JP2004343094A5 - - Google Patents

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JP4895256B2 (ja) * 2005-02-23 2012-03-14 東京エレクトロン株式会社 基板の表面処理方法
JP5046506B2 (ja) * 2005-10-19 2012-10-10 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置，基板処理方法，プログラム，プログラムを記録した記録媒体
WO2007049510A1 (ja) * 2005-10-27 2007-05-03 Tokyo Electron Limited 処理方法及び記録媒体
JP4976002B2 (ja) * 2005-11-08 2012-07-18 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置，基板処理方法及び記録媒体
JP4946017B2 (ja) * 2005-11-25 2012-06-06 ソニー株式会社 半導体装置の製造方法
JP4890025B2 (ja) * 2005-12-28 2012-03-07 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法及び記録媒体
JP5119604B2 (ja) * 2006-03-16 2013-01-16 ソニー株式会社 半導体装置の製造方法
JP2007311376A (ja) * 2006-05-16 2007-11-29 Sony Corp 半導体装置の製造方法
JP5158068B2 (ja) 2009-02-20 2013-03-06 東京エレクトロン株式会社 縦型熱処理装置及び熱処理方法
JP5661523B2 (ja) * 2011-03-18 2015-01-28 東京エレクトロン株式会社 成膜方法及び成膜装置
US9023734B2 (en) * 2012-09-18 2015-05-05 Applied Materials, Inc. Radical-component oxide etch
JP6726610B2 (ja) * 2016-12-13 2020-07-22 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法及び基板処理システム
JP7407162B2 (ja) 2021-11-17 2023-12-28 株式会社アルバック エッチング方法、および、エッチング装置
JP2023179001A (ja) 2022-06-07 2023-12-19 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法及び基板処理装置
JP2024062579A (ja) 2022-10-25 2024-05-10 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法及び基板処理装置

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