JP2003524981A - 担体基板上の音響反射層に音響共振子を備えた圧電フィルタの製造方法 - Google Patents
担体基板上の音響反射層に音響共振子を備えた圧電フィルタの製造方法Info
- Publication number
- JP2003524981A JP2003524981A JP2001562835A JP2001562835A JP2003524981A JP 2003524981 A JP2003524981 A JP 2003524981A JP 2001562835 A JP2001562835 A JP 2001562835A JP 2001562835 A JP2001562835 A JP 2001562835A JP 2003524981 A JP2003524981 A JP 2003524981A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- electrode
- acoustic
- reflection layer
- piezoelectric
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 53
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 31
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 23
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 111
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 23
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 23
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 12
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 10
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 9
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 8
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 7
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 229910000464 lead oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N oxolead Chemical compound [Pb]=O YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/54—Filters comprising resonators of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/56—Monolithic crystal filters
- H03H9/564—Monolithic crystal filters implemented with thin-film techniques
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/54—Filters comprising resonators of piezoelectric or electrostrictive material
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
- H03H2003/025—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks the resonators or networks comprising an acoustic mirror
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/42—Piezoelectric device making
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
- Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
- Y10T29/49128—Assembling formed circuit to base
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
- Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
- Y10T29/49155—Manufacturing circuit on or in base
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
両側に電極（２，３）が設けられた圧電物質層（１）を有する共振子を備える圧電フィルタを製造する方法であって、共振子は、担体基板（７）の表面上の音響反射層（４）に設けられている。この方法において、圧電物質層（１）を補助基板（９）の表面（８）に形成し、その後、第１の電極（２）を圧電物質層（１）に形成する。音響反射層（４）を第１の電極（２）及びこの近傍に形成し、このように形成された構造物を、補助基板（９）に向き合う側において担体基板（７）に固定する。補助基板（９）を除去し、第１の電極（２）と反対側に第２の電極（３）を形成する。
Description
【０００１】
本発明は、圧電物質層を有する音響共振子を備えた圧電フィルタを製造する方
法に関する。圧電物質層はその両側に電極が設けられており、共振子は担体基板
の表面にある音響反射層に設けられている。
法に関する。圧電物質層はその両側に電極が設けられており、共振子は担体基板
の表面にある音響反射層に設けられている。
【０００２】
そのような圧電フィルタは“薄膜音響波共振子（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ａｃｏ
ｕｓｔｉｃ Ｗａｖｅ）”や“竪固取付バルク音響波共振子（Ｓｏｌｉｄｌｙ
