JPWO2018207851A1 - 有機ｅｌ画像表示装置 - Google Patents

Abstract

本発明は、発光素子基板および円偏光板を含む画像表示装置であって、上記発光素子基板は反射層および上記反射層上に有機電界発光層を含み、上記反射層、上記有機電界発光層、および上記円偏光板はこの順で配置されており、上記有機電界発光層と上記円偏光板との間に偏光分離層を含み、上記偏光分離層は、上記有機電界発光層が発光した光のうち、１つの偏光状態の光を反射し、かつ他方の偏光状態の光を透過する偏光分離領域と可視光透過領域とを含み、上記偏光分離領域はコレステリック液晶相を固定して形成された層からなり、上記有機電界発光層と上記円偏光板との間にポジティブＣ領域含有層を含む有機ＥＬ画像表示装置を提供する。本発明の有機ＥＬ画像表示装置は輝度が高く、斜め観察時の光漏れやにじみが少ない。

Description

本発明は、有機ＥＬ画像表示装置に関する。

有機電界発光層の発光に基づき画像を形成する有機ＥＬ画像表示装置（「有機電界発光画像表示装置」、以下、単に「画像表示装置」ということがある。）においては、外光の映り込みの低減およびコントラスト向上のために位相差層と偏光層とからなる円偏光板を配置することが一般的である。しかし、この構成では、有機電界発光層で発光した光の半分以上が円偏光板で吸収されてしまう。

上記問題に鑑み、特許文献１では、有機電界発光層と円偏光板との間に、偏光分離手段を設けることが提案されている。偏光分離手段で、円偏光板を透過する光は透過させ、円偏光板で吸収される偏光は反射して発光素子基板中の反射層で鏡面反射させることに基づき、光利用効率が高められ輝度が向上する。
さらに、特許文献１においては、有機電界発光層の配置に対応してブラックマトリクスで区分されたそれぞれの領域に、対応する有機電界発光層の発光波長に対応する波長選択反射性を有するコレステリック液晶層を形成して得られる偏光分離手段が具体的に開示されている。

特許文献２では、上記構成においては、視野角の増加に伴いコレステリック液晶層で生じる不要な位相差に基づき外光の偏光状態が変化することに由来して一部の光が偏光板で吸収されず、透過して外部に漏れるという問題があることを指摘している。特許文献２では、上記問題を解決するために、面内方向には屈折率差がほとんどなく、厚み方向の屈折率が面内方向の屈折率とは異なる屈折率楕円体として機能する位相補償層をさらに含む構成とすることが提案されている。

特許第４０１１２９２号公報 特開２００５−６３８４１号公報

特許文献１および２に記載の有機ＥＬ画像表示装置においては有機電界発光層と円偏光板との間に有機電界発光層に対応する区分を設けるためのブラックマトリクスが設けられている。可視光遮断性のブラックマトリクスにより有機電界発光層から円偏光板側に透過する光の量は低下するため、有機ＥＬ画像表示装置の輝度は低下する。一方、可視光遮断性の層を設けずにコレステリック液晶層を配置すると、画像ににじみが見られるという問題があった。

本発明は、上記問題の解決のためになされたものであって、輝度が高く、外光反射に起因する斜め観察時の光漏れ、およびにじみの少ない有機ＥＬ画像表示装置を提供することを課題とする。

本発明者らは、上記の斜め観察時の光漏れが、コレステリック液晶層が有する光学的性質によって生じていると考え、さらに検討を重ねて、本発明を完成させた。

すなわち、本発明は以下の［１］〜［１７］を提供するものである。
［１］発光素子基板および円偏光板を含む有機ＥＬ画像表示装置であって、
上記発光素子基板は反射層および上記反射層上に有機電界発光層を含み、
上記反射層、上記有機電界発光層、および上記円偏光板はこの順で配置されており、
上記有機電界発光層と上記円偏光板との間に偏光分離層を含み、
上記偏光分離層は、上記有機電界発光層が発光した光のうち、１つの偏光状態の光を反射し、かつ他方の偏光状態の光を透過する偏光分離領域と、可視光透過領域とを含み、
上記偏光分離領域はコレステリック液晶相を固定して形成された層からなり、
上記有機電界発光層と上記円偏光板との間にポジティブＣ領域含有層を含む、有機ＥＬ画像表示装置。

［２］上記ポジティブＣ領域含有層のポジティブＣ領域の波長５５０ｎｍにおける膜厚方向のレターデーションＲｔｈ（５５０）が−２５０ｎｍ〜−７０ｎｍである［１］に記載の有機ＥＬ画像表示装置。
［３］上記ポジティブＣ領域含有層のポジティブＣ領域の波長５５０ｎｍにおける膜厚方向のレターデーションＲｔｈ（５５０）が−２３０ｎｍ〜−１３０ｎｍである［１］に記載の有機ＥＬ画像表示装置。
［４］上記円偏光板が１／４波長板、１／２波長位相差板、および偏光層をこの順で含む［１］〜［３］のいずれかに記載の有機ＥＬ画像表示装置。
［５］上記円偏光板が逆波長分散性のＡプレート、および偏光層を含む［１］〜［３］のいずれかに記載の有機ＥＬ画像表示装置。

［６］上記有機電界発光層、上記ポジティブＣ領域含有層、上記偏光分離層、および上記円偏光板がこの順で配置されている［１］〜［５］のいずれかに記載の有機ＥＬ画像表示装置。
［７］上記可視光透過領域が上記偏光分離領域作製のための組成物と同一の組成物を用いて作製されている［１］〜［６］のいずれかに記載の有機ＥＬ画像表示装置。
［８］上記可視光透過領域が光学的に等方性の領域からなる［１］〜［７］のいずれかに記載の有機ＥＬ画像表示装置。
［９］上記ポジティブＣ領域含有層がポジティブＣ領域からなり、
上記ポジティブＣ領域の可視光領域の任意の波長Ｘｎｍでの膜厚方向のレターデーションＲｔｈ（Ｘ）の絶対値が、上記偏光分離領域の波長Ｘにおける膜厚方向のレターデーションＲｔｈ-Ｃｈ(Ｘ)の絶対値と上記可視光透過領域の波長ＸにおけるレターデーションＲｔｈ-Ｔ(Ｘ)の絶対値との間の任意の値である［８］に記載の有機ＥＬ画像表示装置。

［１０］上記可視光透過領域がコレステリック液晶相を固定して形成された層であり紫外光波長域または赤外光波長域に選択反射の中心波長を有する［７］に記載の有機ＥＬ画像表示装置。
［１１］上記ポジティブＣ領域含有層がポジティブＣ領域からなり、
上記ポジティブＣ領域の可視光領域の任意の波長Ｘｎｍにおける膜厚方向のレターデーションＲｔｈ（Ｘ）の絶対値が、上記偏光分離領域の波長Ｘｎｍにおける膜厚方向のレターデーションＲｔｈ（Ｘ）の絶対値と等しい［１０］に記載の有機ＥＬ画像表示装置。
［１２］上記ポジティブＣ領域含有層がポジティブＣ領域に加えさらに光学的に等方性の領域を含む［８］に記載の有機ＥＬ画像表示装置。
［１３］上記ポジティブＣ領域の可視光領域の任意の波長Ｘｎｍにおける膜厚方向のレターデーションＲｔｈ（Ｘ）の絶対値が上記偏光分離領域の波長Ｘｎｍにおける膜厚方向のレターデーションＲｔｈ（Ｘ）の絶対値と等しい［１２］に記載の有機ＥＬ画像表示装置。
［１４］上記発光素子基板は上記反射層上に上記有機電界発光層がマトリクス状に配置された有機電界発光層群を含む［１］〜［１３］のいずれかに記載の有機ＥＬ画像表示装置。

［１５］上記偏光分離領域が上記有機電界発光層群に対応してマトリクス状に配置された偏光分離部位の集合である［１４］に記載の有機ＥＬ画像表示装置。
［１６］上記有機電界発光層群が２種以上の波長の光を発光する有機電界発光層を含み、
上記偏光分離部位は対応する位置に配置されている有機電界発光層が発光する波長域で１つの偏光状態の光を反射する［１５］に記載の有機ＥＬ画像表示装置。
［１７］上記可視光透過領域が光学的に等方性の領域からなり、
上記ポジティブＣ領域含有層が上記ポジティブＣ領域および光学的に等方性の領域を含み、上記ポジティブＣ領域が上記マトリクス状に配置された上記偏光分離部位に対応してマトリクス状である［１５］または［１６］のいずれかに記載の有機ＥＬ画像表示装置。

本発明により、輝度が高く、斜め観察時の光漏れやにじみもない有機ＥＬ画像表示装置を提供することができる。

本発明の画像表示装置の例の概略断面図を示す図である。 偏光分離層を法線方向において画像表示側から見た平面図において、式（１）および式（２）中の、Ｌ、Ｍ、Ｎを示す図である。 実施例で用いたフォトマスクＡの透過部（白）および遮蔽部（黒）を示す図である。 ＳＣ−０４Ｅの発光素子基板における、青色有機電界発光層（Blue）、緑色有機電界発光層（Green）、および赤色有機電界発光層（Red）の配置を示す図である。

以下、本発明を詳細に説明する。
本明細書において「〜」とはその前後に記載される数値を下限値および上限値として含む意味で使用される。
本明細書において、数値、数値範囲、及び定性的な表現（例えば、「同一」、「同じ」、「等しい」等の表現）については、画像表示装置やそれに用いられる部材について一般的に許容される誤差を含む数値、数値範囲及び性質を示していると解釈されるものとする。

本明細書において、例えば、「４５°」、「平行」、「垂直」あるいは「直交」等の角度は、特に記載がなければ、厳密な角度との差異が５°未満の範囲内であることを意味する。厳密な角度との差異は、４°未満であることが好ましく、３°未満であることがより好ましい。
本明細書において、「（メタ）アクリレート」は、「アクリレートおよびメタクリレートのいずれか一方または双方」の意味で使用される。

本明細書において、円偏光につき「センス」というときは、右円偏光であるか、または左円偏光であるかを意味する。円偏光のセンスは、光が手前に向かって進んでくるように眺めた場合に電場ベクトルの先端が時間の経過に従って時計回りに回る場合が右円偏光であり、反時計回りに回る場合が左円偏光であるとして定義される。

本明細書においては、コレステリック液晶の螺旋の捩れ方向について「センス」との用語を用いることもある。コレステリック液晶の螺旋の捩れ方向（センス）が右の場合は右円偏光を反射し、左円偏光を透過し、センスが左の場合は左円偏光を反射し、右円偏光を透過する。
可視光線は電磁波のうち、ヒトの目で見える波長の光であり、３８０ｎｍ〜７８０ｎｍの波長域の光を示す。

本明細書において、可視光透過率はＪＩＳ Ａ ５７５９：２００８に準拠して測定したものであればよい。可視光透過率の測定は、例えば、紫外可視近赤外分光機（日本分光（株）製、Ｖ−６７０、積分球ユニットＩＳＮ−７２３使用）を用いて行うことができる。

また、本明細書において、可視光反射率は、ＪＩＳ Ａ５７５９に記載の計算方法に基づき算出した数値を意味する。すなわち、分光光度計にて波長 ３８０ｎｍ〜７８０ｎｍの反射率を測定し、ＣＩＥ（国際照明委員会）昼光 Ｄ６５の分光分布、ＣＩＥ 明順応標準比視感度の波長分布および波長間隔から得られる重価係数を乗じて加重平均することによって光反射率を求める。
可視光反射率を得る際には、例えば、日本分光（株）製分光光度計「Ｖ−６７０」を用いることができる。

本明細書において「遅相軸」とは、面内において屈折率が最大となる方向を意味する。
本明細書において、Ｒｅ（λ）、Ｒｔｈ（λ）は各々、波長λにおける面内のレターデーションおよび厚さ方向のレターデーションを表す。本明細書において、Ｒｅ（λ）およびＲｔｈ（λ）はＡｘｏＳｃａｎ ＯＰＭＦ−１（オプトサイエンス社製）において、波長λで測定した値である。ＡｘｏＳｃａｎにて平均屈折率（（Ｎｘ＋Ｎｙ＋Ｎｚ）／３）と膜厚（ｄ（μｍ））を入力することにより、以下が算出される。
遅相軸方向（°）
Ｒｅ（λ）＝Ｒ０（λ）
Ｒｔｈ（λ）＝（（ｎｘ＋ｎｙ）／２−ｎｚ）×ｄ
なお、Ｒ０（λ）は、ＡｘｏＳｃａｎ ＯＰＭＦ−１で算出される数値として表示されるものであるが、Ｒｅ（λ）を意味している。

