JP2004503164A - フィルタの改善 - Google Patents

Abstract

シリコン等の半導体ウェハや他のタイプのウェハ上に形成された複数の薄膜バルク波共振子（ＦＢＡＲ）からなるフィルタを、従来のピックアンドプレイス式機械で容易に取り扱える部品となるように、気密的にパッケージできる方法を提供する。このパッケージは薄膜圧電共振子（２）を支持するウェハ（１）と１以上の他のシリコンウェハ（８、１４）の積層体からなる。これらのウェハ（１、８、１４）間の結合は低融点ガラスや金属結合層を用いて陽極結合等の方法により行う。共振部品への接続は深い反応性イオンエッチング等の方法を用い、結合されている前記ウェハの一方（８）に孔（１２）をエッチングすることにより行う。接続電極は孔（１２）の中と孔（１２）のあるウェハの表面に堆積される。生成されたチップ部品は使用前に切断または他の方法により分離される。エッチングの代わりに、分離後に接続電極をチップ端部に堆積してもよい（図９）。
【選択図】図２

Description

【０００１】
本発明は、フィルタの、もしくはフィルタに関係する改善に関し、特に、半導体もしくは絶縁ウェハ上に形成された複数のバルク波共振子（ＢＡＲ）を含んだフィルタを気密的にパッケージングする方法に関する。
【０００２】
薄膜バルク波共振子（ＦＢＡＲ）は、高い周波数、特にＭＨｚおよびＧＨｚ域において共振ピークを示すため、魅力的なデバイスである。さらに、ＦＢＡＲは１ｍｍ未満の非常に小さな寸法の電子フィルタの作製に使用することができる。したがって、ＦＢＡＲは携帯電話等の小型かつ軽量で薄い電気製品にも有用であると考えられる。
【０００３】
図１は、４つのＦＢＡＲを備えたフィルタの一例を示している。この４つのＦＢＡＲはフィルタにおけるそれらの機能によって２つのグループに分けられる。図１中のＦＢＡＲ１とＦＢＡＲ２は直列に接続されている。したがって、この２つが１つのグループを構成している。また、ＦＢＡＲ３とＦＢＡＲ４は並列に接続されていて、もう一方のグループを構成している。通常、全てのＦＢＡＲは同じ手順で、同時に１つの基板上に作製される。したがって、各ＦＢＡＲはほぼ同じ構造で構成される。
【０００４】
ＦＢＡＲの典型的なデザインはよく知られている。ＦＢＡＲの基本的な物理的構造は、通常はアルミニウムや金等の金属からなる２つの導電性電極に挟まれた、ＺｎＯ、ＡｌＮまたはチタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）等の材料からなる薄い圧電層により構成されている。通常、圧電層は、圧電層の動作部の真下に配置された基板の一部をエッチングすることによって、自由に架設されている。ただし、ある種のデバイスでは下地の基板が除去されず、動作する圧電層の真下に多層構造が配置される。これは、音響的な力を反射して基板から共振子へ戻す働きをし、このような構造は固く実装された共振子もしくはＳＢＡＲとして知られている。これらのデバイス構造はいずれも周知のものである。
【０００５】
圧電膜は非常に薄いので（いずれの構造においても）、その共振周波数は、膜や層表面に質量負荷を与える汚染物質に対して非常に敏感である。ＦＢＡＲ構造におけるこの膜は、通常はきわめて強固であるが、電子プリント回路基板やマルチチップモジュールを実装するために用いられる自動組立装置中で電子デバイスが受ける取り扱いに対しては物理的に弱いとも考えられる。したがって、これらのデバイスは使用前にパッケージされることが重要である。このパッケージは、不要な汚染物質の侵入に対して気密的に封止されなければならず、かつ強靭で、基本フィルタデバイスの領域への付加は可能な限り小さくなければならない。また、パッケージは低コストで可能な限り小さいことも必要である。
【０００６】
本発明は、前述の考察からなされ、少なくとも上記の要求のいくつかに合った、上記のデバイスを気密的にパッケージングする技術を提供するものである。
【０００７】
