JP2004349451A - 半導体装置及びその製造方法、電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】2層以上の層間絶縁膜42,41,2を貫通するコンタクトホールが存在する場合、下層の層間絶縁膜41の膜厚は上層の層間絶縁膜42の膜厚以下に形成され、前記2層以上の層間絶縁膜の全ての層間絶縁膜42,41,2のエッチングをウエットエッチングとドライエッチングとの順次の組合せとし、ウエットエッチングの深度は最上層の層間絶縁膜42の膜厚を越えない深さとし、それに続くドライエッチングの深度は最下層の層間絶縁膜2の下にある下地導電膜1dに達する深さとするようにした。
【選択図】 図1
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置及びその製造方法、電気光学装置及びその製造方法、並びに電子機器に関し、特に、少なくとも2層以上の層間絶縁膜を貫通するコンタクトホールを形成する際に、界面付近で発生するえぐれを解消することが可能な半導体装置及びその製造方法、電気光学装置及びその製造方法、並びに電子機器に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、半導体集積回路や液晶表示装置においては、パターンの微細化・高集積化に伴って、階層構造化及び配線層の多層化が進んできている。このような微細化に伴って、上層と下層を接続するためのコンタクトホールの微細化や、また多層化によりコンタクトホールが深くなってきている。
【0003】
しかし、このような微細化に伴って、例えば上層が金属配線のようなスパッタリング法により形成される場合には、金属配線の付きが悪く、コンタクトホールの断線が発生しやすくなっていた。さらに、コンタクトホールが深くなり、多層の層間絶縁膜を貫通するように形成されるため、前記層間絶縁膜の膜質によっては、界面付近のえぐれが生じて、コンタクトホール内での断線が多くなっていた。
【0004】
【特許文献1】
特開2000−305484号公報
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、例えば、液晶表示装置等の電気的に光学特性を制御可能な電気光学素子を搭載した装置(以下、電気光学装置)の半導体素子基板(以下、素子基板)における積層構造で、アルミ(AL)の配線層下の層間絶縁膜をプラズマ・テトラ・エチル・オルソ・シリケート(以下、P−TEOS)と減圧・テトラ・エチル・オルソ・シリケート(以下、減圧TEOS)で成膜し、コンタクトホールを形成すると、コンタクトホール側壁におけるP−TEOSと減圧TEOSとの層間絶縁膜界面でV字状のえぐれ(Vカットという)が入る。すると、コンタクトホール内の電極引出し用配線が断線したり、或いはALなどの配線層と、ポリシリコン膜による半導体層,ポリシリコン膜によるゲート線及び容量とのコンタクト抵抗が高くなり、パネル表示で輝点として表示されるという問題がある。
【0006】
そこで、本発明は、上記の問題に鑑みてなされたもので、少なくとも2層以上の層間絶縁膜を貫通するコンタクトホールを形成する際に、界面付近で発生するえぐれを解消することができる半導体装置及びその製造方法、電気光学装置及びその製造方法、並びに該電気光学装置を用いて構成される電子機器を提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】
本発明による半導体装置は、下地導電膜上に連続して積層された複数の絶縁膜にコンタクトホールを備えた半導体装置であって、前記コンタクトホールは、前記複数の絶縁膜のうち上層側絶縁膜には、下層側絶縁膜との界面に達しない部分までをウエットエッチングによるコンタクトホールと、前記ウエットエッチングで形成されたコンタクトホールに続いて前記下層側絶縁膜を介して前記下地導電膜に達する部分をドライエッチングによるコンタクトホールとで形成されてなり、前記下層側絶縁膜上の上層側絶縁膜の前記ウエットエッチングで形成されたコンタクトホールの深さは、該上層側絶縁膜の膜厚に対して50%以上100%未満であることを特徴とする。
【0008】
本発明のこのような構成によれば、上層側絶縁膜の膜厚に対して50%以上100%未満の深さまでウエットエッチングを行い、それ以降はドライエッチングを行う。これにより、界面までウエットエッチングを行うとエグレが発生するが、これを防止することができる。また、ウエットエッチングが浅いとドライエッチングの深さが深くなり、エッチング制御が困難になり、ばらつきが生じ、下の配線に十分なコンタクトができなかったり、配線を突き抜けたりする可能性があるが、このような不具合を防ぐことができる。すなわち、ドライエッチングで削る絶縁膜を薄くすることで、ドライエッチングのばらつきを少なくでき、エッチングマージンを広げることができる。これにより、界面でのえぐれが起こりにくくなる。
【0009】
このように、ウエットエッチングを最上層の絶縁膜の膜厚を越えない深さまで行い、その後にドライエッチングを最上層の残りの部分から最下層の絶縁膜よりも下層の下地導電膜に達する深さまで行うことで、ガスによる異方性のドライエッチングで絶縁膜間の界面を貫通するので、界面付近で発生するえぐれを解消し、低抵抗化及び高歩留まりコンタクトホール(安定なコンタクトホール形成) を実現させることができる。
【0010】
また、本発明において、前記上層側絶縁膜と前記下層側絶縁膜とは、膜質が異なることを特徴とする。
【0011】
本発明のこのような構成では、エッチングされる複数の膜の膜質は、異なることを基本とする。膜質が異なる例として、請求項5にあるような成膜方法により成膜することで、膜質が異なる。また、成膜後アニール処理をすると膜質が変化する。その他、環境により膜質が異なる。
【0012】
さらに、本発明において、前記上層側絶縁膜と前記下層側絶縁膜との少なくとも一方は多層膜であってもよい。
【0013】
また、本発明において、前記ウエットエッチングで形成されたコンタクトホールの深さは、該上層側絶縁膜の膜厚に対して80%以上100%未満であることを特徴とする。
【0014】
ドライエッチングの制御をより高めるためには、ウエットエッチングの深さは膜厚の80%から100%未満がよい。
【0015】
また、本発明において、前記複数の絶縁膜は、減圧気相成長法(LP−CVD),プラズマ気相成長法(P−CVD),エレクトロン・サイクロトロン気相成長法(ECR−CVD),常圧気相成長法(AP−CVD)の成膜方法のいずれかの組合せにより形成されることを特徴とする。
【0016】
このような構成においては、上,下層の絶縁膜の成膜方法の違いにより上,下層で膜質が異なっても、界面付近で発生するえぐれを軽減し、上述した利点による高歩留まりコンタクトホール(安定なコンタクトホール形成) を実現させることが可能となる。
【0017】
また、本発明において、前記下層側絶縁膜は、半導体層を覆う絶縁膜であって、該下層側絶縁膜を覆う前記上層側絶縁膜にはソース電極,ドレイン電極が形成され、前記コンタクトホールは、前記半導体層と前記ソース電極及び,前記半導体層とドレイン電極とのコンタクトをとることを特徴とする。
【0018】
