JP2004340616A - 半導体加速度センサ - Google Patents
半導体加速度センサ Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004340616A JP2004340616A JP2003134727A JP2003134727A JP2004340616A JP 2004340616 A JP2004340616 A JP 2004340616A JP 2003134727 A JP2003134727 A JP 2003134727A JP 2003134727 A JP2003134727 A JP 2003134727A JP 2004340616 A JP2004340616 A JP 2004340616A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- diaphragm
- acceleration sensor
- semiconductor acceleration
- weight
- center
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Pressure Sensors (AREA)
Abstract
【課題】ダイアフラムの面に垂直な方向に過度の力が加わったときにもダイアフラムの面に平行な方向の加速度を検出することができる半導体加速度センサを提供する。
【解決手段】ダイアフラム13の他面側に、ダイアフラム13の中央部表面から所定の間隔をあけた位置に固定され、ダイアフラム13の中央部に対向して突出する突起部164が設けられている半導体加速度センサ10を構成する。ダイアフラム13の面に垂直な方向に生ずる加速度により所定値以上の力が加わった場合、ダイアフラム13は力の働く方向に歪んで伸びるが、ダイアフラム13の変位は突起部164によって制限されるため、ダイアフラム13が最大限に伸びきることがなく、突起部164の頂点が支点となって重錘15の位置が変位するので、ダイアフラム13の面に平行な方向の加速度を検出することができる。
【選択図】 図1
【解決手段】ダイアフラム13の他面側に、ダイアフラム13の中央部表面から所定の間隔をあけた位置に固定され、ダイアフラム13の中央部に対向して突出する突起部164が設けられている半導体加速度センサ10を構成する。ダイアフラム13の面に垂直な方向に生ずる加速度により所定値以上の力が加わった場合、ダイアフラム13は力の働く方向に歪んで伸びるが、ダイアフラム13の変位は突起部164によって制限されるため、ダイアフラム13が最大限に伸びきることがなく、突起部164の頂点が支点となって重錘15の位置が変位するので、ダイアフラム13の面に平行な方向の加速度を検出することができる。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体加速度センサに関し、特にセンサが回転したときにも検出感度の低下を生じ難い半導体加速度センサに関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来、自動車等の車両やタイヤ内に設けられ、車両の姿勢制御を行うため或いはタイヤの歪みを検知するために半導体加速度センサが用いられるようになってきている。
【0003】
この種の半導体加速度センサの一例を図14及び図15を参照して説明する。図14は外観斜視図、図15は図14に示すA−A線矢視方向断面図である。図に示すように、半導体加速度センサ20は、矩形の枠型をなした台座21を備え、台座21の一開口面上にシリコン基板22が取り付けられて加速度センサ20が作成されている。
【0004】
また、台座21の開口部に対応するシリコン基板22の中央部は十字形状をなす薄膜のダイアフラム23が形成されており、各ダイアフラム片23a〜23dの上面にピエゾ抵抗体26が形成されている。さらに、ダイアフラム片23a〜23dの交差部には、ダイアフラム23の中央部の一方の面側に厚膜部24が形成され、この厚膜部24の表面には例えばガラス等からなる直方体形状の重錘25が取り付けられている。
【0005】
上記構成をなす半導体加速度センサ20は、加速度に伴って発生する力が重錘25に加わると、各ダイアフラム片23a〜23dに歪みが生じ、これによってピエゾ抵抗体26の抵抗値が変化する。従って、所定のダイアフラム片23a〜23dに設けられたピエゾ抵抗体26によって抵抗ブリッジ回路を形成することにより所定方向、例えば互いに直交するX軸、Y軸、Z軸方向の加速度を検出することができる。
【0006】
上記のような半導体加速度センサの一例としては、例えば、特開平8−75775号公報、特開2000−206238号公報、特開2000−28633号公報に開示されている半導体加速度センサが知られている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、前述した従来の半導体加速度センサにおいては、図16に示すように、ダイアフラム23の面に垂直な方向27に過度の力が加わると、ダイアフラム片23a〜23dの歪みが多大となりダイアフラム片23a〜23dが伸びきってしまい、ダイアフラム23の面に平行な方向の加速度も検出することができなくなるという問題点があった。
【0008】
本発明の目的は上記の問題点に鑑み、ダイアフラムの面に垂直な方向に過度の力が加わったときにもダイアフラムの面に平行な方向の加速度を検出することができる半導体加速度センサを提供することである。
【0009】
【課題を解決するための手段】
本発明は上記の目的を達成するために、ウェハ外周枠部内にダイアフラム部が形成されたシリコンウェハと、前記ウェハ外周枠部を固定する台座と、前記ダイアフラム部の一方の面の中央部に設けられた重錘とを備えた半導体加速度センサにおいて、前記ダイアフラムの一面側或いは他面側のうちの少なくとも何れか一方の側に、ダイアフラムの中央部表面若しくは該中央部に対応する前記重錘の表面から所定の間隔をあけた位置に固定され、該中央部に対向して突出する突起部が設けられている半導体加速度センサを提案する。
【0010】
本発明によれば、前記ダイアフラムの面に垂直な方向に生ずる加速度により所定値以上の力が加わった場合、前記ダイアフラムは前記力の働く方向に歪んで伸びるが、その変位は前記突起部によって制限されるため、ダイアフラムが最大限に伸びきることがない。これにより、前記ダイアフラムの面に垂直な方向に過度の加速度が生じた場合も、前記突起部の頂点が支点となって前記重錘の位置が変位するので、前記ダイアフラムの面に平行な方向の加速度を検出することができる。
