている教示によると、スルホニルピペラジニウム化合物を形成するために以下の合成経路を実施することができる:
【化50】
Figure 2004509756
【0037】
モルホリノホスフェート界面活性剤合成に使用される合成経路においてN−メチルピペラジンをモルホリンと置換することによってピペラジニウムホスフェート界面活性剤を製造することができると考えられる。次いで、メチル化窒素をヨードメタンで四級化して望ましい化合物の1種を提供することができる。例示的な合成経路を以下に示す。
【化51】
Figure 2004509756
【0038】
ハイブリッド界面活性剤の合成経路を例示する実施形態を、以下のスキームにより例示する:
【化52】
Figure 2004509756
【0039】
中性または陰イオン界面活性剤は、上記の実施形態により製造することができる。これらの界面活性剤は他の合成経路によって製造することができることが考えられるべきである。上記合成経路において、RはC2m+1(式中、mは1〜24である)であり、RはC2n+1(式中、nは1〜24である)であってもよい。
【0040】
上記の方法において種々の過程条件(例えば、時間および温度)を使用することができる。一実施形態において、例えば、ステップ1および2は約0℃〜約10℃の温度において実施することができ、不活性雰囲気(例えば、窒素またはアルゴン)下において約6時間〜約12時間で室温に加温する。ステップ3および4は周囲条件下で実施する。上記合成は、従来のガラス製丸底フラスコおよび撹拌棒などの当技術上周知の装置および技術を使用する。他の種類の装置も使用することができる。
【0041】
以下の実施例は本発明を例示する意図のものであり、本発明の範囲を限定する意図のものではない。実施例において、モルホリノホスフェート界面活性剤は、Sadtler,V.M.らに記載されているように製造した。これらの化合物はシリカゲルクロマトグラフィーによって精製した。陰イオンホスフェート界面活性剤は、フッ化鎖を有するホスフェートを製造するための周知の方法を適合させ(Krafft,M.−P.、Rolland,J.−P、Vierling,P.、Riess,J.G.New Journal of Chemistry 1990,14,869.参照)、エタノール中での中和によりナトリウム塩を形成することによって(Romsted,L.S.、Zanette,D.J.Phys.Chem.1988,92,4690.参照)合成した。化合物は予測された1H、19Fおよび31P NMRスペクトルパターンを示し、元素分析(Atlantic Microlabs,Norcross,GA)によって測定するとき、十分な純度、すなわち、一般に予測算出分析元素の割合の0.3%以内と規定される純度も有した。
【0042】
二酸化炭素への界面活性剤並びに界面活性剤および水の曇点溶解度は、観察するための厚さ0.5インチのサファイアウィンドーおよび溶液を撹拌するための磁気的撹拌棒を備えるHIP可変容量による圧力発生器/観察セル(最大容量=15mL)を使用して実施した。COは、高圧スチールチューブを介してセルに接続したISCO圧縮ポンプにより注入した。さらに、セルをSensotec圧力変換器並びに圧力および温度読出しのためのOmega熱電対にそれぞれ接続した。COで加圧する前に、測定した量の界面活性剤および水を室温において添加した。varic−制御式加熱テープを使用してセル中の試料を加熱した(±0.1℃に制御)。手動制御式ピストンによる容量変化により圧力を等温的に変化させることによって、冷却サイクル時に曇点(視覚的に完全に不透明な溶液の回復開始時と判定する)を取った。相−分離した全ての液体を観察しやすくするために、セルを下向きの角度に傾けた。実験ごとにセルを十分に洗浄した。
【0043】
UV−Visスペクトルは、Perkin Elmer Lambda 40分光計を使用して得た。加圧溶液は、1cmの溶液パス長を囲む直径1インチ×厚さ5/8インチの2つのサファイアウィンドウーを備えた2.5mLのステンレス鋼のセル中で調製した。適当な量の界面活性剤および水を、撹拌のための1/4インチの磁気的撹拌棒と共にセルチャンバーに入れた。メチルオレンジフィルム(5×10−5M濃度用)を事前に入れ、シリンジでストック溶液を添加することによってサファイアウィンドーの一方に貼り付けて乾燥させた。チャンバーを密封し、透明で、単一−相の溶液が出現するまで、セルを加圧し、撹拌した。
【0044】
[実施例1〜7]
CO溶解度評価
高圧検討のために特別に設計されたステンレス鋼製の観察セル(内部容量2.5mL)を使用して、界面活性剤のCO溶解度評価を実施した。CO/界面活性剤溶液を2つのサファイアガラスウィンドー内に入れ(Teflon(登録商標)製o−リングで密封)、ねじ山つきスチール製の蓋で真鍮製のワッシャーに固定した。COを注入し、システムを換気するためのスチール製のチューブ並びに内部温度および圧力をモニターするための熱電対および変換器をそれぞれセルに接続した。ISCOシングルポンプコンプレッサーによってCOをセルに導入した。溶液を撹拌するために、1/4インチの磁気的撹拌棒を入れた。variac−制御式発熱体によってチャンバーの温度を上昇させることができた。