Ｍｏｕｎｔｅｄ Ｂｕｌｋ Ａｃｏｕｓｔｉｃ Ｗａｖｅ Ｒｅｓｏｎａｔｏｒ
）”と言われ、そのような圧電フィルタは特に適切にはＧＳＭテレフォニーのよ
うな個人無線通信用装置の電子回路において用いられる。そのような用途に対し
ては１０００より大きい線質係数Ｑや２００ＭＨｚ〜５ＧＨｚの共振周波数を有
するスモールサイズフィルタを用いるのが望ましい。
ｕｓｔｉｃ Ｗａｖｅ）”や“竪固取付バルク音響波共振子（Ｓｏｌｉｄｌｙ
Ｍｏｕｎｔｅｄ Ｂｕｌｋ Ａｃｏｕｓｔｉｃ Ｗａｖｅ Ｒｅｓｏｎａｔｏｒ
）”と言われ、そのような圧電フィルタは特に適切にはＧＳＭテレフォニーのよ
うな個人無線通信用装置の電子回路において用いられる。そのような用途に対し
ては１０００より大きい線質係数Ｑや２００ＭＨｚ〜５ＧＨｚの共振周波数を有
するスモールサイズフィルタを用いるのが望ましい。
【０００３】
圧電物質層は、実際には例えば窒化アルミニウムＡｌＮあるいは酸化鉛ＺｎＯ
で構成される。これらの層の厚さは薄く構成され、この厚さは、前記周波数の音
響波がこれらの物質内で伝わる波長の半分に等しい。共振子が設けられる音響反
射層は、実際には一般的に、高低の音響インピーダンスの層が交互にいくつか設
けられたものからなる。前記層は一般的には、例えばおよそ１００Ｇｇ／ｍ２ｓ
の比較的高い音響インピーダンスを有するタングステンや、例えばそれぞれおよ
そ１３Ｇｇ／ｍ２ｓ及び２Ｇｇ／ｍ２ｓの比較的低い音響インピーダンスを有す
るシリコン酸化物あるいは合成樹脂を含む。これらの層の厚さは薄く構成され、
この厚さは、前記周波数の音響波がこれらの物質内で伝わる波長の４分の１に等
しい。前記周波数の範囲の周波数に対して圧電層及び反射層はいずれも１〜３μ
ｍの厚さを有する。タングステンの層は、共振子の電極と音響反射層との両方を
構成する。
で構成される。これらの層の厚さは薄く構成され、この厚さは、前記周波数の音
響波がこれらの物質内で伝わる波長の半分に等しい。共振子が設けられる音響反
射層は、実際には一般的に、高低の音響インピーダンスの層が交互にいくつか設
けられたものからなる。前記層は一般的には、例えばおよそ１００Ｇｇ／ｍ２ｓ
の比較的高い音響インピーダンスを有するタングステンや、例えばそれぞれおよ
そ１３Ｇｇ／ｍ２ｓ及び２Ｇｇ／ｍ２ｓの比較的低い音響インピーダンスを有す
るシリコン酸化物あるいは合成樹脂を含む。これらの層の厚さは薄く構成され、
この厚さは、前記周波数の音響波がこれらの物質内で伝わる波長の４分の１に等
しい。前記周波数の範囲の周波数に対して圧電層及び反射層はいずれも１〜３μ
ｍの厚さを有する。タングステンの層は、共振子の電極と音響反射層との両方を
構成する。
【０００４】
米国特許第５，８７３，１５４号において、冒頭に述べたタイプについての製
造方法に関する説明がある。ここでは最初に音響反射層を、例えばガラスあるい
はシリコン、ガリウム砒素でできた担体基板の表面に形成し、音響共振子をこの
反射層上に形成する。上述したフィルタの共振周波数は１ＧＨｚである。１つの
例においては反射層は、担体基板から可視であり、およそ１．５μｍの厚さのシ
リコン酸化物層やおよそ１．３μｍの厚さのタングステン層から構成される。別
の実施例においては反射層は、およそ０．５μｍの厚さのポリイミドのような重
合体やおよそ１．３μｍの厚さのタングステン層から構成される。
造方法に関する説明がある。ここでは最初に音響反射層を、例えばガラスあるい
はシリコン、ガリウム砒素でできた担体基板の表面に形成し、音響共振子をこの
反射層上に形成する。上述したフィルタの共振周波数は１ＧＨｚである。１つの
例においては反射層は、担体基板から可視であり、およそ１．５μｍの厚さのシ
リコン酸化物層やおよそ１．３μｍの厚さのタングステン層から構成される。別
の実施例においては反射層は、およそ０．５μｍの厚さのポリイミドのような重
合体やおよそ１．３μｍの厚さのタングステン層から構成される。
【０００５】
周知の方法の欠点は、共振子の層及び音響反射層の物質が自由に独立して選ぶ
ことができないという点にある。この周知の方法において、圧電物質層は比較的
低温度で形成しなければならない。この層の形成の間、担体基板の表面上にすで
に存在する層にダメージを与えないように注意が払われなければならない。第２
に、圧電物質層はポリイミド層上に堆積されるが、担体基板の温度は例えば３５
０℃を越えてはならない。実際にはさらに、上述したような厚さを有するタング
ステン層は３５０℃の温度に熱せられたとき担体基板から局所的に分離されると
いうことが分かってきた。このことは、実際に圧電層を形成する温度はおよそ３
００℃に制限されるということを意味する。しかしながら、より高い温度でこの
層を堆積することが望ましい。圧電物質の結晶層、ここにおいて結晶は等方向性
（ｅｑｕａｌｌｙ ｏｒｉｅｎｔｅｄ）である、を堆積するためにしばしば堆積
の間担体基板を３００℃を越える温度にまで熱することが必要である。そのよう
な窒化アルミニウムの結晶層を得るために例えば堆積の間担体基板を４００〜８
００℃の温度に熱することが望ましい。
ことができないという点にある。この周知の方法において、圧電物質層は比較的
低温度で形成しなければならない。この層の形成の間、担体基板の表面上にすで
に存在する層にダメージを与えないように注意が払われなければならない。第２
に、圧電物質層はポリイミド層上に堆積されるが、担体基板の温度は例えば３５
０℃を越えてはならない。実際にはさらに、上述したような厚さを有するタング
ステン層は３５０℃の温度に熱せられたとき担体基板から局所的に分離されると
いうことが分かってきた。このことは、実際に圧電層を形成する温度はおよそ３
００℃に制限されるということを意味する。しかしながら、より高い温度でこの
層を堆積することが望ましい。圧電物質の結晶層、ここにおいて結晶は等方向性
（ｅｑｕａｌｌｙ ｏｒｉｅｎｔｅｄ）である、を堆積するためにしばしば堆積
の間担体基板を３００℃を越える温度にまで熱することが必要である。そのよう
な窒化アルミニウムの結晶層を得るために例えば堆積の間担体基板を４００〜８
００℃の温度に熱することが望ましい。
【０００６】
本発明の目的は、共振子の層及び音響反射層を自由に独立して選ぶことができ
る方法を提供することにある。
る方法を提供することにある。
【０００７】
これを達成するために、本発明にかかる方法は以下の点において特徴づけられ
る。すなわち、圧電物質層を補助基板の表面に形成し、第１の電極を圧電物質層
に形成し、音響反射層を第１の電極及びこの近傍に形成し、このようにして形成
