JP2002204129A - Ａｍ放送用増幅回路 - Google Patents
Ａｍ放送用増幅回路Info
- Publication number
- JP2002204129A JP2002204129A JP2000400737A JP2000400737A JP2002204129A JP 2002204129 A JP2002204129 A JP 2002204129A JP 2000400737 A JP2000400737 A JP 2000400737A JP 2000400737 A JP2000400737 A JP 2000400737A JP 2002204129 A JP2002204129 A JP 2002204129A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- channel mosfet
- broadcast
- signal
- circuit
- mosfet
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 20
- 230000000452 restraining effect Effects 0.000 abstract 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 13
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 13
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000005236 sound signal Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/189—High frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
- H03F3/19—High frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/195—High frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only in integrated circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/08—Modifications of amplifiers to reduce detrimental influences of internal impedances of amplifying elements
- H03F1/22—Modifications of amplifiers to reduce detrimental influences of internal impedances of amplifying elements by use of cascode coupling, i.e. earthed cathode or emitter stage followed by earthed grid or base stage respectively
- H03F1/223—Modifications of amplifiers to reduce detrimental influences of internal impedances of amplifying elements by use of cascode coupling, i.e. earthed cathode or emitter stage followed by earthed grid or base stage respectively with MOSFET's
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/26—Modifications of amplifiers to reduce influence of noise generated by amplifying elements
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/189—High frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
- H03F3/19—High frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/193—High frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only with field-effect devices
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/189—High frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
- H03F3/19—High frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/193—High frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only with field-effect devices
- H03F3/1935—High frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only with field-effect devices with junction-FET devices
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/324—An amplitude modulator or demodulator being used in the amplifier circuit
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/372—Noise reduction and elimination in amplifier
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/541—Transformer coupled at the output of an amplifier
Abstract
(57)【要約】
【課題】 フリッカ雑音の発生を極力抑えながらＡＭ放
送用のＲＦアンプを他の回路と共に１チップ上に集積化
できるようにする。 【解決手段】 入力されたＡＭ放送信号をＦＥＴにより
増幅して出力するＡＭ放送用増幅回路において、信号増
幅用のＦＥＴを比較的フリッカ雑音の小さいＰチャネル
ＭＯＳＦＥＴ４，５により構成することにより、フリッ
カ雑音のレベルを極力小さく抑えながら、ＡＭ放送用の