【0045】
実験は、秤量した量の界面活性剤と撹拌棒をチャンバーに添加し、チャンバーを密封し、室温においてCOを注入して1000〜150psigに加圧することに関係した。溶液を撹拌し、約1℃/分の速度で温度を上昇した。温度、圧力および溶液の性状を記録した。結果を表1に示す。フルオロ界面活性剤は10パーセント(w/v)の濃度で、60℃までの温度において可溶性であり(すなわち、溶解して、澄んだ透明な溶液になる)、曇点を示さなかった。炭化水素類似物も、同様の圧力および温度範囲において可溶性であることがわかった。
【0046】
【表1】
Figure 2004509756
【0047】
フルオロ界面活性剤
【化53】
Figure 2004509756
ジモルホリノホスフェート
1:m=6、n=2
2:m=8,n=2
3:m=10、n=2
【化54】
Figure 2004509756
モノモルホリノホスフェート
4:m=6、n=2
5:m=8、n=2
【化55】
Figure 2004509756
炭化水素類似物(対照化合物)
6:m=10
7:m=10
【0048】
[実施例8]
ビス−[2−(F−ヘキシル)エチル]ホスフェート、ナトリウム塩の合成
【化56】
Figure 2004509756
ビス−[2−(F−ヘキシル)エチル]ホスフェート、ナトリウム塩は以下の実施例により合成した。オキシ塩化リン(5.27g、34.3mmol)を窒素雰囲気下において200mLの無水ジエチルエーテルにシリンジにより添加した。混合物を0℃に冷却し、1H,1H,2H,2H−パーフルオロオクタノール(25g、68.7mmol)およびトリエチルアミン(17.4g、172mmol)の100mLジエチルエーテル溶液を徐々に添加すると、白色の沈殿が形成した。溶液を室温に加温し、窒素雰囲気下で終夜撹拌させた。得られた白色の固形物(トリエチルアミン塩酸塩)をろ過し、100mLのジエチルエーテルで洗浄した。溶媒および過剰のトリエチルアミンを回転式留去によって除去し、橙色の油状物質を得、これを100mLのアセトニトリルおよび5mLの水に溶解した。2層の不混和性の液体が得られ、下層を単離し、回転式留去で乾燥した。粘性の橙色の油状物質として22.5gの粗生成物が得られた。油状物質を100mLのエタノールに取った。20mLのエタノールに溶解した2.28gのNaOH(50wt.%水溶液、28.5mmolNaOH)溶液を徐々に添加した。溶液は沈殿してゲルを形成し、これを終夜撹拌させた。白色の粘着性の固形物(〜3g)をろ過して廃棄し、ろ液を回転式留去によって濃縮し、ジエチルエーテルで沈殿させた。得られた固形物を乾燥し、100mLに取り、1gの脱色用炭素を溶液に添加した。この得られた溶液を短時間撹拌した。炭素をろ別し、溶媒を留去した。真空乾燥後14.9g(53%)の望ましい生成物が得られた(mp>220℃)。
【0049】
H NMR:(300MHz:δ,CDOD)4.13(q,4H;JHH:6.6Hz,JHP:6.8Hz;CHO),2.55(tt,4H;JHH:6.6Hz,JHP:19.2Hz;CFCH
【0050】
19F NMR:(282MHz:δ,CDOD)−83.0(CFCF),−115.1(CHCF),−123.2,−124.2,−125.0,(3×CF),−127.7(CFCF
【0051】
31P NMR:(121MHz:δ,CDOD)−0.65ppm
【0052】
計算値:C:23.66,H:0.99;分析値:C:23.46;H1.00。
【0053】
[実施例9]
[2−(F−デシル)エチル]オクチルホスフェート、ナトリウム塩の合成
【化57】
Figure 2004509756
2−(F−デシル)エチル]オクチルホスフェート、ナトリウム塩は以下のように合成した。オキシ塩化リン(1.3g、8.6mmol)をアルゴン雰囲気下において25mLの無水ジエチルエーテルにシリンジにより添加した。混合物を0℃に冷却し、1H,1H,2H,2H−パーフルオロドデカノール(4.65g、8.2mmol)およびトリエチルアミン(2.1g、20.8mmol)の25mLジエチルエーテル溶液を徐々に添加した。次いで、白色の沈殿が形成した。混合物を0℃において1時間撹拌し、1−オクタノール(1.1g、8.2mmol)およびトリエチルアミン(2.1g、20.8mL)の25mLジエチルエーテル溶液を溶液に添加すると、白色がかった沈殿物が形成した。溶液を室温にし、アルゴン雰囲気下で終夜撹拌させた。白色の固形物(トリエチルアミン塩酸塩)をろ過し、ろ液を回転式留去によって濃縮し、アセトニトリルとクロロホルムの混合物(19/1)に溶解した。1mlの水を徐々に添加し、溶液を終夜撹拌すると、白色の固形物が得られ、これをアセトニトリルで洗浄して、ろ過した。固形物をクロロホルム中に混ぜ、不溶性物質をろ別し、回転式留去によってクロロホルムを除去して、3.0gの中性のホスフェート(48.4パーセント)を得た。1当量の水酸化ナトリウムのエタノール溶液で中和して対応するナトリウム塩を定量的に製造した(mp>225℃)。