＜有機ＥＬ画像表示装置＞
本発明の画像表示装置は、有機電界発光層の発光に基づいて画像表示を行う有機ＥＬ画像表示装置である。有機ＥＬ画像表示装置は、自発光型の表示装置であり、ＣＲＴ（Cathode Ray Tube）型の表示装置や液晶表示装置と比較して視認性が高い、視野角依存性がないなどの表示性能の利点を有し、また、軽量化、薄型化できるといった利点もある。

有機ＥＬ画像表示装置は、有機電界発光層が設けられた発光素子基板により画像表示を行う。また、有機ＥＬ画像表示装置は、一般的に外光の映り込みの低減およびコントラスト向上のために有機電界発光層の画像表示側に円偏光板を含む。
本発明の画像表示装置は、有機電界発光層と円偏光板との間に、偏光分離層を含む。本発明の画像表示装置においては、反射層、有機電界発光層、偏光分離層、および円偏光板がこの順に配置される。有機ＥＬ画像表示装置においては、複数の有機電界発光層が有機電界発光層群として、反射層上にマトリクス状に含まれていることが好ましい。

本発明の画像表示装置は、さらに、有機電界発光層と円偏光板との間に、ポジティブＣ領域含有層を含む。本発明の画像表示装置においては、反射層、有機電界発光層、ポジティブＣ領域含有層、および円偏光板がこの順に配置される。
偏光分離層およびポジティブＣ領域含有層の順は特に限定されない。有機電界発光層、ポジティブＣ領域含有層、偏光分離層および円偏光板がこの順であってもよく、有機電界発光層、偏光分離層、ポジティブＣ領域含有層および円偏光板がこの順であってもよい。

本発明の画像表示装置の例の概略断面図を図１に示す。なお、図において層間に設けられている場合のある接着層は省略されている。
図１（ａ）〜（ｅ）に示す構成では、いずれも偏光分離層が偏光分離部位８および光学的に等方性の可視光透過領域９を有する。図１（ａ）、（ｃ）〜（ｅ）は、いずれも反射層３、有機電界発光層２、偏光分離層１、ポジティブＣ領域含有層１２、円偏光板７をこの順に有する構成を示す。図１（ｂ）は、反射層３、有機電界発光層２、ポジティブＣ領域含有層１２、偏光分離層１、円偏光板７をこの順に有する構成を示す。図１（ｄ）に示す構成では、ポジティブＣ領域含有層１２がポジティブＣ領域１３および光学的に等方性の領域からなる。図１（ａ）〜（ｄ）では、いずれも位相差層５がλ／２板およびλ／４板の二層構成であるが、図１（ｅ）では、位相差層５としては一層構成のλ／４板（例えば逆波長分散性のＡプレート）が用いられている。

［偏光分離層、偏光分離部位、偏光分離領域］
本発明の画像表示装置における偏光分離層には、複数の有機電界発光層に対応する複数の偏光分離部位が含まれていることが好ましい。本明細書において、対応するとは、画像表示側から画像表示装置を見たときに、有機電界発光層と偏光分離部位とが同じ位置または少なくとも互いに一部が重なる位置にある状態であることを意味する。対応している有機電界発光層と偏光分離部位とにおいては、有機電界発光層からの発光（好ましくは５０％以上、より好ましくは６０％以上、さらに好ましくは７０％以上）が偏光分離部位で反射または透過されている状態であればよい。

画像表示側から画像表示装置を見たときの対応している有機電界発光層と偏光分離部位とはサイズが同じであってもよく、有機電界発光層のサイズが大きくてもよく、偏光分離部位のサイズが大きくてもよい。そのうち、偏光分離部位のサイズが大きいことが好ましい。本発明の画像表示装置は画像表示側から見たときに有機電界発光層が対応する偏光分離部位に覆われるようなサイズであることが好ましい。

本発明の画像表示装置を画像表示側から見たとき、偏光分離層において偏光分離部位がマトリクス状に配置されていることが好ましい。本明細書において、複数の偏光分離部位が形成する領域をまとめて偏光分離領域ということがある。

本明細書において、偏光分離部位は、対応する有機電界発光層の発光の波長域において、偏光分離を行う部位をいう。偏光分離とは、１つの偏光状態の光を反射し、かつ他方の偏光状態の光を透過することをいう。本発明の画像表示装置において、偏光分離は、一方のセンスの円偏光を反射し、かつ他方のセンスの円偏光を透過することであればよい。

偏光分離部位は、対応する有機電界発光層の発光の波長域において選択的に偏光分離を行うことができる部位であってもよく、上記波長域以外の波長域でも偏光分離を行うことができる部位であってもよい。
「選択的な偏光分離」は、可視光領域のうち、偏光分離部位が対応する有機電界発光層の発光の波長域に対応する波長域のみにおける偏光分離をいう。したがって、偏光分離部位は、可視光領域のうち、偏光分離部位が対応する有機電界発光層の発光の波長域に対応する波長域のみにおいて偏光分離するものであってもよく、実質的に可視光の全波長域において偏光分離するものであってもよく、赤色波長域、緑色波長域、および青色波長域などの複数の波長域で偏光分離するものであってもよい。
偏光分離部位は、対応する有機電界発光層の発光の波長域において選択的に偏光分離を行うことができる部位であることが好ましい。

本発明の画像表示装置においては、有機電界発光層の発光のうち、円偏光板を透過しない偏光状態の光が偏光分離部位で反射されて反射層に向かうように、偏光分離部位が配置される。

本発明の画像表示装置において、偏光分離層はさらに可視光透過領域を含む。偏光分離層は可視光透過領域により区分されて偏光分離部位を形成していることも好ましい。偏光分離部位を可視光遮断層等ではなく可視光透過領域を用いて区分することにより、有機電界発光層から画像表示側に到達する光の量を増加させて輝度を向上させることができる。また、偏光分離部位を連続的に設けず、可視光透過領域により区分することによって、有機電界発光層の内部から斜めに円偏光板方向に進む光に由来する画像のにじみを低減させることができる。画像のにじみは、有機電界発光層の内部から斜めに円偏光板方向に向かった光が偏光分離部位で反射し、その反射光が反射層で反射されて画像表示側に出射する過程で、偏光解消した成分が多重反射した結果、生じていると考えられる。可視光透過領域を用いて区分することにより、有機電界発光層の内部から斜めに円偏光板方向に向かった光はそのまま透過して画像表示側に出やすくなるため、にじみ（画像表示装置の白色表示時に斜め方向から観察したときの色にじみなど）を低減することができる。

可視光透過領域は可視光透過率が８０％〜１００％であればよく、９０％〜１００％であることが好ましい。可視光透過領域は少なくとも有機電界発光層側の面において非光反射性であることが好ましい。特に、有機電界発光層群の各発光波長域において非光反射性であることが好ましい。可視光波長域全体で非光反射性であることも好ましい。可視光透過領域の有機電界発光層側の面における可視光反射率は０％〜５％であることが好ましく、０％〜２％であることがより好ましい。

可視光透過領域は、例えば、光学的に等方性の領域、紫外光波長域または赤外光波長域に選択反射の中心波長を有する領域などであればよい。これらはいずれも、例えば後述するようにいずれも偏光分離部位作製のための組成物と同一の組成物を用いて作製することができる。可視光透過領域は上記偏光分離部位作製の際に形成された塗布膜や硬化膜などをエッチングにより除去した後の部位であって発光素子基板との接着のための接着剤となっている部位であってもよい。

本発明の画像表示装置においては、偏光分離層のマトリクスの任意の座標ｘｙの偏光分離部位を通り、かつ反射層に垂直な任意の平面Ｚにおいて、下記式（１）が満たされていることが好ましい。下記式（１）を満たすように可視光透過領域で区分を設け偏光分離部位を形成することにより、上述のような多重反射と偏光解消に由来するにじみを効率良く低減することができる。
Ｌ ≦ （Ｍ＋Ｎ）／２ （１）
Ｌ：座標ｘｙの偏光分離部位と平面Ｚの交線の長さ
Ｍ：座標ｘｙの偏光分離部位に対応する座標ｘｙの有機電界発光層と平面Ｚの交線の長さ
Ｎ：座標ｘｙの有機電界発光層および平面Ｚの交線の中心と、座標ｘｙの有機電界発光層と同じ波長の光を発光する有機電界発光層であって平面Ｚに交点を有する最も近い有機電界発光層および平面Ｚの交線の中心との距離

Ｌ、Ｍ、Ｎは、本発明の画像表示装置を発光素子基板の法線方向において画像表示側から偏光分離層を見た平面図において、決定すればよく、例えば、図２に示すように規定できる。

本発明の画像表示装置においては、また、偏光分離層の任意の座標ｘｙの偏光分離部位において、下記式（２）が満たされていることが好ましい。下記式（２）を満たすように可視光透過領域で区分を設け偏光分離部位を形成することにより、偏光分離部位が、偏光分離部位と有機電界発光層との距離に見合ったサイズとなるため、光利用効率を高め輝度を向上させることができる。
Ｌ ≧ １．２５×Ｄ ＋ Ｍ （２）
Ｄ：座標ｘｙの偏光分離部位と座標ｘｙの有機電界発光層との距離

本発明の画像表示装置においては、偏光分離部位の上記の反射の波長域（対応する有機電界発光層の発光の波長域における反射）が有機電界発光層の上記発光の波長域よりも広いことが好ましい。有機電界発光層群として異なる発光波長の有機電界発光層を含む画像表示装置においては、それぞれの有機電界発光層の発光スペクトルの半値幅は異なり得るが、対応している有機電界発光層と偏光分離部位とにおいて、上記関係が満たされていればよい。

偏光分離部位の反射の波長域が有機電界発光層の発光の波長域よりも広い有機ＥＬ画像表示装置においては、輝度が正面だけでなく、斜め方向においても向上する。後述するように、斜め方向から入射する光に対しては、コレステリック液晶層を含む偏光分離部位の反射波長が短波長にシフトする。そのため、有機電界発光層から法線方向で入射する光を反射する偏光分離部位であっても、斜め方向からの光を反射できないことがある。斜め方向における輝度向上の効果は、偏光分離部位の反射の波長域を広帯域化することにより、反射できなかった光が反射されるようになることによると考えられる。

偏光分離部位の反射の波長域とは、偏光分離部位の透過スペクトルの半値幅(半値全幅)を意味する。また、有機電界発光層の発光の波長域とは、有機電界発光層の発光スペクトルの半値幅を意味する。

公知の有機電界発光層の発光スペクトルの半値幅は、通常、４０〜５５ｎｍであり、偏光分離部位の透過スペクトルの半値幅はこれより広い範囲で適宜設定すればよい。典型的には、７０〜１３０ｎｍが好ましく、８０〜１２０ｎｍがより好ましく、９０〜１１０ｎｍが最も好ましい。反射帯域を７０ｎｍ以上とすることにより上記の効果が得られ、１３０ｎｍ以下とすることにより、偏光分離部位に由来する消灯時の画像面からの反射率の上昇を抑えることができる。

偏光分離層中の複数の偏光分離部位は、有機電界発光層群に対応してマトリクス状に配置されていればよい。偏光分離層は、異なる波長において、１つの偏光状態の光を反射し、かつ他方の偏光状態の光を透過する、複数種、好ましくは３種、の偏光分離部位で形成されてもよい。複数種の偏光分離部位の反射波長は、有機電界発光層群に含まれる有機電界発光層の発光波長に対応させる。

偏光分離部位および偏光分離層は、それぞれ単層であってもよく、複数の層からなっていてもよい。偏光分離部位および偏光分離層は、コレステリック液晶層を含むことが好ましい。偏光分離部位および偏光分離層は、コレステリック液晶層に加えて、配向層、保護層（添加剤層）などを含んでいてもよい。偏光分離部位および偏光分離層は、コレステリック液晶層形成のために用いられる組成物を液晶化合物が配向していない状態で硬化して形成された光学的に等方性の層を含んでいてもよい。

偏光分離部位は、有機電界発光層が発光した光のうち、１つの偏光状態の光を反射し、かつ他方の偏光状態の光を透過する上記性質を達成している限り特に限定されないが、コレステリック液晶層を含む部位であることが好ましい。
コレステリック液晶層を含む偏光分離部位は、コレステリック液晶層のみからなっていてもよく、配向層や保護層（添加剤層）などの他の層を含んでいてもよい。