した構造物を、補助基板に向き合う側において担体基板に固定し、補助基板を除
去し、第１の電極とは反対側に第２の電極を形成する。
る。すなわち、圧電物質層を補助基板の表面に形成し、第１の電極を圧電物質層
に形成し、音響反射層を第１の電極及びこの近傍に形成し、このようにして形成
した構造物を、補助基板に向き合う側において担体基板に固定し、補助基板を除
去し、第１の電極とは反対側に第２の電極を形成する。
【０００８】
ガラスあるいはシリコンでできた一般的な補助基板は、圧電物質層を堆積する
間、いかなる問題も生じさせることなく上述したような高い温度に熱せられる。
圧電物質層を堆積した後、電極及び音響反射層を圧電物質層に形成する。これは
圧電物質層にダメージを与えることなく実行される。電極及び音響反射層のため
の一般的な層は補助基板の温度が３５０℃を越えないで堆積される。
間、いかなる問題も生じさせることなく上述したような高い温度に熱せられる。
圧電物質層を堆積した後、電極及び音響反射層を圧電物質層に形成する。これは
圧電物質層にダメージを与えることなく実行される。電極及び音響反射層のため
の一般的な層は補助基板の温度が３５０℃を越えないで堆積される。
【０００９】
好ましくはシリコンスライスの補助基板から開始する。その表面にシリコン酸
化物層を形成し、圧電物質層をシリコン酸化物層に堆積し、第１の電極を圧電物
質層に形成し、音響反射層を第１の電極及びこの近傍に形成し、このようにして
形成した構造体を補助基板に向き合う側において担体基板に固定し、補助基板を
除去し、さらされたシリコン酸化物層を第２の電極が形成されるべき部分におい
て除去し、第２の電極を形成する。シリコン酸化物層の存在によって、適切に方
向付けられた結晶圧電物質層（ｐｒｏｐｅｒｌｙ ｏｒｉｅｎｔｅｄ ｌａｙｅ
ｒ ｏｆ ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ ｐｉｅｚｏｅｌｅｃｔｒｉｃ ｍａｔｅｒ
ｉａｌ）が実際に形成され、一方シリコン酸化物層はエッチングプロセスが自動
的に停止する層として用いられるので、補助基板をさらに容易に除去することが
できる。水酸化カリウムを含むエッチング液によってシリコンはシリコン酸化物
に関して非常に選択的にエッチングされる。
化物層を形成し、圧電物質層をシリコン酸化物層に堆積し、第１の電極を圧電物
質層に形成し、音響反射層を第１の電極及びこの近傍に形成し、このようにして
形成した構造体を補助基板に向き合う側において担体基板に固定し、補助基板を
除去し、さらされたシリコン酸化物層を第２の電極が形成されるべき部分におい
て除去し、第２の電極を形成する。シリコン酸化物層の存在によって、適切に方
向付けられた結晶圧電物質層（ｐｒｏｐｅｒｌｙ ｏｒｉｅｎｔｅｄ ｌａｙｅ
ｒ ｏｆ ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ ｐｉｅｚｏｅｌｅｃｔｒｉｃ ｍａｔｅｒ
ｉａｌ）が実際に形成され、一方シリコン酸化物層はエッチングプロセスが自動
的に停止する層として用いられるので、補助基板をさらに容易に除去することが
できる。水酸化カリウムを含むエッチング液によってシリコンはシリコン酸化物
に関して非常に選択的にエッチングされる。
【００１０】
補助基板を除去した後、第２の電極を、さられた圧電物質層に容易に形成する
。この第２の電極は容易に外部とコンタクトを採ることができるが、第１の電極
は容易にコンタクトをとることができない。このことは圧電物質層を通る窓部の
形成を必要とする。好ましくは第２の電極は、近接した２つのサブ電極で構成す
る。両電極とも第１の電極とは反対側に設け、２つの結合された共振子を有する
圧電フィルタを２つのサブ電極間で形成する。その結果フィルタは２つのサブ電
極で外部に容易にコンタクトをとることができる。第１の電極はコンタクトがと
られない。
。この第２の電極は容易に外部とコンタクトを採ることができるが、第１の電極
は容易にコンタクトをとることができない。このことは圧電物質層を通る窓部の
形成を必要とする。好ましくは第２の電極は、近接した２つのサブ電極で構成す
る。両電極とも第１の電極とは反対側に設け、２つの結合された共振子を有する
圧電フィルタを２つのサブ電極間で形成する。その結果フィルタは２つのサブ電
極で外部に容易にコンタクトをとることができる。第１の電極はコンタクトがと
られない。
【００１１】
もし補助基板を、音響反射層の一部を構成する接着層によって担体基板に対し
て固定するのならば、特にもし音響共振子のサブ電極を音響反射層の一部として
さらに構成するのならば、簡易な構成がさらに得ることができる。接着層が比較
的低い音響抵抗を有しており、電極物質がとても高い音響抵抗を有しているので
、実際これは実現可能である。サブ電極の厚さが、フィルタにおける所望の共振
周波数に応じて選ばれなければならない。一方接着層は、とても低い音響インピ
ーダンスを有しているので非常に薄くてよい。
て固定するのならば、特にもし音響共振子のサブ電極を音響反射層の一部として
さらに構成するのならば、簡易な構成がさらに得ることができる。接着層が比較
的低い音響抵抗を有しており、電極物質がとても高い音響抵抗を有しているので
、実際これは実現可能である。サブ電極の厚さが、フィルタにおける所望の共振
周波数に応じて選ばれなければならない。一方接着層は、とても低い音響インピ
ーダンスを有しているので非常に薄くてよい。
【００１２】
本発明のこれら及びその他の特徴は以下の実施例を参照することで明らかにな
り解明される。
り解明される。
【００１３】
図面は概略化されておりスケール通りではない。対応する部分は可能な限り同
一の符号が付されている。
一の符号が付されている。
【００１４】
図１から６までは、第１実施例の音響フィルタの製造工程を示す概略断面図で
ある。図６から分かるように、音響フィルタは、両側に電極２，３が設けられた
圧電物質層１から構成された共振子１，２，３を有しており、共振子１，２，３
は音響反射層４に設けられており、音響反射層４は、この例では接着層５によっ
て固定されて担体基板７の表面に形成されている。
ある。図６から分かるように、音響フィルタは、両側に電極２，３が設けられた
圧電物質層１から構成された共振子１，２，３を有しており、共振子１，２，３
は音響反射層４に設けられており、音響反射層４は、この例では接着層５によっ
て固定されて担体基板７の表面に形成されている。
【００１５】
