JP2004301900A - 液晶表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】ホワイトバランスを保ったまま、高反射率（高透過率）、高色純度の液晶表示装置を実現する。
【解決手段】互いに対向するように配置された２枚の基板３，６と、２枚の基板の表面に形成され、少なくとも一方が透明電極である平行平板電極２１，２３と、平行平板電極間に液晶を挟み込んだ液晶層９，１０とを備える液晶表示装置であって、１画素は独立して制御可能な複数の副画素２４Ｒ，２４Ｇ，２４Ｂで構成され、複数の副画素の少なくとも１つの表示有効領域の面積は、他の副画素の表示有効領域の面積と異なる。
【選択図】 図１５

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶表示装置に関し、特に反射型及び反射透過容量の液晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、アクティフ゛マトリックスを用いた液晶表示装置において、軽量、薄型、低消費電力化が実現できる反射型液晶表示装置が注目されている。反射型液晶表示装置は薄型、軽量および低消費電力という特徴を持ち、周囲の光を利用して表示を行うため、紙のようなディスプレイを実現することが可能である。現在、反射型液晶表示として１枚偏光板方式が実用化されている。この方式の反射型液晶表示装置は高いコントラストが得られ、偏光板を１枚しか使用しないために、比較的明るい表示を得ることができる。
【０００３】
図１は、上記の１枚偏光板方式の反射式液晶表示装置（ＬＣＤ）のパネル構造を示す図である。図１に示すように、このパネル構造は、一方の表面に位相差板２と偏光板１を、他方の表面に透明電極４を形成した透明基板３と、表面に拡散反射電極５を形成した基板６との間に、ＴＮ型液晶９を挟みこむ。ＴＮ型液晶９は、電極４、５の界面で平行配向し、厚さ方向にツイストする。この場合、電圧を印加した状態で暗状態を表示するが、この際、界面の分子がアンカリング゛効果によって変形しないため、この部分にリタデーションが発生してしまい、非常に高いコントラストを得ることは困難であった。
【０００４】
そこで、米国特許第４７０１０２８号は、図２のように、位相差板２の替わりに１／４波長板７を用い、界面を垂直配向にしてＶＡ型液晶１０を使用した液晶表示装置を開示している。これは電圧無印加状態（配向変形が無い状態）において暗状態を実現できる。この場合、黒状態における残留リタデーションが存在しないため、非常に高いコントラスト比を得ることができる。
【０００５】
一方、明るい表示を実現するためには反射電極の最適化が重要になる。例えば、反射電極表面の凹凸をランダムに、かつ、高密度に発生させるための技術が提案されている。これは、凹凸のランダム性を増大させることで凹凸の繰り返しパターンによる光の干渉を防止して反射光の色づきを防ぐことおよび凹凸の密度を増加させることで平坦部を減少させて正反射成分を減少させることを目的としている。また、散乱光を一定範囲内の領域に集光するために凹凸の平均傾斜角を限定し、明るい表示を得る技術が提案されている。更に、特許第３１８７３６９号では特定範囲の傾斜角の存在率が傾斜角が増大するにつれて増加する反射電極が提案されており、有効視角内で均一な明るさが得られる反射型液晶表示素子を実現している。
【０００６】
このような電極表面の凹凸は、フォトリソグラフィを用いて形成されていたが、プロセスが複雑であり、更に露光条件により形状が変化すると反射特性が大きく変化するため、製造プロセスのマージンが狭いという問題があった。
【０００７】
本出願人は、低コスト化を図るためにフォトリソグラフィを使用しないで皺状の凹凸（マイクログローブ）を有する拡散反射電極を形成する技術を開発し、ＶＡ液晶と組み合わせることで高反射率かつ高コントラスト比を得る反射型液晶表示装置を、特開２００２−２２１７１６号公報で提案している。
【０００８】
更に、図３のように皺状の凹凸を有する拡散反射電極（皺状凹凸層）５の下に段差を生じる構造物８を設けることで皺状凹凸の方位を制御する技術を、特開２００２−２９６５８５号公報で提案している。皺状凹凸層は、下の構造物の段差に沿った凹凸になる。構造物の形状は各種あるが、例えば、図４に示す長方形の画素電極の短辺に平行な直線状の構造物が考えられる。図４に示すように、隣接するゲート電極ライン１２と隣接するソース電極ライン１３で区切られる領域が画素領域で画素電極１１が設けられる。ゲート電極ライン１２とソース電極ライン１３の交点にはＴＦＴ１４が設けられ、ＴＦＴ１４のゲートはゲート電極ライン１２に、ソースはソース電極ライン１３に、ドレインはコンタクトホール１５を介して画素電極１１に接続される。画素電極１１の下には補助容量１６が設けられ、画素電極１１はコンタクトホール１５を介して補助容量１６の一方の電極に接続される。
【０００９】
一方、反射型液晶表示装置においては光源環境により、視認性を大きく左右される。このため、暗い光源環境下においては、視認性が非常に悪いという問題がある。また、透過型の液晶表示装置においては、バックライトを使用するため消費電力は高いが、暗い光源環境下においてもコントラストが高く視認性が高い。しかし、明るい光源環境下においては、著しく視認性が低下し、表示品位が反射型よりも悪くなる。
【００１０】
上記問題を改善する方式として、この反射型液晶とフロントライト（ＦＬ）を組合わせる方式や半透過反射膜を組合わせた反射パネルが特開平７−３３３５９８で開示されている。
【００１１】
しかし、フロントライト方式の場合、フロントライトの点灯時で色味を合わせているため、反射表示の場合、黄色付くなど白色度（ホワイトバランス）が悪い。これは、蛍光灯の色温度は４２００Ｋ〜５５００Ｋであり、通常の光源環境における光源の色温度は太陽光６０００Ｋ以下の場合が多く、光源環境の色温度が低いためである。
【００１２】
また半透過方式においても、反射領域と透過領域で色純度を異ならせる方式が特開２０００−２６７０８１号公報で開示されているが、本技術においても、フロントライトがバックライト（ＢＬ）に変わっただけであり、反射表示の場合、ＢＬ点灯時で色味を合わせているため、反射表示の場合、黄色付くなど白色度（ホワイトバランス）が悪い。
【００１３】
