JP2004349319A - 電界効果型有機トランジスタ - Google Patents
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- 230000005669 field effect Effects 0.000 title claims abstract description 40
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 39
- -1 aromatic cyclic compound Chemical class 0.000 claims abstract description 36
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 44
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 claims description 7
- 150000002894 organic compounds Chemical group 0.000 claims description 3
- 230000005494 condensation Effects 0.000 abstract 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 abstract 1
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 17
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 12
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 11
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 11
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 10
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 9
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 8
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 8
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 6
- LVTJOONKWUXEFR-FZRMHRINSA-N protoneodioscin Natural products O(C[C@@H](CC[C@]1(O)[C@H](C)[C@@H]2[C@]3(C)[C@H]([C@H]4[C@@H]([C@]5(C)C(=CC4)C[C@@H](O[C@@H]4[C@H](O[C@H]6[C@@H](O)[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](C)O6)[C@@H](O)[C@H](O[C@H]6[C@@H](O)[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](C)O6)[C@H](CO)O4)CC5)CC3)C[C@@H]2O1)C)[C@H]1[C@H](O)[C@H](O)[C@H](O)[C@@H](CO)O1 LVTJOONKWUXEFR-FZRMHRINSA-N 0.000 description 6
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 6
- 229920001665 Poly-4-vinylphenol Polymers 0.000 description 5
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 5
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N pentacene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC5=CC=CC=C5C=C4C=C3C=C21 SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 3
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 3
- YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 4-Butyrolactone Chemical compound O=C1CCCO1 YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229940126062 Compound A Drugs 0.000 description 2
- NLDMNSXOCDLTTB-UHFFFAOYSA-N Heterophylliin A Natural products O1C2COC(=O)C3=CC(O)=C(O)C(O)=C3C3=C(O)C(O)=C(O)C=C3C(=O)OC2C(OC(=O)C=2C=C(O)C(O)=C(O)C=2)C(O)C1OC(=O)C1=CC(O)=C(O)C(O)=C1 NLDMNSXOCDLTTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical group C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical group C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 2
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 2
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 2