【0054】
H NMR:(300MHz:δ,CDOD)4.14(q,2H;R鎖CHO),3.84(q,2H;R鎖CHO),2.55(m,2H;CFCH),1.6(m,2H;CHCHCHO),1.2−1.4(m,10H),0.88(t,3H;JHH:7.1Hz)
【0055】
19F NMR:(282MHz:δ,CDOD)−81.4(CFCF),−113.3(CHCF),−121.4,−122.4,−123.4,(7×CF),−126.0(CFCF
【0056】
31P NMR:(121MHz:δ,CDOD)1.53
【0057】
計算値:C:30.86,H:2.72;分析値:C:30.73,H:2.62。
【0058】
[実施例10]
ジ−フルオロ−鎖付加類似物界面活性剤の合成
ジ−フルオロ−鎖付加類似物界面活性剤は以下の合成経路により製造した:
【化58】
Figure 2004509756
【0059】
[実施例11]
曇点評価
以下に記載する式の種々の界面活性剤の溶解度を二酸化炭素中で評価した:
【化59】
Figure 2004509756
(式中、RはC(「8−4」)、C17(「8−8」)、C1225(「8−12」)およびC1633(「8−16」)である)。これらの界面活性剤の曇点曲線を図2に示す。
【0060】
[実施例12]
曇点評価
以下に記載する式の種々の界面活性剤の溶解度を二酸化炭素中で評価した:
【化60】
Figure 2004509756
(式中、RはC(「12−4」)、C17(「12−8」)およびC1225(「12−12」)である)。これらの界面活性剤の曇点曲線を図3に示す。
【0061】
[実施例13]
曇点評価(陰イオン界面活性剤)
以下に記載する式の陰イオン界面活性剤の溶解度を二酸化炭素中で評価した:
【化61】
Figure 2004509756
(式中、RはC(「8−4」)である)。この界面活性剤の曇点曲線を図4に示す。
【0062】
[実施例14]
曇点評価(陰イオン界面活性剤)
以下に記載する式の陰イオン界面活性剤の溶解度を二酸化炭素中で評価した:
【化62】
Figure 2004509756
(式中、RはC(「12−4」)である)。この界面活性剤の曇点曲線を図5に示す。
【0063】
[実施例15]
水取り込み評価(陰イオン界面活性剤)
陰イオン界面活性剤の水取り込み能力を評価し、界面活性剤は式、
【化63】
Figure 2004509756
(式中、RはC(「12−4」)である)のものである。
【0064】
二酸化炭素中の界面活性剤の濃度は2.5重量パーセントであった。結果を図6に示す。
【0065】
[実施例16]
水取り込み評価(陰イオン界面活性剤)
陰イオン界面活性剤の水取り込み能力を評価し、界面活性剤は式、
【化64】
Figure 2004509756
(式中、RはC17(「12−8」)である)のものである。
【0066】
二酸化炭素中の界面活性剤の濃度は2.5重量パーセントであった。結果を図7に示す。
【0067】
[実施例17]
水取り込み評価(陰イオン界面活性剤)
陰イオン界面活性剤の水取り込み能力を評価し、界面活性剤は式、
【化65】
Figure 2004509756
(式中、RはC1225(「12−12」)である)のものである。
【0068】
二酸化炭素中の界面活性剤の濃度は2.5重量パーセントであった。結果を図8に示す。
【0069】
[実施例18]
水取り込み評価(陰イオン界面活性剤)
陰イオン界面活性剤の水取り込み能力を評価し、界面活性剤は式、
【化66】
Figure 2004509756
【0070】
二酸化炭素中の界面活性剤の濃度は2.5重量パーセントであった。結果を図9に示す。
【0071】
明細書、図面および実施例において、本発明の好ましい典型的な実施形態が開示されており、具体的な用語が使用されているが、それらは一般的で、説明的な意味でのみ使用されており、限定目的のためではなく、本発明の範囲は以下の特許請求の範囲に記載されている。
【図面の簡単な説明】
【図1】
二酸化炭素に溶解される前(上)および溶解された後(下)の[2−(F−ヘキシル)エチル]ジモルホリノホスフェートの31P NMRスペクトルを例示する。
【図2】
種々のホスフェート含有界面活性剤の曇点曲線を例示する。
【図3】
種々のホスフェート含有界面活性剤の曇点曲線を例示する。
【図4】
種々のホスフェート含有陰イオン界面活性剤の曇点曲線を例示する。
【図5】
種々のホスフェート含有陰イオン界面活性剤の曇点曲線を例示する。
【図6】
種々のホスフェート含有陰イオン界面活性剤の曇点曲線を例示する。
【図7】
種々のホスフェート含有陰イオン界面活性剤の曇点曲線を例示する。
【図8】
種々のホスフェート含有陰イオン界面活性剤の曇点曲線を例示する。
【図9】
種々のホスフェート含有陰イオン界面活性剤の曇点曲線を例示する。