上記方式において、反射の色味を調整することが難しい理由として、光源の色温度が低い点ともう一つ、低温光源に合わしたカラーフィルタ（ＣＦ）の透過スペクトルの調整が難しい点が上げられる。
【００１４】
図５は、一般的ＲＧＢ三原色カラーフィルタ（ＣＦ）を用いたＴＦＴ液晶パネルの画素構成図である。図５に示すように、Ｒ画素とＧ画素とＢ画素の３つの副画素で１個の表示画素を構成する。従来技術においては、副画素の表示領域（画素電極領域）全体を覆うようにＣＦパターンが形成されており、図５に示すような各ＣＦ間に間隙がある場合と、その隙間にブラックマトリックス（ＢＭ）を形成する場合がある。
【００１５】
図６は、色度調整手法を説明する図であり、図６の（Ａ）と（Ｂ）は透過型の場合を、図６の（Ｃ）と（Ｄ）は反射型の場合を示し、いずれもブラックマトリクス（ＢＭ）を設けた場合を示す。図６の（Ａ）と（Ｂ）に示すように、透過型のパネルは、ＣＦ基板３に３色のカラーフィルタ（ＣＦ）２４Ｒ、２４Ｇ、２４Ｂを設け、その間にＢＭ２５を設け、それらの上に透明な対向電極２１を設ける。対向電極２１は図１の透明電極４に対応する。ＴＦＴ基板６には、画素電極２２を設ける。基板の間には、液晶層９、１０を設け、ＴＦＴ基板６の後にはバックライト（ＢＬ）光源２６を設ける。透過型で色度調整する場合、各カラーフィルタ（ＣＦ）２４Ｒ、２４Ｇ、２４Ｂの透過特性の制御により行う。一般的な顔料分散ＣＦ（感光性樹脂に顔料を分散した物をフォトリソグラフィでパターン形成するもの）の場合、図６の（Ａ）のように、ＣＦの厚さは同じで、顔料の分散量により色度特性を調整するか、図６の（Ｂ）のように、顔料の分散量は同じで、膜厚を変化させて色度特性を制御する。また、ＣＦの色度以外にもＢＬ光源の色度を制御することでも色バランスの制御が可能である。
【００１６】
図６の（Ｃ）と（Ｄ）に示すように、反射型のパネルは、ＣＦ基板３に３色のカラーフィルタ（ＣＦ）２４Ｒ、２４Ｇ、２４Ｂを設け、その間にＢＭ２５を設け、それらの上に透明な対向電極２１を設ける。ＴＦＴ基板６には、図１の反射電極５に対応する反射画素電極２３を設ける。基板の間には、液晶層９、１０を設ける。反射型で色度調整する場合も、各カラーフィルタ（ＣＦ）２４Ｒ、２４Ｇ、２４Ｂの透過特性の制御により行い、図６の（Ｃ）のように、ＣＦの厚さは同じで、顔料の分散量により色度特性を調整するか、図６の（Ｄ）のように、顔料の分散量は同じで、膜厚を変化させて色度特性を制御する。更に、反射型の場合、外光の色温度（色度）により、色バランスが変化する。
【００１７】
特に、透過型ではＤ６５標準光源に近い色温度の光源が使用されるのが一般的であるが、通常の光源環境では、Ｄ６５標準光源より低温側の光が主である。このため、反射型の場合の色純度が悪くなる。図７は、顔料分散型ＣＦ材料の膜厚変化（顔料分散量を変化させた場合も同様である）によるＤ６５光源における色再現域をＲＧＢでプロットしたものであり、図７の（Ａ）は透過型の場合を、図７の（Ｂ）は反射型の場合を示す。図７より透過型に比較して、反射型のＧ領域の色純度が飽和傾向であることがわかる。これは反射型の場合、設計光源のＤ６５が環境光源であれば問題ないが、実際の環境ではＤ５５以下の光源環境が多いため、色再現域が低温側（ｘ、ｙ増加し黄色付く）方向にシフトしてしまう。これを防止するためｙ値を抑えているためである。また反射型では透過特性を優先するためでもある。このため、従来の反射型では、色再現域（ＲＧＢ三角形面積のＮＴＳＣ比）の拡大と低温光源での白色度の黄色付きを抑制するのが難しかった。
【００１８】
図８に反射型で膜厚を変化させた場合の白色度変化を示す。標準的な反射ＣＦ（膜厚０．７５μｍ）構成において、光源がＤ６５からＤ５５に変化した場合、大きく白色度が黄色付く（ｘとｙが共に増加する）ことがわかる。これを防止するためには一般にＢ副画素の色純度を上げてやれば良い。しかし、ｙ値の減少のみでｘに関しては増加する傾向にある。これに対して、ＲＧの膜厚を低下させた場合、ｘ、ｙともに減少（高温側にシフト）する傾向であることがわかる。しかし、図９に示すように、ＲＧ膜厚を低下させた場合、色再現域が低下することが分かる。
【００１９】
更に、表示品位で優れた反射型は実現できたが、昨今のモバイルブーム等により、屋外での反射型ディスプレイの用途が拡大してきている。ここで、問題となるのが、耐振動性等である。本来、ディスプレイ表面等を強く抑えるとか、常時振動のある条件下で使用することはないのであるが、モバイル用途、屋外用途ではこれらの厳しい振動環境を想定する必要がある。
【００２０】
前記の高反射率、高コントラスト比を実現した皺状凹凸の電極を有するＶＡ反射型液晶表示装置においては、振動環境下でカーソル移動等の表示を行った場合、残像が発生し、表示品位を劣化させる問題があった。
【００２１】
図１０は、負の誘電率異方性を有するｎ型液晶を用いた、ＶＡ型ＴＦＴ駆動液晶表示装置の液晶配向状態（断面図）を示す図であり、ディスクリネーションラインの発生と変化を示す。図１０の（Ａ）に示すように、対向電極３１と画素電極３２の間の液晶分子１０は、配向制御（液晶の傾斜方位を制御）を行わない場合、画素電極３２のエッジで発生する斜め電界により液晶の傾斜方位が規制され、液晶分子の傾斜方位が衝突する領域にディスクリネーションライン（表示不良部）３３が発生する。このディスクリネーションラインは電極表面の凹凸や、画素外周の駆動配線（データバス、ゲートライン）の横電界等の外乱により不安定となり、図１０の（Ｂ）及び（Ｃ）に示すようにディスクリネーションライン３３の位置が変化して表示品位を低下させる。
【００２２】
これを改善する方式として、図１１の（Ａ）に示すように、電極（ここでは対向電極３１）上に誘電体３４を形成したり、又は図１１の（Ｂ）に示すように、電極（ここでは対向電極３１）にスリット３５を設けてその間隙による電界制御により安定化する手法がある。図示のように、突起３４又はスリット３５の部分にディスクリネーションライン３３が安定的に形成される。しかし、この方式を用いた場合、有効表示エリア内にディスクリネーションラインを形成するため、反射又は透過特性が低下する問題がある。
【００２３】
