JP2004363160A - チップの剥離方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】一方の面が粘着テープT1に貼着されたウェーハを分割することにより形成された個々のチップC1を粘着テープT1から剥離する場合において、少なくとも1個の吸引孔3が形成されウェーハW1の外径より大きい外径を有する支持プレート1と、吸引孔3に吸引力を供給する吸引源4とを用い、支持プレート1に液体2を滴下させ、ウェーハW1の粘着テープT1が貼着されていない他方の面を液体2が滴下された面に対面させ、ウェーハW1を支持プレート1に載置して吸引孔3に吸引力を作用させて支持プレート1とウェーハW1とを液体2を介して密着させて保持し、粘着テープT1をウェーハW1の一方の面から剥離する。液体2の表面張力によりウェーハW1が支持プレート1と密着するため、粘着テープT1の剥離が容易となり、個々の半導体チップC1が損傷しない。
【選択図】 図2
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、粘着テープに貼着されたチップを損傷させることなく剥離する方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体ウェーハをダイシングすることにより形成された個々の半導体チップは、パッケージングされて補強された状態で各種の電子機器に広く利用されるが、半導体チップ自体には所定の抗折強度が要求される。
【0003】
そこで、図16に示すように、半導体チップを所定間隔の2本の支持棒10で支持し、荷重棒11によって中央部に荷重Wを加えることにより抗折強度を測定することが行われている。この場合、2本の支持棒10の間隔(支点間距離)をL、荷重をW、半導体チップの厚さをh、幅をbとすると、抗折強度は、(3LW/2bh2)[Pa]となる。
【0004】
上記のようにして抗折強度を測定するには、半導体ウェーハが粘着テープに貼着された状態でダイシングされた後に、形成された半導体チップを損傷させることなく粘着テープから剥離する必要がある。そこで、粘着テープとして紫外線硬化型のテープを使用し、粘着テープに紫外線を照射することにより粘着力を低下させてから半導体チップを剥離することも行われている(例えば特許文献1参照)。
【0005】
【特許文献1】
特開2000−12488号公報
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、粘着テープとして紫外線硬化型のテープを使用しても、半導体チップを粘着テープから剥離する際の損傷を完全に防止することは困難である。特に、厚さが100μm以下、50μm以下というように極めて薄い半導体チップについては、損傷してしまう可能性が高く、抗折強度を測定できなくなるという問題がある。
【0007】
また、半導体ウェーハのダイシングにより形成された個々の半導体チップをダイシングテープから剥離してダイボンディングする場合にも半導体チップが損傷するおそれがある。
【0008】
更に、半導体ウェーハの表面に半導体チップの厚さに相当する深さの切削溝を予め形成しておき、切削溝が形成された表面に保護テープ(粘着テープ)を貼着して半導体ウェーハの裏面を研削して裏面から切削溝を表出させることにより個々の半導体チップに分割するいわゆる先ダイシングの技術では、半導体チップを保護テープから剥離する際に半導体チップが損傷するという問題がある。
【0009】
上記のような問題は、半導体チップのみならず、他のチップについても同様に生じうる。従って、チップを粘着テープから剥離する場合においては、個々のチップの損傷を防止することに課題を有している。
【0010】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するための具体的手段として本発明は、一方の面が粘着テープに貼着されたウェーハを分割することにより形成された個々のチップを粘着テープから剥離するチップの剥離方法であって、少なくとも1個の吸引孔が形成されウェーハの外径より大きい外径を有する支持プレートと、吸引孔に吸引力を供給する吸引源とを用い、支持プレートに液体を滴下させ、ウェーハの粘着テープが貼着されていない他方の面を液体が滴下された面に対面させ、ウェーハを支持プレートに載置する載置工程と、支持プレートの吸引孔に吸引力を作用させて、支持プレートとウェーハとを液体を介して密着させる吸引工程と、吸引工程の後に、粘着テープを該ウェーハの一方の面から剥離する剥離工程とから少なくとも構成されるチップの剥離方法を提供する。