Claims (69)

  1. 対象とする組成物から水を除去する方法であって、
    水を含む対象とする第1の組成物に、(1)少なくとも1つのホスフェート基を含む少なくとも1つの界面活性剤と、(2)二酸化炭素を含む溶媒とを含む対象とする第2の組成物を接触させるステップを含み、少なくとも1つの界面活性剤が第1の組成物から水の少なくとも一部を除去するように界面活性剤の少なくとも一部が上記溶媒に可溶性である方法。
  2. 対象とする第1の組成物が、集積回路、シリコンウェーハ、水を含有するバイアス(vias)を備えるシリコンウェーハ、集積回路の中間層誘電体として使用される低誘電率表面、MEM、多孔性物質、マイクロ−多孔性物質、ナノ−多孔性物質、不織材料、被洗浄表面、不活性化層による被処理面、被コーティング面、自己組織化単分子層(「SAM」)による被処理面、フォトレジストコーティング面、光インターフェイス、光学リレー、光ファイバー、金属処理面およびマイクロミラーからなる群から選択される実施形態で存在する請求項1に記載の方法。
  3. 少なくとも1つの界面活性剤が少なくとも1つのフッ化炭素基を含む請求項1に記載の方法。
  4. 少なくとも1つのフッ化炭素基が、酸素原子に結合した炭化水素スペーサーを含み、酸素原子がホスフェート基に結合する請求項3に記載の方法。
  5. 少なくとも1つのフッ化炭素基が、式、
    2m+1(CH
    (式中、mは1〜24であり、nは1〜24である)のものである請求項3に記載の方法。
  6. 前記界面活性剤が、ホスフェート基に結合した炭化水素含有基を含む請求項5に記載の方法。
  7. 炭化水素含有鎖が、式、
    2m+1
    (式中、mは1〜24である)のものである請求項6に記載の方法。
  8. 界面活性剤が、式、
    Figure 2004509756
    (式中、Rは、C2n+1(式中、nは1〜24である)またはC2n+1(CH(式中、nは1〜24であり、mは1〜24である)またはC2p+1(式中、pは1〜24である)であり、Rは、C2n+1(CH(式中、nは1〜24であり、mは1〜24である)であり、Xは、ヒドロキシ基、アルキル基およびホスホアミド基からなる群から選択される官能基である)によって表される請求項1に記載の方法。
  9. 界面活性剤が陰イオン界面活性剤である請求項1に記載の方法。
  10. 陰イオン界面活性剤が、式、
    Figure 2004509756
    (式中、Rは、C2n+1(式中、nは1〜24である)またはC2n+1(CH(式中、nは1〜24であり、mは1〜24である)であり、Rは、C2n+1(CH(式中、nは1〜24であり、mは1〜24であり、MはK、NaまたはNH である)によって表される請求項9に記載の方法。
  11. が、C13(CHおよびC1021(CHからなる群から選択され、RがC、C17、C1225およびC1633からなる群から選択され、MがNaである請求項9に記載の方法。
  12. 界面活性剤が陽イオン界面活性剤である請求項1に記載の方法。
  13. 陽イオン界面活性剤が、
    Figure 2004509756
    および
    Figure 2004509756
    (式中、RはC2n+1(式中、nは1〜24である)またはC2n+1(CH(式中、nは1〜24であり、mは1〜24である)であり、Xは、ハロゲン、トリフレートおよび
    Figure 2004509756
    からなる群から選択される対陰イオン(counteranion)である)
    からなる群から選択される請求項12に記載の方法。
  14. 界面活性剤が、ホスフェート基に結合した1つ以上のモルホリン単位を含む請求項1に記載の方法。
  15. 界面活性剤が、
    Figure 2004509756
    Figure 2004509756
    Figure 2004509756
    Figure 2004509756
    Figure 2004509756
    Figure 2004509756
    および
    Figure 2004509756
    (式中、mおよびnは、独立に、1〜24のmおよび1〜24のnから選択され、xは1〜24であり、Mは、K、NaおよびNH からなる群から選択され、RはC2p+1(式中、pは1〜24である)であり、RはC2n+1(式中、nは1〜24である)であり、Rは(1)C2n+1(式中、nは1〜24である)または(2)C2n+1(CH(式中、nは1〜24であり、mは1〜24である)である)
    からなる群から選択される請求項14に記載の方法。
  16. 二酸化炭素が超臨界二酸化炭素である請求項1に記載の方法。
  17. 二酸化炭素が液体二酸化炭素である請求項1に記載の方法。
  18. 前記界面活性剤が、界面活性剤の重量に基づいて約1〜約10パーセントの量が前記対象とする組成物中に存在する請求項1に記載の方法。
  19. ポリマー改良剤、レオロジー改良剤、可塑剤、抗菌剤、難燃剤、粘性低下改良剤、共存溶媒および共存界面活性剤からなる群から選択される少なくとも1つの追加の成分をさらに含む請求項1に記載の方法。
  20. 対象とする第2の組成物中の水および界面活性剤が逆ミセルを形成する請求項1に記載の方法。
  21. 水が、界面活性剤の重量に基づいて、約0〜約200パーセントを超える量が対象とする第2の組成物中に存在する請求項1に記載の方法。
  22. 基材に界面活性剤を適用する方法であって、
    (1)少なくとも1つのホスフェート基を含む少なくとも1つの界面活性剤と,(2)二酸化炭素を含む溶媒とを含み、界面活性剤の少なくとも一部が溶媒に可溶性である対象とする組成物を提供するステップと、
