JP2004327830A - プリント基板の製造方法およびプリント基板 - Google Patents
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Abstract
【課題】電子部品を埋め込むための凹部を良質に形成できるプリント基板の製造方法を提供する。
【解決手段】プリント基板の製造方法は、(a)金属からなる配線層を被覆する絶縁樹脂層を有する加工対象物に、第1のパルスエネルギ密度でパルスレーザビームを照射して、前記絶縁樹脂層を一部除去し、前記配線層が露出する深さには達しない凹部を形成する工程と、(b)前記凹部の底面に、前記第1のパルスエネルギ密度より小さい第2のパルスエネルギ密度でパルスレーザビームを照射して、前記絶縁樹脂層をさらに除去し、前記凹部の底面に前記配線層を露出させる工程とを有する。
【選択図】 図3
【解決手段】プリント基板の製造方法は、(a)金属からなる配線層を被覆する絶縁樹脂層を有する加工対象物に、第1のパルスエネルギ密度でパルスレーザビームを照射して、前記絶縁樹脂層を一部除去し、前記配線層が露出する深さには達しない凹部を形成する工程と、(b)前記凹部の底面に、前記第1のパルスエネルギ密度より小さい第2のパルスエネルギ密度でパルスレーザビームを照射して、前記絶縁樹脂層をさらに除去し、前記凹部の底面に前記配線層を露出させる工程とを有する。
【選択図】 図3
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、プリント基板の製造方法およびプリント基板に関し、特に、電子部品の3次元実装に適したプリント基板の製造方法およびプリント基板に関する。
【0002】
【従来の技術】
電子部品を高密度で実装できる3次元実装が注目されている。3次元実装に必要な工程の1つとして、プリント基板の絶縁樹脂層中に電子部品を埋め込む工程がある。
【0003】
電子部品を埋め込む凹部を形成するために、プリント基板の絶縁樹脂層を広い面積に亘って除去し、内層配線を露出させる加工(いわゆるザグリ加工)が行われている。ザグリ加工はこれまで、ルータビット等を用いて機械加工により行われてきた。
【0004】
参考のため図4に、プリント基板の凹部の底面に露出する内層配線のパタンの一例を示す。プリント基板30の表層部に形成された縦5mm、横6mmの矩形状の凹部35の底面に、内層配線パタン32aが形成されている。
【0005】
なお、本発明は、新規なプリント基板の製造方法およびプリント基板を提供するものであり、本発明者は、本発明に関連する先行技術文献については存知しない。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
従来の機械加工では、加工部の深さを高精度に制御することが困難であった。例えば、凹部の底面に配線パタンを露出させる際に、配線パタンの表面がドリルに削られて損傷する問題や、また、配線パタン表面の損傷を避けようとすると、絶縁樹脂層が除去しきれずに残存する問題等が生じていた。
【0007】
本発明の一目的は、電子部品を埋め込むための凹部を生産性良く形成できるプリント基板の製造方法を提供することである。
【0008】
本発明の他の目的は、電子部品を埋め込むための凹部を、配線パタンの損傷を抑制して形成できるプリント基板の製造方法を提供することである。
【0009】
本発明の他の目的は、電子部品を埋め込むための凹部を、底面の段差を小さくして形成できるプリント基板の製造方法を提供することである。
【0010】
本発明の他の目的は、電子部品を埋め込むための良質な凹部が形成されたプリント基板を提供することである。
【0011】
【課題を解決するための手段】
本発明の一観点によれば、(a)金属からなる配線層を被覆する絶縁樹脂層を有する加工対象物に、第1のパルスエネルギ密度でパルスレーザビームを照射して、前記絶縁樹脂層を一部除去し、前記配線層が露出する深さには達しない凹部を形成する工程と、(b)前記凹部の底面に、前記第1のパルスエネルギ密度より小さい第2のパルスエネルギ密度でパルスレーザビームを照射して、前記絶縁樹脂層をさらに除去し、前記凹部の底面に前記配線層を露出させる工程とを有するプリント基板の製造方法が提供される。
【0012】
