JP2004505008A5 - - Google Patents
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Description
【特許請求の範囲】
【請求項1】 トリメチルペンテンへのイソブテンの選択的二量化を可能とする条件下で、イソブテンおよびn−ブテンを含むC4オレフィン性供給原料をゼオライト・ベータを含んで成る触媒と接触させることを含む、トリメチルペンテンを含んで成る反応生成物を製造する製造方法であって、反応温度が50℃より低く、該ゼオライト・ベータが使用に先立って脱アルミニウム化されていることを特徴とする製造方法。
【請求項2】 C4オレフィン性供給原料中に存在するn−ブテンの10重量%未満が、オリゴマー化される、請求項1に記載の製造方法。
【請求項3】 スチーム処理および/または化学処理によって、ゼオライト・ベータの脱アルミニウム化を実施することを特徴とする、請求項1または請求項2のいずれかに記載の製造方法。
【請求項4】 バッチ式リアクターまたは連続流通式リアクターで実施する、請求項1〜請求項3のいずれかに記載の製造方法。
【請求項5】 接触蒸留技術に基づいて実施する、請求項1〜請求項4のいずれかに記載の製造方法。
【請求項6】 イソブテンのダイマーは、生成する全生成物の少なくとも45重量%に相当し、トリメチルペンテンは、生成する全ダイマーの少なくとも80重量%に相当する、請求項1〜請求項5のいずれかに記載の製造方法。
【請求項7】 イソブテンのダイマーは、生成する全生成物の少なくとも60重量%に相当し、トリメチルペンテンは、生成する全ダイマーの少なくとも80重量%に相当する、請求項1〜請求項6のいずれかに記載の製造方法。
【請求項8】 精留、水素化、カルボニル化、エーテル化、エポキシ化、水和を更に含んで成る、または、ヒドロホルミル化後に酸化もしくは水素化を更に含んで成ることを特徴とする、請求項1〜請求項7のいずれかに記載の製造方法。
【請求項1】 トリメチルペンテンへのイソブテンの選択的二量化を可能とする条件下で、イソブテンおよびn−ブテンを含むC4オレフィン性供給原料をゼオライト・ベータを含んで成る触媒と接触させることを含む、トリメチルペンテンを含んで成る反応生成物を製造する製造方法であって、反応温度が50℃より低く、該ゼオライト・ベータが使用に先立って脱アルミニウム化されていることを特徴とする製造方法。
【請求項2】 C4オレフィン性供給原料中に存在するn−ブテンの10重量%未満が、オリゴマー化される、請求項1に記載の製造方法。
【請求項3】 スチーム処理および/または化学処理によって、ゼオライト・ベータの脱アルミニウム化を実施することを特徴とする、請求項1または請求項2のいずれかに記載の製造方法。
【請求項4】 バッチ式リアクターまたは連続流通式リアクターで実施する、請求項1〜請求項3のいずれかに記載の製造方法。
【請求項5】 接触蒸留技術に基づいて実施する、請求項1〜請求項4のいずれかに記載の製造方法。
【請求項6】 イソブテンのダイマーは、生成する全生成物の少なくとも45重量%に相当し、トリメチルペンテンは、生成する全ダイマーの少なくとも80重量%に相当する、請求項1〜請求項5のいずれかに記載の製造方法。
【請求項7】 イソブテンのダイマーは、生成する全生成物の少なくとも60重量%に相当し、トリメチルペンテンは、生成する全ダイマーの少なくとも80重量%に相当する、請求項1〜請求項6のいずれかに記載の製造方法。
【請求項8】 精留、水素化、カルボニル化、エーテル化、エポキシ化、水和を更に含んで成る、または、ヒドロホルミル化後に酸化もしくは水素化を更に含んで成ることを特徴とする、請求項1〜請求項7のいずれかに記載の製造方法。
本発明は、C4オレフィン性供給原料(またはC4オレフィン系フィードストック)からトリメチルペンテンを含んで成る反応生成物を製造する選択的製造方法(または選択的プロセス)に関する。また、本発明は、かかる製造方法によって得られる生成物に関する。