    二酸化炭素が界面活性剤から分離し、界面活性剤が基材をコーティングするように、対象とする組成物を基材に適用するステップと
    を含む方法。
  23. 基材が、金属、有機ポリマー、無機ポリマー、織物およびそれらの複合物からなる群から選択される請求項22に記載の方法。
  24. 基材が、集積回路、シリコンウェーハ、水を含有するバイアス(vias)を備えるシリコンウェーハ、集積回路の中間層誘電体として使用される低誘電率表面、MEM、多孔性物質、マイクロ−多孔性物質、ナノ−多孔性物質、不織材料、被洗浄表面、不活性化層による被処理面、被コーティング面、自己組織化単分子層による被処理面、フォトレジストコーティング面、光インターフェイス、光学リレー、光ファイバー、金属処理面およびマイクロミラーからなる群から選択される請求項23に記載の方法。
  25. 少なくとも1つの界面活性剤が少なくとも1つのフッ化炭素基を含む請求項22に記載の方法。
  26. 少なくとも1つのフッ化炭素基が、酸素原子に結合した炭化水素スペーサーを含み、酸素原子がホスフェート基に結合する請求項25に記載の方法。
  27. 少なくとも1つのフッ化炭素基が、式、
    2m+1(CH
    (式中、mは1〜24であり、nは1〜24である)のものである請求項26に記載の方法。
  28. 炭化水素含有鎖が、式、
    2m+1
    (式中、mは1〜24である)のものである請求項28に記載の方法。
  29. 界面活性剤が、式、
    Figure 2004509756
    (式中、Rは、C2n+1(式中、nは1〜24である)またはC2n+1(CH(式中、nは1〜24であり、mは1〜24である)またはC2p+1(式中、pは1〜24である)であり、Rは、C2n+1(CH(式中、nは1〜24であり、mは1〜24である)であり、Xは、ヒドロキシ基、アルキル基およびホスホアミド基からなる群から選択される官能基である)によって表される、請求項22に記載の方法。
  30. 界面活性剤が陰イオン界面活性剤である請求項22に記載の方法。
  31. 陰イオン界面活性剤が、式、
    Figure 2004509756
    (式中、Rは、C2n+1(式中、nは1〜24である)またはC2n+1(CH(式中、nは1〜24であり、mは1〜24である)であり、Rは、C2n+1(CH(式中、nは1〜24であり、mは1〜24であり、MはK、NaまたはNH である)によって表される、請求項30に記載の方法。
  32. が、C13(CHおよびC1021(CHからなる群から選択され、RがC、C17、C1225およびC1633からなる群から選択され、MがNaである請求項32に記載の方法。
  33. 界面活性剤が陽イオン界面活性剤である請求項22に記載の方法。
  34. 陽イオン界面活性剤が、
    Figure 2004509756
    および
    Figure 2004509756
    (式中、RはC2n+1(式中、nは1〜24である)またはC2n+1(CH(式中、nは1〜24であり、mは1〜24である)であり、Xは、ハロゲン、トリフレートおよび
    Figure 2004509756
    からなる群から選択される対陰イオン(counteranion)である)
    からなる群から選択される、請求項34に記載の方法。
  35. 界面活性剤が、ホスフェート基に結合した1つ以上のモルホリン単位を含む請求項22に記載の方法。
  36. 界面活性剤が、
    Figure 2004509756
    Figure 2004509756
    Figure 2004509756
    Figure 2004509756
    Figure 2004509756
    Figure 2004509756
    および
    Figure 2004509756
    (式中、mおよびnは、独立に、1〜24のmおよび1〜24のnから選択され、xは1〜24であり、Mは、K、NaおよびNH からなる群から選択され、RはC2p+1(式中、pは1〜24である)であり、RはC2n+1(式中、nは1〜24である)であり、Rは(1)C2n+1(式中、nは1〜24である)または(2)C2n+1(CH(式中、nは1〜24であり、mは1〜24である)である)
    からなる群から選択される、請求項36に記載の方法。
  37. 二酸化炭素が超臨界二酸化炭素である請求項22に記載の方法。
  38. 二酸化炭素が液体二酸化炭素である請求項22に記載の方法。
  39. 前記界面活性剤が、界面活性剤の重量に基づいて約1〜約10パーセントの量が前記対象とする組成物中に存在する請求項22に記載の方法。
  40. ポリマー改良剤、レオロジー改良剤、可塑剤、抗菌剤、難燃剤、粘性低下改良剤、共存溶媒および共存界面活性剤からなる群から選択される少なくとも1つの追加の成分をさらに含む請求項22に記載の方法。
  41. 対象とする組成物が水を含む請求項22に記載の方法。
  42. (1)少なくとも1つのホスフェート基を含む少なくとも1つの陰イオン界面活性剤と、
    (2)二酸化炭素を含む溶媒であって、界面活性剤の少なくとも一部が溶媒に可溶性である溶媒と
    を含み、
    陰イオン界面活性剤が、式、
    Figure 2004509756
    (式中、Rは、C2n+1(式中、nは1〜24である)またはC2n+1(CH(式中、nは1〜24であり、mは1〜24である)であり、Rは、C2n+1(CH(式中、nは1〜24であり、mは1〜24であり、MはKまたはNaである)によって表される対象とする組成物。