プリント基板の絶縁樹脂層の一部を除去して、電子部品を埋め込む凹部を形成するために、まず、絶縁樹脂層に高フルエンスでパルスレーザビームを照射する。これにより、少ないショット数で凹部が大部分の深さまで形成されるので、生産性を向上できる。
【0013】
高フルエンスでのレーザビーム照射の後、凹部の底面に低フルエンスでパルスレーザビームの照射を行って、さらに絶縁樹脂層を除去し、内層の配線層を露出させる。低フルエンスでのレーザビーム照射により、絶縁樹脂層を過剰に除去することが抑制されるので、形成される凹部の底面の段差を小さくすることができる。
【0014】
本発明の他の観点によれば、絶縁樹脂層と、前記絶縁樹脂層の内部に埋め込まれた金属からなる配線層と、前記絶縁樹脂層の表層部に形成され、底面に前記配線層が露出し、前記配線層が露出する第1の領域の深さよりも前記配線層が露出しない第2の領域の深さが深く、前記第1の領域の深さと前記第2の領域の深さとの差が5μm以内である凹部とを有するプリント基板が提供される。
【0015】
絶縁樹脂層に形成された凹部の底面が有する段差が小さいため、該凹部への電子部品の埋め込みが良好に行える。
【0016】
【発明の実施の形態】
図1(A)は、本発明の実施例によるプリント基板の製造方法に用いられるレーザ加工装置の概略図である。
【0017】
レーザ光源1が、パルスレーザビームを出射する。レーザ光源1は、炭酸ガス(CO2)レーザ発振器であり、TEA(Transversely Excited Atmospheric Pressure)モードのCO2レーザ発振器や、RF−CO2レーザ発振器を用いることができる。
【0018】
レーザ光源1から出射したレーザビームは、ビーム整形・均一光学系2に入射する。ビーム整形・均一光学系2は、ビーム断面を整形し、ビーム断面内の光強度分布をほぼ均一にする。ビーム整形・均一光学系2を出射したレーザビームは、折り返しミラー3で反射され、集光レンズ4に入射する。集光レンズ4により収束されたレーザビームは、加工対象物5の表面に入射する。加工対象物5に照射されるレーザビームの断面形状は、長さ5mm、幅0.5mmの、1辺の方向に細長い形状に整形されている。
【0019】
図1(B)は、加工対象物5の断面図である。下地基板10の上に、エポキシ樹脂等からなるビルドアップ層11が3層積層されている。銅配線12が、各ビルドアップ層11の上側表層部に形成されている。上下に隣接する銅配線12を接続するように、ビアホール13が形成されている。ビアホール13には銅が充填されている。説明のため、最上層のビルドアップ層11の表層部に形成されている銅配線を特に12aで示す。
【0020】
銅配線12aを覆うように、最上層のビルドアップ層11の表面上に、エポキシ樹脂等からなる絶縁樹脂層14が形成されている。後に詳述するように、絶縁樹脂層14に、電子部品を埋め込むための凹部を形成する。なお、絶縁樹脂層14の厚さは、埋め込む電子部品の大きさ等に応じて適宜設定される。本実施例では、絶縁樹脂層14の厚さが100μmの場合を説明する。
【0021】
図1(A)に戻って説明を続ける。加工対象物5は、XYステージ6の可動面上に保持されている。XYステージ6の可動面を移動させることにより、加工対象物5の表面の所望の位置にレーザビームを照射して、穴開け加工をすることができる。
【0022】
コントローラ7が、レーザ光源1から出射されるパルスレーザビームのパルスエネルギやXYステージの移動量等を制御する。
【0023】
次に、図2、図3を参照して、本発明の実施例によるプリント基板の製造方法について説明する。
【0024】
図2は、加工対象物5を図1(A)の集光レンズ4側から見た平面図である。加工対象物の表面の凹部を形成すべき領域(図の破線で示す領域)の形状が、短辺の長さ5mm、長辺の長さ10mmの矩形である場合を例に説明する。ここで、該矩形の短辺の長さと、被加工面に照射されるビームの断面の長手方向の長さとは一致している。
【0025】
まず、凹部15を形成すべき領域を示す矩形の短辺とビーム断面の長手方向の辺が接し、該矩形の2つの長辺とビーム断面の長手方向の両端が接するような位置に(つまり、該矩形の長辺方向の一端の全幅上に)、エネルギ密度(フルエンス)が、被加工面において1パルスあたり10J/cm2となる高フルエンスの条件で、2ショットのパルスレーザビームを照射する。
【0026】
この2ショットの照射により、絶縁樹脂層14に、銅配線12aの表面までの深さ(100μm)に少し及ばない深さの穴を形成する。好ましくは、銅配線12aの表面の深さまで残り5μm以内となる深さの穴を形成する。