本発明は、複数のバルク波共振子（ＢＡＲ）を支持する第１のウェハを用意する工程と、複数の窪みを有する第２のウェハを用意する工程と、第１および第２ウェハを結合して、第１ウェハの複数のＢＡＲが第２のウェハの複数の窪みに位置合わせされた複合ウェハを形成する工程と、個々のフィルタに分離する工程とを含む、フィルタを気密的にパッケージングする方法を提供する。
【０００８】
複数の薄膜バルク波共振子（ＦＢＡＲ）を備えた無線周波数フィルタまたはマイクロ波フィルタのパッケージ化への、本発明の方法の好適な応用では、フィルタは、少なくとも１つのＦＢＡＲが直列に接続され、他の１つのＦＢＡＲが並列に接続されている複数のＦＢＡＲを備えている。
【０００９】
それぞれのＦＢＡＲは（下から上の順に）基板、誘電層、下部電極として機能する１つ以上の金属層、圧電層、上部電極として機能する１つ以上の金属層、および、調整可能な質量負荷をもたらすために追加される（任意の）上部層からなる複数の層を備えていることが望ましい。この最後の層は導電性であっても絶縁性であってもよい。
【００１０】
通常、複数の分離されたＦＢＡＲフィルタデバイスは、フォトリソグラフィックパターニングやエッチングといった、半導体業界において開発されてきた周知の技術により、１つの基板上に同時に形成することができる。形成後、これらのデバイスは切断されて個々のデバイスに分離される。
【００１１】
パッケージは、ＦＢＡＲフィルタを支持する基板に使われている材料と熱膨張がつり合うように選ばれた材料であるのが望ましい１つ以上のウェハからなり、前記ウェハは、ＦＢＡＲフィルタを支持しているウェハと結合され、予めエッチングされたり超微小機械加工されたりして、ＦＢＡＲデバイスの動作領域上に空洞を形成している。ＦＢＡＲ基板と結合されたウェハは、超微小機械加工されて、開口部が開けられ、これを通して、ＦＢＡＲフィルタの信号線および接地線に対して電気的接続が行われる。個々のフィルタは、加工後に切断されることによって分離されて個々の部品となる。
【００１２】
本発明の方法によって作製されたＦＢＡＲデバイスの一実施形態の概略を図２に示す。ここで、ウェハ１はＦＢＡＲフィルタを支持するウェハである。このデバイスにおいて、層２は圧電材料であり、層３は窒化ケイ素等からなるエッチングストップ層であり、層４および層５はＦＢＡＲ共振子の上部電極、下部電極を構成する金属層であり、層６はウェハ１の背面にエッチングマスクを形成するＳｉＯ_２もしくは窒化ケイ素等からなるもう１つの層である。空洞７は、ＦＢＡＲ共振子を支える層を開放するためにウェハ１のバルクマイクロ加工により形成されたものである。
【００１３】
ウェハ８は、ウェハ１上のＦＢＡＲデバイスを封止する第２のウェハである。窒化ケイ素等の材料からなる層１０に、スルーホールをエッチングすることによって、空洞もしくは窪み９が、このウェハにバルクマイクロ加工されている。このウェハ８は、結合層１１によってウェハ１に結合されている。孔１２は、窒化ケイ素等からなるもう１つの層１０を使った深い反応性イオンエッチング等の加工方法によってウェハをエッチングして形成され、これらの孔の中に堆積された電極金属１３は、ＦＢＡＲ共振子に通じる電極線路４と接続されている。
【００１４】
任意に、第３ウェハ１４が、結合層１５を用いてウェハ１の背面に結合される。これはデバイスの背面にある空洞に対する保護シールを形成する。明らかに、これは、前面側のみからのエッチングによって形成されたＦＢＡＲデバイスや、ＳＢＡＲデバイスには不要である。
【００１５】
ここで理解すべきは、多くのＦＢＡＲフィルタデバイスをシリコン等の材料からなる単一のウェハ上に形成することができるという点と、本発明の基本原理はＦＢＡＲデバイスの加工と封止用ウェハの加工および結合とをウェハ規模で行うことであるという点である。個々のパッケージされたＦＢＡＲデバイスは、パッケージング処理が完了した後に切断することによって、互いに分離されるだけである。
【００１６】
本発明のその他の特徴、利点や長所については、添付した図面を参照し、例としてのみあげた以下の説明によって理解されるであろう。
【００１７】
