JP2004335699A - 磁気センサ及び磁気エンコーダ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】少なくとも磁性薄膜の積層構造を有して膜面に垂直に電流を流すことにより近傍にある磁界発生手段からの磁界を検知するTMR素子等の薄膜磁気抵抗効果素子を用いた磁気センサであって、共通に設けられた共通磁性層3と、個別に設けられた磁界検知用の複数の個別磁性層5a〜5fと、の積層構造により並列配置させて形成された複数のセンサ部6a〜6fを備える。即ち、膜面に垂直に電流を流すことにより近傍にある磁界発生手段からの磁界を検知する薄膜磁気抵抗効果素子を用いることにより、平面的な並列配置が容易であり、より一層の高分解能を実現するために複数のセンサ部6a〜6fが並列配置された磁気エンコーダ用に適した安価で構造簡便な磁気センサ1となる。
【選択図】 図4
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、薄膜磁気抵抗効果素子を用いた磁気センサ及び磁気エンコーダに関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、回転又はリニア式の磁気エンコーダ、モータ用磁界測定装置、さらには、複写機、プリンタ等の画像形成装置、特にカラー画像形成装置の印字精度の検知用磁気エンコーダ用の磁気センサとしては、磁気抵抗効果素子(MR素子)、磁気インピーダンス素子(MI素子)、フラックスゲートセンサ、半導体ホール効果センサ等と、着磁された棒状又は板状の磁性体の磁化パターンを検知することで相対的な移動を検知するようにしている。
【0003】
また、この種の検出回路、素子等に関する提案例も各種あり、その一例を以下に例示する。例えば、特許文献1によれば、モータ駆動電流を磁気インダクタンスセンサで検地し、高精度に制御できる電流検出回路が提案されている。また、特許文献2によれば、通電電流を高周波化することでブリッジ回路なしで検知できる磁気抵抗効果素子が提案されている。さらに、特許文献3によれば、トンネル型磁気抵抗素子を用い、かつ、そのセンサは外部磁界に対応して磁化方向が変化する磁性層のうち、一部の領域が外部磁界を感知するセンサ部として機能するようにした提案がなされている。さらに、特許文献4によれば、トンネル型磁気抵抗素子を用い、かつ、ブリッジ構成としたセンサが提案されている。さらに、特許文献5によれば、MR素子のブリッジを二重に配置し、対向する微細ピッチのリング磁石パターンの動きを精度よく検知できるセンサが提案されている。
【0004】
ここに、トンネル型磁気抵抗効果素子(TMR素子)とは、磁性薄膜層が絶縁層を介して複数層形成され、伝導に関わる電子がスピンを維持しながら絶縁層をトンネル現象によって伝導されることから、この際の磁化の状態によってトンネル透過係数が異なることを利用して磁界検知を行なう原理の素子である。強磁性体トンネル効果は非常に高い磁場感度を有するため、超高密度磁気記録におけるHDD用磁気再生ヘッドとしての利用可能性がある。この他、モータ用磁界測定装置、ナビゲーション用地磁気センサ等の磁気センサや、いわゆるMRAMと称される磁気固体メモリデバイス等への利用も可能といえる。
【0005】
【特許文献1】
特開平6−253573号公報
【特許文献2】
特開平7−181239号公報
【特許文献3】
特開2000−123328公報
【特許文献4】
特表2002−522866公報
【特許文献5】
特表2002−530638公報
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、このような特許文献例を始めとする従来の磁気方式のエンコーダでは、例えば、回転型エンコーダの場合で数1000パルス/回転が限界となっており、それ以上の高分解能な磁気エンコーダは実現されていない現状にある。