【0011】
また、本発明上記構成の半導体加速度センサにおいて、前記突起部は、前記ウェハ外周枠部または前記台座のうちの少なくとも何れか一方に固定されて支持され、前記ダイアフラムの他方の面の中央部に対向して突出するように、前記ダイアフラムの他方の面の中央部から所定の間隔をあけた位置に設けられている半導体加速度センサを提案する。
【0012】
本発明によれば、前記ダイアフラムの面に垂直な方向に生ずる加速度により、前記ダイアフラムの他方の面の側に所定値以上の力が加わった場合、前記ダイアフラムは前記力の働く方向に歪んで伸びるが、その変位は前記突起部によって制限されるため、ダイアフラムが最大限に伸びきることがない。これにより、前記ダイアフラムの他方の面の側に所定値以上の力が加わった場合も、前記突起部の頂点が支点となって前記重錘の位置が変位するので、前記ダイアフラムの面に平行な方向の加速度を検出することができる。
【0013】
また、本発明上記構成の半導体加速度センサにおいて、前記突起部は、前記ウェハ外周枠部または前記台座のうちの少なくとも何れか一方に連結固定されて支持され、前記重錘の表面に対向して突出するように、該重錘の中央部から所定の間隔をあけた位置に設けられている半導体加速度センサを提案する。
【0014】
本発明によれば、前記ダイアフラムの面に垂直な方向に生ずる加速度により、前記ダイアフラムの一方の面の側に所定値以上の力が加わった場合、前記ダイアフラムは前記力の働く方向に歪んで伸びるが、その変位は前記突起部によって制限されるため、ダイアフラムが最大限に伸びきることがない。これにより、前記ダイアフラムの一方の面の側に所定値以上の力が加わった場合も、前記突起部の頂点が支点となって前記重錘の位置が変位するので、前記ダイアフラムの面に平行な方向の加速度を検出することができる。
【0015】
また、本発明上記構成の半導体加速度センサにおいて、前記ダイアフラムの中央部表面若しくは該中央部に対応する前記重錘の表面に対応する前記突起部の先端は錐形の先端形状をなしている半導体加速度センサを提案する。
【0016】
本発明によれば、前記ダイアフラムの面に垂直な方向に生ずる加速度により所定値以上の力が加わった場合、前記ダイアフラムは前記力の働く方向に歪んで伸びるが、その変位は前記突起部の錐形をなす先端によって支持されて制限されるため、ダイアフラムが最大限に伸びきることがないと共に、前記ダイアフラムの面に垂直な方向に過度の加速度が生じた場合も、前記突起部の頂点が支点となって前記重錘の位置が変位するので、前記ダイアフラムの面に平行な方向の加速度を検出することができる。
【0017】
また、本発明上記構成の半導体加速度センサにおいて、前記ダイアフラムの面に対して平行で且つ互いに直交するX軸方向及びY軸方向のそれぞれの加速度並びに前記ダイアフラムの面に対して垂直なZ軸方向の加速度を検出可能なように、前記ダイアフラムの面の中心から該面と平行な互いに直交する4方向のそれぞれに沿って拡散抵抗体が配置されていると共に前記4方向のそれぞれに対応する前記ウェハ外周枠部上に前記拡散抵抗体に接続された接続用の電極を備えている半導体加速度センサを提案する。
【0018】
本発明によれば、前記ダイアフラムの面に対して平行で且つ互いに直交するX軸方向及びY軸方向のそれぞれの加速度並びに前記ダイアフラムの面に対して垂直なZ軸方向の加速度を検出可能なように、前記ダイアフラムの面の中心から該面と平行な互いに直交する4方向のそれぞれに沿って拡散抵抗体が配置されている。さらに、これらの拡散抵抗体は前記ウェハ外周枠部上に設けられた電極に接続されている。これにより、前記電極を介して前記拡散抵抗体に外部回路を接続することができ、前記ダイアフラムの変形に伴って前記拡散抵抗体の抵抗値が変化する。
【0019】
また、本発明上記構成の半導体加速度センサにおいて、前記ダイアフラムはシリコンピエゾ型のダイアフラムである半導体加速度センサを提案する。
【0020】
本発明によれば、前記ダイアフラムの変形によってピエゾ抵抗体の抵抗値が変化する。
【0021】
【発明の実施の形態】
以下、図面に基づいて本発明の一実施形態を説明する。
【0022】
図1は本発明の第1実施形態における半導体加速度センサを示す外観斜視図、図2は図1におけるB−B線矢視方向断面図、図3は図1におけるC−C線矢視方向断面図、図4は分解斜視図である。
【0023】
図において、10は半導体加速度センサで、台座11と、シリコン基板12、支持体16とから構成されている。
【0024】
台座11は矩形の枠型をなし、台座11の一開口面上にシリコン基板(シリコンウェハ)12が取り付けられている。また、台座11の外周部には支持体16の外枠部161が固定されている。
【0025】
台座11の開口部にシリコン基板12が設けられ、ウェハ外周枠部12a内の中央部には十字形状をなす薄膜のダイアフラム13が形成されており、各ダイアフラム片13a〜13dの上面にピエゾ抵抗体(拡散抵抗体)Rx1〜Rx4,Ry1〜Ry4,Rz1〜Rz4が形成されている。
【0026】
詳細には、一直線上に配置されたダイアフラム片13a,13bのうちの一方のダイアフラム片13aにはピエゾ抵抗体Rx1,Rx2,Rz1,Rz2が形成され、他方のダイアフラム片13bにはピエゾ抵抗体Rx3,Rx4,Rz3,Rz4が形成されている。また、ダイアフラム片13a,13bに直交する一直線上に配置されたダイアフラム片13c,13dのうちの一方のダイアフラム片13cにはピエゾ抵抗体Ry1,Ry2が形成され、他方のダイアフラム片13dにはピエゾ抵抗体Ry3,Ry4が形成されている。さらに、これらのピエゾ抵抗体Rx1〜Rx4,Ry1〜Ry4,Rz1〜Rz4は、互いに直交するX軸、Y軸、Z軸方向の加速度を検出するための抵抗ブリッジ回路を構成できるように、図5に示すように接続され、シリコン基板12の外周部表面に設けられた接続用の電極121に接続されている。
【0027】
さらに、ダイアフラム片13a〜13dの交差部には、ダイアフラム13の中央部の一方の面側に厚膜部14が形成され、この厚膜部14の表面には例えばガラス等からなる直方体形状の重錘15が取り付けられている。
【0028】
一方、上記支持体16は、矩形の枠型をなした外枠部161と、固定部の4隅に立設された4つの支柱162、各支柱の先端部を連結するように設けられた十字形状の梁部163、梁部163の中央交差部分に設けられた円錐形状をなす突起部164とから構成されている。
【0029】