- PCCVSPMFGIFTHU-UHFFFAOYSA-N tetracyanoquinodimethane Chemical compound N#CC(C#N)=C1C=CC(=C(C#N)C#N)C=C1 PCCVSPMFGIFTHU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UQIALXKABMTJBC-UHFFFAOYSA-N 1H-benzimidazole benzo[b][1,10]phenanthroline Chemical compound c1nc2ccccc2[nH]1.c1ccc2nc3c(ccc4cccnc34)cc2c1 UQIALXKABMTJBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 1
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 1
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N Furan Chemical group C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002033 PVDF binder Substances 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052776 Thorium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052770 Uranium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004996 alkyl benzenes Chemical class 0.000 description 1
- 150000008052 alkyl sulfonates Chemical class 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940077388 benzenesulfonate Drugs 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- JNGZXGGOCLZBFB-IVCQMTBJSA-N compound E Chemical compound N([C@@H](C)C(=O)N[C@@H]1C(N(C)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=N1)=O)C(=O)CC1=CC(F)=CC(F)=C1 JNGZXGGOCLZBFB-IVCQMTBJSA-N 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 125000000664 diazo group Chemical group [N-]=[N+]=[*] 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 125000002573 ethenylidene group Chemical group [*]=C=C([H])[H] 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- 150000003949 imides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 125000000325 methylidene group Chemical group [H]C([H])=* 0.000 description 1
- 238000001053 micromoulding Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000896 monocarboxylic acid group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 125000005010 perfluoroalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920002239 polyacrylonitrile Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 229920002981 polyvinylidene fluoride Polymers 0.000 description 1
- 125000000714 pyrimidinyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000168 pyrrolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002174 soft lithography Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 230000002195 synergetic effect Effects 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052713 technetium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229930192474 thiophene Chemical group 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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Abstract
【解決手段】ソース電極、ドレイン電極及びゲート電極の3つの電極と、ゲート絶縁層及び有機半導体層とで構成された電界効果型有機トランジスタであって、前記有機半導体層が、2以上の繰り返し単位を有し、その繰り返し単位中に10以上の共役二重結合を有し、2回回転軸を3つ有する縮合芳香環化合物を含むことを特長とする電界効果型有機トランジスタ。
【選択図】 図1