【0007】
この結果、例えばこのようなエンコーダを印字精度のため用いる画像形成装置、特にカラー画像形成装置においても、その高印字品質化に限界がある現状にある。即ち、例えば複数回の転写工程を繰り返すタンデム方式のカラープリンタ等にあっては、色ずれや印字ずれが生じやすく、例えば1200dpi以上の高印字品質化が困難である。
【0008】
本発明の目的は、例えば数1000パルス/回転を超えるような高分解能な磁気エンコーダを実現できるようにすることである。
【0009】
本発明の目的は、上記目的を低コストにて実現することである。
【0010】
【課題を解決するための手段】
請求項1記載の発明は、少なくとも磁性薄膜の積層構造を有して膜面に垂直に電流を流すことにより近傍にある磁界発生手段からの磁界を検知する薄膜磁気抵抗効果素子を用いた磁気センサであって、共通に設けられた共通磁性層と、個別に設けられた磁界検知用の複数の個別磁性層と、の積層構造により並列配置させて形成された複数のセンサ部を備える。
【0011】
従って、膜面に垂直に電流を流すことにより近傍にある磁界発生手段からの磁界を検知する薄膜磁気抵抗効果素子を用いることにより、平面的な並列配置が容易であり、より一層の高分解能を実現するために複数のセンサ部が並列配置された磁気エンコーダ用に適した安価で構造簡便な磁気センサを提供できる。
【0012】
請求項2記載の発明は、請求項1記載の磁気センサにおいて、前記薄膜磁気抵抗効果素子は、金属磁性体層/非磁性体絶縁層/金属磁性体層の積層構造を含むトンネル型磁気抵抗効果素子である。
【0013】
従って、請求項1記載の磁気センサを実現する上で、薄膜磁気抵抗効果素子がトンネル型磁気抵抗効果素子として構成されているので、元々薄膜技術等を用いて作製されることから小型・軽量化に適している上に高精度な磁気センサとすることができる。
【0014】
請求項3記載の発明は、請求項1記載の磁気センサにおいて、前記薄膜磁気抵抗効果素子は、磁性体層/非磁性体絶縁層/金属磁性体層の積層構造を含むCPP型巨大磁気抵抗効果素子である。
【0015】
従って、請求項1記載の磁気センサを実現する上で、薄膜磁気抵抗効果素子がCPP型巨大磁気抵抗効果素子として構成されているので、高精度な磁気センサとすることができる。
【0016】
請求項4記載の発明は、請求項1ないし3の何れか一記載の磁気センサにおいて、前記共通磁性層と前記個別磁性層との容易軸方向がほぼ直交する。
【0017】
従って、共通磁性層と個別磁性層との容易軸方向、即ち、異方性の向きをほぼ直交させることにより、センサ部の磁界に関する感度を向上させ、かつ、バルクハウゼンノイズ等の発生を抑制し得る作用効果も得られ、S/Nが向上する。
【0018】
請求項5記載の発明は、請求項1ないし4の何れか一記載の磁気センサにおいて、前記共通磁性層の保磁力が前記個別磁性層の保磁力より大きい。
【0019】
従って、保磁力の差によりPIN層の磁化状態を固定させることにより、感度が向上し、一方向磁化での使用が容易となる。
【0020】
請求項6記載の発明は、請求項1ないし4の何れか一記載の磁気センサにおいて、前記共通磁性層は、前記個別磁性層側に配置させた磁性膜による磁性膜/反強磁性膜積層構造を有する。
【0021】
従って、共通磁性層側が磁性膜/反強磁性膜積層構造を有するので、PIN層の磁化の固定がさらに容易となり、かつ、外部磁界変動に対しては変化が小さいため、感度向上を見込むことができ、経時変化の小さいセンサとすることができる。
【0022】
請求項7記載の発明は、請求項1ないし4の何れか一記載の磁気センサにおいて、前記共通磁性層は、前記個別磁性層側に磁性膜を配置させた人工フェリ磁性膜構造を有する。
【0023】
従って、PIN層の磁化の固定を人工フェリ磁性膜構造により行うため、さらに温度の影響が少なく、高温での使用が可能なセンサとすることができる。