ＲＦアンプを含むより多くの回路を１チップ上に集積化
して、回路の小型化と低ノイズ化とを実現できるように
する。
送用のＲＦアンプを他の回路と共に１チップ上に集積化
できるようにする。 【解決手段】 入力されたＡＭ放送信号をＦＥＴにより
増幅して出力するＡＭ放送用増幅回路において、信号増
幅用のＦＥＴを比較的フリッカ雑音の小さいＰチャネル
ＭＯＳＦＥＴ４，５により構成することにより、フリッ
カ雑音のレベルを極力小さく抑えながら、ＡＭ放送用の
ＲＦアンプを含むより多くの回路を１チップ上に集積化
して、回路の小型化と低ノイズ化とを実現できるように
する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はＡＭ放送用増幅回路
に関し、特に、ＡＭ放送を受信するラジオ受信機等の放
送波入力段に使用されるＲＦ（Radio Frequency）アン
プに用いて好適なものである。
に関し、特に、ＡＭ放送を受信するラジオ受信機等の放
送波入力段に使用されるＲＦ（Radio Frequency）アン
プに用いて好適なものである。
【０００２】
【従来の技術】図３に、従来のＡＭ放送受信回路の構成
を示す。図３（ａ）は同調回路形式の構成を示し、図３
（ｂ）は非同調回路形式の構成を示す。図３（ａ）に示
すように、同調回路形式の従来のＡＭ放送受信回路は、
コンデンサ１０１と、抵抗１０２と、信号増幅用のＦＥ
Ｔ（Field Effect Transistor）１０３と、同調回路１
０４と、ＩＣ１０６とから構成されている。このうちコ
ンデンサ１０１、抵抗１０２、信号増幅用ＦＥＴ１０３
および同調回路１０４によってＲＦアンプが構成され
る。
を示す。図３（ａ）は同調回路形式の構成を示し、図３
（ｂ）は非同調回路形式の構成を示す。図３（ａ）に示
すように、同調回路形式の従来のＡＭ放送受信回路は、
コンデンサ１０１と、抵抗１０２と、信号増幅用のＦＥ
Ｔ（Field Effect Transistor）１０３と、同調回路１
０４と、ＩＣ１０６とから構成されている。このうちコ
ンデンサ１０１、抵抗１０２、信号増幅用ＦＥＴ１０３
および同調回路１０４によってＲＦアンプが構成され
る。
【０００３】ここで、コンデンサ１０１は、図示しない
アンテナから入力されるＡＭ放送信号の直流分をカット
するためのものであり、抵抗１０２は、信号増幅用ＦＥ
Ｔ１０３に適当なバイアスを与えるためのものである。
信号増幅用ＦＥＴ１０３は、入力されたＡＭ放送信号を
増幅するものであり、ジャンクションＦＥＴ（接合型電
界効果トランジスタ＝ＪＦＥＴ）により構成される。
アンテナから入力されるＡＭ放送信号の直流分をカット
するためのものであり、抵抗１０２は、信号増幅用ＦＥ
Ｔ１０３に適当なバイアスを与えるためのものである。
信号増幅用ＦＥＴ１０３は、入力されたＡＭ放送信号を
増幅するものであり、ジャンクションＦＥＴ（接合型電
界効果トランジスタ＝ＪＦＥＴ）により構成される。
【０００４】同調回路１０４は、信号増幅用ＦＥＴ１０
３から出力されるＲＦ信号を高周波増幅してＩＣ１０６
に出力するものであり、同調コンデンサＣ１および同調
コイルＬ１，Ｌ２により構成される。この同調回路１０
４の一端は電源Ｖｃｃに接続されている。また、ＩＣ１
０６は、同調回路１０４から出力されたＲＦ増幅信号を
入力し、ミキシング、周波数変換などを含むＡＭ放送受
信に必要な後段の信号処理を行うものである。
３から出力されるＲＦ信号を高周波増幅してＩＣ１０６
に出力するものであり、同調コンデンサＣ１および同調
コイルＬ１，Ｌ２により構成される。この同調回路１０
４の一端は電源Ｖｃｃに接続されている。また、ＩＣ１
０６は、同調回路１０４から出力されたＲＦ増幅信号を
入力し、ミキシング、周波数変換などを含むＡＭ放送受
信に必要な後段の信号処理を行うものである。
【０００５】また、図３（ｂ）に示すように、非同調回
路形式のＡＭ放送受信回路は、コンデンサ１０１と、抵
抗１０２と、信号増幅用ＦＥＴ１０３と、結合コンデン
サ１０５と、ＩＣ１０６と、コイル１０７とから構成さ
れている。このうちコンデンサ１０１、抵抗１０２、信
号増幅用ＦＥＴ１０３、結合コンデンサ１０５およびコ
イル１０７によってＲＦアンプが構成される。
路形式のＡＭ放送受信回路は、コンデンサ１０１と、抵
抗１０２と、信号増幅用ＦＥＴ１０３と、結合コンデン
サ１０５と、ＩＣ１０６と、コイル１０７とから構成さ
れている。このうちコンデンサ１０１、抵抗１０２、信
号増幅用ＦＥＴ１０３、結合コンデンサ１０５およびコ
イル１０７によってＲＦアンプが構成される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】近年、2.4ＧＨｚ帯や
５ＧＨｚ帯などの高周波信号を扱う無線端末において、
ＲＦ回路の集積化が進められ、これまでアナログの個別
部品としてチップ外に実装されていたＲＦ回路をＣＭＯ
Ｓ技術により１チップにまとめたＬＳＩが開発されてい
る。同様に、７６Ｍ〜９０ＭＨｚの周波数帯を使用する
ＦＭ放送の受信機においても、ＲＦ回路をＣＭＯＳ技術
で集積したＬＳＩが開発されている。これらの１チップ
に集積されるＲＦ回路の中には、ＲＦアンプも含まれて
いる。
５ＧＨｚ帯などの高周波信号を扱う無線端末において、
ＲＦ回路の集積化が進められ、これまでアナログの個別
部品としてチップ外に実装されていたＲＦ回路をＣＭＯ
Ｓ技術により１チップにまとめたＬＳＩが開発されてい
る。同様に、７６Ｍ〜９０ＭＨｚの周波数帯を使用する
ＦＭ放送の受信機においても、ＲＦ回路をＣＭＯＳ技術
で集積したＬＳＩが開発されている。これらの１チップ
に集積されるＲＦ回路の中には、ＲＦアンプも含まれて
いる。
【０００７】これに対して、ＡＭ放送の受信機では、図
３に示したように、ＲＦアンプに接合型（バイポーラ
型）のＪＦＥＴ１０３を用いており、その製造プロセス
がＣＭＯＳ技術と異なるため、ＡＭ放送用のＲＦアンプ
は依然としてＩＣ１０６のチップ外に個別部品として実
装されていた。これは、ＭＯＳ半導体の内部で発生する
フリッカ雑音（１／ｆ雑音）の影響を考慮してのことで
ある。
３に示したように、ＲＦアンプに接合型（バイポーラ
型）のＪＦＥＴ１０３を用いており、その製造プロセス
がＣＭＯＳ技術と異なるため、ＡＭ放送用のＲＦアンプ
は依然としてＩＣ１０６のチップ外に個別部品として実
装されていた。これは、ＭＯＳ半導体の内部で発生する
フリッカ雑音（１／ｆ雑音）の影響を考慮してのことで
ある。
【０００８】すなわち、フリッカ雑音は、そのノイズレ
ベルが周波数に反比例するため、高周波信号を扱う無線
端末の場合は、ＣＭＯＳ回路によりＲＦアンプを構成し
てもほとんどフリッカ雑音は発生しない。ところが、５
３０Ｋ〜１７１０ＫＨｚの中波帯、１５３Ｋ〜２７９Ｋ
Ｈｚの長波帯などの低周波信号を使うＡＭ放送の受信機
では、その周波数帯がまだフリッカ雑音成分の大きい領
域にあるので、ＣＭＯＳ回路によりＲＦアンプを構成す
ることは好ましくない。
ベルが周波数に反比例するため、高周波信号を扱う無線