外枠部161は、突起部164がダイアフラム13の他面側すなわち重錘15が存在しない側に位置するように、台座11の外周部に嵌合して固定されている。ここで、突起部164の先端164aがダイアフラム13の表面から距離D1の位置になるように設定されている。この距離D1は、ダイアフラム13の面に垂直な方向に加速度が生じ、この加速度によりダイアフラム13の他方の面の側に所定値以上の力が加わった場合においても、各ダイアフラム片13a〜13dが伸びきらないように、その変位が突起部164によって制限できる値に設定されている。
【0030】
上記構成の半導体加速度センサ10を用いる場合は、図6乃至図8に示すように3つの抵抗ブリッジ回路を構成する。即ち、X軸方向の加速度を検出するためのブリッジ回路としては、図6に示すように、ピエゾ抵抗体Rx1の一端とピエゾ抵抗体Rx2の一端との接続点に直流電源32Aの正極を接続し、ピエゾ抵抗体Rx3の一端とピエゾ抵抗体Rx4の一端との接続点に直流電源32Aの負極を接続する。さらに、ピエゾ抵抗体Rx1の他端とピエゾ抵抗体Rx4の他端との接続点に電圧検出器31Aの一端を接続し、ピエゾ抵抗体Rx2の他端とピエゾ抵抗体Rx3の他端との接続点に電圧検出器31Aの他端を接続する。
【0031】
また、Y軸方向の加速度を検出するためのブリッジ回路としては、図7に示すように、ピエゾ抵抗体Ry1の一端とピエゾ抵抗体Ry2の一端との接続点に直流電源32Bの正極を接続し、ピエゾ抵抗体Ry3の一端とピエゾ抵抗体Ry4の一端との接続点に直流電源32Bの負極を接続する。さらに、ピエゾ抵抗体Ry1の他端とピエゾ抵抗体Ry4の他端との接続点に電圧検出器31Bの一端を接続し、ピエゾ抵抗体Ry2の他端とピエゾ抵抗体Ry3の他端との接続点に電圧検出器31Bの他端を接続する。
【0032】
また、Z軸方向の加速度を検出するためのブリッジ回路としては、図8に示すように、ピエゾ抵抗体Rz1の一端とピエゾ抵抗体Rz2の一端との接続点に直流電源32Cの正極を接続し、ピエゾ抵抗体Rz3の一端とピエゾ抵抗体Rz4の一端との接続点に直流電源32Cの負極を接続する。さらに、ピエゾ抵抗体Rz1の他端とピエゾ抵抗体Rz3の他端との接続点に電圧検出器31Cの一端を接続し、ピエゾ抵抗体Rz2の他端とピエゾ抵抗体Rz4の他端との接続点に電圧検出器31Cの他端を接続する。
【0033】
上記構成の半導体加速度センサ10によれば、センサ10に加わる加速度に伴って発生する力が重錘15に加わると、各ダイアフラム片13a〜13dに歪みが生じ、これによってピエゾ抵抗体26の抵抗値が変化する。従って、各ダイアフラム片13a〜13dに設けられたピエゾ抵抗体Rx1〜Rx4,Ry1〜Ry4,Rz1〜Rz4によって抵抗ブリッジ回路を形成することにより、互いに直交するX軸、Y軸、Z軸方向の加速度を検出することができる。
【0034】
さらに、図9及び図10に示すように、ダイアフラム13の面に垂直な方向の力成分を含む力41,42が働くような加速度が加わった場合、ダイアフラム13の他方の面の側に所定値以上の力が加わったとき、ダイアフラム13は力41,42の働く方向に歪んで伸びるが、その変位は突起部164の頂点164aによって支持されて制限されるため、各ダイアフラム片13a〜13dが最大限に伸びきることがない。これにより、ダイアフラム13の他方の面の側に所定値以上の力が加わった場合も、突起部164の頂点164aが支点となって重錘15の位置が変位するので、ダイアフラム13の面に平行な方向の加速度を検出することができる。
【0035】
次に、本発明の第2実施形態を説明する。
【0036】
図11本発明の第2実施形態における半導体加速度センサを示す外観斜視図、図12はその側面断面図である。図において、前述した第1実施形態と同一構成部分は同一符号を持って表しその説明を省略する。また、第2実施形態と第1実施形態との相違点は、第2実施形態では、第1実施形態の構成に加えて、重錘15の側に突起部を配置した支持体50を設けたことである。
【0037】
図において、10Bは半導体加速度センサで、台座11と、シリコン基板12、支持体16,50とから構成されている。
【0038】
支持体50は、矩形の枠型をなした外枠部501と、外枠部501の4隅に立設された4つの支柱502、各支柱502の先端部を連結するように設けられた十字形状の梁部503、梁部503の中央交差部分に設けられた円錐形状をなす突起部504とから構成されている。
【0039】
外枠部501は、突起部504が重錘15の底面側に位置するように、台座11の外周部に固定されている。ここで、突起部504の先端504aが重錘15の底面から距離D1の位置になるように設定されている。この距離D1は、第1実施形態と同様に、ダイアフラム13の面に垂直な方向に加速度が生じ、この加速度によりダイアフラム13の一方の面の側すなわち重錘15が設けられている側に所定値以上の力が加わった場合においても、各ダイアフラム片13a〜13dが伸びきらないように、その変位が突起部504によって制限できる値に設定されている。
【0040】
上記構成よりなる第2実施形態の半導体加速度センサ10Bによれば、前述した第1実施形態の効果に加えて次の効果を得ることができる。即ち、図12において下方向の力成分を含む力が働くような加速度が加わった場合、重錘15の底面15aの側に所定値以上の力が加わったとき、ダイアフラム13は力の働く方向に歪んで伸びるが、その変位は突起部504の頂点504aによって支持されて制限されるため、各ダイアフラム片13a〜13dが最大限に伸びきることがない。これにより、ダイアフラム13の他方の面の側に所定値以上の力が加わった場合も、突起部504の頂点504aが支点となって重錘15の位置が変位するので、ダイアフラム13の面に平行な方向の加速度を検出することができる。
【0041】
尚、支持体16を必要としない場合は、図13に示す第3実施形態のように支持体50のみを設けた半導体加速度センサ10Cを構成しても良い。
【0042】
また、上記実施形態の構成は、本願発明の一具体例にすぎず、本願発明が上記実施形態の構成のみに限定されることはない。
【0043】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、ダイアフラムの面に垂直な方向に生ずる加速度により所定値以上の力が加わった場合、ダイアフラムは力の働く方向に歪んで伸びるが、その変位は突起部によって制限されるため、ダイアフラムが最大限に伸びきることがないため、ダイアフラムの面に垂直な方向に過度の加速度が生じた場合も、突起部の頂点が支点となって重錘の位置が変位するので、ダイアフラムの面に平行な方向の加速度を検出することができるという非常に優れた効果を奏するものである。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施形態における半導体加速度センサを示す外観斜視図