イソブテン(その他のC4オレフィンと混合される)の使用に関した問題として、イソブテンのオリゴマー化条件によっては、所望のイソブテンのホモダイマー即ちトリメチルペンテンに加えて、イソブテンと供給原料中の他のノルマルC4オレフィンとのコダイマーが生じるということがある。従って、混合したC4オレフィン性供給原料からトリメチルペンテンを選択的に製造することは、非常に選択的な製造条件(またはプロセス条件)が必要となる。かかる製造方法で用いる触媒には、分子量がより大きいオリゴマーよりもダイマーに対して選択性があることを必要とされるだけでなく、イソブテンと供給原料中の他のノルマルC4オレフィンとのコダイマー化(codimerisation)よりも、イソブテンのホモダイマー化(homodimerisation)に有利となることが必要とされる。
本製造方法のために、ゼオライト・ベータはプロトン型であり、本明細書ではゼオライトH−ベータと呼ぶ。ゼオライトH−ベータは、比較的大きな孔(または大孔)を有するゼオライトである。そのゼオライトH−ベータは、市販されており、または、例えば10〜150の範囲の種々のSi/Al原子比で合成により調製することができる。ゼオライト・ベータの合成および特性について調べるには、P.A.JacobsおよびJ.A.Martensによる「高シリカ・アルミノシリケート・ゼオライトの合成(Synthesis of High Silica Aluminosilicate Zeolites)」(シリーズ第33巻「表面科学および触媒に関する研究(Studies in Surface Science and Catalysis)」として出版されている)が参照される。150より大きいSi/Al原子比を有するゼオライト・ベータを、水熱処理(またはスチーム処理)および/または化学処理等の脱アルミニウム化法によって得ることができる。我々は、脱アルミニウム化の詳細に関して、「Introducton to Zeolite Science and Practice」(H.Van Bekkum et al.、Elsevier 1991年)を参照している。そこで紹介されている脱アルミニウム化したゼオライトH−ベータを本製造方法において用いてもよい。
不均一反応に適した種々のタイプのリアクターで、本発明の製造方法を実施してよく、固定層リアクターまたは流動層リアクターのいずれかで本製造方法を実施してよい。バッチ式リアクターもしくは連続流通式リアクターで本製造方法を実施してよく、または、接触蒸留技術(反応蒸留法とも呼ばれる)に基づいて本製造方法を実施してもよい。C4オレフィン性供給原料からイソブテンへの転化は、液相、気相または混合相において起こり得る。
本製造方法では、C4オレフィン性供給原料中に存在するイソブテンが、トリメチルペンテンを含んで成る反応生成物へと選択的に転化する。ダイマーは、生成する全オリゴマー中の少なくとも45重量%、好ましくは60重量%に相当し、トリメチルペンテンは、生成する全ダイマー中の少なくとも80重量%に相当する。かかるトリメチルペンテンに対する選択性(または選択)は、中程度の温度、例えば50℃より低い温度で達成され得る。
また、従って、本発明には、ゼオライト・ベータを含んで成る触媒にC4オレフィン性供給原料を接触させることによって得られる生成物が包含されている。例えば、精留(または分別)、水素化、ヒドロホルミル化(またはオキソ反応)後の酸化もしくは水素化、カルボニル化、エーテル化、エポキシ化または水和等の中の1または幾つかの転化工程によって、かかる生成物を工業的に重要な他の生成物に変えてもよい。また、本発明は、これらを更に変化(または転化)させることによって得られる生成物、例えば、アルカン、アルコール、エーテル、アルデヒド、エポキシドまたはカルボン酸等を包含する。
また、例えば、C4オレフィン性供給原料から、トリメチルペンテンを少なくとも45重量%含んで成る反応生成物へのイソブテンの選択的二量化を行い、その後すぐに、水素化を行ってもよい。これにより、洗浄剤の調製、被膜の調製、接着剤の調製等に有用な溶剤となるトリメチルペンタンを少なくとも45重量%含んで成る炭化水素組成物が生じる。
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