そのような圧電フィルタはさらに“薄膜音響波共振子（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ
Ａｃｏｕｓｔｉｃ Ｗａｖｅ）”や“竪固取付バルク音響波共振子（Ｓｏｌｉｄ
ｌｙ Ｍｏｕｎｔｅｄ Ｂｕｌｋ Ａｃｏｕｓｔｉｃ Ｗａｖｅ Ｒｅｓｏｎａ
ｔｏｒ）”と言われる。そのような圧電フィルタは特に適切にはＧＳＭテレフォ
ニーのような個人無線通信用の装置に用いられる電子回路において用いられる。
そのような用途に対しては１０００より大きい線質係数Ｑや２００ＭＨｚ〜５Ｇ
Ｈｚの共振周波数を有するスモールサイズフィルタを用いるのが望ましい。
Ａｃｏｕｓｔｉｃ Ｗａｖｅ）”や“竪固取付バルク音響波共振子（Ｓｏｌｉｄ
ｌｙ Ｍｏｕｎｔｅｄ Ｂｕｌｋ Ａｃｏｕｓｔｉｃ Ｗａｖｅ Ｒｅｓｏｎａ
ｔｏｒ）”と言われる。そのような圧電フィルタは特に適切にはＧＳＭテレフォ
ニーのような個人無線通信用の装置に用いられる電子回路において用いられる。
そのような用途に対しては１０００より大きい線質係数Ｑや２００ＭＨｚ〜５Ｇ
Ｈｚの共振周波数を有するスモールサイズフィルタを用いるのが望ましい。
【００１６】
第１実施例の音響フィルタの製造工程において圧電層１を補助基板９の表面８
に形成する。この場合補助基板９はおよそ５００μｍの厚さを有するガラスプレ
ートである。圧電層１を堆積している間、この補助基板は約８００℃に熱せられ
、堆積温度を大きくとることができる。結晶が等方向性（ｅｑｕａｌ ｏｒｉｅ
ｎｔａｔｉｏｎ）を示す結晶層を堆積するためには、しばしば４００〜８００℃
の温度でこれらのクリスタル層を堆積することが必要である。この例では窒化ア
ルミニウム（ＡｌＮ）層をおよそ１．３μｍｊの厚さで堆積し、補助基板を６５
０℃で熱する。
に形成する。この場合補助基板９はおよそ５００μｍの厚さを有するガラスプレ
ートである。圧電層１を堆積している間、この補助基板は約８００℃に熱せられ
、堆積温度を大きくとることができる。結晶が等方向性（ｅｑｕａｌ ｏｒｉｅ
ｎｔａｔｉｏｎ）を示す結晶層を堆積するためには、しばしば４００〜８００℃
の温度でこれらのクリスタル層を堆積することが必要である。この例では窒化ア
ルミニウム（ＡｌＮ）層をおよそ１．３μｍｊの厚さで堆積し、補助基板を６５
０℃で熱する。
【００１７】
圧電層１を堆積した後、第１の電極２この例ではおよそ２００ｎｍの厚さのア
ルミニウムをこの層上に形成し、音響反射層４を第１の電極及びこの近傍に形成
する。この例では、音響反射層４は、多くのタングステンやシリコン酸化物のサ
ブ層（ｓｕｂ−ｌａｙｅｒｓ）から構成されている。最初にシリコン酸化物の層
を堆積し、続いてタングステンの層、シリコン酸化物の層、タングステンの層、
シリコン酸化物の層を堆積する。これらの層は全ておよそ１μｍの厚さを有して
いる。
ルミニウムをこの層上に形成し、音響反射層４を第１の電極及びこの近傍に形成
する。この例では、音響反射層４は、多くのタングステンやシリコン酸化物のサ
ブ層（ｓｕｂ−ｌａｙｅｒｓ）から構成されている。最初にシリコン酸化物の層
を堆積し、続いてタングステンの層、シリコン酸化物の層、タングステンの層、
シリコン酸化物の層を堆積する。これらの層は全ておよそ１μｍの厚さを有して
いる。
【００１８】
このようにして形成した構造を図３に示されているように補助基板に向き合う
側において担体基板７に接着する。この例ではポリイミド接着により接着してい
る。続いて補助基板９を２つの工程で除去する。第１の工程では化学機械研磨を
厚さ６００μｍのうちの４００μｍを除去するのに用いる。第２の工程において
残りを圧電層１の方向へエッチングする。
側において担体基板７に接着する。この例ではポリイミド接着により接着してい
る。続いて補助基板９を２つの工程で除去する。第１の工程では化学機械研磨を
厚さ６００μｍのうちの４００μｍを除去するのに用いる。第２の工程において
残りを圧電層１の方向へエッチングする。
【００１９】
最後に、さらされた圧電層１に第２の電極３を電極２と反対側に形成し、前記
第２の電極はこの場合およそ２００ｎｍの厚さのアルミニウムの層である。
第２の電極はこの場合およそ２００ｎｍの厚さのアルミニウムの層である。
【００２０】
図７〜１０は、第２実施例の音響フィルタの製造工程を示す概略断面図である
。図１０から分かるように、音響フィルタは共振子１，２，３を有しており、こ
の共振子１，２，３は音響反射層４に設けられており、接着層５によって担体基
板７の表面６に接着されている。
。図１０から分かるように、音響フィルタは共振子１，２，３を有しており、こ
の共振子１，２，３は音響反射層４に設けられており、接着層５によって担体基
板７の表面６に接着されている。
【００２１】
第２実施例では、シリコンスライス１０の補助基板から開始する。圧電層１の
堆積に先立ってシリコンスライス１０の表面１１にシリコン酸化物層１２を形成
する。圧電層１をシリコン酸化物層１２上に堆積する。続いて第１実施例の通り
に第１の電極２を圧電層１上に形成し、音響反射層４を形成し、このようにして
形成した合成構造体を担体基板７の表面６に接着層５によって接着する。
堆積に先立ってシリコンスライス１０の表面１１にシリコン酸化物層１２を形成
する。圧電層１をシリコン酸化物層１２上に堆積する。続いて第１実施例の通り
に第１の電極２を圧電層１上に形成し、音響反射層４を形成し、このようにして
形成した合成構造体を担体基板７の表面６に接着層５によって接着する。
【００２２】
以下の工程においてシリコンを除去し、結果としてシリコン酸化物層がさらさ
れる。さらにこの場合、シリコンを２つの工程で除去する。第１の工程では、一
般的な化学機械研磨をシリコンの全厚さである４００μｍを除去するのに用いる
。その後、最後に、水酸化カリウムを含むエッチング液によりシリコン酸化物層
をさらす。シリコン層はこの工程においてエッチングストッパーとして用いられ
る。水酸化カリウムを含むエッチング液によってシリコンはシリコン酸化物に関
して非常に選択的にエッチングされる。シリコン酸化物層１２は、適切な方向性
を有する結晶圧電層がこの物質上に形成されるという利点をさらに有する。
れる。さらにこの場合、シリコンを２つの工程で除去する。第１の工程では、一
般的な化学機械研磨をシリコンの全厚さである４００μｍを除去するのに用いる
。その後、最後に、水酸化カリウムを含むエッチング液によりシリコン酸化物層
をさらす。シリコン層はこの工程においてエッチングストッパーとして用いられ
る。水酸化カリウムを含むエッチング液によってシリコンはシリコン酸化物に関