【図2】図1におけるB−B線矢視方向断面図
【図3】図1におけるC−C線矢視方向断面図
【図4】本発明の第1実施形態における半導体加速度センサを示す分解斜視図
【図5】本発明の第1実施形態における半導体加速度センサの電気系回路を示す構成図
【図6】本発明の第1実施形態における半導体加速度センサを用いたX軸方向の加速度を検出するブリッジ回路を示す図
【図7】本発明の第1実施形態における半導体加速度センサを用いたY軸方向の加速度を検出するブリッジ回路を示す図
【図8】本発明の第1実施形態における半導体加速度センサを用いたZ軸方向の加速度を検出するブリッジ回路を示す図
【図9】本発明の第1実施形態における半導体加速度センサの動作を説明する図
【図10】本発明の第1実施形態における半導体加速度センサの動作を説明する図
【図11】本発明の第2実施形態における半導体加速度センサを示す分解斜視図
【図12】本発明の第2実施形態における半導体加速度センサを示す側断面図
【図13】本発明の第3実施形態における半導体加速度センサを示す分解斜視図
【図14】従来例の半導体加速度センサを示す外観斜視図
【図15】図14におけるA−A線矢視方向断面図
【図16】従来例の半導体加速度センサの問題点を説明する図
【符号の説明】
10,10B,10C…半導体加速度センサ、11…台座、12…シリコン基板、13…ダイアフラム、13a〜13d…ダイアフラム片、14…厚膜部、15…重錘、16…支持体、161…外枠部、162…支柱、163…梁部、164…突起部、164a…突起部先端、31A〜31C…電圧検出器、32A〜32C…直流電源、50…支持体、501…外枠部、502…支柱、503…梁部、504…突起部、504a…突起部先端、Rx1〜Rx4,Ry1〜Ry4,Rz1〜Rz4…ピエゾ抵抗体(拡散抵抗体)。
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体加速度センサに関し、特にセンサが回転したときにも検出感度の低下を生じ難い半導体加速度センサに関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来、自動車等の車両やタイヤ内に設けられ、車両の姿勢制御を行うため或いはタイヤの歪みを検知するために半導体加速度センサが用いられるようになってきている。
【0003】
この種の半導体加速度センサの一例を図14及び図15を参照して説明する。図14は外観斜視図、図15は図14に示すA−A線矢視方向断面図である。図に示すように、半導体加速度センサ20は、矩形の枠型をなした台座21を備え、台座21の一開口面上にシリコン基板22が取り付けられて加速度センサ20が作成されている。
【0004】
また、台座21の開口部に対応するシリコン基板22の中央部は十字形状をなす薄膜のダイアフラム23が形成されており、各ダイアフラム片23a〜23dの上面にピエゾ抵抗体26が形成されている。さらに、ダイアフラム片23a〜23dの交差部には、ダイアフラム23の中央部の一方の面側に厚膜部24が形成され、この厚膜部24の表面には例えばガラス等からなる直方体形状の重錘25が取り付けられている。
【0005】
上記構成をなす半導体加速度センサ20は、加速度に伴って発生する力が重錘25に加わると、各ダイアフラム片23a〜23dに歪みが生じ、これによってピエゾ抵抗体26の抵抗値が変化する。従って、所定のダイアフラム片23a〜23dに設けられたピエゾ抵抗体26によって抵抗ブリッジ回路を形成することにより所定方向、例えば互いに直交するX軸、Y軸、Z軸方向の加速度を検出することができる。
【0006】
上記のような半導体加速度センサの一例としては、例えば、特開平8−75775号公報、特開2000−206238号公報、特開2000−28633号公報に開示されている半導体加速度センサが知られている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、前述した従来の半導体加速度センサにおいては、図16に示すように、ダイアフラム23の面に垂直な方向27に過度の力が加わると、ダイアフラム片23a〜23dの歪みが多大となりダイアフラム片23a〜23dが伸びきってしまい、ダイアフラム23の面に平行な方向の加速度も検出することができなくなるという問題点があった。
【0008】
本発明の目的は上記の問題点に鑑み、ダイアフラムの面に垂直な方向に過度の力が加わったときにもダイアフラムの面に平行な方向の加速度を検出することができる半導体加速度センサを提供することである。
【0009】
【課題を解決するための手段】
本発明は上記の目的を達成するために、ウェハ外周枠部内にダイアフラム部が形成されたシリコンウェハと、前記ウェハ外周枠部を固定する台座と、前記ダイアフラム部の一方の面の中央部に設けられた重錘とを備えた半導体加速度センサにおいて、前記ダイアフラムの一面側或いは他面側のうちの少なくとも何れか一方の側に、ダイアフラムの中央部表面若しくは該中央部に対応する前記重錘の表面から所定の間隔をあけた位置に固定され、該中央部に対向して突出する突起部が設けられている半導体加速度センサを提案する。
【0010】
本発明によれば、前記ダイアフラムの面に垂直な方向に生ずる加速度により所定値以上の力が加わった場合、前記ダイアフラムは前記力の働く方向に歪んで伸びるが、その変位は前記突起部によって制限されるため、ダイアフラムが最大限に伸びきることがない。これにより、前記ダイアフラムの面に垂直な方向に過度の加速度が生じた場合も、前記突起部の頂点が支点となって前記重錘の位置が変位するので、前記ダイアフラムの面に平行な方向の加速度を検出することができる。
【0011】
また、本発明上記構成の半導体加速度センサにおいて、前記突起部は、前記ウェハ外周枠部または前記台座のうちの少なくとも何れか一方に固定されて支持され、前記ダイアフラムの他方の面の中央部に対向して突出するように、前記ダイアフラムの他方の面の中央部から所定の間隔をあけた位置に設けられている半導体加速度センサを提案する。
【0012】