（コレステリック液晶層）
本明細書において、コレステリック液晶層は、コレステリック液晶相を固定した層を意味する。
コレステリック液晶相は、特定の波長域において右円偏光または左円偏光のいずれか一方のセンスの円偏光を選択的に反射させるとともに他方のセンスの円偏光を透過する円偏光選択反射を示すことが知られている。本明細書において、円偏光選択反射を単に選択反射ということもある。
円偏光選択反射性を示すコレステリック液晶相を固定した層を含むフィルムとして、重合性液晶化合物を含む組成物から形成されたフィルムは従来から数多く知られており、コレステリック液晶層については、それらの従来技術を参照することができる。

コレステリック液晶層は、コレステリック液晶相となっている液晶化合物の配向が保持されている層であればよく、典型的には、重合性液晶化合物をコレステリック液晶相の配向状態としたうえで、紫外線照射、加熱等によって重合、硬化し、流動性が無い層を形成して、同時に、また外場や外力によって配向形態に変化を生じさせることのない状態に変化した層であればよい。なお、コレステリック液晶層においては、コレステリック液晶相の光学的性質が層中において保持されていれば十分であり、層中の液晶化合物はもはや液晶性を示していなくてもよい。例えば、重合性液晶化合物は、硬化反応により高分子量化して、もはや液晶性を失っていてもよい。

コレステリック液晶層の選択反射の中心波長λは、コレステリック液晶相における螺旋構造のピッチＰ（＝螺旋の周期）に依存し、コレステリック液晶層の平均屈折率ｎとλ＝ｎ×Ｐの関係に従う。なお、本明細書において、コレステリック液晶層が有する選択反射の中心波長λは、コレステリック液晶層の法線方向から測定した円偏光反射スペクトルの反射ピークの重心位置にある波長を意味する。また、本明細書において、選択反射の中心波長はコレステリック液晶層の法線方向から測定した時の中心波長を意味する。

コレステリック液晶層の選択反射中心波長と半値幅は下記のように求めることができる。
分光光度計ＵＶ３１５０（島津製作所）を用いてコレステリック液晶層の透過スペクトル（コレステリック液晶層の法線方向から測定したもの）を測定すると、選択反射帯域に透過率の低下ピークがみられる。このピークの極小透過率と低下前の透過率との中間（平均）の透過率となる２つの波長のうち、短波長側の波長の値をλ_ｌ（ｎｍ）、長波長側の波長の値をλ_ｈ（ｎｍ）とすると、選択反射の中心波長λと半値幅Δλは下記式で表すことができる。
λ＝（λ_ｌ＋λ_ｈ）／２
Δλ＝（λ_ｈ−λ_ｌ）
上記のように求められる選択反射中心波長はコレステリック液晶層の法線方向から測定した円偏光反射スペクトルの反射ピークの重心位置にある波長と略一致する。

上記λ＝ｎ×Ｐの式から分かるように、螺旋構造のピッチを調節することによって、選択反射の中心波長を調整できる。偏光分離部位に用いられるコレステリック液晶層においては対応する有機電界発光層から入射する光（例えば、法線方向で入射する光）の反射のために必要とされる選択反射の波長において右円偏光または左円偏光のいずれか一方を選択的に反射するようにｎ値とＰ値を調節して、中心波長λを調節することができる。

すなわち、本発明の画像表示装置においては、用いられる有機電界発光層の発光スペクトルのピーク（極大値）が対応する偏光分離部位のコレステリック液晶層が有する選択反射の中心波長と略同一となるように調整すればよい。選択反射の中心波長と画像表示装置の画像表示のための有機電界発光層の発光ピークの波長を合わせることにより、有機電界発光層が発光した光のうち、１つの偏光状態の光を反射し、かつ他方の偏光状態の光を透過することができる。

なお、コレステリック液晶層に対して斜めに入射する光に対しては、選択反射の中心波長は短波長側にシフトする。屈折率ｎ_２のコレステリック液晶層中でコレステリック液晶層の法線方向（コレステリック液晶層の螺旋軸方向）に対して光線がθ_２の角度で通過するときの選択反射の中心波長をλ_ｄとするとき、λ_ｄは以下の式で表される。
λ_ｄ＝ｎ_２×Ｐ×ｃｏｓθ_２

コレステリック液晶層の平均屈折率ｎは重合性液晶化合物の種類などにより調整することができる。
コレステリック液晶相のピッチ（Ｐ値）は重合性液晶化合物とともに用いるキラル剤の種類、またはその添加濃度に依存するため、これらを調整することによって所望のピッチを得ることができる。なお、螺旋のセンスやピッチの測定法については「液晶化学実験入門」日本液晶学会編 シグマ出版２００７年出版、４６頁、および「液晶便覧」液晶便覧編集委員会 丸善 １９６頁に記載の方法を用いることができる。

本発明の画像表示装置において、偏光分離部位としては、有機電界発光層群における各有機電界発光層の発光の波長に対応した選択反射の中心波長を有するコレステリック液晶層を用いればよい。例えば、有機電界発光層群は、赤色発光の有機電界発光層、緑色発光の有機電界発光層、および青色発光の有機電界発光層を含むときは、それぞれに対応した配置で赤色光の波長域（例えば５８０ｎｍ〜７００ｎｍ）に選択反射の中心波長を有するコレステリック液晶層と、緑色光の波長域（例えば５００ｎｍ〜５８０ｎｍ）に選択反射の中心波長を有するコレステリック液晶層と、青色光の波長域（例えば４００ｎｍ〜５００ｎｍ）に選択反射の中心波長を有するコレステリック液晶層とを含んでいればよい。

また、本発明の画像表示装置においては偏光分離層の可視光透過領域として紫外光の波長域（例えば１０〜３８０ｎｍ）に選択反射の中心波長を有するコレステリック液晶層または赤外光の波長域（例えば７８０ｎｍ〜２５００ｎｍ）に選択反射の中心波長を有するコレステリック液晶層を用いてもよい。

各コレステリック液晶層としては、本発明の画像表示装置の円偏光板が透過する円偏光のセンスに合わせて螺旋のセンスが右または左のいずれかであるコレステリック液晶層が用いられる。具体的には円偏光板が透過する円偏光のセンスと同じセンスの円偏光を透過するコレステリック液晶相が用いられる。
コレステリック液晶層の反射円偏光のセンスは螺旋のセンスに一致する。偏光分離層に複数種のコレステリック液晶層が含まれるとき、それらの螺旋のセンスは通常全て同じであればよい。

上述のように、偏光分離部位の反射の波長域は対応する有機電界発光層の発光の波長域よりも広い。これは、偏光分離部位に含まれるコレステリック液晶層の選択反射の半値幅が有機電界発光層の発光スペクトルの半値幅より広いことにより達成されていればよい。

コレステリック液晶層の選択反射の半値幅Δλ（ｎｍ）は液晶化合物の複屈折Δｎと上記ピッチＰに依存し、Δλ＝Δｎ×Ｐの関係に従う。そのため、選択反射の半値幅の制御は、Δｎを調整して行うことができる。Δｎの調整は重合性液晶化合物の種類やその混合比率を調整したり、配向固定時の温度を制御したりすることで行うことができる。対応する有機電界発光層の発光の波長域よりも広い波長域の反射を示す偏光分離部位の形成のために、本発明の画像表示装置においては、後述する重合性液晶化合物または重合性液晶化合物の組み合わせを用いることも好ましい。

選択反射の中心波長が同一の１種のコレステリック液晶層の形成のために、周期Ｐが同じで、同じ螺旋のセンスのコレステリック液晶層を複数積層してもよい。周期Ｐが同じで、同じ螺旋のセンスのコレステリック液晶層を積層することによって特定の波長で円偏光選択性を高くすることができる。

（コレステリック液晶層の作製方法）
以下、コレステリック液晶層の作製方法について説明する。
コレステリック液晶層の形成には重合性液晶化合物を含む液晶組成物が用いられる。液晶組成物は、さらにキラル剤（光学活性化合物）を含んでいてもよい。必要に応じてさらに界面活性剤や重合開始剤などと混合して溶剤などに溶解した上記液晶組成物を、支持体、配向膜、下層となるコレステリック液晶層などに塗布し、配向熟成後、液晶組成物の硬化により固定化してコレステリック液晶層を形成することができる。

（重合性液晶化合物）
重合性液晶化合物としては、棒状液晶化合物であっても、円盤状液晶化合物であってもよいが、棒状液晶化合物が好ましい。
棒状の重合性液晶化合物の例としては、棒状ネマチック液晶化合物が挙げられる。棒状ネマチック液晶化合物としては、アゾメチン類、アゾキシ類、シアノビフェニル類、シアノフェニルエステル類、安息香酸エステル類、シクロヘキサンカルボン酸フェニルエステル類、シアノフェニルシクロヘキサン類、シアノ置換フェニルピリミジン類、アルコキシ置換フェニルピリミジン類、フェニルジオキサン類、トラン類およびアルケニルシクロヘキシルベンゾニトリル類が好ましく用いられる。かかる棒状液晶化合物は、低分子液晶化合物だけではなく、高分子液晶化合物も用いることができる。

重合性液晶化合物は、重合性基を液晶化合物に導入することで得られる。重合性基の例には、不飽和重合性基、エポキシ基、オキセタニル基、およびアジリジニル基が含まれ、不飽和重合性基が好ましく、エチレン性不飽和重合性基が特に好ましい。重合性基は種々の方法で、液晶化合物の分子中に導入できる。重合性液晶化合物が有する重合性基の個数は、好ましくは１〜６個、より好ましくは１〜３個である。重合性液晶化合物の例は、Ｍａｋｒｏｍｏｌ．Ｃｈｅｍ．，１９０巻、２２５５頁（１９８９年）、Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ ５巻、１０７頁（１９９３年）、米国特許第４６８３３２７号明細書、同５６２２６４８号明細書、同５７７０１０７号明細書、国際公開ＷＯ９５／２２５８６、ＷＯ９５／２４４５５、ＷＯ９７／００６００号公報、ＷＯ９８／２３５８０、ＷＯ９８／５２９０５、特開平１−２７２５５１号公報、同６−１６６１６号公報、同７−１１０４６９号公報、同１１−８００８１号公報、および特開２００１−３２８９７３号公報、特開２００９−６９７９３号公報、特開２０１０−１１３２４９号公報、および特開２０１１−２０３６３６号公報などに記載の化合物が含まれる。

また、上記以外の重合性液晶化合物として、特開昭５７−１６５４８０号公報に開示されているようなコレステリック液晶相を有する環式オルガノポリシロキサン化合物等を用いることができる。さらに、前述の高分子液晶化合物としては、液晶を呈するメソゲン基を主鎖もしくは側鎖、または主鎖及び側鎖の両方の位置に導入した高分子、コレステリル基を側鎖に導入した高分子コレステリック液晶、特開平９−１３３８１０号公報に開示されているような液晶性高分子、特開平１１−２９３２５２号公報に開示されているような液晶性高分子等を用いることができる。

重合性液晶化合物としては、重合条件の異なる２種類以上の反応性基を同一分子内に有する液晶化合物を用いることも好ましい。重合条件の異なる反応性基の組み合わせとしてはラジカル光重合性反応性基およびカチオン光重合性反応性基の組み合わせが挙げられる。

上述したように、偏光分離部位の反射の波長域が有機電界発光層の発光の波長域よりも広くなるようにするためには、高い屈折率異方性Δｎを示す液晶化合物を用いることが好ましい。上記の式（Δλ＝Δｎ×Ｐ）からわかるように、高い屈折率異方性Δｎを示す液晶化合物を用いることによって広い半値幅Δλを得ることができるからである。具体的には、液晶化合物の３０℃におけるΔｎは０．２５以上が好ましく、０．３以上がより好ましく、０．３５以上がさらに好ましい。上限は特に制限されないが、０．６以下の場合が多い。

屈折率異方性Δｎの測定方法としては、液晶便覧（液晶便覧編集委員会編、丸善株式会社刊）２０２頁に記載の楔形液晶セルを用いた方法が一般的であり、結晶化しやすい化合物の場合は、他の液晶との混合物による評価を行い、その外挿値から屈折率異方性Δｎを見積もることもできる。

高い屈折率異方性Δｎを示す液晶化合物としては、例えば、米国特許６５１４５７８号公報、特許３９９９４００号公報、特許４１１７８３２号公報、特許４５１７４１６号公報、特許４８３６３３５号公報、特許５４１１７７０号公報、特許５４１１７７１号公報、特許５５１０３２１号公報、特許５７０５４６５号公報、特許５７２１４８４号公報、および、特許５７２３６４１号公報等に記載の化合物が挙げられる。

本発明において用いられる好ましい重合性液晶化合物として以下の一般式（Ｉ）または（ＩＩ）で表される化合物が挙げられる。一般式（Ｉ）または（ＩＩ）で表される化合物は高い屈折率異方性Δｎを示す。

