JP2004356137A - 発光ダイオード及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明の発光ダイオードは、GaAsを基板とし、その上にGaAsと格子整合するAlGaInP系の材料からなる下部クラッド層、活性層、上部クラッド層を有し,さらに電流拡散層を有する表面出射型の半導体発光素子であって,該電流拡散層がAlGaInAsで形成されていることを特徴とする。
【選択図】 図1
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、電流拡散層を有するAlGaInP系発光ダイオード及び当該発光ダイオードの製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
近年、発光ダイオード(LED)が屋内外の表示デバイスとして脚光を浴びている。発光ダイオードの高輝度化に伴い、ネオン管灯に代る媒体として屋外ディスプレイ市場での需要が急増している。
【0003】
可視域の高輝度発光ダイオードとして、AlGaInP系のDH型発光ダイオードが知られている。図10は、特許文献1に記載された技術に基づく従来(以下、第1従来例という)のAlGaInP系発光ダイオード100の構造を示す。
【0004】
【特許文献1】
特公平6−103759号公報
【0005】
発光ダイオード100は、n−GaAs基板1上に、MOCVD法によりn−AlGaInPクラッド層2(厚さ1.0μm、Siドープ:5×1017cm−3)、(A10.3Ga0.7)0.5In0.5活性層3(厚さ0.6μm)、p−AlGaInPクラッド層4(厚さ0.7μm、Znドープ:5×1017cm−3)、p−AlGaAs電流拡散層5(厚さ6.0μm、Znドープ:3×1018cm−3)、p−GaAsキャップ層6(厚さ0.02μm、Znドープ:1×1018cm−3)を順次成長させた後、電極9をn−GaAs基板1側の全面に形成し、更に電極12をp−GaAsキャップ層6の上に形成したものである。なお、p−GaAsキャップ層6及び電極12は、中央部分だけを円形に残してエッチング除去している。
【0006】
上記発光ダイオード100において、n−AlGaInPクラッド層2、活性層3及びp−AlGaInPクラッド層4は発光部を構成する。活性層3ではpn接合が形成されており、当該pn接合部分で生じる電子−正孔の再結合によって発光が生じる。発光ダイオード100を5mmφの樹脂にモールドして、20mAの電気を流したところ、発光光度は1.0cd(カンデラ)であった。
【0007】
図11は、特許文献2に記載された技術に基づく従来(以下、第2従来例という)のAlGaInP系の発光ダイオード200の構造を示す。
【0008】
【特許文献2】
特開平4−229665号公報
【0009】
発光ダイオード200は、MOCVD法によりn−GaAs基板11上に、n−AlGaInPクラッド層12(厚さ1.0μm、Siドープ:5×1017cm−3)、(Al0.3Ga0.7)0.5In0.5P活性層13(厚さ0.6μm)、p−AlGaInPクラッド層14(厚さ0.7μm、Znドープ:5×1017cm−3)から成る発光層を形成した後、更に、p−GaInPキャップ層15(厚さ0.05μm、Znドープ:2×1018cm−3)、及び、上記キャップ層15の中央部分にn−AlGaInP電流阻止層16(厚さ0.3μm、Siドープ:3×1018cm−3)を形成し、その上にp−AlGaAs電流拡散層17(厚さ6.0μm、Znドープ:3×1018cm−3)とp−GaAsキャップ層(コンタクト層)18(厚さ0.02μm、Znドープ:1×1018cm−3)を形成したものである。電流阻止層16は、中央部を円形に残してエッチング除去されている。電極21が基板11側の全面に形成され、電極22がp−GaAsキャップ層18の上に形成されている。p−GaAsキャップ層18及び電極22は、電流阻止層16と同様に、中央部分を円形に残してエッチング除去する。
【0010】
