JP2004502372A - ネガティブインピーダンスキャンセレーションを伴う高周波増幅回路 - Google Patents
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Abstract
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、トランジスタ増幅回路の分野であり、特に高周波増幅回路に関する。
【0002】
【従来の技術】
この一般的な型式の増幅器は、例えば無線通信装置に用いられる増幅器のような高周波RF増幅器にしばしば用いられる。典型的に、このような高周波増幅回路の出力段は、コモンエミッタのバイポーラトランジスタ又はコモンソースの電界効果トランジスタを使用し、このトランジスタはその入力部で電圧源又は電流源のどちらかでバイアスされる。この出力段は典型的に、バイポーラトランジスタ用のコモンコレクタ(エミッタフォロワ)の構成、又は電界効果トランジスタ用のコモンドレイン(ソースフォロワ)の構成で接続される駆動トランジスタを用いるバッファ又は駆動段により供給される。この型式のバッファ又は駆動段は典型的に、回路の全体の利得を増大させ、コモンエミッタ又はコモンソースの出力段の入力インピーダンスを増大させるように用いられる。
【0003】
しかしながら、上述の構成での駆動トランジスタと共同して増幅トランジスタを用いる増幅回路は典型的に、回路のキャパシタンスのために一定の高周波数においてネガティブインピーダンスを生成するだろう。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
この問題は、以前にも認められていて、代表的な先行技術(これら技術の1つは本出願の共同発明者により開発された)は、米国特許番号5,424,686号及び5,828,269号に説明されている。
【0005】
しかしながら、ネガティブインピーダンスを補償するために抵抗を用いた先行技術は、バッファ増幅器がバイアスされる度に、補償抵抗が電力を消費するという欠点を持っている。それ故に、抵抗性ネガティブインピーダンスキャンセレーション効果が与えられ、特に低バイアス状況下で電力消費が最小となる高周波増幅回路を持つことが望まれていた。
【0006】
【課題を解決するための手段】
従って、本発明の目的は、特に低バイアス状況下で減少する電力消費と共に抵抗性ネガティブインピーダンスキャンセレーション効果が得られる高周波増幅回路を提供することである。
【0007】
本発明に従って、本目的は、増幅トランジスタ及び駆動トランジスタを含む新しい高周波増幅回路により達成され、この増幅トランジスタは、コモンエミッタの構成及びコモンドレインの構成の一方で接続され、駆動トランジスタは、コモンコレクタの構成とコモンドレインの構成の一方において接続される。カレントミラーバイアス回路は、駆動トランジスタの入力端子と駆動トランジスタの出力端子との間に結合され、この駆動トランジスタの入力端子にカレントミラーを結合する抵抗がネガティブインピーダンスキャンセレーション効果を達成するために設けられる。
【0008】
本発明の好ましい実施例において、増幅トランジスタ、駆動トランジスタ及びカレントミラーバイアス回路を形成するトランジスタは、全てバイポーラトランジスタである一方、他の好ましい実施例において、これらトランジスタ全ては電界効果トランジスタである。
【0009】
本発明の更に他の好ましい実施例において、駆動トランジスタの入力端子にカレントミラーを結合する抵抗は、約20から約100Ωの間の値を有してよい。
【0010】
本発明に従う高周波増幅回路は、ネガティブインピーダンスキャンセレーション効果が与えられる一方、特に低バイアス状況下において、電力消費が経済的且つ容易に実施される構成で減少する大幅な改善を提供する。
【0011】
【発明の実施の形態】
本発明のこれら及び他の特徴は、以下に記載される実施例から明白であり、これら実施例を参照して説明される。
【0012】
本発明は、以下の説明を参照し、添付する図と共に読むことで更に完璧に理解される。
【0013】
これら図において、同じ参照番号は一般的に同じ構成部品を指すのに使用される。
【0014】
本発明の第1の実施例に従う高周波増幅回路1の簡略化した概略図を図1に示す。この増幅回路は、駆動トランジスタ12によって駆動される増幅トランジスタ10を含む。この増幅トランジスタは、コモンエミッタの構成で接続され、駆動トランジスタは、コモンコレクタ(エミッタフォロワ)の構成で接続されている。これら増幅トランジスタ及び駆動トランジスタは共に電圧源VCCと接地(GND)との間に結合されている。トランジスタ10のコレクタは、インダクタ14を介してVCCと結合され、結合キャパシタ16を介して端子VOUTに出力信号を供給する。駆動トランジスタ12は、VCCに直接接続されるコレクタ並びに増幅トランジスタ10のベース及びカレントミラー18の出力部に接続されるエミッタを有する。このカレントミラーは以下に詳細に説明される。高周波増幅回路1への入力信号は、入力端子VINから、この入力端子に結合しているキャパシタ20を介してトランジスタ12のベースに供給される。
【0015】