【0024】
請求項8記載の発明は、請求項1ないし7の何れか一記載の磁気センサにおいて、前記個別磁性層は、平面形状が円形形状又はドーナツ形状に形成されている。
【0025】
従って、個別磁性層の平面形状を円形形状(真円形状、楕円形状等)又はドーナツ形状とすることで、形状異方性に伴う磁気異方性を低減させることができ、磁界強度の変化に対するセンサ部の出力の線形性を向上させ、センサないしは磁気エンコーダとしての性能向上を図れる。
【0026】
請求項9記載の発明の磁気エンコーダは、請求項1ないし8の何れか一記載の磁気センサと、この磁気センサの近傍に配置された磁界発生手段と、を備える。
【0027】
従って、請求項1ないし8の何れか一記載の磁気センサを備えているので、請求項1ないし8の何れか一記載の発明と同様の作用を奏する磁気エンコーダを提供できる。
【0028】
請求項10記載の発明は、請求項9記載の磁気エンコーダにおいて、前記磁気センサの各センサ部による磁界の検出出力の位相を各々異ならせる位相異化手段を備える。
【0029】
従って、磁気センサの各センサ部による磁界の検出出力の位相を各々異ならせる位相異化手段を備えることにより、低コストにて高分解能な磁気エンコーダを実現できる。
【0030】
請求項11記載の発明は、請求項10記載の磁気エンコーダにおいて、前記位相異化手段は、前記磁界発生手段の磁化状態又は磁化パターンを前記各センサ部毎に異ならせたものである。
【0031】
従って、磁界発生手段の磁化状態又は磁化パターンを各センサ部毎に異ならせることにより、請求項10記載の発明を容易に実現できる。
【0032】
請求項12記載の発明は、請求項10又は11記載の磁気エンコーダにおいて、前記位相異化手段は、前記各センサ部毎にその磁界強度に対する感度を異ならせたものである。
【0033】
従って、各センサ部毎にその磁界強度に対する感度を異ならせることにより、請求項10又は11記載の発明を容易に実現できる。特に、請求項11記載の発明と組合せることにより、10000パルス/回転のような高分解能を容易に得ることが可能となる。
【0034】
請求項13記載の発明は、請求項12記載の磁気エンコーダにおいて、前記各センサ部毎にその磁界強度に対する感度を異ならせる前記位相異化手段は、相対位置又は磁束方向による検知感度の変化により感度が異なる。
【0035】
従って、相対位置又は磁束方向による検知感度の変化により感度が異なるようにすることで、請求項12記載の発明を容易に実現することができる。
【0036】
【発明の実施の形態】
本発明の第一の実施の形態を図1ないし図5に基づいて説明する。本実施の形態の磁気センサ1は磁気エンコーダ用のもので、基本的には、図4に示すように、絶縁性の基板2上に積層させた共通磁性層3による第1層と、この共通磁性層3上に位置する絶縁層4による第2層と、絶縁層4を介して共通磁性層3上に位置し複数に分割されることにより個別に設けられた磁界検知用の複数の個別磁性層5a〜5fによる第3層とよりなり、共通磁性層3と各個別磁性層5a〜5fとの積層構造部分により複数のセンサ部6a〜6fが並列配置させた状態で形成されている。ここに、各センサ部6a〜6fとしては、金属磁性体層/非磁性体絶縁層/金属磁性体層の積層構造を含むトンネル型磁気抵抗効果素子(TMR素子)構造や磁性体層/非磁性体絶縁層/金属磁性体層の積層構造を含むCPP型巨大磁気抵抗効果素子(CPP型GMR素子)構造を採ることができ、膜面に垂直に電流を流すことにより近傍にある磁界発生手段(後述する)からの磁界を検知する方式のものである。
【0037】