このような構成によれば、半導体層とソース電極,ドレイン電極とをコンタクトするためのコンタクトホールを形成する際にも、界面付近で発生するえぐれを解消し、上述した利点による高歩留まりコンタクトホール(安定なコンタクトホール形成) を実現させることが可能となる。
【0019】
また、本発明による半導体装置の製造方法は、基板上に、第1の導電層と、該第1の導電層の上方に積層形成された第1の絶縁膜と、該第1の絶縁膜上に該第1の絶縁膜とは膜質が異なる第2の絶縁膜と、該第2の絶縁膜の上方に積層された第2の導電層とを備えており、前記第1の導電層と前記第2の導電層とを接続するコンタクトホールが前記第1の絶縁膜及び前記第2の絶縁膜間の界面を貫通して前記第1の絶縁膜及び前記第2の絶縁膜を開孔させ、該コンタクトホールを介して前記第1の導電層と前記第2の導電層とを電気的に接続する半導体装置を製造する半導体装置の製造方法であって、前記第2の絶縁膜に、該第2の絶縁膜の膜厚に対して50%以上100%未満の深さまでウエットエッチングし、それに続いて前記第1の絶縁膜を介して前記第1の導電層に達するまでドライエッチングして、コンタクトホールを形成することを特徴とする。
【0020】
本発明のこのような製造方法によれば、第2の絶縁膜に、該第2の絶縁膜の膜厚に対して50%以上100%未満の深さまでウエットエッチングし、それに続いて第1の絶縁膜を介して第1の導電層に達するまでドライエッチングして、コンタクトホールを形成することで、界面までウエットエッチングを行うことによって発生するエグレを防止できる。また、ウエットエッチングが浅いとドライエッチングの深さが深くなり、エッチング制御が困難になり、ばらつきが生じ、下の配線に十分なコンタクトができなかったり、配線を突き抜けたりする可能性があるが、このような不具合を防止できる。すなわち、ドライエッチングで削る絶縁膜を薄くでき、ドライエッチングのばらつきを少なくでき、エッチングマージンを広げることができる。
【0021】
さらに、ウエットエッチングを最上層の絶縁膜の膜厚を越えない深さまで行い、その後にドライエッチングを最上層の残りの部分から最下層の絶縁膜よりも下層の下地導電膜に達する深さまで行うことで、ガスによる異方性のドライエッチングで絶縁膜間の界面を貫通するので、界面付近で発生するえぐれを解消し、低抵抗化及び高歩留まりコンタクトホール(安定なコンタクトホール形成) を実現させることができる。
【0022】
本発明において、前記ウエットエッチングの深さは、前記第2の絶縁膜の膜厚に対して80%以上100%未満であることを特徴とする。
【0023】
ドライエッチングの制御をより高めるためには、ウエットエッチングの深さは膜厚の80%から100%未満がよい。
【0024】
また、本発明において、前記ウエットエッチングの深さは、前記第2の絶縁膜の膜厚に対して80%以上90%であることを特徴とする。
【0025】
製造するにあたり、複数の絶縁膜を同じ膜質で形成しても、複数のデバイスが形成されるウエハ内では膜質が均一でないことから、ウエットエッチングで界面に達することのないように、ウエットエッチングの深さは膜厚の80%〜90%としても良い。
【0026】
さらに、本発明による電気光学装置は、上記の半導体装置の製造方法により製造される半導体装置と、該半導体装置に対向配置された対向基板と、該対向基板と前記半導体装置との間に挟持された電気光学物質とを備えたことを特徴とする。
【0027】
本発明のこのような構成によれば、界面付近で発生するえぐれを解消し、低抵抗化及び高歩留まりコンタクトホール(安定なコンタクトホール形成) を実現させることが可能な電気光学装置を提供することができる。
【0028】
また、本発明による電気光学装置の製造方法は、上記の半導体装置の製造方法を含み、前記半導体装置と対向基板とを対向配置した状態で貼り合せる工程と、前記半導体装置及び前記対向基板両者間に電気光学物質を封入する工程とを更に含むことを特徴とする。
【0029】
本発明のこのような製造方法によれば、界面付近で発生するえぐれを解消し、低抵抗化及び高歩留まりコンタクトホール(安定なコンタクトホール形成) を実現させることが可能となる。
【0030】
さらに、本発明による電子機器は、上述の電気光学装置を具備して構成される。
【0031】
本発明のこのような構成によれば、界面付近で発生するえぐれを解消し、低抵抗化及び高歩留まりコンタクトホール(安定なコンタクトホール形成) を実現させることが可能な電子機器を提供することができる。
【0032】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
【0033】
図1は、本発明の実施の形態である半導体装置の断面図である。本実施の形態の半導体装置は、例えば後述の電気光学装置を構成する一対の基板(素子基板及び対向基板)のうちの素子基板(TFTアレイ基板ともいう)側を構成するものであるが、その用途は特にこれに限定されるものではない。
【0034】
図1において、半導体装置200は、基板10上に、第1の導電層である下側遮光膜11a、第1の層間絶縁膜である第1の下地絶縁膜12、例えば後述の電気光学装置における画素スイッチング用或いは周辺回路用のTFT30を構成する単結晶シリコン層からなる半導体層1a、TFT30を構成するゲート電極を含む走査線3a、TFT30を構成するゲート絶縁膜を含む絶縁膜2、第2の層間絶縁膜41、ドレイン電極302、第3の層間絶縁膜42、及び第2の導電層を構成するソース電極6aをこの順に備えて構成されている。
【0035】
基板10は、ガラス基板、石英基板、シリコン基板等からなり、当該電気光学装置を透過型とする場合には、透明の基板とされ、当該電気光学装置を反射型とする場合には、不透明の基板とされる。
【0036】
下側遮光膜11aは、例えば、Ti、Cr、W、Ta、Mo等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリサイド、これらを積層したもの等からなる。下側遮光膜11aは、TFT30を構成する半導体層1aのうち少なくともチャネル領域1a’を、図中下側から覆うことにより、図中下側からTFT30に向かう戻り光(反射光)を遮光する。
【0037】
第1の下地絶縁膜12は、下側遮光膜11aからTFT30を層間絶縁する機能ほかに、基板10の全面に形成されることにより、基板10の表面の研磨時における荒れや、洗浄後に残る汚れ等でTFT30の特性の劣化を防止する機能を有する。
【0038】
第1の下地絶縁膜12上には、TFT30が形成されている。
TFT30は、LDD(Lightly Doped Drain)構造を有しており、走査線(ゲート線)3aの一部からなるゲート電極、当該走査線3aからの電界によりチャネルが形成される半導体層1aのチャネル領域1a’、走査線3aと半導体層1aとを絶縁するゲート絶縁膜を含む絶縁膜2、半導体層1aの低濃度ソース領域1b及び低濃度ドレイン領域1c、半導体層1aの高濃度ソース領域1d及び高濃度ドレイン領域1e、ソース電極6a並びにドレイン電極302を備えて構成されている。
【0039】
走査線3aの上には、高濃度ソース領域1dとソース電極6aとを通じるコンタクトホール81、及び高濃度ドレイン領域1eとドレイン電極302とを通じるコンタクトホール83が各々形成された第2の層間絶縁膜41が形成されている。