本発明によれば、前記ダイアフラムの面に垂直な方向に生ずる加速度により、前記ダイアフラムの他方の面の側に所定値以上の力が加わった場合、前記ダイアフラムは前記力の働く方向に歪んで伸びるが、その変位は前記突起部によって制限されるため、ダイアフラムが最大限に伸びきることがない。これにより、前記ダイアフラムの他方の面の側に所定値以上の力が加わった場合も、前記突起部の頂点が支点となって前記重錘の位置が変位するので、前記ダイアフラムの面に平行な方向の加速度を検出することができる。
【0013】
また、本発明上記構成の半導体加速度センサにおいて、前記突起部は、前記ウェハ外周枠部または前記台座のうちの少なくとも何れか一方に連結固定されて支持され、前記重錘の表面に対向して突出するように、該重錘の中央部から所定の間隔をあけた位置に設けられている半導体加速度センサを提案する。
【0014】
本発明によれば、前記ダイアフラムの面に垂直な方向に生ずる加速度により、前記ダイアフラムの一方の面の側に所定値以上の力が加わった場合、前記ダイアフラムは前記力の働く方向に歪んで伸びるが、その変位は前記突起部によって制限されるため、ダイアフラムが最大限に伸びきることがない。これにより、前記ダイアフラムの一方の面の側に所定値以上の力が加わった場合も、前記突起部の頂点が支点となって前記重錘の位置が変位するので、前記ダイアフラムの面に平行な方向の加速度を検出することができる。
【0015】
また、本発明上記構成の半導体加速度センサにおいて、前記ダイアフラムの中央部表面若しくは該中央部に対応する前記重錘の表面に対応する前記突起部の先端は錐形の先端形状をなしている半導体加速度センサを提案する。
【0016】
本発明によれば、前記ダイアフラムの面に垂直な方向に生ずる加速度により所定値以上の力が加わった場合、前記ダイアフラムは前記力の働く方向に歪んで伸びるが、その変位は前記突起部の錐形をなす先端によって支持されて制限されるため、ダイアフラムが最大限に伸びきることがないと共に、前記ダイアフラムの面に垂直な方向に過度の加速度が生じた場合も、前記突起部の頂点が支点となって前記重錘の位置が変位するので、前記ダイアフラムの面に平行な方向の加速度を検出することができる。
【0017】
また、本発明上記構成の半導体加速度センサにおいて、前記ダイアフラムの面に対して平行で且つ互いに直交するX軸方向及びY軸方向のそれぞれの加速度並びに前記ダイアフラムの面に対して垂直なZ軸方向の加速度を検出可能なように、前記ダイアフラムの面の中心から該面と平行な互いに直交する4方向のそれぞれに沿って拡散抵抗体が配置されていると共に前記4方向のそれぞれに対応する前記ウェハ外周枠部上に前記拡散抵抗体に接続された接続用の電極を備えている半導体加速度センサを提案する。
【0018】
本発明によれば、前記ダイアフラムの面に対して平行で且つ互いに直交するX軸方向及びY軸方向のそれぞれの加速度並びに前記ダイアフラムの面に対して垂直なZ軸方向の加速度を検出可能なように、前記ダイアフラムの面の中心から該面と平行な互いに直交する4方向のそれぞれに沿って拡散抵抗体が配置されている。さらに、これらの拡散抵抗体は前記ウェハ外周枠部上に設けられた電極に接続されている。これにより、前記電極を介して前記拡散抵抗体に外部回路を接続することができ、前記ダイアフラムの変形に伴って前記拡散抵抗体の抵抗値が変化する。
【0019】
また、本発明上記構成の半導体加速度センサにおいて、前記ダイアフラムはシリコンピエゾ型のダイアフラムである半導体加速度センサを提案する。
【0020】
本発明によれば、前記ダイアフラムの変形によってピエゾ抵抗体の抵抗値が変化する。
【0021】
【発明の実施の形態】
以下、図面に基づいて本発明の一実施形態を説明する。
【0022】
図1は本発明の第1実施形態における半導体加速度センサを示す外観斜視図、図2は図1におけるB−B線矢視方向断面図、図3は図1におけるC−C線矢視方向断面図、図4は分解斜視図である。
【0023】
図において、10は半導体加速度センサで、台座11と、シリコン基板12、支持体16とから構成されている。
【0024】
台座11は矩形の枠型をなし、台座11の一開口面上にシリコン基板(シリコンウェハ)12が取り付けられている。また、台座11の外周部には支持体16の外枠部161が固定されている。
【0025】
台座11の開口部にシリコン基板12が設けられ、ウェハ外周枠部12a内の中央部には十字形状をなす薄膜のダイアフラム13が形成されており、各ダイアフラム片13a〜13dの上面にピエゾ抵抗体(拡散抵抗体)Rx1〜Rx4,Ry1〜Ry4,Rz1〜Rz4が形成されている。
【0026】
詳細には、一直線上に配置されたダイアフラム片13a,13bのうちの一方のダイアフラム片13aにはピエゾ抵抗体Rx1,Rx2,Rz1,Rz2が形成され、他方のダイアフラム片13bにはピエゾ抵抗体Rx3,Rx4,Rz3,Rz4が形成されている。また、ダイアフラム片13a,13bに直交する一直線上に配置されたダイアフラム片13c,13dのうちの一方のダイアフラム片13cにはピエゾ抵抗体Ry1,Ry2が形成され、他方のダイアフラム片13dにはピエゾ抵抗体Ry3,Ry4が形成されている。さらに、これらのピエゾ抵抗体Rx1〜Rx4,Ry1〜Ry4,Rz1〜Rz4は、互いに直交するX軸、Y軸、Z軸方向の加速度を検出するための抵抗ブリッジ回路を構成できるように、図5に示すように接続され、シリコン基板12の外周部表面に設けられた接続用の電極121に接続されている。
【0027】
さらに、ダイアフラム片13a〜13dの交差部には、ダイアフラム13の中央部の一方の面側に厚膜部14が形成され、この厚膜部14の表面には例えばガラス等からなる直方体形状の重錘15が取り付けられている。
【0028】
一方、上記支持体16は、矩形の枠型をなした外枠部161と、固定部の4隅に立設された4つの支柱162、各支柱の先端部を連結するように設けられた十字形状の梁部163、梁部163の中央交差部分に設けられた円錐形状をなす突起部164とから構成されている。
【0029】
外枠部161は、突起部164がダイアフラム13の他面側すなわち重錘15が存在しない側に位置するように、台座11の外周部に嵌合して固定されている。ここで、突起部164の先端164aがダイアフラム13の表面から距離D1の位置になるように設定されている。この距離D1は、ダイアフラム13の面に垂直な方向に加速度が生じ、この加速度によりダイアフラム13の他方の面の側に所定値以上の力が加わった場合においても、各ダイアフラム片13a〜13dが伸びきらないように、その変位が突起部164によって制限できる値に設定されている。
【0030】
