JP2004349343A - 半導体装置の製造方法および電子デバイスの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】バンプ電極4aは半導体チップ3の一方の長辺3aに沿ってストレート状に配列され、バンプ電極4bは半導体チップ3の他方の長辺3bに沿って千鳥状に配列され、バンプ電極4bが配列された長辺3b側から封止樹脂5を注入することにより、フィルム基板1上にフェースダウン実装された半導体チップ3の表面を封止する。
【選択図】 図1
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体装置の製造方法および電子デバイスの製造方法に関し、特に、COF(チップ・オン・フィルム)などの樹脂封止工程に適用して好適なものである。
【0002】
【従来の技術】
従来の半導体装置では、例えば、特許文献1に開示されているように、フィルム基板上に形成された接続端子上にバンプ電極を接合することにより、半導体チップをフィルム基板上にフリップチップ実装する方法がある。そして、フリップチップ実装された半導体チップを封止する場合、半導体チップとフィルム基板との間の隙間に封止樹脂を注入することが行われている。
【0003】
【特許文献1】
特開2000−269611号公報
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、回路パターンの微細化に伴って、バンプ電極の配列がファインピッチ化されると、半導体チップとフィルム基板との間の隙間に注入された封止樹脂にボイドが発生し、半導体チップの封止性が損なわれるという問題があった。
【0005】
そこで、本発明の目的は、ボイドの発生を抑制しつつ、封止樹脂を注入することが可能な半導体装置の製造方法および電子デバイスの製造方法を提供することである。
【0006】
【課題を解決するための手段】
上述した課題を解決するために、本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法によれば、間隔の異なる複数のバンプ電極の配列が形成された半導体チップを配線基板上にフェースダウン実装する工程と、間隔の狭い方のバンプ電極の配列側から樹脂を注入する工程とを備えることを特徴とする。
【0007】
これにより、樹脂の注入方向を変化させることで、間隔の狭い方のバンプ電極の配列側で樹脂の注入圧力を高めることが可能となり、バンプ電極の間隔の狭い場合においても、バンプ電極の周囲に樹脂を行き渡らせることを可能としつつ、半導体チップと配線基板との間の隙間に樹脂を注入することが可能となる。このため、製造工程を煩雑化させることなく、半導体チップと配線基板との間の隙間に注入された封止樹脂にボイドが発生することを抑制することが可能となり、フェースダウン実装された半導体チップの封止性を向上させることが可能となる。
【0008】
また、本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法によれば、ストレート配列された第1バンプ電極および千鳥配列された第2バンプ電極が形成された半導体チップを配線基板上にフェースダウン実装する工程と、前記第2バンプ電極側から樹脂を注入する工程とを備えることを特徴とする。
これにより、樹脂の注入方向を変化させることで、半導体チップと配線基板との間の隙間に注入された封止樹脂にボイドが発生することを抑制することが可能となり、バンプ電極のファインピッチ化を可能としつつ、フェースダウン実装された半導体チップの封止性を向上させることが可能となる。
【0009】
また、本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法によれば、信号入力側に形成された第1バンプ電極配列および信号出力側に形成された第2バンプ電極配列が設けられた半導体チップを配線基板上にフェースダウン実装する工程と、前記第2バンプ電極側から樹脂を注入する工程とを備えることを特徴とする。
これにより、信号入力側に比べて信号出力側の配線数が多い場合においても、樹脂の注入方向を変化させることで、半導体チップと配線基板との間の隙間に注入された封止樹脂にボイドが発生することを抑制することが可能となり、製造工程を煩雑化させることなく、フェースダウン実装された半導体チップの封止性を向上させることが可能となる。
【0010】