【0040】
第2の層間絶縁膜41の上には、これと同じ膜質の第3の層間絶縁膜42が形成され、前記コンタクトホール81は第2,第3の層間絶縁膜41,42を貫通してソース電極6aに通じている。前記コンタクトホール81には、図3(a)に示すように各ホールの側壁及び底面に導電膜がコンタクトとして形成されている。
【0041】
次に、以上の如き構成を持つ半導体装置の製造方法について図1〜図3を参照して説明する。ここに、図2(a)はコンタクトホール81の形成前の状態の断面構造を、図2(b)はコンタクトホール81を開孔した状態の断面構造を、それぞれ示している。また、図3(a)は、高濃度ソース領域1dとソース電極6aとの接続個所を拡大して示す拡大断面図であり、図3(b)は、比較例における同個所の拡大断面図である。
【0042】
以下に、図1の装置の製造方法について説明する。
【0043】
先ず、石英基板、ハードガラス、シリコン基板等の基板10を用意する。ここで、好ましくはN2(窒素)等の不活性ガス雰囲気且つ約900〜1300℃の高温でアニール処理し、後に実施される高温プロセスにおける基板10に生じる歪みが少なくなるように前処理しておく。
【0044】
続いて、このように処理された基板10の全面に、Ti、Cr、W、Ta、Mo等の金属や金属シリサイド等の金属合金膜を、スパッタリングにより、100〜500nm程度の膜厚、好ましくは約200nmの膜厚の遮光膜を形成する。そしてフォトリソグラフィ及びエッチングにより、所定平面形状を持つ下側遮光膜11aを形成する。
【0045】
続いて、下側遮光膜11a上に、例えば、常圧又は減圧CVD法等によりTEOS(テトラ・エチル・オルソ・シリケート)ガス、TEB(テトラ・エチル・ボートレート)ガス、又はTMOP(テトラ・メチル・オキシ・フォスレート)ガス等を用いて、NSG、PSG、BSG、又はBPSGなどのシリケートガラス膜、窒化シリコン膜、又は酸化シリコン膜等からなる第1の層間絶縁膜である第1の下地絶縁膜12を形成する。
【0046】
次に、第1の下地絶縁膜12の上に、半導体層1a及び第2の層間絶縁膜41を形成する。
【0047】
すなわち、第1の下地絶縁膜12上に、半導体層に対するフォトリソグラフィ及びエッチングにより、所定パターンを有する半導体層1aを形成する。
【0048】
次に、半導体層1aを約900〜1300℃の温度、好ましくは約1000℃の温度により熱酸化して下層ゲート絶縁膜を形成し、続けて減圧CVD法等により、若しくは両者を続けて行うことにより、上層ゲート絶縁膜を形成する、これにより、多層の高温酸化シリコン膜(HTO膜)や窒化シリコン膜からなる(ゲート絶縁膜を含む)層間絶縁膜2を形成する。すなわち、半導体層1aとソース電極6a,ドレイン電極302とのコンタクトには、熱酸化膜とHTO膜と減圧TEOS膜(活性化アニール有り)との多層構造の層間絶縁膜2とし、コンタクトホール81,83及びそれらの導電膜で電気的に導通させることが好ましい。この結果、半導体層1aは、約30〜150nmの厚さ、好ましくは約35〜50nmの厚さとなり、層間絶縁膜2の厚さは、約20〜150nmの厚さ、好ましくは約30〜100nmの厚さとなる。続いて、TFT30のスレッシュホールド電圧Vthを制御するために、半導体層1aのうちNチャネル領域或いはPチャネル領域に、ボロン等のドーパントを予め設定された所定量だけイオン注入等によりドープする。続いて、減圧CVD法等によりポリシリコン膜を堆積し、更にリン(P)を熱拡散し、このポリシリコン膜を導電化する。又は、Pイオンをこのポリシリコン膜の成膜と同時に導入したドープトシリコン膜を用いてもよい。このポリシリコン膜の膜厚は、約100〜500nmの厚さ、好ましくは約350nm程度である。そして、フォトリソグラフィ及びエッチングにより、TFT30のゲート電極部を含めて所定パターンの走査線3aを形成する。例えば、TFT30をLDD構造を持つnチャネル型のTFTとする場合、半導体層1aに、先ず低濃度ソース領域1b及び低濃度ドレイン領域1cを形成するために、走査線3a(ゲート電極)をマスクとして、PなどのV族元素のドーパントを低濃度で(例えば、Pイオンを1〜3×1013/cm2のドーズ量にて)ドープする。これにより走査線3a下の半導体層1aはチャネル領域1a’となる。更に、画素スイッチング用TFT30を構成する高濃度ソース領域1d及び高濃度ドレイン領域1eを形成するために、走査線3aよりも幅の広い平面パターンを有するレジスト層を走査線3a上に形成する。その後、PなどのV族元素のドーパントを高濃度で(例えば、Pイオンを1〜3×1015/cm2のドーズ量にて)ドープする。尚、例えば、低濃度のドープを行わずに、オフセット構造のTFTとしてもよく、走査線3aをマスクとして、Pイオン、Bイオン等を用いたイオン注入技術によりセルフアライン型のTFTとしてもよい。この不純物のドープにより走査線3aは更に低抵抗化される。続いて、走査線3a上に、例えば、常圧又は減圧CVD法等によりTEOSガス、TEBガス、又はTMOPガス等を用いて、NSG、PSG、BSG、又はBPSGなどのシリケートガラス膜、窒化シリコン膜、又は酸化シリコン膜等からなる第2の層間絶縁膜41を形成する。この第2の層間絶縁膜41の膜厚は、例えば約500〜2000nm程度とする。ここで好ましくは、800℃の程度の高温でアニール処理し、層間絶縁膜41の膜質を向上させておく。
【0049】
続いて、層間絶縁膜2,第2の層間絶縁膜41に対して、エッチング液を用いたウエットエッチングと、反応性イオンエッチング、反応性イオンビームエッチングとの組み合せによりコンタクトホール83を形成する。
【0050】
続いて、減圧CVD法等によりポリシリコン膜を堆積し、更にリン(P)を熱拡散し、このポリシリコン膜を導電化する。又は、Pイオンをこのポリシリコン膜の成膜と同時に導入したドープトシリコン膜を用いてもよい。このポリシリコン膜の膜厚は、約100〜500nmの厚さ、好ましくは約150nm程度である。そして、フォトリソグラフィ及びエッチングにより、図1に示した如き、ドレイン電極302を形成する。なお、コンタクトホール83内には電極302を構成する導電層が形成される。
【0051】
続いて、図2(a)に示すように第2の層間絶縁膜41の上に第3の層間絶縁膜42が形成される。第3の層間絶縁膜42も第2の層間絶縁膜41と同様の処理にて同じ膜質で形成される。第3の層間絶縁膜42の膜質は、例えば約500nm〜2000nm程度若しくはそれ以上に形成される。
【0052】
なお、第2,第3の層間絶縁膜41,42は、第1の層間絶縁膜12とは成膜条件を異にすることにより3層異なる膜質としても良いし、本実施の形態では第1の層間絶縁膜12と第2,第3の層間絶縁膜41,42とはそれらの成膜条件が同じでも良い。このように膜質を同一とする場合は、膜の応力(ストレス)を各層の膜でほぼ同等に形成することができ、基板及び積層膜に反りを生じにくいという利点がある。
【0053】
以上説明した製造プロセスにより、前述した実施の形態の電気光学装置を製造できる。
【0054】
本実施の形態では、図2(b)の工程において、コンタクトホール83と同様の処理にてコンタクトホール81をウエットエッチングとドライエッチングとの組み合せにより、界面201を貫通して開孔する。