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は電界効果型有機トランジスタに関して、特に表示デバイス、情報タグ、IC等のエレクトロ分野に有用な有機半導体層を有する電界効果型有機トランジスタに関するものである。
【0002】
【背景技術】
有機半導体を利用した有機トランジスタは、シリコントランジスタでは困難とされるプラスチック基板上への製造や大画面化が可能であり、フレキシブルな電子ペーパー、情報タグ等の新しいデバイスへの適用の期待が高まっている。
【0003】
真空蒸着プロセスで得られる有機半導体は特許文献1に、液相プロセスで得られる有機半導体は特許文献2に提案されている。
【0004】
【特許文献1】
特開2001−094107
【特許文献2】
特開平10−190001
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら従来提案されている有機半導体は、移動度が低く、真空蒸着プロセスで得られる有機半導体の移動度は10−1cm2/Vsレベル、液相プロセスで得られる有機半導体の移動度は10−2cm2/Vsレベルに留まっている。また、有機トランジスタは閾値電圧が高い、長時間駆動することでその閾値電圧が変動してしまう等の問題点により、未だ実用化に至っていない。
【0006】
本発明は、この様な従来技術に鑑みてなされたものであり、前記従来課題を解決した有機半導体層を有する新規な電界効果型有機トランジスタ素子を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】
本発明は有機半導体層として、2以上の繰り返し単位を有し、その繰り返し単位中に10以上の共役二重結合を有し、2回回転軸を3つ有する縮合芳香環化合物を用いることで、移動度が高く、閾値電圧が低く、更には閾値電圧の変動が改善された電界効果型有機トランジスタを提供するものである。
【0008】
本発明はソース電極、ドレイン電極及びゲート電極の3つの電極と、ゲート絶縁層及び有機半導体層とで構成された電界効果型有機トランジスタであって、前記有機半導体層が、2以上の繰り返し単位を有し、その繰り返し単位中に10以上の共役二重結合を有し、2回回転軸を3つ有する縮合芳香環化合物を含むことを特長とする電界効果型有機トランジスタである。前記縮合芳香環化合物の繰り返し単位が2以上1000以下であることが好ましく、更には2以上200以下であることが好ましい。また、前記縮合芳香環化合物の繰り返し単位中の共役二重結合の数が10以上20以下であることが好ましい。前記縮合芳香環化合物のエネルギーバンドギャップが1eV以下であることが好ましい。前記縮合芳香環化合物は液相プロセスで製造することが好ましい。前記縮合芳香環化合物は配向していることが好ましく、更には前記縮合芳香環化合物の長軸方向がソース電極とドレイン電極間を電荷が流れる方向に対して平行に配向していることが好ましい。また、前記ゲート絶縁層は有機化合物であることが好ましい。
【0009】
【発明の実施の形態】
本発明の電界効果型有機トランジスタの構造はプレーナー型、スタガー型、逆スタガー型またはSIT型、何れにおいても有効であるがプレーナー型を一例に図1を用いて本発明を説明する。絶縁性基板11上にゲート電極12を配置し、その上にゲート絶縁層13を位置する。更にその上にソース電極14およびドレイン電極15を配置する。その上に有機半導体層16、そして最上部に保護膜17を位置する。
【0010】
本発明の特徴は有機半導体層として2以上の繰り返し単位を有し、その繰り返し単位中に10以上の共役二重結合を有し、2回回転軸を3つ有する縮合芳香環化合物を用いることで▲1▼高い移動度が得られる。▲2▼低い閾値電圧が得られる。▲3▼閾値電圧の変動が小さい。等に特に効果的であることを見出したものである。2回回転軸とはある回転軸を中心に構造を360度回転したときに全く同じ構造になる回数が180度と360度の2回あることをいう。現在、有機半導体層として広く利用されている化合物としてペンタセンがある。図4に示すようにペンタセンは2回回転軸をX方向、Y方向、Z方向の3つを有する縮合芳香環化合物である。しかしながらその繰り返し単位中には3個の共役二重結合しか有していない。また、APPLIED PHYSICS LETTERS Vol.78,2,228(2001)に記載されるポリ(ベンズイミダゾールベンゾフェナントロリン)は10以上の共役二重結合を有する縮合芳香環化合物であるが2回回転軸を1つしか有していない。本発明は実用的で高性能な有機半導体層はどのようなものであるかを詳細に検討したところ前述の条件を満たす縮合芳香環化合物を用いることが有効であるという結論に至った。即ち、繰り返し単位中に10以上の共役二重結合を有することで電荷の非局在化を促し、また2回回転軸を3つ有することで対称性が向上し、高秩序構造が得られる。それらの相乗効果により、これまで成し得なかった高い移動度、低い閾値電圧、及び閾値電圧の小さい変動を得ることができたものである。
【0011】
前記縮合芳香環化合物の繰り返し単位数は合成の容易性、溶剤に対する可溶性等から2以上1000以下であることが好ましく、更には2以上200以下であることが好ましい。また、前記縮合芳香環化合物の繰り返し単位中の共役二重結合の数は合成の容易性、溶剤に対する可溶性等から10以上20以下であることが好ましい。また、より本発明の効果を顕著にする為には前記縮合芳香環化合物のエネルギーバンドギャップが1eV以下であることが好ましい。
【0012】
本発明で有機半導体層として用いられる縮合芳香環化合物の具体的な構造を一般式(I)〜(IV)に示すが、本発明はこれらの化合物に限定されるものではない。
【0013】
【化1】
【0014】
【化2】
【0015】
【化3】
【0016】
【化4】
【0017】
式(I)〜(IV)中、R1〜R7は水素、ハロゲン、OH、NO2、NH3、COOH、CN、SO3H、SHまたは置換基を有していても良い炭素原子数1〜50までのアルキル基またはパーフルオロアルキル基を示す。該アルキル基中の1つ以上のメチレンは置換基を有しても良い芳香環(ベンゼン環、ピリジン環、ピリジン環、ピリミジン環、ピロール環、フラン環、チオフェン環)またはO、CO、S、NHに置き換えられていても良い。MはメタルフリーであるかまたはZn、Mg、Ca、Sr、Ba、Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Th、U、Cr、Mo、Mn、Tc、Re、Fe、Ru、Os、Co、Rh、Ir、Ni、Pd、Pt、Cu、Ag、Au、Cd、Hg、Al、Ga、In、Tl、Si、Ge、Sn、Pb、As、Sb、Biを示す。nは2以上1000までの整数である。
