JP2004500480A5 - - Google Patents
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Description
【特許請求の範囲】
【請求項１】 高温度で、且つ少なくとも一つの液体溶媒の存在下においてニオビウムチップを粉砕して、ニオビウム粉末を形成することを含む、ニオビウム粉末を製造する方法。
【請求項２】 前記高温度が少なくとも３００°Fである、請求項１の方法。
【請求項３】 前記液体溶媒が、少なくとも一つのグリコールを含む、請求項１の方法。
【請求項４】 前記粉砕がボールミル粉砕である、請求項１の方法。
【請求項５】 高温度で、且つ少なくとも１個の液体溶媒の存在下においてニオビウムチップを粉砕して、ニオビウム粉末を形成し、その後、ニオビウム粉末を脱酸素にかけ、その後、高温度で、且つ少なくとも１個の液体溶媒の存在下において前記ニオビウム粉末の前記粉砕を継続することを含む、ニオビウム粉末製造の方法。
【請求項６】 前記脱酸素がマグネシウム脱酸素である、請求項５の方法。
【請求項７】 高温度で、且つ少なくとも一つの液体溶媒の存在下において金属チップを粉砕して、金属粉末を形成することを含む、金属粉末を製造する方法。
【請求項８】 前記高温度が少なくとも３００°Fである、請求項７の方法。
【請求項９】 前記液体溶媒が、少なくとも一つのグリコールを含む、請求項７の方法。
【請求項１０】 高温度で、且つ少なくとも一つの液体溶媒の存在下においてバルブ金属を粉砕して、バルブ金属粉末を形成し、前記バルブ金属粉末をコンデンサーアノードに形成することを含む、バルブ金属のＤＣ漏洩を減少させる方法。
【請求項１１】 ４０ｐｐｍ〜２００ｐｐｍの炭素含有量および５ｐｐｍ〜２００ｐｐｍの鉄、ニッケル、およびクロム含有量を有する、ニオビウム粉末。
【請求項１２】 ＢＥＴ表面積が１．０ｍ2／ｇである時、４０〜２００ｐｐｍの炭素量、ニオビウム粉末のＢＥＴ表面積が２〜４．５ｍ2／ｇである時、２５０ｐｐｍ未満の炭素量、ニオビウム粉末のＢＥＴ表面積が１．０ｍ2／ｇである時、１００ｐｐｍ未満であるＦｅ／Ｎｉ／Ｃｒ合成量、ニオビウム粉末のＢＥＴ表面積が２．０ｍ2／ｇ〜４．５ｍ2／ｇである時、４００ｐｐｍ未満である合成量を有する、ニオビウム粉末。
【請求項１３】 請求項１１のニオビウム粉末を含む、コンデンサーアノード。
【請求項１４】 請求項１２のニオビウム粉末を含む、コンデンサーアノード。
【請求項１５】 前記液体溶媒が少なくとも一つの弗素化流体である、請求項１の方法。
【請求項１６】 少なくとも一つの弗素化流体の存在下において、金属粉末をウエット粉砕することを含む、フレーク化金属を製造する方法。
【請求項１７】 前記金属がバルブ金属である、請求項１６の方法。
【請求項１８】 前記金属がバルブ金属である、請求項７の方法。
【請求項１９】 高温度で、且つ少なくとも一つの液体溶媒の存在下においてバルブ金属チップを粉砕して、バルブ金属粉末を形成し、その後バルブ金属粉末を脱酸素にかけ、その後高温度で、且つ少なくとも一つの液体溶媒の存在下において、前記バルブ金属粉末の前記粉砕を継続することを含む、バルブ金属粉末を製造する方法。
【請求項１】 高温度で、且つ少なくとも一つの液体溶媒の存在下においてニオビウムチップを粉砕して、ニオビウム粉末を形成することを含む、ニオビウム粉末を製造する方法。
【請求項２】 前記高温度が少なくとも３００°Fである、請求項１の方法。
【請求項３】 前記液体溶媒が、少なくとも一つのグリコールを含む、請求項１の方法。
【請求項４】 前記粉砕がボールミル粉砕である、請求項１の方法。
【請求項５】 高温度で、且つ少なくとも１個の液体溶媒の存在下においてニオビウムチップを粉砕して、ニオビウム粉末を形成し、その後、ニオビウム粉末を脱酸素にかけ、その後、高温度で、且つ少なくとも１個の液体溶媒の存在下において前記ニオビウム粉末の前記粉砕を継続することを含む、ニオビウム粉末製造の方法。
【請求項６】 前記脱酸素がマグネシウム脱酸素である、請求項５の方法。
【請求項７】 高温度で、且つ少なくとも一つの液体溶媒の存在下において金属チップを粉砕して、金属粉末を形成することを含む、金属粉末を製造する方法。
【請求項８】 前記高温度が少なくとも３００°Fである、請求項７の方法。
【請求項９】 前記液体溶媒が、少なくとも一つのグリコールを含む、請求項７の方法。
【請求項１０】 高温度で、且つ少なくとも一つの液体溶媒の存在下においてバルブ金属を粉砕して、バルブ金属粉末を形成し、前記バルブ金属粉末をコンデンサーアノードに形成することを含む、バルブ金属のＤＣ漏洩を減少させる方法。
【請求項１１】 ４０ｐｐｍ〜２００ｐｐｍの炭素含有量および５ｐｐｍ〜２００ｐｐｍの鉄、ニッケル、およびクロム含有量を有する、ニオビウム粉末。
【請求項１２】 ＢＥＴ表面積が１．０ｍ2／ｇである時、４０〜２００ｐｐｍの炭素量、ニオビウム粉末のＢＥＴ表面積が２〜４．５ｍ2／ｇである時、２５０ｐｐｍ未満の炭素量、ニオビウム粉末のＢＥＴ表面積が１．０ｍ2／ｇである時、１００ｐｐｍ未満であるＦｅ／Ｎｉ／Ｃｒ合成量、ニオビウム粉末のＢＥＴ表面積が２．０ｍ2／ｇ〜４．５ｍ2／ｇである時、４００ｐｐｍ未満である合成量を有する、ニオビウム粉末。
【請求項１３】 請求項１１のニオビウム粉末を含む、コンデンサーアノード。
【請求項１４】 請求項１２のニオビウム粉末を含む、コンデンサーアノード。
【請求項１５】 前記液体溶媒が少なくとも一つの弗素化流体である、請求項１の方法。
【請求項１６】 少なくとも一つの弗素化流体の存在下において、金属粉末をウエット粉砕することを含む、フレーク化金属を製造する方法。
【請求項１７】 前記金属がバルブ金属である、請求項１６の方法。
【請求項１８】 前記金属がバルブ金属である、請求項７の方法。
【請求項１９】 高温度で、且つ少なくとも一つの液体溶媒の存在下においてバルブ金属チップを粉砕して、バルブ金属粉末を形成し、その後バルブ金属粉末を脱酸素にかけ、その後高温度で、且つ少なくとも一つの液体溶媒の存在下において、前記バルブ金属粉末の前記粉砕を継続することを含む、バルブ金属粉末を製造する方法。
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