JP2004335994A - 高融点金属側壁の代わりにシリコン側壁を酸化させてゲート導体の側壁表面を選択的に酸化する炉システムおよび方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本炉システムは酸化ステップで使用する。この酸化ステップでは、温度のランプ・アップやランプ・ダウン中、および温度安定化および酸素ガスの導入の前のクリティカルな瞬間に、基本的に窒素のような不活性ガスで漏れの可能性がある部分をパージして、酸素を含む周囲空気が大気圧チューブに入らないようにする。チューブ内に酸素がなければ、酸化前後のクリティカルな瞬間に、例えば、ゲート導体のタングステン側壁表面が偶然に酸化されることはない。しかし、水蒸気が存在すれば、この場合、酸素と一緒に水素が使用可能なので、上のタングステンではなくて、下のポリシリコンの側壁表面だけが酸化される。不活性ガスで充填された容器は、チューブだけでなく、加熱されたガスをチューブ中に送り込むためのトーチの漏れの可能性のある部分に後付けされる。
【選択図】図1
Description
Claims (21)
- チューブと、
前記チューブの外側表面に近接して配置され、かつ前記チューブの中への開口を囲繞する囲いであって、不活性ガスで充填された前記囲いが存在しなければ前記開口を通るかもしれない周囲空気の代わりに、前記囲いおよび前記開口の中に供給される不活性ガスを受け取るための囲いとを備える大気圧炉。 - 前記チューブが、フォーミング・ガスに続いて酸化ガスを前記チューブ中に送り込むように構成された入口管路を備え、前記開口部が、前記入口管路の外側表面と前記チューブの間に延びる請求項1に記載の炉。
- 前記フォーミング・ガスが、水素および窒素を含み、さらに前記酸化ガスが水蒸気を含む請求項2に記載の炉。
- 前記チューブが前記チューブからの排気ガスを送るように構成された出口管路を備え、さらに前記開口が、前記出口管路の外側表面と前記チューブの間に延びている請求項1に記載の炉。
- 前記チューブが、前記チューブ中に半導体ウェーハを受け取るように構成された出し入れ口を備え、前記開口が、前記出し入れ口とその出し入れ口に取り付けられたドアとの間に延びている請求項1に記載の炉。
- さらに、
前記チューブの外にあり、かつ前記チューブから分離された加熱チャンバと、
前記加熱チャンバの外側表面を部分的に囲繞し、かつ前記加熱チャンバの中への第2の開口を少なくとも部分的に囲繞する第2の囲いであって、実質的に空気の代わりに、前記第2の囲いおよび前記第2の開口の中に供給される不活性ガスを受け取るための第2の囲いとをさらに備える請求項1に記載の炉。 - 前記加熱チャンバが、フォーミング・ガスに続いて酸化ガスを受け取るように構成された入口管路を備え、前記第2の開口が、前記入口管路の外側表面と前記加熱チャンバの間に延びている請求項6に記載の炉。
- 前記フォーミング・ガスが、水素および窒素を含み、さらに前記酸化ガスが水蒸気を含む請求項7に記載の炉。
- 前記加熱チャンバが、加熱された前記フォーミング・ガスおよび前記酸化ガスを受け取るように構成された出口管路を備え、さらに前記第2の開口が、前記出口管路の外側表面と前記加熱チャンバの間に延びる請求項6に記載の炉。
- 前記フォーミング・ガスが、おおよそ1〜10%の水素および90〜99%の窒素を含む請求項2に記載の炉。
- 前記フォーミング・ガスが、おおよそ5%の水素および95%の窒素を含む請求項2に記載の炉。
- 前記開口は、前記囲いがなければ不適切な周囲空気を前記チューブ中に迎え入れる不慮の開口すなわち漏れ穴である請求項1に記載の炉。
- 入口および開口部を有する囲いを備える装置であって、
前記入口が前記囲いの第1の部分を通って延びさらに前記開口部が前記囲いの第2の部分を通って形成され、不活性ガスを受け取るように構成されるとともに、前記開口部が容器の漏れ部分または漏れの可能性のある部分のまわりに取り付けられる装置。 - 前記容器が加熱チューブかトーチかいずれかである請求項13に記載の装置。
- 前記容器は前記漏れ部に対して密封され、さらに前記開口部は、前記漏れ部を覆うために前記容器の外側表面に取り付けられるように構成されている請求項13に記載の装置。
- 前記漏れ部分が、前記容器または前記容器に近接する封止材を通って延びる請求項13に記載の装置。
- 酸化物を選択的に成長させる方法であって、
漏れ部分または漏れの可能性のある部分を有するチューブの外側表面に不活性ガスを流しながら、出し入れ口を通って加熱された前記チューブの中にウェーハを押し込むステップと、
前記チューブの出し入れ口を閉じ前記チューブの温度を上昇させるステップと、
加熱された水素と酸素を前記チューブの中に流し込んで水蒸気を形成するステップと
を含む方法。 - 加熱された水素と酸素を流す前記ステップが、前記チューブの中に水素を導入し、その後で、酸素を導入することを含む請求項17に記載の方法。
- 加熱された水素と酸素を流す前記ステップが、トーチで水素を加熱し、続いて、トーチで酸素を加熱し、その後で、前記チューブに前記加熱された水素を送り、続いて、前記加熱された酸素を送ることを含む請求項17に記載の方法。
- 前記上昇させるステップが、水素と窒素の存在する状態で、おおよそ500〜650℃からおおよそ700〜850℃まで前記チューブ内の温度をランプアップすることを含む請求項17に記載の方法。
- 前記不活性ガスを流すステップが、前記チューブの入口ガス管路の封止材、前記チューブの排気ガス管路の封止材、または前記チューブの出し入れ口に取り付けられたドアの封止材のまわりに取り付けられた囲いの中に窒素を導入することを含む請求項17に記載の方法。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103681288A (zh) * | 2013-12-18 | 2014-03-26 | 无锡中微晶园电子有限公司 | 高可靠性的低温栅氧化层生长工艺 |
JP2022083412A (ja) * | 2020-11-24 | 2022-06-03 | ユ-ジーン テクノロジー カンパニー.リミテッド | 基板処理システム |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7358171B2 (en) * | 2001-08-30 | 2008-04-15 | Micron Technology, Inc. | Method to chemically remove metal impurities from polycide gate sidewalls |
TW200416772A (en) * | 2002-06-06 | 2004-09-01 | Asml Us Inc | System and method for hydrogen-rich selective oxidation |