【0027】
以後順次、ビーム入射領域20をビーム断面の長手方向と直交する一方向(図では右方向)に移動させながら、凹部を形成すべき領域の端(図では矩形の右端)に達するまで、被加工面へのパルスレーザビーム照射を続ける。このとき、移動後のビーム断面が、移動前に照射された領域と接するようにして、ビーム入射領域20を移動させていく。各照射位置において、被加工面での1パルスあたりのフルエンス10J/cm2で、2ショットずつの照射を繰り返す。
【0028】
各照射位置には、ほぼ均一な深さの穴が形成される。各穴が連続することにより、銅配線12aの表面までの深さに少し及ばない、ほぼ均一な深さを有する凹部が形成される。なお、図中の矢印は、上記工程におけるビーム照射位置の移動方向を示している。
【0029】
なお、ビーム断面内の光強度分布は均一であることが好ましいが、ビーム断面の中心部で高く、周辺部で低い光強度分布を有するレーザビームを用いることもできる。その場合は、隣接する照射位置に照射されるビームの断面の縁部同士が重なるようにして、凹部の深さの均一化を図ることができる。
【0030】
図3(A)は、図2に示した凹部15を形成すべき領域内の各照射位置へ、2ショットずつのパルスレーザビーム照射が終了した時点の、加工対象物の断面図である。
【0031】
凹部15は、途中の深さまで形成されており、まだ銅配線12aは露出していない。引き続き、図2を参照して説明した方法と同様な方法で、凹部15の底面全体にパルスレーザビームの照射を行う。ただし今回は、各照射位置において、被加工面での1パルスあたりのフルエンスが2J/cm2となる低フルエンスの条件で、1ショットずつの照射を行う。
【0032】
図3(B)に示すように、この1ショットずつの照射により、残りの絶縁樹脂層14が除去され、凹部15の底面に銅配線12aが露出し、深さ約100μmのほぼ平坦な底部を有する凹部15が完成する。
【0033】
さて、凹部を完成させるためのレーザビーム照射を、低フルエンスではなく、例えば被加工面での1パルスあたりのフルエンス10J/cm2の高フルエンスで行うと、凹部15の平坦性が低下してしまう。
【0034】
凹部を完成させるためのレーザビーム照射を高フルエンスで行った場合、図3(B)に破線で示すように、凹部15の底面の、銅配線12aが存在しない部分のビルドアップ層11が過剰に除去されてしまう。一方、銅配線12aは、CO2レーザを反射するので、除去されない。したがって、凹部15の底面内に大きな段差が生じ、該底面の平坦性が低下する。凹部15の底面の平坦性の低下は、凹部15に電子部品を埋め込む際に好ましくない影響を及ぼす。
【0035】
以上説明したように、凹部を形成する工程を前後2つに分け、第1の工程において、高フルエンスの条件でパルスレーザビームを照射する。これにより、少ないショット数で凹部が大部分の深さまで形成されるので、生産性を向上できる。生産性を向上させるためには、1パルスあたりのエッチングレートを10μm以上とすることが好ましい。
【0036】
また第2の工程において、残りの絶縁樹脂層を除去し、銅配線を露出させるパルスレーザビーム照射を、低フルエンスの条件で行う。これにより、絶縁樹脂層を過剰に除去することが防止される。
【0037】
なお、低フルエンスの照射を行う本実施例の方法においても、銅配線12aを確実に露出させるためには、図3(B)に示すように、銅配線12aが存在しない底面の領域はややオーバーエッチングされることとなる。したがって、銅配線が露出する領域の深さよりも、それ以外の領域の深さのほうが、微小ではあるが深くなり、底面には段差が残る。底面の段差は5μm以内に抑えることが好ましい。段差を5μm以内に抑えるためには、第2の工程におけるレーザ照射を、1パルスあたりのエッチングレートが5μm以下となるような低フルエンスで行うことが好ましい。
【0038】
銅配線12aは、CO2レーザにより加工されない。したがって、銅配線12aの表面は、凹部形成のためのレーザ照射により荒らされない。なお、従来の技術である機械加工により凹部を形成した場合には、露出した配線層12aの表面に切削傷がつくことが起こる。
【0039】