式中、
Ａは、置換基を有していてもよい２価の芳香環基を示し、
Ｌは単結合、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−、−ＯＣ（＝Ｏ）−、−ＮＨ−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＨ−、−ＣＨ＝ＣＨ−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−、および−ＯＣ（＝Ｏ）−ＣＨ＝ＣＨ−からなる群から選択される連結基を示し、
ｍは２〜１２の整数を示し、
Ｓｐ^１およびＳｐ^２はそれぞれ独立に、単結合、炭素数１から２０の直鎖もしくは分岐のアルキレン基、および炭素数１から２０の直鎖もしくは分岐のアルキレン基において１つまたは２つ以上の−ＣＨ_２−が−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＨ−、−Ｎ（ＣＨ_３）−、−Ｃ（＝Ｏ）−、−ＯＣ（＝Ｏ）−、または−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−で置換された基からなる群から選択される連結基を示し、
Ｑ^１およびＱ^２はそれぞれ独立に、重合性基を示す。

Ａは、置換基を有していてもよい２価の芳香環基である。２価の芳香環基は芳香環から２つの水素原子を除いて形成される基であり、芳香環としては、ベンゼン、ナフタレン、フラン、チオフェン、ピロール、ピラゾール、イミダゾール、ピリジン、ピリダジン、ピリミジン、ピラジンなどが挙げられる。２価の芳香環基としてはフェニレン基が好ましく、１，４−フェニレン基が特に好ましい。
ｍ個のＡおよびｍ−１個のＬはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。

２価の芳香環基において、「置換基を有していてもよい」というときの置換基は、特に限定されず、例えば、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アルキルエーテル基、アミド基、アミノ基、およびハロゲン原子ならびに、上記の置換基を２つ以上組み合わせて構成される基からなる群から選択される置換基が挙げられる。また、置換基の例としては、−Ｃ（＝Ｏ)−Ｘ^３−Ｓｐ^３−Ｑ^３で表される置換基が挙げられる。ここで、Ｘ^３は単結合、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＨ−、もしくは−Ｎ（ＣＨ_３)−を示し、Ｓｐ^３はＳｐ^１と同義であり、Ｑ^３は重合性基を示す。２価の芳香環基は、置換基を１〜４個有していてもよい。２個以上の置換基を有するとき、２個以上の置換基は互いに同一であっても異なっていてもよい。

本明細書において、アルキル基は直鎖状または分岐鎖状のいずれでもよい。アルキル基の炭素数は１〜３０が好ましく、１〜１０がより好ましく、１〜６が特に好ましい。アルキル基の例としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、１，１−ジメチルプロピル基、ｎ−ヘキシル基、イソヘキシル基、直鎖状または分岐鎖状のヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、またはドデシル基を挙げることができる。アルキル基に関する上記説明はアルキル基を含むアルコキシ基においても同様である。ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、及びヨウ素原子が挙げられる。

本明細書において、シクロアルキル基の炭素数は、３〜２０が好ましく、５〜１０がより好ましい。シクロアルキル基の例としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基を挙げることができる。

Ｌは単結合、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−、−ＯＣ（＝Ｏ）−、−ＮＨ−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＨ−、−ＣＨ＝ＣＨ−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−、および−ＯＣ（＝Ｏ）−ＣＨ＝ＣＨ−からなる群から選択される連結基を示す。Ｌは、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−、−ＯＣ（＝Ｏ）−、−ＮＨ−Ｃ（＝Ｏ）−、または−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＨ−であることが好ましい。ｍ個のＬはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。

ｍは２〜１２の整数を示し、３〜７であることが好ましく、３〜５であることがより好ましい。

Ｓｐ^１、Ｓｐ^２はそれぞれ独立に、単結合、炭素数１から２０の直鎖もしくは分岐のアルキレン基、および炭素数１から２０の直鎖もしくは分岐のアルキレン基において１つまたは２つ以上の−ＣＨ_２−が−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＨ−、−Ｎ（ＣＨ_３）−、−Ｃ（＝Ｏ）−、−ＯＣ（＝Ｏ）−、または−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−で置換された基からなる群から選択される連結基を示す。Ｓｐ^１およびＳｐ^２はそれぞれ独立に、両末端にそれぞれ−Ｏ−、−ＯＣ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−および−ＯＣ（＝Ｏ）Ｏ−からなる群から選択される連結基が結合した炭素数１から１０の直鎖のアルキレン基、−ＯＣ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−、−Ｏ−、および炭素数１から１０の直鎖のアルキレン基からなる群から選択される基を１または２以上組み合わせて構成される連結基であることが好ましく、両方の末端に−Ｏ−、−ＯＣ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−、および−ＯＣ（＝Ｏ）Ｏ−からなる群から選択される連結基がそれぞれ結合した炭素数１から１０の直鎖のアルキレン基であることがより好ましい。

Ｑ^１およびＱ^２はそれぞれ独立に、重合性基を示し、以下の式（Ｑ−１）〜式（Ｑ−５）で表される基からなる群から選択される重合性基を示すことが好ましい。

重合性基としては、アクリロイル基（式（Ｑ−１））、メタアクリロイル基（式（Ｑ−２））、オキセタニル基（式（Ｑ−５））が好ましい。Ｑ^１およびＱ^２の双方がアクリロイル基またはメタアクリロイル基である化合物、およびＱ^１およびＱ^２の何れか一方がアクリロイル基またはメタアクリロイル基であり他方がオキセタニル基である化合物がより好ましい。
一般式（Ｉ）で表される化合物は、特表平１１−５１３０１９号公報（ＷＯ９７／００６００）に記載の方法等で合成することができる。
以下に式（Ｉ）で示される重合性化合物の例を示すが、これらの例に限定されるものではない。

Ａ^１１〜Ａ^１４は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい２価の芳香族炭素基または２価の複素環基を表す。２価の芳香族炭素基は芳香族炭素環から２つの水素原子を除いて形成される基であり、２価の複素環基は複素環から２つの水素原子を除いて形成される基である。芳香族炭素環としては、ベンゼン環およびナフタレン環が挙げられる。複素環としては、フラン環、チオフェン環、ピロール環、ピロリン環、ピロリジン環、オキサゾール環、イソオキサゾール環、チアゾール環、イソチアゾール環、イミダゾール環、イミダゾリン環、イミダゾリジン環、ピラゾール環、ピラゾリン環、ピラゾリジン環、トリアゾール環、フラザン環、テトラゾール環、ピラン環、チイン環、ピリジン環、ピペリジン環、オキサジン環、モルホリン環、チアジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、ピペラジン環、および、トリアジン環が挙げられる。なかでも、Ａ^１１〜Ａ^１４は、２価の芳香族炭素基であることが好ましく、フェニレン基であることがより好ましく、１，４−フェニレン基であることがさらに好ましい。

芳香族炭素基または複素環基に置換してもよい置換基の種類は特に制限されず、例えば、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アルキル基、ハロゲン置換アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アシルオキシ基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基、アルキル置換カルバモイル基、および、炭素数が２〜６のアシルアミノ基が挙げられる。

Ｘ^１１およびＸ^１２は、それぞれ独立に、単結合、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯＮＨ−、−ＮＨＣＯ−、−ＣＨ₂ＣＨ₂−、−ＯＣＨ₂−、−ＣＨ₂Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−ＣＨ＝ＣＨ−または−Ｃ≡Ｃ−を表す。なかでも、単結合、−ＣＯＯ−、−ＣＯＮＨ−、−ＮＨＣＯ−または、−Ｃ≡Ｃ−が好ましい。
Ｙ^１１およびＹ^１２は、それぞれ独立に、単結合、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯＮＨ−、−ＮＨＣＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、または、−Ｃ≡Ｃ−を表す。なかでも、−Ｏ−が好ましい。
Ｓｐ^１１およびＳｐ^１２は、それぞれ独立に、単結合、または、炭素数１〜２５のアルキレン基を表す。アルキレン基は、直鎖状、分岐鎖状、および、環状のいずれでもよい。なかでも、炭素数１〜１０のアルキレン基がより好ましい。

Ｑ^１１およびＱ^１２は、それぞれ独立に、水素原子または重合性基を表し、Ｑ^１１およびＱ^１２の少なくとも一方は重合性基を表す。重合性基としては、式（Ｑ−１）〜式（Ｑ−５）で表される基からなる群から選択される重合性基が例示される。Ｑ^１１またはＱ^１２で表される重合性基としては、アクリロイル基（式（Ｑ−１））、メタアクリロイル基（式（Ｑ−２））が好ましい。
ｎ^１１およびｎ^１２はそれぞれ独立に０〜２の整数を表し、ｎ^１１またはｎ^１２が２の場合、複数あるＡ^１１、Ａ^１２、Ｘ^１１およびＸ^１２は同じであっても異なっていてもよい。

一般式（ＩＩ）で表される化合物の具体例としては、下記式（２−１）〜（２−３０）に示す化合物が挙げられる。

２種類以上の重合性液晶化合物を併用してもよい。２種類以上の重合性液晶化合物を併用すると、配向温度を低下させることができる。
また、重合条件の異なる２種類以上の反応性基を同一分子内に有する液晶化合物と、重合条件が同一である反応性基を同一分子内に２つ以上有する液晶化合物を併用すると、選択反射の反射帯域を広げることができ、より好ましい。具体的には、（メタ）アクリロイル基とオキセタニル基とを含む液晶化合物と（メタ）アクリロイル基を２つ含む液晶化合物との組み合わせが挙げられる。

液晶組成物中の重合性液晶化合物の添加量は、液晶組成物の固形分質量（溶媒を除いた質量）に対して、８０〜９９．９質量％であることが好ましく、８５〜９９．５質量％であることがより好ましく、９０〜９９質量％であることが特に好ましい。

（キラル剤：光学活性化合物）
コレステリック液晶層の形成に用いる材料はキラル剤を含んでいることが好ましい。キラル剤はコレステリック液晶相の螺旋構造を誘起する機能を有する。キラル化合物は、化合物によって誘起する螺旋のセンスまたは螺旋ピッチが異なるため、目的に応じて選択すればよい。
キラル剤としては、特に制限はなく、公知の化合物を用いることができる。キラル剤の例としては、液晶デバイスハンドブック（第３章４−３項、ＴＮ、ＳＴＮ用カイラル剤、１９９頁、日本学術振興会第１４２委員会編、１９８９）、特開２００３−２８７６２３号、特開２００２−３０２４８７号、特開２００２−８０４７８号、特開２００２−８０８５１号、特開２０１０−１８１８５２号または特開２０１４−０３４５８１号の各公報に記載の化合物が挙げられる。

キラル剤は、一般に不斉炭素原子を含むが、不斉炭素原子を含まない軸性不斉化合物あるいは面性不斉化合物もキラル剤として用いることができる。軸性不斉化合物または面性不斉化合物の例には、ビナフチル、ヘリセン、パラシクロファンおよびこれらの誘導体が含まれる。キラル剤は、重合性基を有していてもよい。キラル剤と液晶化合物とがいずれも重合性基を有する場合は、重合性キラル剤と重合性液晶化合物との重合反応により、重合性液晶化合物から誘導される繰り返し単位と、キラル剤から誘導される繰り返し単位とを有するポリマーを形成することができる。この態様では、重合性キラル剤が有する重合性基は、重合性液晶化合物が有する重合性基と同種の基であることが好ましい。従って、キラル剤の重合性基も、不飽和重合性基、エポキシ基またはアジリジニル基であることが好ましく、不飽和重合性基であることがさらに好ましく、エチレン性不飽和重合性基であることが特に好ましい。
また、キラル剤は、液晶化合物であってもよい。

キラル剤としては、イソソルビド誘導体、イソマンニド誘導体、またはビナフチル誘導体を好ましく用いることができる。イソソルビド誘導体としては、ＢＡＳＦ社製のＬＣ−７５６等の市販品を用いてもよい。
液晶組成物における、キラル剤の含有量は、重合性液晶化合物の総モル量に対して０．０１モル％〜２００モル％が好ましく、１モル％〜３０モル％がより好ましい。

（重合開始剤）
液晶組成物は、重合開始剤を含有していることが好ましい。紫外線照射により重合反応を進行させる態様では、使用する重合開始剤は、紫外線照射によって重合反応を開始可能な光重合開始剤であることが好ましい。光重合開始剤の例としては、ラジカル重合開始剤およびカチオン重合開始剤が挙げられる。