【0018】
これら化合物を得る為の参考となる文献を以下に示す。
NANOTECHNOLOGY,Vol.7,p.424(1996)、
SYNTH.MET.,Vol.83,p.173(1996)、
J.AM.CHEM.SOC.,Vol.123,No.42,p.10304(2001)
また、本発明で用いられる有機半導体層はその電気伝導度を調整する為に適当なドーパントを含有していても良い。ドーパントの種類としてアクセプター性のI2、Br2、Cl2、BF3、PF5、H2SO4、FeCl3、TCNQ(テトラシアノキノジメタン)、ドナー性のLi、K、Na、Eu、界面活性剤であるアルキルスルホン酸塩、アルキルベンゼンスルホン酸塩等があげられる。また、低コストで大面積に製造できるという観点から前記有機半導体層は液相プロセスで形成することが好ましい。液相プロセスでの有機半導体層の形成方法は特に限定はされないが、電解重合法、キャスティング法、スピンコート法、浸漬コート法、スクリーン印刷法、マイクロモールド法、マイクロコンタクト法、ロール塗布法、インクジェット法、LB法等が挙げられる。
【0019】
前記縮合芳香環化合物はより本発明の効果を顕著にする為には配向していることが好ましく、更には前記縮合芳香環化合物の長軸方向がソース電極とドレイン電極間を電荷が流れる方向に対して平行に配向していることが好ましい。配向させる手法としては特に限定はされないが、ラビング法、延伸法、摩擦転写法、磁場配向等が有効である。
【0020】
本発明で用いられるゲート絶縁層は特に限定はされないが、SiO2、SiNx、Al2O3、Ta2O5等の無機材料、ポリイミド、ポリアクリロニトリル、ポリテトラフルオロエチレン、ポリビニルアルコール、ポリビニルフェノール、ポリエチレンテレフタレート、ポリフッ化ビニリデン等の有機材料および有機無機ハイブリッド材料を用いることができる。好ましくは、低コストにつながる液相プロセスを利用できるという観点から有機化合物が好ましい。
【0021】
絶縁性基板としては特に限定されないが、例えばガラス、石英等の無機材料のほかアクリル系、ビニル系、エステル系、イミド系、ウレタン系、ジアゾ系、シンナモイル系等の感光性高分子化合物、ポリフッ化ビニリデン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン等の有機材料、有機無機ハイブリッド材料を用いることができる。また、これらの材料を2層以上積層させて用いることもでき、絶縁耐圧を上げる目的で効果がある。
【0022】
更に本発明で用いられるゲート電極、ソース電極およびドレイン電極は導電体であれば特に限定はされないが、例えばAl、Cu、Ti、Au、Pt、Ag、Cr等の金属材料、ポリシリコン、シリサイド、ITO(Indium TinOxide)、SnO2等の無機材料も好適であるが、ハイドープされたポリピリジン、ポリアセチレン、ポリアニリン、ポリピロール、ポリチオフェンに代表される導電性高分子および炭素粒子、銀粒子等を分散した導電性インク等を用いることができる。特にフレキシブル電子ペーパー等に用いる場合、各電極は導電性高分子および炭素粒子、銀粒子等を分散した導電性インク等であるものが基板との熱膨張をそろえ易く好ましい。
【0023】
これら各電極、ゲート絶縁層の形成方法は特に限定はされないが有機材料の場合、電解重合法、キャスティング法、スピンコート法、浸漬コート法、スクリーン印刷法、マイクロモールド法、マイクロコンタクト法、ロール塗布法、インクジェット法、LB法等で形成することができる。また、用いる材料により真空蒸着法、CVD法、電子ビーム蒸着法、抵抗加熱蒸着法、スパッタ法等も有効な形成方法である。また、これらはフォトリソグラフおよびエッチング処理により所望の形状にパターニングすることができる。その他、ソフトリソグラフ、インクジェット法も有効なパターニング方法である。また、必要に応じて各電極からの引出し電極や保護膜等を形成することができる。
【0024】
【実施例】
以下、実施例により本発明について更に詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
【0025】
(実施例1)
図2に本実施例の電界効果型有機トランジスタの構成図を示す。
【0026】
ゲート電極21としてn型に高ドープされたシリコン基板、ゲート絶縁層22としてSiO2、ソース電極23およびドレイン電極24としてクロム/金の堆積物、有機半導体層25として以下に示す縮合芳香環化合物Aを用いた。
【0027】
【化5】
【0028】
以下に作成手順を示す。
【0029】
シリコン基板上に熱酸化膜SiO2(300nm)を形成した。その上にリフトオフ法によりチャネル長50μm、チャネル幅50mmのクロム(5nm)/金(100nm)ソースドレイン両電極を作製した。その上に縮合芳香環化合物Aを5×10−6torrの圧力下で蒸着基板から10cm離した昇華金属用ボードから平均昇華速度0.1nm/s、基板温度25℃で膜厚100nmになるまで堆積し有機半導体層25を形成した。ゲート電極、ドレイン電極、ソース電極の各電極に0.1mmφの金線を銀ペーストで配線し、電界効果型有機トランジスタ素子を作製した。
【0030】
次にゲート電圧を0V〜−50V、ソース−ドレイン電極間の電圧0V〜−50Vでのドレイン電流を測定した。ドレイン電流の平方根とゲート電圧の関係からドレイン電流Id=0に外挿することにより閾値電圧Vthを求め、更に式(I)から移動度μを算出した。
μ=Id/{(W/2L)Ci(Vg−Vth)2} (I)
式(I)中μは移動度、Idはドレイン電流、Wはチャネル幅、Lはチャネル長、Ciはゲート絶縁層の単位面積あたりの容量、Vgはゲート電圧、Vthは閾値電圧である。
【0031】
次に閾値の変動を1回目の測定の閾値と測定を100回繰り返した後の閾値との差で算出した。それぞれの結果を以下に示す。
閾値電圧 −2.3V
μ=1.5cm2/Vs
閾値の変動 0.2V
