JP2019161145A - 圧電体膜 - Google Patents
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図1に示すように、本実施の形態の圧電体膜10は、シリコン基板11上に積層された電極層12と、この電極層12上に積層されたPZT系強誘電体層13とを含む。シリコン基板11としては、単結晶シリコンにより形成されたシリコン基板を用いることが好ましく、シリコン基板11表面には熱酸化によるSiO2層14が形成されることが好ましい。また、電極層12としては、Pt層、Ir層、IrO2層等が挙げられる。更に、PZT系強誘電体層13は、チタン酸ジルコン酸鉛(PZT)等のPb含有のペロブスカイト構造を有する複合金属酸化物により構成される。PZT系強誘電体層13の具体例としては、PZT[Pb(Zr,Ti)O3]層、PLZT[(Pb,La)(Zr,Ti)O3]層、PNbZT[(Pb)(Zr,Ti,Nb)O3]層等が挙げられる。なお、PZT系強誘電体層13の結晶配向を(100)面に揃えるため、電極層12とPZT系強誘電体層13との間に、LaNiO3層やSrRuO3層等の配向制御層16が形成されることが好ましい。
(1) シリコン基板上へのNTE層の積層
図1に示すように、シリコン基板11上にゾルゲル法によりNTE層17を積層する。ここでは、NTE層17がZrW2O8層である場合を説明する。先ず、N2ガス等の不活性ガス雰囲気中でエタノールと六塩化タングステンを混合して撹拌することにより第1混合液を調製する。また、別の反応容器を用いて、N2ガス等の不活性ガス雰囲気中でエタノールとジルコニウムテトラブトキシドを加えて撹拌することにより第2混合液を調製する。次に、第1及び第2混合液を、比率Zr:Wが質量比で1:2になるように混合して撹拌することにより第3混合液を調製する。この第3混合液の濃度は酸化物換算で2質量%〜8質量%であることが好ましい。得られた第3混合液を、SiO2層(熱酸化層)14が形成されたシリコン基板11上にスピンコーティング法、スプレーコーティング法等により塗布して塗膜を形成した後に、大気中又は酸素ガス雰囲気中で200℃〜400℃の温度に1分間〜10分間保持して塗膜の仮焼成を行う。この操作を複数回繰り返した後、急速加熱処理(RTA)により酸素ガス雰囲気中で600℃〜800℃の温度に1分間〜10分間保持して仮焼成膜を焼成することにより、厚さ10nm〜80nmのZrW2O8層を得る。更に、上記第3混合液の塗布、仮焼成及び焼成の操作を複数回繰り返して、厚さ50nm〜1000nmのZrW2O8層(NTE層)17をシリコン基板11のSiO2層(熱酸化層)14上に積層する。
ZrW2O8層(NTE層)17上にゾルゲル法によりAl2O3層18を積層することが好ましい。このAl2O3層18を積層するには、先ず、上記ZrW2O8層(NTE層)17上に2質量%〜8質量%のAl2O3ゾルゲル液をスピンコーティング法、スプレーコーティング法等により塗布して塗膜を形成する。次に、ZrW2O8層(NTE層)17上に塗膜が形成されたシリコン基板11を、大気中又は酸素ガス雰囲気中で600℃〜800℃の温度に1分間〜10分間保持して塗膜の仮焼成を行う。更に、急速加熱処理(RTA)により酸素ガス雰囲気中で600℃〜800℃の温度に1分間〜10分間保持して仮焼成膜を焼成する。これにより厚さ10nm〜80nmのAl2O3層18を積層する。このAl2O3層18は、PZT系強誘電体層13からZrW2O8層(NTE層)17へのPb等の元素拡散を抑制するために積層される。
Al2O3層18上に、スパッタリング法により厚さ50nm〜400nmの電極層12を積層する。
先ず、結晶配向を(100)面等の所定の面に揃えるため、電極層12上に、配向制御用のゾルゲル液、例えばLaNiO3ゾルゲル液を用いて厚さ15nm〜25nmの配向制御層16を積層することが好ましい。次に、この配向制御層16上に、PZTゾルゲル液を用いて厚さ500nm〜5000nmのPZT系強誘電体層13を積層する。このようにしてシリコン基板11上に圧電体膜10が積層される。
図2は本発明の第2の実施の形態を示す。図2において図1と同一符号は同一部材を示す。この実施の形態の圧電体膜30は、シリコン基板11上に積層された電極層12と、この電極層12上に積層されたBNT系強誘電体層33とを含む。このBNT系強誘電体層33は、チタン酸ビスマスナトリウム(BNT)等のPbを含有しないペロブスカイト構造を有する複合金属酸化物により構成される。BNT系強誘電体層33の具体例としては、BNT[Bi0.5Na0.5TiO3]層、BNT−BT[(1−x)Bi0.5Na0.5TiO3 − xBaTiO3]層、BNT−BKT[(1−x)Bi0.5Na0.5TiO3 − xBi0.5K0.5TiO3]層等が挙げられる。なお、PZT系強誘電体層13の結晶配向を(100)面に揃えるため、電極層12とPZT系強誘電体層13との間に、LaNiO3層やSrRuO3層等の配向制御層16が形成されることが好ましい。