また、本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法によれば、間隔の異なる複数のバンプ電極の配列が少なくとも2辺に沿って形成された半導体チップを配線基板上にフェースダウン実装する工程と、間隔の狭い方のバンプ電極が配列された長辺側から樹脂を注入する工程とを備えることを特徴とする。
これにより、樹脂の注入方向を変化させることで、樹脂の侵入経路の短縮化を図りつつ、間隔の狭い方のバンプ電極の配列側で樹脂の注入圧力を高めることが可能となる。このため、製造工程を煩雑化させることなく、半導体チップと配線基板との間の隙間に注入された封止樹脂にボイドが発生することを抑制することが可能となり、フェースダウン実装された半導体チップの封止性を向上させることが可能となる。
【0011】
また、本発明の一態様に係る電子デバイスの製造方法によれば、間隔の異なる複数のバンプ電極の配列が形成された電子部品を配線基板上にフリップチップ実装する工程と、間隔の狭い方のバンプ電極の配列側から樹脂を注入する工程とを備えることを特徴とする。
これにより、樹脂の注入方向を変化させることで、間隔の狭い方のバンプ電極の配列側で樹脂の注入圧力を高めることが可能となり、バンプ電極の間隔の狭い場合においても、バンプ電極の周囲に樹脂を行き渡らせることを可能としつつ、電子部品と配線基板との間の隙間に樹脂を注入することが可能となる。このため、製造工程を煩雑化させることなく、電子部品と配線基板との間の隙間に注入された封止樹脂にボイドが発生することを抑制することが可能となり、フリップチップ実装された電子部品の封止性を向上させることが可能となる。
【0012】
また、本発明の一態様に係る電子デバイスの製造方法によれば、ストレート配列された第1バンプ電極および千鳥配列された第2バンプ電極が形成された電子部品を配線基板上にフリップチップ実装する工程と、前記第2バンプ電極側から樹脂を注入する工程とを備えることを特徴とする。
これにより、樹脂の注入方向を変化させることで、電子部品と配線基板との間の隙間に注入された封止樹脂にボイドが発生することを抑制することが可能となり、バンプ電極のファインピッチ化を可能としつつ、フリップチップ実装された電子部品の封止性を向上させることが可能となる。
【0013】
また、本発明の一態様に係る電子デバイスの製造方法によれば、信号入力側に形成された第1バンプ電極配列および信号出力側に形成された第2バンプ電極配列が設けられた電子部品を配線基板上にフリップチップ実装する工程と、前記第2バンプ電極側から樹脂を注入する工程とを備えることを特徴とする。
これにより、信号入力側に比べて信号出力側の配線数が多い場合においても、樹脂の注入方向を変化させることで、電子部品と配線基板との間の隙間に注入された封止樹脂にボイドが発生することを抑制することが可能となり、製造工程を煩雑化させることなく、フリップチップ実装された電子部品の封止性を向上させることが可能となる。
【0014】
また、本発明の一態様に係る電子デバイスの製造方法によれば、間隔の異なる複数のバンプ電極の配列が少なくとも2辺に沿って形成された電子部品を配線基板上にフリップチップ実装する工程と、間隔の狭い方のバンプ電極が配列された長辺側から樹脂を注入する工程とを備えることを特徴とする。
これにより、樹脂の注入方向を変化させることで、樹脂の侵入経路の短縮化を図りつつ、間隔の狭い方のバンプ電極の配列側で樹脂の注入圧力を高めることが可能となる。このため、製造工程を煩雑化させることなく、電子部品と配線基板との間の隙間に注入された封止樹脂にボイドが発生することを抑制することが可能となり、フリップチップ実装された電子部品の封止性を向上させることが可能となる。
【0015】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態に係る半導体装置の製造方法について図面を参照しながら説明する。
図1(a)は、本発明の第1実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図、図1(b)は、図1(a)の半導体チップ3上の封止樹脂5の流れを示した平面図である。
【0016】
図1において、フィルム基板1上には、配線部2´および配線部2´に接続された接続端子2が形成され、半導体チップ3にはバンプ電極4a、4bが設けられている。ここで、バンプ電極4aは半導体チップ3の一方の長辺3aに沿ってストレート状に配列され、バンプ電極4bは半導体チップ3の他方の長辺3bに沿って千鳥状に配列されている。
【0017】