端末の場合は、ＣＭＯＳ回路によりＲＦアンプを構成し
てもほとんどフリッカ雑音は発生しない。ところが、５
３０Ｋ〜１７１０ＫＨｚの中波帯、１５３Ｋ〜２７９Ｋ
Ｈｚの長波帯などの低周波信号を使うＡＭ放送の受信機
では、その周波数帯がまだフリッカ雑音成分の大きい領
域にあるので、ＣＭＯＳ回路によりＲＦアンプを構成す
ることは好ましくない。
【０００９】そのために、従来は、ＲＦアンプにＪＦＥ
Ｔ１０３が用いられてきた。また、ＪＦＥＴ１０３に更
にバイポーラトランジスタを組み合わせて構成したＲＦ
アンプも用いられてきた。しかしながら、これら従来の
技術では、ＲＦアンプを他のＲＦ回路等と共に１チップ
に集積化することができず、その結果として、高周波無
線端末のように回路全体を小型化することができないと
いう問題があった。
Ｔ１０３が用いられてきた。また、ＪＦＥＴ１０３に更
にバイポーラトランジスタを組み合わせて構成したＲＦ
アンプも用いられてきた。しかしながら、これら従来の
技術では、ＲＦアンプを他のＲＦ回路等と共に１チップ
に集積化することができず、その結果として、高周波無
線端末のように回路全体を小型化することができないと
いう問題があった。
【００１０】本発明は、このような問題を解決するため
に成されたものであり、フリッカ雑音の発生を極力抑え
ながらＡＭ放送用のＲＦアンプを他の回路と共に１チッ
プ上に集積化し、回路全体の小型化と低ノイズ化とを実
現できるようにすることを目的とする。
に成されたものであり、フリッカ雑音の発生を極力抑え
ながらＡＭ放送用のＲＦアンプを他の回路と共に１チッ
プ上に集積化し、回路全体の小型化と低ノイズ化とを実
現できるようにすることを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明のＡＭ放送用増幅
回路は、入力されたＡＭ放送信号をＦＥＴにより増幅し
て出力するＡＭ放送用増幅回路において、上記ＦＥＴを
ＰチャネルＭＯＳＦＥＴにより構成したことを特徴とす
る。
回路は、入力されたＡＭ放送信号をＦＥＴにより増幅し
て出力するＡＭ放送用増幅回路において、上記ＦＥＴを
ＰチャネルＭＯＳＦＥＴにより構成したことを特徴とす
る。
【００１２】本発明の他の態様では、上記ＰチャネルＭ
ＯＳＦＥＴは、上記入力されたＡＭ放送信号を増幅する
ための第１のＰチャネルＭＯＳＦＥＴと、上記第１のＰ
チャネルＭＯＳＦＥＴから出力される信号をＡＧＣ制御
するための第２のＰチャネルＭＯＳＦＥＴとを含むこと
を特徴とする。
ＯＳＦＥＴは、上記入力されたＡＭ放送信号を増幅する
ための第１のＰチャネルＭＯＳＦＥＴと、上記第１のＰ
チャネルＭＯＳＦＥＴから出力される信号をＡＧＣ制御
するための第２のＰチャネルＭＯＳＦＥＴとを含むこと
を特徴とする。
【００１３】本発明のその他の態様では、入力されたＡ
Ｍ放送信号を増幅するための第１のＰチャネルＭＯＳＦ
ＥＴと、上記第１のＰチャネルＭＯＳＦＥＴから出力さ
れる信号をＡＧＣ制御するための第２のＰチャネルＭＯ
ＳＦＥＴと、上記第２のＰチャネルＭＯＳＦＥＴから出
力される信号を高周波増幅して出力する同調回路とを備
えたことを特徴とする。
Ｍ放送信号を増幅するための第１のＰチャネルＭＯＳＦ
ＥＴと、上記第１のＰチャネルＭＯＳＦＥＴから出力さ
れる信号をＡＧＣ制御するための第２のＰチャネルＭＯ
ＳＦＥＴと、上記第２のＰチャネルＭＯＳＦＥＴから出
力される信号を高周波増幅して出力する同調回路とを備
えたことを特徴とする。
【００１４】本発明のその他の態様では、入力されるＡ
Ｍ放送信号の直流分をカットするためのコンデンサと、
上記コンデンサから出力されるＡＭ放送信号を増幅する
ための第１のＰチャネルＭＯＳＦＥＴと、上記第１のＰ
チャネルＭＯＳＦＥＴに適当なバイアスを与えるための
抵抗と、上記第１のＰチャネルＭＯＳＦＥＴから出力さ
れる信号をＡＧＣ制御するための第２のＰチャネルＭＯ
ＳＦＥＴと、上記第２のＰチャネルＭＯＳＦＥＴから出
力される信号を高周波増幅して出力する同調回路とを備
えたことを特徴とする。
Ｍ放送信号の直流分をカットするためのコンデンサと、
上記コンデンサから出力されるＡＭ放送信号を増幅する
ための第１のＰチャネルＭＯＳＦＥＴと、上記第１のＰ
チャネルＭＯＳＦＥＴに適当なバイアスを与えるための
抵抗と、上記第１のＰチャネルＭＯＳＦＥＴから出力さ
れる信号をＡＧＣ制御するための第２のＰチャネルＭＯ
ＳＦＥＴと、上記第２のＰチャネルＭＯＳＦＥＴから出
力される信号を高周波増幅して出力する同調回路とを備
えたことを特徴とする。
【００１５】本発明のその他の態様では、上記第１のＰ
チャネルＭＯＳＦＥＴと上記第２のＰチャネルＭＯＳＦ
ＥＴとをカスコード接続したことを特徴とする。
チャネルＭＯＳＦＥＴと上記第２のＰチャネルＭＯＳＦ
ＥＴとをカスコード接続したことを特徴とする。
【００１６】本発明のその他の態様では、上記Ｐチャネ
ルＭＯＳＦＥＴのチャネル面積を所定値よりも大きくし
たことを特徴とする。
ルＭＯＳＦＥＴのチャネル面積を所定値よりも大きくし
たことを特徴とする。
【００１７】上記のように構成した本発明によれば、Ｎ
チャネルＭＯＳＦＥＴに比べて低周波領域でもフリッカ
雑音が小さいＰチャネルＭＯＳＦＥＴによりＡＭ放送用
のＲＦアンプが構成されるので、フリッカ雑音のレベル
をできるだけ小さく抑えながら、ＡＭ放送用のＲＦアン
プを含むより多くの回路をＭＯＳ構造にて１チップに集
積することが可能となる。
チャネルＭＯＳＦＥＴに比べて低周波領域でもフリッカ
雑音が小さいＰチャネルＭＯＳＦＥＴによりＡＭ放送用
のＲＦアンプが構成されるので、フリッカ雑音のレベル
をできるだけ小さく抑えながら、ＡＭ放送用のＲＦアン
プを含むより多くの回路をＭＯＳ構造にて１チップに集
積することが可能となる。
【００１８】また、本発明の他の特徴によれば、Ｐチャ
ネルＭＯＳＦＥＴのチャネル面積を大きくとることによ
り、フリッカ雑音のレベルを更に小さく抑制することが
可能となる。
ネルＭＯＳＦＥＴのチャネル面積を大きくとることによ
り、フリッカ雑音のレベルを更に小さく抑制することが
可能となる。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態を図面
に基づいて説明する。図１は、本実施形態によるＡＭ放
送用増幅回路の構成を示す図である。図１に示すよう
に、本実施形態のＡＭ放送用増幅回路は、コンデンサ１
と、抵抗２，３と、第１のＰチャネルＭＯＳＦＥＴ４
と、第２のＰチャネルＭＯＳＦＥＴ５と、同調回路６と
を備えて構成される。
に基づいて説明する。図１は、本実施形態によるＡＭ放
送用増幅回路の構成を示す図である。図１に示すよう
に、本実施形態のＡＭ放送用増幅回路は、コンデンサ１
と、抵抗２，３と、第１のＰチャネルＭＯＳＦＥＴ４
と、第２のＰチャネルＭＯＳＦＥＴ５と、同調回路６と
を備えて構成される。
【００２０】ここで、コンデンサ１は、図示しないアン
テナから入力されるＡＭ放送信号の直流分をカットする
ためのものである。また、抵抗２，３は、第１のＰ−Ｍ