【0055】
図3(a)は、図2(b)のようにコンタクトホール81を開孔した後に、減圧CVD法等により、例えばポリシリコン膜等の、ソース電極6aとなる材料膜を形成した状態を拡大して示している。コンタクトホール81内に電極6aを構成する導電層が形成される。
【0056】
次に、本実施の形態における開孔のための組合せエッチングの方法について説明する。図2(b)の工程において、コンタクトホール81を開孔するのに、図2(a)の積層構造に対してウエットエッチングとドライエッチングを組み合わせて行う。ウエットエッチングは、エッチング速度が横方向にも縦方向にも等しく進行する等方性エッチングであり、ドライエッチングは或る特定方向例えば縦方向にエッチングを進めるのに好都合な異方性を有するエッチングである。
【0057】
少なくとも2層以上の層間絶縁膜を貫通するコンタクトホールを形成する際に、上層,下層の層間絶縁膜を一方のエッチング、例えばウエットエッチングで開孔するよりも、図4の実施の形態で説明するようにウエットエッチングとドライエッチングを組み合わせることで、上層,下層間の界面におけるえぐれ(V状のカット)の発生を防止したり、ウエット,ドライの各エッチング時間を適宜に設定することでコンタクト抵抗を減少させることができる。
【0058】
これに対し、2つの層間絶縁膜を貫通してコンタクトホール81をエッチングで開孔させる場合に、例えばウエットエッチングで界面までエッチングすると、図3(b)に示すようにコンタクトホール81における界面201に、えぐれ250が発生する。
【0059】
図4は、2つ以上の層間絶縁膜を貫通してコンタクトホールをエッチングで開孔させた際に、ウエットエッチングとドライエッチングを用いて上記のえぐれが発生するのを防止するためのエッチング方法を説明するものである。
【0060】
図4は、ウエットエッチングとドライエッチングを順次に用いたエッチング方法の例を説明する図である。
【0061】
本例のエッチング方法は、2つ以上の層間絶縁膜OX−1,OX−2,…OX−nが積層された構造に対して、コンタクトホールを開孔する際に、層間絶縁膜間の界面でウエットエッチングによるえぐれが発生する場合に、えぐれ防止手段として有効である。
【0062】
前提となる膜厚の条件として、下層(例えばOX−2)の層間絶縁膜の膜厚は、上層(OX−1)の層間絶縁膜の膜厚以下に形成する。すなわち、各層の膜厚に関して、OX−2 ≦ OX−1 とし、下地層間絶縁膜をなるべく薄くする。
【0063】
図4(a)で、符号WETはウエットエッチングが行われた境界を示し、X1は層間絶縁膜OX−1,OX−2間の界面、X2は層間絶縁膜OX−2,OX−n間の界面を示し、Aはウエットエッチング境界WETの最も深い位置と前記界面X1(図1〜図3の201に相当)との間隔を示している。A>0となるように界面X1より浅い深度でウエットエッチングを行う。符号PLYAは半導体層のソース領域(図1〜図3の1dに相当)を形成している下地導電膜(ポリシリコン膜)を示している。
【0064】
ウエットエッチングしてドライエッチングする場合、ウエットエッチングの深さは、上層(OX−1)の層間絶縁膜の膜厚の50%以上〜100%未満とする。界面までウエットエッチングを行うとエグレが発生する。ウエットエッチングが浅いとドライエッチングの深さが深くなり、エッチング制御が困難になり、ばらつきが生じ、下の配線に十分なコンタクトができなかったり、配線を突き抜けたりする可能性がある。
【0065】
ドライエッチングの制御をより高めるためには、ウエットエッチングの深さは膜厚の80%以上〜100%未満がよい。
【0066】
製造するにあたり、上層(OX−1),下層(OX−2)の層間絶縁膜を同じ膜質で形成しても、複数のデバイスが形成されるウエハ内では均一でないことから、ウエットエッチングで界面に達することのないように、ウエットエッチングの深さは膜厚の80%以上90%としても良い。
【0067】
先ず、図4(a)に示すように、最上層の層間絶縁膜OX−1に対してウエットエッチングを行う。その際のウエットエッチングの深度は最上層の層間絶縁膜OX−1の膜厚を越えない深さとなるように行う。その深さの範囲は前述した通りである。ウエットエッチングにより幅広のエッチング加工が行われる。
【0068】
次に、図4(b)に示すように、図4(a)のウエットエッチングに続けて、ウエットエッチング境界WETのほぼ中央より層間絶縁膜OX−2,OX−nを貫通するようにドライエッチングを行う。その際のドライエッチングの深度は最下層の層間絶縁膜の下にある下地導電膜PLYAに達する深さとなるように行う。図4(b)で、符号DRYはドライエッチングが行われた境界を示している。ドライエッチングにより縦長のエッチング加工が行われる。
【0069】
図4の実施の形態によれば、コンタクトホールが貫通する複数の層間絶縁膜において、ウエットエッチングでえぐれが入る界面の上層の層間絶縁膜OX−1の膜厚を越えない深さまでウエットエッチングを行い、それ以降はドライエッチングを行う。その際、前述したように、ドライエッチングで削る層間絶縁膜OX−2,OX−nを薄くすることで、ドライエッチングの各層間のばらつきを少なくでき、エッチングマージンを広げることができる。これにより、界面X1,X2でのえぐれが起こりにくくなる。また、コンタクトアスペクト比が低減し、コンタクトホールにおける上層導電膜のコンタクト部カバレージを改善し、コンタクト(バルク)抵抗を低減させることができる。
【0070】
少なくとも2層以上の層間絶縁膜は、減圧気相成長法(LP−CVD),プラズマ気相成長法(P−CVD),エレクトロン・サイクロトロン気相成長法(ECR−CVD),常圧気相成長法(AP−CVD)の成膜方法のいずれかの組合せにより形成されることが好ましい。
【0071】
このように本実施の形態によれば、界面付近で発生するえぐれを解消し、コンタクトホールのアスペクト比を低減し、低抵抗化及び高歩留まりコンタクトホール(安定なコンタクトホール形成) を実現させることができる。このとき形成されるコンタクトホールにより信頼性の高い電気的な接続が可能となり、更にコンタクトホール付近に位置する他の配線、素子等においても信頼性の高い電気的な接続或いは絶縁が可能となる。
【0072】
以上の結果、後述する液晶表示装置等の電気光学装置用など、比較的複雑な積層構造を持つ半導体装置が要求される用途に、本実施の形態における半導体装置を応用すれば、コンタクトホールにおける界面を通過する個所でのえぐれの発生を低減できるので、最終的には電気光学装置全体の装置信頼性或いは製造歩留まりを顕著に向上できる。
【0073】
次に、以上のように構成された半導体装置を備えてなる、本発明の電気光学装置に係る実施の形態を図面に基づいて説明する。以下の実施の形態は、本発明の電気光学装置を液晶表示装置に適用したものである。
【0074】
先ず、本発明の実施の形態における電気光学装置の全体構成について、図5及び図6を参照して説明する。ここでは、電気光学装置の一例である駆動回路内蔵型のTFTアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置を例にとる。図5は、TFTアレイ基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図であり、図6は、図5のH−H’断面図である。