発光ダイオード200において、n−AlGaInPクラッド層12、活性層13、p−AlGaInPクラッド層14及びp−GaInPキャップ層15は、発光部を構成する。当該発光部において生じた光は、当該発光部の上に設けた電流阻止層16において周囲に広がる。これにより電極22の下に回り込む光量が減り、光の取り出し効率が上がり、結果として発光光度が増大する。発光ダイオード200を5mmφの樹脂にモールドして20mAの電気を流したところ、発光光度は1.8cdであった。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】
上記第1従来例及び第2従来例に示す発光ダイオード100及び200の内部には、ヒロックと呼ばれる結晶欠陥が40,000/cm2程度の密度で存在する。上記ヒロックは、光を吸収して発光光度を低下したり、電極12、22の光学的な認識を困難にして自動ワイヤーボンディングに支障を与える。
【0012】
本発明は、上記ヒロックの発生を抑えたことにより、発光光度の高い発光ダイオード及び当該発光ダイオードの製造方法を提供することを目的とする。
【0013】
【課題を解決するための手段】
本発明の第1の発光ダイオードは、AlGaInP系の発光部を有する発光ダイオードにおいて、上記発光部の光射出側にIn(インジウム)を含有する電流拡散層を備えていることを特徴とする。
【0014】
本発明の第2の発光ダイオードは、電流拡散層としてAlGaInAsを用いることを特徴とする。
【0015】
本発明の第3の発光ダイオードは、上記第2の発光ダイオードにおいて、III族全体に対してInの比率が1〜10%であるAlGaInAs電流拡散層を有していることを特徴とする。
【0016】
本発明の第4の発光ダイオードは、上記第2又は第3の発光ダイオードにおいて、AlGaInAsで形成する電流拡散層を2層構造とし、下層のキャリア濃度が上層のキャリア濃度よりも低いことを特徴とする。
【0017】
本発明の第5の発光ダイオードは、上記第4の発光ダイオードにおいて、AlGaInAsで形成する電流拡散層を2層構造とし、下層のキャリア濃度が0.5〜3×1018cm−3、上層のキャリア濃度が0.3〜2×1019cm−3であることを特徴とする。
【0018】
本発明の第6の発光ダイオードは、上記第2乃至第5の発光ダイオードにおいて、上記発光部と上記電流拡散層との間の中央部にGaInP材料から成る電流阻止層を備えていることを特徴とする。
【0019】
本発明の第7の発光ダイオードは、上記第2乃至第5の発光ダイオードにおいて、上部発光部と上記電流拡散層の間に、GaInP材料で成り、中央部が開口した電流狭窄層を備えていることを特徴とする。
【0020】
本発明の第1の発光ダイオードの製造方法は、AlGaInP系の発光部を有する発光ダイオードの製造法であって、上記発光部の光射出側にAlGaInAsから成る電流拡散層を形成する工程を含むことを特徴とする。
【0021】
本発明の第2の発光ダイオードの製造方法は、上記第1の発光ダイオードの製造方法において、上記AlGaInAsから成る電流拡散層を形成する工程の少なくとも初期の段階において、電流拡散層を1.2μm/h以下の成長速度で形成することを特徴とする。
【0022】
本発明の第3の発光ダイオードの製造方法は、上記第1の発光ダイオードの製造方法において、電流拡散層が0.1μm以上の厚みになるまで1.2μm/h以下の成長速度で形成することを特徴とする。
【0023】
【発明の実施の形態】
(1)発明の概要
本願発明者は、上記従来技術の欄において説明した第1従来例の発光ダイオード100(図10を参照)のp−GaAsキャップ層6とp−AlGaAs電流拡散層5をエッチング除去した場合、ヒロックが完全に消滅する(少しでもp−AlGaAs電流拡散層5が残っていればヒロックは無くならない)ことから、ヒロックはp−AlGaInPクラッド層4とp−AlGaAs電流拡散層5の界面付近で発生することを突き止めた。同様にして、第2従来例の発光ダイオード200(図11を参照)では、ヒロックは、p−GaInPキャップ層15とp−AlGaAs電流拡散層17の界面付近で発生することを突き止めた。