(比較例1)
有機半導体層25として以下に示すペンタセンを用いる以外は実施例1と同様の方法で電界効果型有機トランジスタを作製した。
【0032】
【化6】
【0033】
次に、実施例1と同様の方法で評価を行い閾値電圧、閾値の変動、移動度を算出した。結果を以下に示す。
閾値電圧 −10.7V
μ=3.2×10−2cm2/Vs
閾値の変動 2.5V
(比較例2)
有機半導体層25として以下に示すペリレン誘導体を用いる以外は実施例1と同様の方法で電界効果型有機トランジスタを作製した。
【0034】
【化7】
【0035】
次に、ゲート電圧を0V〜50V、ソース−ドレイン電極間の電圧0V〜50Vでのドレイン電流を測定する以外は実施例1と同様の方法で評価を行い閾値電圧、閾値の変動、移動度を算出した。結果を以下に示す。
閾値電圧 12.4V
μ=4.2×10−3cm2/Vs
閾値の変動 3.1V
(比較例3)
有機半導体層25として以下に示す縮合芳香環化合物Bを用いる以外は実施例1と同様の方法で電界効果型有機トランジスタを作製した。
【0036】
【化8】
【0037】
次に、実施例1と同様の方法で評価を行い閾値電圧、閾値の変動、移動度を算出した。結果を以下に示す。
閾値電圧 −3.8V
μ=6.3×10−2cm2/Vs
閾値の変動 1.4V
以上の比較例1〜3の電界効果型有機トランジスタは、実施例1の電界効果型有機トランジスタに比べて、移動度が低く、閾値電圧が高く、また閾値電圧の変動も大きい。
【0038】
(実施例2)
ゲート電極21としてn型に高ドープされたシリコン基板、ゲート絶縁層22としてSiO2、ソース電極23およびドレイン電極24としてクロム/金の堆積物、有機半導体層25として以下に示す縮合芳香環化合物Cを用い、実施例1と同じ図2に示す構成の電界効果型有機トランジスタを作製した。
【0039】
【化9】
【0040】
以下に作成手順を示す。
【0041】
シリコン基板21上に熱酸化膜SiO2(300nm)を形成した。その上にリフトオフ法によりチャネル長50μm、チャネル幅50mm のクロム(5nm)/金(100nm)ソースドレイン両電極を作製した。その上に縮合芳香環化合物Cのクロロホルム溶液(0.01g/ml)をスピンコート法により塗布し、150℃で12時間乾燥し、有機半導体層25を形成した。ゲート電極、ドレイン電極、ソース電極の各電極に0.1mmφの金線を銀ペーストで配線し、電界効果型有機トランジスタ素子を作製した。
【0042】
次に、実施例1と同様の方法で評価を行い閾値電圧、閾値の変動、移動度を算出した。結果を以下に示す。
閾値電圧 −2.9V
μ=4.1×10−1cm2/Vs
閾値の変動 0.1V
(実施例3)
ゲート電極21としてn型に高ドープされたシリコン基板、ゲート絶縁層22としてポリビニルフェノール、ソース電極23およびドレイン電極24として金、有機半導体層25として縮合芳香環化合物Cを用い、実施例2と同じ図2に示す構成の電界効果型有機トランジスタを形成した。
【0043】
以下に作成手順を示す。
【0044】
シリコン基板上にポリビニルフェノールの2−プロパノール溶液(0.1g/ml)をスピンコート法により塗布し、150℃で6時間乾燥しゲート絶縁層を形成した。その上に金(50nm)を真空蒸着し、チャネル長50μm、チャネル幅10mmのソースドレイン両電極を作製した。その上に縮合芳香環化合物Cのクロロホルム溶液(0.01g/ml)をスピンコート法により塗布し、150℃で12時間乾燥し、有機半導体層25を形成した。ゲート電極、ドレイン電極、ソース電極の各電極に0.1mmφの金線を銀ペーストで配線し、電界効果型有機トランジスタ素子を作製した。
【0045】
次に、実施例1と同様の方法で評価を行い閾値電圧、閾値の変動、移動度を算出した。結果を以下に示す。
閾値電圧 −3.2V
μ=1.3×10−1cm2/Vs
閾値の変動 0.1V
(実施例4)
図3に本実施例の電界効果型有機トランジスタの構成図を示す。
【0046】
ゲート電極31としてn型に高ドープされたシリコン基板、ゲート絶縁層32としてポリビニルフェノール、ソース電極33およびドレイン電極34として金、有機半導体層35として縮合芳香環化合物Cを用いた。
【0047】
以下に作成手順を示す。
【0048】
シリコン基板上にポリビニルフェノールの2−プロパノール溶液(0.1g/ml)をスピンコート法により塗布し、150℃で6時間乾燥しゲート絶縁層を形成した。その上に縮合芳香環化合物Cのクロロホルム溶液(0.01g/ml)をスピンコート法により塗布し、150℃で12時間乾燥し、有機半導体層25を形成した。その上に金(50nm)を真空蒸着し、チャネル長50μm、チャネル幅10mmのソースドレイン両電極を作製した。ゲート電極、ドレイン電極、ソース電極の各電極に0.1mmφの金線を銀ペーストで配線し、電界効果型有機トランジスタ素子を作製した。
【0049】
次に、実施例1と同様の方法で評価を行い閾値電圧、閾値の変動、移動度を算出した。結果を以下に示す。
閾値電圧 −3.1V
μ=5.2×10−1cm2/Vs
閾値の変動 0.2V
(実施例5)
ゲート電極31としてn型に高ドープされたシリコン基板、ゲート絶縁層32としてポリイミド、ソース電極33およびドレイン電極34として金、有機半導体層35として以下に示す縮合芳香環化合物Dを用い、実施例4と同じ図3に示す構成の電界効果型有機トランジスタを製造した。
【0050】
【化10】
【0051】
この化合物DのUV吸収端は1500nmであり、エネルギーバンドギャップは0.8eVと算出された。
【0052】
以下に作成手順を示す。
【0053】
シリコン基板上にポリイミドのγ−ブチロラクトン溶液(0.1g/ml)をスピンコート法により塗布し、150℃で6時間乾燥しゲート絶縁層を形成した。その表面を布で擦りラビング処理を施した。その上に縮合芳香環化合物Dのクロロホルム溶液(0.01g/ml)をスピンコート法により塗布し、150℃で12時間乾燥し、有機半導体層25を形成した。その上に金(50nm)を真空蒸着し、チャネル長50μm、チャネル幅10mmのソースドレイン両電極を作製した。この時、ラビング方向とソースドレイン両電極を流れる電荷の方向が平行になるように電極を配置した。ゲート電極、ドレイン電極、ソース電極の各電極に0.1mmφの金線を銀ペーストで配線し、電界効果型有機トランジスタ素子を作製した。