ＯＳＦＥＴ４に適当なバイアスを与えるためのものであ
り、電源Ｖｃｃとグランドとの間に直列に接続され、そ
の中間ノードにコンデンサ１が接続されている。
テナから入力されるＡＭ放送信号の直流分をカットする
ためのものである。また、抵抗２，３は、第１のＰ−Ｍ
ＯＳＦＥＴ４に適当なバイアスを与えるためのものであ
り、電源Ｖｃｃとグランドとの間に直列に接続され、そ
の中間ノードにコンデンサ１が接続されている。
【００２１】第１のＰ−ＭＯＳＦＥＴ４は、コンデンサ
１より出力されたＡＭ放送信号を増幅するためのもので
ある。そのゲートは抵抗２，３の中間ノードにあるコン
デンサ１に接続され、ソースは電源Ｖｃｃに接続され、
ドレインは第２のＰ−ＭＯＳＦＥＴ５のソースに接続さ
れている。
１より出力されたＡＭ放送信号を増幅するためのもので
ある。そのゲートは抵抗２，３の中間ノードにあるコン
デンサ１に接続され、ソースは電源Ｖｃｃに接続され、
ドレインは第２のＰ−ＭＯＳＦＥＴ５のソースに接続さ
れている。
【００２２】第２のＰ−ＭＯＳＦＥＴ５は、第１のＰ−
ＭＯＳＦＥＴ４から出力されるＲＦ信号をＡＧＣ（Auto
Gain Control）制御するためのものである。そのゲー
トはＡＧＣ電圧の電源に接続され、ソースは第１のＰ−
ＭＯＳＦＥＴ４のドレインに接続され、ドレインは同調
回路６に接続されている。なお、第２のＰ−ＭＯＳＦＥ
Ｔ５のゲートに接続される電源は、必ずしもＡＧＣ電圧
の電源である必要はなく、固定電圧の電源であっても良
い。
ＭＯＳＦＥＴ４から出力されるＲＦ信号をＡＧＣ（Auto
Gain Control）制御するためのものである。そのゲー
トはＡＧＣ電圧の電源に接続され、ソースは第１のＰ−
ＭＯＳＦＥＴ４のドレインに接続され、ドレインは同調
回路６に接続されている。なお、第２のＰ−ＭＯＳＦＥ
Ｔ５のゲートに接続される電源は、必ずしもＡＧＣ電圧
の電源である必要はなく、固定電圧の電源であっても良
い。
【００２３】同調回路６は、第２のＰ−ＭＯＳＦＥＴ５
から出力されるＡＧＣ制御されたＲＦ信号を高周波増幅
して出力するものであり、同調コンデンサＣ１および同
調コイルＬ１，Ｌ２により構成される。この同調回路６
は、その一端が第２のＰ−ＭＯＳＦＥＴ５のドレインに
接続されるとともに、他端がグランドに接続されてい
る。
から出力されるＡＧＣ制御されたＲＦ信号を高周波増幅
して出力するものであり、同調コンデンサＣ１および同
調コイルＬ１，Ｌ２により構成される。この同調回路６
は、その一端が第２のＰ−ＭＯＳＦＥＴ５のドレインに
接続されるとともに、他端がグランドに接続されてい
る。
【００２４】以上の構成から成る本実施形態のＡＭ放送
用増幅回路は、ミキシング、周波数変換などを含むＡＭ
放送受信に必要な後段の信号処理を行う回路と共に１チ
ップ内に集積化されており、同調回路６の出力信号は、
例えば図示しないミキサ段に供給される。
用増幅回路は、ミキシング、周波数変換などを含むＡＭ
放送受信に必要な後段の信号処理を行う回路と共に１チ
ップ内に集積化されており、同調回路６の出力信号は、
例えば図示しないミキサ段に供給される。
【００２５】次に、上記のように構成したＡＭ放送用増
幅回路の動作を説明する。まず、図示しないアンテナよ
り入力したＡＭ放送信号の直流分をコンデンサ１でカッ
トし、その出力信号を第１のＰ−ＭＯＳＦＥＴ４で増幅
する。そして、第１のＰ−ＭＯＳＦＥＴ４より出力され
たＲＦ信号を第２のＰ−ＭＯＳＦＥＴ５で一定のレベル
にＡＧＣ制御して、同調回路６に出力する。
幅回路の動作を説明する。まず、図示しないアンテナよ
り入力したＡＭ放送信号の直流分をコンデンサ１でカッ
トし、その出力信号を第１のＰ−ＭＯＳＦＥＴ４で増幅
する。そして、第１のＰ−ＭＯＳＦＥＴ４より出力され
たＲＦ信号を第２のＰ−ＭＯＳＦＥＴ５で一定のレベル
にＡＧＣ制御して、同調回路６に出力する。
【００２６】このように、本実施形態においては、信号
増幅用の第１のＰ−ＭＯＳＦＥＴ４とＡＧＣ制御用の第
２のＰ−ＭＯＳＦＥＴ５とをカスコード接続し、ＡＭ放
送信号をカスコード増幅している。これにより、電極間
静電容量を少なくして出力から入力への帰還を大幅に減
らすことができ、これによって優れた高周波特性を得る
ことができる。また、このカスコード接続は、ＡＧＣ制
御に適するばかりでなく、回路の安定度を高めることも
できる。
増幅用の第１のＰ−ＭＯＳＦＥＴ４とＡＧＣ制御用の第
２のＰ−ＭＯＳＦＥＴ５とをカスコード接続し、ＡＭ放
送信号をカスコード増幅している。これにより、電極間
静電容量を少なくして出力から入力への帰還を大幅に減
らすことができ、これによって優れた高周波特性を得る
ことができる。また、このカスコード接続は、ＡＧＣ制
御に適するばかりでなく、回路の安定度を高めることも
できる。
【００２７】さらに、同調回路６は、第２のＰ−ＭＯＳ
ＦＥＴ５から出力された一定レベルのＲＦ信号を高周波
増幅して、次段の図示しないミキサに出力する。ミキサ
や周波数変換部を含む以降の信号処理回路（図示せず）
では、ＡＭ放送受信に必要な残りの処理を行って入力信
号の選局を行うとともに、出力段において増幅、検波な
どを行って音声信号として出力する。
ＦＥＴ５から出力された一定レベルのＲＦ信号を高周波
増幅して、次段の図示しないミキサに出力する。ミキサ
や周波数変換部を含む以降の信号処理回路（図示せず）
では、ＡＭ放送受信に必要な残りの処理を行って入力信
号の選局を行うとともに、出力段において増幅、検波な
どを行って音声信号として出力する。
【００２８】図２は、本実施形態のＡＭ放送用増幅回路
に用いているＰ−ＭＯＳＦＥＴおよびその他のＭＯＳＦ
ＥＴのフリッカ雑音の特性を示す図である。図２に示す
ように、ＭＯＳ半導体の内部雑音であるフリッカ雑音
は、そのノイズレベルが周波数に反比例して大きくな
る。したがって、扱う信号がＡＭ放送のような低周波信
号の場合にＲＦアンプをＭＯＳ回路で構成すると、ノイ
ズレベルはＪＦＥＴを用いる場合に比べて大きくなる。
に用いているＰ−ＭＯＳＦＥＴおよびその他のＭＯＳＦ
ＥＴのフリッカ雑音の特性を示す図である。図２に示す
ように、ＭＯＳ半導体の内部雑音であるフリッカ雑音
は、そのノイズレベルが周波数に反比例して大きくな
る。したがって、扱う信号がＡＭ放送のような低周波信
号の場合にＲＦアンプをＭＯＳ回路で構成すると、ノイ
ズレベルはＪＦＥＴを用いる場合に比べて大きくなる。
【００２９】しかし、Ｎ−ＭＯＳＦＥＴとＰ−ＭＯＳＦ
ＥＴとを比較した場合、Ｐ−ＭＯＳＦＥＴはＮ−ＭＯＳ
ＦＥＴに比べて低周波領域でもノイズレベルが小さくな
っている。本実施形態では、信号増幅用およびＡＧＣ制
御用のＦＥＴ４，５を、Ｎ−ＭＯＳでもＣＭＯＳでもな
いＰ−ＭＯＳＦＥＴだけを用いて構成しているので、フ
リッカ雑音のレベルを比較的小さく抑えることができ
る。
ＥＴとを比較した場合、Ｐ−ＭＯＳＦＥＴはＮ−ＭＯＳ
ＦＥＴに比べて低周波領域でもノイズレベルが小さくな
っている。本実施形態では、信号増幅用およびＡＧＣ制