【0075】
図5及び図6において、本実施の形態に係る電気光学装置では、図1に示した半導体装置を構成する基板10と対向基板20とが対向配置されている。
【0076】
基板10と対向基板20との間に液晶層50が封入されており、基板10と対向基板20とは、画像表示領域10aの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材52により相互に接着されている。シール材52は、両基板を貼り合わせるために、例えば熱硬化樹脂、熱及び光硬化樹脂、光硬化樹脂、紫外線硬化樹脂等からなり、製造プロセスにおいて基板10上に塗布された後、加熱、加熱及び光照射、光照射、紫外線照射等により硬化させられたものである。
【0077】
このようなシール材52中には、両基板間の間隔(基板間ギャップ)を所定値とするためのグラスファイバ或いはガラスビーズ等のギャップ材が混合されている。即ち、本実施の形態の電気光学装置は、プロジェクタのライトバルブ用として小型で拡大表示を行うのに適している。但し、当該電気光学装置が液晶ディスプレイや液晶テレビのように大型で等倍表示を行う液晶装置であれば、このようなギャップ材は、液晶層50中に含まれてもよい。
【0078】
対向基板20の4隅には、上下導通材106が設けられており、基板10に設けられた上下導通端子と対向基板20に設けられた対向電極21との間で電気的な導通をとる。
【0079】
図5及び図6において、シール材52が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域10aを規定する遮光性の額縁53が対向基板20側に設けられている。額縁53は基板10側に設けても良いことは言うまでもない。画像表示領域の周辺に広がる周辺領域のうち、シール材52が配置されたシール領域の外側部分には、データ線駆動回路101及び外部回路接続端子102が基板10の一辺に沿って設けられており、走査線駆動回路104が、この一辺に隣接する2辺に沿って設けられている。更に基板10の残る一辺には、画像表示領域10aの両側に設けられた走査線駆動回路104間をつなぐための複数の配線105が設けられている。
【0080】
図6において、基板10上には、画素スイッチング用のTFTや走査線、データ線等の配線が形成された後の画素電極9a上に、配向膜が形成されている。他方、対向基板20上には、対向電極21の他、最上層部分に配向膜が形成されている。また、液晶層50は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜間で、所定の配向状態をとる。
【0081】
本実施の形態では、額縁53下にある基板10上の領域に、サンプリング回路118が設けられている。サンプリング回路118は、画像信号線上の画像信号をデータ線駆動回路101から供給されるサンプリング回路駆動信号に応じてサンプリングしてデータ線に供給するように構成されている。
【0082】
次に、以上の如く構成された電気光学装置における回路構成及び動作について図7を参照して説明する。図7は、電気光学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路である。
【0083】
図7において、本実施の形態における電気光学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素には夫々、画素電極9aと当該画素電極9aをスイッチング制御するためのTFT30とが形成されており、画像信号が供給されるデータ線6aが当該TFT30のソースに電気的に接続されている。データ線6aに書き込む画像信号S1、S2、…、Snは、この順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線6a同士に対して、グループ毎に供給するようにしても良い。また、TFT30のゲートに走査線3aが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線3aにパルス的に走査信号G1、G2、…、Gmを、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極9aは、TFT30のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるTFT30を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線6aから供給される画像信号S1、S2、…、Snを所定のタイミングで書き込む。画素電極9aを介して電気光学物質の一例としての液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号S1、S2、…、Snは、後述する対向基板に形成された対向電極との間で一定期間保持される。液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能にする。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として電気光学装置からは画像信号に応じたコントラストを持つ光が出射する。ここで、保持された画像信号がリークするのを防ぐために、画素電極9aと対向電極との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量70を付加する。
【0084】
本実施の形態における電気光学装置の画素部における構成について、図8及び図9を参照して説明する。図8は、データ線、走査線、画素電極等が形成された電気光学装置の相隣接する複数の画素群の平面図であり、図9は、図8のA−A’断面図である。尚、図9においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。
【0085】
図8において、電気光学装置の基板10上には、マトリクス状に複数の透明な画素電極9a(点線部9a’により輪郭が示されている)が設けられており、画素電極9aの縦横の境界に各々沿ってデータ線6a、走査線3aが設けられている。
【0086】
また、半導体層1aのうち図中右下がりの斜線領域で示したチャネル領域1a’に対向するように走査線3aが配置されており、走査線3aはゲート電極として機能する。このように、走査線3aとデータ線6aとの交差する個所には夫々、チャネル領域1a’に走査線3aがゲート電極として対向配置された画素スイッチング用のTFT30が設けられている。
【0087】
本実施の形態では、容量線300が、図中太線で示したように走査線3aの形成領域に重ねて形成されている。より具体的には容量線300は、走査線3aに沿って延びる本線部と、図6中、データ線6aと交差する各個所からデータ線6aに沿って上方に夫々突出した突出部と、コンタクトホール84に対応する個所が僅かに括れた括れ部とを備えている。
【0088】