そして、バンプ電極4a、4bが接続端子2上に接合されることにより、半導体チップ3がフィルム基板1上にフェースダウン実装されている。そして、半導体チップ3とフィルム基板1との間の隙間に封止樹脂5を注入することにより、半導体チップ3の表面を封止することができる。ここで、半導体チップ3の表面を封止する場合、バンプ電極4bが配列された長辺3b側から封止樹脂5を注入することができる。
【0018】
これにより、ストレート状に配列されたバンプ電極4a側に比べ、千鳥状に配列されたバンプ電極4b側で封止樹脂5の注入圧力を高めることが可能となり、バンプ電極4bの周囲に封止樹脂5を行き渡らせることを可能としつつ、半導体チップ3の表面を封止することが可能となる。このため、半導体チップ3とフィルム基板1との間の隙間に注入された封止樹脂5にボイドが発生することを抑制することが可能となり、バンプ電極4bのファインピッチ化を可能としつつ、フェースダウン実装された半導体チップ3の封止性を向上させることが可能となる。
【0019】
なお、上述した実施形態では、フィルム基板11上に半導体チップ13を実装する方法について説明したが、半導体チップ13の実装対象は必ずしもフィルム基板11に限定されることなく、例えば、プリント基板、多層配線基板、ビルドアップ基板、テープ基板またはガラス基板などでもよい。
図2は、本発明の第2実施形態に係る半導体チップ13上の封止樹脂15の流れを示す平面図である。
【0020】
図2において、半導体チップ13にはバンプ電極14a、14bが設けられている。ここで、バンプ電極14a、14bは半導体チップ13の互いに対向する長辺13a、13bにそれぞれ沿ってストレート状に配列され、バンプ電極14bの配列間隔は、バンプ電極14aの配列間隔よりも狭くなっている。ここで、バンプ電極14a、14bを介してフェースダウン実装された半導体チップ13の表面を封止する場合、バンプ電極14bが配列された長辺13b側から封止樹脂15を注入することができる。
【0021】
これにより、封止樹脂15の注入方向を調整することで、間隔の狭い方のバンプ電極14bの配列側で封止樹脂15の注入圧力を高めることが可能となる。このため、バンプ電極14bの間隔の狭い場合においても、封止樹脂15にボイドが発生することを抑制しつつ、半導体チップ13の表面を封止することが可能となり、製造工程を煩雑化させることなく、フェースダウン実装された半導体チップ13の封止性を向上させることが可能となる。
【0022】
図3は、本発明の第3実施形態に係る半導体チップ13上の封止樹脂15の流れを示す平面図である。
図3において、半導体チップ23にはバンプ電極24a、24bが設けられている。ここで、バンプ電極24aは、半導体チップ23の一方の長辺23aに沿ってストレート状に配列され、バンプ電極24bは、半導体チップ23の他方の長辺23bおよび短辺23c、24dに沿ってストレート状に配列されている。
そして、バンプ電極24bの配列間隔は、バンプ電極24aの配列間隔よりも狭くなっている。ここで、バンプ電極24a、24bを介してフェースダウン実装された半導体チップ23の表面を封止する場合、バンプ電極24bが配列された長辺23b側から封止樹脂25を注入することができる。
【0023】
これにより、封止樹脂25の注入方向を変化させることで、封止樹脂25の侵入経路の短縮化を図りつつ、間隔の狭い方のバンプ電極24bの配列側で封止樹脂25の注入圧力を高めることが可能となる。このため、製造工程を煩雑化させることなく、封止樹脂25にボイドが発生することを抑制することが可能となり、フェースダウン実装された半導体チップ23の封止性を向上させることが可能となる。
【0024】
図4(a)は、図4(b)のA−A線で切断した断面図、図4(b)は、本発明の第4実施形態に係る液晶モジュールの概略構成を示す平面図である。
図4において、液晶モジュールには、液晶パネルPNおよび液晶パネルPNを駆動する液晶ドライバDRが設けられている。ここで、液晶ドライバDRには、駆動用回路などが形成された半導体チップ33が設けられ、半導体チップ33はバンプ電極34を介してフィルム基板31上に実装されるとともに、半導体チップ33の表面は封止樹脂35により封止されている。
【0025】
また、液晶パネルPNには、ガラス基板51、54が設けられ、ガラス基板51にはITOなどの透明電極52が形成されている。透明電極52が形成されたガラス基板51とガラス基板54との間には液晶層53が設けられ、液晶層53はシール材55でシールされている。