御用のＦＥＴ４，５を、Ｎ−ＭＯＳでもＣＭＯＳでもな
いＰ−ＭＯＳＦＥＴだけを用いて構成しているので、フ
リッカ雑音のレベルを比較的小さく抑えることができ
る。
【００３０】しかも、Ｐ−ＭＯＳ技術とＣＭＯＳ技術で
はその製造プロセスが同じであるため、本実施形態の増
幅回路を含むＡＭ放送用のＲＦ回路全体を１チップに集
積化することができ、回路全体の小型化を実現すること
ができる。また、同じＭＯＳプロセスでＲＦ回路の全体
を製造することができるので、製造工程を簡略化して製
造コストを削減することもできる。もちろん、ＲＦ回路
だけでなく、その後段のベースバンド回路なども１チッ
プ内にまとめて集積化することも可能である。
はその製造プロセスが同じであるため、本実施形態の増
幅回路を含むＡＭ放送用のＲＦ回路全体を１チップに集
積化することができ、回路全体の小型化を実現すること
ができる。また、同じＭＯＳプロセスでＲＦ回路の全体
を製造することができるので、製造工程を簡略化して製
造コストを削減することもできる。もちろん、ＲＦ回路
だけでなく、その後段のベースバンド回路なども１チッ
プ内にまとめて集積化することも可能である。
【００３１】次に、フリッカ雑音を更に小さくするため
の工夫を以下に説明する。第１および第２のＰ−ＭＯＳ
ＦＥＴ４，５において、電流（あるいはキャリア）が流
れる通路であるチャネルの面積を大きくすることによ
り、フリッカ雑音をより小さく抑制することができる。
の工夫を以下に説明する。第１および第２のＰ−ＭＯＳ
ＦＥＴ４，５において、電流（あるいはキャリア）が流
れる通路であるチャネルの面積を大きくすることによ
り、フリッカ雑音をより小さく抑制することができる。
【００３２】この場合、ＦＥＴのチャネル幅、チャネル
長の何れか一方だけを大きくとっても良いが、両方とも
大きくとるのが好ましい。現在、高周波信号を扱う無線
端末のＲＦアンプをＣＭＯＳ回路で実装する場合、ＭＯ
ＳＦＥＴのチャネル幅、チャネル長として0.7μｍ×1.5
μｍ、0.6μｍ×1.4μｍ、0.2μｍ×1.0μｍ程度のもの
が用いられているが、本実施形態のＡＭ放送用のＲＦア
ンプとしては、チャネル面積がこれより大きなサイズの
Ｐ−ＭＯＳＦＥＴ４，５を用いることが好ましい。例え
ば、チャネル幅を1000μｍ、チャネル長を２μｍとする
ことが可能である。
長の何れか一方だけを大きくとっても良いが、両方とも
大きくとるのが好ましい。現在、高周波信号を扱う無線
端末のＲＦアンプをＣＭＯＳ回路で実装する場合、ＭＯ
ＳＦＥＴのチャネル幅、チャネル長として0.7μｍ×1.5
μｍ、0.6μｍ×1.4μｍ、0.2μｍ×1.0μｍ程度のもの
が用いられているが、本実施形態のＡＭ放送用のＲＦア
ンプとしては、チャネル面積がこれより大きなサイズの
Ｐ−ＭＯＳＦＥＴ４，５を用いることが好ましい。例え
ば、チャネル幅を1000μｍ、チャネル長を２μｍとする
ことが可能である。
【００３３】なお、以上に説明した実施形態は、本発明
を実施するにあたっての具体化の一例を示したものに過
ぎず、これによって本発明の技術的範囲が限定的に解釈
されてはならないものである。すなわち、本発明はその
精神、またはその主要な特徴から逸脱することなく、様
々な形で実施することができる。例えば、本発明は同調
回路形式だけでなく、非同調回路形式にも適用すること
が可能である。
を実施するにあたっての具体化の一例を示したものに過
ぎず、これによって本発明の技術的範囲が限定的に解釈
されてはならないものである。すなわち、本発明はその
精神、またはその主要な特徴から逸脱することなく、様
々な形で実施することができる。例えば、本発明は同調
回路形式だけでなく、非同調回路形式にも適用すること
が可能である。
【００３４】
【発明の効果】以上詳しく説明したように、本発明によ
れば、フリッカ雑音のレベルを極力小さく抑えながら、
ＡＭ放送用のＲＦアンプを含むより多くの回路を１チッ
プ上に集積化することができ、回路の小型化と低ノイズ
化とを実現することができる。また、ＰチャネルＭＯＳ
ＦＥＴのチャネル面積を大きくとることにより、フリッ
カ雑音のレベルを更に小さく抑制することができる。
れば、フリッカ雑音のレベルを極力小さく抑えながら、
ＡＭ放送用のＲＦアンプを含むより多くの回路を１チッ
プ上に集積化することができ、回路の小型化と低ノイズ
化とを実現することができる。また、ＰチャネルＭＯＳ
ＦＥＴのチャネル面積を大きくとることにより、フリッ
カ雑音のレベルを更に小さく抑制することができる。
【図１】本実施形態によるＡＭ放送用増幅回路の構成例
を示す図である。
を示す図である。
【図２】フリッカ雑音の特性を示す図である。
【図３】従来のＡＭ放送受信回路の構成を示す図であ
る。
る。
１ コンデンサ ２，３抵抗 ４ 信号増幅用の第１のＰチャネルＭＯＳＦＥＴ ５ ＡＧＣ制御用の第２のＰチャネルＭＯＳＦＥＴ ６ 同調回路
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5J092 AA01 AA13 CA41 CA91 FA15 FA16 HA10 HA16 HA25 HA29 HA30 HA35 KA13 KA44 KA47 MA17 MA21 QA01 SA01 TA03 UR02 UR13 VL03 VL05 VL07 5K061 AA01 AA10 BB03 CC08 CC18 CC52 JJ02
Claims (6)
- 【請求項１】 入力されたＡＭ放送信号をＦＥＴにより
増幅して出力するＡＭ放送用増幅回路において、 上記ＦＥＴをＰチャネルＭＯＳＦＥＴにより構成したこ
とを特徴とするＡＭ放送用増幅回路。 - 【請求項２】 上記ＰチャネルＭＯＳＦＥＴは、上記入
力されたＡＭ放送信号を増幅するための第１のＰチャネ
ルＭＯＳＦＥＴと、 上記第１のＰチャネルＭＯＳＦＥＴから出力される信号
をＡＧＣ制御するための第２のＰチャネルＭＯＳＦＥＴ
とを含むことを特徴とする請求項１に記載のＡＭ放送用
増幅回路。 - 【請求項３】 入力されたＡＭ放送信号を増幅するため
の第１のＰチャネルＭＯＳＦＥＴと、 上記第１のＰチャネルＭＯＳＦＥＴから出力される信号
をＡＧＣ制御するための第２のＰチャネルＭＯＳＦＥＴ
と、 上記第２のＰチャネルＭＯＳＦＥＴから出力される信号
を高周波増幅して出力する同調回路とを備えたことを特
徴とするＡＭ放送用増幅回路。 - 【請求項４】 入力されるＡＭ放送信号の直流分をカッ
トするためのコンデンサと、 上記コンデンサから出力されるＡＭ放送信号を増幅する
ための第１のＰチャネルＭＯＳＦＥＴと、 上記第１のＰチャネルＭＯＳＦＥＴに適当なバイアスを
与えるための抵抗と、 上記第１のＰチャネルＭＯＳＦＥＴから出力される信号
をＡＧＣ制御するための第２のＰチャネルＭＯＳＦＥＴ
と、 上記第２のＰチャネルＭＯＳＦＥＴから出力される信号
を高周波増幅して出力する同調回路とを備えたことを特
徴とするＡＭ放送用増幅回路。 - 【請求項５】 上記第１のＰチャネルＭＯＳＦＥＴと上
記第２のＰチャネルＭＯＳＦＥＴとをカスコード接続し