して非常に選択的にエッチングされる。シリコン酸化物層１２は、適切な方向性
を有する結晶圧電層がこの物質上に形成されるという利点をさらに有する。
【００２３】
補助基板１０を除去した後、さらされたシリコン酸化物層を第２の電極３が形
成される位置において除去する。窓部１３をシリコン酸化物層１２に形成する。
続いて第２の電極３をこの窓部１３において形成する。
成される位置において除去する。窓部１３をシリコン酸化物層１２に形成する。
続いて第２の電極３をこの窓部１３において形成する。
【００２４】
第２の電極３は本実施例においては容易に設けることができる。この第２の電
極３はさらに外部に容易にコンタクトをとることができる。しかしながら第１の
電極２はそれほど容易にはコンタクトをとることができない。このことは圧電物
質層を通る窓部の形成を必要とする。好ましくは第２の電極３は、図１１に示さ
れるように近接したサブ電極１４，１５で構成される。両電極とも第１の電極２
とは反対側に設けられており、それ故に２つの結合された共振子を有する圧電フ
ィルタは２つのサブ電極１４，１５間で構成されている。その結果フィルタは２
つのサブ電極１４，１５で外部に容易にコンタクトをとることができる。第１の
電極についてはコンタクトがとられない。第２の電極３を分離することが第２の
実施例において示されており、類似の構成が、有利には第１実施例にも用いられ
てもよいのは明らかである。
極３はさらに外部に容易にコンタクトをとることができる。しかしながら第１の
電極２はそれほど容易にはコンタクトをとることができない。このことは圧電物
質層を通る窓部の形成を必要とする。好ましくは第２の電極３は、図１１に示さ
れるように近接したサブ電極１４，１５で構成される。両電極とも第１の電極２
とは反対側に設けられており、それ故に２つの結合された共振子を有する圧電フ
ィルタは２つのサブ電極１４，１５間で構成されている。その結果フィルタは２
つのサブ電極１４，１５で外部に容易にコンタクトをとることができる。第１の
電極についてはコンタクトがとられない。第２の電極３を分離することが第２の
実施例において示されており、類似の構成が、有利には第１実施例にも用いられ
てもよいのは明らかである。
【００２５】
もし補助基板１０が、音響反射層４の一部を構成する接着層によって担体基板
７に対して固定されるのならば、特にもし音響共振子１，２，３の第１の電極２
が音響反射層４を一部をさらに構成するのならば、簡易な構成がさらに得ること
ができる。接着層が比較的低い音響抵抗を有しており、電極物質がとても高い音
響抵抗を有しているので、実際これは実現可能である。サブ電極の厚さは、フィ
ルタにおける所望の共振周波数に応じて選ばれなければならない。接着層は、と
ても低い音響インピーダンスを有しているため非常に薄くてよい。
７に対して固定されるのならば、特にもし音響共振子１，２，３の第１の電極２
が音響反射層４を一部をさらに構成するのならば、簡易な構成がさらに得ること
ができる。接着層が比較的低い音響抵抗を有しており、電極物質がとても高い音
響抵抗を有しているので、実際これは実現可能である。サブ電極の厚さは、フィ
ルタにおける所望の共振周波数に応じて選ばれなければならない。接着層は、と
ても低い音響インピーダンスを有しているため非常に薄くてよい。
【図１】
本発明の方法によって製造される音響フィルタの第１実施例にかかる製造工程
概略断面図である。
概略断面図である。
【図２】
本発明の方法によって製造される音響フィルタの第１実施例にかかる製造工程
概略断面図である。
概略断面図である。
【図３】
本発明の方法によって製造される音響フィルタの第１実施例にかかる製造工程
概略断面図である。
概略断面図である。
【図４】
本発明の方法によって製造される音響フィルタの第１実施例にかかる製造工程
概略断面図である。
概略断面図である。
【図５】
本発明の方法によって製造される音響フィルタの第１実施例にかかる製造工程
概略断面図である。
概略断面図である。
【図６】
本発明の方法によって製造される音響フィルタの第１実施例にかかる製造工程
概略断面図である。
概略断面図である。
【図７】
本発明の方法によって製造される音響フィルタの第２実施例にかかる製造工程
概略断面図である。
概略断面図である。
【図８】
本発明の方法によって製造される音響フィルタの第２実施例にかかる製造工程
概略断面図である。
概略断面図である。
【図９】
本発明の方法によって製造される音響フィルタの第２実施例にかかる製造工程
概略断面図である。
概略断面図である。
【図１０】
本発明の方法によって製造される音響フィルタの第２実施例にかかる製造工程
概略断面図である。
概略断面図である。
【図１１】
上述した実施例の製造工程を簡略化する具体的な解決手段を示す概略断面図で
ある。
ある。
【図１２】
上述した実施例の製造工程を簡略化する具体的な解決手段を示す概略断面図で
ある。
ある。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｈ０３Ｈ 9/54 Ｈ０１Ｌ 41/08 Ｃ
(72)発明者 ヘンリクス、ジー．アール．マース
オランダ国5656、アーアー、アインドーフ
ェン、プロフ．ホルストラーン、６
Ｆターム(参考） 5J108 AA07 BB07 BB08 CC11 EE03
KK02 KK07 MM08 MM14
Claims (5)
- 【請求項１】 両側に電極が設けられた圧電物質層を有する共振子であって、担体基板の表面
にある音響反射層に設けられている共振子を備えた圧電フィルタの製造方法にお
いて、 前記圧電物質層を補助基板に形成し、 その後第１の電極を前記圧電物質層に形成し、 前記音響反射層を前記第１の電極及びこの近傍に形成し、 このように形成した構造体を前記補助基板に向き合う側において前記担体基板
に固定し、その後前記補助基板を除去し、前記第１の電極と反対側に第２の電極
を形成する、 ことを特徴とする圧電フィルタの製造方法。 - 【請求項２】 シリコン酸化物層が表面に形成されたシリコンスライスの前記補助基板から始
まり、 その後前記圧電物質層をこのシリコン酸化物層に堆積し、 前記第１の電極を前記圧電物質層に形成し、 前記音響反射層を前記第１の電極及びこの近傍に形成し、 このように形成した構造体を前記補助基板に向き合う側において前記担体基板
に固定し、その後前記補助基板を除去し、さらされた前記シリコン酸化物層を第
２の電極が形成されるべき部分において除去し、その後前記第２の電極を形成す