US7235497B2 (en) * | 2003-10-17 | 2007-06-26 | Micron Technology, Inc. | Selective oxidation methods and transistor fabrication methods |
US8008215B2 (en) * | 2005-05-12 | 2011-08-30 | Massachusetts Institute Of Technology | Integration of buried oxide layers with crystalline layers |
US7442319B2 (en) * | 2005-06-28 | 2008-10-28 | Micron Technology, Inc. | Poly etch without separate oxide decap |
US8252640B1 (en) | 2006-11-02 | 2012-08-28 | Kapre Ravindra M | Polycrystalline silicon activation RTA |
US7951728B2 (en) * | 2007-09-24 | 2011-05-31 | Applied Materials, Inc. | Method of improving oxide growth rate of selective oxidation processes |
US20140015031A1 (en) * | 2012-07-12 | 2014-01-16 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Apparatus and Method for Memory Device |
DE112013006168B4 (de) * | 2012-12-20 | 2023-12-28 | Canon Anelva Corporation | Verfahren zum Herstellen eines Magnetowiderstandelements |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03110837U (ja) * | 1990-02-26 | 1991-11-13 | ||
JPH07283164A (ja) * | 1994-04-14 | 1995-10-27 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置及び熱処理方法 |
JPH09134913A (ja) * | 1995-11-09 | 1997-05-20 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置及びその方法 |
JPH11162970A (ja) * | 1997-11-25 | 1999-06-18 | Sony Corp | 酸化膜の形成方法 |
JP2004526327A (ja) * | 2001-04-26 | 2004-08-26 | インフィネオン テクノロジーズ アクチエンゲゼルシャフト | タングステン−シリコンゲートの選択的側壁酸化中における酸化タングステンの蒸着を最小化するための方法 |
Family Cites Families (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4415385A (en) * | 1980-08-15 | 1983-11-15 | Hitachi, Ltd. | Diffusion of impurities into semiconductor using semi-closed inner diffusion vessel |
US4580503A (en) * | 1983-07-15 | 1986-04-08 | Gotaverken Energy Systems Ab | Apparatus for the combustion of carbonaceous material |
US4833099A (en) | 1988-01-07 | 1989-05-23 | Intel Corporation | Tungsten-silicide reoxidation process including annealing in pure nitrogen and subsequent oxidation in oxygen |
EP0498580A1 (en) * | 1991-02-04 | 1992-08-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Method for depositing a metal film containing aluminium by use of alkylaluminium halide |
JPH07254591A (ja) * | 1994-03-16 | 1995-10-03 | Toshiba Corp | 熱処理装置 |
US5496859A (en) * | 1995-01-28 | 1996-03-05 | Texaco Inc. | Gasification process combined with steam methane reforming to produce syngas suitable for methanol production |
US5874364A (en) * | 1995-03-27 | 1999-02-23 | Fujitsu Limited | Thin film deposition method, capacitor device and method for fabricating the same, and semiconductor device and method for fabricating the same |
US6271077B1 (en) * | 1995-03-27 | 2001-08-07 | Fujitsu Limited | Thin film deposition method, capacitor device and method for fabricating the same, and semiconductor device and method for fabricating the same |
US5753303A (en) * | 1996-04-30 | 1998-05-19 | International Business Machines Corporation | Process for the elimination of tungsten oxidation with inert gas stabilization in chemical vapor deposition processes |