レーザ光源としてCO2レーザを用いる場合を説明したが、レーザ光源には、紫外線領域(UV)の波長を有する高調波固体レーザ発振器を用いることもできる。ただし、UVレーザを用いる場合には、銅配線が加工されてしまう問題が生じる。銅は、例えば355nmのレーザビームを、1パルス当たりのフルエンス3J/cm2以上で照射すると溶融してしまう。したがって、銅配線を露出させるレーザビーム照射は、銅が溶融しない範囲の低いフルエンスで行うことが望ましい。
【0040】
なお、凹部15の形成後、必要に応じて、過マンガン酸溶液を用いた湿式処理やプラズマ処理等によりデスミアを行ってもよい。
【0041】
さて、凹部15が完成した後、図3(C)に示すように、凹部15にコンデンサ、抵抗等の電子部品16を挿入する。電子部品16は、銅配線12aと電気的に接続される。
【0042】
次に、図3(D)に示すように、絶縁樹脂層14の表面上に、絶縁樹脂層17を積層し、電子部品16を覆う。ビルドアップ層11、絶縁樹脂層14、17の中への電子部品16の埋め込みが完成する。
【0043】
なお、絶縁樹脂層14とビルドアップ層11とを合わせて絶縁樹脂層と捉えてもよい。凹部は、この絶縁樹脂層の表層部に形成される。凹部の底面には配線層が露出する。凹部の深さは、配線層が露出する領域よりも、配線層が露出しない領域の方が深いが、この深さの差は5μm以内に抑えることができる。
【0044】
被加工面上の凹部を形成する領域の形状、大きさは、実施例で説明したものに限らない。また、被加工面上のビーム断面の形状、大きさは、実施例で説明したものに限らない。
【0045】
第1の工程、第2の工程それぞれで照射するパルスレーザビームの被加工面におけるフルエンスは、絶縁樹脂層14の素材や厚さ等を勘案して適宜設定することができる。
【0046】
被加工面に照射されるレーザビームのフルエンスの調節は、レーザ光源から出射されるパルスレーザビームのパルスエネルギを調節することにより行うことができる。また、レーザ光源から加工対象物に至るレーザビームの光路中に、アッテネータを挿入することにより、フルエンスを調節してもよい。その他、デフォーカスによって、被加工面に照射されるレーザビームのフルエンスを下げることもできる。
【0047】
プリント基板の製造方法に用いられるレーザ加工装置は、ビーム整形器から出射したレーザビームを、ガルバノスキャナに入射させ、ガルバノスキャナで進行方向を振られたレーザビームを、fθレンズにより加工対象物の表面に集光させる構成であってもよい。ガルバノスキャナでレーザビームの進行方向を振ることにより、加工対象物の表面上のレーザビームが照射される位置を移動させることができる。
【0048】
以上実施例に沿って本発明を説明したが、本発明はこれらに制限されるものではない。例えば、種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に自明であろう。
【0049】
【発明の効果】
プリント基板の絶縁樹脂層の一部を除去して、電子部品を埋め込む凹部を形成するために、まず、絶縁樹脂層に高フルエンスでパルスレーザビームを照射する。これにより、少ないショット数で凹部が大部分の深さまで形成されるので、生産性を向上できる。
【0050】
高フルエンスでのレーザビーム照射の後、凹部の底面に低フルエンスでパルスレーザビームの照射を行って、さらに絶縁樹脂層を除去し、内層の配線層を露出させる。低フルエンスでのレーザビーム照射により、絶縁樹脂層を過剰に除去することが抑制されるので、形成される凹部の底面の段差を小さくすることができる。
【0051】
凹部形成に用いるレーザの種類や照射条件を適宜設定することにより、凹部の底面に露出する配線の損傷を抑制できる。
【0052】
絶縁樹脂層に形成された凹部の底面が有する段差が小さいため、該凹部への電子部品の埋め込みが良好に行える。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例によるプリント基板の製造方法に用いられるレーザ加工装置の概略図(A)、および、加工対象物の断面図(B)である。
【図2】実施例によるプリント基板の製造方法を説明するための、加工対象物の平面図である。
【図3】実施例によるプリント基板の製造方法を説明するための、加工対象物の断面図である。
【図4】内層配線のパタンの例を示す、プリント基板の平面図である。
【符号の説明】
1 レーザ光源
2 ビーム整形・均一光学系
3 折り返しミラー
4 集光レンズ
5 加工対象物
6 XYステージ
7 コントローラ
10 下地基板