  43. が、C13(CHおよびC1021(CHからなる群から選択され、RがC、C17、C1225およびC1633からなる群から選択され、MがNaである請求項43に記載の対象とする組成物。
  44. 二酸化炭素が超臨界二酸化炭素である請求項43に記載の対象とする組成物。
  45. 二酸化炭素が液体二酸化炭素である請求項43に記載の組成物。
  46. 前記界面活性剤が、界面活性剤の重量に基づいて約1〜約10パーセントの量が前記対象とする組成物中に存在する請求項43に記載の組成物。
  47. ポリマー改良剤、レオロジー改良剤、可塑剤、抗菌剤、難燃剤、粘性低下改良剤、共存溶媒および共存界面活性剤からなる群から選択される少なくとも1つの追加の成分をさらに含む請求項43に記載の対象とする組成物。
  48. 対象とする組成物が水を含む請求項43に記載の組成物。
  49. 請求項49によって規定される対象とする組成物を含む逆ミセル。
  50. 水が、界面活性剤の重量に基づいて、約0〜約200パーセントを超える量が対象とする第2の組成物中に存在する請求項50に記載の逆ミセル。
  51. (1)少なくとも1つのホスフェート基を含む少なくとも1つの陽イオン界面活性剤と、
    (2)二酸化炭素を含む溶媒であって、界面活性剤の少なくとも一部が溶媒に可溶性である溶媒と
    を含む対象とする組成物。
  52. 陽イオン界面活性剤が、
    Figure 2004509756
    および
    Figure 2004509756
    (式中、RはC2n+1(式中、nは1〜24である)およびC2n+1(CH(式中、nは1〜24であり、mは1〜24である)であり、Xは、ハロゲン、トリフレートおよび
    Figure 2004509756
    からなる群から選択される対陰イオン(counteranion)である)
    からなる群から選択される、請求項52に記載の対象とする組成物。
  53. 二酸化炭素が超臨界二酸化炭素である請求項52に記載の対象とする組成物。
  54. 二酸化炭素が液体二酸化炭素である請求項52に記載の組成物。
  55. 前記界面活性剤が、界面活性剤の重量に基づいて約1〜約10パーセントの量が前記対象とする組成物中に存在する請求項52に記載の対象とする組成物。
  56. ポリマー改良剤、レオロジー改良剤、可塑剤、抗菌剤、難燃剤、粘性低下改良剤、共存溶媒および共存界面活性剤からなる群から選択される少なくとも1つの追加の成分をさらに含む請求項52に記載の組成物。
  57. 対象とする組成物が水を含む請求項52に記載の対象とする組成物。
  58. 請求項58によって規定される対象とする組成物を含む逆ミセル。
  59. 水が、界面活性剤の重量に基づいて、約0〜約200パーセントを超える量が対象とする第2の組成物中に存在する請求項59に記載の逆ミセル。
  60. (1)少なくとも1つのホスフェート基を含む少なくとも1つの陰イオン界面活性剤と、
    (2)二酸化炭素を含む溶媒であって、界面活性剤の少なくとも一部が溶媒に可溶性である溶媒と
    を含み、
    少なくとも1つの界面活性剤がホスフェート基に結合した少なくとも1つ以上のモルホリン単位を含む組成物。
  61. 界面活性剤が、
    Figure 2004509756
    Figure 2004509756
    Figure 2004509756
    Figure 2004509756
    Figure 2004509756
    Figure 2004509756
    および
    Figure 2004509756
    (式中、mおよびnは、独立に、1〜24のmおよび1〜24のnから選択され、xは1〜24であり、Mは、K、NaおよびNH からなる群から選択され、RはC2p+1(式中、pは1〜24である)であり、RはC2n+1(式中、nは1〜24である)であり、Rは(1)C2n+1(式中、nは1〜24である)または(2)C2n+1(CH(式中、nは1〜24であり、mは1〜24である)である)
    からなる群から選択される、請求項61に記載の対象とする組成物。
  62. 二酸化炭素が超臨界二酸化炭素である請求項61に記載の対象とする組成物。
  63. 二酸化炭素が液体二酸化炭素である請求項61に記載の対象とする組成物。
  64. 前記界面活性剤が、界面活性剤の重量に基づいて約1〜約10パーセントの量が前記対象とする組成物中に存在する請求項61に記載の対象とする組成物。
  65. ポリマー改良剤、レオロジー改良剤、可塑剤、抗菌剤、難燃剤、粘性低下改良剤、共存溶媒および共存界面活性剤からなる群から選択される少なくとも1つの追加の成分をさらに含む請求項61に記載の対象とする組成物。
  66. 対象とする組成物が水を含む請求項61に記載の対象とする組成物。
  67. 請求項67によって規定される対象とする組成物を含む逆ミセル。
  68. 水が、界面活性剤の重量に基づいて、約0〜約200パーセントを超える量が対象とする第2の組成物中に存在する請求項68に記載の逆ミセル。
JP2002530688A 2000-09-26 2001-09-25 二酸化炭素に使用するためのホスフェートフルオロ界面活性剤 Pending JP2004509756A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US23551600P 2000-09-26 2000-09-26
PCT/US2001/029812 WO2002026921A1 (en) 2000-09-26 2001-09-25 Phosphate fluorosurfactants for use in carbon dioxide