ラジカル重合開始剤の例には、α−カルボニル化合物（米国特許第２３６７６６１号、同２３６７６７０号の各明細書記載）、アシロインエーテル（米国特許第２４４８８２８号明細書記載）、α−炭化水素置換芳香族アシロイン化合物（米国特許第２７２２５１２号明細書記載）、多核キノン化合物（米国特許第３０４６１２７号、同２９５１７５８号の各明細書記載）、トリアリールイミダゾールダイマーとｐ−アミノフェニルケトンとの組み合わせ（米国特許第３５４９３６７号明細書記載）、アクリジンおよびフェナジン化合物（特開昭６０−１０５６６７号公報、米国特許第４２３９８５０号明細書記載）、アシルフォスフィンオキシド化合物（特公昭６３−４０７９９号公報、特公平５−２９２３４号公報、特開平１０−９５７８８号公報、特開平１０−２９９９７号公報、特開２００１−２３３８４２号公報、特開２０００−８００６８号公報、特開２００６−３４２１６６号公報、特開２０１３−１１４２４９号公報、特開２０１４−１３７４６６号公報、特許４２２３０７１号公報、特開２０１０−２６２０２８号公報、特表２０１４−５００８５２号公報記載）、オキシム化合物（特開２０００−６６３８５号公報、特許第４４５４０６７号明細書記載）、およびオキサジアゾール化合物（米国特許第４２１２９７０号明細書記載）等が挙げられる。例えば、特開２０１２−２０８４９４号公報の段落０５００〜０５４７の記載も参酌できる。

ラジカル重合開始剤としては、アシルフォスフィンオキシド化合物またはオキシム化合物を用いることが好ましい。
アシルフォスフィンオキシド化合物としては、例えば、市販品のＢＡＳＦジャパン（株）製のＩＲＧＡＣＵＲＥ８１９（化合物名：ビス（２，４，６−トリメチルベンゾイル）−フェニルフォスフィンオキサイド）を用いることができる。オキシム化合物としては、ＩＲＧＡＣＵＲＥ ＯＸＥ０１（ＢＡＳＦ社製）、ＩＲＧＡＣＵＲＥ ＯＸＥ０２（ＢＡＳＦ社製）、ＴＲ−ＰＢＧ−３０４（常州強力電子新材料有限公司製）、アデカアークルズＮＣＩ−８３１、アデカアークルズＮＣＩ−９３０（ＡＤＥＫＡ社製）、アデカアークルズＮＣＩ−８３１（ＡＤＥＫＡ社製）等の市販品を用いることができる。

カチオン重合開始剤としては、有機スルフォニウム塩系、ヨードニウム塩系、フォスフォニウム塩系等を例示することができ、有機スルフォニウム塩系が好ましく、トリフェニルスルフォニウム塩が特に好ましい。これら化合物の対イオンとしては、ヘキサフルオロアンチモネート、ヘキサフルオロフォスフェートなどが好ましく用いられる。

重合開始剤は、１種のみ用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
液晶組成物中の光重合開始剤の含有量は、重合性液晶化合物の含有量に対して０．１〜２０質量％であることが好ましく、０．５質量％〜５質量％であることがさらに好ましい。

（架橋剤）
液晶組成物は、硬化後の膜強度向上、耐久性向上のため、任意に架橋剤を含有していてもよい。架橋剤としては、紫外線、熱、湿気等で硬化するものが好適に使用できる。
架橋剤としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えばトリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート等の多官能アクリレート化合物；グリシジル（メタ）アクリレート、エチレングリコールジグリシジルエーテル等のエポキシ化合物；２，２−ビスヒドロキシメチルブタノール−トリス［３−（１−アジリジニル）プロピオネート］、４，４−ビス（エチレンイミノカルボニルアミノ）ジフェニルメタン等のアジリジン化合物；ヘキサメチレンジイソシアネート、ビウレット型イソシアネート等のイソシアネート化合物；オキサゾリン基を側鎖に有するポリオキサゾリン化合物；ビニルトリメトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）３−アミノプロピルトリメトキシシラン等のアルコキシシラン化合物などが挙げられる。これらのうち、多官能アクリレート化合物が好ましい。多官能アクリレート化合物としては、３〜６官能アクリレート化合物が好ましく、４〜６官能アクリレート化合物がより好ましい。また、架橋剤の反応性に応じて公知の触媒を用いることができ、膜強度および耐久性向上に加えて生産性を向上させることができる。これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。

液晶組成物中の架橋剤の含有量は、液晶組成物中の重合性液晶化合物１００質量部に対し、０質量部〜８．０質量部が好ましく、０．１質量部〜７．０質量部がより好ましく、０．２質量部〜５．５質量部がさらに好ましい。

（配向制御剤）
液晶組成物中には、安定的にまたは迅速にプレーナー配向するために寄与する配向制御剤を添加してもよい。配向制御剤の例としては特開２００７−２７２１８５号公報の段落〔００１８〕〜〔００４３〕等に記載のフッ素（メタ）アクリレート系ポリマー、特開２０１２−２０３２３７号公報の段落〔００３１〕〜〔００３４〕等に記載の式（Ｉ）〜（ＩＶ）で表される化合物などが挙げられる。
なお、配向制御剤としては１種を単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。

液晶組成物中における、配向制御剤の添加量は、重合性液晶化合物の全質量に対して０．０１質量％〜１０質量％が好ましく、０．０１質量％〜５．０質量％がより好ましく、０．０２質量％〜１．０質量％が特に好ましい。

（その他の添加剤）
その他、液晶組成物は、塗膜の表面張力を調整し厚みを均一にするための界面活性剤、および重合性モノマー等の種々の添加剤から選ばれる少なくとも１種を含有していてもよい。また、液晶組成物中には、必要に応じて、さらに重合禁止剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤、光安定化剤、色材、金属酸化物微粒子等を、光学的性能を低下させない範囲で添加することができる。

（溶媒）
液晶組成物の調製に使用する溶媒としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、有機溶媒が好ましく用いられる。
有機溶媒としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えばケトン類、アルキルハライド類、アミド類、スルホキシド類、ヘテロ環化合物、炭化水素類、エステル類、エーテル類などが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。これらの中でも、環境への負荷を考慮した場合にはケトン類が特に好ましい。

（塗布、配向、重合）
支持体、配向膜、１／４波長板、下層となるコレステリック液晶層などへの液晶組成物の塗布方法は、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ワイヤーバーコーティング法、カーテンコーティング法、押し出しコーティング法、ダイレクトグラビアコーティング法、リバースグラビアコーティング法、ダイコーティング法、スピンコーティング法、ディップコーティング法、スプレーコーティング法、スライドコーティング法などが挙げられる。また、別途支持体上に塗設した液晶組成物を転写することによっても実施できる。塗布した液晶組成物を加熱することにより、液晶分子を配向させる。コレステリック液晶層形成の際はコレステリック配向させればよく、１／４波長板形成の際は、ネマチック配向させることが好ましい。コレステリック配向の際、加熱温度は２００℃以下が好ましく、１３０℃以下がより好ましい。この配向処理により、重合性液晶化合物がフィルム面に対して実質的に垂直な方向に螺旋軸を有するようにねじれ配向している光学薄膜が得られる。ネマチック配向の際、加熱温度は５０℃〜１２０℃が好ましく、６０℃〜１００℃がより好ましい。

配向させた液晶化合物は、更に重合させ、液晶組成物を硬化することができる。重合は、熱重合、光照射を利用する光重合のいずれでもよいが、光重合が好ましい。光照射は、紫外線を用いることが好ましい。照射エネルギーは、２０ｍＪ／ｃｍ^２〜５０Ｊ／ｃｍ^２が好ましく、１００ｍＪ／ｃｍ^２〜１，５００ｍＪ／ｃｍ^２がより好ましい。光重合反応を促進するため、加熱条件下または窒素雰囲気下で光照射を実施してもよい。照射紫外線波長は３５０ｎｍ〜４３０ｎｍが好ましい。重合反応率は安定性の観点から高いことが好ましく、７０％以上が好ましく、８０％以上がより好ましい。重合反応率は、重合性の官能基の消費割合をＩＲ吸収スペクトルを用いて測定することにより、決定することができる。

個々のコレステリック液晶層の厚みは、上記特性を示す範囲であれば、特に限定はされないが、好ましくは１．０μｍ以上２０μｍ以下の範囲、より好ましくは２．０μｍ以上１０μｍ以下の範囲である。

（支持体）
液晶組成物は、支持体または支持体表面に形成された配向層の表面に塗布され層形成されていてもよい。支持体または支持体および配向層は、層形成後に剥離してもよい。例えば、層を発光素子基板に接着後に剥離してもよい。支持体の例としては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）などのポリエステル、ポリカーボネート、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン、ポリアミド、ポリオレフィン、セルロース誘導体、シリコーン、またはガラス板などが挙げられる。
支持体の厚みは５μｍ〜１０００μｍ程度であればよく、好ましくは１０μｍ〜２５０μｍ、より好ましくは１５μｍ〜１２０μｍであればよい。

（配向層）
コレステリック液晶層を形成する際、支持体上に直接もしくはその上に設けた配向層で液晶組成物の配向状態を規制することが好ましい。配向層は、光学異方性層に配向性を付与できるものであれば、どのような層でもよい。配向層の好ましい例としては、ポリマーなどの有機化合物（ポリイミド、ポリビニルアルコール、ポリエステル、ポリアリレート、ポリアミドイミド、ポリエーテルイミド、ポリアミド、変性ポリアミドなどの樹脂）のラビング処理された層、アゾベンゼンポリマーやシンナメートポリマーに代表される偏光照射により液晶の配向性を発現する光配向層、無機化合物の斜方蒸着層、およびマイクログルーブを有する層、さらにω−トリコサン酸、ジオクタデシルメチルアンモニウムクロライドおよびステアリル酸メチル等のラングミュア・ブロジェット法（ＬＢ膜）により形成される累積膜、あるいは電場あるいは磁場の付与により誘電体を配向させた層を挙げることができる。配向層としてはラビングの態様ではポリビニルアルコールを含むことが好ましく、配向層の上または下の少なくともいずれか１層と架橋できることが特に好ましい。具体的には、特開２００９−６９７９３号公報、特開２０１０−１１３２４９号公報、および特開２０１１−２０３６３６号公報に記載の配向層を利用することができる。また、光配向層も、好適に用いることができる。光配向層を用いると、微小異物による配向欠陥の発生が抑えられ、微細な形状であっても高い光学的性能でコレステリック液晶層を形成することができるからである。例えば、特開２０１５−２６０５０号公報に記載の液晶配向剤(例えば、エポキシ含有ポリオルガノシロキサンを含む液晶配向剤)を用いることができる。配向層の配向規制力を十分に発揮させるために、塗布した液晶組成物の温度を制御して、所望の相を発現させる処理（配向処理）を行ってもよい。
配向層の厚みは０．０１μｍ〜５．０μｍであることが好ましく、０．０５μｍ〜２．０μｍであることがさらに好ましい。

（パターニング方法）
異なる波長において偏光分離を示す複数種の偏光分離部位を含む偏光分離層の形成のために、コレステリック液晶層をパターニングにより形成することができる。発光素子基板の各有機電界発光層の発光波長に対応して、選択反射波長を調整したパターン状のコレステリック液晶層を用いることで、光利用効率をより高めることができる。パターニング方法によってコレステリック液晶層を形成することにより、偏光分離層における偏光分離部位および可視光透過領域の形成、およびマトリクス状に配置された偏光分離部位の形成も行なうことができる。

パターニング方法としては、溶剤現像による方法や光異性化キラル剤を用いる方法（特開２００１−１５９７０６号公報）、予め配向固定し、コレステリック液晶層をレーザーやサーマルヘッドを用いて転写する方法（特開２００１−４８２２号公報、特開２００１−４８２４公報）、インクジェット法（特開２００１−１５９７０９号公報）、コレステリックの螺旋ピッチの温度依存性を利用する方法（特開２００１−１５９７０８号公報）、領域間で液晶組成物の硬化の際の紫外線照射量を段階的に変化させる方法などが挙げられる。

一例として、光異性化キラル剤を用いる方法は以下のように行なうことができる。光異性化キラル剤を含む液晶組成物を用いて、まず、紫外光波長域に選択反射の中心波長を有するコレステリック液晶層を全面形成する。その後、パターン露光（紫外線照射）により、コレステリック液晶層の一部を、紫外光波長域または赤外光波長域に選択反射の中心波長を有する状態で固定化し、可視光透過領域を形成する。続いて形成したい選択反射の中心波長を有する領域それぞれに応じて適切な光量でキラル剤の吸収波長の光を各領域に選択的に照射する。これにより、キラル剤を異性化し、それぞれの領域に応じた螺旋構造のピッチを得る。最後に全面に紫外線照射することにより、各領域の配向を固定化し、ひとつの層内に可視光透過領域と、所望の波長域に選択反射の中心波長を有するコレステリック液晶層のパターンを有する偏光分離層を形成することができる。