11 ビルドアップ層
12、12a 銅配線
13 ビアホール
14、17 絶縁樹脂層
15 凹部
16 電子部品
【発明の属する技術分野】
本発明は、プリント基板の製造方法およびプリント基板に関し、特に、電子部品の3次元実装に適したプリント基板の製造方法およびプリント基板に関する。
【0002】
【従来の技術】
電子部品を高密度で実装できる3次元実装が注目されている。3次元実装に必要な工程の1つとして、プリント基板の絶縁樹脂層中に電子部品を埋め込む工程がある。
【0003】
電子部品を埋め込む凹部を形成するために、プリント基板の絶縁樹脂層を広い面積に亘って除去し、内層配線を露出させる加工(いわゆるザグリ加工)が行われている。ザグリ加工はこれまで、ルータビット等を用いて機械加工により行われてきた。
【0004】
参考のため図4に、プリント基板の凹部の底面に露出する内層配線のパタンの一例を示す。プリント基板30の表層部に形成された縦5mm、横6mmの矩形状の凹部35の底面に、内層配線パタン32aが形成されている。
【0005】
なお、本発明は、新規なプリント基板の製造方法およびプリント基板を提供するものであり、本発明者は、本発明に関連する先行技術文献については存知しない。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
従来の機械加工では、加工部の深さを高精度に制御することが困難であった。例えば、凹部の底面に配線パタンを露出させる際に、配線パタンの表面がドリルに削られて損傷する問題や、また、配線パタン表面の損傷を避けようとすると、絶縁樹脂層が除去しきれずに残存する問題等が生じていた。
【0007】
本発明の一目的は、電子部品を埋め込むための凹部を生産性良く形成できるプリント基板の製造方法を提供することである。
【0008】
本発明の他の目的は、電子部品を埋め込むための凹部を、配線パタンの損傷を抑制して形成できるプリント基板の製造方法を提供することである。
【0009】
本発明の他の目的は、電子部品を埋め込むための凹部を、底面の段差を小さくして形成できるプリント基板の製造方法を提供することである。
【0010】
本発明の他の目的は、電子部品を埋め込むための良質な凹部が形成されたプリント基板を提供することである。
【0011】
【課題を解決するための手段】
本発明の一観点によれば、(a)金属からなる配線層を被覆する絶縁樹脂層を有する加工対象物に、第1のパルスエネルギ密度でパルスレーザビームを照射して、前記絶縁樹脂層を一部除去し、前記配線層が露出する深さには達しない凹部を形成する工程と、(b)前記凹部の底面に、前記第1のパルスエネルギ密度より小さい第2のパルスエネルギ密度でパルスレーザビームを照射して、前記絶縁樹脂層をさらに除去し、前記凹部の底面に前記配線層を露出させる工程とを有するプリント基板の製造方法が提供される。
【0012】
プリント基板の絶縁樹脂層の一部を除去して、電子部品を埋め込む凹部を形成するために、まず、絶縁樹脂層に高フルエンスでパルスレーザビームを照射する。これにより、少ないショット数で凹部が大部分の深さまで形成されるので、生産性を向上できる。
【0013】
高フルエンスでのレーザビーム照射の後、凹部の底面に低フルエンスでパルスレーザビームの照射を行って、さらに絶縁樹脂層を除去し、内層の配線層を露出させる。低フルエンスでのレーザビーム照射により、絶縁樹脂層を過剰に除去することが抑制されるので、形成される凹部の底面の段差を小さくすることができる。
【0014】
本発明の他の観点によれば、絶縁樹脂層と、前記絶縁樹脂層の内部に埋め込まれた金属からなる配線層と、前記絶縁樹脂層の表層部に形成され、底面に前記配線層が露出し、前記配線層が露出する第1の領域の深さよりも前記配線層が露出しない第2の領域の深さが深く、前記第1の領域の深さと前記第2の領域の深さとの差が5μm以内である凹部とを有するプリント基板が提供される。
【0015】
絶縁樹脂層に形成された凹部の底面が有する段差が小さいため、該凹部への電子部品の埋め込みが良好に行える。
【0016】
【発明の実施の形態】
図1(A)は、本発明の実施例によるプリント基板の製造方法に用いられるレーザ加工装置の概略図である。
【0017】
レーザ光源1が、パルスレーザビームを出射する。レーザ光源1は、炭酸ガス(CO2)レーザ発振器であり、TEA(Transversely Excited Atmospheric Pressure)モードのCO2レーザ発振器や、RF−CO2レーザ発振器を用いることができる。