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2004509756A true JP2004509756A (ja) 2004-04-02
JP2004509756A5 JP2004509756A5 (ja) 2008-11-13

Family

ID=22885826

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002530688A Pending JP2004509756A (ja) 2000-09-26 2001-09-25 二酸化炭素に使用するためのホスフェートフルオロ界面活性剤

Country Status (9)

Country Link
US (2) US6684525B2 (ja)
EP (1) EP1328610B1 (ja)
JP (1) JP2004509756A (ja)
KR (1) KR20030051680A (ja)
CN (1) CN1246429C (ja)
AT (1) ATE399838T1 (ja)
AU (1) AU2002211258A1 (ja)
DE (1) DE60134657D1 (ja)
WO (1) WO2002026921A1 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010535791A (ja) * 2007-08-06 2010-11-25 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー 混合フルオロアルキル−アルキル界面活性剤
JP2010535795A (ja) * 2007-08-06 2010-11-25 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー 混合フルオロアルキル−アルキル界面活性剤
JP2020163381A (ja) * 2019-03-29 2020-10-08 国立研究開発法人産業技術総合研究所 二酸化炭素吸収液、富二酸化炭素吸収液の調製方法、及び二酸化炭素の回収方法

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1246429C (zh) * 2000-09-26 2006-03-22 北卡罗来纳-查佩尔山大学 用于二氧化碳的磷酸酯氟表面活性剂
US20020123452A1 (en) * 2001-01-25 2002-09-05 Desimone Joseph M. Zwitterionic gemini surfactants for use in carbon dioxide
US7011716B2 (en) * 2003-04-29 2006-03-14 Advanced Technology Materials, Inc. Compositions and methods for drying patterned wafers during manufacture of integrated circuitry products
AU2003210997A1 (en) * 2003-02-13 2004-09-09 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Micropatterning of molecular surfaces via selective irradiation
WO2005060668A2 (en) * 2003-12-18 2005-07-07 The Trustees Of Columbia University In The City Ofnew York Methods of modifying surfaces
US7410820B2 (en) * 2004-01-05 2008-08-12 Texas Instruments Incorporated MEMS passivation with phosphonate surfactants
US20050183740A1 (en) * 2004-02-19 2005-08-25 Fulton John L. Process and apparatus for removing residues from semiconductor substrates
WO2005113167A1 (en) * 2004-05-07 2005-12-01 Advanced Technology Materials, Inc. Compositions and methods for drying patterned wafers during manufacture of integrated circuitry products
GB0615743D0 (en) * 2006-08-09 2006-09-20 Reckitt Benckiser Uk Ltd Applicator,kit and process
US20110091408A1 (en) * 2009-10-20 2011-04-21 E. I. Du Pont De Nemours And Company Methods of using fluoroalkyl phosphate compositions
US20110092410A1 (en) * 2009-10-20 2011-04-21 E.I. Du Pont De Nemours And Company Fluoroalkyl phosphate compositions
KR200451807Y1 (ko) * 2010-07-12 2011-01-13 윤근진 혈액비중 검사장치
EP3168917B1 (en) * 2014-07-07 2019-05-01 Daikin Industries, Ltd. Method for manufacturing alkali metal phosphate compounds

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1996027704A1 (en) * 1995-03-06 1996-09-12 Unilever N.V. Dry cleaning system using densified carbon dioxide and a surfactant adjunct
WO1999010585A1 (en) * 1997-08-27 1999-03-04 Micell Technologies, Inc. Dry cleaning methods and compositions
JPH11140499A (ja) * 1997-11-06 1999-05-25 Nicca Chem Co Ltd ドライクリーニング用洗浄剤組成物
JP2000254405A (ja) * 1999-03-11 2000-09-19 Agency Of Ind Science & Technol 二酸化炭素媒体中で用いる界面活性剤

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0478686B1 (en) 1989-06-22 1993-08-11 Applications Et Transferts De Technologies Avancees Atta Fluorine and phosphorous-containing amphiphilic molecules with surfactant properties
FR2682110B1 (fr) 1991-10-02 1995-05-24 Atta Ligands amphiphiles perfluoroalkyles leurs complexes metalliques et leurs utilisations dans des preparations a usage therapeutique.
US5846516A (en) 1992-06-03 1998-12-08 Alliance Pharmaceutial Corp. Perfluoroalkylated amphiphilic phosphorus compounds: preparation and biomedical applications
FR2694559B1 (fr) 1992-08-06 1994-10-28 Atta Nouveaux dérivés amphiphiles d'aminoacides ou de peptides, leur procédé de préparation et leur utilisation dans des préparations à usage biomédical.
US5312882A (en) * 1993-07-30 1994-05-17 The University Of North Carolina At Chapel Hill Heterogeneous polymerization in carbon dioxide
US5377705A (en) * 1993-09-16 1995-01-03 Autoclave Engineers, Inc. Precision cleaning system
FR2710840B1 (fr) 1993-10-04 1995-12-01 Applic Transferts Technolo Compositions viscoélastiques hautement concentrées en composés fluorés, leur préparation et leurs utilisations dans le domaine médical et en cosmétique.
US5965258A (en) 1994-03-16 1999-10-12 Alliance Pharmaceutical Corp. Elongated microstructures from perfluoroalkylated amphiphiles
FR2720943B1 (fr) 1994-06-09 1996-08-23 Applic Transferts Technolo Emulsions inverses stables à forte concentration en composé(s) fluoré(s) et leur utilisation pour l'administration pulmonaire de médicaments et pour la fabrication d'émulsions multiples.
US5650705A (en) * 1995-02-13 1997-07-22 Hart; John Roger Apparatus and method for controlling currents in an inductor
US5676705A (en) 1995-03-06 1997-10-14 Lever Brothers Company, Division Of Conopco, Inc. Method of dry cleaning fabrics using densified carbon dioxide
US5683977A (en) * 1995-03-06 1997-11-04 Lever Brothers Company, Division Of Conopco, Inc. Dry cleaning system using densified carbon dioxide and a surfactant adjunct
FR2737135B1 (fr) 1995-07-24 1997-09-12 Atta Gels inverses a phase continue fluoree
US5783082A (en) * 1995-11-03 1998-07-21 University Of North Carolina Cleaning process using carbon dioxide as a solvent and employing molecularly engineered surfactants
US5733526A (en) 1995-12-14 1998-03-31 Alliance Pharmaceutical Corp. Hydrocarbon oil/fluorochemical preparations and methods of use
US5980936A (en) 1997-08-07 1999-11-09 Alliance Pharmaceutical Corp. Multiple emulsions comprising a hydrophobic continuous phase
US6001418A (en) * 1997-12-16 1999-12-14 The University Of North Carolina At Chapel Hill Spin coating method and apparatus for liquid carbon dioxide systems
US5977045A (en) * 1998-05-06 1999-11-02 Lever Brothers Company Dry cleaning system using densified carbon dioxide and a surfactant adjunct
WO2000059950A1 (en) * 1999-04-08 2000-10-12 The University Of North Carolina At Chapel Hill Polymerization of non-fluorinated monomers in carbon dioxide
CN1246429C (zh) * 2000-09-26 2006-03-22 北卡罗来纳-查佩尔山大学 用于二氧化碳的磷酸酯氟表面活性剂
US6562146B1 (en) * 2001-02-15 2003-05-13 Micell Technologies, Inc. Processes for cleaning and drying microelectronic structures using liquid or supercritical carbon dioxide
US6398875B1 (en) * 2001-06-27 2002-06-04 International Business Machines Corporation Process of drying semiconductor wafers using liquid or supercritical carbon dioxide
US6669785B2 (en) * 2002-05-15 2003-12-30 Micell Technologies, Inc. Methods and compositions for etch cleaning microelectronic substrates in carbon dioxide
US6953041B2 (en) * 2002-10-09 2005-10-11 Micell Technologies, Inc. Compositions of transition metal species in dense phase carbon dioxide and methods of use thereof
US6929904B2 (en) * 2002-11-14 2005-08-16 The University Of North Carolina At Chapel Hill Positive tone lithography with carbon dioxide development systems