る、 ことを特徴とする、請求項１に記載の方法。 - 【請求項３】 前記第２の電極を、近接した２つのサブ電極として構成し、両電極を前記第１
の電極とは反対側に設け、これにより２つの結合された前記共振子を有する前記
圧電フィルタを前記２つのサブ電極間で構成することを特徴とする、請求項１又
は２に記載の方法。 - 【請求項４】 前記補助基板を、前記音響反射層の一部を構成する接着層によって担体基板に
に固定することを特徴とする、前記請求項の何れかに記載の方法。 - 【請求項５】 前記圧電物質層に形成された前記第１の電極を前記音響反射層の一部として構
成することを特徴とする、前記請求項の何れかに記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| EP00200615 | 2000-02-22 | ||
| EP00200615.3 | 2000-02-22 | ||
| PCT/EP2001/001502 WO2001063759A1 (en) | 2000-02-22 | 2001-02-09 | Method of manufacturing a piezoeletric filter with an acoustic resonator situated on an acoustic reflector layer formed on a carrier substrate |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003524981A true JP2003524981A (ja) | 2003-08-19 |
| JP4820520B2 JP4820520B2 (ja) | 2011-11-24 |
Family
ID=8171062
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001562835A Expired - Fee Related JP4820520B2 (ja) | 2000-02-22 | 2001-02-09 | 担体基板上の音響反射層に音響共振子を備えた圧電フィルタの製造方法 |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6698073B2 (ja) |
| EP (1) | EP1177623B1 (ja) |
| JP (1) | JP4820520B2 (ja) |
| KR (1) | KR100697398B1 (ja) |
| AT (1) | ATE438952T1 (ja) |
| DE (1) | DE60139444D1 (ja) |
| TW (1) | TW527770B (ja) |
| WO (1) | WO2001063759A1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006109129A (ja) * | 2004-10-06 | 2006-04-20 | Kyocera Kinseki Corp | 圧電薄膜素子の製造方法 |
| JP4843175B2 (ja) * | 2000-02-22 | 2011-12-21 | エヌエックスピー ビー ヴィ | 半導体素子および圧電フィルタを備えたハイブリッド集積回路を製造する方法 |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100538654B1 (ko) * | 2001-10-18 | 2005-12-26 | 쌍신전자통신주식회사 | 압전박막 공진기 및 그 제조방법 |
| KR20030032401A (ko) * | 2001-10-18 | 2003-04-26 | 한국쌍신전기주식회사 | 압전박막형 공진기 및 그 제조방법 |
| KR20020029882A (ko) * | 2002-03-02 | 2002-04-20 | 주식회사 에이엔티 | 엘시엠피 공정법에 의한 탄성파소자의 제작방법 |
| KR100483340B1 (ko) * | 2002-10-22 | 2005-04-15 | 쌍신전자통신주식회사 | 체적탄성파 소자 및 그 제조방법 |
| US7618454B2 (en) * | 2005-12-07 | 2009-11-17 | Zimmer Spine, Inc. | Transforaminal lumbar interbody fusion spacers |
| EP1997638B1 (en) * | 2007-05-30 | 2012-11-21 | Océ-Technologies B.V. | Method of forming an array of piezoelectric actuators on a membrane |
| US20120163131A1 (en) * | 2010-12-22 | 2012-06-28 | Sondex Limited | Mono-directional Ultrasound Transducer for Borehole Imaging |
| DE102012107155B4 (de) * | 2012-08-03 | 2017-07-13 | Snaptrack, Inc. | Topografische Struktur und Verfahren zu deren Herstellung |
| FR3079345B1 (fr) * | 2018-03-26 | 2020-02-21 | Soitec | Procede de fabrication d'un substrat pour dispositif radiofrequence |
Family Cites Families (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4990814A (en) * | 1989-11-13 | 1991-02-05 | United Technologies Corporation | Separated substrate acoustic charge transport device |
| US5320977A (en) * | 1990-02-06 | 1994-06-14 | United Technologies Corporation | Method and apparatus for selecting the resistivity of epitaxial layers in III-V devices |