上記構成の半導体加速度センサ10を用いる場合は、図6乃至図8に示すように3つの抵抗ブリッジ回路を構成する。即ち、X軸方向の加速度を検出するためのブリッジ回路としては、図6に示すように、ピエゾ抵抗体Rx1の一端とピエゾ抵抗体Rx2の一端との接続点に直流電源32Aの正極を接続し、ピエゾ抵抗体Rx3の一端とピエゾ抵抗体Rx4の一端との接続点に直流電源32Aの負極を接続する。さらに、ピエゾ抵抗体Rx1の他端とピエゾ抵抗体Rx4の他端との接続点に電圧検出器31Aの一端を接続し、ピエゾ抵抗体Rx2の他端とピエゾ抵抗体Rx3の他端との接続点に電圧検出器31Aの他端を接続する。
【0031】
また、Y軸方向の加速度を検出するためのブリッジ回路としては、図7に示すように、ピエゾ抵抗体Ry1の一端とピエゾ抵抗体Ry2の一端との接続点に直流電源32Bの正極を接続し、ピエゾ抵抗体Ry3の一端とピエゾ抵抗体Ry4の一端との接続点に直流電源32Bの負極を接続する。さらに、ピエゾ抵抗体Ry1の他端とピエゾ抵抗体Ry4の他端との接続点に電圧検出器31Bの一端を接続し、ピエゾ抵抗体Ry2の他端とピエゾ抵抗体Ry3の他端との接続点に電圧検出器31Bの他端を接続する。
【0032】
また、Z軸方向の加速度を検出するためのブリッジ回路としては、図8に示すように、ピエゾ抵抗体Rz1の一端とピエゾ抵抗体Rz2の一端との接続点に直流電源32Cの正極を接続し、ピエゾ抵抗体Rz3の一端とピエゾ抵抗体Rz4の一端との接続点に直流電源32Cの負極を接続する。さらに、ピエゾ抵抗体Rz1の他端とピエゾ抵抗体Rz3の他端との接続点に電圧検出器31Cの一端を接続し、ピエゾ抵抗体Rz2の他端とピエゾ抵抗体Rz4の他端との接続点に電圧検出器31Cの他端を接続する。
【0033】
上記構成の半導体加速度センサ10によれば、センサ10に加わる加速度に伴って発生する力が重錘15に加わると、各ダイアフラム片13a〜13dに歪みが生じ、これによってピエゾ抵抗体26の抵抗値が変化する。従って、各ダイアフラム片13a〜13dに設けられたピエゾ抵抗体Rx1〜Rx4,Ry1〜Ry4,Rz1〜Rz4によって抵抗ブリッジ回路を形成することにより、互いに直交するX軸、Y軸、Z軸方向の加速度を検出することができる。
【0034】
さらに、図9及び図10に示すように、ダイアフラム13の面に垂直な方向の力成分を含む力41,42が働くような加速度が加わった場合、ダイアフラム13の他方の面の側に所定値以上の力が加わったとき、ダイアフラム13は力41,42の働く方向に歪んで伸びるが、その変位は突起部164の頂点164aによって支持されて制限されるため、各ダイアフラム片13a〜13dが最大限に伸びきることがない。これにより、ダイアフラム13の他方の面の側に所定値以上の力が加わった場合も、突起部164の頂点164aが支点となって重錘15の位置が変位するので、ダイアフラム13の面に平行な方向の加速度を検出することができる。
【0035】
次に、本発明の第2実施形態を説明する。
【0036】
図11本発明の第2実施形態における半導体加速度センサを示す外観斜視図、図12はその側面断面図である。図において、前述した第1実施形態と同一構成部分は同一符号を持って表しその説明を省略する。また、第2実施形態と第1実施形態との相違点は、第2実施形態では、第1実施形態の構成に加えて、重錘15の側に突起部を配置した支持体50を設けたことである。
【0037】
図において、10Bは半導体加速度センサで、台座11と、シリコン基板12、支持体16,50とから構成されている。
【0038】
支持体50は、矩形の枠型をなした外枠部501と、外枠部501の4隅に立設された4つの支柱502、各支柱502の先端部を連結するように設けられた十字形状の梁部503、梁部503の中央交差部分に設けられた円錐形状をなす突起部504とから構成されている。
【0039】
外枠部501は、突起部504が重錘15の底面側に位置するように、台座11の外周部に固定されている。ここで、突起部504の先端504aが重錘15の底面から距離D1の位置になるように設定されている。この距離D1は、第1実施形態と同様に、ダイアフラム13の面に垂直な方向に加速度が生じ、この加速度によりダイアフラム13の一方の面の側すなわち重錘15が設けられている側に所定値以上の力が加わった場合においても、各ダイアフラム片13a〜13dが伸びきらないように、その変位が突起部504によって制限できる値に設定されている。
【0040】
上記構成よりなる第2実施形態の半導体加速度センサ10Bによれば、前述した第1実施形態の効果に加えて次の効果を得ることができる。即ち、図12において下方向の力成分を含む力が働くような加速度が加わった場合、重錘15の底面15aの側に所定値以上の力が加わったとき、ダイアフラム13は力の働く方向に歪んで伸びるが、その変位は突起部504の頂点504aによって支持されて制限されるため、各ダイアフラム片13a〜13dが最大限に伸びきることがない。これにより、ダイアフラム13の他方の面の側に所定値以上の力が加わった場合も、突起部504の頂点504aが支点となって重錘15の位置が変位するので、ダイアフラム13の面に平行な方向の加速度を検出することができる。
【0041】
尚、支持体16を必要としない場合は、図13に示す第3実施形態のように支持体50のみを設けた半導体加速度センサ10Cを構成しても良い。
【0042】
また、上記実施形態の構成は、本願発明の一具体例にすぎず、本願発明が上記実施形態の構成のみに限定されることはない。
【0043】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、ダイアフラムの面に垂直な方向に生ずる加速度により所定値以上の力が加わった場合、ダイアフラムは力の働く方向に歪んで伸びるが、その変位は突起部によって制限されるため、ダイアフラムが最大限に伸びきることがないため、ダイアフラムの面に垂直な方向に過度の加速度が生じた場合も、突起部の頂点が支点となって重錘の位置が変位するので、ダイアフラムの面に平行な方向の加速度を検出することができるという非常に優れた効果を奏するものである。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施形態における半導体加速度センサを示す外観斜視図
【図2】図1におけるB−B線矢視方向断面図
【図3】図1におけるC−C線矢視方向断面図
【図4】本発明の第1実施形態における半導体加速度センサを示す分解斜視図
【図5】本発明の第1実施形態における半導体加速度センサの電気系回路を示す構成図
【図6】本発明の第1実施形態における半導体加速度センサを用いたX軸方向の加速度を検出するブリッジ回路を示す図