US5679585A (en) * | 1996-11-15 | 1997-10-21 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method for forming metal silicide on a semiconductor surface with minimal effect on pre-existing implants |
US5796151A (en) | 1996-12-19 | 1998-08-18 | Texas Instruments Incorporated | Semiconductor stack having a dielectric sidewall for prevention of oxidation of tungsten in tungsten capped poly-silicon gate electrodes |
US6461982B2 (en) * | 1997-02-27 | 2002-10-08 | Micron Technology, Inc. | Methods for forming a dielectric film |
JP4283904B2 (ja) | 1997-07-11 | 2009-06-24 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
JP3390633B2 (ja) | 1997-07-14 | 2003-03-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
US6158447A (en) * | 1997-09-09 | 2000-12-12 | Tokyo Electron Limited | Cleaning method and cleaning equipment |
US5962763A (en) * | 1997-11-21 | 1999-10-05 | Shell Oil Company | Atmospheric distillation of hydrocarbons-containing liquid streams |
US6086362A (en) * | 1998-05-20 | 2000-07-11 | Applied Komatsu Technology, Inc. | Multi-function chamber for a substrate processing system |
JP3664897B2 (ja) * | 1998-11-18 | 2005-06-29 | 東京エレクトロン株式会社 | 縦型熱処理装置 |
WO2000041227A1 (fr) * | 1998-12-28 | 2000-07-13 | Shin-Etsu Handotai Co.,Ltd. | Procede de recuit thermique d'une plaquette de silicium, et plaquette de silicium |
US6037238A (en) * | 1999-01-04 | 2000-03-14 | Vanguard International Semiconductor Corporation | Process to reduce defect formation occurring during shallow trench isolation formation |
US6413871B2 (en) * | 1999-06-22 | 2002-07-02 | Applied Materials, Inc. | Nitrogen treatment of polished halogen-doped silicon glass |
US6485203B2 (en) * | 1999-12-20 | 2002-11-26 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing method and substrate processing apparatus |
TW594835B (en) * | 2000-05-09 | 2004-06-21 | Tokyo Electron Ltd | System for coating and developing |
US6410428B1 (en) | 2000-10-03 | 2002-06-25 | Promos Technologies, Inc. | Nitride deposition on tungsten-polycide gate to prevent abnormal tungsten silicide oxidation |
-
2002
- 2002-11-08 US US10/290,841 patent/US6774012B1/en not_active Expired - Lifetime
-
2003
- 2003-11-10 JP JP2003380168A patent/JP2004335994A/ja active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03110837U (ja) * | 1990-02-26 | 1991-11-13 | ||
JPH07283164A (ja) * | 1994-04-14 | 1995-10-27 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置及び熱処理方法 |
JPH09134913A (ja) * | 1995-11-09 | 1997-05-20 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置及びその方法 |
JPH11162970A (ja) * | 1997-11-25 | 1999-06-18 | Sony Corp | 酸化膜の形成方法 |
JP2004526327A (ja) * | 2001-04-26 | 2004-08-26 | インフィネオン テクノロジーズ アクチエンゲゼルシャフト | タングステン−シリコンゲートの選択的側壁酸化中における酸化タングステンの蒸着を最小化するための方法 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN103681288A (zh) * | 2013-12-18 | 2014-03-26 | 无锡中微晶园电子有限公司 | 高可靠性的低温栅氧化层生长工艺 |
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