【0024】
更に、発光ダイオード100のp−AlGaAs電流拡散層5の成長初期の0〜0.1μmまでの層の組成を分析すると、意図的には入れていないInが0.5〜1%程度混入していることがわかった。このInは、下層のp−AlGaInPクラッド層4から拡散したものと考えられ、これを核にしてヒロックが発生しているものと考えられる。
【0025】
上記事実に基づいて、本願発明者は、AlGaInP係の発光部を有する発光ダイオードであって、In(インジウム)を含むp−AlGaInAsを電流拡散層として用いる発光ダイオードを発明した。当該発光ダイオードは、上記従来の発光ダイオード100及び200に比べてウェハ表面のヒロック数を1桁以上低減し、良好な発光光度を示すものである。
【0026】
以下、実施の形態1乃至4の発光ダイオード(110、120、210、220)について、添付の図面を参照しつつ説明する。
【0027】
(2)実施の形態1
図1は、実施の形態1に係る発光ダイオード110の断面図である。上記従来技術の欄で説明した発光ダイオード100(図10を参照)と同一の構成物には、同じ参照番号を付けて示す。
【0028】
発光ダイオード110は、MOCVD法により、n−GaAs基板1上に、n−GaAsバッファ層10(厚さ0.5μm、Siドープ:5×1017cm−3)、n−(Al0.7Ga0.3)0.5In0.5Pクラッド層2(厚さ1.0μm、Siドープ:5×1017cm−3)、アンドープ(Al0.3Ga0.7)0.5In0.5P活性層3(厚さ0.6μm)、p−(Al0.7Ga0.3)0.5In0.5Pクラッド層4(厚さ0.7μm、Znドープ:5×1017cm−3)、p−AlGaInAs電流拡散層7(厚さ6μm、Znドープ:3×1018cm−3)、及び、p−GaAsキャップ層6(厚さ0.01μm、Znドープ:1×1018cm−3)を形成したものである。上記電流拡散層7のInの組成比はIII属全体に対して2%とした。
【0029】
また、上記電流拡散層7は、最初の0.13μmの成長速度を1μm/h、残りを2μm/hとした。さらに、電極9及び12を基板1側と成長層であるp−GaAsキャップ6上に形成した。電極12及びp−GaAsキャップ層6は、ボンディングパッド用の領域約100μmφを残してエッチング除去した。
【0030】
上記手順で形成した発光ダイオード110のウエハ表面のヒロック数は4000/cm2であり、第1従来例の発光ダイオード100に比べて1/10に低減することができた。発光ダイオード110では、電流拡散層7の最初の0.1μmの組成中にInは2.1%含まれていた。これは、略設計(2.0%)通りであり、上クラッド層4からのIn拡散を効果的に抑制できたことが解る。
【0031】
上記手順で形成した発光ダイオード110を、5mmφの樹脂にモールドして20mAの電気を通したところ、発光光度は第1従来例の発光ダイオード100に比べて2倍の2.0cdに向上した。
【0032】
図2(a)及び(b)に示すグラフは、電流拡散層7においてInのIII族全体に対する比率を0%〜20%の範囲で変えた場合のヒロック数(個/cm2)と光度(cd)を示したものである。ワイヤボンディングを自動で行うため、電極の自動認識を行うには、ヒロックが5,000個/cm2以下であることが望ましい。2つのグラフから、上記ヒロックの数の要件を満たし、かつ、発光光度が最大値2.0cdの90%の1.8cd以上を示すことのできるIn含有率は、1〜10%であることが解る。
【0033】
なお、図2(a)に示すように、In含有率が1%より小さい場合にヒロック数が飛躍的に増加するのは、クラッド層からのInの拡散を抑制しきれないためと考えられる。
【0034】
また、図2(b)に示すように、In含有率が10%より大きい場合に光度が減少するのは、格子歪のためであると考えられる。
【0035】
電流拡散層7の最初の0.2μmの成長速度を0.8μm/hで成長させた場合、ヒロック数は3,000/cm2と減少し、発光光度は2.1cdに上昇した。これは、成長初期の成長速度を落とすことで結晶性が上がり光吸収量が減少したためと考えられる。