【0018】
レーザ光源1から出射したレーザビームは、ビーム整形・均一光学系2に入射する。ビーム整形・均一光学系2は、ビーム断面を整形し、ビーム断面内の光強度分布をほぼ均一にする。ビーム整形・均一光学系2を出射したレーザビームは、折り返しミラー3で反射され、集光レンズ4に入射する。集光レンズ4により収束されたレーザビームは、加工対象物5の表面に入射する。加工対象物5に照射されるレーザビームの断面形状は、長さ5mm、幅0.5mmの、1辺の方向に細長い形状に整形されている。
【0019】
図1(B)は、加工対象物5の断面図である。下地基板10の上に、エポキシ樹脂等からなるビルドアップ層11が3層積層されている。銅配線12が、各ビルドアップ層11の上側表層部に形成されている。上下に隣接する銅配線12を接続するように、ビアホール13が形成されている。ビアホール13には銅が充填されている。説明のため、最上層のビルドアップ層11の表層部に形成されている銅配線を特に12aで示す。
【0020】
銅配線12aを覆うように、最上層のビルドアップ層11の表面上に、エポキシ樹脂等からなる絶縁樹脂層14が形成されている。後に詳述するように、絶縁樹脂層14に、電子部品を埋め込むための凹部を形成する。なお、絶縁樹脂層14の厚さは、埋め込む電子部品の大きさ等に応じて適宜設定される。本実施例では、絶縁樹脂層14の厚さが100μmの場合を説明する。
【0021】
図1(A)に戻って説明を続ける。加工対象物5は、XYステージ6の可動面上に保持されている。XYステージ6の可動面を移動させることにより、加工対象物5の表面の所望の位置にレーザビームを照射して、穴開け加工をすることができる。
【0022】
コントローラ7が、レーザ光源1から出射されるパルスレーザビームのパルスエネルギやXYステージの移動量等を制御する。
【0023】
次に、図2、図3を参照して、本発明の実施例によるプリント基板の製造方法について説明する。
【0024】
図2は、加工対象物5を図1(A)の集光レンズ4側から見た平面図である。加工対象物の表面の凹部を形成すべき領域(図の破線で示す領域)の形状が、短辺の長さ5mm、長辺の長さ10mmの矩形である場合を例に説明する。ここで、該矩形の短辺の長さと、被加工面に照射されるビームの断面の長手方向の長さとは一致している。
【0025】
まず、凹部15を形成すべき領域を示す矩形の短辺とビーム断面の長手方向の辺が接し、該矩形の2つの長辺とビーム断面の長手方向の両端が接するような位置に(つまり、該矩形の長辺方向の一端の全幅上に)、エネルギ密度(フルエンス)が、被加工面において1パルスあたり10J/cm2となる高フルエンスの条件で、2ショットのパルスレーザビームを照射する。
【0026】
この2ショットの照射により、絶縁樹脂層14に、銅配線12aの表面までの深さ(100μm)に少し及ばない深さの穴を形成する。好ましくは、銅配線12aの表面の深さまで残り5μm以内となる深さの穴を形成する。
【0027】
以後順次、ビーム入射領域20をビーム断面の長手方向と直交する一方向(図では右方向)に移動させながら、凹部を形成すべき領域の端(図では矩形の右端)に達するまで、被加工面へのパルスレーザビーム照射を続ける。このとき、移動後のビーム断面が、移動前に照射された領域と接するようにして、ビーム入射領域20を移動させていく。各照射位置において、被加工面での1パルスあたりのフルエンス10J/cm2で、2ショットずつの照射を繰り返す。
【0028】
各照射位置には、ほぼ均一な深さの穴が形成される。各穴が連続することにより、銅配線12aの表面までの深さに少し及ばない、ほぼ均一な深さを有する凹部が形成される。なお、図中の矢印は、上記工程におけるビーム照射位置の移動方向を示している。
【0029】
なお、ビーム断面内の光強度分布は均一であることが好ましいが、ビーム断面の中心部で高く、周辺部で低い光強度分布を有するレーザビームを用いることもできる。その場合は、隣接する照射位置に照射されるビームの断面の縁部同士が重なるようにして、凹部の深さの均一化を図ることができる。
【0030】
図3(A)は、図2に示した凹部15を形成すべき領域内の各照射位置へ、2ショットずつのパルスレーザビーム照射が終了した時点の、加工対象物の断面図である。
【0031】