図8及び図9に示すように、高濃度ドレイン領域1eには、画素電極9aが、コンタクトホール83及び85を介して中継接続用の導電層としても機能するドレイン電極302により中継接続されている。高濃度ソース領域1dには、データ線6aが、コンタクトホール81及び81を介して中継接続用の導電層としても機能するソース電極303により中継接続されている。
【0089】
ドレイン電極302の一部からなる画素電位側容量電極上には、誘電体膜301を介して固定電位側容量電極を含む容量線300が形成されている。容量線300は、例えば、Ti、Cr、W、Ta、Mo等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリサイド、これらを積層したもの等からなる。本実施の形態では、このようにドレイン電極302の一部と、容量線300の一部とが誘電体膜301を介して対向配置されることにより、蓄積容量70が構築されている。
【0090】
容量線300上には、ソース電極303とデータ線6aとを通じるコンタクトホール81及びドレイン電極302と画素電極9aとを通じるコンタクトホール85が各々形成された第2層間絶縁膜42が形成されている。第2層間絶縁膜42は、例えばシリケートガラス膜、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜等から形成され、その膜厚は、例えば約500〜2000nm程度とする。
【0091】
第2層間絶縁膜42上には、データ線6aが形成されており、これらの上には更に、ドレイン電極302へのコンタクトホール85が形成された第3層間絶縁膜43が形成されている。係るデータ線6aは、例えば、スパッタリング、フォトリソグラフィ、エッチング等により、所定パターンを持つようにAL(アルミニウム)等の低抵抗金属膜から形成され、その膜厚は、配線幅に応じて必要な導電性が得られるように、例えば数百nm程度とされる。他方、第3層間絶縁膜43は、例えばシリケートガラス膜、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜等から形成され、その膜厚は、例えば約500〜2000nm程度とする。
【0092】
画素電極9aは、このように構成された第3層間絶縁膜7の上面に設けられている。画素電極9aは、例えばスパッタリング、フォトリソグラフィ、エッチング等により、ITO(Indium Tin Oxide)膜等の透明導電性膜から形成する。尚、後述の電気光学装置のように、ラビング処理を施された配向膜を形成してもよい。
【0093】
データ線6aは、ソース電極303を中継することにより、コンタクトホール81及びコンタクトホール81を介して半導体層1aのうち高濃度ソース領域1dに電気的に接続されている。他方、画素電極9aは、ソース電極303と同一膜からなるドレイン電極302を中継層として利用して中継することにより、コンタクトホール83及び85を介して半導体層1aのうち高濃度ドレイン領域1eに電気的に接続されている。
【0094】
このようにドレイン電極302を中継層として用いることにより、画素電極9aとTFT30を構成する半導体層1aとの間の層間距離が例えば1000nm程度に長くても、両者間を一つのコンタクトホールで接続する技術的困難性を回避しつつ比較的小径の二つの直列なコンタクトホール83及び84で両者間を良好に接続でき、画素開口率を高めること可能となる。特にこのような中継層を用いれば、コンタクトホール開孔時におけるエッチングの突き抜け防止にも役立つ。同様に、ソース電極303を用いることにより、データ線6aとTFT30を構成する半導体層1aとの間の層間距離が長くても、両者間を一つのコンタクトホールで接続する技術的困難性を回避しつつ比較的小径の二つの直列なコンタクトホール81及び81で両者間を良好に接続できる。
【0095】
図8及び図9に示すように、ドレイン電極302と容量線300とが誘電体膜301を介して対向配置されることにより、平面的に見て走査線3aに重なる領域及びデータ線6aに重なる領域に、蓄積容量70が構築されている。
【0096】
即ち、容量線300は、走査線3aを覆うように延びると共に、データ線6aの領域下で、ドレイン電極302を覆うように突き出す突出部を有し櫛歯状に形成している。ドレイン電極302は、走査線3aとデータ線6aの交差部から、一方がデータ線6aの領域下にある容量線300の突出部に沿って延び、他方が走査線3aの領域上にある容量線300に沿って隣接するデータ線6a近傍まで延びるL字状の島状容量電極を形成している。そして、誘電体膜301を介して容量線300にL字状のドレイン電極302が重なる領域で蓄積容量70が形成される。
【0097】
蓄積容量70の一方の容量電極を含むドレイン電極302は、コンタクトホール85で画素電極9aと接続されており且つコンタクトホール83で高濃度ドレイン領域1eと接続されており、画素電極電位とされる。
【0098】
蓄積容量70の他方の容量電極を含む容量線300は、画素電極9aが配置された画像表示領域からその周囲に延設され、定電位源と電気的に接続されて、固定電位とされる。定電位源としては、TFT30を駆動するための走査信号を走査線3aに供給するための走査線駆動回路や画像信号をデータ線6aに供給するサンプリング回路を制御するデータ線駆動回路に供給される正電源や負電源の定電位源でも良いし、対向基板に供給される定電位でも構わない。
【0099】
蓄積容量70の誘電体膜301は、例えば膜厚5〜200nm程度の比較的薄いHTO膜(高温酸化膜)、LTO膜(低温酸化膜)等の酸化シリコン膜、あるいは窒化シリコン膜等から構成される。誘電体膜301は、ドレイン電極302の表面を酸化することによって得た熱酸化膜でもよい。蓄積容量70を増大させる観点からは、膜厚の信頼性が十分に得られる限りにおいて、誘電体膜301は薄い程良い。
【0100】
図9に示すように、電気光学装置は、電気光学基板部分200と、これに対向配置される透明な対向基板20とを備えている。対向基板20は、例えばガラス基板や石英基板からなる。基板10には、画素電極9aが設けられており、その上側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜16が設けられている。また配向膜16は例えば、ポリイミド膜などの有機膜からなる。
【0101】
他方、対向基板20には、その全面に渡って対向電極21が設けられており、その下側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜22が設けられている。対向電極21は例えば、ITO膜などの透明導電性膜からなる。また配向膜22は、ポリイミド膜などの有機膜からなる。
【0102】
基板10には、各画素電極9aに隣接する位置に、各画素電極9aをスイッチング制御する画素スイッチング用のTFT30が設けられている。
【0103】
対向基板20には、更に遮光膜を設けるようにしてもよい。このような構成を採ることで、対向基板20側から入射光がTFT30の半導体層1aのチャネル領域1a’や低濃度ソース領域1b及び低濃度ドレイン領域1cに侵入するのを抑制できる。更に、対向基板上の遮光膜は、入射光が照射される面を高反射な膜で形成することにより、電気光学装置の温度上昇を防ぐ働きをする。
【0104】