パターニング方法においては、上述のようにパターン露光を行なうことができる。
パターン露光の手法としてはマスクを用いたコンタクト露光、プロキシ露光、投影露光などが挙げられる。上記露光の光源の照射波長としては２５０〜４５０ｎｍにピークを有することが好ましく、３００〜４１０ｎｍにピークを有することがさらに好ましい。具体的には、超高圧水銀灯、高圧水銀灯、メタルハライドランプ、青色レーザー等が挙げられる。好ましい露光量としては通常３〜２０００ｍＪ／ｃｍ^２程度であり、より好ましくは５〜１０００ｍＪ／ｃｍ^２程度、さらに好ましくは１０〜５００ｍＪ／ｃｍ^２程度、最も好ましくは１０〜１００ｍＪ／ｃｍ^２程度である。
用いる材料に応じて、パターン露光の代わりにまたはパターン加熱を行なってもよい。パターン加熱の手法としては加温したパターニングプレートを用いたコンタクト加熱、赤外レーザーによる加熱などを用いることができる。
また、この両方を組み合わせてもよい。

パターン露光を用い、以下のように複数層で構成される偏光分離層を形成することもできる。
すなわち、第一の液晶組成物から形成された層にパターン露光を行った後、その上に新たな第二の液晶組成物から形成された層を形成または転写し、その後に別のパターン露光を行うことができる。さらに、その上に新たな第三の液晶組成物から形成された層を形成または転写し、その後に別のパターン露光を行うことができる。

第一の液晶組成物、第二の液晶組成物、および第三の液晶組成物は同一の組成物に由来するものであってもよいし、異なる組成物に由来するものであってもよい。キラル剤の濃度のみが異なる３種の液晶組成物を用いることも好ましい。

パターン露光された液晶組成物の層に対して５０℃以上４００℃以下、好ましくは８０℃以上２００℃以下で加熱を行うことにより未露光部を光学的に等方性にすることができる。このようにすることによりパターン状にコレステリック液晶層を有する層を形成することができる。光学的に等方性となる領域を偏光分離部位を区分するように形成し、可視光透過領域としてもよい。赤色光の波長域に選択反射の中心波長を有するコレステリック液晶層と、緑色光の波長域に選択反射の中心波長を有するコレステリック液晶層と、青色光の波長域に選択反射の中心波長を有するコレステリック液晶層とにつき、発光素子基板の有機電界発光層の発色の色に応じた波長域となるように、それぞれパターン状にコレステリック液晶層を有する層を形成し、それらを複数積層することにより、偏光分離層を形成することができる。

パターン露光、およびパターン状のコレステリック液晶層（光学異方性層）の形成については、特開２００９−６９７９３号公報、特開２０１０−１１３２４９号公報、および特開２０１１−２０３６３６号公報の記載を参照することができる。

（保護層（添加剤層））
特に、液晶組成物を用いてパターン状に偏光分離部位を有する偏光分離層を形成する場合などにおいて、保護層を用いてもよい。保護層は液晶組成物を仮硬化した後に残る未反応の反応性基による重合反応を開始させる機能を有する重合開始剤を少なくとも一種以上含んでいればよい。コレステリック液晶層と保護層は直接接していることが好ましい。重合開始剤を含む保護層の構成としては特に限定は無いが、重合開始剤以外に少なくとも１種のポリマーを含むことが好ましい。

ポリマー（本発明においては別名として「バインダ」と呼ぶことがある。）としては、特に限定は無いがポリメチル（メタ）アクリレート、（メタ）アクリル酸とその各種エステルの共重合体、ポリスチレン、スチレンと（メタ）アクリル酸あるいは各種（メタ）アクリル酸エステルの共重合体、ポリビニルトルエン、ビニルトルエンと（メタ）アクリル酸あるいは各種（メタ）アクリル酸エステルの共重合体、スチレン／ビニルトルエン共重合体、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリ酢酸ビニル、酢酸ビニル／エチレン共重合体、酢酸ビニル／塩化ビニル共重合体、ポリエステル、ポリイミド、カルボキシメチルセルロース、ポリエチレン、ポリプロピレンおよびポリカーボネート等を挙げることができる。好ましい例としてはメチル（メタ）アクリレートと（メタ）アクリル酸との共重合体、アリル（メタ）アクリレートと（メタ）アクリル酸の共重合体、ベンジル（メタ）アクリレートと（メタ）アクリル酸と他のモノマーとの多元共重合体などを挙げることができる。これらのポリマーは単独で用いてもよく、複数種を組み合わせて使用してもよい。全固形分に対するポリマーの含有量は２０〜９９質量％が一般的であり、４０〜９９質量％が好ましく、６０〜９８質量％がより好ましい。

（偏光分離層の作製方法）
コレステリック液晶層を含む偏光分離層は有機電界発光層上で形成してもよく、別途形成した偏光分離層または偏光分離層を含む積層体を有機電界発光層上に積層してもよい。典型的には、有機電界発光層群を含む発光素子基板上に偏光分離層を形成し、さらにその上に円偏光板を形成するか、または、上記偏光分離層および円偏光板の積層体を作製し、その後この積層体を有機電界発光層群を含む発光素子基板上に設けることが好ましく、後者がより好ましい。

［ポジティブＣ領域含有層］
本発明の有機ＥＬ画像表示装置はポジティブＣ領域含有層を含む。本明細書において、ポジティブＣ領域とは、光学的にポジティブＣ性能となる領域のことであり、層の厚み方向をｚ軸とし、層の面内方向をｘｙ平面としたときのそれぞれの屈折率Ｎｘ、ＮｙおよびＮｚが、Ｎｚ＞Ｎx＝Ｎyの関係で示される屈折率楕円体で表現される光学特性を持つ領域である。ポジティブＣ領域含有層は、ポジティブＣ領域からなる層、すなわち、単一のポジティブＣプレートであってもよく、ｘｙ平面内に、ポジティブＣ領域と光学的に等方性の領域との両方を含む層であってもよく、さらにその他の光学特性を持つ領域を含む層であってもよい。

偏光分離層にコレステリック液晶層を含む有機ＥＬ画像表示装置において、さらにポジティブＣ領域含有層を設けることにより、斜め観察時の光漏れを低減することができる。選択反射波長域に該当しない可視光領域の波長において正のＲｔｈを示すコレステリック液晶層を負のＲｔｈを示すポジティブＣ領域が光学補償するためと考えられる。

本発明者らは、さらにコレステリック液晶相を固定して形成された偏光分離領域と光学的に等方性である領域とを含む偏光分離層を含む本発明の有機ＥＬ画像表示装置において、ポジティブＣ領域含有層がポジティブＣ領域からなる層からなる層である場合、ポジティブＣ領域の波長Ｘにおける膜厚方向のレターデーションＲｔｈ（Ｘ）の絶対値が、偏光分離領域の波長Ｘにおける膜厚方向のレターデーションＲｔｈ−Ｃｈ（Ｘ）の絶対値と可視光透過領域の波長ＸにおけるレターデーションＲｔｈ−Ｔ（Ｘ）の絶対値との間の任意の値とすることにより、斜め観察時の光漏れや色付きが低減することを見出した。ここで、Ｘは可視光領域の任意の波長である（例えば５５０ｎｍ）。

Ｒｔｈ−Ｃｈ（Ｘ）とＲｔｈ−Ｔ（Ｘ）とが異なる場合、それぞれ光学補償に必要とされるポジティブＣ領域のＲｔｈ（Ｘ）が異なるため、絶対値を両者の絶対値の間に挟まれる値に設定することで、両領域の光漏れが低減できるためと考えられる。このとき、ポジティブＣ領域のＲｔｈ（Ｘ）の絶対値は、上記Ｒｔｈ−Ｃｈ（Ｘ）の絶対値とＲｔｈ−Ｔ（Ｘ）の絶対値との間の任意の値であればよいが、上記Ｒｔｈ−Ｃｈ（Ｘ）の絶対値とＲｔｈ−Ｔ（Ｘ）の絶対値の平均値±２０ｎｍであることが好ましく、平均値±１０ｎｍであることがより好ましい。

可視光透過領域が偏光分離領域作製のための組成物と同一の組成物を用いて作製されており、かつ、紫外光波長域または赤外光波長域に選択反射帯域を有するコレステリック液晶層である場合、Ｒｔｈ−Ｃｈ（Ｘ）とＲｔｈ−Ｔ（Ｘ）とは略等しいため、Ｒｔｈ−Ｃｈ（Ｘ）の絶対値とＲｔｈ−Ｔ（Ｘ）の絶対値との中間の値もそれらと等しくなる。したがって、ポジティブＣ領域のＲｔｈ（Ｘ）の絶対値はＲｔｈ−Ｃｈ（Ｘ）の絶対値（およびＲｔｈ−Ｔ（Ｘ）の絶対値）と等しいことが好ましい。この構成で、最も効果的に光漏れを低減することが可能となるからである。

さらに、本発明の画像表示装置において、偏光分離層が光学的に等方性の可視光透過領域を含むとき、ポジティブＣ領域含有層は、ポジティブＣ領域とともに、偏光分離層の可視光透過領域に対応して光学的に等方性の領域を含むことが好ましい。このような構成により、上記光学補償を必要な領域のみで行なうことができ、反射率等に影響を与えることなく斜め観察時の光漏れや色付きの低減の効果が得られる。このときのポジティブＣ領域のＲｔｈ（Ｘ）の絶対値は、Ｒｔｈ−Ｃｈ（Ｘ）の絶対値と等しいことが好ましい。この構成で、特に効果的に光漏れを低減することが可能となるからである。また、特に偏光分離層がマトリクス状に配置された偏光分離部位を含み、可視光透過領域が光学的に等方性であるとき、これに対応して、ポジティブＣ領域含有層において、ポジティブＣ領域がマトリクス状であることがより好ましい。

ポジティブＣ領域含有層の膜厚は、０．３〜３．０μｍが好ましく、０．５〜２．８μｍがより好ましく、０．９〜２．５μｍがさらに好ましく、１．０〜１．５μｍが最も好ましい。

ポジティブＣ領域においては、液晶化合物がホメオトロピック配向をしている。ホメオトロピック配向とは、液晶化合物の分子長軸が膜面に対して垂直方向に配向している状態を意味する。ポジティブＣ領域は、スメクチック相またはネマチック相を示すことが好ましく、スメクチック相を示すことがより好ましい。スメクチック相であると液晶分子の重心位置が揃った高秩序のレイヤー構造を取るためホメオトロピック配向を取り易く、基材の層形成面(下地面)の配向規制力が弱い場合であっても良好なホメオトロピック配向の液晶層を得ることができる。

また、ポジティブＣ領域は、−５≦Ｒｅ（５５０）≦５（｜Ｒｅ（５５０）｜≦５）を満たすことが好ましく、−３≦Ｒｅ（５５０）≦３（｜Ｒｅ（５５０）｜≦３）を満たすことがより好ましい。
また、ポジティブＣ領域は、−２５０≦Ｒｔｈ（５５０）≦−７０を満たすことが好ましく、−２３０≦Ｒｔｈ（５５０）≦−１３０を満たすことがより好ましい。

[ポジティブＣ領域含有層形成用組成物]
ポジティブＣ領域含有層は液晶化合物Ｃを含むポジティブＣ領域含有層形成用組成物の硬化物からなる。本明細書において、液晶化合物ＣはポジティブＣ領域含有層形成用組成物に含まれる全ての液晶化合物を示し、１つの液晶化合物からなるものであっても２種以上の液晶化合物の混合物であってもよい。

ポジティブＣ領域含有層形成用組成物は、液晶化合物Ｃを含み、さらに、必要に応じて、重合開始剤、溶剤等が配合される。ポジティブＣ領域含有層形成用組成物は、さらに、後述の垂直配向剤を含むことが好ましい。

（液晶化合物Ｃ）
液晶化合物Ｃとしては、棒状液晶化合物が好ましい。液晶化合物Ｃは、スメクチック相またはネマチック相の液晶状態を呈する液晶化合物が好ましく、製造条件等の観点からネマチック相の液晶状態を呈する液晶化合物を用いてもよく、前述の観点からスメクチック相の液晶状態を呈する液晶化合物を用いてもよい。
液晶化合物Ｃとしては、従来公知のいずれの液晶化合物を用いてもよく、上記のコレステリック液晶層形成用の液晶化合物と同様の液晶化合物を用いることもできる。
また、液晶化合物Ｃは、下記一般式（ＩＡ）で表される化合物および下記一般式（ＩＩＡ）で表される化合物からなる群より選択される少なくとも１種の化合物を含有することが好ましい。