このような磁気センサ1に関する詳細構成をその作製方法を含めて順に説明する。まず、図1に示すような熱酸化膜11付きのSi基板等の基板2上に、共通磁性層3として、Co50Fe50膜を成膜し、図2に示すように所定のパターン、例えば、1本の短冊状形状にパターンニングする。この際、基板2としては石英基板、ガラス基板等の絶縁性の基板であってもよい。また、共通磁性層3としては、FeMn,PtMn,IrMn等の反強磁性膜上にCo50Fe50膜を成膜したPIN層タイプの積層構造であってもよい(即ち、Co50Fe50膜なる磁性膜が後述の個別磁性層側に位置する)。また、共通磁性層3としては、Co50Fe50膜に限らず、例えば、Co,Co85Cr15等であってもよく、他の磁性層(個別磁性層5a〜5f)より高保磁力膜となるように構成されていればよい。このような共通磁性層3の成膜法としては、スパッタリング法、蒸着法、CVD法を始めとして各種方法を用いることができる。そして、一般的な半導体作製工程に用いられるフォトリソグラフィ技術とCF4+H2を用いたRIEにより、共通磁性層3のパターンニングを行えばよい。この場合、ガス種としては他のものを用いてもよい。また、エッチング処理としては、ウェットエッチング法であってもよい。この場合、エッチング液として王水を用いればよい。また、メタルマスク等を用いて最初から所望の形に成膜させる手法を用いるようにしてもよい。これらのプロセスは、以下のプロセスに関しても同様に採用し得る。
【0038】
次に、図3に示すように共通磁性層3上に絶縁層4を成膜する。ここに、センサ部6a〜6fがTMR素子構造の場合であれば、この絶縁層4としてはAl−O,Al2O3等により形成される。また、CPP型GMR素子構造の場合であれば絶縁層4に先立ち、非磁性金属膜が成膜される。
【0039】
この後、図4に示すように、第3層として、共通磁性層3上に絶縁層4を介して、磁界検知用の個別磁性層、Fe20−Ni80膜をスパッタリング法(めっき法、蒸着法、CVD法等でもよい)により成膜し、フォトリソグラフィ法により個別磁性層5a〜5fに短冊状に分割されるようにパターンニングする。この場合、共通磁性膜3とこれらの個別磁性層5a〜5fとはその容易軸方向(異方性の向き)が直交(厳密に直交せずともほぼ直交していればよい)するようなパターンニングとされる。また、Fe20−Ni80膜以外に、Ni−Fe膜、CuMoパーマロイ膜、CoFeBアモルファス膜、FeSiCoBアモルファス薄膜等でもよい。何れにしても、比較的低保磁力の膜構成であれば、個別に感じる個別磁性層5a〜5fを並列配置させることが可能であり、センサ部6a〜6fを並列配置させて形成することができる。また、共通磁性層3と個別磁性層5a〜5fの保磁力の差によりPIN層の磁化状態を固定させることにより、感度も向上し、一方向磁化での使用が容易となる。
【0040】
なお、このような磁気センサ1の積層構造に関して、その積層順序は上下逆とし、例えば、個別磁性層5a〜5f側を先に成膜・パターンニングして形成するようにしてもよい。
【0041】
このような磁気センサ1を用いた、より実際的な検出方式としては、図5に示すように各々電極としても機能する個別磁性層5a〜5fに対して共通磁性層3との間には直流電源12が接続されているとともに、各個別磁性層5a〜5fに対してスイッチング回路13を介して電圧計14が接続されており、各センサ部6a〜6f毎に膜面に垂直方向に電流を流した場合の電圧変化を、スイッチング回路13のスイッチング動作により各センサ部6a〜6f毎に電圧計14で検知する検知方式とされている。このような検知動作において、センサ部6a〜6fに対しては検知対象となる磁界発生手段からの磁界が印加される。即ち、磁気エンコーダの場合であれば、各センサ部6a〜6fに対応するエンコーダからの外部磁界が印加される(実際は、個別磁性層5a〜5fに局所的に作用する)。もっとも、スイッチング回路13を用いる方式に代えて、図6に示すように、電圧計アレイ15を用いることで各センサ部6a〜6fに発生した電圧を個別に検知するようにしてもよい。