まず、６つのＦＢＡＲを備えたＦＢＡＲフィルタの典型的な作製手順について図３を参照して以下に述べる。最初に、ベアＳｉウェハ１６の両面に、化学的気相成長法により、窒化ケイ素（ＳｉＮ_ｘ）を２００ｎｍの厚さに付着させる。Ｓｉウェハ１６の前面にはＳｉＮ_ｘ膜層１８も設ける。Ｓｉウェハ１６の背面のＳｉＮ_ｘには、フォトリソグラフィおよび反応性イオンエッチングによってパターンを形成し、これを背面パターン層１７とする。
【００１８】
下部電極２１を、いわゆるリフトオフプロセスにより、下記の手順で形成する。まず、フォトリソグラフィによって、フォトレジストのパターンを形成する。次に、スパッタリングにより、クロムと金（Ｃｒ／Ａｕ）を各々１０ｎｍ、１００ｎｍの厚さに堆積する。ＣｒはＡｕの接着層として使用される。次に、フォトレジストはアセトンに溶解するので、パターン化されたフォトレジストとその上のＣｒ／Ａｕとをアセトンを用いて除去する。この手順の後、下部電極２１が得られる。
【００１９】
次に、スパッタリングにより、圧電層１９を形成するために酸化亜鉛（ＺｎＯ）を堆積させる。圧電層１９の厚みは、１．２ミクロンである。圧電層１９は酢酸でエッチングされ、電気プローブを下部電極２１に接触させるためのコンタクトホール２２が形成される。
【００２０】
その後、上部電極２０がリフトオフプロセスによって形成される。上部電極２０は、伝送線と、図２においてＬで示される一辺の寸法が２００ミクロンの矩形の作用領域２４とを有している。作用領域の大きさは、下部電極２１についても同様である。
【００２１】
上部電極２０が形成されるとき、２つのグランド電極２３も同じくリフトオフプロセスによって形成される。したがって、上部電極２０は、特性インピーダンスが約５０オームに設定された、コプレーナ導波路構造を有している。
【００２２】
最後に、Ｓｉウェハ１６は、背面パターン１７を使用してＫＯＨ溶液で背面側からエッチングされ、フィルタの作製プロセスは完了する。異なった領域に直列および並列に接続された複数のＦＢＡＲ共振子を作製することが一般的であることはよく知られている。
【００２３】
前述のフィルタは、本発明によってパッケージできるＦＢＡＲのタイプの一例に過ぎない。したがって、上述した好適なフィルタの各々の層に対する薄膜技術や材料は、これまで説明したものに限定されない。
【００２４】
例えば、圧電層１９の材料は、ＺｎＯに限らない。その代わりに、高いＱ値を示す窒化アルミニウム（ＡｌＮ）や大きな電気機械結合係数を示すチタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）を用いることができる。また、その他にもタンタル酸鉛スカンジウムおよびチタン酸ビスマスナトリウムを用いることもできる。上部電極２０および下部電極２１の材料は、Ｃｒ／Ａｕに限らない。その代わりに、電極としてしばしば使用されるアルミニウム（Ａｌ）やプラチナ（Ｐｔ）を用いることも可能である。膜層１８と背面パターン層１７の材料は、ＳｉＮ_ｘに限らない。その代わりにＳｉＯ_２を用いることもできる。
【００２５】
図４は、直列２５および並列２６に接続された、これら６つのＦＢＡＲ共振子を用いたはしご型フィルタを示している。直列ＦＢＡＲ２５および並列ＦＢＡＲ２６のそれぞれの数は、３つとは限らない。これらの数は、帯域端減衰極のレベル、フィルタに必要な領域サイズ等の要求により決定すべきである。
【００２６】
直列ＦＢＡＲ２５および並列ＦＢＡＲ２６として使用されるＦＢＡＲは、下部電極２１の背面側のＳｉウェハ２０上にエッチングされた孔を備えたＦＢＡＲに限らない。共振層の下にあるエアギャップは、ウェハ１６の背面側から深い反応性イオンエッチングを行う方法や、窪みが共振層の下で横方向に拡張するようにウェハ前面側から基板材料をエッチングする方法等の他の方法によって形成することができ、あるいはウェハの前面側から圧電層の下の犠牲材料をエッチングすることによって形成することができる。あるいは、多層ブラッグ反射層を下部電極２１の背面側に使うこともできる。
【００２７】