【0011】
そしてこのチップの剥離方法は、支持プレートとウェーハとの間に介在する液体を蒸発させる蒸発工程と、支持プレートからチップをピックアップするピックアップ工程とを更に含むこと、吸引源が、支持プレートの全面を支持するチャックテーブルであること、支持プレートのウェーハを支持する側の面には保護テープが貼着されていること、蒸発工程において、支持プレートとウェーハとが加熱されること、支持プレートとウェーハとの間に介在する液体が、水またはアルコールであること、ウェーハは半導体ウェーハであることを付加的な要件とする。
【0012】
このように構成されるチップの剥離方法によれば、粘着テープが貼着されていない分割後のウェーハの面を吸引孔が形成された支持プレートに液体を介して載置し、吸引孔に吸引力を作用させることにより液体を介してウェーハを支持プレートに密着させ、その状態でウェーハから粘着テープを剥離することができるため、個々のチップを損傷させることがない。
【0013】
また、ウェーハと支持プレートとの間に介在する液体を蒸発させれば、ウェーハと支持プレートとの密着力がなくなるため、粘着テープの剥離後における個々のチップのピックアップを容易に行うことができる。
【0014】
【発明の実施の形態】
本発明の第一の実施の形態として、半導体ウェーハを粘着テープから剥離する場合を例に挙げて説明する。
【0015】
図1に示す半導体ウェーハW1は、ダイシングにより個々の半導体チップC1に分割されているが、個々の半導体チップC1の裏面が透明な粘着テープT1の粘着面に貼着されているために、全体としてほぼ円形のウェーハ形状を維持している。また、粘着テープT1の粘着面の外周部分にはフレームFが貼着されており、半導体ウェーハW1が粘着テープTを介してフレームFと一体となっている。図1において、半導体ウェーハW1は、回路が形成され粘着テープT1が貼着されていない方の面(表面)が上を向いた状態となっている。
【0016】
このように粘着テープT1を介してフレームFと一体となった半導体ウェーハW1を裏返して表面を下向きにし、図2に示すように、支持プレート1に載置する。このとき、支持プレート1のうち、半導体ウェーハW1の表面と対面する側の面には液体2を滴下させておき、半導体ウェーハW1と支持プレート1との間に液体2が介在するようにする(載置工程)。滴下させる液体としては、水やアルコールのように、半導体ウェーハW1の品質に影響を与えず、蒸発しやすいものが好ましい。
【0017】
なお、支持プレート1の半導体ウェーハW1を支持する側の面には回路を保護するための保護テープを貼着することもできる。
【0018】
支持プレート1は、例えばステンレス等の硬質部材で形成され、半導体ウェーハW1よりも外径が大きく形成されており、表面から裏面に至る吸引孔3が少なくとも1つ(図示の例では9個)形成されている。吸引孔3の内径は、0.1mm〜0.5mm程度であることが望ましい。
【0019】
半導体ウェーハW1が載置された支持プレート1は、吸引源4に吸引保持される。図示の例における吸引源4は、例えばポーラス部材により平面状に形成された吸引面5と、吸引面5に連通する真空源6とを備えたチャックテーブルであり、図3及び図4に示すように、真空源6から伝達される吸引力によって吸引面5において支持プレート1を吸引保持すると共に、支持プレート1に形成された吸引孔3にも吸引力を作用させて半導体ウェーハW1の全面を支持して吸引保持する(吸引工程)。なお、支持プレート1は、予め吸引源4に組み付けておいてもよい。また、吸引源4はチャックテーブルには限定されない。
【0020】