【0042】
このような磁気センサ1によれば、膜面に垂直に電流を流すことにより近傍にある磁界発生手段からの磁界を検知するTMR素子やCPP型GMR素子等の薄膜磁気抵抗効果素子を用いることにより、平面的な並列配置が容易であり、より一層の高分解能を実現するために複数のセンサ部6a〜6fが並列配置された磁気エンコーダ用に適した安価で構造簡便な磁気センサ1となる。特に、共通磁性層3と個別磁性層5a〜5fとの容易軸方向、即ち、異方性の向きをほぼ直交させることにより、センサ部6a〜6fの磁界に関する感度を向上させることができる上に、バルクハウゼンノイズ等の発生を抑制し得る作用効果も得られ、S/Nを向上させることができる。
【0043】
また、共通磁性層3側を磁性膜/反強磁性膜積層構造を有するようにした場合であれば、PIN層の磁化の固定がさらに容易となり、かつ、外部磁界変動に対しては変化が小さいため、感度向上を見込むことができ、経時変化の小さい磁気センサ1とすることができる。
【0044】
本発明の第二の実施の形態を図7に基づいて説明する。第一の実施の形態で示した部分と同一部分は同一符号を用いて示し、説明も省略する(以降の実施の形態でも同様とする)。
【0045】
本実施の形態の磁気センサ21は、基本的には、第一の実施の形態の磁気センサ1に準ずるが、共通磁性層3に代えて、人工フェリ磁性膜構造を有する共通磁性層22を備える構成としたものである。人工フェリ磁性膜構造としては、例えば、Fe/Cu/Feのように、Fe/非磁性金属/Fe等の積層構造とすることで高性能な共通磁性層(いわゆるPIN層)22を実現できる。
【0046】
人工フェリ磁性膜構造としては、これ以外、特に鉄系以外でも、第1層をFe磁性膜とした後、下層はCu/Co/Cu/Co/Cu/Coでもよい。何れにしても、PIN層としての性能向上が見込め、センサとしての感度を向上させることができる。
【0047】
なお、図7中に図示していない絶縁層4、個別磁性層5a〜5f等に関しては、第一の実施の形態の場合と同様とすればよい。
【0048】
本発明の第三の実施の形態を図8及び図9に基づいて説明する。本実施の形態の磁気センサ31は、Fe20−Ni80膜による個別磁性層5a〜5fの平面形状を、矩形短冊状に代えて、例えば図8に示すようにフォトリソグラフィ法により円形形状(真円形状、楕円形状等)にパターンニング形成したものである。この他、個別磁性層5a〜5fの平面形状としては、ドーナツ形状等であってもよい。
【0049】
なお、個別磁性層5a〜5fをこのような平面形状とした場合の外部接続の方法としては、直接ボンディングする方法でもよいが、例えば、図9に示すように、各個別磁性層5a〜5f毎に非磁性の引出線部(或いは、パッド部)32a〜32fを設ける構成としてもよい。
【0050】
個別磁性層5a〜5fの平面形状をこのように工夫することにより、矩形短冊状のような形状異方性による磁性膜のソフトな磁気特性の低下を減少させることができ、その分、磁気センサ31としての高感度化を図ることができる。即ち、形状異方性に伴う磁気異方性を低減させることができ、磁界強度の変化に対するセンサ部6a〜6fの出力の線形性を向上させ、磁気センサ31ないしは磁気エンコーダとしての性能向上を図ることができる。
【0051】
本発明の第四の実施の形態を図10に基づいて説明する。本実施の形態は、前述したような磁気センサ、例えば磁気センサ31を用いた磁気エンコーダ41への適用例を示す。本実施の形態の磁気エンコーダ41は磁気センサ31とこの磁気センサ31の近傍に配置させた磁界発生手段42とを備える。ここに、磁気センサ31の各センサ部6a〜6fは並列かつ均等に配置され、これに対応して、磁界発生手段42の磁化パターン(エンコーダ対応)も42a〜42fとして各センサ部6a〜6f毎に個別かつ並列配置させて設けられている。この際、各センサ部6a〜6fの磁界検出信号の位相が異なるように、近傍に配置させた磁界発生手段42の磁化パターン42a〜42f(或いは、磁化状態)を変化させる構成とされている。具体的には、磁化パターン42a〜42fの位相を均等にずらした配置とされている。このような磁化パターン配列の磁界発生手段42により本実施の形態の位相異化手段が実現されている。