さらに、ウェハ１６は必ずしもＳｉで作る必要はない。サファイアや酸化マグネシウムといった別のタイプの基板をＦＢＡＲフィルタとして使用することも可能である。さらに、ＦＢＡＲフィルタは、互いに音響的に結合するようにデザインされた１つより多い圧電層を備えることもできる。ここまで述べてきた全てのＦＢＡＲフィルタは、本発明で記述される方法を用いて、ウェハ規模で気密的にパッケージすることが可能である。
【００２８】
次に、ウェハ規模で気密的にカプセル化されたりパッケージされたＦＢＡＲフィルタを製造するためのある特定の方法について、図５〜図８を参照して説明する。ここでは、シリコンウェハ上に作られたデバイスを例に用いるが、この方法がシリコン以外のウェハ上に作られたデバイスであっても同じように応用できることは容易に理解できるであろう。
【００２９】
最初に、複数のＦＢＡＲフィルタを支持するウェハを前節で記述した通りに形成する。ここでは、図５を参照すると、圧電層の動作部分の下部においてエッチングされた１つ以上の空洞２９と個々に連結された、いくつかのＦＢＡＲ共振子からなるＦＢＡＲフィルタのデザインに従って作製された複数のＦＢＡＲフィルタ２８を支持するウェハ２７（ここではウェハＡと呼ぶ）が示されている。
【００３０】
第２のウェハ３０（ここではウェハＢと呼ぶ）は、２つのウェハを突き合わせて戴置したときに窪み３２の位置が第１ウェハ２７上のＦＢＡＲフィルタ２８の動作部分と一致するように表面上においてエッチングされた窪み３２を有するように作製される。これは、以下に記述されるようにして達成される。
【００３１】
最初に、ウェハＢの両面に窒化シリコン層３０’を被覆する。結合媒体層３３が表面（ここでは面Ｂ１と呼び、このウェハの反対面を面Ｂ２とする）上に堆積される。面Ｂ１は最終的に、ウェハＡと結合される。好適な結合媒体は、仮に陽極結合を使うならば、ホウケイ酸ガラスである。代わりに低融点のガラスを堆積することも可能である。これらのガラスはＲＦマグネトロンスパッタリングといった方法を用いて堆積することができる。
【００３２】
窓３１が、（フォトリソグラフィおよびドライエッチングを用いて）窒化シリコン層に開けられる。これらの窓３１の位置は、ウェハＡ上のＦＢＡＲフィルタ２８の動作領域の位置に合わせて定められる。窪み３２は、面Ｂ１を好適なエッチング媒体にさらすことで、面Ｂ１にエッチングされる。シリコンウェハの場合、エッチング媒体は例えば、ＫＯＨのプロパノール溶液またはエチレンジアミンとピロカテコールの混合物である。あるいは、ドライエッチング技術を使用して同様な結果を得ることも可能である。窪み３２の深さは、２つのウェハＡおよびＢが互いに合わされたときにＦＢＡＲ共振子がウェハＢのいかなる部分にも接触しないように、十分に（典型的には数ミクロン程度に）深くなければならない。
【００３３】
その後、ウェハＡおよびＢは、全ての粒子状の残骸物やその他の表面汚染物質を除去するために清浄され、好ましくは窪み３２内が排気されるように真空下で、適切な位置で互いに合わされ、結合される。ウェハの温度を数百℃にまで上げて、ウェハ間に数百ボルトの電位差をかけることにより、陽極結合を形成することができる。また、結合媒体として低融点ガラスを使用した場合には、ウェハの温度をガラスの融点近くまで上げ、ウェハに圧力をかけることによって結合させることも可能である。またその代わりに、結合すべき両面を互いに合わせる前に、両面に好適な金属もしくは合金層を両面に堆積させておき、やはり高温加圧下で結合させてもよい。ウェハＡおよびＢはこのように互いに結合されて、図６に示したような複合ウェハ３６（ここでウェハＡＢと呼ぶ）が形成される。
【００３４】
製造工程の次の段階は、ウェハＡの背面に第３ウェハ３４（ここではウェハＣと呼ぶ）を結合させてウェハＡの背面を封止することである。図６に示したように、ウェハＣの両面Ｃ１，Ｃ２は窒化シリコン層３０’により被覆され、面Ｃ１は前述の結合媒体の１つである層３５により被覆されている。完全に清浄を行った後、前述のように、この面Ｃ１は、複合ウェハＡＢ（３６）の背面と接するように（好ましくは、空洞２９内が排気されるように真空下で）合わされ、前述のように（例えば陽極結合によって）結合される。これにより、図７に示したように、互いに結合された３つのウェハＡ，Ｂ，Ｃの積層体によって形成された複合ウェハ３７（ここではウェハＡＢＣと呼ぶ）が得られる。