支持プレート1及び半導体ウェーハW1を吸引することにより、図4において拡大して示すように、支持プレート1と半導体ウェーハW1との間に液体2が僅かな厚みで一面に介在し、液体2の表面張力によって支持プレート1と半導体ウェーハW1とを強固に密着させることができる。
【0021】
こうして支持プレート1と半導体ウェーハW1とを液体2を介して密着させた後に、図5に示すように、粘着テープT1を半導体ウェーハW1の裏面から剥離すると、支持プレート1と半導体ウェーハW1とが液体2によって強固に密着しているため、剥離を容易に行うことができる(剥離工程)。従って、半導体チップC1に強い力が加わることがなく、半導体チップC1を損傷させることがない。なお、剥離の方向はストリートに対して45度の角度とすることが好ましい。
【0022】
剥離工程の後には、図6に示すように、個々の半導体チップC1をピックアップするピックアップ工程を遂行することができる。ピックアップ工程を遂行する前に、半導体ウェーハW1と支持プレート1との間に介在する液体2を蒸発させる蒸発工程を遂行すれば、半導体ウェーハW1と支持プレート1との密着力がなくなるため、半導体チップC1のピックアップを容易に行うことができる。
【0023】
蒸発工程は、例えば支持プレート1または半導体ウェーハW1を80°Cぐらいに熱することによって行うことができる。支持プレート1を加熱する場合は、加熱するための手段を吸引源4に設けておけば、容易かつ効率的である。
【0024】
ピックアップ後に抗折強度の測定を行う場合は、半導体チップC1に損傷がないため、測定のための適正な試験片とすることができる。また、ピックアップした半導体チップC1をダイボンディングすることもでき、更に、他の粘着テープに移し替えることも容易にできる。
【0025】
次に、本発明の第二の実施の形態として、いわゆる先ダイシングにより半導体ウェーハを分割して個々の半導体チップとする手法に本発明を適用する場合について説明する。先ダイシングの手法においては、図7に示すように、半導体ウェーハW2の表面に半導体チップの厚さに相当する深さの切削溝7を予め形成しておき、図8及び図9に示すように、切削溝7が形成された表面に粘着テープである保護テープT2を貼着し、その状態で半導体ウェーハW2の裏面を研削して、図10及び図11に示すように、裏面から切削溝7を表出させることにより個々の半導体チップC2に分割する。
【0026】
図12に示すように、支持プレート1に液体2を滴下させておき、支持プレート1の液体2が滴下されている面と分割済みの半導体ウェーハWの研削された裏面とを対面させて吸引源4によって吸引すると、図13に示すように、支持プレート1と半導体ウェーハW2との間に僅かな厚みで一面に液体2が介在し、液体2の表面張力によって支持プレート1と半導体ウェーハW2とを強固に密着させることができる。
【0027】
その状態で、図14に示すように保護テープT2を剥離すると、支持プレート1と半導体ウェーハW2とが液体2によって強固に密着しているため、保護テープT2を容易に剥離することができる(剥離工程)。従って、半導体チップC2に強い力が加わることがなく、半導体チップC2を損傷させることがない。
【0028】
そして、保護テープT2が剥離された後は、図15に示すように、個々の半導体チップC2をピックアップすることができる。ピックアップを行う前に、支持プレート1または分割後の半導体ウェーハW2を加熱すれば、液体2が蒸発して密着力がなくなるため、ピックアップを容易かつ円滑に行うことができ、半導体チップC2が損傷することがない。
【0029】
ピックアップした半導体チップC1が抗折強度の測定のために利用される場合は、損傷がないため、測定のための適正な試験片とすることができる。また、ピックアップした半導体チップC2をダイボンディングすることもでき、更に、他の粘着テープに移し替えることも容易にできる。
【0030】
なお、本実施の形態では、粘着テープから半導体チップを剥離する場合を例に挙げて説明したが、チップは半導体チップには限定されない。また、支持プレートと真空源とを一体にしてチャックテーブルを構成し、支持プレートの下部にヒーター等の熱源を配設してもよい。更に、支持プレート1の上面にチップを保護するための保護テープ等の緩衝材を貼着して吸引孔を形成すると、チップが金属等からなる支持プレートに直接接触することがないと共に、チップにバンプ等の凹凸がある場合は保護テープが凹凸を吸収し、密着性が向上する。