これを改善するため、図１２の（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、ディスクリネーション制御構造（突起３４又はスリット３５）を画素電極３２のエッジに形成する方式が考えられる。本方式を用いることにより、領域３６では突起３４と画素電極３２のエッジによる配向規制力が大きく、ディスクリネーションライン３３が安定して形成される。領域３７では、画素電極３２のエッジによる配向規制力が大きい。領域３６及び３７の配向規制力により、通常は図１２の（Ａ）及び（Ｂ）のように、ディスクリネーションライン３３が安定して形成され、他の部分にはディスクリネーションラインは形成されない。従って、ディスクリネーションによる反射率、透過率の低下を抑制できることを見出した。
【００２４】
しかし、上記構造においてはパネル面に振動を加えた場合、図１２の（Ｃ）に示すように配向規制力の弱い領域３５と３７の間の領域で、配向が乱れディスクリネーションライン３８が多数発生し、表示品位を劣化することが判明した。
【００２５】
【特許文献１】
米国特許第４７０１０２８号（全体）
【特許文献２】
特許３１８７３６９（全体）
【特許文献３】
特開２００２−２２１７１６号公報（全体）
【特許文献４】
特開２００２−２９６５８５号公報（全体）
【特許文献５】
特開平７−３３３５９８号公報（全体）
【特許文献６】
特開２０００−２６７０８１号公報（全体）
【００２６】
【発明が解決しようとする課題】
前述のように、従来の反射ＣＦを用いた技術においては、色再現域（ＲＧＢ三角形面積のＮＴＳＣ比）の拡大と低温光源での白色度の黄色付きを抑制するのが難しかった。
【００２７】
本発明の第１の目的は、ホワイトバランスを保ったまま、高反射率（高透過率）、高色純度の液晶表示装置を実現することである。
【００２８】
また、特開２００２−２９６５８５号公報は、反射電極の皺状凹凸の好ましい具体的なパターンが記載されていない。
【００２９】
本発明の第２の目的は、本発明は上記問題を改善するために、反射電極の皺状の凹凸の好ましい具体的なパターンを実現し、低コストかつ反射率およびコントラスト比の優れた反射型液晶表示装置を実現するものである。
【００３０】
本発明の第３の目的は、振動環境下においても、残像等の表示不良が発生せず、高反射率、高コントラスト比を実現する高耐振動性を兼ね備えた液晶表示パネルを実現するものである。
【００３１】
【課題を解決するための手段】
本発明の第１の態様は、第１の目的を実現するもので、低温光源による表示の黄色付きをなくすため、ＣＦの透過特性ではなく占有面積を変えることで白バランスを調整する。
【００３２】
図１３は、ＲＧＢ色純度固定（膜厚一定）で、副画素ＲＧＢの面積比率を変えた場合の色度変化を示す図である。図１３より、副画素Ｒの面積、及び副画素ＲとＧの面積を縮小することにより、色純度を低下させること無しに、白色度を高温側（ｘ、ｙ減少）にシフトできることがわかる。またこの条件下での反射率特性を図１４に示す。図１４より、反射率低下がほとんど無いことがわかる。
【００３３】
本発明の第１の態様については、ＣＦ層を有していれば、反射型に限らず透過型、反射型、半透過型についても効果が得られ、液晶層のモードとしてはＴＮ型、ＶＡ型、ＨＡＮ型、ＩＰＳ等のあらゆるモードで効果が得られる。
【００３４】
本発明の第１の態様により、従来技術では難しかった適正な白色度（ホワイトバランス）を保ったまま、高反射率（高透過率）、高色純度の液晶表示装置が実現できる。
【００３５】
すなわち、本発明の第１の態様の液晶表示装置では、１画素は独立して制御可能な複数の副画素で構成され、複数の副画素の少なくとも１つの表示有効領域の面積は、他の副画素の表示有効領域の面積と異なることを特徴とする。
【００３６】
表示有効領域は、例えば、波長選択層（ＲＧＢカラーフィルタ）の領域や、画素電極の透過領域または反射領域の少なくとも一方で規定される。
【００３７】
波長選択層は、透明樹脂に顔料または染料を混合して形成したカラーフィルタで実現される。
【００３８】
表示有効領域の面積だけでなく、少なくとも１つの副画素の波長選択層の膜厚を他の副画素の波長選択層の膜厚と異ならせることも可能である。
【００３９】
ＲＧＢ又はＹＭＣの少なくとも３つ以上の副画素で１画素を構成する。
【００４０】
反射率を高めるために、画素電極の表面の一部に凹凸を形成した反射領域を設けることが望ましい。
【００４１】
液晶表示装置は、光源の色温度をＤ６５の色温度以下であるとして色味調整の設定が行われることが望ましい。
【００４２】
本発明の第２の態様は、第２の目的を実現するもので、表面に皺状の凹凸を有する反射板を用いた液晶表示装置において、皺状の凹凸の少なくとも一部は、第１の方向に伸びる第１の線状部分と、第１の線状部分の先端から第１の方向を所定側に回転した第２の方向に伸びる第２の線状部分と、第２の線状部分の先端から第２の方向を前記所定側に回転した方向に伸びる第３の線状部分とを備えることを特徴とする。すなわち、各皺は、中央部に対して両側部分が同じ側に屈曲している。
【００４３】
皺状の凹凸の主として伸びる方向は、液晶表示装置の表示面の上下方向又は左右方向であり、皺状の凹凸の隣接する尾根又は谷の間隔は、１５μｍ以下であり、皺状の凹凸の隣接する尾根又は谷の間隔はランダム又はＲＧＢの画素毎に異なることが望ましい。
【００４４】
両側部分は中央部に対して、例えば、４５°以下で屈曲している。
【００４５】
皺状の凹凸の平均傾斜角は、例えば５°から１５°であることが望ましい。
【００４６】
皺状の凹凸は、特開２００２−２９６５８５号公報に開示されたように、反射板の下に凹凸を有する構造物を設け、構造物の凹凸にほぼ沿って皺状の凹凸が形成されるようにすることで実現できる。この構造物は、ＴＦＴ基板の信号配線、ゲート配線または蓄積容量の少なくともいずれか、又は前記構造物の少なくとも一部をＴＦＴ基板の信号配線、ゲート配線の少なくともいずれかと同じ層で形成すれば、製造工程は増加しない。構造物の幅は例えば、１０μｍ以下で、間隔が１５μｍ以下であれば、皺状凹凸を形成する制御が良好に行える。
【００４７】
信号配線、ゲート配線または蓄積容量の少なくとも１つが、構造物と同様に屈曲していてもよく、画素電極の辺が構造物と同様に屈曲していてもよい。
【００４８】
当該液晶表示装置は、反射板に光透過領域を設けて透過型および反射型の表示が可能であるようにしてもよい。
【００４９】
また、本発明の第２の態様は、液晶層にｎ型液晶を用いた垂直配向型であれば高コントラストを実現できる。
【００５０】