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1996027704A1 (en) * 1995-03-06 1996-09-12 Unilever N.V. Dry cleaning system using densified carbon dioxide and a surfactant adjunct
WO1999010585A1 (en) * 1997-08-27 1999-03-04 Micell Technologies, Inc. Dry cleaning methods and compositions
JPH11140499A (ja) * 1997-11-06 1999-05-25 Nicca Chem Co Ltd ドライクリーニング用洗浄剤組成物
JP2000254405A (ja) * 1999-03-11 2000-09-19 Agency Of Ind Science & Technol 二酸化炭素媒体中で用いる界面活性剤

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010535791A (ja) * 2007-08-06 2010-11-25 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー 混合フルオロアルキル−アルキル界面活性剤
JP2010535795A (ja) * 2007-08-06 2010-11-25 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー 混合フルオロアルキル−アルキル界面活性剤
JP2014167130A (ja) * 2007-08-06 2014-09-11 E.I.Du Pont De Nemours And Company 混合フルオロアルキル−アルキル界面活性剤
KR101511399B1 (ko) * 2007-08-06 2015-04-10 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니 혼합된 플루오로알킬-알킬 계면활성제
JP2020163381A (ja) * 2019-03-29 2020-10-08 国立研究開発法人産業技術総合研究所 二酸化炭素吸収液、富二酸化炭素吸収液の調製方法、及び二酸化炭素の回収方法
JP7369401B2 (ja) 2019-03-29 2023-10-26 国立研究開発法人産業技術総合研究所 二酸化炭素吸収液、及び富二酸化炭素吸収液の調製方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20030051680A (ko) 2003-06-25
CN1246429C (zh) 2006-03-22
WO2002026921A1 (en) 2002-04-04
US20040138080A1 (en) 2004-07-15
DE60134657D1 (de) 2008-08-14
EP1328610A1 (en) 2003-07-23
US7122060B2 (en) 2006-10-17
EP1328610B1 (en) 2008-07-02
ATE399838T1 (de) 2008-07-15
EP1328610A4 (en) 2004-09-01
AU2002211258A1 (en) 2002-04-08
CN1466620A (zh) 2004-01-07
US6684525B2 (en) 2004-02-03
US20020107159A1 (en) 2002-08-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2004509756A (ja) 二酸化炭素に使用するためのホスフェートフルオロ界面活性剤
EP1762566B1 (en) Branched surfactant having fluoroalkyl group and hydrocarbon group
US5789505A (en) Surfactants for use in liquid/supercritical CO2
TWI299360B (en) Processing of substrates with dense fluids comprising acetylenic diols and/or alcohols
JP2002532638A (ja) ヒドロフルオロエーテルを含有するドライクリーニング組成物
Vieira et al. Ionic liquids composed of linear amphiphilic anions: Synthesis, physicochemical characterization, hydrophilicity and interaction with carbon dioxide
KR20120087151A (ko) 플루오르화된 비닐리덴 양이온성 계면활성제
AU2010226568B2 (en) Phosphate surfactants
Yu et al. Selective solubilization of 1, 3-propanediol using a water–supercritical CO 2 microemulsion with Ls-45 as surfactant
JP2012050933A (ja) 界面活性剤
TW503261B (en) Compositions for drying solid surfaces
WO2011046795A1 (en) Methods using amphoteric surfactants
Polavarapu et al. Perfluoroalkylated poly (oxyethylene) thiols: Synthesis, adsorption dynamics and surface activity at the air/water interface, and bubble stabilization behaviour
JP2006527300A (ja) 親油性流体洗浄組成物
JP5727995B2 (ja) 水/超臨界二酸化炭素マイクロエマルションを安定化するための界面活性剤
JPS5823387B2 (ja) フツソガンユウスルホコハクサンノ セイゾウホウ
JP2011122006A (ja) 界面活性剤およびそれを用いた洗浄方法
KR100469339B1 (ko) 이산화탄소에 적용되는 계면활성제
KR100768121B1 (ko) 초임계 추출용 계면활성제, 그 제조방법 및 상기계면활성제를 이용한 초임계추출방법
JP2003535995A (ja) 親油性流体の洗浄方式と併せた漂白
خديجة رمضان عبد السلام دخيلة et al. Synthesis and Characterisation of Metallosurfactants as Carbon Dioxide Viscosity Modifier
JP2012162507A (ja) ジェミニ界面活性剤およびその製造方法、ならびに洗浄方法
Mohamed et al. Synthesis and characterisation of metallosurfactants as Carbon Dioxide viscosity modifier
WO2002059243A2 (en) Zwitterionic gemini surfactants for use in carbon dioxide
Patil Ionic liquids with and without transition metal nanoparticles for advanced heat transfer fluids and catalysis applications.

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080924

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20080924

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20111111

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20120209

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20120216

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20120308

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20120315

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20120410

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20120417

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20120710