(1) シリコン基板上へのNTE層の積層
図2に示すように、単結晶シリコンにより形成されたシリコン基板11上にゾルゲル法によりNTE層17を積層する。ここでは、NTE層17がZrW2O8層である場合を説明する。具体的には、第1の実施の形態と同様にして、シリコン基板11上にZrW2O8層(NTE層)17を積層する。
第1の実施の形態と同様にして、ZrW2O8層(NTE層)17上にゾルゲル法によりAl2O3層18を積層することが好ましい。
第1の実施の形態と同様にして、Al2O3層18上に、スパッタリング法により厚さ50nm〜400nmの電極層12を積層する。
先ず、第1の実施の形態と同様にして、結晶配向を(100)面等の所定の面に揃えるため、電極層12上に、配向制御層用のゾルゲル液を用いて厚さ10nm〜25nmの配向制御層16を積層することが好ましい。次に、この配向制御層16上に、BNT系強誘電体層用のゾルゲル液、例えばBNTゾルゲル液を用いて厚さ500nm〜2000nmのBNT系強誘電体層33を積層する。このようにしてシリコン基板11上に圧電体膜30が積層される。
(1) シリコン基板上へのZrW2O8層(NTE層)の積層
図1に示すように、単結晶シリコンにより形成されたシリコン基板11上にゾルゲル法によりZrW2O8層(NTE層)17を積層した。具体的には、先ず、N2ガス雰囲気中でエタノールと六塩化タングステンを混合し、30分撹拌して第1混合液を調製した。また、別の反応容器を用いてN2ガス雰囲気中でエタノールとジルコニウムテトラブトキシドを加えて30分撹拌して、第2混合液を調製した。次に、第1及び第2混合液を、比率Zr:Wが質量比で1:2になるように混合し、1時間撹拌して第3混合液を調製した。この第3混合液の濃度は酸化物換算で6質量%とした。得られた第3混合液を、SiO2層(熱酸化層)14が形成されたシリコン基板11上に滴下し、3000rpmの回転速度で15秒間スピンコーティングして塗膜を形成し、大気中で350℃の温度に5分間保持して塗膜の仮焼成を行った。この操作を3回繰り返した後、急速加熱処理(RTA)により酸素ガス雰囲気中で650℃の温度に5分間保持して仮焼成膜を焼成することにより、厚さ150nmのZrW2O8層を得た。更に、上記第3混合液のスピンコーティング、仮焼成及び焼成の操作を合計3回繰り返して、厚さ450nmのZrW2O8層(NTE層)17をシリコン基板11のSiO2層(熱酸化層)14上に積層した。
ZrW2O8層(NTE層)17上にゾルゲル法によりAl2O3層18を積層した。具体的には、先ず、上記ZrW2O8層(NTE層)17上に4質量%のAl2O3ゾルゲル液を滴下し、4000rpmの回転速度で15秒間スピンコーティングして塗膜を形成した。次に、ZrW2O8層(NTE層)17上に塗膜が形成されたシリコン基板11を、大気中で350℃の温度に5分間保持して塗膜の仮焼成を行った。更に、急速加熱処理(RTA)により酸素ガス雰囲気中で650℃の温度に5分間保持して仮焼成膜を焼成した。これによりZrW2O8層(NTE層)17上に厚さ50nmのAl2O3層18を積層した。このAl2O3層18は、後述のPZT層13からZrW2O8層(NTE層)17への元素拡散を抑制するために積層した。
Al2O3層18上に、スパッタリング法により厚さ100nmのPt層(電極層)12を積層した。
先ず、結晶配向を(100)面に揃えるため、Pt層(電極層)12上に、市販の配向制御用のゾルゲル液(LaNiO3ゾルゲル液、三菱マテリアル社製:型番4wt% F)を用いて厚さ15nmのLaNiO3層(配向制御層)16を積層した。次に、このLaNiO3層(配向制御層)16上に、市販のPZTゾルゲル液(三菱マテリアル社製:型番15wt% E1)を用いて厚さ1000nmのPZT層(PZT系強誘電体層)13を積層した。このようにしてシリコン基板11上に圧電体膜10が積層された。この圧電体膜10を実施例1とした。
実施例2〜6及び比較例1の圧電体膜は、表1に示すようにNTE層の組成及び厚さを変えて形成した。なお、表1に示した組成及び厚さ以外は、実施例1と同様にして、シリコン基板上に圧電体膜を積層した。
実施例1〜6及び比較例1の圧電体膜について、クラックの有無及び誘電率を調べた。
(1) クラックの有無
光学顕微鏡にて10倍の倍率で20mm×20mmの正方形の範囲内で圧電体膜のPZT層表面を観察することにより、クラックの有無を調べた。