【００３５】
この製造工程の最終段階は、ＦＢＡＲデバイスの金属線路２０，２１，２３，２４と接続させることである。これは、図７と８を参照して以下に説明するように、複合ウェハＡＢＣの面Ｂ２を通してビアホール３９をエッチングすることにより達成される。
【００３６】
面Ｂ２上の窒化シリコン層３０’に窓３８が開けられている。これらは、孔３９がこれらの窓を通して（必須ではないが、好ましくはドライで深い反応性イオンエッチング法を用いて）エッチングされたとき、形成された孔３９が最終的に金属線路と交差するように位置している。いかなる残留窒化シリコンもしくは酸化シリコンもドライおよび／またはウエットエッチングの組み合わせにより、前記金属線路が露出するように除去される。
【００３７】
その後、孔３９の内側は、絶縁層で被覆され、図８に示したように熱蒸着、スパッタリング、無電解めっき法、電解めっき法やこれらの組み合わせもしくは類似した手法を用いて金属４０が充填される。そして、面Ｂ２上の金属は、ＦＢＡＲフィルタにつながっている金属線路との電気的接続のためにこの後使用できる接続パッドを残すようにパターン化される。これにより、ウェハの製造は完了し、切断により、あるいは、深い反応性イオンエッチングプロセスを用いて複合シリコンウェハの表面に深い溝をエッチングする等して、個々のデバイスが切り離される。
【００３８】
ウェハ規模で気密的にパッケージングするこの技術は、例えばサファイアといったシリコン以外の基板上に作られたＦＢＡＲフィルタにも容易に応用することが可能であることは、容易に理解されるであろう。また、この方法は、その他のタイプのＦＢＡＲもしくはＳＢＡＲフィルタにも応用できることも理解されるであろう。例えば、もしＦＢＡＲフィルタが、共振膜を開放するためにウェハの背面側からエッチングをしないタイプで、もっぱら前面側からエッチングを行うデザインのものである場合は、上述したウェハＣは省くことができ、ウェハＢだけで気密的にパッケージすることが可能となる。この場合、コンタクトホールは、得られた複合ウェハのどちら側からでもエッチングすることができる。
【００３９】
また、複合ウェハ中に孔を形成しなくても、ＦＢＡＲフィルタにつながっている金属線路に接続させることも可能である。これは、複合ウェハを、金属線路の終端を横切るように切断し、これらをフィルタを支持している各々のチップの端で露出させることにより行うことができる。これは、図９に示されている。金属線路が露出しているチップの端部は、最初に絶縁層４２で被覆される。絶縁層４２としては、蒸着させたポリマーや、金属酸化物もしくは窒化物を用いることができる。孔４３はこの絶縁層において開口されており、金属線路は、チップの端部に金属層４４を塗布することで接続される。
【００４０】
理解されるように、本発明によれば、シリコン等の半導体ウェハやその他のタイプのウェハ上に形成された複数の薄膜バルク波共振子（ＦＢＡＲ）からなるフィルタを、従来のピックアンドプレイス式の機械で容易に取り扱うことのできるチップのような部品となるように、気密的にパッケージングすることができる方法が提供される。
【００４１】
以上の説明は、本発明の長所や利点を説明すべく意図されたものであり、変形や改良は本発明の精神や範囲内で可能であることが理解されるであろう。本発明は、そのような変形や改良の全てを含んでおり、この方法および／またはここに記述された方法による製品のいかなる新規な特徴や新規な特徴の組み合わせにまで及ぶと考えられる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、直列に接続された２つのＦＢＡＲと並列に接続された２つのＦＢＡＲを備えた好適なフィルタの概要図を示している。
【図２】図２は、本発明による、完全な、パッケージされたＦＢＡＲの１つの可能な実施形態の概要図を示している。
【図３】図３は、ＦＢＡＲの上面図と断面図を示している。
【図４】図４は、直列および並列に接続されたはしご型フィルタを形成する複数のＦＢＡＲ共振子を示している。