尚、本実施の形態では、AL膜等からなる遮光性のデータ線6aで、各画素の遮光領域のうちデータ線6aに沿った部分を遮光してもよいし、容量線300を遮光性の膜で形成することによりチャネル領域1a’等を遮光することができる。
【0105】
このように構成され、画素電極9aと対向電極21とが対面するように配置された基板10と対向基板20との間には、シール材により囲まれた空間に電気光学物質の一例である液晶が封入され、液晶層50が形成される。液晶層50は、画素電極9aからの電界が印加されていない状態で配向膜16及び22により所定の配向状態をとる。
【0106】
以上説明した実施の形態では、多数の導電層を積層することにより、データ線6aや走査線3aに沿った領域に段差が生じるが、第1層間絶縁膜41、第2層間絶縁膜42に溝を掘って、データ線6a等の配線やTFT30等を埋め込むことにより平坦化処理を行ってもよいし、第3層間絶縁膜43や第2層間絶縁膜42の上面の段差をCMP処理等で研磨することにより、或いは有機SOGを用いて平らに形成することにより、当該平坦化処理を行ってもよい。
【0107】
更に以上説明した実施の形態では、画素スイッチング用TFT30は、好ましくは図1に示したようにLDD構造を持つが、低濃度ソース領域1b及び低濃度ドレイン領域1cに不純物の打ち込みを行わないオフセット構造を持ってよいし、走査線3aの一部からなるゲート電極をマスクとして高濃度で不純物を打ち込み、自己整合的に高濃度ソース及びドレイン領域を形成するセルフアライン型のTFTであってもよい。また本実施の形態では、画素スイッチング用TFT30のゲート電極を高濃度ソース領域1d及び高濃度ドレイン領域1e間に1個のみ配置したシングルゲート構造としたが、これらの間に2個以上のゲート電極を配置してもよい。このようにデュアルゲート或いはトリプルゲート以上でTFTを構成すれば、チャネルとソース及びドレイン領域との接合部のリーク電流を防止でき、オフ時の電流を低減することができる。そして、周辺回路を構成するTFTについても同様に各種のTFTとして構築可能である。
【0108】
以上図1から図9を参照して説明した各実施の形態では、データ線駆動回路101及び走査線駆動回路104をTFTアレイ基板10の上に設ける代わりに、例えばTAB(Tape Automated Bonding)基板上に実装された駆動用LSIに、基板10の周辺部に設けられた異方性導電フィルムを介して電気的及び機械的に接続するようにしてもよい。また、対向基板20の投射光が入射する側及び基板10の出射光が出射する側には各々、例えば、TN(Twisted Nematic)モード、VA(Vertically Aligned)モード、PDLC(Polymer Dispersed Liquid Crystal)モード等の動作モードや、ノーマリーホワイトモード/ノーマリーブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光板などが所定の方向で配置される。
【0109】
以上説明した各実施の形態における電気光学装置は、プロジェクタに適用されるため、3枚の電気光学装置がRGB用のライトバルブとして各々用いられ、各ライトバルブには各々RGB色分解用のダイクロイックミラーを介して分解された各色の光が投射光として各々入射されることになる。従って、各実施の形態では、対向基板20に、カラーフィルタは設けられていない。しかしながら、対向基板に遮光膜の形成されていない画素電極9aに対向する所定領域にRGBのカラーフィルタをその保護膜と共に、対向基板20上に形成してもよい。このようにすれば、プロジェクタ以外の直視型や反射型のカラー電気光学装置について、各実施の形態における電気光学装置を適用できる。また、対向基板20上に1画素1個対応するようにマイクロレンズを形成してもよい。あるいは、TFTアレイ基板10上のRGBに対向する画素電極9a下にカラーレジスト等でカラーフィルタ層を形成することも可能である。このようにすれば、入射光の集光効率を向上することで、明るい電気光学装置が実現できる。更にまた、対向基板20上に、何層もの屈折率の相違する干渉層を堆積することで、光の干渉を利用して、RGB色を作り出すダイクロイックフィルタを形成してもよい。このダイクロイックフィルタ付き対向基板によれば、より明るいカラー電気光学装置が実現できる。
【0110】
次に、以上詳細に説明した電気光学装置をライトバルブとして用いた電子機器の一例である投射型カラー表示装置の実施の形態について、その全体構成、特に光学的な構成について説明する。ここに図10は、投射型カラー表示装置の図式的断面図である。
【0111】
図10において、本実施の形態における投射型カラー表示装置の一例である液晶プロジェクタ1100は、駆動回路がTFTアレイ基板上に搭載された液晶装置100を含む液晶モジュールを3個用意し、夫々RGB用のライトバルブ100R、100G及び100Bとして用いたプロジェクタとして構成されている。液晶プロジェクタ1100では、メタルハライドランプ等の白色光源のランプユニット1102から投射光が発せられると、3枚のミラー1106及び2枚のダイクロイックミラー1108によって、RGBの3原色に対応する光成分R、G、Bに分けられ、各色に対応するライトバルブ100R、100G及び100Bに夫々導かれる。この際特にB光は、長い光路による光損失を防ぐために、入射レンズ1122、リレーレンズ1123及び出射レンズ1124からなるリレーレンズ系1121を介して導かれる。そして、ライトバルブ100R、100G及び100Bにより夫々変調された3原色に対応する光成分は、ダイクロイックプリズム1112により再度合成された後、投射レンズ1114を介してスクリーン1120にカラー画像として投射される。
【0112】
以上述べたように本発明によれば、少なくとも2層以上の層間絶縁膜を貫通するコンタクトホールを形成する際に、2層以上の層間絶縁膜間の界面付近で発生するえぐれを解消したり、下地導電膜突抜けを防止することが可能となる。低抵抗化及び高歩留まりコンタクトホール(安定なコンタクト形成)を実現させることができる。
【0113】
本発明は、上述した各実施の形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴なう半導体装置の製造方法及び該半導体装置、液晶表示装置のような電気光学装置の製造方法及び該電気光学装置、並びにこれらを備えた電子機器のほか、EL素子を有する表示装置等もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態である半導体装置の断面図。
【図2】コンタクトホール形成前の断面構造、及びコンタクトホールを開孔した状態の断面構造を示す断面図。
【図3】下地導電膜とソース電極との接続個所を拡大して示す拡大断面図、及び比較例における同個所の拡大断面図。
【図4】本発明の実施の形態におけるウエットエッチングとドライエッチングを順次に用いたエッチング方法の例を説明する断面図。
【図5】TFTアレイ基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図。
【図6】図5のH−H’断面図。
【図7】電気光学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路と周辺回路とを示すブロック図。