【0031】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明に係るチップの剥離方法によれば、粘着テープが貼着されていない分割後のウェーハの面を吸引孔が形成された支持プレートに液体を介して載置し、吸引孔に吸引力を作用させることにより液体を介してウェーハを支持プレートに密着させ、その状態でウェーハから粘着テープを剥離することができるため、個々のチップを損傷させることがなく、安全且つ容易に剥離を行うことができる。
【0032】
また、ウェーハと支持プレートとの間に介在する液体を蒸発させれば、ウェーハと支持プレートとの密着力がなくなるため、粘着テープの剥離後における個々のチップのピックアップを容易に行うことができる。そしてピックアップしたチップは、抗折強度を測定するための適正な試験片とすることもできるし、このチップをそのままダイボンディングしたり、他の粘着テープ等に移し替えることも可能である。
【図面の簡単な説明】
【図1】粘着テープを介してフレームと一体となった半導体ウェーハを示す斜視図である。
【図2】載置工程を示す斜視図である。
【図3】吸引工程を示す斜視図である。
【図4】半導体ウェーハが吸引された状態を示す断面図である。
【図5】剥離工程を示す斜視図である。
【図6】ピックアップ工程を示す斜視図である。
【図7】切削溝が形成された半導体ウェーハを示す斜視図である。
【図8】同半導体ウェーハに保護テープを貼着した状態を示す斜視図である。
【図9】同半導体ウェーハに保護テープを貼着した状態を示す断面図である。
【図10】先ダイシングにより半導体チップに分割された半導体ウェーハを示す斜視図である。
【図11】先ダイシングにより半導体チップに分割された半導体ウェーハを示す断面図である。
【図12】載置工程を示す斜視図である。
【図13】半導体ウェーハが吸引された状態を示す断面図である。
【図14】剥離工程を示す正面図である。
【図15】ピックアップ工程を示す斜視図である。
【図16】抗折強度試験を示す斜視図である。
【符号の説明】
W1、W2…半導体ウェーハ T1…粘着テープ
T2…保護テープ C1、C2…半導体チップ
F…フレーム
1…支持プレート 2…液体 3…吸引孔
4…吸引源 5…吸引面 6…真空源
Claims (7)
- 一方の面が粘着テープに貼着されたウェーハを分割することにより形成された個々のチップを該粘着テープから剥離するチップの剥離方法であって、
少なくとも1個の吸引孔が形成されウェーハの外径より大きい外径を有する支持プレートと、該吸引孔に吸引力を供給する吸引源とを用い、
該支持プレートに液体を滴下させ、該ウェーハの粘着テープが貼着されていない他方の面を該液体が滴下された面に対面させ、該ウェーハを該支持プレートに載置する載置工程と、
該支持プレートの吸引孔に吸引力を作用させて、該支持プレートと該ウェーハとを前記液体を介して密着させる吸引工程と、
該吸引工程の後に、前記粘着テープを該ウェーハの一方の面から剥離する剥離工程と
から少なくとも構成されるチップの剥離方法。 - 支持プレートとウェーハとの間に介在する液体を蒸発させる蒸発工程と、
該支持プレートからチップをピックアップするピックアップ工程と
を更に含む請求項1に記載のチップの剥離方法。 - 吸引源は、支持プレートの全面を支持するチャックテーブルである請求項1または2に記載のチップの剥離方法。
- 支持プレートのウェーハを支持する側の面には保護テープが貼着されている請求項1、2または3に記載のチップの剥離方法。
- 蒸発工程において、該支持プレートと該ウェーハとが加熱される請求項2、3または4に記載のチップの剥離方法。
- 支持プレートとウェーハとの間に介在する液体は、水またはアルコールである請求項1乃至5のいずれかに記載のチップの剥離方法。
- ウェーハは半導体ウェーハである請求項1乃至6のいずれかに記載のチップの剥離方法。
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