【0036】
図3(a)及び(b)に示すグラフは、電流拡散層7の最初の0.2μmの成長速度を変えた場合のヒロック数(個/cm2)と発光光度(cd)を示す図である。本グラフから、成長速度1.2μm/h以下の場合に、ヒロック数が5,000/cm2以下であって、光度も2.0cdの90%の1.8cd以上になることが解る。
【0037】
図4(a)及び(b)に示すグラフは、成長速度を0.8μm/hと遅くして電流拡散層7を成長させた場合の当該電流拡散層5の厚さに対するヒロック数(個/cm2)と発光光度(cd)を示す図である。ヒロック数が5,000/cm2以下、光度が1.8cd以上とするには、0.1μm以上の厚さが必要であることがわかる。これは、厚さが0.1μm以下の場合は、電流拡散層7の結晶性が充分でない(結晶成長の初期から層厚が増すに従い徐々に結晶性がよくなるのが追いつかない)ためと考えられる。
【0038】
(3)実施の形態2
図5は、実施の形態2に係る発光ダイオード120の構成を示す図である。上記従来技術の欄で説明した発光ダイオード100(図10を参照)と同一の構成物には、同じ参照番号を付けて示す。
【0039】
発光ダイオード120は、MOCVD法により、n−GaAs基板1上に、n−GaAsバッファ層10(厚さ0.5μm、Siドープ:5×1017cm−3)、n−(Al0.7Ga0.3)0.5In0.5Pクラッド層2(厚さ1.0μm、Siドープ:5×1017cm−3)、n−(Al0.3Ga0.7)0.5In0.5P活性層3(0.6μm、Siドープ:5×1016cm−3)、p−(Al0.7Ga0.3)0.5In0.5Pクラッド層4(厚さ0.7μm、Znドープ:5×1017cm−3)、p−AlGaInAs電流拡散層7a(厚さ0.5μm、Znドープ:2×1018cm−3)、p−AlGaInAs電流拡散層7b(厚さ5.5μm、Znドープ:8×1018cm−3)、及び、p−GaAsキャップ層6(厚さ0.01μm、Znドープ:2×1018cm−3)を形成したものである。電流拡散層7a,7bのInの組成比はIII属全体に対して3%とした。
【0040】
発光ダイオード120では、上述した発光ダイオード110と同様に、電流拡散層7aの成長の際、最初の0.13μmの成長速度を1μm/h、残りの電流拡散層7a(0.37μm)と電流拡散層7bの成長速度を2μm/hとした。更に、電極9及び12を基板1側と成長層であるp−GaAsキャップ層6の上に形成する。なお、電極12及びp−GaAsキャップ層6は、ボンディングパッド用の領域約100μmφを残してエッチング除去する。
【0041】
上記手順で形成した発光ダイオード120のウエハ表面のヒロック数は、3,600個/cm2と、実施の形態1の発光ダイオード110よりも更に1割減少させることができた。
【0042】
発光ダイオード120を5mmφの樹脂にモールドし、20mAの電流を通したところ発光光度は2.2cdと第1従来例の発光ダイオード100に比べ2.2倍の性能向上が認められた。
【0043】
なお、発光ダイオード120では、2つの電流拡散層7a及び7bの内、下側の電流拡散層7aのキャリア濃度を低くして結晶性を改善したことが、ヒロック数の減少と発光光度の向上につながったと思われる。
【0044】
図6(a)及び(b)に示すグラフは、2層の電流拡散層7a及び7bの内、下側の低濃度層である電流拡散層7aのキャリア濃度を変えた場合(上側電流拡散層7bのキャリア濃度を8×1018cm−3に固定)のヒロック数と光度の関係を示したものである。これらのグラフより、下側の低濃度層7aのキャリア濃度が0.5×1018〜3×1018cm−3の範囲内に在る場合に、ヒロック数が5000個/cm2以下、発光光度が1.8cd以上の所望値となることがわかる。
【0045】
なお、下側の低濃度層7aのキャリア濃度の下限値は、それ以上少なくすると抵抗が高くなり発熱で発光光度が1.8cd以下になる値であり、上限値は、それ以上多くすると電流拡散層7aの結晶性が悪くなり、p−AlGaInPクラッド層4からのIn拡散に起因するヒロック数が5000個/cm2を越える値である。