【0054】
次に、実施例1と同様の方法で評価を行い閾値電圧、閾値の変動、移動度を算出した。結果を以下に示す。
閾値電圧 −1.8V
μ=1.2 cm2/Vs
閾値の変動 0.1
(比較例4)
有機半導体層35として以下に示す縮合芳香環化合物Eを用いる以外は実施例6と同様の方法で電界効果型有機トランジスタを作製した。
【0055】
【化11】
【0056】
次に、実施例1と同様の方法で評価を行い閾値電圧、閾値の変動、移動度を算出した。結果を以下に示す。
閾値電圧 −3.1V
μ=8.7×10−2cm2/Vs
閾値の変動 0.6V
比較例4に示す有機トランジスタは、実施例5の電界効果型有機トランジスタに比べて、移動度が低く、閾値電圧が高く、また閾値電圧の変動も大きい。
【0057】
以上、実施例1と比較例1、2、3及び実施例5と比較例4から明らかなように、本発明の条件を満たす縮合芳香環化合物を用いることが有機トランジスタの特性を向上させるのに有効であることがわかる。
【0058】
【発明の効果】
本発明によれば、表示デバイス、情報タグ、IC等のエレクトロ分野において、移動度が高く、閾値電圧が低く、閾値電圧の変動が小さい電界効果型有機トランジスタ素子を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の電界効果型有機トランジスタの断面模式図の一例である。
【図2】実施例で用いた電界効果型有機トランジスタの断面模式図である。
【図3】実施例で用いた電界効果型有機トランジスタの断面模式図である。
【図4】ペンタセンの2回回転軸の説明図である。
【符号の説明】
11 絶縁性基板
12,21,31 ゲート電極
13,22,32 ゲート絶縁層
14,23,33 ドレイン電極
15,24,34 ソース電極
16,25,35 有機半導体層
17 保護膜保護膜
Claims (9)
- ソース電極、ドレイン電極及びゲート電極の3つの電極と、ゲート絶縁層及び有機半導体層とで構成された電界効果型有機トランジスタであって、前記有機半導体層が、2以上の繰り返し単位を有し、その繰り返し単位中に10以上の共役二重結合を有し、2回回転軸を3つ有する縮合芳香環化合物を含む
ことを特長とする電界効果型有機トランジスタ。 - 前記縮合芳香環化合物の繰り返し単位数が2以上1000以下である請求項1に記載の電界効果型有機トランジスタ。
- 前記縮合芳香環化合物の繰り返し単位数が2以上200以下である請求項1に記載の電界効果型有機トランジスタ。
- 前記縮合芳香環化合物の繰り返し単位中の共役二重結合数が10以上20以下である請求項1乃至3の何れか1項に記載の電界効果型有機トランジスタ。
- 前記縮合芳香環化合物のエネルギーバンドギャップが1eV以下である請求項1乃至4の何れか1項に記載の電界効果型有機トランジスタ。
- 前記縮合芳香環化合物を液相プロセスによって有機半導体層とした請求項1乃至5の何れか1項に記載の電界効果型有機トランジスタ。
- 前記縮合芳香環化合物が配向している請求項1乃至6の何れか1項に記載の電界効果型有機トランジスタ。
- 前記縮合芳香環化合物の長軸方向がソース電極とドレイン電極間を電荷が流れる方向に対して平行に配向している請求項1乃至7の何れか1項に記載の電界効果型有機トランジスタ。
- 前記ゲート絶縁層が有機化合物である請求項1乃至8の何れか1項に記載の電界効果型有機トランジスタ。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003141924A JP4366116B2 (ja) | 2003-05-20 | 2003-05-20 | 電界効果型有機トランジスタ |
US10/847,856 US6875996B2 (en) | 2003-05-20 | 2004-05-19 | Field-effect organic transistor |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003141924A JP4366116B2 (ja) | 2003-05-20 | 2003-05-20 | 電界効果型有機トランジスタ |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004349319A true JP2004349319A (ja) | 2004-12-09 |
JP2004349319A5 JP2004349319A5 (ja) | 2005-10-20 |
JP4366116B2 JP4366116B2 (ja) | 2009-11-18 |
Family
ID=33447458
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003141924A Expired - Fee Related JP4366116B2 (ja) | 2003-05-20 | 2003-05-20 | 電界効果型有機トランジスタ |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6875996B2 (ja) |
JP (1) | JP4366116B2 (ja) |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006165533A (ja) * | 2004-11-11 | 2006-06-22 | Mitsubishi Chemicals Corp | 電界効果トランジスタ |
JP2006228860A (ja) * | 2005-02-16 | 2006-08-31 | Kyoto Univ | 有機電界効果型トランジスタ及びその製造方法 |
JP2006303423A (ja) * | 2005-03-25 | 2006-11-02 | Mitsubishi Chemicals Corp | 電界効果トランジスタ |
WO2008111540A1 (en) * | 2007-03-09 | 2008-09-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Fused ring aromatic compound and organic light-emitting device using same |