一般式（ＩＡ）および一般式（ＩＩＡ）中、Ｒ^１０１〜Ｒ^１０４は、各々独立に、−（ＣＨ_２）_ｎ−ＯＯＣ−ＣＨ＝ＣＨ_２を表し、ｎは２〜８の整数を表す。Ｘ_１０１およびＹ_１０１は各々独立に、水素原子またはメチル基を表す。
結晶析出を抑止する観点から、一般式（ＩＡ）または（ＩＩＡ）において、Ｘ_１０１およびＹ_１０１がメチル基を表すことが好ましい。液晶としての性質を示す観点から、ｎは４〜８の整数であることが好ましい。

ポジティブＣ領域含有層形成用組成物における液晶化合物Ｃの量は、全固形分の５０〜９８質量％が好ましく、７０〜９５質量％がより好ましい。

（垂直配向剤）
ポジティブＣ領域含有層形成用組成物は、垂直配向剤を含んでいることが好ましい。垂直配向剤は、ボロン酸化合物および／またはオニウム塩を用いることが好ましい。
ボロン酸化合物の具体例としては、下記式で表される化合物が挙げられる。

式中、Ｒ^５１およびＲ^５２はそれぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の、脂肪族炭化水素基、アリール基、またはヘテロ環基を表す。Ｒ^５３は、（メタ）アクリル基と結合し得る官能基を含む置換基を表す。
ボロン酸化合物の具体例としては、特開２００８−２２５２８１号公報の段落番号００２３〜００３２に記載の一般式（Ｉ）で表されるボロン酸化合物を用いることができる。また、下記に示すボロン酸化合物も好ましく用いられる。

オニウム塩の具体例としては、下記式で表される化合物が挙げられる。

式中、環Ａは含窒素複素環からなる第４級アンモニウムイオンを表し、Ｘ^５１はアニオンを表し；Ｌ^５１は二価の連結基を表し；Ｌ^５２は単結合または二価の連結基を表し；Ｙ^５１は５または６員環を部分構造として有する２価の連結基を表し；Ｚは２〜２０のアルキレン基を部分構造として有する２価の連結基を表し；Ｐ^５１およびＰ^５２はそれぞれ独立に重合性エチレン性不飽和基を有する一価の置換基を表す。
オニウム塩の例の具体例としては、特開２０１２−２０８３９７号公報の段落番号００５２〜００５８に記載のオニウム塩、特開２００８−０２６７３０号公報の段落番号００２４〜００５５に記載のオニウム塩、特開２００２−３７７７７号公報に記載のオニウム塩が挙げられる。

垂直配向剤は、ポジティブＣ領域含有層形成用組成物に含まれる液晶化合物の総質量に対し、０．１〜５質量％が好ましく、０．５〜３質量％がより好ましい。垂直配向剤は、１種類のみ含んでいてもよく、２種類以上含んでいてもよい。２種類以上含む場合、その合計量が上記範囲となる。

さらに、ポジティブＣ領域含有層形成用組成物は、重合開始剤、非液晶性の重合性化合物、溶剤、その他の添加剤等を含んでいてもよい。これらの詳細は、コレステリック液晶層形成用の液晶組成物に関する記載を参酌できる。ただし、ポジティブＣ領域含有層形成用組成物はキラル剤を含まないことが好ましい。

（ポジティブＣ領域含有層の製造方法）
ポジティブＣ領域含有層は、支持体または支持体上に設けられた配向膜表面に、ポジティブＣ含有層形成用組成物を塗布することによって形成することができる。ポジティブＣ領域含有層は公知の方法によって製造することができる。

また、光学的に等方性の領域を含むポジティブＣ領域含有層、特にポジティブＣ領域と可視光透過領域とがマトリクス状に配置されているポジティブＣ領域含有層の形成については、上述のパターニング方法を参酌できる。このようなポジティブＣ領域含有層は、例えば、パターン露光されたポジティブＣ領域含有層形成用組成物の層に対して、上述のように５０℃以上４００℃以下、好ましくは８０℃以上２００℃以下で加熱を行うことにより未露光部を光学的に等方性にする方法で形成することができる。

［円偏光板］
円偏光板は、有機ＥＬ画像表示装置における、外光の映り込みの低減およびコントラスト向上のために有機電界発光層の画像表示側に設けられるものである。円偏光板としては、有機ＥＬ画像表示装置において用いられる円偏光板として公知の円偏光板を用いることができる。

円偏光板は、位相差層と偏光層を含む。円偏光板は、接着層、表面保護層などの他の層を有していてもよい。本発明の画像表示装置において、円偏光板は、偏光分離層、位相差層および偏光層がこの順となるように配置される。円偏光板は、位相差層と偏光層からなっていてもよい。位相差層は、１／４波長板からなることが好ましく、偏光層は直線偏光板からなることが好ましい。

（偏光層）
直線偏光板はこれを通過する光のうち特定の直線偏光は透過し、これと直交する直線偏光は吸収するものである。直線偏光板としては、例えばポリビニルアルコールにヨウ素を吸収させて延伸させ、偏光機能を付与した膜の両面にトリアセチルセルロースの保護層を施したもの、あるいは、ポリビニルアルコールにＡｇ等の金属ナノロッドを添加し、延伸させたものなどを用いることができる。

（位相差層）
有機ＥＬ画像表示装置において用いられる円偏光板中の位相差層は、可視光領域において１／４波長板として機能する位相差層であればよい。本明細書において、１／４波長板をλ／４板ということもある。
１／４波長板の例としては、一層型の１／４波長板、１／４波長板と１／２波長位相差板とを積層した広帯域１／４波長板などが挙げられる。

前者の１／４波長板の正面レターデーションは画像表示装置の発光波長の１／４の長さであればよい。それゆえに、例えば画像表示装置の発光波長が４５０ｎｍ、５３０ｎｍ、６４０ｎｍの場合は、４５０ｎｍの波長で１１２．５ｎｍ±１０ｎｍ、好ましくは１１２．５ｎｍ±５ｎｍ、より好ましくは１１２．５ｎｍ、５３０ｎｍの波長で１３２．５ｎｍ±１０ｎｍ、好ましくは１３２．５ｎｍ±５ｎｍ、より好ましくは１３２．５ｎｍ、６４０ｎｍの波長で１６０ｎｍ±１０ｎｍ、好ましくは１６０ｎｍ±５ｎｍ、より好ましくは１６０ｎｍの位相差であるような逆波長分散性の位相差層が１／４波長板として最も好ましいが、正面レターデーションの波長分散性の小さい位相差板や順波長分散性の位相差板も用いることができる。なお、逆波長分散性とは長波長になるほど正面レターデーションの絶対値が大きくなる性質を意味し、順波長分散性とは短波長になるほど正面レターデーションの絶対値が大きくなる性質を意味する。

積層型の１／４波長板は、１／４波長板と１／２波長位相差板とをその遅相軸を６０°の角度で貼り合わせ、１／２波長位相差板側を直線偏光の入射側に配置して、かつ１／２波長位相差板の遅相軸を入射直線偏光の偏光面に対して１５°または７５°に交差して使用するもので、位相差の逆波長分散性が良好なため好適に用いることができる。

１／４波長板としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。例えば、石英板、延伸されたポリカーボネートフィルム、延伸されたノルボルネン系ポリマーフィルム、炭酸ストロンチウムのような複屈折を示す無機粒子を含有して配向させた透明フィルム、支持体上に無機誘電体を斜め蒸着した薄膜などが挙げられる。

１／４波長板としては、例えば、（１）特開平５−２７１１８号公報、および特開平５−２７１１９号公報に記載された、正面レターデーションが大きい複屈折性フィルムと、正面レターデーションが小さい複屈折性フィルムとを、それらの光軸が直交するように積層させた位相差板、（２）特開平１０−６８８１６号公報に記載された、特定波長においてλ／４波長となっているポリマーフィルムと、それと同一材料からなり同じ波長においてλ／２波長となっているポリマーフィルムとを積層させて、広い波長域でλ／４波長が得られる位相差板、（３）特開平１０−９０５２１号公報に記載された、二枚のポリマーフィルムを積層することにより広い波長域でλ／４波長を達成できる位相差板、（４）国際公開第００／２６７０５号パンフレットに記載された変性ポリカーボネートフィルムを用いた広い波長域でλ／４波長を達成できる位相差板、（５）国際公開第００／６５３８４号パンフレットに記載されたセルロースアセテートフィルムを用いた広い波長域でλ／４波長を達成できる位相差板などが挙げられる。
１／４波長板としては、市販品を用いることもでき、市販品としては、例えば商品名：ピュアエース（登録商標）ＷＲ（帝人株式会社製、ポリカーボネートフィルム）などが挙げられる。

１／４波長板としては、重合性液晶化合物、高分子液晶化合物を配列させて固定して形成したものも好ましい。例えば、１／４波長板は、支持体、または配向膜に液晶組成物を塗布し、そこで液晶組成物中の重合性液晶化合物を液晶状態においてネマチック配向に形成後、光架橋や熱架橋によって固定化して、形成することができる。１／４波長板は、高分子液晶化合物を含む組成物を、支持体、または配向膜表面に液晶組成物を塗布して液晶状態においてネマチック配向に形成後、冷却することによって配向を固定化して得られる層であってもよい。

１／４波長板形成のための重合性液晶化合物としては、上記ポジティブＣ領域含有層の作製に用いられるものと同様の棒状液晶化合物、あるいはＷＯ２０１４／０７３６１６に記載の円盤状液晶化合物を用いることができる。

１／４波長板は、液晶化合物がホモジニアス配向をしているＡプレートを含むことも好ましい。ホモジニアス配向とは、液晶化合物の分子長軸が膜面に対し水平方向に配向している状態を意味する。ポジティブＡプレートは、スメクチック相を示すことが好ましい。なお、本明細書において、スメクチック相とは、一方向にそろった分子が層構造を有している状態をいう。また、ネマチック相とは、その構成分子が配向秩序を持つが、三次元的な位置秩序を持たない状態をいう。
一層型の１／４波長板として、逆波長分散性のＡプレートを用いることも好ましい。

［発光素子基板］
発光素子基板は少なくとも、反射層および有機電界発光層を含む。通常、発光素子基板は、ガラスなどの表面に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）などにより形成された画素構造を有するＴＦＴ基板上に反射層および有機電界発光層を含むものであればよい。有機電界発光層は通常ＴＦＴ基板上にマトリクス状に配置された有機電界発光層群として含まれることが好ましい。

単色発光の画像表示装置においては、有機電界発光層群に含まれる有機電界発光層はいずれも同じ波長の光を発光していればよい。一方、通常は、有機電界発光層群は、互いに異なる波長の光を発光する有機電界発光層を含むことが好ましく、２種以上の有機電界発光層、特に３種以上の有機電界発光層を含むことがより好ましい。有機電界発光層群は、赤色発光の有機電界発光層、緑色発光の有機電界発光層、および青色発光の有機電界発光層を含むことが好ましい。

有機電界発光層は、少なくとも発光層を有し、さらに発光層以外の機能層として、正孔輸送層、電子輸送層、正孔ブロック層、電子ブロック層、正孔注入層、電子注入層等の各層を含んでいてもよい層を意味する。有機電界発光層は特開２０１６−１３９３７２号公報に記載のマイクロキャビティ構造の有機電界発光層を用いてもよい。

発光素子基板において、ＴＦＴ基板、反射層および有機電界発光層がこの順に配置されているとき、画像表示装置はトップエミッション方式で光を取り出して画像表示できる。発光素子基板において、ＴＦＴ基板、有機電界発光層および反射層がこの順に配置されているとき、画像表示装置はボトムエミッション方式で光を取り出して画像表示できる。本発明の画像表示装置はトップエミッション方式でもボトムエミッション方式でもよいがトップエミッション方式であることが好ましい。

反射層は例えば反射電極であればよい。反射電極としては、有機電界発光装置に一般的に用いられているアルミニウム電極を用いることができる。発光素子基板はさらにＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）電極などの透明電極を含む。発光素子基板における層構成の例としては、以下が挙げられる。
ＴＦＴ基板／反射電極／有機電界発光層／透明電極
ＴＦＴ基板／透明電極／有機電界発光層／反射電極