(2) 誘電率
先ず、圧電体膜の上面に、スパッタリング法により直径200μmの一対の電極をそれぞれ形成した。次に、圧電体膜を急速加熱処理(RTA)により酸素雰囲気中で700℃に1分間保持することにより、圧電体膜のスパッタリングによるダメージを回復した。このようにしてキャパシタ構造の圧電体膜を作製した。更に、キャパシタ構造の圧電体膜について、TF analyzer 2000強誘電体テストシステム(アグザクトシステムズ社製)により1kHzでキャパシタンスを測定し、誘電率を算出した。その結果を表1に示す。
(1) シリコン基板上へのZrW2O8層(NTE層)の積層
図2に示すように、単結晶シリコンにより形成されたシリコン基板11上にゾルゲル法によりZrW2O8層(NTE層)17を積層した。具体的には、実施例1と同様にして、シリコン基板11上にZrW2O8層(NTE層)17を積層した。
実施例1と同様にして、ZrW2O8層(NTE層)17上にゾルゲル法によりAl2O3層18を積層した。
実施例1と同様にして、Al2O3層18上に、スパッタリング法により厚さ100nmのPt層(電極層)12を積層した。
先ず、実施例1と同様にして、結晶配向を(100)面に揃えるため、Pt層(電極層)12上に、市販の配向制御用ゾルゲル液(LaNiO3ゾルゲル液、三菱マテリアル社製:型番4wt% F)を用いて厚さ15nmのLaNiO3層(配向制御層)16を積層した。次に、このLaNiO3層(配向制御層)16上に、BNT系強誘電体層用のゾルゲル液を用いて厚さ1000nmのBNT層(BNT系強誘電体層)33を積層した。なお、BNT系強誘電体層用のゾルゲル液は以下のようにして作製した。フラスコに、チタンイソプロポキシドとアセチルアセトンを、アセチルアセトンがチタンイソプロポキシドに対して1:4のモル比になるように入れ、150℃のオイルバスで30分間還流を行った。そこに、2-エチルヘキサン酸ビスマス、酢酸ナトリウム三水和物、プロピレングリコールを添加し、150℃のオイルバスで1時間還流を行った。Bi原料とNa原料とTi原料の混合は、モル比(Bi:Na:Ti)で、55:60:100で行った。還流した後、液の沸騰が収まった状態で超純水を、チタンイソプロポキシド中のTi元素100モル%に対して5モル%の割合で添加し、再び150℃のオイルバスで1時間還流を行った。還流後に、ポータブルアスピレーターで0.03MPaまで減圧することで未反応生成物を除去した。得られた生成物にエタノールを加えて酸化物濃度が15質量%になるまで希釈を行った。得られた液をフィルターでろ過することによりゴミを取り除き、BNT系強誘電体層用のゾルゲル液を得た。このようにしてシリコン基板11上に圧電体膜30が積層された。この圧電体膜30を実施例7とした。
実施例8及び比較例2の圧電体膜は、表2に示すようにNTE層の組成及び厚さを変えて形成した。なお、表2に示した組成及び厚さ以外は、実施例7と同様にして、シリコン基板上に圧電体膜を積層した。
実施例7、実施例8及び比較例2の圧電体膜について、比較試験1と同様にして、クラックの有無及び誘電率を調べた。その結果を表2に示す。
11 シリコン基板
12 Pt層(電極層)
13 PZT層(PZT系強誘電体層)
17 NTE層(負の熱膨張係数を有する層)
18 Al2O3層
33 BNT層(BNT系強誘電体層)
Claims (6)
- シリコン基板上に積層された電極層と、前記電極層上に積層されたPZT系強誘電体層とを含む圧電体膜であって、
前記シリコン基板と前記電極層との間に負の熱膨張係数を有する層が介装されたことを特徴とする圧電体膜。 - シリコン基板上に積層された電極層と、前記電極層上に積層されたBNT系強誘電体層とを含む圧電体膜であって、
前記シリコン基板と前記電極層との間に負の熱膨張係数を有する層が介装され、
前記負の熱膨張係数を有する層の厚さが50nm以上である
ことを特徴とする圧電体膜。 - 前記負の熱膨張係数を有する層の厚さが50nm以上1000nm以下である請求項1記載の圧電体膜。
- 前記負の熱膨張係数を有する層の厚さが1000nm以下である請求項2記載の圧電体膜。
- 前記負の熱膨張係数を有する層が、ZrMo2O8、ZrW2O8、HfMo2O8及びHfW2O8からなる群より選ばれた1種又は2種以上の負の熱膨張係数を有する材料により形成された請求項1ないし4いずれか1項に記載の圧電体膜。
- 前記負の熱膨張係数を有する層と前記電極との間にAl2O3層が介装された請求項1ないし5いずれか1項に記載の圧電体膜。
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