ここで、フィルム基板31上には、信号入力用配線部32aおよび信号出力用配線部32bが設けられている。そして、信号入力用配線部32aのアウタリードは、ACF(Anisotropic Conductive Film)などの接続端子42を介してプリント基板41に接続されるとともに、信号出力用配線部32bのアウタリードは、ACFなどの接続端子56を介して透明電極52に接続されている。
一方、信号入力用配線部32aおよび信号出力用配線部32bのインナーリードは、半導体チップ33のバンプ電極34にそれぞれ接合されている。ここで、半導体チップ33の表面を封止樹脂35で封止する場合、信号出力用配線部32bに接続されたバンプ電極34bの配列側から封止樹脂35を注入することができる。
【0026】
これにより、信号入力用配線部32aに比べて信号出力用配線部32bの配線数が多い場合においても、封止樹脂35の注入方向を変化させることで、半導体チップ33とフィルム基板31との間の隙間に注入された封止樹脂35にボイドが発生することを抑制することが可能となり、製造工程を煩雑化させることなく、フェースダウン実装された半導体チップ33の封止性を向上させることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】第1実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図。
【図2】第2実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図。
【図3】第3実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図。
【図4】第4実施形態に係る液晶モジュールの構成を示す図。
【符号の説明】
1、31 フィルム基板、2´、32a、32b 配線部、3、13、23、33 半導体チップ、4a、4b、14a、14b、24a、24b、34a、34b バンプ電極、5、15、25、35 封止樹脂、41 プリント基板、42、56 接続端子、51、54 ガラス基板、52 透明電極、53 液晶層、55 シール材
Claims (8)
- 間隔の異なる複数のバンプ電極の配列が形成された半導体チップを配線基板上にフェースダウン実装する工程と、
間隔の狭い方のバンプ電極の配列側から樹脂を注入する工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - ストレート配列された第1バンプ電極および千鳥配列された第2バンプ電極が形成された半導体チップを配線基板上にフェースダウン実装する工程と、
前記第2バンプ電極側から樹脂を注入する工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 信号入力側に形成された第1バンプ電極配列および信号出力側に形成された第2バンプ電極配列が設けられた半導体チップを配線基板上にフェースダウン実装する工程と、
前記第2バンプ電極側から樹脂を注入する工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 間隔の異なる複数のバンプ電極の配列が少なくとも2辺に沿って形成された半導体チップを配線基板上にフェースダウン実装する工程と、
間隔の狭い方のバンプ電極が配列された長辺側から樹脂を注入する工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 間隔の異なる複数のバンプ電極の配列が形成された電子部品を配線基板上にフリップチップ実装する工程と、
間隔の狭い方のバンプ電極の配列側から樹脂を注入する工程とを備えることを特徴とする電子デバイスの製造方法。 - ストレート配列された第1バンプ電極および千鳥配列された第2バンプ電極が形成された電子部品を配線基板上にフリップチップ実装する工程と、
前記第2バンプ電極側から樹脂を注入する工程とを備えることを特徴とする電子デバイスの製造方法。 - 信号入力側に形成された第1バンプ電極配列および信号出力側に形成された第2バンプ電極配列が設けられた電子部品を配線基板上にフリップチップ実装する工程と、
前記第2バンプ電極側から樹脂を注入する工程とを備えることを特徴とする電子デバイスの製造方法。 - 間隔の異なる複数のバンプ電極の配列が少なくとも2辺に沿って形成された電子部品を配線基板上にフリップチップ実装する工程と、
間隔の狭い方のバンプ電極が配列された長辺側から樹脂を注入する工程とを備えることを特徴とする電子デバイスの製造方法。
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