【図7】本発明の第1実施形態における半導体加速度センサを用いたY軸方向の加速度を検出するブリッジ回路を示す図
【図8】本発明の第1実施形態における半導体加速度センサを用いたZ軸方向の加速度を検出するブリッジ回路を示す図
【図9】本発明の第1実施形態における半導体加速度センサの動作を説明する図
【図10】本発明の第1実施形態における半導体加速度センサの動作を説明する図
【図11】本発明の第2実施形態における半導体加速度センサを示す分解斜視図
【図12】本発明の第2実施形態における半導体加速度センサを示す側断面図
【図13】本発明の第3実施形態における半導体加速度センサを示す分解斜視図
【図14】従来例の半導体加速度センサを示す外観斜視図
【図15】図14におけるA−A線矢視方向断面図
【図16】従来例の半導体加速度センサの問題点を説明する図
【符号の説明】
10,10B,10C…半導体加速度センサ、11…台座、12…シリコン基板、13…ダイアフラム、13a〜13d…ダイアフラム片、14…厚膜部、15…重錘、16…支持体、161…外枠部、162…支柱、163…梁部、164…突起部、164a…突起部先端、31A〜31C…電圧検出器、32A〜32C…直流電源、50…支持体、501…外枠部、502…支柱、503…梁部、504…突起部、504a…突起部先端、Rx1〜Rx4,Ry1〜Ry4,Rz1〜Rz4…ピエゾ抵抗体(拡散抵抗体)。
Claims (6)
- ウェハ外周枠部内にダイアフラム部が形成されたシリコンウェハと、前記ウェハ外周枠部を固定する台座と、前記ダイアフラム部の一方の面の中央部に設けられた重錘とを備えた半導体加速度センサにおいて、
前記ダイアフラムの一面側或いは他面側のうちの少なくとも何れか一方の側に、ダイアフラムの中央部表面若しくは該中央部に対応する前記重錘の表面から所定の間隔をあけた位置に固定され、該中央部に対向して突出する突起部が設けられている
ことを特徴とする半導体加速度センサ。 - 前記突起部は、前記ウェハ外周枠部または前記台座のうちの少なくとも何れか一方に固定されて支持され、前記ダイアフラムの他方の面の中央部に対向して突出するように、前記ダイアフラムの他方の面の中央部から所定の間隔をあけた位置に設けられている
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体加速度センサ。 - 前記突起部は、前記ウェハ外周枠部または前記台座のうちの少なくとも何れか一方に連結固定されて支持され、前記重錘の表面に対向して突出するように、該重錘の中央部から所定の間隔をあけた位置に設けられている
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体加速度センサ。 - 前記ダイアフラムの中央部表面若しくは該中央部に対応する前記重錘の表面に対応する前記突起部の先端は錐形の先端形状をなしている
ことを特徴とする請求項1乃至請求項3の何れかに記載の半導体加速度センサ。 - 前記ダイアフラムの面に対して平行で且つ互いに直交するX軸方向及びY軸方向のそれぞれの加速度並びに前記ダイアフラムの面に対して垂直なZ軸方向の加速度を検出可能なように、前記ダイアフラムの面の中心から該面と平行な互いに直交する4方向のそれぞれに沿って拡散抵抗体が配置されていると共に前記4方向のそれぞれに対応する前記ウェハ外周枠部上に前記拡散抵抗体に接続された接続用の電極を備えている
ことを特徴とする請求項1乃至請求項4の何れかに記載の半導体加速度センサ。 - 前記ダイアフラムはシリコンピエゾ型のダイアフラムであることを特徴とする請求項1乃至請求項5の何れかに記載の半導体加速度センサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003134727A JP2004340616A (ja) | 2003-05-13 | 2003-05-13 | 半導体加速度センサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003134727A JP2004340616A (ja) | 2003-05-13 | 2003-05-13 | 半導体加速度センサ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004340616A true JP2004340616A (ja) | 2004-12-02 |
Family
ID=33525204
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003134727A Pending JP2004340616A (ja) | 2003-05-13 | 2003-05-13 | 半導体加速度センサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2004340616A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2006054591A1 (ja) * | 2004-11-19 | 2006-05-26 | The Yokohama Rubber Co., Ltd. | 加速度センサ装着タイヤ |
WO2006106739A1 (ja) | 2005-03-30 | 2006-10-12 | The Yokohama Rubber Co., Ltd. | 半導体加速度センサ |
WO2007123196A1 (ja) | 2006-04-21 | 2007-11-01 | The Yokohama Rubber Co., Ltd. | タイヤの転動時たわみ量算出方法、タイヤの転動時データ蓄積方法及びタイヤの転動時接地長算出方法 |
US7370523B2 (en) | 2004-11-19 | 2008-05-13 | The Yokohama Rubber Co., Ltd. | Tire deformation calculating method and tire deformation calculating apparatus |
US7918131B2 (en) | 2004-11-19 | 2011-04-05 | The Yokohama Rubber Co., Ltd. | Tire slip state detecting method and tire slip state detecting apparatus |