図1の簡略化した回路は、バイアス電圧源22を有するバイアス回路によって完成される。このバイアス電圧源22は、抵抗24及びインダクタ26の直列接続にバイアス電圧VBIASを供給し、このインダクタ26は、駆動トランジスタ12のベースに接続されている。この回路のバイアス部分は、カレントミラー18により完成され、このカレントミラーはトランジスタ28及び30を有し、本発明に従って、抵抗32は、トランジスタ28のコレクタ及びトランジスタ30のベースにおけるカレントミラーの入力部にトランジスタ12のベースを結合するように設けられ、トランジスタ30のコレクタにおけるカレントミラー18の出力部は、トランジスタ12のエミッタ及びトランジスタ10のベースに接続されている。
【0016】
本発明に従って、ネガティブインピーダンスキャンセレーションは、バイアス回路におけるカレントミラー18と共同して抵抗32を用いることで設けられる。抵抗32の上端部におけるカレントミラー18に供給される供給電圧は、駆動トランジスタ12のベースにおけるバイアス電圧に等しいので、抵抗32は低バイアス状況下で電力を消費しない。
【0017】
このようにして、抵抗32は、ネガティブインピーダンスキャンセレーションを与えるだけでなく、カレントミラー18に対する基準電流も決定するという二重の機能を提供する。低バイアス電圧状況下において、トランジスタ12のベースにおいてカレントミラーを活性化するのに不十分な電圧が存在するので、抵抗32を流れる電流は存在せず、そこで損失される電力も存在しない。
【0018】
コモンコレクタ/コモンエミッタの増幅回路(12、10)がトランジスタ12のベースにおいて負の抵抗を示すとき、抵抗32は、ダイオード接続トランジスタ28のインピーダンスとで、抵抗32及びトランジスタ28の結合等価並列抵抗が前記コモンコレクタ/コモンエミッタの増幅回路の負抵抗よりも小さい一方で、この負抵抗を打ち消すことができる。これは、特定回路への応用及び構成部品の特性に依存して、約20から約100Ωの間の抵抗値を抵抗32に供給することにより典型的には達成されることが判っている。
【0019】
本発明の第2の実施例に従って、高周波増幅回路2は簡略化した概略形式で図2に示される。図2に示される一般的な回路構成は、図1に示された構成と同じであり、同じ参照番号は同じ構成部品を示すのに用いられ、従って、図2の同様の部分は詳細に説明されない。図1ではバイポーラトランジスタ(10、12、28、30)である能動部品の全ては、図2ではMOS型の電界効果トランジスタに置き換えられているという点で、図2は図1と異なり、他の点ではこの回路は同じである。明瞭性のために、図1におけるバイポーラトランジスタ10、12、28及び30に対応する4つのトランジスタは、図2においてMOS型の電界効果トランジスタ10a、12a、28a及び30aとして示され、そのように指定される。
【0020】
このようにして、本発明は、ネガティブインピーダンスキャンセレーション効果が達成され、低バイアス状況下において電力消費が減少する高周波増幅回路を供給する。加えて、同じ抵抗がネガティブインピーダンスキャンセレーションに設けられ、この回路のカレントミラー部分に対する基準電流も決定するという点で製造時の節約が達成される。
【0021】
本発明は特に、幾つかの本発明の好ましい実施例を示し、説明される一方、当業者によって、形式及び細部に関する様々な変化を本発明の意図又は目的から逸脱することなく行なわれてもよいと理解される。従って、例えば、異なる型式のトランジスタが用いられてもよいし、回路構成に対する変更が特定の設計条件に適合してもよい。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施例に従う高周波増幅回路の簡略化した概略図を示す。
【図2】本発明の第2の実施例に従う高周波増幅回路の簡略化した概略図を示す。
Claims (5)
- 増幅トランジスタと、駆動トランジスタと、前記駆動トランジスタの入力端子と当該駆動トランジスタの出力端子との間に結合されるカレントミラーバイアス回路と、前記カレントミラーバイアス回路を前記駆動トランジスタの前記入力端子に結合する抵抗とを有し、前記増幅トランジスタは、コモンエミッタ及びコモンソースの構成の一方で接続され、前記駆動トランジスタは、コモンコレクタ及びコモンドレインの構成の対応する一方で接続される高周波増幅回路。
- 前記増幅トランジスタは、コモンエミッタの構成で接続されるバイポーラトランジスタであり、前記駆動トランジスタは、コモンコレクタの構成で接続されるバイポーラトランジスタであり、前記カレントミラーバイアス回路は、バイポーラトランジスタを有する請求項1に記載の高周波増幅回路。
- 前記増幅トランジスタは、コモンソースの構成で接続される電界効果トランジスタであり、前記駆動トランジスタは、コモンドレインの構成で接続される電界効果トランジスタであり、前記カレントミラーバイアス回路は、電界効果トランジスタを有する請求項1に記載の高周波増幅回路。
- 前記抵抗は、約20から約100Ωの間の値を持つ請求項1に記載の高周波増幅回路。
- 前記抵抗は、ネガティブインピーダンスキャンセレーション効果を与える請求項1に記載の高周波増幅回路。
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