JP2008235734A (ja) * | 2007-03-23 | 2008-10-02 | Mitsui Chemicals Inc | 有機トランジスタ |
JP2008270755A (ja) * | 2007-03-23 | 2008-11-06 | Mitsui Chemicals Inc | 有機トランジスタ |
WO2009075233A1 (ja) | 2007-12-10 | 2009-06-18 | Kaneka Corporation | アルカリ現像性を有する硬化性組成物およびそれを用いた絶縁性薄膜および薄膜トランジスタ |
JP2009182036A (ja) * | 2008-01-29 | 2009-08-13 | Mitsui Chemicals Inc | 有機トランジスタ |
US7619245B2 (en) | 2005-08-01 | 2009-11-17 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Flat panel display and manufacturing method of flat panel display |
US8178397B2 (en) | 2004-11-11 | 2012-05-15 | Mitsubishi Chemical Corporation | Field effect transistor |
US8809414B2 (en) | 2008-10-02 | 2014-08-19 | Kaneka Corporation | Photocurable composition and cured product |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101115291B1 (ko) * | 2003-04-25 | 2012-03-05 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 액적 토출 장치, 패턴의 형성 방법, 및 반도체 장치의 제조 방법 |
JP4194436B2 (ja) * | 2003-07-14 | 2008-12-10 | キヤノン株式会社 | 電界効果型有機トランジスタ |
JP2005093921A (ja) * | 2003-09-19 | 2005-04-07 | Canon Inc | 電界効果型有機トランジスタおよびその製造方法 |
CN100533808C (zh) * | 2004-01-26 | 2009-08-26 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示器件及其制造方法以及电视设备 |
US7462726B2 (en) * | 2004-01-27 | 2008-12-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Conjugated thiophene compound comprising perfluorinated and alkylated sidechains, conductive organic thin film containing the compound, and field-effect type organic transistor employing the thin film |
US7462514B2 (en) | 2004-03-03 | 2008-12-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same, liquid crystal television, and EL television |
US7642038B2 (en) * | 2004-03-24 | 2010-01-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for forming pattern, thin film transistor, display device, method for manufacturing thereof, and television apparatus |
JP4449549B2 (ja) * | 2004-04-15 | 2010-04-14 | 日本電気株式会社 | 有橋環式炭化水素ラクトン構造を有する材料を用いた有機薄膜トランジスタとその製造方法 |
US8158517B2 (en) * | 2004-06-28 | 2012-04-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing wiring substrate, thin film transistor, display device and television device |
JP4602920B2 (ja) * | 2005-03-19 | 2010-12-22 | 三星モバイルディスプレイ株式會社 | 有機薄膜トランジスタ、それを備えた平板ディスプレイ装置、及び有機薄膜トランジスタの製造方法 |
US8138075B1 (en) | 2006-02-06 | 2012-03-20 | Eberlein Dietmar C | Systems and methods for the manufacture of flat panel devices |
US20070286953A1 (en) * | 2006-05-20 | 2007-12-13 | Macpherson Charles D | Solution processible materials and their use in electronic devices |
WO2008044302A1 (fr) * | 2006-10-12 | 2008-04-17 | Toyo Ink Mfg. Co., Ltd. | Transistor organique |
KR100943146B1 (ko) * | 2007-02-13 | 2010-02-18 | 주식회사 엘지화학 | 티아졸로티아졸 유도체를 이용한 유기 트랜지스터 및 이의제조방법 |