【0052】
このようにして、各センサ部6a〜6fの磁界検出信号の位相が異なるようにすることで、同位相の場合よりも、高分解能を実現できる。また、TMR素子やCPP型GMR素子を用いることで基本的に並列化が容易で、かつ、個別磁性層5a〜5fのレイアウトも必要に応じて自由度高く設定できる状況下に、隣接する磁化パターン42a〜42fからのクロストークを極めて低減させることができる。
【0053】
なお、磁化パターン42a〜42fに関しては、特定のコードを用いることも可能であり、一層の高分解能化を図ることもできる。また、本実施の形態の場合、図示上、磁化パターン42a〜42fは平面的であるが、円柱状に構成してもよい。また、このような磁化パターン42a〜42fの素材としては、例えば、基材上にフェライト磁石の粉末を塗布したもの、Co−Crのスパッタリング成膜したもの(この場合、磁化パターンは垂直方向に磁化することも可能)等、広くセミハード磁性体、ハード磁性体を用いることが可能である。さらに、基材自体を磁性体として用いることも可能であり、そこに直に磁化パターンを設けるようにしてもよい。
【0054】
本発明の第五の実施の形態を図11に基づいて説明する。本実施の形態は、前述したような磁気センサ、例えば磁気センサ31を変形させた磁気センサ31′を用いた磁気エンコーダ51への適用例を示す。本実施の形態の磁気エンコーダ51も磁気センサ31′とこの磁気センサ31′の近傍に配置させた磁界発生手段52とを備える。磁気センサ31′は共通磁性層3を含めてセンサ部6a〜6fの配列が、近傍配置の磁界発生手段52との間における相対移動方向(図中、左右方向)に対して斜めに傾斜させて設定されている。一方、磁界発生手段52側のセンサ部6a〜6fに対応する磁化パターンは斜め傾斜配置のセンサ部6a〜6fに関わらず一様配置とされている(センサ部6a〜6fに対して共通の磁化パターンとされている)。このようなセンサ部6a〜6fの斜め配置と磁界発生手段52の共通磁化パターンとの関係により、各センサ部6a〜6f毎に対応する磁化パターンの相対的な位置が異なることにより、磁界強度に対する感度が異なり、結果として各センサ部6a〜6fによる磁界の検出出力の位相が各々異なるように設定されている。ここに、本実施の形態の位相異化手段が実現されている。
【0055】
このようにして、各センサ部6a〜6fの磁界検出信号の位相が異なるようにすることで、同位相の場合よりも、高分解能を実現できる。特に、本実施の形態の場合、磁界発生手段52の磁化パターンは全てのセンサ部6a〜6fに共通であるので、その設定が容易であり、コスト低減と全体構成の簡素化を図る上で有利となる。
【0056】
なお、本実施の形態では、磁界発生手段52の磁化パターンを全てのセンサ部6a〜6fに亘るように単一のパターン構成としたが、磁化位相は共通としたままで、各センサ部6a〜6f毎に分割させた構成としてもよいのはもちろんである。
【0057】
本発明の第六の実施の形態を図12に基づいて説明する。本実施の形態は、前述の第四及び第五の実施の形態を組み合わせたもので、磁気センサ31′と磁界発生手段42との組合せによる磁気エンコーダ61への適用例を示す。即ち、各センサ部6a〜6fの斜め配置と各センサ部6a〜6f対応の磁化パターン42a〜42fのずらし配置とにより、各センサ部6a〜6fの磁界に対する感度を異ならせつつ、各センサ部6a〜6fによる磁界の検出出力の位相が各々異なるように構成されている。ここに、本実施の形態の位相異化手段が実現されている。
