JP2004297080A - 特定物検出装置および特定物の検出方法 - Google Patents
特定物検出装置および特定物の検出方法 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】リードフレーム43に搭載された発光チップ41が透光性樹脂44により被覆された発光素子40と、リードフレーム43に搭載された受光チップ51が透光性樹脂54により被覆された受光素子50とを備える。上記発光素子40と受光素子50とを所定の間隔をあけて配置するように遮光性樹脂55により一体成形され、発光素子40のピーク発光波長λAよりも受光素子のピーク感度波長λBが長い。
【選択図】図7
Description
図1はこの発明の第1実施形態の特定物検出装置に用いられるフォトトランジスタの平面図であり、図2は図1のII−II線から見た断面図である。
I = Io・exp(−α・x) ………………(式1)
Io : 表面での光強度
α : 吸収係数
x : 表面からの距離
上記式1の吸収係数αは、図5に示すように、短波長から長波長になるに従って吸収係数αは徐々に小さくなる。なお、図5において、縦軸は吸収係数α(任意目盛)、横軸は波長(任意目盛)を表している。この吸収係数αの値を用いて上記式1から波長の異なる光について、入射表面での光強度を1として、シリコン内に進入するに従って減衰する相対光強度を図6に示している。なお、図6において、縦軸は相対光強度(相対値)、横軸は表面からの距離(任意目盛)を表している。図6より明らかなように、波長の短い光ほど浅い領域で吸収されるのが分かる。
分光感度比 = S/L
S : 波長700nmの光に対する感度
L : 波長950nmの光に対する感度
で表される。図4に示すように、従来のフォトトランジスタの特性曲線C1では、分光感度比S1/L1が約0.7であるのに対して、この第1実施形態の第2カソード7の拡散深さが2μm〜5μmのフォトトランジスタの特性曲線C2では、分光感度比S2/L2は約0.4となった。
図3はこの発明の第2実施形態の特定物検出装置に用いられるフォトトランジスタの平面図である。このフォトトランジスタは、ベース層とアノード層とが異なる拡散領域であることを除き図1,図2に示す第1実施形態のフォトトランジスタと同一の構成をしている。
図7はこの発明の第3実施形態の特定物検出装置の平面図であり、図8は図7のVIII−VIIIから見た断面図である。
3,23…ベース層、4,24…エミッタ層、
5,25…第1カソード層、6,26…アノード層、
7,27…第2カソード層、8,28…P型拡散層、
9,29…N+チャンネルストッパー層、10,30…エミッタ電極、
11,12,31,32…短絡電極、13,33…コレクタ電極、
14,34…酸化膜、15…光電流、16…アノード層抵抗。
Claims (5)
- リードフレームに搭載された発光チップが透光性樹脂により被覆された発光素子と、
リードフレームに搭載された受光チップが透光性樹脂により被覆された受光素子とを備え、
上記発光素子と上記受光素子とを所定の間隔をあけて配置するように遮光性樹脂により一体成形された特定物検出装置であって、
上記発光素子のピーク発光波長λAよりも上記受光素子のピーク感度波長λBが長いことを特徴とする特定物検出装置。 - 請求項1に記載の特定物検出装置において、
上記受光素子は、上記発光素子のピーク発光波長λAに対する感度よりもピーク感度波長λBに対する感度が2倍以上であることを特徴とする特定物検出装置。 - 請求項1または2に記載の特定物検出装置において、
上記発光素子のピーク発光波長λAを600nm〜700nmとすると共に、上記受光素子のピーク感度波長λBを900nm〜960nmとしたことを特徴とする特定物検出装置。 - 請求項1乃至3のいずれか1つに記載の特定物検出装置において、
上記受光素子は、
第1導電型の半導体基板からなるコレクタ層と、上記半導体基板の一方の側に不純物を拡散することにより形成された上記半導体基板と逆導電型である第2導電型のベース層と、上記ベース層内の表面側に形成された第1導電型のエミッタ層とを有するトランジスタ部と、
上記半導体基板の上記一方の側に不純物を拡散することにより形成された第2導電型のアノード層と、第1カソード層としての上記半導体基板とを有する受光部と、
上記アノード層内の表面側に形成された第1導電型の第2カソード層と、
上記第2カソード層と上記アノード層とを短絡する短絡電極とを備えたフォトトランジスタであることを特徴とする特定物検出装置。 - 請求項1乃至3のいずれか1つに記載の特定物検出装置と、
上記特定物検出装置の発光素子からの光を吸収して、吸収された光のエネルギーにより上記特定物検出装置の受光素子が受光可能な光を放出する被検出物とを用いたことを特徴とする特定物の検出方法。
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JP2004157792A JP2004297080A (ja) | 2004-05-27 | 2004-05-27 | 特定物検出装置および特定物の検出方法 |
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