凹部15は、途中の深さまで形成されており、まだ銅配線12aは露出していない。引き続き、図2を参照して説明した方法と同様な方法で、凹部15の底面全体にパルスレーザビームの照射を行う。ただし今回は、各照射位置において、被加工面での1パルスあたりのフルエンスが2J/cm2となる低フルエンスの条件で、1ショットずつの照射を行う。
【0032】
図3(B)に示すように、この1ショットずつの照射により、残りの絶縁樹脂層14が除去され、凹部15の底面に銅配線12aが露出し、深さ約100μmのほぼ平坦な底部を有する凹部15が完成する。
【0033】
さて、凹部を完成させるためのレーザビーム照射を、低フルエンスではなく、例えば被加工面での1パルスあたりのフルエンス10J/cm2の高フルエンスで行うと、凹部15の平坦性が低下してしまう。
【0034】
凹部を完成させるためのレーザビーム照射を高フルエンスで行った場合、図3(B)に破線で示すように、凹部15の底面の、銅配線12aが存在しない部分のビルドアップ層11が過剰に除去されてしまう。一方、銅配線12aは、CO2レーザを反射するので、除去されない。したがって、凹部15の底面内に大きな段差が生じ、該底面の平坦性が低下する。凹部15の底面の平坦性の低下は、凹部15に電子部品を埋め込む際に好ましくない影響を及ぼす。
【0035】
以上説明したように、凹部を形成する工程を前後2つに分け、第1の工程において、高フルエンスの条件でパルスレーザビームを照射する。これにより、少ないショット数で凹部が大部分の深さまで形成されるので、生産性を向上できる。生産性を向上させるためには、1パルスあたりのエッチングレートを10μm以上とすることが好ましい。
【0036】
また第2の工程において、残りの絶縁樹脂層を除去し、銅配線を露出させるパルスレーザビーム照射を、低フルエンスの条件で行う。これにより、絶縁樹脂層を過剰に除去することが防止される。
【0037】
なお、低フルエンスの照射を行う本実施例の方法においても、銅配線12aを確実に露出させるためには、図3(B)に示すように、銅配線12aが存在しない底面の領域はややオーバーエッチングされることとなる。したがって、銅配線が露出する領域の深さよりも、それ以外の領域の深さのほうが、微小ではあるが深くなり、底面には段差が残る。底面の段差は5μm以内に抑えることが好ましい。段差を5μm以内に抑えるためには、第2の工程におけるレーザ照射を、1パルスあたりのエッチングレートが5μm以下となるような低フルエンスで行うことが好ましい。
【0038】
銅配線12aは、CO2レーザにより加工されない。したがって、銅配線12aの表面は、凹部形成のためのレーザ照射により荒らされない。なお、従来の技術である機械加工により凹部を形成した場合には、露出した配線層12aの表面に切削傷がつくことが起こる。
【0039】
レーザ光源としてCO2レーザを用いる場合を説明したが、レーザ光源には、紫外線領域(UV)の波長を有する高調波固体レーザ発振器を用いることもできる。ただし、UVレーザを用いる場合には、銅配線が加工されてしまう問題が生じる。銅は、例えば355nmのレーザビームを、1パルス当たりのフルエンス3J/cm2以上で照射すると溶融してしまう。したがって、銅配線を露出させるレーザビーム照射は、銅が溶融しない範囲の低いフルエンスで行うことが望ましい。
【0040】
なお、凹部15の形成後、必要に応じて、過マンガン酸溶液を用いた湿式処理やプラズマ処理等によりデスミアを行ってもよい。
【0041】
さて、凹部15が完成した後、図3(C)に示すように、凹部15にコンデンサ、抵抗等の電子部品16を挿入する。電子部品16は、銅配線12aと電気的に接続される。
【0042】
次に、図3(D)に示すように、絶縁樹脂層14の表面上に、絶縁樹脂層17を積層し、電子部品16を覆う。ビルドアップ層11、絶縁樹脂層14、17の中への電子部品16の埋め込みが完成する。
【0043】
なお、絶縁樹脂層14とビルドアップ層11とを合わせて絶縁樹脂層と捉えてもよい。凹部は、この絶縁樹脂層の表層部に形成される。凹部の底面には配線層が露出する。凹部の深さは、配線層が露出する領域よりも、配線層が露出しない領域の方が深いが、この深さの差は5μm以内に抑えることができる。
【0044】
被加工面上の凹部を形成する領域の形状、大きさは、実施例で説明したものに限らない。また、被加工面上のビーム断面の形状、大きさは、実施例で説明したものに限らない。
