JP2004260226A - 受光モジュール - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 PINホトダイオードからなる受光素子1と、前記受光素子が載置される金属フレーム9とを備える受光モジュールにおいて、前記受光素子1は、半導体基板2と、半導体基板2の一方の面にP型不純物が拡散されて形成された拡散層3と、半導体基板2の一方の面に拡散層3の周囲に位置するように形成されたN型不純物を含む高濃度層4と、半導体基板2の一方の面に形成された絶縁層8と、前記絶縁層8の第1および第2透孔を通じて拡散層3と高濃度層4に各々接触しかつ絶縁層8上に互いに離れて設けられた第1および第2電極6,7とを備え、第1電極6は、絶縁層8上に拡散層3の上方を除いて略額縁状に設けられ、第1電極6は接続手段11により金属フレーム9と電気的に接続された事を特徴とする。
【選択図】 図1
Description
3 拡散層
4 高濃度層
6 第1電極
7 第2電極
8 絶縁層
Claims (2)
- PINホトダイオードからなる受光素子と、前記受光素子が載置される金属フレームとを備える受光モジュールにおいて、前記受光素子は、半導体基板と、前記半導体基板の一方の面に第1導電型不純物が拡散されて形成された拡散層と、前記半導体基板の一方の面に前記拡散層の周囲に位置するように形成された第2導電型不純物を含む高濃度層と、半導体基板の一方の面に形成された絶縁層と、前記絶縁層の第1および第2透孔を通じて前記拡散層と前記高濃度層に各々接触しかつ前記絶縁層上に互いに離れて設けられた第1および第2電極とを備え、前記第1電極は、前記絶縁層上に前記拡散層の上方を除いて略額縁状に設けられ、前記第1電極は接続手段により前記金属フレームと電気的に接続された事を特徴とする受光モジュール。
- 前記第2電極は前記拡散層の上方を除いた範囲に於て前記絶縁層上に設けられたことを特徴とする請求項1に記載の受光モジュール。
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