本発明の第３の態様は、第３の目的を実現するもので、垂直配向液晶表示装置において、電界印加時に液晶分子がほぼ同じ方向に傾斜し、画素外周の斜め電界による液晶分子の傾斜方位と画素内の液晶分子の配向方位が９０°を超える角度で交差する領域を最小になるように、電極の少なくとも一方を配向処理する。
【００５１】
耐振動性を改善するためには、配向膜面全体の配向規制力を向上する必要がある。そこで、配向膜面をラビング処理、ＵＶ配向処理、イオンビーム配向処理、ＵＶ硬化樹脂配向処理のいずれか又は組合せにより表示エリア内全面で配向規制力を高めた。実際に、長方形の画素形状を有する垂直配向型反射パネルにおいて、対向基板（透明電極側）のみ画素の短辺に沿ってラビング処理し、この方向に液晶を傾斜させるようにした。この場合のディスクリネーションラインの発生状況を観察したところ、従来例に比べて高い耐振動性を示した。
【００５２】
しかし、耐振動性において十分に満足できるレベルではなかった。そこで、画素の長辺に沿ってラビング処理を行ったところ、耐振動性が一層向上した。
【００５３】
従って、画素電極は細長い形状である場合には、電圧印加時に液晶分子が画素電極の長手方向に傾斜するように配向処理されることが望ましく、画素電極が長方形であれば、電圧印加時に液晶分子が前記画素電極の長辺の伸びる方向に傾斜するように配向処理する。
【００５４】
画素内の少なくとも一部に、段差が１．５μｍ以下である凹凸の表面を有する反射領域を設け、反射型又は半透過型で動作させることも可能である。
【００５５】
ディスクリネーションラインは、周囲に比べてセル厚が大きい部分、具体的には画素電極にコンタクトホールなどの窪みがあると、そこにトラップされて安定することを発見した。従って、ディスクリネーションラインを影響が少なくなるように発生させるために、例えば、画素電極の長手方向の端の部分に、液晶層の厚みを大きくする窪みを設けることが望ましい。窪みは画素電極のコンタクトホールで実現できる。
【００５６】
配向処理は、少なくともラビング配向処理、イオンビーム配向処理、配向膜ＵＶ配向処理、ＵＶ硬化樹脂配向処理の１つを用いる。
【００５７】
液晶表示装置がＴＦＴを用いたアクティブマトリックス型液晶表示装置である場合には、対向電極（コモン電極）側のみに配向制御を行っても本発明の効果が得られる。
【００５８】
第３の態様では、液晶は負の誘電率異方性を有するｎ型のネマチック液晶でも正の誘電率異方性を有するｐ型のネマチック液晶でもよい。
【００５９】
【発明の実施の形態】
図１５の（Ａ）は、本発明の第１実施例の反射型液晶表示装置のパネル構造を示す図である。図１５の（Ａ）の構造は、３色のＣＦの面積を、ＲのＣＦ２４Ｒ、ＧのＣＦ２４Ｇ、ＢのＣＦ２４Ｂの順で大きくし、３つのＣＦの厚さは同じであり、ブラックマトリクス（ＢＭ）は形成していない。反射型の画素電極２３の面積は３色で同じであり、各色のＣＦの面積を変えて各色の表示有効領域を異ならせている。いずれにしろ、各色のＣＦの面積が異なるので、所望の色度設定が可能であり、各色のＣＦの顔料分散量を調整して所望の色度が得られる。
【００６０】
図１５の（Ａ）の構造を作るには、特開２００２−２２１７１６号公報又は特開２００２−２９６５８５号公報に開示されている技術により、ＴＦＴ基板６の画素領域表面に凹凸を形成したものにアルミニューム（Ａｌ）をスパッタして形成した同一面積の反射電極を形成する。対向（ＣＦ）基板３には、分散量を変えたＣＦ２４Ｒ、２４Ｇ、２４Ｂを部分的に形成し、その上に透明な対向電極（ＩＴＯ）２１を形成し、ＣＦ基板３に垂直配向膜を形成し、ＣＦ基板３にのみラビング処理する。その後、ＴＦＴ基板６とＣＦ基板３を３μｍスペーサを介して、貼り合せて空セルを形成し、ｎ型のネマチック液晶を注入してパネルを製作する。他の部分の製造方法は、従来と同じである。これにより、反射率の高いＴＦＴ駆動反射型液晶表示装置が実現できた。
【００６１】
図１５の（Ｂ）は、第１実施例のパネル構造の変形例を示す図である。この変形例では、３色のＣＦ２４Ｒ、２４Ｇ、２４Ｂの面積を異ならせる。そして、各色のＣＦの顔料分散量は同一にした上で、更に３色のＣＦ２４Ｒ、２４Ｇ、２４Ｂの厚さを調整して所望の色度が得られるようにしている。
【００６２】
図１５の（Ｃ）と（Ｄ）は、第１実施例のパネル構造の変形例を示す図であり、それぞれ図１５の（Ａ）と（Ｂ）のパネル構造において、各色のＣＦの間にブラックマトリクス（ＢＭ）２５を設けている点が異なる。これにより、色純度が高く、高コントラスト、高反射率のＴＦＴ駆動反射型液晶表示装置が実現できた。
【００６３】
また、この構造のパネルをフロントライト（ＦＬ）付き反射型液晶表示装置に適用する場合に、ＦＬの光源の色温度を低温（例えば、Ｄ５５）側に設定して所望の色味が得られるようにした。これにより、ＦＬ点灯状態、反射のみの状態での色味に変化が少ない、表示品位にすぐれたＦＬ付き反射型液晶表示装置が実現できた。
【００６４】
図１６は、第１実施例のパネル構造の変形例を示す図である。図１６の（Ａ）と（Ｂ）のパネル構造は、それぞれ図１５の（Ｃ）と（Ｄ）のパネル構造において、各色の反射電極２３の形状を各色ＣＦの形状に合わせて異ならせている。この構造でも同様の効果が得られる。
【００６５】
図１６の（Ｃ）と（Ｄ）のパネル構造は、それぞれ図１６の（Ａ）と（Ｂ）のパネル構造において、反射電極２３の替わりに、反射電極部２６と透明電極２７とで構成される複合電極を設けた構成を有する。これにより、半透過型液晶表示装置に適用できるパネル構造が実現できる。適用する場合には、反射電極領域比率を変えても良いし、透過領域の開口率を可変しても良いし、その複合でもかまわない。また、バックライト（ＢＬ）光源の色純度を低温（Ｄ５５程度）で設計すれば、透過状態、反射状態での白色度変化を大幅に低減することができ、反射、透過状態での表示印象がほぼ同じ半透過型液晶表示装置を実現できる。
【００６６】
図１７は、第１実施例のパネル構造の変形例を示す図である。図１７の（Ａ）と（Ｂ）のパネル構造は、それぞれ図１６の（Ａ）と（Ｃ）のパネル構造において、各色ＣＦを隣接して形成し、ＢＭをなくしている。この構造でも同様の効果が得られる。
【００６７】
図１７の（Ｃ）と（Ｄ）は、透過型液晶表示装置に適用するパネル構造を示し、それぞれ図１６の（Ａ）と（Ｃ）のパネル構造において、反射画素電極の替わりに透明画素電極２２を設けている。本発明は透過型液晶表示装置に適用することができ、このような構造のパネルでも同様の効果が得られる。
【００６８】
図１８は、本発明の第２実施例の画素構造物の形状を示す図である。第２実施例の液晶表示装置は、図３及び図４で説明した反射型液晶表示装置であり、反射電極５が構造物８の凹凸形状に沿った凹凸を有する皺状拡散反射電極である。図１８に示すように、第２実施例の構造物８は、図４の従来の構造物と同様に長方形の画素電極の短辺の伸びる方向に伸びる複数の突起で構成され、各突起の両側部分が同じ側に屈曲している。以下、このような突起を屈曲突起と呼ぶ。
【００６９】
第２実施例の反射型液晶表示装置を製作するには、図１８のように屈曲突起で構成される構造物を、ゲート電極ラインと同層でＴＦＴ基板上に形成し、ＴＦＴ基板上にポジ゛型フォトレジストを３μｍ厚で塗布する。そして、オーブンで９０°Ｃの温度で２０分間プリベークし、その後オーブンで１３５°Ｃの温度で４０分間ポストベークする。ポストベーク後、ＵＶ光を２６００ｍＪ／ｃｍ^２照射し、ＵＶ光照射後に２１５°Ｃで６０分ベークを行った。これにより、構造物８に沿った皺状凹凸が形成された。この上にアルミニュームを２００ｎｍの厚さ蒸着して反射電極を形成した。この反射電極を有するＴＦＴ基板（他の部分は従来と同じように作られている）と透明電極（ＩＴＯ）付きの０．７ｍｍ厚のＣＦ基板（他の部分は従来と同様に作られている）を、スペーサを介して貼り合せ、間にｎ型液晶（Δｎ＝０．１）を注入し、ＣＦ基板上に偏光板Ｇ１２２０ＤＵを貼り付けることで反射型液晶表示装置を製作した。
【００７０】
このようにして製作した反射型液晶表示装置と、図４のような直線状構造物をＴＦＴ基板上に設けた従来の反射型液晶表示装置とを目視観察して比較した。その結果、第２実施例の反射型液晶表示装置の方が明るい表示を実現していることが確認できた。この観察では、偏光板とガラス基板の間に１／４波長板を設けないことにより、電圧印加をしない状態で容易に明状態を観察することができる。
【００７１】
このような改善の理由を考察すると、通常の環境では複数の光源が存在し、様々な方向から液晶表示装置に光が入射するため、直線状の構造物ではこれと直交する方向の光源しか利用できない。これに対し、第２実施例の屈曲構造物ではその角度範囲が広がるために、入射する光の利用効率が増大する。そのため、直線状よりも屈曲構造物による皺状凹凸の方が明るい表示を得ることができる。
【００７２】
なお、屈曲構造物を設けずに第２実施例の皺状凹凸を形成しても同様の効果が得られる。
【００７３】
図１９は、第２実施例の変形例を示す図である。図１９の（Ａ）は、長方形の画素電極の上側は従来と同様の直線状の突起を設け、下側を第２実施例の屈曲構造物とした。図１９の（Ｂ）は、（Ａ）とは逆に、上側を屈曲構造物に、下側を直線状突起の構造物とした。図１９の（Ｃ）は、図１８の第２実施例の屈曲構造物と同じであるが、上側の狭い部分にも屈曲構造物を設けた。図１９の（Ｄ）は、図１９の（Ｃ）の構成で、ゲート電極バスラインも屈曲させた。図１９の（Ｅ）は、突起を長方形の画素電極の長辺に沿って伸びる形状とし、それを屈曲構造物とした。図１９の（Ｆ）は、図１９の（Ｅ）の構成で、ソース電極ラインも屈曲させた。図１９の（Ｇ）は、長方形の画素電極の上側と下側で突起の伸びる方向を９０°異ならせた。
【００７４】
図１９の（Ｄ）及び（Ｆ）のように、ゲート電極ラインやソース電極ラインも併せて屈曲させることで皺状凹凸形状の制御性を増すことができる。その際、画素電極を通常の長方形から屈曲パターンに合わせた形にすることも可能である。
【００７５】
なお、図１９の変形パターンは一部の例を示したものであり、他にも各種の変形例が可能である。例えば、上下で異なるパターンであればパターンを上下で入れ替えたり、他のパターンを組み合せてもよい。また曲がる方向が逆のパターンを組み合せてランダムな屈曲構造とすることも可能である。
【００７６】
屈曲構造物を上下または左右方向に配置することで、それに対応してそれぞれ左右または上下方向から入射する光を有効利用することができ、特に反射型表示装置を使用する事務所等の実環境では明るい表示を得ることができる。
【００７７】
図２０は、屈曲形状の定義を説明する図であり、（Ａ）は構造物を構成する突起の幅と間隔の定義を、（Ｂ）は屈曲角の定義を示す。図２０の（Ａ）のように突起の幅Ｌおよび間隙Ｓを定義すると、ＬとＳにより形成される皺状凹凸の制御性が様々に変化するため、ＬとＳを適切な値に制御することが望ましい。特に構造物に沿った皺状凹凸を形成するためにはＬを１０μｍ以下かつＳを１５μｍ以下にする必要がある。これらの範囲を超えると皺状凹凸に構造物に沿わない領域が発生し、反射光の制御性が悪くなるために反射率が低下する。
【００７８】
図２０の（Ｂ）のように屈曲構造物の屈曲角θを定義すると、θは４５°以下、特に２０〜３０°程度にするのが良い。これらの角度に選択することで適度な指向性幅を実現し、高い反射率を実現できる。図では左右の屈曲角を等しくしているが、必ずしもその必要はなく、反射型表示装置の用途に応じて両者を異ならせてもよい。
【００７９】
幅Ｌおよび間隙Ｓを一定にすると同一の皺状凹凸が形成されやすくなるために、反射光に干渉による着色が発生する場合がある。これを防ぐためには図２１の（Ａ）のように画素内で幅Ｌや間隙Ｓをランダムに変化させること、または図２１の（Ｂ）のように画素毎に幅Ｌと間隙Ｓを変化させることが有効である。ただし、この場合も幅Ｌおよび間隙Ｓは上記範囲（Ｌは１０μｍ以下、Ｓは１５μｍ以下）を満たしている必要がある。
【００８０】
皺状凹凸の平均傾斜角を５〜１５°にすることで反射型液晶表示装置内に閉じこめられる光が無くなり、高い反射率を得ることができる。
【００８１】
また、図２２のように反射電極上に光透過用の穴４１を設けることで透過反射型の液晶表示装置を実現することができる。この場合も反射において第２実施例と同様の効果が得られる。
【００８２】
図２３は、本発明の第３実施例の液晶表示装置のパネル構造を説明する図である。第３実施例の液晶表示装置では、耐振動性を改善するために、図２３に示すように、配向膜面（ここでは一方の電極（対向電極）上の配向膜のみ）をラビング処理、ＵＶ配向処理、イオンビーム配向処理、ＵＶ硬化樹脂配向処理のいずれか又は組合せにより表示エリア内全面で配向規制力を高める。なお、偏光板の透過軸は、ラビングの方向すなわち長方形の画素電極の短辺の伸びる方向である。
【００８３】
図２４は、対向（ＣＦ）基板の対向電極３１上の配向膜のみを、長方形の画素電極の短辺の伸びる方向にラビング処理した垂直配向液晶表示装置におけるディスクリネーションの発生を示す図であり、（Ａ）は強い振動を加えながら白黒を切り替えた場合を、（Ｂ）は振動させない通常の白黒表示の場合を示す。この例は、従来例よりは、高い耐振動性を示したが、耐振動性において完全に満足できるレベルではなかった。その原因を調査した結果、図２４に示すように、液晶の衝突する領域において、強い振動を加えながら白黒を切り替えた場合と通常の白黒表示でディスクリネーションの形成状態が異なる場合があり、この場合、残像として認識されることが分かった。
【００８４】
そこで、特開２００２−２２１７１６号公報に開示されている技術により、表面に凹凸を形成したものにアルミニューム（Ａｌ）をスパッタして形成した反射電極を用いて、これと透明対向電極を形成したガラス基板に垂直配向膜を形成し、対向基板のみラビング処理した後、３μｍスペーサを介して、貼り合せて空セルを形成し、ｎ型のネマチック液晶を注入してパネルを試作した。この際、図２５の（Ａ）に示すように長方形の画素電極の短辺が伸びる方向にラビング処理したパネルと、図２５の（Ｂ）に示すように、長辺が伸びる方向にラビング処理したパネルとを製作して分析した結果、図２６のようなディスクリネーションが発生した。図２６の（Ａ）は短辺の伸びる方向にラビング処理したパネルで振動させない通常の白黒表示の場合を、図２６の（Ｂ）は長辺の伸びる方向にラビング処理したパネルで振動させない通常の白黒表示の場合を、図２６の（Ｃ）は短辺の伸びる方向にラビング処理したパネルで強い振動を加えながら白黒を切り替えた場合を、図２６の（Ｄ）は長辺の伸びる方向にラビング処理したパネルで強い振動を加えながら白黒を切り替えた場合を示す。
【００８５】
ディスクリネーション不安定領域となるのは画素周辺部において画素外周横電界による液晶傾斜方位と９０°未満で液晶方位が異なる領域であることを見出した。そこで、耐振動性を向上するためには、この領域を最小になるように画素内の液晶を配向させれば良く、図２５の（Ｂ）に示すように、画素短辺にディスクリネーション不安定領域を抑えこむことでより一層耐振動性の高い液晶表示パネルを実現できることが分かった。従って、反射型液晶表示装置では、画素が細長い場合、画素が細長く伸びる方向に配向処理を行えば、耐振動性に非常にすぐれた、高コントラスト比、高い反射（透過）特性を持った高品位液晶表示装置が実現できる。
【００８６】
また、更に検討したところ、図２７に示すように、反射電極３２の高低差が１．５μｍ以下の場合にさらに高い耐振動性を示すことを見出した。
【００８７】
更に、上記の耐振動性の検討において、ディスクリネーション不安定領域にセル厚（液晶層の厚さ）を大きくするような窪み、例えば画素電極のコンタクトホールではディスクリネーションが安定して発生し、変化しないことが分かった。そこで、図２８の（Ａ）に示すように、画素短辺にディスクリネーション不安定領域を抑えこみ、その部分にコンタクトホール１５又は窪み６１又はその両方を設けることにより、画素短辺にディスクリネーションラインを固定できる。図２８の（Ｂ）は、コンタクトホール１５を含む断面図である。対向電極４と反射画素電極５の上には配向膜７１が形成され、反射画素電極５の下には樹脂層７２と絶縁層７３が形成されている。ＴＦＴ１４は、半導体層７６と、ソース電極ライン１３に接続されるソース７４と、ドレイン１５と、ゲート電極１２で構成される。ドレイン１５の上の樹脂層７３にはコンタクトホール１５が設けられ、反射画素電極５が接続される。このコンタクトホール１５の部分は窪みになっている。この窪みがディスクリネーションラインを固定する。窪み６１は、コンタクトホール１５を形成する工程で形成され、下側がドレインに接続されない点を除けは同じ形状を有する。
【００８８】
第３実施例では、ラビング処理により配向処理を行ったが、配向処理を配向膜面にＵＶ光を照射して液晶配向させるＵＶ配向処理で行う点のみを変更して、第３実施例と同様のパネルしたところ、第３実施例と同様の結果が得られた。
【００８９】
更に、基板の貼り合せ後、ｎ型のネマチック液晶にＵＶ硬化樹脂モノマ（ステアリル、ラウリルアクリレート、ＵＶキュアラブル液晶性モノマ等）を混合したものを注入し、その後、偏光ＵＶ又は斜めＵＶを照射することで配向処理を実現した場合も、第３実施例と同様の結果が得られた。
【００９０】
更に、第３実施例の構成を反射透過型又は透過型に適用した場合も耐振動性が高い液晶表示装置が得られた。
【００９１】
更に、第３実施例の構成は、垂直配向に限定されず、水平配向（ＴＮ、ホモジニアス）、ハイブリッド配向（ＨＡＮ）にも適用可能であり、配向安定性が向上する。いずれの場合も、画素外周の横電界の影響を最小限にすることが重要である。
【００９２】
図２９は、本発明の第４実施例の画素形状を示す図である。第４実施例の反射型液晶表示装置は、面内スイッチング（ＩＰＳ）方式の装置であり、特開２００２−２２１７１６号公報に開示されている技術により、表面に凹凸を形成したものに図２９のようなＩＰＳ方式の電極８２、８３を形成した。電極８２はＴＦＴ１４を介してソース電極ライン１３に接続され、電極８３はコモン船８１に接続されている。この基板と透明対向ガラス基板に垂直配向膜を形成し、画素の長辺方向にラビング処理した後、３μｍスペーサを介して、貼り合せて空セルを形成し、ｐ型のネマチック液晶を注入してパネルを試作した。このパネルも耐振動性に優れた高コントラスト、高反射率であった。
【００９３】
（付記１） 互いに対向するように配置された２枚の基板と、
前記２枚の基板の表面に形成され、少なくとも一方が透明電極である平行平板電極と、
前記平行平板電極間に液晶を挟み込んだ液晶層とを備える液晶表示装置であって、
１画素は独立して制御可能な複数の副画素で構成され、
前記複数の副画素の少なくとも１つの表示有効領域の面積は、他の副画素の表示有効領域の面積と異なることを特徴とする液晶表示装置。（１）
（付記２） 前記表示有効領域は、波長選択層の領域で規定される付記１に液晶表示装置。（２）
（付記３） 前記表示有効領域は、画素電極の透過領域または反射領域の少なくとも一方で規定される付記１に記載の液晶表示装置。
【００９４】
（付記４） 前記波長選択層は、透明樹脂に顔料または染料を混合して形成したカラーフィルタである付記２に記載の液晶表示装置。
【００９５】
（付記５） 少なくとも１つの副画素の前記波長選択層の膜厚が他の副画素の前記波長選択層の膜厚と異なる付記２に記載の液晶表示装置。
【００９６】
（付記６） １画素は、ＲＧＢ又はＹＭＣの少なくとも３つ以上の副画素で構成される付記１から５のいずれか１項に記載の液晶表示装置。（３）
（付記７） 画素電極は、表面の一部に凹凸を形成した反射領域を備える付記１から６のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【００９７】
（付記８） 当該液晶表示装置では、光源の色温度をＤ６５の色温度以下であるとして色味調整の設定が行われる付記１から７のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【００９８】
（付記９） 透明電極と、
表面が皺状の凹凸を有する反射板と、
前記透明電極と前記反射板の間に設けられた液晶層とを備える液晶表示装置であって、
前記皺状の凹凸の少なくとも一部は、
第１の方向に伸びる第１の線状部分と、前記第１の線状部分の先端から前記第１の方向を所定側に回転した第２の方向に伸びる第２の線状部分と、前記第２の線状部分の先端から前記第２の方向を前記所定側に回転した方向に伸びる第３の線状部分とを備えることを特徴とする液晶表示装置。（４）
（付記１０） 前記皺状の凹凸の主として伸びる方向は、当該液晶表示装置の表示面の上下方向又は左右方向である付記９に記載の液晶表示装置。
【００９９】
（付記１１） 前記皺状の凹凸の隣接する尾根又は谷の間隔は、１５μｍ以下である付記９又は１０に記載の液晶表示装置。（５）
（付記１２） 前記皺状の凹凸の隣接する尾根又は谷の間隔はランダムである付記９から１１のいずれか１項に記載の液晶表示装置。（６）
（付記１３） 前記皺状の凹凸の隣接する尾根又は谷の間隔は、ＲＧＢの画素毎に異なる付記９から１１のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【０１００】
（付記１４） 前記第１の方向と第２の方向の差及び前記第２の方向と第３の方向の差は、４５°以下である付記９から１３のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【０１０１】
（付記１５） 前記皺状の凹凸の平均傾斜角が５°から１５°であることを特徴とする付記９から１４のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【０１０２】
（付記１６） 前記反射板の下に設けられた凹凸を有する構造物を備え、
前記反射板の前記皺状の凹凸は、前記構造物の前記凹凸にほぼ沿っている付記９から１５のいずれか１項に記載の液晶表示装置。（７）
（付記１７） 前記構造物がＴＦＴ基板の信号配線、ゲート配線または蓄積容量の少なくともいずれか、又は前記構造物の少なくとも一部をＴＦＴ基板の信号配線、ゲート配線の少なくともいずれかと同じ層で形成する付記１６に記載の液晶表示装置。
【０１０３】
（付記１８） 前記信号配線、ゲート配線または蓄積容量の少なくとも１つが、前記構造物と同様に屈曲している付記１７に記載の液晶表示装置。
【０１０４】
（付記１９） 画素電極の辺が前記構造物と同様に屈曲している付記１８に記載の液晶表示装置。
【０１０５】
（付記２０） 前記反射板は光透過領域を有しており、当該液晶表示装置は透過型および反射型の表示が可能である付記９から１９のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【０１０６】
（付記２１） 前記液晶層はｎ型液晶を用いた垂直配向型である付記９から２０のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【０１０７】
（付記２２） 互いに対向するように配置された２枚の基板と、
前記２枚の基板の表面に形成され、少なくとも一方が透明電極である平行平板電極と、
前記平行平板電極間に液晶を挟み込み、前記平行平板電極間に電圧を印加しない電圧無印加時において、液晶分子の長軸方向が少なくとも一方の電極面に対して略垂直になるように配向する液晶層とを備える液晶表示装置であって、
前記平行平板電極の少なくとも一方は、前記平行平板電極間に電圧を印加した電界印加時において、液晶分子がほぼ同じ方向に傾斜し、画素外周の斜め電界による液晶分子の傾斜方位と画素内の液晶分子の配向方位が９０°を超える角度で交差する領域を最小になるように、配向処理されていることを特徴とする液晶表示装置。（８）
（付記２３） 画素電極は細長い形状であり、電圧印加時に液晶分子が前記画素電極の長手方向に傾斜するように配向処理されている付記２２に記載の液晶表示装置。（９）
（付記２４） 画素電極は長方形であり、電圧印加時に液晶分子が前記画素電極の長辺の伸びる方向に傾斜するように配向処理されている付記２３に記載の液晶表示装置。
【０１０８】
（付記２５） 画素内の少なくとも一部に、段差が１．５μｍ以下である凹凸の表面を有する反射領域を備え、反射型又は半透過型で動作する付記２２に記載の液晶表示装置。
【０１０９】
（付記２６） 前記画素電極の長手方向の端の部分に、前記液晶層の厚みを大きくする窪みを備える付記２３に記載の液晶表示装置。（１０）
（付記２７） 前記窪みは、前記画素電極のコンタクトホールを含む付記２６に記載の液晶表示装置。
【０１１０】
（付記２８） 前記配向処理は、少なくともラビング配向処理、イオンビーム配向処理、配向膜ＵＶ配向処理、ＵＶ硬化樹脂配向処理の１つを用いる付記２２から２７のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【０１１１】
（付記２９） 当該液晶表示装置は、ＴＦＴを用いたアクティブマトリックス型液晶表示装置であり、対向電極（コモン電極）側のみに配向制御が行われる付記２８に記載の液晶表示装置。
【０１１２】
（付記３０） 前記液晶は、負の誘電率異方性を有するｎ型のネマチック液晶である付記２２から２９のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【０１１３】
（付記３１） 前記液晶は、正の誘電率異方性を有するｐ型のネマチック液晶である付記２２から２９のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【０１１４】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の第１の態様によれば、ホワイトバランスを保ったまま、高反射率（高透過率）、高色純度の液晶表示装置が実現できる。
【０１１５】
本発明の第２の態様によれば、皺状の凹凸を有する反射電極の場合に、低コストかつ反射率およびコントラスト比の優れた反射型液晶表示装置が実現できる。
【０１１６】
本発明の第３の態様によれば、振動環境下においても、残像等の表示不良が発生せず、高反射率、高コントラスト比を実現する高耐振動性を兼ね備えた液晶表示パネルが実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】ＴＮ液晶を用いた反射型液晶表示装置のパネル構造を示す図である。
【図２】ＶＡ液晶を用いた反射型液晶表示装置のパネル構造を示す図である。
【図３】ＶＡ液晶を用い皺状拡散反射電極を有する反射型液晶表示装置のパネル構造を示す図である。
【図４】図３の皺状拡散反射電極の凹凸を実現する構造物の従来の形状例を示す図である。
【図５】液晶表示装置（ＬＣＤ）の画素構成を示す図である。
【図６】色味調整の従来例を説明する図である。
【図７】カラーフィルタ（ＣＦ）の色度依存性を示す図である。
【図８】白色度変化を示す図である。
【図９】色再現域と反射率を示す図である。
【図１０】ディスクリネーションラインの発生と変化を示す図である。
【図１１】ディスクリネーションの制御を説明する図である。
【図１２】ディスクリネーションの制御を説明する図である。
【図１３】反射ＣＦの副画素面積による色度変化を示す図である。
【図１４】副画素面積比を変えた場合の反射率を示す図である。
【図１５】本発明の第１実施例の液晶表示装置のパネル構造を示す図である。
【図１６】第１実施例の液晶表示装置のパネル構造の変形例を示す図である。
【図１７】第１実施例の液晶表示装置のパネル構造の変形例を示す図である。
【図１８】本発明の第２実施例の液晶表示装置の画素構造物の形状を示す図である。
【図１９】第２実施例の画素構造物の形状の変形例を示す図である。
【図２０】第２実施例の画素構造物の屈曲形状の定義を説明する図である。
【図２１】第２実施例の画素構造物の形状の変形例を示す図である。
【図２２】第２実施例のパネル構造の変形例を示す図である。
【図２３】本発明の第３実施例の液晶表示装置のパネル構造を示す図である。
【図２４】第３実施例の液晶表示装置でのディスクリネーションを示す図である。
【図２５】第３実施例の液晶表示装置での配向方向の影響を示す図である。
【図２６】第３実施例の液晶表示装置での配向方向の影響を示す図である。
【図２７】第３実施例の液晶表示装置のパネル構造の変形例を示す図である。
【図２８】第３実施例の液晶表示装置の変形例を示す図である。
【図２９】本発明の第４実施例の液晶表示装置の画素形状を示す図である。
【符号の説明】
１…偏光板
３…対向（ＣＦ）基板
４，２１…透明対向電極
５，２３…拡散反射電極
６…ＴＦＴ基板
９，１０…液晶
２３…反射電極
２４Ｒ，２４Ｇ，２４Ｂ…カラーフィルタ（ＣＦ）

Claims (10)

1. 互いに対向するように配置された２枚の基板と、
   前記２枚の基板の表面に形成され、少なくとも一方が透明電極である平行平板電極と、
   前記平行平板電極間に液晶を挟み込んだ液晶層とを備える液晶表示装置であって、
   １画素は独立して制御可能な複数の副画素で構成され、
   前記複数の副画素の少なくとも１つの表示有効領域の面積は、他の副画素の表示有効領域の面積と異なることを特徴とする液晶表示装置。
2. 前記表示有効領域は、波長選択層の領域で規定される請求項１に記載の液晶表示装置。
3. １画素は、ＲＧＢ又はＹＭＣの少なくとも３つ以上の副画素で構成される請求項１又は２に記載の液晶表示装置。
4. 透明電極と、
   表面が皺状の凹凸を有する反射板と、
   前記透明電極と前記反射板の間に設けられた液晶層とを備える液晶表示装置であって、
   前記皺状の凹凸の少なくとも一部は、
   第１の方向に伸びる第１の線状部分と、前記第１の線状部分の先端から前記第１の方向を所定側に回転した第２の方向に伸びる第２の線状部分と、前記第２の線状部分の先端から前記第２の方向を前記所定側に回転した方向に伸びる第３の線状部分とを備えることを特徴とする液晶表示装置。
5. 前記皺状の凹凸の隣接する尾根又は谷の間隔は、１５μｍ以下である請求項４に記載の液晶表示装置。
6. 前記皺状の凹凸の隣接する尾根又は谷の間隔はランダムである請求項４又は５に記載の液晶表示装置。
7. 前記反射板の下に設けられた凹凸を有する構造物を備え、
   前記反射板の前記皺状の凹凸は、前記構造物の前記凹凸にほぼ沿っている請求項４から６のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
8. 互いに対向するように配置された２枚の基板と、
   前記２枚の基板の表面に形成され、少なくとも一方が透明電極である平行平板電極と、
   前記平行平板電極間に液晶を挟み込み、前記平行平板電極間に電圧を印加しない電圧無印加時において、液晶分子の長軸方向が少なくとも一方の電極面に対して略垂直になるように配向する液晶層とを備える液晶表示装置であって、
   前記平行平板電極の少なくとも一方は、前記平行平板電極間に電圧を印加した電界印加時において、液晶分子がほぼ同じ方向に傾斜し、画素外周の斜め電界による液晶分子の傾斜方位と画素内の液晶分子の配向方位が９０°を超える角度で交差する領域を最小になるように、配向処理されていることを特徴とする液晶表示装置。
9. 画素電極は細長い形状であり、電圧印加時に液晶分子が前記画素電極の長手方向に傾斜するように配向処理されている請求項８に記載の液晶表示装置。
10. 前記画素電極の長手方向の端の部分に、前記液晶層の厚みを大きくする窪みを備える請求項９に記載の液晶表示装置。

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