たことを特徴とする請求項２〜４の何れか１項に記載の
ＡＭ放送用増幅回路。 - 【請求項６】 上記ＰチャネルＭＯＳＦＥＴのチャネル
面積を所定値よりも大きくしたことを特徴とする請求項
１〜５の何れか１項に記載のＡＭ放送用増幅回路。
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000400737A JP2002204129A (ja) | 2000-12-28 | 2000-12-28 | Ａｍ放送用増幅回路 |
| EP01272899A EP1349267B1 (en) | 2000-12-28 | 2001-12-27 | Amplifier circuit for am broadcasing |
| DE60127453T DE60127453T2 (de) | 2000-12-28 | 2001-12-27 | Verstärkerschaltung für am-rundfunk |
| PCT/JP2001/011552 WO2002054582A1 (fr) | 2000-12-28 | 2001-12-27 | Circuit d'amplificateur pour diffusion am |
| CNB018213529A CN100490306C (zh) | 2000-12-28 | 2001-12-27 | 调幅广播用放大电路 |
| TW090132926A TW522662B (en) | 2000-12-28 | 2001-12-28 | Amplifier circuit for AM broadcasting |
| US10/606,964 US6753736B2 (en) | 2000-12-28 | 2003-06-27 | Amplifier circuit for AM broadcasting |
| US10/708,339 US7038548B2 (en) | 2000-12-28 | 2004-02-25 | Amplifier circuit for AM broadcasting |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000400737A JP2002204129A (ja) | 2000-12-28 | 2000-12-28 | Ａｍ放送用増幅回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002204129A true JP2002204129A (ja) | 2002-07-19 |
Family
ID=18865267
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000400737A Pending JP2002204129A (ja) | 2000-12-28 | 2000-12-28 | Ａｍ放送用増幅回路 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6753736B2 (ja) |
| EP (1) | EP1349267B1 (ja) |
| JP (1) | JP2002204129A (ja) |
| CN (1) | CN100490306C (ja) |
| DE (1) | DE60127453T2 (ja) |
| TW (1) | TW522662B (ja) |
| WO (1) | WO2002054582A1 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003003561A1 (fr) * | 2001-06-29 | 2003-01-09 | Niigata Seimitsu Co., Ltd. | Circuit melangeur de frequences |
| WO2004006429A1 (ja) * | 2002-07-08 | 2004-01-15 | Kabushiki Kaisha Toyota Jidoshokki | 半導体集積回路及び半導体集積回路の製造方法 |
| JP2009135938A (ja) * | 2008-12-29 | 2009-06-18 | Seiko Epson Corp | アナログ回路及び電子機器 |
| US7567784B2 (en) | 2005-07-05 | 2009-07-28 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Tuner, broadcast signal processing apparatus comprising the same, and broadcast signal processing method |
| JPWO2015190030A1 (ja) * | 2014-06-12 | 2017-04-20 | 富士電機株式会社 | 演算増幅器及びこれを使用したチャージアンプ |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20040232982A1 (en) * | 2002-07-19 | 2004-11-25 | Ikuroh Ichitsubo | RF front-end module for wireless communication devices |
| JP2009206554A (ja) * | 2008-02-26 | 2009-09-10 | Nsc Co Ltd | Ａｍ放送受信回路 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60229430A (ja) * | 1984-04-26 | 1985-11-14 | Nec Ic Microcomput Syst Ltd | Ａｍ受信機 |
| JPH0226420B2 (ja) * | 1980-08-07 | 1990-06-11 | Fujitsu Ten Ltd | |
| JPH0621842A (ja) * | 1992-06-29 | 1994-01-28 | Mitsumi Electric Co Ltd | Ａｍ電子同調チューナ |
| JPH08186253A (ja) * | 1994-12-27 | 1996-07-16 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 低雑音半導体装置およびその製造方法 |
| JPH0993051A (ja) * | 1995-09-22 | 1997-04-04 | Denso Corp | 差動増幅回路 |
| JPH10227692A (ja) * | 1997-02-18 | 1998-08-25 | Nec Corp | 半導体装置のノイズ低減方法 |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3510788A (en) * | 1967-01-09 | 1970-05-05 | Motorola Inc | Self-oscillating fm detector using field-effect transistors |