【図５】図５は、ＦＢＡＲフィルタを支持するウェハＡと、ウェハＡと結合される最初のウェハであるウェハＢとを示し、かつウェハＢの面Ｂ１にＦＢＡＲフィルタに対応する窪みがどのように形成されているかを示している。
【図６】図６は、互いに結合されて複合ウェハＡＢとなっているウェハＡおよびウェハＢ、ならびにウェハＡの背面側の空洞を封止するために使用されるウェハＣを示している。
【図７】図７は、ＦＢＡＲフィルタに通じる金属線路と導通するように面Ｂ２にエッチングされた孔を備えた複合ウェハＡＢＣを示している。
【図８】図８は、どのように、面Ｂ２にエッチングされた孔に金属が充填され、また、表面に接続パッドが形成されるかを示している。
【図９】図９は、接続パッドがどのようにＦＢＡＲフィルタを支えているチップの端部に堆積されるかを示している。

Claims (14)

1. 複数のバルク波共振子（ＢＡＲ）（２；２８）を支持する第１のウェハ（１；２７）を用意する工程と、
   複数の窪み（９；３２）を有する第２のウェハ（８；３０）を用意する工程と、
   第１および第２のウェハ（１、８；２７、３０）を互いに結合させて、第１のウェハ（１；２７）のＢＡＲ（２；２８）が第２のウェハ（８；３０）の窪みと位置合わせされた複合ウェハ（１、８；３６）を形成する工程と、
   個々のフィルタ（２；２８）を分離する工程と
   を含むことを特徴とするフィルタの気密的パッケージング方法。
2. 複数の薄膜バルク波共振子（ＦＢＡＲ）を備え、それぞれの共振子（２、２８）が２つの金属電極（４、５；２０、２１）に挟まれた薄い圧電層（２；１９）とその他の材料層とで構成された電気的フィルタを気密的にパッケージングする方法であって、
   複数のそのようなＦＢＡＲフィルタ（２；２８）を支持するウェハ（１；２７）は、窪み（９；３２）が、ＦＢＡＲフィルタ（２；２８）を支持する前記第１のウェハ（１；２７）の表面に結合される面に予めエッチングされた、少なくとも１つのその他のウェハ（８；３０）と結合され、
   前記一対のウェハ（１，８；２７，３０）は複合ウェハ（１，８；３６）を形成し、
   個々のフィルタ（２；２８）は、ウェハ（１、８；２７，３０）が加工された後に分離される
   ことを特徴とする方法。
3. フィルタ（２；２８）との接続を形成するために、孔（１２；３９）がエッチングされ、金属（１３；４０）で充填されていることを特徴とする請求項１または２に記載の方法。
4. フィルタとの接続を形成するために、フィルタが切り離された後に、金属層（４４）がフィルタ（２８）の端部に堆積されることを特徴とする請求項１または２に記載の方法。
5. 第３のウェハ（１４；３４）が、第１のウェハ（１；２７）の第２のウェハ（８；３０）から離れた面に結合されていることを特徴とする先行のいずれかの請求項に記載の方法。
6. １つ以上のウェハ結合工程は真空下で行われることを特徴とする先行のいずれかの請求項に記載の方法。
7. １つ以上のウェハ結合工程には、ホウケイ酸結合層を用いた陽極結合が用いられることを特徴とする先行のいずれかの請求項に記載の方法。
8. １つ以上のウェハ結合工程は結合層として低融点ガラスを用い、その結合は加熱と加圧の組み合わせにより行われることを特徴とする請求項１ないし６のいずれかに記載の方法。
9. １つ以上のウェハ結合工程は結合層として金属もしくは合金を用い、その結合は加熱と加圧の組み合わせにより行われることを特徴とする請求項１ないし６のいずれかに記載の方法。
10. 先行のいずれかの請求項に記載の方法によって形成されるフィルタ。
11. ＦＢＡＲフィルタを備えたことを特徴とする請求項１０に記載のフィルタ。
12. 各々のＦＢＡＲフィルタが（下から上へ）、基板と、誘電層と、下部電極として機能する１つ以上の金属層と、圧電層と、上部電極として機能する１つ以上の金属層からなる複数の層を備えたことを特徴とする請求項１１に記載のフィルタ。
13. それぞれのＦＢＡＲフィルタは、さらに、導電性もしくは絶縁性のいずれでもよい上部層を備えたことを特徴とする請求項１２に記載のフィルタ。
14. ＳＢＡＲフィルタを備えたことを特徴とする請求項１０に記載のフィルタ。

Images