【0045】
第1の工程、第2の工程それぞれで照射するパルスレーザビームの被加工面におけるフルエンスは、絶縁樹脂層14の素材や厚さ等を勘案して適宜設定することができる。
【0046】
被加工面に照射されるレーザビームのフルエンスの調節は、レーザ光源から出射されるパルスレーザビームのパルスエネルギを調節することにより行うことができる。また、レーザ光源から加工対象物に至るレーザビームの光路中に、アッテネータを挿入することにより、フルエンスを調節してもよい。その他、デフォーカスによって、被加工面に照射されるレーザビームのフルエンスを下げることもできる。
【0047】
プリント基板の製造方法に用いられるレーザ加工装置は、ビーム整形器から出射したレーザビームを、ガルバノスキャナに入射させ、ガルバノスキャナで進行方向を振られたレーザビームを、fθレンズにより加工対象物の表面に集光させる構成であってもよい。ガルバノスキャナでレーザビームの進行方向を振ることにより、加工対象物の表面上のレーザビームが照射される位置を移動させることができる。
【0048】
以上実施例に沿って本発明を説明したが、本発明はこれらに制限されるものではない。例えば、種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に自明であろう。
【0049】
【発明の効果】
プリント基板の絶縁樹脂層の一部を除去して、電子部品を埋め込む凹部を形成するために、まず、絶縁樹脂層に高フルエンスでパルスレーザビームを照射する。これにより、少ないショット数で凹部が大部分の深さまで形成されるので、生産性を向上できる。
【0050】
高フルエンスでのレーザビーム照射の後、凹部の底面に低フルエンスでパルスレーザビームの照射を行って、さらに絶縁樹脂層を除去し、内層の配線層を露出させる。低フルエンスでのレーザビーム照射により、絶縁樹脂層を過剰に除去することが抑制されるので、形成される凹部の底面の段差を小さくすることができる。
【0051】
凹部形成に用いるレーザの種類や照射条件を適宜設定することにより、凹部の底面に露出する配線の損傷を抑制できる。
【0052】
絶縁樹脂層に形成された凹部の底面が有する段差が小さいため、該凹部への電子部品の埋め込みが良好に行える。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例によるプリント基板の製造方法に用いられるレーザ加工装置の概略図(A)、および、加工対象物の断面図(B)である。
【図2】実施例によるプリント基板の製造方法を説明するための、加工対象物の平面図である。
【図3】実施例によるプリント基板の製造方法を説明するための、加工対象物の断面図である。
【図4】内層配線のパタンの例を示す、プリント基板の平面図である。
【符号の説明】
1 レーザ光源
2 ビーム整形・均一光学系
3 折り返しミラー
4 集光レンズ
5 加工対象物
6 XYステージ
7 コントローラ
10 下地基板
11 ビルドアップ層
12、12a 銅配線
13 ビアホール
14、17 絶縁樹脂層
15 凹部
16 電子部品
Claims (4)
- (a)金属からなる配線層を被覆する絶縁樹脂層を有する加工対象物に、第1のパルスエネルギ密度でパルスレーザビームを照射して、前記絶縁樹脂層を一部除去し、前記配線層が露出する深さには達しない凹部を形成する工程と、
(b)前記凹部の底面に、前記第1のパルスエネルギ密度より小さい第2のパルスエネルギ密度でパルスレーザビームを照射して、前記絶縁樹脂層をさらに除去し、前記凹部の底面に前記配線層を露出させる工程と
を有するプリント基板の製造方法。 - さらに、
(c)前記工程(b)の後、前記凹部に電子部品を挿入する工程を含む請求項1記載のプリント基板の製造方法。 - 絶縁樹脂層と、
前記絶縁樹脂層の内部に埋め込まれた金属からなる配線層と、
前記絶縁樹脂層の表層部に形成され、底面に前記配線層が露出し、前記配線層が露出する第1の領域の深さよりも前記配線層が露出しない第2の領域の深さが深く、前記第1の領域の深さと前記第2の領域の深さとの差が5μm以内である凹部と
を有するプリント基板。 - さらに、
前記凹部に挿入され、前記配線層に電気的に接続される電子部品を有する請求項3記載のプリント基板。
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