| JPH0478471A (ja) * | 1990-07-19 | 1992-03-12 | Shimada Phys & Chem Ind Co Ltd | 超音波振動体及びその製造方法 |
| US5298772A (en) * | 1992-02-28 | 1994-03-29 | Honeywell Inc. | Integrated heterostructure acoustic charge transport (HACT) and heterostructure insulated gate field effects transistor (HIGFET) devices |
| US5373268A (en) * | 1993-02-01 | 1994-12-13 | Motorola, Inc. | Thin film resonator having stacked acoustic reflecting impedance matching layers and method |
| AT398707B (de) * | 1993-05-11 | 1995-01-25 | Trampler Felix | Mehrschichtiger piezoelektrischer resonator für die separation von suspendierten teilchen |
| JPH0738363A (ja) * | 1993-05-18 | 1995-02-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子部品の加工方法 |
| US5626767A (en) * | 1993-07-02 | 1997-05-06 | Sonosep Biotech Inc. | Acoustic filter for separating and recycling suspended particles |
| US5692279A (en) * | 1995-08-17 | 1997-12-02 | Motorola | Method of making a monolithic thin film resonator lattice filter |
| US5821833A (en) * | 1995-12-26 | 1998-10-13 | Tfr Technologies, Inc. | Stacked crystal filter device and method of making |
| JP3809712B2 (ja) * | 1996-08-27 | 2006-08-16 | セイコーエプソン株式会社 | 薄膜デバイスの転写方法 |
| US5873154A (en) * | 1996-10-17 | 1999-02-23 | Nokia Mobile Phones Limited | Method for fabricating a resonator having an acoustic mirror |
| FR2756447B1 (fr) * | 1996-11-26 | 1999-02-05 | Thomson Csf | Sonde acoustique multielements comprenant une electrode de masse commune |
| US5872493A (en) * | 1997-03-13 | 1999-02-16 | Nokia Mobile Phones, Ltd. | Bulk acoustic wave (BAW) filter having a top portion that includes a protective acoustic mirror |
| US5910756A (en) * | 1997-05-21 | 1999-06-08 | Nokia Mobile Phones Limited | Filters and duplexers utilizing thin film stacked crystal filter structures and thin film bulk acoustic wave resonators |
| US6208062B1 (en) * | 1997-08-18 | 2001-03-27 | X-Cyte, Inc. | Surface acoustic wave transponder configuration |
| JP3521708B2 (ja) * | 1997-09-30 | 2004-04-19 | セイコーエプソン株式会社 | インクジェット式記録ヘッドおよびその製造方法 |
| JPH11163654A (ja) * | 1997-11-28 | 1999-06-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 補強された圧電基板の製造方法 |
-
2001
- 2001-02-09 WO PCT/EP2001/001502 patent/WO2001063759A1/en active IP Right Grant
- 2001-02-09 EP EP01909736A patent/EP1177623B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-02-09 JP JP2001562835A patent/JP4820520B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2001-02-09 AT AT01909736T patent/ATE438952T1/de not_active IP Right Cessation
- 2001-02-09 KR KR1020017013309A patent/KR100697398B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2001-02-09 DE DE60139444T patent/DE60139444D1/de not_active Expired - Lifetime
- 2001-02-21 US US09/790,298 patent/US6698073B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-04-06 TW TW090108312A patent/TW527770B/zh not_active IP Right Cessation