【0058】
【発明の効果】
請求項1記載の発明によれば、膜面に垂直に電流を流すことにより近傍にある磁界発生手段からの磁界を検知する薄膜磁気抵抗効果素子を用いているので、平面的な並列配置が容易であり、より一層の高分解能を実現するために複数のセンサ部が並列配置された磁気エンコーダ用に適した安価で構造簡便な磁気センサを提供することができる。
【0059】
請求項2記載の発明によれば、請求項1記載の磁気センサを実現する上で、薄膜磁気抵抗効果素子がトンネル型磁気抵抗効果素子として構成されているので、元々薄膜技術等を用いて作製される小型・軽量化に適している上に高精度な磁気センサとすることができる。
【0060】
請求項3記載の発明によれば、請求項1記載の磁気センサを実現する上で、薄膜磁気抵抗効果素子がCPP型巨大磁気抵抗効果素子として構成されているので、高精度な磁気センサとすることができる。
【0061】
請求項4記載の発明によれば、請求項1ないし3の何れか一記載の磁気センサにおいて、共通磁性層と個別磁性層との容易軸方向、即ち、異方性の向きをほぼ直交させることにより、センサ部の磁界に関する感度を向上させ、かつ、バルクハウゼンノイズ等の発生を抑制し得る作用効果も得ることができ、S/Nを向上させることができる。
【0062】
請求項5記載の発明によれば、請求項1ないし4の何れか一記載の磁気センサにおいて、保磁力の差によりPIN層の磁化状態を固定させることにより、感度を向上させ、一方向磁化での使用を容易にすることができる。
【0063】
請求項6記載の発明によれば、請求項1ないし4の何れか一記載の磁気センサにおいて、共通磁性層側が磁性膜/反強磁性膜積層構造を有するので、PIN層の磁化の固定をさらに容易にすることができ、かつ、外部磁界変動に対しては変化が小さいため、感度向上を見込むことができ、経時変化の小さいセンサとすることができる。
【0064】
請求項7記載の発明によれば、請求項1ないし4の何れか一記載の磁気センサにおいて、PIN層の磁化の固定を人工フェリ磁性膜構造により行うため、さらに温度の影響が少なく、高温での使用が可能なセンサとすることができる。
【0065】
請求項8記載の発明によれば、請求項1ないし7の何れか一記載の磁気センサにおいて、個別磁性層の平面形状を円形形状(真円形状、楕円形状等)又はドーナツ形状としたので、形状異方性に伴う磁気異方性を低減させることができ、磁界強度の変化に対するセンサ部の出力の線形性を向上させ、センサないしは磁気エンコーダとしての性能向上を図ることができる。
【0066】
請求項9記載の発明の磁気エンコーダによれば、請求項1ないし8の何れか一記載の磁気センサを備えているので、請求項1ないし8の何れか一記載の発明と同様の効果を奏する磁気エンコーダを提供することができる。
【0067】
請求項10記載の発明によれば、請求項9記載の磁気エンコーダにおいて、磁気センサの各センサ部による磁界の検出出力の位相を各々異ならせる位相異化手段を備えるので、低コストにて高分解能な磁気エンコーダを実現することができる。
【0068】
請求項11記載の発明によれば、磁界発生手段の磁化状態又は磁化パターンを各センサ部毎に異ならせることにより、請求項10記載の発明を容易に実現することができる。
【0069】
請求項12記載の発明によれば、各センサ部毎にその磁界強度に対する感度を異ならせることにより、請求項10又は11記載の発明を容易に実現することができる。特に、請求項11記載の発明と組合せることにより、10000パルス/回転のような高分解能を容易に得ることが可能となる。
【0070】
請求項13記載の発明によれば、相対位置又は磁束方向による検知感度の変化により感度が異なるようにすることで、請求項12記載の発明を容易に実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第一の実施の形態の磁気センサの作製段階を示す縦断正面図である。