【0046】
また、図7(a)及び(b)に示すグラフは、2層の電流拡散層7a及び7bの内、上側の高濃度層である電流拡散層7bのキャリア濃度を変えた場合(下側の電流拡散層7aのキャリア濃度を2×1018cm−3に固定)のヒロック数と光度の関係を示したものである。これらのグラフより、上側の高濃度の電流拡散層7bのキャリア濃度が0.3×1019〜2×1019cm−3の範囲内に在る場合に、ヒロック数5000個/cm2以下、光度1.8cd以上の所望値となることがわかる。
【0047】
なお、上側の電流拡散層7bのキャリア濃度の下限値は、それ以上少なくすると電流広がりが悪くなり発光光度が1.8cd以下になる値であり、上限値は、それ以上多くすると結晶性が低下して電流拡散層7bそのもので発生するヒロック数が5000個/cm2を越えてしまう値である。
【0048】
(4)実施の形態3
図8は、実施の形態3の発光ダイオード210の構成を示す図である。上記従来技術の欄で説明した発光ダイオード200(図11を参照)と同一の構成物には、同じ参照番号を付けて示す。
【0049】
発光ダイオード210は、MOCVD法により、n−GaAs基板11上に、n−GaAsバッファ層10(厚さ0.5μm、Siドープ:5×1017cm−3)、n−(Al0.7Ga0.3)0.5In0.5Pクラッド層12(厚さ1.0μm、Siドープ:5×1017cm−3)、アンドープ(Al0.3Ga0.7)0.5In0.5P活性層13(厚さ0.6μm)、p−(Al0.7Ga0.3)0.5In0.5Pクラッド層14(厚さ0.7μm、Znドープ:5×1017cm−3)、p−GaInPキャップ層(厚さ0.05μm、Znドープ:1×1018cm−3)15及びn−GaInP電流阻止層19を順に形成したものである。電流阻止層19を円形にエッチング加工した後、p−AlGaInAs電流拡散層20(厚さ6μm、Znドープ:3×1018cm−3)及びp−GaAsキャップ層18(厚さ0.01μm、Znドープ:2×1018cm−3)を積層する。電流拡散層20のInの組成比は、III属全体に対して5%とした。
【0050】
さらに、電極21を基板11側の全面に形成し、電極22を成長層であるp−GaAsキャップ層18の上に形成する。電極22は、ボンディングパッド用の領域約100μmφを残してエッチング除去する。
【0051】
上記従来技術の欄で説明した第2従来例の発光ダイオード200(図11を参照)の電流阻止層16は、n−AlGaInPで形成されているのに対して、対応する発光ダイオード210の電流阻止層19は、n−GaInPで形成する。これは、n−AlGaInP電流阻止層を用いる場合、Alがあるために表面が酸化されるので、その上にp−AlGaInAs電流拡散層18を再成長により形成する場合、界面が悪く、かえってヒロックが増える(例えば、10,000個/cm2以上になる)ためである。
【0052】
発光ダイオード210では、ウエハ表面のヒロック数を4,000/cm2と、上記第2従来例の発光ダイオード200に比べて1/10に減少することができた。また、電流拡散層20の最初の0.1μmの組成中にInは略設計どおり5.2%であり、クラッド層14からのIn拡散が効果的に抑えられていることが解る。発光ダイオード210を5mmφの樹脂にモールドして20mAの電気を通したところ、発光光度は3.6cdと第2従来例の発光ダイオード200に比べ2倍程明るくすることができた。
【0053】
(4)実施の形態4
図9は、実施の形態4の発光ダイオード220の構成を示す図である。発光ダイオード220は、MOCVD法によりn−GaAs基板11上に、n−GaAsバッファ層10(厚さ0.5μm、Siドープ:5×1017cm−3)、n−(Al0.7Ga0.3)0.5In0.5Pクラッド層12(厚さ1.0μm、Siドープ:5×1017cm−3)、アンドープ(Al0.3Ga0.7)0.5In0.5P活性層13(厚さ0.6μm)、p−(Al0.7Ga0.3)0.5In0.5Pクラッド層14(厚さ0.7μm、Znドープ:5×1017cm−3)、p−GaInPキャップ層15(厚さ0.05μm、Znドープ:1×1018cm−3)及びn−GaInP電流狭窄層21を形成したものである。電流狭窄層21は、中央部分が円形状にエッチング除去されて開口している。当該電流狭窄層21の上に、p−AlGaInAs電流拡散層20(厚さ6μm、Znドープ:3×1018cm−3)、p−GaAsキャップ層18(厚さ0.01μm、Znドープ:2×1018cm−3)が積層される。電流拡散層20のInの組成比はIII属全体に対して8%とした。
【0054】
さらに、電極21を基板11側全面に形成し、電極22を成長層側のp−GaAsキャップ層18上に上記電流狭窄層21と同じ形状に形成されている。発光ダイオード220では、ウエハ表面のヒロック数は4,000個/cm2であり、上述した実施の形態3の発光ダイオード210と同等であった。
【0055】
上記構成の発光ダイオード220を5mmφの樹脂にモールドし、20mAの電流を通したところ、発光光度は5.4cdと第2従来技術の発光ダイオード200の3倍であった。
【0056】
以上に説明したように、実施の形態1乃至4に記載の発光ダイオード110、120、210、220は、何れもIn(インジウム)を含むp−AlGaInAsを電流拡散層として用いることにより、p−AlGaInPクラッド層からのInの拡散を抑え、ヒロック数を従来の約1/10にまで低減し、発光光度を2倍以上に向上させることができた。
【0057】
【発明の効果】
本発明の第1の発光ダイオードによれば、Inを含む電流拡散層を用いることにより、AlGaInP系の材料からなる上部クラッド層から拡散して侵入するInの影響を低減できる。従って、ヒロックの発生を抑えて成長表面を平坦にして発光光度を向上することができる。
【0058】
本発明の第2の発光ダイオードによれば、Inを含むAlGaInAsにより電流拡散層を形成することにより、AlGaInP系の材料からなる上部クラッド層から拡散して侵入するInの影響を低減することができる。従って、ヒロックの発生を抑えて成長表面を平坦にして発光光度を向上することができる。
【0059】
本発明の第3の発光ダイオードによれば、電流拡散層のInの比率が1〜10%と適正化されているので、In添加による格子不整の影響がなく、成長表面がより平坦で良好な素子特性を得ることができる。従って、ヒロックの発生を抑えて成長表面を平坦にして発光光度を向上することができる。
【0060】
本発明の第4の発光ダイオードによれば、電流拡散層において特に下側の上クラッド層に近い側のAlGaInAs電流拡散層のキャリア濃度を低くし、その部分の結晶の劣化を少なくしているのでクラッド層からのInの拡散を効果的に抑えることができる。従って、ヒロックの発生を抑えて成長表面を平坦にして発光光度を向上することができる。
【0061】
本発明の第5の発光ダイオードによれば、電流拡散層の下側の上クラッド層に近い領域のキャリア濃度を0.5〜3×1018cm−3,上側のキャリア濃度を0.3〜2×1019cm−3と適正化しているので、電流広がりなど本来の電流拡散層の機能を維持したまま、ヒロックの少ない良好な成長表面を形成し、発光光度を高めることができる。
【0062】
本発明の第6の発光ダイオードによれば、素子中央域にInを含むGaInPでできた電流阻止層があるので、電流を素子周辺にまで広げることができ、成長表面が平坦で光度の高い発光ダイオードを得ることができる。
【0063】
本発明の第7の発光ダイオードによれば、Inを含み、素子中央に開口しているGaInPでできた電流狭窄層があるので、電流を素子中央に集中でき、成長表面が平坦でより光度の高い発光ダイオードを得ることができる。
【0064】
本発明の第1の発光ダイオードの製造方法では、Inを含む電流拡散層を用いたことにより、AlGaInP系の材料からなる発光部からのInの浸入を防止してヒロックの発生数を低減して高い発光光度を示す発光ダイオードを製造することができる。
【0065】
本発明の第2の発光ダイオードの製造方法では、AlGaInAsで形成される電流拡散層を少なくともその成長初期において1.2μm/h以下の低い成長速度で形成したことにより結晶性を良くして、より一層ヒロックの発生数を抑えて高い発光光度を示す発光ダイオードを製造することができる。
【0066】
本発明の第3の発光ダイオードの製造方法によれば、AlGaInAsで形成され、1.2μm/h以下の低成長速度で形成する初期の層厚を0.1μm以上とするため結晶性が良くなり、より一層ヒロックの発生数を低減して高い発光光度の発光ダイオードを製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施の形態1に係る発光ダイオードの素子構造図である。
【図2】(a)は、実施の形態1に係る発光ダイオードの電流拡散層のIn含有率とヒロック数の関係を示し、(b)は、In含有率と発光光度の関係を示す図である。
【図3】(a)は、実施の形態1に係る発光ダイオードの電流拡散層の初期の成長速度とヒロック数の関係を示し(b)は、上記成長速度と発光光度の関係を示す図である。
【図4】(a)は、実施の形態1に係る発光ダイオードを低成長速度で形成する場合の電流拡散層の層厚とヒロック数の関係を示し、(b)は、上記層厚と光度の関係を示す図である。
【図5】実施の形態2に係る発光ダイオードの素子構造図である。
【図6】(a)は、実施の形態2に係る発光ダイオードの低濃度の電流拡散層のキャリア濃度とヒロック数の関係を示し、(b)は、上記キャリア濃度と発光光度の関係を示す図である。
【図7】(a)は、実施の形態2に係る発光ダイオードの高濃度の電流拡散層のキャリア濃度とヒロック数の関係を示し、(b)は、上記キャリア濃度と発光光度の関係を示す図である。
【図8】実施の形態3に係る発光ダイオードの素子構造図である。
【図9】実施の形態4に係る発光ダイオードの素子構造図である。
【図10】第1従来例の発光ダイオードの素子構造図である。
【図11】第2従来例の発光ダイオードの素子構造図である。
【符号の説明】
1、11 n−GaAs基板
2、12 n−AlGaInPクラッド層
3、13 活性層
4、14 p−AlGaInPクラッド層
5、17 AlGaInAs電流拡散層
6、18 p−GaAsキャップ層
9、12、21、22 電極
Claims (10)
- AlGaInP系の発光部を有する発光ダイオードにおいて、
上記発光部の光射出側にIn(インジウム)を含有する電流拡散層を備えていることを特徴とする発光ダイオード。 - 上記電流拡散層としてAlGaInAsを用いた請求項1に記載の発光ダイオード。
- III族全体に対してInの比率が1〜10%であるAlGaInAs電流拡散層を有している請求項2に記載の発光ダイオード。
- AlGaInAsで形成する電流拡散層を2層構造とし、下層のキャリア濃度が上層のキャリア濃度よりも低い請求項2又は請求項3に記載の発光ダイオード。
- AlGaInAsで形成する電流拡散層を2層構造とし、下層のキャリア濃度が0.5〜3×1018cm−3、上層のキャリア濃度が0.3〜2×1019cm−3である請求項4に記載の発光ダイオード。
- 上記発光部と上記電流拡散層との間の中央部にGaInP材料から成る電流阻止層を備えている請求項1乃至請求項5の何れかに記載の発光ダイオード。
- 上部発光部と上記電流拡散層の間に、GaInP材料で成り、中央部が開口した電流狭窄層を備えている請求項1乃至請求項5の何れかに記載の発光ダイオード。
- AlGaInP系の発光部を有する発光ダイオードの製造法であって、
上記発光部の光射出側にAlGaInAsから成る電流拡散層を形成する工程を含む発光ダイオードの製造方法。 - 上記AlGaInAsから成る電流拡散層を形成する工程の少なくとも初期の段階において、電流拡散層を1.2μm/h以下の成長速度で形成する請求項8に記載の発光ダイオードの製造方法。
- 上記AlGaInAsから成る電流拡散層を形成する工程において、電流拡散層が0.1μm以上の厚みになるまで1.2μm/h以下の成長速度で形成する請求項9に記載の発光ダイオードの製造方法。
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