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4843175B2 (ja) * | 2000-02-22 | 2011-12-21 | エヌエックスピー ビー ヴィ | 半導体素子および圧電フィルタを備えたハイブリッド集積回路を製造する方法 |
| JP2006109129A (ja) * | 2004-10-06 | 2006-04-20 | Kyocera Kinseki Corp | 圧電薄膜素子の製造方法 |
| JP4680561B2 (ja) * | 2004-10-06 | 2011-05-11 | 京セラキンセキ株式会社 | 圧電薄膜素子の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20010110779A (ko) | 2001-12-13 |
| US20010023084A1 (en) | 2001-09-20 |
| KR100697398B1 (ko) | 2007-03-20 |
| EP1177623B1 (en) | 2009-08-05 |
| US6698073B2 (en) | 2004-03-02 |
| EP1177623A1 (en) | 2002-02-06 |
| WO2001063759A1 (en) | 2001-08-30 |
| DE60139444D1 (de) | 2009-09-17 |
| TW527770B (en) | 2003-04-11 |
| JP4820520B2 (ja) | 2011-11-24 |
| ATE438952T1 (de) | 2009-08-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6924717B2 (en) | Tapered electrode in an acoustic resonator | |
| US5446330A (en) | Surface acoustic wave device having a lamination structure | |
| US6107721A (en) | Piezoelectric resonators on a differentially offset reflector | |
| JP4345049B2 (ja) | 薄膜音響共振器及びその製造方法 | |
| CN1862959B (zh) | 压电薄膜谐振器与滤波器 | |
| JP4478910B2 (ja) | 圧電薄膜共振子 | |
| EP2003775A2 (en) | Piezoelectric resonator and piezoelectric filter | |
| JP2004158970A (ja) | 薄膜圧電共振器を用いた帯域フィルタ | |
| WO2007004435A1 (ja) | 音響共振器及びフィルタ | |
| JP2005033774A (ja) | 金属膜の内部応力を用いた薄膜バルク音響共振器の製造方法および共振器 | |
| JP4395892B2 (ja) | 圧電薄膜デバイス及びその製造方法 | |
| JP4820520B2 (ja) | 担体基板上の音響反射層に音響共振子を備えた圧電フィルタの製造方法 | |
| JP2002372974A (ja) | 薄膜音響共振器及びその製造方法 | |
| JP2005303573A (ja) | 薄膜圧電共振器及びその製造方法 | |
| JP2004312611A (ja) | 窒化アルミニウム薄膜及びそれを用いた圧電薄膜共振子 | |
| US7436051B2 (en) | Component for fabricating an electronic device and method of fabricating an electronic device | |
| JP2008135886A (ja) | Ｂａｗ共振器の製造方法 | |
| JP4843175B2 (ja) | 半導体素子および圧電フィルタを備えたハイブリッド集積回路を製造する方法 | |
| JP2005236338A (ja) | 圧電薄膜共振子 | |
| JP2002374145A (ja) | 圧電薄膜共振子 | |
| TWI810698B (zh) | 電極界定未懸掛之聲波共振器 | |
| KR102028719B1 (ko) | Fbar 제조 방법 | |
| JP2021190794A (ja) | 圧電薄膜共振子の製造方法 | |
| JP4680561B2 (ja) | 圧電薄膜素子の製造方法 | |
| WO2022188777A1 (zh) | 体声波谐振器及其制造方法、滤波器及电子设备 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080208 |
|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20080612 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110210 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110215 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110516 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110805 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110905 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140909 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4820520 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140909 Year of fee payment: 3 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140909 Year of fee payment: 3 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |