JP2004296162A - 発光表示装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明は、光を発する発光層と、発光層上に設けられた第1の透明電極と、第1の透明電極上に設けられたコレステリック液晶層と、コレステリック液晶層上に設けられた第2の透明電極と、第2の透明電極上に設けられた位相差板と、位相差板上に設けられた偏光板と、第1の透明電極と第2の透明電極とを介してコレステリック液晶層に電圧を印加する電圧印加手段とを具備することを特徴とする発光表示装置を提供する。
【選択図】 図1
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は発光表示装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
エレクトロルミネセンス(EL)素子は、低消費電力、広視野角、高速応答、薄型、軽量の表示素子として注目されている。特に、発光層に有機薄膜を用いた有機EL素子(有機LEDとも呼ばれる)は、赤色、緑色、青色の発光色が得られるため、フルカラー表示が可能である。
【0003】
一般に、有機EL素子は、ITO(Indium tin oxide)からなる透明電極と、低仕事関数の金属からなる反射電極と、これらに挟まれた有機薄膜(発光材料層)とを有する。透明電極は可視光を透過する電極であり、反射電極は鏡のように可視光を反射率させる電極である。有機EL素子において、一方の電極に透明電極が用いられるのは、発光した光を取り出すためである。また、もう一方の電極に反射電極が用いられるのは、透明電極と反対側に発した光を反射電極で反射させて、透過電極側から取り出すためである、これにより、発光した光の取り出し効率を増加させることができる。なお、アルミなどの仕事関数の低い金属を製膜すると、金属がもつ光沢によって、容易に反射電極が得られる。
【0004】
しかしながら、反射電極を用いると、太陽光や部屋の照明といった外光が反射電極で反射してしまう。その結果、明るい場所で使用すると、黒表示が十分暗くならず、コントラストが低下するという問題が生じてしまう。
【0005】
この問題を解決するために、有機EL素子の透過電極側の表面に、1/4波長板と偏光板とを積層した構成がある(例えば、特許文献1参照)。このように、1/4波長板と偏光板とによって円偏光フィルタを構成した場合、入ってきた外光は、入射するときと出ていくときとで偏光板により吸収される。したがって、外光の反射が防止されて、黒表示をより暗くすることが出来る。ところが、この構成では、発光層で発光した光のうち一方の円偏光成分が偏光板に吸収されてしまい、円偏光フィルタを用いなかった場合に比べて、白表示時の輝度が約50%に減少してしまうという問題があった。
【0006】
この問題を解決するためには、上述の有機EL素子と円偏光フィルタとを有する構成において、有機EL素子と1/4波長板の間にコレステリック液晶をポリマー化した、コレステリック液晶フィルムを入れたものがある(例えば、特許文献2参照)。コレステリック液晶フィルムの選択反射波長は、発光層が発する光の波長や、外部から有機EL素子に入射する光(外光)の波長と概略一致するものとしている。この場合、発光層で発光した光は直接、あるいは反射電極で反射した後、コレステリック液晶フィルムに入射する。入射した光のうち、一方の円偏光成分はコレステリック液晶フィルムを透過する。そして、他方の円偏光成分はコレステリック液晶フィルムによって選択反射されるが、反射電極で反射される際に上述した一方の円偏光となり、コレステリック液晶フィルムを透過する。これらの光は1/4波長板を通り、偏光板の透過軸と平行の直線偏光となり、偏光板を透過する。これにより、特許文献1の構成では偏光板に吸収されていた光が透過できる。
【0007】
しかしながら、コレステリック液晶フィルムを入れると、今度は一部の外光が反射電極やコレステリック液晶フィルムの反射により偏光板を透過して、外に出るようになってしまう。したがって、外光の反射を防止することができない。
【0008】
【特許文献1】
特表平8−509834号公報(第4−9頁、第4図)
【特許文献2】
特開2001−357979公報(第2−5頁、第1図)
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
上述したことをまとめると、有機EL素子のみでは白は明るいが、黒が暗くない。有機EL素子に偏光板及び1/4波長板を貼ると、黒は暗くなるが、白が犠牲になる。有機EL素子に偏光板及び1/4波長板及びコレステリック液晶フィルムを貼ると、白は明るいが、黒が暗くない。つまり、従来は明るい白と暗い黒を同時に得ることができなかった。
【0010】
本発明は、以上の問題に鑑み、使用環境に応じて、優れたコントラスト特性や表示輝度特性を有する発光表示装置を提供することを目的とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】
そこで本発明は、光を発する発光層と、発光層上に設けられた第1の透明電極と、第1の透明電極上に設けられたコレステリック液晶層と、コレステリック液晶層上に設けられた第2の透明電極と、第2の透明電極上に設けられた位相差板と、位相差板上に設けられた偏光板と、第1の透明電極と第2の透明電極とを介してコレステリック液晶層に電圧を印加する電圧印加手段とを具備することを特徴とする発光表示装置を提供する。
【0012】
本発明においては、コレステリック液晶層は、電圧無印加時には、発光層が発する光のうち、第1の円偏光成分を反射し、第1の円偏光成分とは逆の第2の円偏光成分を透過し、コレステリック液晶層は、電圧印加手段による電圧印加時には、第1の円偏光成分及び第2の円偏光成分を透過しても良い。さらに本発明においては、位相差板の作用により、偏光板が第1の円偏光成分を吸収しても良い。
【0013】
また本発明においては、位相差板が、1/4波長板であっても良い。
【0014】
また本発明においては、発光層が、反射電極と、反射電極上に設けられ有機または無機の薄膜からなる発光材料層と、発光材料層上に設けられた第3の透明電極とを含んでも良い。
【0015】
また本発明においては、コレステリック液晶層に印加する電圧の値を変化させる印加電圧制御手段をさらに具備しても良い。
【0016】
また本発明においては、発光層は発光色の異なる複数種類の画素がマトリクス状に配置されたものであり、コレステリック液晶層の選択反射波長は複数種類の発光色に対応するよう複数種類設けられても良い。
【0017】
また本発明においては、発光層は発光色の異なる複数種類の画素がマトリクス状に配置されたものであり、コレステリック液晶層に印加される電圧の値は複数種類の発光色に対応するよう複数種類設けられても良い。
【0018】
また本発明においては、コレステリック液晶層は、コレステリック液晶材料が有機または無機の媒体中に分散されたものであっても良い。
【0019】
また本発明においては、発光層は発光色の異なる複数種類の画素がマトリクス状に配置されたものであり、コレステリック液晶層中のコレステリック液晶材料と媒体との体積比が複数種類の発光色に対応するよう複数種類設けられても良い。
【0020】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しながら、本発明の実施形態に係る発光表示装置について詳細に説明する。まず、本実施形態に係る発光表示装置の基本構成を図1及び図2を用いて説明する。
【0021】
図1及び図2に示すように、本実施形態の発光表示装置は、封止用基板10と、封止用基板10上の下部電極9(反射電極、反射部材)と、下部電極9上の発光材料層8と、発光材料層8上の上部電極7(第3の透明電極)とにより、有機EL素子部が形成されている。有機EL素子部の上には、透明基板6と、透明基板6上の透明電極4b(第1の透明電極)と、透明電極4b上のコレステリック液晶層5と、コレステリック液晶層5上の透明電極4a(第2の透明電極)とにより、コレステリック液晶部が形成されている。さらにコレステリック液晶部の上には、透明電極4a上の透明基板3と、透明基板3上の位相差板2と、位相差板2上の偏光板1とを有する。本実施形態の発光表示装置は、有機EL素子部において画像情報に応じた表示を行い、コレステリック液晶部においてコントラスト特性や輝度特性を調整する。
【0022】
図3に示すように、下部電極31が透明電極であって、上部電極7、発光材料層8及び下部電極31からなる発光層11の下層に反射部材として反射板32を備えた構造でもよい。図1のように下部電極9を反射電極とした場合には構造が簡単になるという効果がある。また、図3のように下部電極31と反射板32とを分離させた場合には、反射板32として反射率の高い材料を用いることにより、発光材料層8からの発光を高効率に用いることが出来るという効果がある。
【0023】
上部電極7と下部電極9、及びこれに挟まれる発光材料層8によって発光層11が形成される。そして、上部電極7と下部電極9との間に電圧を印加して電荷を注入する、つまり電流を流すことによって、発光材料層8中で電子と正孔とが再結合して発光する。透明電極4a、4bを介してコレステリック液晶層5に電圧を印加することにより、この発光材料層8での発光と、太陽光や部屋の照明といった外光とは次のような挙動を示す。図1、図2では、有機EL素子部からの光を破線で示し、外光を実線で示す。
【0024】
まず、図1に示すように、コレステリック液晶層5に電圧を印加せず無印加状態とすると、コレステリック液晶層5は、螺旋ピッチに応じた波長の光を選択反射する。この選択反射波長範囲を、発光材料層8が放出する光の波長範囲と概略等しくあるいは、波長範囲より広くすれば、図1に示す挙動が得られる。
【0025】
つまり、発光材料層8で発光した光(2つの円偏光成分を含む)は、直接あるいは下部電極9で反射した後、コレステリック液晶層5に入射する。入射した光のうち、一方の円偏光成分はコレステリック液晶層5を透過する。ここでは、右回りの円偏光成分がコレステリック液晶層5を透過するものとする。このとき、左回りの円偏光成分はコレステリック液晶層5によって選択反射されるが、下部電極9で反射される際に、右回りの円偏光となることから、今度はコレステリック液晶層5を透過する。この光は位相差板2を通り、偏光板1の透過軸と平行の直線偏光となり、偏光板1を透過する。これにより、偏光板1に光を吸収させることなく透過させることができる。
【0026】
このとき、外光は下部電極9で一部反射される。つまり、偏光板1を透過した一部の外光は、位相差板2を通ることで、右回りの円偏光となるよう配置する。この右回りの円偏光は、コレステリック液晶層5を透過し、下部電極9で反射する際、位相が180度ずれて左回りの円偏光となる。この光はコレステリック液晶層5で反射され、再び下部電極9で反射される。すると今度は右回りの円偏光となり、コレステリック液晶層5を透過する。この光は位相差板2を通り、偏光板1の透過軸と平行の直線偏光となり、偏光板1を透過する。
【0027】
このように、コレステリック液晶層5を電圧無印加状態とした場合は、外光は多少反射されるが、発光層からの光の偏光板による吸収は概略無くなり、良好な白表示を得ることができる(白優先モード)。これは、有機EL素子に、コレステリック液晶フィルム、1/4波長板及び偏光板を積層した場合と同じになる。
【0028】
次に、図2に示すように、コレステリック液晶層5に十分大きな電圧を印加して電圧印加状態とすると、コレステリック液晶層5中の液晶分子は分子長軸が電場と平行に配向(ホメオトロピック配向)し、光学的に等方性になる。すなわち、コレステリック液晶層が存在しないのと光学的には同じ状態を得ることができ、図2に示す挙動が得られる。
【0029】
つまり、発光材料層8で発光した光は、直接あるいは下部電極9で反射した後、コレステリック液晶層5を透過するが、一方の円偏光成分は偏光板1で吸収される。ここでは、偏光板1の透過軸と位相差板2の光軸を左回りの円偏光成分が偏光板1で吸収されるよう設定する。この場合、白表示時の輝度は約50%に減少する。
【0030】
このとき、外光の一部は偏光板1を透過し、位相差板2を通ることで右回りの円偏光となる。この右回りの円偏光は、下部電極9で反射する際、位相が180度ずれて左回りの円偏光となる。この光は再び位相差板2を通り、入射したときと直行する方向の直線偏光となる。そのため、この光は偏光板1に吸収される。すなわち、外光の反射は防止され、黒表示がより暗くなる。
【0031】
このように、コレステリック液晶層5を電圧印加状態とした場合は、発光材料層8からの光は約1/2が偏光板1によって吸収されるが、外光はほぼ完全に吸収され、良好な黒表示を得ることができる(黒優先モード)。これは、有機EL素子に、1/4波長板と偏光板を積層した場合と同じになる。
【0032】
本実施形態では、コレステリック液晶層5への電圧の印加/無印加を選択することで、黒優先/白優先の2つのモードを選択することができる。例えば、炎天下の屋外や明るい部屋など外光が強い状況で使用する場合は、黒優先モードにすればよい。暗い室内など外光が弱い状況で使用する場合は、白優先モードにすればよい。あるいは、表示する映像によって、コレステリック液晶層5への電圧の印加/無印加を決めてもよい。例えば、黒っぽい色調の映像や暗い映像の場合は黒優先モード、白っぽい色調の映像や明るい映像の場合は白優先モードとすればよい。
【0033】
使用環境に応じて、白優先モードと黒優先モードとを切り替えるには、有機EL素子に、コレステリック液晶フィルム、1/4波長板及び偏光板を積層した構成とし、1/4波長板及び偏光板を張ったり剥がしたりすることにより行うことも可能である。つまり、屋外など明るい場所では偏光板及び1/4波長板を貼り、屋内など暗い場所では偏光板及び1/4波長板を剥がすのである。しかしながら、特に大画面を形成する場合などは貼ったり剥がしたりするのは煩雑であり、貼ったり剥がしたりを繰り返すと接着力が劣化し、コレステリック液晶フィルムと1/4波長板との間にゴミがはさまると、その部分が表示ムラになるという問題がある。また、貼ったり剥がしたりを繰り返す過程で偏光板と1/4波長板との積層膜に伸び縮みが生じ、光学的な劣化が生じる可能性もある。
【0034】
本実施形態によれば、このような問題が生じることなく、電圧の印加の有無により、使用環境に応じて、優れたコントラスト特性や表示輝度特性を有する発光表示装置を提供することが出来るのである。
【0035】
本実施形態では、コレステリック液晶層5は、電圧無印加時に水平配向(プレーナー配向)するように透明電極4a、4bの表面が処理されている。この処理として、洗浄した透明電極4a、4b表面をラビング処理する、透明電極4a、4b上に配向膜(図示せず)を形成する、透明電極4a、4b上に配向膜(図示せず)を形成後ラビング処理する、といった方法を取ることができる。
【0036】
有機EL素子等の発光表示素子では、発光にともなって発熱も生じる。この熱で配向膜が変質すると、コレステリック液晶層5の配向状態が変化してしまう。これを防ぐためには、配向膜として、ポリイミド、ベンゾシクロブテンポリマー、カルドエポキシ樹脂を使用することが好ましい。また、透明基板3、6においても、発光表示素子の発熱の影響を(基板の劣化やそり)を防ぐため、耐熱性の高い基板、例えばガラス、ポリカーボネート、ポリサルフォン、ポリスチレン、ポリアクリレート、ポリエチレンテレフタレートを使用することが好ましい。
【0037】
透明基板3、6の厚さは、透明基板3、6としてガラス基板を用いた場合、0.2mm以上0.7mm以下とすることが好ましい。0.2mm未満であると発光材料層8で生じた熱によりクラック(亀裂)が入りやすく、0.7mmを超えると視差が生じたり、基板の光吸収による発光表示素子の透過率低下が顕著になる可能性がある。透明基板3、6として有機系材料を用いた場合は、その厚みは0.05mm以上0.5mm以下とすることが好ましい。0.05mm未満であると発光層で生じた熱により変形しやすく、0.5mmを超えると基板の光吸収による発光素子の透過率低下が顕著になる可能性がある。これらの透明基板3、6や封止用基板10は、コレステリック液晶層5や発光層11の形成方法が異なる場合には、これらの基板を一部設けない場合もあるし、他の層に基板を設ける場合もある。
【0038】
コレステリック液晶層5の厚さ、つまり、透明電極4aと透明電極4bとの間隔は、コレステリック液晶分子が螺旋を5回から15回程度巻く長さに制御されるのが好ましい。螺旋を巻く回数が、これより少ないと選択反射の反射率が低くなり、本実施形態の効果が十分に得られない。また、螺旋を巻く回数が、これより多いとホメオトロピック配向にするための印加電圧が高くなる、あるいはホメオトロピック配向時の透過率が低くなり、本発明の効果が十分に得られない。
【0039】
また、コレステリック液晶層5に使用するコレステリック液晶の平均屈折率は、1.4から1.7の範囲にあることが好ましい。このようなコレステリック液晶材料は容易に合成できる。コレステリック液晶層5の選択反射波長は、螺旋ピッチに平均屈折率を乗じた波長の光を中心として、選択反射を生じる。発光表示素子の発光色が画素によって異なる場合、各発光色に対応する画素に形成するコレステリック液晶層5は、選択反射波長が発光色の波長を含むように制御される。
【0040】
選択反射波長の範囲(バンド幅)は、コレステリック液晶の屈折率異方性Δnと螺旋ピッチを乗した値となる。色純度の高い表示を得るには、発光色の波長範囲より、コレステリック液晶層5の選択反射の波長範囲を狭くすることが好ましく、Δnを0.09以下とすることが好ましい。さらに、コレステリック液晶が螺旋を8回以上巻く場合は、Δnは0.07以下であることが好ましい。
【0041】
このようなコレステリック液晶としては、ネマティック液晶(メルク社製Eシリーズ、ZLIシリーズ等)にカイラル剤(メルク社製CB−15、S811等)を混合するなどして作製することが出来る。
【0042】
本実施形態では、コレステリック液晶層5には、これを挟む一対の透明電極4a、4bから、画像情報とは独立な電圧が印加できるようになっている。そして、この印加電圧は、電圧印加手段(図示せず)によって制御される。このコレステリック液晶層5に印加する電圧は、「無印加」及び「ホメオトロピック配向となるような十分大きな電圧の印加」という2種類だけでなく、その中間の電圧の印加でもよい。中間の電圧(中間調)を印加すると、コレステリック液晶層中の液晶分子は、螺旋がほどけるための前駆現象として、螺旋ピッチが長くなり、選択反射波長が長波長側にシフトする。
【0043】
この特性を用い、印加電圧制御手段(図示せず)を設け、発光表示装置の使用環境あるいは表示しようとする画像情報あるいは使用者の好みなどによって、印加電圧を切り替えることができ、例えば、色味を変えることが出来る
また、この特性を用い、有機EL素子の発光色に応じて選択反射波長を変えることもできる。例えば、赤、緑、青の3種類の画素を有する有機EL素子の場合、電圧無印加状態で青の波長の光を選択反射するようにコレステリック液晶層の螺旋ピッチを調整する。青の画素に対応する位置のコレステリック液晶層には電圧を印加せずに、赤及び緑の画素に対応する位置のコレステリック液晶層には、それぞれ選択反射波長が赤及び緑となるように、適当な電圧を印加する。これにより、画素の発光色に合った螺旋ピッチを容易に得ることができる。
【0044】
また、上述のように、コレステリック液晶層の選択反射波長を印加電圧の大きさで制御するのではなく、コレステリック液晶層の材料自体(例えばカイラル成分の添加量)を変えることで選択反射波長を制御してもよい。
【0045】
さらに、コレステリック液晶層5として高分子分散型のコレステリック液晶を使用してもよく、その場合には以下の効果がある。有機EL素子では、電気エネルギーが光エネルギーと熱エネルギーに変換される。発光効率の低い有機EL素子の場合、発熱により有機EL素子の温度が上昇する。この温度上昇の影響でコレステリック液晶層の螺旋ピッチが変化して、選択反射波長がシフトすることがある。発光色の波長と選択反射波長がずれると、本実施形態の効果が減少する。ところが、高分子分散型のコレステリック液晶を使用すると、コレステリック液晶分子は高分子のマトリックス(網目構造)で固定させるため、温度変化による螺旋ピッチの変化が鈍くなる。よって、温度による選択反射波長のずれが抑制され、信頼性が向上する。
【0046】
高分子分散型のコレステリック液晶層5とする場合は、コレステリック液晶を分散させるマトリックス(媒体)としては、ポリシロキサン、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂などが好ましい。特に、ポリシロキサンは耐熱性に優れ、発光材料層の発熱の影響で、高分子分散型コレステリック液晶が劣化することを防止でき好ましい。また、アクリル系樹脂は緻密なポリマーネットワークを形成するため、温度変化に伴う選択反射波長の変化を抑制することができ、好ましい。
【0047】
なお、高分子分散型のコレステリック液晶ではなく、側鎖あるいは主鎖にコレステリック液晶基を付加したコレステリック高分子液晶(コレステリック相を呈する側鎖型あるいは主鎖型高分子液晶)では、電場を印加してもホメオトロピック配向にならず、あるいはホメオトロピック配向にするために必要な電圧が非常に高く、実用上問題となる。一方、高分子分散型のコレステリック液晶は、数ボルトから数十ボルトの印加でホメオトロピック配向とすることができるので、携帯電話やノート型パソコン等の携帯機器に使用する場合においても、電圧供給が問題にならない。
【0048】
また、高分子分散型コレステリック液晶を作製する際、高分子分散型コレステリック液晶前駆体の重合条件を画素の発光色に合わせて変化させることで、コレステリック液晶の螺旋ピッチを変えることができる。例えば、コレステリック液晶とマトリックスの配合比や、重合時間を変化させることにより、画素の発光色に合った螺旋ピッチを容易に得ることができる。
【0049】
また、本実施形態においては、偏光板1としては、偏光を吸収させる材料としてヨウ素を用いたヨウ素系の偏光板等(日東電工社製のSEGシリーズ等)を用いることが出来る。また、位相差板2としては、黒優先モードでの外光反射が最も小さくなるため、1/4波長板が好ましく用いられる。また、位相差板2としては、ポリカーボネート等を用いることが出来る。
【0050】
図4に本発明の他の実施形態に係る発光表示装置のRGB各1画素分の概略断面図を示す。
【0051】
図4に示すように、本実施形態の発光表示装置の有機EL素子部分は、透明基板6上、ここでは図面下方向にTFT42が形成され、TFT42に接続されたITO(例えばアノード)7、正孔注入層46、発光材料層8、バッファ層44、対向電極(例えばカソード)45、反射電極9が順次積層され、夫々の画素は隔壁47によって分離形成されている。発光材料層8として、発光材料8aは発光中心の色素分子として赤の発光を示す材料が、発光材料8bは発光中心の色素分子として緑の発光を示す材料が、発光材料8cは発光中心の色素分子として青の発光を示す材料が使用されており、夫々赤、緑、青の発光色を示す画素となっている。さらに、反射電極9と対向するようパージガス48を介して封止用基板10が形成されている。発光素子の周辺部には、酸素や水分の浸入を防ぐために封止用シール43が形成されている。
【0052】
透明基板6のもう一方の表面(TFTを形成した面の反対側)には透明電極4bが形成され、この上にコレステリック液晶層5が形成されている。コレステリック液晶層5a、5b、5cはスペーサ壁41により分離されている。コレステリック液晶層5を挟んで透明基板6と対向する面に、透明電極4aを介して透明基板3が配置され、透明基板3には位相差板2と偏光板1が添付されている。なお、位相差板2は可視光の波長範囲において1/4波長となるような、1/4波長板が好ましい。コレステリック液晶層5を挟む一対の透明電極4a、4bは、電圧印加手段(図示せず)に電気的に接続されている。
【0053】
本実施形態の発光表示装置において発光を行う際は、画像情報に応じて、TFT42によって適宜いずれかの発光材料層8a、8b、8cの透明電極7−反射電極9間に電圧を印加することで、その発光材料層から所望の色を発光させる。すなわち、透明電極7から供給された正孔は正孔注入層46を通して発光材料8へ、カソード45から供給された電子はバッファ層44を通して発光材料8へ達する。その結果、発光材料層中で正孔と電子が再結合することで発光が生じ、透明基板6側からこの所望の色が出射される。なお、正孔注入層46やバッファ層44は必須ではなく、発光材料へ正孔や電子が効率よく注入されれば、正孔注入層46やバッファ層44を省くことができる。
【0054】
このような画素を2次元的に配列することで、本実施形態の発光表示装置を作製することができる。図4では、薄膜トランジスタ42をコレステリック液晶層5側に形成したが、封止用基板10側に形成してもよい。
【0055】
本実施形態においては、発光材料層8a、8b、8cが各画素で隔壁47により分離されており、複数の発光色を有する複数種類の画素を有するが、コレステリック液晶層5a、5b、5cもスペーサ壁41によって区切られていることから、コレステリック液晶層5の材料を変えることにより、夫々の画素に合わせた選択反射波長を持たせることが出来る。したがって、より優れたコントラスト特性や表示輝度特性を有する発光表示装置を提供することが出来る。
【0056】
次に、本発明のさらに他の実施形態に係る発光表示装置のRGB各1画素分の概略断面図を図5に示す。
【0057】
図5の有機EL素子部分は図4と同じであるため説明を省略する。
【0058】
本実施形態の発光表示装置は、透明基板6の有機EL素子部分を形成したのとは逆の面にもTFT51とこれに接続する透明電極52が形成されている。なお、このTFT51は、有機EL素子側のTFT42と同じ位置に設けられ、透明電極52の位置も有機EL素子側の透明電極7に対応している。
【0059】
そして、位相差板2と偏光板1とが添付された透明基板3の反対側の面には透明電極4aが形成されており、この透明電極4a側の面と、上述の透明基板6のTFT51と透明電極52とを形成した側の面との間にコレステリック液晶層5が挟まれている。
【0060】
本実施形態においては、発光材料層8a、8b、8cに対応する位置のコレステリック液晶層5に夫々電圧を印加できる、TFT51に接続された透明電極52が形成されていることから、コレステリック液晶層5に画素毎に電圧を印加できる。従って、これらには各発光色の選択反射波長にあった電圧を印加すればよい。よって、より優れたコントラスト特性や表示輝度特性を有する発光表示装置を提供することが出来る。また、隔壁を作る工程や、隔壁間に選択反射波長の異なる液晶材料を注入する工程を省くことが出来る。
【0061】
以下、本発明の各実施例を説明する。
(実施例1)
図1や図2に示すように、単色の有機EL材料で発光層を形成し、固定パターンを表示する発光表示装置を作製した例について説明する。
【0062】
まず、厚さ約0.5mmの無アルカリガラス基板6の両面に、透明性導電材料であるITOを膜厚約70nmで製膜した。一方は透明電極7(アノード)、もう一方はコレステリック液晶層5に電圧を印加するための透明電極4bとなる。次に、正孔注入層(図示せず)として、ポリエチレンジオキシチオフェンとポリスチレンスルホン酸塩の会合体(PEDOT/PSS、商品名:BAYTRON(登録商標)P VP CH8000(バイエル社製))の水溶液をディップ方式によって透明電極7上に塗布し、ホットプレート上で加熱することで、膜厚約20nmの正孔注入層を製膜した。この上に、発光材料層8として赤色発光のポリ(3−アルキルチオフェン)(poly[3−alkylthiophene]:PAT)を、スピンコート方式によって製膜した。
【0063】
この上に、反射電極9(カソード)として厚さ約100nmのカルシウムと厚さ約300nmの銀を順次蒸着した。その上にシリコン窒化膜(SiNx)をプラズマCVD法で約3μmの厚さで形成することにより封止膜10を設け、酸素や空気が反射電極9を通って発光材料層8に浸入するのを防止した。ここまでが発光層11の作製方法である。
【0064】
発光層11を形成した側と反対側の透明電極4b上に、ポリイミド溶液(商品名:オプトマーAL−1051、JSR製)を印刷し、ホットプレート上で加熱することで、ポリイミド配向膜(図示せず)を形成した。厚さ約0.3mmのポリサルフォンからなる透明基板3上にも、透明電極4aとしてITOを用いてスパッタリング法により形成し、同様にして配向膜(図示せず)も形成した。これらの配向膜の表面を、ラビング処理(レーヨンの布で擦る)した。ラビング処理した配向膜同士が対向するように、透明基板3と6を対向した。このとき、透明基板3側には直径約7μmのスペーサ粒子(ミクロパール、積水ファインケミカル製)を散布し、透明基板6の周辺部(注入口部分を除く)にはシール剤(ストラクトボンド、三井化学製)を塗布した。荷重をかけながらシール剤をオーブン内で硬化し、セルを形成した。セル内部を真空に引き、コレステリック液晶材料を注入してコレステリック液晶層5を形成し、その後注入口部分をUV接着剤で封止した。コレステリック液晶材料としては、コレステリルクロライドとコレステリルパラゴネートの1:2の混合物を使用した。なお、このコレステリック液晶材料の屈折率は1.5であった。
【0065】
このセルの透明電極4aを形成したのと反対側の透明基板3の表面に、1/4波長板2及び偏光板1からなる円偏光板(日東電工製)を添付した。発光層11を構成する透明電極7及び反射電極9に、発光材料を発光させるための電流印加手段(図示せず)を接続した。また、コレステリック液晶層5を挟む一対の透明電極4a、4bには、コレステリック液晶層5を動作させるための電圧印加手段(図示せず)を接続した。
【0066】
以上のようにして作製された発光表示装置は、使用環境に応じて優れたコントラスト特性及び表示輝度を与えることができた。例えば、300ルクスで使用した場合、コレステリック液晶に20Vを印加してホメオトロピック配向にしたところ、200:1のコントラストが得られた。同じ条件下で、従来のコレステリック液晶フィルム、1/4波長板及び偏光板を使用した場合は、外光反射の影響でコントラストは10:1であった。
【0067】
また、50ルクスで使用した場合、コレステリック液晶層5を電圧無印加としてプレーナー配向にしたところ、400:1のコントラストが得られた。同じ条件下で、1/4波長板及び偏光板のみを貼り付けた場合は、コントラストは250:1であった。
(実施例2)
図4に示すように、3種の発光色(赤、緑、青)の有機EL材料で発光層を形成し、アクティブ・マトリックス駆動する発光表示装置を作製した例について説明する。
【0068】
まず、厚さ約0.7mmの無アルカリガラス基板6上に常法によりポリシリコンTFT42を形成し、このTFT42に電気的に接続される透明電極7(アノード)としてITOを膜厚約50nmとなるよう製膜した。また、フォトレジストプロセスにより感光性アクリル樹脂からなる隔壁47を、透明電極7部分が開口するように格子状に形成した。この透明電極7上に、実施例1と同様な材料、方法により正孔注入層46を形成した。
【0069】
正孔注入層46上に3種類の発光材料層8a、8b、8cをインクジェット方式により塗布した。赤の発光材料8aとしては、実施例1と同様の材料を用いた。緑の発光材料8bとしては、p−ポリエチエンビニレンに緑の色素化合物を約0.5wt%ドーピングしたものを用いた。青の発光材料8cとしては、ポリ(9,9’−ジアルキルフルオレン)を用いた。
【0070】
この上に、バッファ層44として厚さ約3nmのフッ化リチウムをスパッタリングにより形成した。その上に、対向電極(カソード)45として厚さ約100nmのカルシウムを形成し、さらにその上に厚さ約300nmの銀の反射電極9を形成した。これと、周辺部に封止用シール43を塗布した封止用基板10を貼り合せ、封止用シール43に紫外線を照射し硬化させた。封止用基板10と反射電極9の間は、乾燥窒素ガスからなるパージガス48で満たした。ここまでが発光層の作製方法である。
【0071】
透明基板6の、発光層を形成した側と反対側の面にITO製の透明電極4bをスパッタリングにより形成した。この上に、ポリイミド溶液(商品名:オプトマーAL−1051、JSR製)を印刷し、ホットプレート上で加熱することで、ポリイミド配向膜(図示せず)を形成した。
【0072】
次に、厚さ約0.5mmの無アルカリガラス製の透明基板3上に、透明電極4aとしてITOを用いてスパッタリング法により形成し、その上に感光性アクリル樹脂を用いてフォトリソグラフィー工程によりスペーサ壁41を形成した。この上にも、同様にして配向膜(図示せず)を形成した。
【0073】
透明基板3、6上の透明電極4a、4bに形成した配向膜の表面を、ラビング処理(レーヨンの布で擦る)した。透明電極4a、スペーサ壁41及び配向膜を形成した透明基板3の上に、真空下で3種類のコレステリック材料5a、5b、5cを適量だけ滴下した。この上に、あらかじめ周辺部にシール剤(ストラクトボンド、三井化学製)を塗布した透明基板6を、配向膜同士が対向するようにのせ加圧し、シール剤を紫外線硬化してセルを形成した。これにより、スペーサ壁41で分離される領域に、3種類のコレステリック材料5a、5b、5cが保持される。3種類のコレステリック材料5a、5b、5cは、各発光層8a、8b、8cの発光色に対応した螺旋ピッチを有する。すなわち、赤の発光層8aに対しては赤の波長の選択反射を有するコレステリック材料5aを使用し、緑の発光層8bに対しては緑の波長の選択反射を有するコレステリック材料5bを使用し、青の発光層8cに対しては青の波長の選択反射を有するコレステリック材料5cを使用した。なお、各コレステリック材料5a、5b、5cは、シアノ系ネマティック液晶(メルク社製のE7)に添加するシアノ系カイラル剤(メルク社製のCB−15)の量を変えることで調製した。
【0074】
このセルの透明基板3の表面(ただし透明電極4aと反対側)に、1/4波長板2及び偏光板1からなる円偏光板(日東電工製)を添付した。また、薄膜トランジスタ42のソース及びゲート配線、並びに反射電極9に、発光層を駆動するための駆動手段(図示せず)を接続した。また、コレステリック液晶層5a、5b、5cを挟む一対の透明電極4a、4bには、コレステリック液晶を動作させるための電圧印加手段(図示せず)を接続した。
【0075】
以上のようにして作製された発光表示装置は、使用環境に応じて優れたコントラスト特性及び表示輝度を与えることができた。また、コレステリック液晶層をもたない場合と比較して、発光表示装置の色純度が向上した。
(実施例3)
図5に示すように、3種の発光色(赤、緑、青)の有機EL材料で発光層を形成し、コレステリック液晶層にも薄膜トランジスタを形成した例について説明する。
【0076】
まず、実施例2と同様に発光層を作製した。
【0077】
透明基板6の、発光層を形成した側と反対側の面に、常法によりアモルファス・シリコンの薄膜トランジスタ51及びこれに電気的に接続されるITO製の透明電極52を形成した。この上に、ポリイミド溶液(商品名:オプトマーAL−1051、JSR製)を印刷し、ホットプレート上で加熱することで、ポリイミド配向膜(図示せず)を形成した。なお、この薄膜トランジスタ51は、発光層の薄膜トランジスタ42と同じ位置に設けられ、この透明電極52の位置も発光層の透明電極7に対応している。
【0078】
次に、厚さ約0.3mmの無アルカリガラス製の透明基板3上に、透明電極4aをスパッタリングにより形成した。この上にも、同様にして配向膜(図示せず)を形成した。
【0079】
透明基板3、6上の透明電極4a、4bに形成した配向膜の表面を、ラビング処理(レーヨンの布で擦る)した。ラビング処理した配向膜同士が対向するように、透明基板3と6を対向した。このとき、透明基板3側には直径約5μmのスペーサ粒子(ミクロパール、積水ファインケミカル製)を散布し、透明基板6の周辺部(注入口部分を除く)にはシール剤(ストラクトボンド、三井化学製)を塗布した。荷重をかけながらシール剤をオーブン内で硬化し、セルを形成した。セル内部を真空に引き、コレステリック液晶材料を注入してコレステリック液晶層5を形成し、その後注入口部分をUV接着剤で封止した。コレステリック液晶材料としては、フッ素系ネマティック液晶とカイラル剤(メルク社製のS811)の1:2の混合物を使用した。
【0080】
このセルの透明電極4aを形成したのと反対側の透明基板3の表面に、1/4波長板2及び偏光板1からなる円偏光板(日東電工製)を添付した。また、薄膜トランジスタ42のソース及びゲート配線、並びに反射電極9に、発光層を駆動するための駆動手段(図示せず)を接続した。また、コレステリック液晶層用の薄膜トランジスタ51のソース及びゲート配線、並びに対向する透明電極4aには、コレステリック液晶を駆動するための駆動手段(図示せず)を接続した。
【0081】
本発光表示装置を白優先モードで使用する場合、薄膜トランジスタ51に接続された透明電極52には、各々異なる電圧を印加した。すなわち、透明電極52には7V、4V、0Vと夫々異なる電圧を印加して、コレステリック液晶の選択反射波長が、対応するそれぞれの発光色の波長を含むようにした。
【0082】
以上のようにして作製された発光表示装置は、使用環境に応じて優れたコントラスト特性及び表示輝度を与えることができた。
(実施例4)
3種の発光色(赤、緑、青)の有機EL材料で発光層を形成し、高分子分散型コレステリック液晶を用いた例について説明する。
【0083】
まず、実施例2と同様に発光層を作製した。
【0084】
透明基板6の、発光層を形成した側と反対側にITO製の透明電極4bをスパッタリングにより形成した。この上に、ポリイミド溶液(商品名:オプトマーAL−1051、JSR製)を印刷し、ホットプレート上で加熱することで、ポリイミド配向膜(図示せず)を形成した。
【0085】
次に、厚さ約0.5mmの無アルカリガラス製の透明基板3上に、透明電極4aをスパッタリングにより形成した。この上にも、同様にして配向膜(図示せず)を形成した。
【0086】
透明基板3、6上の透明電極4a、4bに形成した配向膜の表面を、ラビング処理(レーヨンの布で擦る)した。ラビング処理した配向膜同士が対向するように、透明基板3と6を対向した。このとき、透明基板3側には直径約7μmのスペーサ粒子(ミクロパール、積水ファインケミカル製)を散布し、透明基板6の周辺部(注入口部分を除く)にはシール剤(ストラクトボンド、三井化学製)を塗布した。荷重をかけながらシール剤をオーブン内で硬化し、セルを形成した。セル内部を真空に引き、高分子分散型コレステリック液晶前駆体を注入し、その後注入口部分をUV接着剤で封止した。高分子分散型コレステリック液晶前駆体として、コレステリルクロライド、コレステリルパラゴネート、アクリルモノマー、アクリルオリゴマー、光重合開始剤の20:40:10:10:1の混合物を使用した。
【0087】
高分子分散型コレステリック液晶前駆体を注入したセルに赤画素となる部分のみに開口部を有するマスクを置き、365nmの紫外光を1分間照射した。その後、このセルに緑画素となる部分のみに開口部を有するマスクを置き、365nmの紫外光を1分間照射した。その後、このセル全面に、365nmの紫外光をさらに3分間照射した。これにより、赤、緑、青の各画素で、アクリル高分子のマトリックス(媒体)と液晶の割合を変化した。赤画素と緑画素とは、紫外光の照射時間が同じであるが、赤画素に先に照射することにより、緑画素と比べて赤画素のアクリル高分子の体積比を大きくしている。その結果、赤、緑、青の各画素で高分子分散型コレステリック液晶の螺旋ピッチが変わり、コレステリック液晶の選択反射波長が、対応するそれぞれの発光色の波長を含むようになった。
【0088】
このセルの透明電極4aを形成したのと反対側の透明基板3の表面に、1/4波長板2及び偏光板1からなる円偏光板(日東電工製)を添付した。また、薄膜トランジスタ42のソース及びゲート配線、並びに反射電極9に、発光層を駆動するための駆動手段(図示せず)を接続した。また、コレステリック液晶層5を挟む一対の透明電極4a、4bには、コレステリック液晶を動作させるための電圧印加手段(図示せず)を接続した。
【0089】
以上のようにして作製された発光表示装置は、使用環境に応じて優れたコントラスト特性及び表示輝度を与えることができた。
【0090】
以上に示した各実施形態は限定されるものではなく、種々組み合わせて用いることも可能である。
【0091】
【発明の効果】
以上詳述したように、本発明によれば、使用環境に応じて、優れたコントラスト特性や表示輝度特性を有する発光表示装置を提供することが出来る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態に係る発光表示装置の構造及びコレステリック液晶に電圧を印加しなかった場合の光の状態を示す断面図である。
【図2】本発明の一実施形態に係る発光表示装置の構造及びコレステリック液晶に電圧を印加した場合の光の状態を示す断面図である。
【図3】本発明の一実施形態の変形例に係る発光表示装置の構造を示す断面図である。
【図4】本発明の他の実施形態に係る発光表示装置の構造の一部を示す断面図である。
【図5】本発明のさらに他の実施形態に係る発光表示装置の構造の一部を示す断面図である。
【符号の説明】
1…偏光板
2…位相差板
3、6…透明基板
4a、4b、52…透明電極
5、5a、5b、5c…コレステリック液晶層
7…上部電極
8、8a、8b、8c…発光材料層
9、31…下部電極、反射電極
10…封止用基板、封止膜
11…発光層
32…反射部材
41…スペーサ壁
42、51…TFT
43…封止用シール
44…バッファ層
45…対向電極
46…正孔注入層
47…隔壁
48…パージガス
Claims (10)
- 光を発する発光層と、
前記発光層上に設けられた第1の透明電極と、
前記第1の透明電極上に設けられたコレステリック液晶層と、
前記コレステリック液晶層上に設けられた第2の透明電極と、
前記第2の透明電極上に設けられた位相差板と、
前記位相差板上に設けられた偏光板と、
前記第1の透明電極と前記第2の透明電極とを介して前記コレステリック液晶層に電圧を印加する電圧印加手段と
を具備する
ことを特徴とする発光表示装置。 - 前記コレステリック液晶層は、電圧無印加時には、前記発光層が発する光のうち、第1の円偏光成分を反射し、前記第1の円偏光成分とは逆の第2の円偏光成分を透過し、
前記コレステリック液晶層は、前記電圧印加手段による電圧印加時には、前記第1の円偏光成分及び前記第2の円偏光成分を透過する
ことを特徴とする請求項1記載の発光表示装置。 - 前記位相差板の作用により、前記偏光板が前記第1の円偏光成分を吸収することを特徴とする請求項2記載の発光表示装置。
- 前記位相差板が、1/4波長板であることを特徴とする請求項1記載の発光表示装置。
- 前記発光層が、反射電極と、前記反射電極上に設けられ有機または無機の薄膜からなる発光材料層と、前記発光材料層上に設けられた第3の透明電極とを含むことを特徴とする請求項1記載の発光表示装置。
- 前記コレステリック液晶層に印加する電圧の値を変化させる印加電圧制御手段をさらに具備することを特徴とする請求項1記載の発光表示装置。
- 前記発光層は発光色の異なる複数種類の画素がマトリクス状に配置されたものであり、前記コレステリック液晶層の選択反射波長は複数種類の前記発光色に対応するよう複数種類設けられることを特徴とする請求項1記載の発光表示装置。
- 前記発光層は発光色の異なる複数種類の画素がマトリクス状に配置されたものであり、前記コレステリック液晶層に印加される電圧の値は複数種類の前記発光色に対応するよう複数種類設けられることを特徴とする請求項1記載の発光表示装置。
- 前記コレステリック液晶層は、コレステリック液晶材料が有機または無機の媒体中に分散されたものであることを特徴とする請求項1記載の発光表示装置。
- 前記発光層は発光色の異なる複数種類の画素がマトリクス状に配置されたものであり、前記コレステリック液晶層中の前記コレステリック液晶材料と前記媒体との体積比が複数種類の前記発光色に対応するよう複数種類設けられることを特徴とする請求項9記載の発光表示装置。
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Cited By (77)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006308897A (ja) * | 2005-04-28 | 2006-11-09 | Optrex Corp | 有機el表示装置 |
WO2009023963A1 (en) * | 2007-08-17 | 2009-02-26 | Group Iv Semiconductor Inc. | Electroluminescent films for backlighting liquid crystal displays |
KR100982312B1 (ko) | 2008-07-25 | 2010-09-16 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
JP2011197347A (ja) * | 2010-03-19 | 2011-10-06 | Sharp Corp | 液晶表示装置 |
US8058783B2 (en) | 2008-07-25 | 2011-11-15 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic light emitting diode display for suppressing reflection of external light |
US8148894B2 (en) | 2008-08-27 | 2012-04-03 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic light emitting diode display |
US8169386B2 (en) | 2008-08-19 | 2012-05-01 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic light emitting diode display |
US8198802B2 (en) | 2008-07-25 | 2012-06-12 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic light emitting diode display for suppressing reflection of external light |
US8981349B2 (en) | 2009-01-09 | 2015-03-17 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting diode display |
WO2016020809A1 (en) * | 2014-08-08 | 2016-02-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display panel, display device, and driving method of display device |
US9329433B2 (en) | 2010-03-12 | 2016-05-03 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light-emitting device manufacturing method, light-emitting device, lighting device, backlight, liquid-crystal panel, display device, display device manufacturing method, display device drive method and liquid-crystal display device |
JP2017097217A (ja) * | 2015-11-26 | 2017-06-01 | 大日本印刷株式会社 | 光学フィルム及び画像表示装置 |
US9710013B2 (en) | 2014-08-08 | 2017-07-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display panel, data processing device, program |
US9715103B2 (en) | 2013-03-27 | 2017-07-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
US9720277B2 (en) | 2010-08-06 | 2017-08-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device having optical sensor |
US9837478B2 (en) | 2015-10-01 | 2017-12-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and manufacturing method thereof |
JP2017224398A (ja) * | 2016-06-13 | 2017-12-21 | 大日本印刷株式会社 | 画像表示装置 |
US9851820B2 (en) | 2015-04-13 | 2017-12-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device comprising a first transistor and a second transistor wherein an insulating film is located between a first display element and a conductive film |
US9977285B2 (en) | 2016-07-29 | 2018-05-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method for manufacturing the same |
US10020350B2 (en) | 2015-03-23 | 2018-07-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display panel and information processing device |
US10043858B2 (en) | 2016-04-27 | 2018-08-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and manufacturing method thereof |
US10078243B2 (en) | 2016-06-03 | 2018-09-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
WO2018181634A1 (ja) * | 2017-03-30 | 2018-10-04 | 富士フイルム株式会社 | 有機el画像表示装置 |
WO2018181632A1 (ja) * | 2017-03-30 | 2018-10-04 | 富士フイルム株式会社 | 有機el画像表示装置 |
US10101628B2 (en) | 2016-04-07 | 2018-10-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
US10114450B2 (en) | 2015-08-31 | 2018-10-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Information processing device |
WO2018207851A1 (ja) * | 2017-05-11 | 2018-11-15 | 富士フイルム株式会社 | 有機el画像表示装置 |
US10147780B2 (en) | 2015-10-12 | 2018-12-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
US10152936B2 (en) | 2016-05-20 | 2018-12-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Circuit, display system, and electronic device |
US10153460B2 (en) | 2016-08-17 | 2018-12-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
US10170528B2 (en) | 2015-08-07 | 2019-01-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display panel and manufacturing method thereof |
US10176748B2 (en) | 2016-02-03 | 2019-01-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Information processing device |
US10181295B2 (en) | 2015-10-23 | 2019-01-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and display panel comprising pixel having plurality of display elements |
US10211239B2 (en) | 2016-08-05 | 2019-02-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Separation method, display device, display module, and electronic device |
US10216999B2 (en) | 2016-09-16 | 2019-02-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display system, electronic device, and display method |
US10255838B2 (en) | 2016-07-27 | 2019-04-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and electronic device |
US10256279B2 (en) | 2016-06-17 | 2019-04-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device, display module, electronic device, and method for manufacturing the display device |
US10276089B2 (en) | 2016-07-01 | 2019-04-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device and method for driving the same |
US10290693B2 (en) | 2015-08-07 | 2019-05-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display panel and method for driving the same |
US10290253B2 (en) | 2016-06-10 | 2019-05-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, system, and method for operating system |
US10302983B2 (en) | 2016-03-29 | 2019-05-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display panel, input/output device, and data processor |
US10303009B2 (en) | 2016-06-30 | 2019-05-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device, display module, electronic device, and manufacturing method of display device |
US10311802B2 (en) | 2015-08-19 | 2019-06-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Information processing device |
US10380956B2 (en) | 2016-06-30 | 2019-08-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Information terminal |
US10394069B2 (en) | 2016-06-10 | 2019-08-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic device |
US10431164B2 (en) | 2016-06-16 | 2019-10-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device, display module, and electronic device |
US10429999B2 (en) | 2015-12-18 | 2019-10-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display panel, input/output device, data processing device, and method for manufacturing display panel |
US10451912B2 (en) | 2016-07-15 | 2019-10-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device, input/output device, and data processing device |
US10453401B2 (en) | 2016-06-17 | 2019-10-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and driving method thereof |
US10482833B2 (en) | 2016-11-09 | 2019-11-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Operation method of electronic device |
US10490130B2 (en) | 2017-02-10 | 2019-11-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display system comprising controller which process data |
US10520768B2 (en) | 2016-03-30 | 2019-12-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display panel, input/output panel, and data processing device |
US10528198B2 (en) | 2016-09-16 | 2020-01-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display panel, display device, input/output device, data processing device, and method for manufacturing the display panel |
US10534212B2 (en) | 2016-01-18 | 2020-01-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Input/output display device comprising an input portion having a sensing element to sense an approaching object and data processor having the same |
US10546545B2 (en) | 2016-04-28 | 2020-01-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device |
US10607575B2 (en) | 2016-09-30 | 2020-03-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display system and electronic device |
US10614739B2 (en) | 2016-06-15 | 2020-04-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device, display module, and electronic device |
US10620689B2 (en) | 2016-10-21 | 2020-04-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device, electronic device, and operation method thereof |
US10629831B2 (en) | 2016-07-29 | 2020-04-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Separation method, display device, display module, and electronic device |
US10650727B2 (en) | 2016-10-04 | 2020-05-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, display device, and electronic device |
US10656453B2 (en) | 2016-06-24 | 2020-05-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device, input/output device, and semiconductor device |
US10665150B2 (en) | 2016-07-08 | 2020-05-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device, display module, and electronic device |
US10672609B2 (en) | 2016-06-15 | 2020-06-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device, driving method of the same, and electronic device |
US10678078B2 (en) | 2016-08-05 | 2020-06-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method for manufacturing the display device |
US10679545B2 (en) | 2016-08-17 | 2020-06-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Operation method of display device |
US10693097B2 (en) | 2016-07-15 | 2020-06-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device including two display elements, display module, electronic device, and method for manufacturing display device |
JP2020144160A (ja) * | 2019-03-04 | 2020-09-10 | 凸版印刷株式会社 | 表示装置 |
US10816841B2 (en) | 2016-08-17 | 2020-10-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
US10853587B2 (en) | 2016-06-10 | 2020-12-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Information terminal |
US10937387B2 (en) | 2016-07-28 | 2021-03-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Information terminal |
US10978489B2 (en) | 2015-07-24 | 2021-04-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, display panel, method for manufacturing semiconductor device, method for manufacturing display panel, and information processing device |
US11054687B2 (en) | 2016-08-09 | 2021-07-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing display device, display device, display module, and electronic device |
US11067841B2 (en) | 2016-10-03 | 2021-07-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of a display device comprising polymerizing a monomer contained in a second liquid crystal layer in a region not overlapping with a coloring layer by light irradiation |
US11106099B2 (en) | 2016-06-24 | 2021-08-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic device |
CN114028726A (zh) * | 2021-11-09 | 2022-02-11 | 固安翌光科技有限公司 | 一种发光装置及可穿戴光疗仪 |
US11300826B2 (en) | 2016-08-17 | 2022-04-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device, electronic device, and mobile information terminal |
US11482155B2 (en) | 2018-07-20 | 2022-10-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Receiving circuit |
-
2003
- 2003-03-26 JP JP2003084235A patent/JP3852931B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (118)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006308897A (ja) * | 2005-04-28 | 2006-11-09 | Optrex Corp | 有機el表示装置 |
WO2009023963A1 (en) * | 2007-08-17 | 2009-02-26 | Group Iv Semiconductor Inc. | Electroluminescent films for backlighting liquid crystal displays |
US7616272B2 (en) | 2007-08-17 | 2009-11-10 | Group Iv Semiconductor Inc. | Electroluminescent films for backlighting liquid crystal displays |
US7839467B2 (en) | 2007-08-17 | 2010-11-23 | Group Iv Semiconductor Inc. | Color Tuneable electroluminescent devices |
KR100982312B1 (ko) | 2008-07-25 | 2010-09-16 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
US8058783B2 (en) | 2008-07-25 | 2011-11-15 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic light emitting diode display for suppressing reflection of external light |
US8198802B2 (en) | 2008-07-25 | 2012-06-12 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic light emitting diode display for suppressing reflection of external light |
US8169386B2 (en) | 2008-08-19 | 2012-05-01 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic light emitting diode display |
US8148894B2 (en) | 2008-08-27 | 2012-04-03 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic light emitting diode display |
US8981349B2 (en) | 2009-01-09 | 2015-03-17 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting diode display |
US9329433B2 (en) | 2010-03-12 | 2016-05-03 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light-emitting device manufacturing method, light-emitting device, lighting device, backlight, liquid-crystal panel, display device, display device manufacturing method, display device drive method and liquid-crystal display device |
JP2011197347A (ja) * | 2010-03-19 | 2011-10-06 | Sharp Corp | 液晶表示装置 |
US9720277B2 (en) | 2010-08-06 | 2017-08-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device having optical sensor |
US9715103B2 (en) | 2013-03-27 | 2017-07-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
JP2016038581A (ja) * | 2014-08-08 | 2016-03-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示パネル、表示装置および表示装置の駆動方法 |
WO2016020809A1 (en) * | 2014-08-08 | 2016-02-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display panel, display device, and driving method of display device |
CN106663397A (zh) * | 2014-08-08 | 2017-05-10 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示面板、显示装置及显示装置的驱动方法 |
US9710013B2 (en) | 2014-08-08 | 2017-07-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display panel, data processing device, program |
US10516008B2 (en) | 2015-03-23 | 2019-12-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display panel and information processing device |
US10020350B2 (en) | 2015-03-23 | 2018-07-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display panel and information processing device |
US11018206B2 (en) | 2015-03-23 | 2021-05-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display panel and information processing device |
US11754873B2 (en) | 2015-04-13 | 2023-09-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display panel, data processor, and method for manufacturing display panel |
US11016329B2 (en) | 2015-04-13 | 2021-05-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display panel, data processor, and method for manufacturing display panel |
US9851820B2 (en) | 2015-04-13 | 2017-12-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device comprising a first transistor and a second transistor wherein an insulating film is located between a first display element and a conductive film |
US10831291B2 (en) | 2015-04-13 | 2020-11-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display panel, data processor, and method for manufacturing display panel |
US10978489B2 (en) | 2015-07-24 | 2021-04-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, display panel, method for manufacturing semiconductor device, method for manufacturing display panel, and information processing device |
US10290693B2 (en) | 2015-08-07 | 2019-05-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display panel and method for driving the same |
US10170528B2 (en) | 2015-08-07 | 2019-01-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display panel and manufacturing method thereof |
US11024692B2 (en) | 2015-08-07 | 2021-06-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display panel and method for driving the same |
US10854145B2 (en) | 2015-08-19 | 2020-12-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Information processing device |
US11348537B2 (en) | 2015-08-19 | 2022-05-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Information processing device |
US10311802B2 (en) | 2015-08-19 | 2019-06-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Information processing device |
US10114450B2 (en) | 2015-08-31 | 2018-10-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Information processing device |
US9837478B2 (en) | 2015-10-01 | 2017-12-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and manufacturing method thereof |
US10147780B2 (en) | 2015-10-12 | 2018-12-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
US10181295B2 (en) | 2015-10-23 | 2019-01-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and display panel comprising pixel having plurality of display elements |
JP2017097217A (ja) * | 2015-11-26 | 2017-06-01 | 大日本印刷株式会社 | 光学フィルム及び画像表示装置 |
US10976872B2 (en) | 2015-12-18 | 2021-04-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display panel, input/output device, data processing device, and method for manufacturing display panel |
US10429999B2 (en) | 2015-12-18 | 2019-10-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display panel, input/output device, data processing device, and method for manufacturing display panel |
US10534212B2 (en) | 2016-01-18 | 2020-01-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Input/output display device comprising an input portion having a sensing element to sense an approaching object and data processor having the same |
US10176748B2 (en) | 2016-02-03 | 2019-01-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Information processing device |
US10302983B2 (en) | 2016-03-29 | 2019-05-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display panel, input/output device, and data processor |
US10520768B2 (en) | 2016-03-30 | 2019-12-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display panel, input/output panel, and data processing device |
US10101628B2 (en) | 2016-04-07 | 2018-10-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
US10043858B2 (en) | 2016-04-27 | 2018-08-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and manufacturing method thereof |
US10546545B2 (en) | 2016-04-28 | 2020-01-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device |
US10152936B2 (en) | 2016-05-20 | 2018-12-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Circuit, display system, and electronic device |
US10078243B2 (en) | 2016-06-03 | 2018-09-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
US10290253B2 (en) | 2016-06-10 | 2019-05-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, system, and method for operating system |
US10853587B2 (en) | 2016-06-10 | 2020-12-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Information terminal |
US11003009B2 (en) | 2016-06-10 | 2021-05-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic device |
US10394069B2 (en) | 2016-06-10 | 2019-08-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic device |
US11550181B2 (en) | 2016-06-10 | 2023-01-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic device |
JP2017224398A (ja) * | 2016-06-13 | 2017-12-21 | 大日本印刷株式会社 | 画像表示装置 |
US10614739B2 (en) | 2016-06-15 | 2020-04-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device, display module, and electronic device |
US10672609B2 (en) | 2016-06-15 | 2020-06-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device, driving method of the same, and electronic device |
US10431164B2 (en) | 2016-06-16 | 2019-10-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device, display module, and electronic device |
US10256279B2 (en) | 2016-06-17 | 2019-04-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device, display module, electronic device, and method for manufacturing the display device |
US11062661B2 (en) | 2016-06-17 | 2021-07-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and driving method thereof |
US10453401B2 (en) | 2016-06-17 | 2019-10-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and driving method thereof |
US11106099B2 (en) | 2016-06-24 | 2021-08-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic device |
US11796871B2 (en) | 2016-06-24 | 2023-10-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic device |
US10656453B2 (en) | 2016-06-24 | 2020-05-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device, input/output device, and semiconductor device |
US10380956B2 (en) | 2016-06-30 | 2019-08-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Information terminal |
US10591783B2 (en) | 2016-06-30 | 2020-03-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device, display module, electronic device, and manufacturing method of display device |
US10303009B2 (en) | 2016-06-30 | 2019-05-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device, display module, electronic device, and manufacturing method of display device |
US10770010B2 (en) | 2016-06-30 | 2020-09-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Information terminal |
US11308833B2 (en) | 2016-06-30 | 2022-04-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Information terminal |
US10276089B2 (en) | 2016-07-01 | 2019-04-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device and method for driving the same |
US10665150B2 (en) | 2016-07-08 | 2020-05-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device, display module, and electronic device |
US10451912B2 (en) | 2016-07-15 | 2019-10-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device, input/output device, and data processing device |
US10693097B2 (en) | 2016-07-15 | 2020-06-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device including two display elements, display module, electronic device, and method for manufacturing display device |
US10255838B2 (en) | 2016-07-27 | 2019-04-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and electronic device |
US12014681B2 (en) | 2016-07-28 | 2024-06-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Information terminal |
US10937387B2 (en) | 2016-07-28 | 2021-03-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Information terminal |
US10930870B2 (en) | 2016-07-29 | 2021-02-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Separation method, display device, display module, and electronic device |
US10629831B2 (en) | 2016-07-29 | 2020-04-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Separation method, display device, display module, and electronic device |
US9977285B2 (en) | 2016-07-29 | 2018-05-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method for manufacturing the same |
US11616206B2 (en) | 2016-07-29 | 2023-03-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Separation method, display device, display module, and electronic device |
US10678078B2 (en) | 2016-08-05 | 2020-06-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method for manufacturing the display device |
US10211239B2 (en) | 2016-08-05 | 2019-02-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Separation method, display device, display module, and electronic device |
US11054687B2 (en) | 2016-08-09 | 2021-07-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing display device, display device, display module, and electronic device |
US10153460B2 (en) | 2016-08-17 | 2018-12-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
US10679545B2 (en) | 2016-08-17 | 2020-06-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Operation method of display device |
US11300826B2 (en) | 2016-08-17 | 2022-04-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device, electronic device, and mobile information terminal |
US11960158B2 (en) | 2016-08-17 | 2024-04-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
US10816841B2 (en) | 2016-08-17 | 2020-10-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
US11899296B2 (en) | 2016-08-17 | 2024-02-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
US11442302B2 (en) | 2016-08-17 | 2022-09-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
US10216999B2 (en) | 2016-09-16 | 2019-02-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display system, electronic device, and display method |
US10528198B2 (en) | 2016-09-16 | 2020-01-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display panel, display device, input/output device, data processing device, and method for manufacturing the display panel |
US10607575B2 (en) | 2016-09-30 | 2020-03-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display system and electronic device |
US11067841B2 (en) | 2016-10-03 | 2021-07-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of a display device comprising polymerizing a monomer contained in a second liquid crystal layer in a region not overlapping with a coloring layer by light irradiation |
US10650727B2 (en) | 2016-10-04 | 2020-05-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, display device, and electronic device |
US11049437B2 (en) | 2016-10-04 | 2021-06-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, display device, and electronic device |
US11216057B2 (en) | 2016-10-21 | 2022-01-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device, electronic device, and operation method thereof |
US10620689B2 (en) | 2016-10-21 | 2020-04-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device, electronic device, and operation method thereof |
US10482833B2 (en) | 2016-11-09 | 2019-11-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Operation method of electronic device |
US10923059B2 (en) | 2016-11-09 | 2021-02-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Operation method of electronic device |
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WO2018181634A1 (ja) * | 2017-03-30 | 2018-10-04 | 富士フイルム株式会社 | 有機el画像表示装置 |
CN110521282A (zh) * | 2017-03-30 | 2019-11-29 | 富士胶片株式会社 | 有机el图像显示装置 |
CN110476480B (zh) * | 2017-03-30 | 2022-03-15 | 富士胶片株式会社 | 有机el图像显示装置 |
CN110521282B (zh) * | 2017-03-30 | 2021-12-14 | 富士胶片株式会社 | 有机el图像显示装置 |
JPWO2018181632A1 (ja) * | 2017-03-30 | 2020-04-23 | 富士フイルム株式会社 | 有機el画像表示装置 |
JPWO2018181634A1 (ja) * | 2017-03-30 | 2019-12-26 | 富士フイルム株式会社 | 有機el画像表示装置 |
CN110476480A (zh) * | 2017-03-30 | 2019-11-19 | 富士胶片株式会社 | 有机el图像显示装置 |
WO2018181632A1 (ja) * | 2017-03-30 | 2018-10-04 | 富士フイルム株式会社 | 有機el画像表示装置 |
US11522165B2 (en) | 2017-03-30 | 2022-12-06 | Fujifilm Corporation | Organic EL image display device |
US10998528B2 (en) | 2017-03-30 | 2021-05-04 | Fujifilm Corporation | Organic EL image display device |
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