【図8】データ線、走査線、画素電極等が形成された電気光学装置の相隣接する複数の画素群の平面図。
【図9】図8のA−A’断面図。
【図10】電気光学装置をライトバルブとして用いた電子機器の一例である投射型カラー表示装置の図式的断面図。
【符号の説明】
1a…半導体層、1a’…チャネル領域、1b…低濃度ソース領域、1c…低濃度ドレイン領域、1d…高濃度ソース領域、1e…高濃度ドレイン領域、2…層間絶縁膜、3a…走査線、6a…データ線、9a…画素電極、10…素子基板、11a…下側遮光膜、12…第1の下地絶縁膜(第1の層間絶縁膜)、20…対向基板、30…TFT、41…第2の層間絶縁膜、42…第3の層間絶縁膜、50…液晶層、70…蓄積容量、81、83、85…コンタクトホール、200…半導体装置、201…界面、250…えぐれ、302…ドレイン電極、6a…ソース電極。
Claims (12)
- 下地導電膜上に連続して積層された複数の絶縁膜にコンタクトホールを備えた半導体装置であって、
前記コンタクトホールは、前記複数の絶縁膜のうち上層側絶縁膜には、下層側絶縁膜との界面に達しない部分までをウエットエッチングによるコンタクトホールと、前記ウエットエッチングで形成されたコンタクトホールに続いて前記下層側絶縁膜を介して前記下地導電膜に達する部分をドライエッチングによるコンタクトホールとで形成されてなり、
前記下層側絶縁膜上の上層側絶縁膜の前記ウエットエッチングで形成されたコンタクトホールの深さは、該上層側絶縁膜の膜厚に対して50%以上100%未満であることを特徴とする半導体装置。 - 前記上層側絶縁膜と前記下層側絶縁膜とは、膜質が異なることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記上層側絶縁膜と前記下層側絶縁膜との少なくとも一方は多層膜であることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置。
- 前記ウエットエッチングで形成されたコンタクトホールの深さは、該上層側絶縁膜の膜厚に対して80%以上100%未満であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 前記複数の絶縁膜は、減圧気相成長法(LP−CVD),プラズマ気相成長法(P−CVD),エレクトロン・サイクロトロン気相成長法(ECR−CVD),常圧気相成長法(AP−CVD)の成膜方法のいずれかの組合せにより形成されることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 前記下層側絶縁膜は、半導体層を覆う絶縁膜であって、該下層側絶縁膜を覆う前記上層側絶縁膜にはソース電極,ドレイン電極が形成され、前記コンタクトホールは、前記半導体層と前記ソース電極及び,前記半導体層とドレイン電極とのコンタクトをとることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 基板上に、第1の導電層と、該第1の導電層の上方に積層形成された第1の絶縁膜と、該第1の絶縁膜上に該第1の絶縁膜とは膜質が異なる第2の絶縁膜と、該第2の絶縁膜の上方に積層された第2の導電層とを備えており、前記第1の導電層と前記第2の導電層とを接続するコンタクトホールが前記第1の絶縁膜及び前記第2の絶縁膜間の界面を貫通して前記第1の絶縁膜及び前記第2の絶縁膜を開孔させ、該コンタクトホールを介して前記第1の導電層と前記第2の導電層とを電気的に接続する半導体装置を製造する半導体装置の製造方法であって、
前記第2の絶縁膜に、該第2の絶縁膜の膜厚に対して50%以上100%未満の深さまでウエットエッチングし、それに続いて前記第1の絶縁膜を介して前記第1の導電層に達するまでドライエッチングして、コンタクトホールを形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記ウエットエッチングの深さは、前記第2の絶縁膜の膜厚に対して80%以上100%未満であることを特徴とする請求項7に記載の半導体装置。
- 前記ウエットエッチングの深さは、前記第2の絶縁膜の膜厚に対して80%以上90%であることを特徴とする請求項7に記載の半導体装置。
- 請求項7乃至9のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法により製造される半導体装置と、該半導体装置に対向配置された対向基板と、該対向基板と前記半導体装置との間に挟持された電気光学物質とを備えたことを特徴とする電気光学装置。
- 請求項7乃至9のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法を含み、前記半導体装置と対向基板とを対向配置した状態で貼り合せる工程と、前記半導体装置及び前記対向基板両者間に電気光学物質を封入する工程とを更に含むことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
- 請求項10に記載の電気光学装置を具備することを特徴とする電子機器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003144497A JP2004349451A (ja) | 2003-05-22 | 2003-05-22 | 半導体装置及びその製造方法、電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2003144497A JP2004349451A (ja) | 2003-05-22 | 2003-05-22 | 半導体装置及びその製造方法、電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004349451A true JP2004349451A (ja) | 2004-12-09 |
JP2004349451A5 JP2004349451A5 (ja) | 2006-04-13 |
Family
ID=33531929
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003144497A Withdrawn JP2004349451A (ja) | 2003-05-22 | 2003-05-22 | 半導体装置及びその製造方法、電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2004349451A (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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- 2003-05-22 JP JP2003144497A patent/JP2004349451A/ja not_active Withdrawn
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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