| JPS4424965B1 (ja) * | 1967-08-02 | 1969-10-22 | ||
| US4037167A (en) * | 1975-08-13 | 1977-07-19 | Hastings Kingsley N | Automatic gain control amplifier |
| US4277757A (en) * | 1979-12-05 | 1981-07-07 | General Motors Corporation | Two stage RF amplifier |
| US4409557A (en) * | 1981-04-23 | 1983-10-11 | Rca Corporation | Bandpass filter with an active element |
| US4520324A (en) * | 1983-03-11 | 1985-05-28 | National Semiconductor Corporation | MOS Gain controlled amplifier |
| JPS6022904A (ja) * | 1983-07-19 | 1985-02-05 | Tsuchiya Mfg Co Ltd | 流体処理用の精密フイルタ |
| US4590613A (en) * | 1983-12-23 | 1986-05-20 | Rca Corporation | Bipolar AGC with RF transistor DC bias point stabilization |
| JP2810601B2 (ja) * | 1992-09-24 | 1998-10-15 | ローム株式会社 | Ｆｍ／ａｍ受信回路 |
| US5339048A (en) * | 1993-05-03 | 1994-08-16 | Motorola, Inc. | Radio frequency amplifier |
| CN1199960A (zh) * | 1998-05-11 | 1998-11-25 | 韩京德 | 高效节能自感应全波段收音机 |
| US6587670B1 (en) * | 1998-12-22 | 2003-07-01 | Harris Corporation | Dual mode class D amplifiers |
| US6417734B1 (en) * | 2000-06-26 | 2002-07-09 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | High-frequency amplifier circuit with negative impedance cancellation |
| US6509799B1 (en) * | 2000-11-09 | 2003-01-21 | Intel Corporation | Electrically tuned integrated amplifier for wireless communications |
| US6636119B2 (en) * | 2000-12-21 | 2003-10-21 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Compact cascode radio frequency CMOS power amplifier |
-
2000
- 2000-12-28 JP JP2000400737A patent/JP2002204129A/ja active Pending
-
2001
- 2001-12-27 EP EP01272899A patent/EP1349267B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-12-27 CN CNB018213529A patent/CN100490306C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2001-12-27 DE DE60127453T patent/DE60127453T2/de not_active Expired - Fee Related
- 2001-12-27 WO PCT/JP2001/011552 patent/WO2002054582A1/ja active IP Right Grant
- 2001-12-28 TW TW090132926A patent/TW522662B/zh not_active IP Right Cessation
-
2003
- 2003-06-27 US US10/606,964 patent/US6753736B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2004
- 2004-02-25 US US10/708,339 patent/US7038548B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0226420B2 (ja) * | 1980-08-07 | 1990-06-11 | Fujitsu Ten Ltd | |
| JPS60229430A (ja) * | 1984-04-26 | 1985-11-14 | Nec Ic Microcomput Syst Ltd | Ａｍ受信機 |
| JPH0621842A (ja) * | 1992-06-29 | 1994-01-28 | Mitsumi Electric Co Ltd | Ａｍ電子同調チューナ |
| JPH08186253A (ja) * | 1994-12-27 | 1996-07-16 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 低雑音半導体装置およびその製造方法 |
| JPH0993051A (ja) * | 1995-09-22 | 1997-04-04 | Denso Corp | 差動増幅回路 |
| JPH10227692A (ja) * | 1997-02-18 | 1998-08-25 | Nec Corp | 半導体装置のノイズ低減方法 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003003561A1 (fr) * | 2001-06-29 | 2003-01-09 | Niigata Seimitsu Co., Ltd. | Circuit melangeur de frequences |
| WO2004006429A1 (ja) * | 2002-07-08 | 2004-01-15 | Kabushiki Kaisha Toyota Jidoshokki | 半導体集積回路及び半導体集積回路の製造方法 |