【図2】磁気センサの作製段階を示し、(a)は平面図、(b)は縦断正面図である。
【図3】磁気センサの次の作製段階を示し、(a)は平面図、(b)は縦断正面図である。
【図4】磁気センサを示し、(a)は平面図、(b)は縦断正面図である。
【図5】検出系回路構成を含めて示す平面図である。
【図6】その変形例を示す平面図である。
【図7】本発明の第二の実施の形態の磁気センサの作製段階を示し、(a)は縦断側面図、(b)は平面図である。
【図8】本発明の第三の実施の形態の磁気センサを示し、(a)は平面図、(b)は縦断正面図である。
【図9】その変形例を示し、(a)は平面図、(b)は縦断正面図である。
【図10】本発明の第四の実施の形態の磁気エンコーダを示し、(a)は平面図、(b)は縦断正面図である。
【図11】本発明の第五の実施の形態の磁気エンコーダを示し、(a)は平面図、(b)は縦断正面図である。
【図12】本発明の第六の実施の形態の磁気エンコーダを示し、(a)は平面図、(b)は縦断正面図である。
【符号の説明】
1 磁気センサ
3 共通磁性層
5a〜5f 個別磁性層
6a〜6f センサ部
21 磁気センサ
22 共通磁性層
31 磁気センサ
41 磁気エンコーダ
42 磁界発生手段
42a〜42f 磁化パターン
51 磁気エンコーダ
52 磁界発生手段
61 磁気エンコーダ
Claims (13)
- 少なくとも磁性薄膜の積層構造を有して膜面に垂直に電流を流すことにより近傍にある磁界発生手段からの磁界を検知する薄膜磁気抵抗効果素子を用いた磁気センサであって、
共通に設けられた共通磁性層と、個別に設けられた磁界検知用の複数の個別磁性層と、の積層構造により並列配置させて形成された複数のセンサ部を備える磁気センサ。 - 前記薄膜磁気抵抗効果素子は、金属磁性体層/非磁性体絶縁層/金属磁性体層の積層構造を含むトンネル型磁気抵抗効果素子である請求項1記載の磁気センサ。
- 前記薄膜磁気抵抗効果素子は、磁性体層/非磁性体絶縁層/金属磁性体層の積層構造を含むCPP型巨大磁気抵抗効果素子である請求項1記載の磁気センサ。
- 前記共通磁性層と前記個別磁性層との容易軸方向がほぼ直交する請求項1ないし3の何れか一記載の磁気センサ。
- 前記共通磁性層の保磁力が前記個別磁性層の保磁力より大きい請求項1ないし4の何れか一記載の磁気センサ。
- 前記共通磁性層は、前記個別磁性層側に配置させた磁性膜による磁性膜/反強磁性膜積層構造を有する請求項1ないし4の何れか一記載の磁気センサ。
- 前記共通磁性層は、前記個別磁性層側に磁性膜を配置させた人工フェリ磁性膜構造を有する請求項1ないし4の何れか一記載の磁気センサ。
- 前記個別磁性層は、平面形状が円形形状又はドーナツ形状に形成されている請求項1ないし7の何れか一記載の磁気センサ。
- 請求項1ないし8の何れか一記載の磁気センサと、
この磁気センサの近傍に配置された磁界発生手段と、
を備える磁気エンコーダ。 - 前記磁気センサの各センサ部による磁界の検出出力の位相を各々異ならせる位相異化手段を備える請求項9記載の磁気エンコーダ。
- 前記位相異化手段は、前記磁界発生手段の磁化状態又は磁化パターンを前記各センサ部毎に異ならせたものである請求項10記載の磁気エンコーダ。
- 前記位相異化手段は、前記各センサ部毎にその磁界強度に対する感度を異ならせたものである請求項10又は11記載の磁気エンコーダ。
- 前記各センサ部毎にその磁界強度に対する感度を異ならせる前記位相異化手段は、相対位置又は磁束方向による検知感度の変化により感度が異なる請求項12記載の磁気エンコーダ。
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