CN102105987B (zh) * | 2008-07-22 | 2013-04-03 | Dic株式会社 | 有机晶体管及其制造方法 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6107117A (en) | 1996-12-20 | 2000-08-22 | Lucent Technologies Inc. | Method of making an organic thin film transistor |
JP2001094107A (ja) | 1999-09-20 | 2001-04-06 | Hitachi Ltd | 有機半導体装置及び液晶表示装置 |
US6692658B2 (en) | 1999-12-17 | 2004-02-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrolyte and secondary cell |
JP3619174B2 (ja) | 2000-07-24 | 2005-02-09 | キヤノン株式会社 | 高分子液晶性化合物、それらを含む電解質および二次電池 |
-
2003
- 2003-05-20 JP JP2003141924A patent/JP4366116B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2004
- 2004-05-19 US US10/847,856 patent/US6875996B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006165533A (ja) * | 2004-11-11 | 2006-06-22 | Mitsubishi Chemicals Corp | 電界効果トランジスタ |
US8178397B2 (en) | 2004-11-11 | 2012-05-15 | Mitsubishi Chemical Corporation | Field effect transistor |
JP2006228860A (ja) * | 2005-02-16 | 2006-08-31 | Kyoto Univ | 有機電界効果型トランジスタ及びその製造方法 |
JP2006303423A (ja) * | 2005-03-25 | 2006-11-02 | Mitsubishi Chemicals Corp | 電界効果トランジスタ |
US7619245B2 (en) | 2005-08-01 | 2009-11-17 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Flat panel display and manufacturing method of flat panel display |
WO2008111540A1 (en) * | 2007-03-09 | 2008-09-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Fused ring aromatic compound and organic light-emitting device using same |
JP2008255095A (ja) * | 2007-03-09 | 2008-10-23 | Canon Inc | 縮合環芳香族化合物及びこれを用いた有機発光素子 |
US7960041B2 (en) | 2007-03-09 | 2011-06-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Fused ring aromatic compound and organic light-emitting device using same |
US8288017B2 (en) | 2007-03-09 | 2012-10-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Fused ring aromatic compound and organic light-emitting device using same |
JP2008270755A (ja) * | 2007-03-23 | 2008-11-06 | Mitsui Chemicals Inc | 有機トランジスタ |
JP2008235734A (ja) * | 2007-03-23 | 2008-10-02 | Mitsui Chemicals Inc | 有機トランジスタ |
WO2009075233A1 (ja) | 2007-12-10 | 2009-06-18 | Kaneka Corporation | アルカリ現像性を有する硬化性組成物およびそれを用いた絶縁性薄膜および薄膜トランジスタ |
US9464172B2 (en) | 2007-12-10 | 2016-10-11 | Kaneka Corporation | Alkali-developable curable composition, insulating thin film using the same, and thin film transistor |
JP2009182036A (ja) * | 2008-01-29 | 2009-08-13 | Mitsui Chemicals Inc | 有機トランジスタ |
US8809414B2 (en) | 2008-10-02 | 2014-08-19 | Kaneka Corporation | Photocurable composition and cured product |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20040232411A1 (en) | 2004-11-25 |
US6875996B2 (en) | 2005-04-05 |
JP4366116B2 (ja) | 2009-11-18 |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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