| US7567784B2 (en) | 2005-07-05 | 2009-07-28 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Tuner, broadcast signal processing apparatus comprising the same, and broadcast signal processing method |
| JP2009135938A (ja) * | 2008-12-29 | 2009-06-18 | Seiko Epson Corp | アナログ回路及び電子機器 |
| JPWO2015190030A1 (ja) * | 2014-06-12 | 2017-04-20 | 富士電機株式会社 | 演算増幅器及びこれを使用したチャージアンプ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6753736B2 (en) | 2004-06-22 |
| CN1483239A (zh) | 2004-03-17 |
| US7038548B2 (en) | 2006-05-02 |
| EP1349267B1 (en) | 2007-03-21 |
| DE60127453T2 (de) | 2007-07-12 |
| CN100490306C (zh) | 2009-05-20 |
| EP1349267A4 (en) | 2004-10-06 |
| WO2002054582A1 (fr) | 2002-07-11 |
| EP1349267A1 (en) | 2003-10-01 |
| TW522662B (en) | 2003-03-01 |
| US20040164806A1 (en) | 2004-08-26 |
| US20040066237A1 (en) | 2004-04-08 |
| DE60127453D1 (de) | 2007-05-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7215201B2 (en) | Integrated circuit having a low power, gain-enhanced, low noise amplifying circuit | |
| US8031006B1 (en) | Method and apparatus for an LNA with high linearity and improved gain control | |
| TW200816622A (en) | AM loop antenna input circuit and AM radio receiver using the same | |
| US7801504B2 (en) | Common-gate common-source transconductance stage for RF downconversion mixer | |
| JP2005520372A (ja) | 高性能ＢｉＦＥＴ低雑音増幅器 | |
| KR100827893B1 (ko) | 모스 전계효과 트랜지스터의 증폭도 및 잡음도 개선회로 및이를 이용한 주파수 혼합기, 증폭기 및 발진기 | |
| JP2002204129A (ja) | Ａｍ放送用増幅回路 | |
| Stanic et al. | A 0.5 V 900 MHz CMOS receiver front end | |
| JPH05259766A (ja) | 可変利得増幅器を具える集積回路 | |
| JP2000134046A (ja) | 電流増幅器 | |
| JP4255703B2 (ja) | カスコード電力増幅器 | |
| WO2004006429A1 (ja) | 半導体集積回路及び半導体集積回路の製造方法 | |
| US7345548B2 (en) | Radiofrequency amplifier device, in particular for cellular mobile telephone | |
| US20060172718A1 (en) | Mixer stage and method for mixing signals of different frequencies | |
| WO2003003595A1 (fr) | Recepteur | |
| JP2004172936A (ja) | テレビジョンチューナの広帯域前置増幅器 | |
| US20040116095A1 (en) | High dynamic range radio frequency mixer | |
| JP2008258789A (ja) | 低雑音増幅器 | |
| Plessas et al. | A 5 GHz low noise amplifier on 0.35/spl mu/m BiCMOS SiGe | |
| JP4572032B2 (ja) | 周波数変換回路 | |
| JP2005027181A (ja) | Ｍｏｓ集積回路及びその製造方法 | |
| US6992530B2 (en) | RF amplifier with improved impedance matching | |
| JP2000068750A (ja) | Ｍｏｓミキサ回路 | |
| JP2003283254A (ja) | 周波数変換回路 | |
| JP2003264432A (ja) | 周波数変換回路 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20070330 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20070402 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070524 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20071213 |
|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20091020 |
|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20091119 |
|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20100319 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100601 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100715 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20110215 |