CN113933538A (zh) * | 2021-09-18 | 2022-01-14 | 重庆邮电大学 | 一种压阻式高g值加速度计 |
-
2003
- 2003-05-13 JP JP2003134727A patent/JP2004340616A/ja active Pending
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2006054591A1 (ja) * | 2004-11-19 | 2006-05-26 | The Yokohama Rubber Co., Ltd. | 加速度センサ装着タイヤ |
US7370523B2 (en) | 2004-11-19 | 2008-05-13 | The Yokohama Rubber Co., Ltd. | Tire deformation calculating method and tire deformation calculating apparatus |
US7918131B2 (en) | 2004-11-19 | 2011-04-05 | The Yokohama Rubber Co., Ltd. | Tire slip state detecting method and tire slip state detecting apparatus |
WO2006106739A1 (ja) | 2005-03-30 | 2006-10-12 | The Yokohama Rubber Co., Ltd. | 半導体加速度センサ |
EP1865329A1 (en) * | 2005-03-30 | 2007-12-12 | The Yokohama Rubber Co., Ltd. | Semiconductor acceleration sensor |
EP1865329A4 (en) * | 2005-03-30 | 2010-02-10 | Yokohama Rubber Co Ltd | SEMICONDUCTOR ACCELERATION SENSOR |
US7827865B2 (en) | 2005-03-30 | 2010-11-09 | The Yokohama Rubber Co., Ltd. | Semiconductor acceleration sensor |
WO2007123196A1 (ja) | 2006-04-21 | 2007-11-01 | The Yokohama Rubber Co., Ltd. | タイヤの転動時たわみ量算出方法、タイヤの転動時データ蓄積方法及びタイヤの転動時接地長算出方法 |
US8437905B2 (en) | 2006-04-21 | 2013-05-07 | The Yokohama Rubber Co., Ltd. | Method of calculating deflection of rotating tire, method of accumulating data of rotating tire, method of calculating contact length of rotating tire |
CN113933538A (zh) * | 2021-09-18 | 2022-01-14 | 重庆邮电大学 | 一种压阻式高g值加速度计 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP1865329B1 (en) | Semiconductor acceleration sensor | |
JP7433299B2 (ja) | 3軸加速度計 | |
TWI748157B (zh) | 一種mems加速度計 | |
US9513310B2 (en) | High-sensitivity, z-axis micro-electro-mechanical detection structure, in particular for an MEMS accelerometer | |
JP2776142B2 (ja) | 加速度センサ | |
US7320253B2 (en) | Stress detection method for sensor device with multiple axis sensor and sensor device employing this method | |
JP2014174165A (ja) | 改善されたオフセットおよびノイズ性能を有する傾斜モード加速度計 | |
US8429971B2 (en) | Multiaxial micromechanical acceleration sensor | |
JP2004264053A (ja) | 加速度センサ及び傾斜検出方法 | |
JP2004340616A (ja) | 半導体加速度センサ | |
JPH08262057A (ja) | 加速度センサ | |
JP2003248016A (ja) | 容量式加速度センサ | |
KR20060047758A (ko) | 가속도 센서 | |
JP2009222475A (ja) | 複合センサ | |
JP3230109B2 (ja) | 加速度センサユニット | |
JPH11242052A (ja) | 半導体加速度センサ | |
JPH11248737A (ja) | 静電容量型多軸加速度センサ | |
JP2010127648A (ja) | 加速度センサ | |
JPH05264577A (ja) | 加速度センサ及びそれを使用したエアバッグ装置並びに車体制御装置 | |
JP2007085800A (ja) | 半導体加速度センサ | |
JPH11248741A (ja) | 静電容量型多軸加速度センサ | |
JP2010164569A (ja) | 多軸加速度センサ | |
JPH07202221A (ja) | 半導体加速度センサ | |
JP2011038986A (ja) | 傾斜センサ | |
JPH075193A (ja) | 多軸加速度検出装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060313 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080407 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080513 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20081014 |