発光素子基板はさらに有機電界発光層の封止のためのバリア層、光取り出し層などを含んでいてもよい。

有機電界発光層、有機電界発光層中の各層、透明電極と反射電極の作製材料や構成、積層順、および発光素子基板の構成については、特開２０１２−１５５１７７号公報の段落００８１〜０１２２の記載、特許第４０１１２９２号公報、特開２０１６−１３９３７２号公報を参照することができる。

［接着層］
本発明の画像表示装置は、各層の接着のための接着層を含んでいてもよい。接着層形成に用いられる接着剤または粘着剤としては硬化方式の観点からホットメルトタイプ、熱硬化タイプ、光硬化タイプ、反応硬化タイプ、硬化の不要な感圧接着タイプがあり、それぞれ素材としてアクリレート系、ウレタン系、ウレタンアクリレート系、エポキシ系、エポキシアクリレート系、ポリオレフィン系、変性オレフィン系、ポリプロピレン系、エチレンビニルアルコール系、塩化ビニル系、クロロプレンゴム系、シアノアクリレート系、ポリアミド系、ポリイミド系、ポリスチレン系、ポリビニルブチラール系などの化合物を使用することができる。作業性、生産性の観点から、硬化方式として光硬化タイプ、特に紫外線硬化タイプが好ましく、光学的な透明性、耐熱性の観点から、素材はアクリレート系、ウレタンアクリレート系、エポキシアクリレート系などを使用することが好ましい。

接着層は、高透明性接着剤転写テープ（ＯＣＡテープ）であってもよい。特に有機電界発光素子基板とその上に設けられるフィルム（偏光分離層を含む積層体など）との接着には、ＯＣＡテープを用いることが好ましい。高透明性接着剤転写テープとしては、画像表示装置用の市販品、特に画像表示装置の画像表示部表面用の市販品を用いればよい。市販品の例としては、パナック株式会社製の粘着シート（ＰＤ−Ｓ１など）、日栄化工株式会社のＭＨＭシリーズの粘着シートなどが挙げられる。

接着層の厚みは、０．１μｍ〜１０μｍであることが好ましく、０．５μｍ〜５．０μｍであることがより好ましい。

＜有機ＥＬ画像表示装置の作製方法＞
有機ＥＬ画像表示装置は、発光素子基板上に、ポジティブＣ領域含有層および偏光分離層をいずれかの順で設け、その上に別途形成した円偏光板を位相差層側の面で接着することにより製造してもよく、または、円偏光板上の位相差層側にポジティブＣ領域含有層および偏光分離層をいずれかの順で設け、その面で、発光素子基板に接着することにより、作製してもよい。ポジティブＣ領域含有層および偏光分離層のいずれか一方を発光素子基板上に、他方を円偏光板上に設けて、その後両者を接着してもよい。発光素子基板として反射層上に有機電界発光層がマトリクス状に配置された有機電界発光層群を含むものを用いるとき、偏光分離部位が有機電界発光層に対応してマトリクス状に配置されている偏光分離層を用いることが好ましい。有機電界発光層群および偏光分離領域は、各有機電界発光層および偏光分離部位が対応するように位置合わせを行なって、積層、接着等を行なえばよい。さらにマトリクス状に配置されている偏光分離部位を含む偏光分離層に対応してポジティブＣ領域がマトリクス状に配置されているポジティブＣ領域含有層を用いる場合は、各偏光分離部位およびポジティブＣ領域が対応するように位置合わせを行なって、積層、接着等を行なえばよい。

有機電界発光層群が２種以上の波長の光を発光する有機電界発光層を含むとき、各有機電界発光層に対応する偏光分離部位が、それぞれ対応する位置に配置されている有機電界発光層が発光する波長域で１つの偏光状態の光を反射するように、偏光分離部位を配置した偏光分離層を用意して接着すればよい。

以下に実施例を挙げて本発明をさらに具体的に説明する。以下の実施例に示す材料、試薬、物質量とその割合、操作等は本発明の趣旨から逸脱しない限り適宜変更することができる。従って、本発明の範囲は以下の実施例に限定されるものではない。

なお、実施例において、有機電界発光層の発光帯域を数値で示すとき、有機電界発光層の発光スペクトルピークの半値幅を意味する。
また、実施例において、粘着剤としては、ＳＫ−２０５７（綜研化学株式会社製）を用いた。

＜評価用画像表示装置の作製＞
［発光素子基板の調製］
青色有機電界発光層、緑色有機電界発光層、および赤色有機電界発光層を含む市販の有機ＥＬ画像表示装置（サムスン社製ＳＣ−０４Ｅ）を用意した。この有機ＥＬ画像表示装置から、偏光板および光学フィルムを剥離し、発光素子を保護するバリア層の表面を露出させたものを発光素子基板として用いた。
用いた発光素子基板の青色有機電界発光層の発光スペクトルは、中心波長４５０ｎｍ、発光帯域４０ｎｍ、緑色有機電界発光層の発光スペクトルは、中心波長５５０ｎｍ、発光帯域４５ｎｍ、赤色有機電界発光層のスペクトルは、中心波長６５０ｎｍ、発光帯域５０ｎｍであった。また、発光素子基板における、青色有機電界発光層（Blue）、緑色有機電界発光層（Green）、および赤色有機電界発光層（Red）の配置は図４に示すとおりである。

［各層作製用組成物の調製］
（配向膜組成物Ａの調製）
下記に示す各成分の混合物を、８０℃に保温された容器中にて攪拌、溶解させ、配向膜組成物Ａを調製した。
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配向膜組成物Ａ（質量部）
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純水 ９７．２
ＰＶＡ−１０３（クラレ社製ポリビニルアルコール） ２．８
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（コレステリック組成物ＬＣ−１の調製）
下記の各成分を混合した後、孔径０．２μｍのポリプロピレン製フィルタでろ過して、コレステリック組成物ＬＣ−１として用いた。

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コレステリック組成物ＬＣ−１（質量部）
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棒状液晶化合物（Ｌ−１） １００
光反応性右旋回性キラル剤（Ｃ−１） ６．００
水平配向剤（Ｌ−２） ０．１
重合開始剤ＩＲＧＡＣＵＲＥ８１９（ＢＡＳＦ社製） ４．０
重合制御剤ＩＲＧＡＮＯＸ１０１０（ＢＡＳＦ社製） １．０
溶剤（クロロホルム） ３３０．３
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（コレステリック組成物ＬＣ−２の調製）
下記の各成分を混合した後、孔径０．２μｍのポリプロピレン製フィルタでろ過して、コレステリック組成物ＬＣ−２として用いた。

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コレステリック組成物ＬＣ−２（質量部）
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棒状液晶化合物（Ｌ−１） １９．５７
水平配向剤（Ｌ−２） ０．０１５
キラル剤（Ｃ−２） １．４９
重合開始剤（Ｉｒｇａｃｕｒｅ ９０７、ＢＡＳＦ社製） ０．５８７
光増感剤（ＫＡＹＡＣＵＲＥ ＤＥＴＸ−Ｓ、日本化薬株式会社製）
０．９１６
重合制御剤（ＩＲＧＡＮＯＸ１０７６、ＢＡＳＦ社製） ０．０７８
メチルエチルケトン ８０．０
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（ポジティブＣ領域含有層用液晶組成物ＬＣ−３の調製）
下記の各成分を混合した後、孔径０．２μｍのポリプロピレン製フィルタでろ過して、液晶組成物ＬＣ−３として用いた。

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液晶組成物ＬＣ−３（質量部）
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棒状液晶化合物（Ｌ−１） １００
レベリング剤（Ｔ−１） ０．４
レベリング剤（Ｔ−２） ０．２
化合物（Ｌ−３） １．０
化合物（Ｌ−４） ２．５
重合開始剤（Ｉｒｇａｃｕｒｅ ９０７、ＢＡＳＦ社製） ０．５８７
光増感剤（ＫＡＹＡＣＵＲＥ ＤＥＴＸ−Ｓ、日本化薬株式会社製）
０．９１６
重合制御剤（ＩＲＧＡＮＯＸ１０７６、ＢＡＳＦ社製） ０．０７８
溶剤（メチルエチルケトン） ３３０．３
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［評価用画像表示装置の作製］
（比較例１）
ＷＯ２０１６／１９４８０１の実施例１に示された手順により作製した偏光子、光学異方性層Ａ（λ／２板）、および、光学異方性層Ｂ（λ／４板）を、偏光子、光学異方性層Ａ（λ／２板）、および、光学異方性層Ｂ（λ／４板）の順に配置し、円偏光板ＣＰ１を作製した。なお、偏光子側から観察して、偏光子の透過軸を基準（０°）に反時計回りを正の値で表したとき、λ／２板の遅相軸の角度を−７２．５°、λ／４板の遅相軸の角度は−１２．５°とした。続いて、発光素子基板のバリア層の表面と、ＣＰ１の光学異方性層Ｂとを粘着剤を用いて貼り合わせ、評価用画像表示装置を作製した。

（比較例２）
配向膜組成物Ａを、厚さ０．５ｍｍのガラス基板（コーニング製、イーグルＸＧ）上にスリットコーターを用いて均一塗布した後、１００℃のオーブン内で２分乾燥し、膜厚０．５μｍの配向膜付きガラス基板Ａを得た。この配向膜に塗布方向と平行方向にラビング処理を施した。ラビング処理面上に上記コレステリック組成物ＬＣ−１を、乾燥膜厚が１．２５μｍとなるようにスピンコート塗布した。塗布膜が配置された配向膜付きガラス基板を８０℃のホットプレート上で１分間加熱し、溶媒を乾燥除去するとともにコレステリック配向状態を形成した後、ＨＯＹＡ−ＳＣＨＯＴＴ社製ＥＸＥＣＵＲＥ３０００−Ｗを用いて、室温、窒素雰囲気下、図３に示すフォトマスクＡを介して、照度３０ｍＷ／ｃｍ^２のＵＶ（ultraviolet）光を１０秒間照射し、露光部（透過部に対応）（Ａ）の配向を固定化した。図３において、白は透過部、黒は遮蔽部である。次いで、フォトマスクを除去し、空気下で照度３ｍＷ／ｃｍ^２のＵＶ光を８秒間照射した後、８０℃のホットプレート上で１分間加熱することで、固定化されていない部分の反射波長を長波長側に変換した後に、再度、室温、窒素雰囲気下で、照度３０ｍＷ／ｃｍ^２のＵＶ光を１０秒間照射し、残りの部分（遮蔽部に対応）（Ｂ）の配向を固定化することで、コレステリック液晶層パターンを有する層を作製した。露光部における反射中心波長は３５０ｎｍ以下、残りのＢの部分における反射中心波長は４５０ｎｍであった。Ｒｔｈ（５５０）はいずれにおいても１５０ｎｍであった。

得られたコレステリック液晶層パターンを有する層を含む積層体のガラス基板側に、比較例１と同様の円偏光板ＣＰ１の光学異方性層Ｂ側の面を貼り合わせ、積層体を作製した。得られた積層体のコレステリック液晶層パターンを有する層側と発光素子基板のバリア層とを、粘着剤を用いて図４に示す青色有機電界発光層の中央とコレステリック液晶層（個々の露光部）の中央が一致するように貼り合わせ、評価用画像表示装置を作製した。

（実施例１）
＜ポジティブＣ領域含有層の作製＞
下記一般式（ＩＩ）で表されるラクトン環構造を有するアクリル系樹脂｛共重合モノマー質量比＝メタクリル酸メチル／２−（ヒドロキシメチル）アクリル酸メチル＝８／２、ラクトン環化率約１００％、ラクトン環構造の含有割合１９．４％、重量平均分子量１３３０００、メルトフローレート６．５ｇ／１０分（２４０℃、９８Ｎ（１０ｋｇｆ））、Ｔｇ１３１℃｝９０質量部と、アクリロニトリル−スチレン（ＡＳ）樹脂｛トーヨーＡＳ ＡＳ２０、東洋スチレン社製｝１０質量部との混合物（Ｔｇ１２７℃）のペレットを二軸押出機に供給し、約２８０℃でシート状に溶融押出しした。その後、溶融押出しされたシートを、縦一軸延伸機において、給気温度１３０℃、シート面温度１２０℃、延伸速度３０％／分、延伸倍率３５％で縦延伸した。その後、縦延伸されたシートを、テンター式延伸機において、給気温度１３０℃、シート面温度１２０℃、延伸速度３０％／分、延伸倍率３５％で横延伸した。その後、横延伸されたシートを、巻取り部前で両端部を切り落とし、長さ４０００ｍのロールフィルムとして巻き取りして、厚み４０μｍの長尺状の支持体を得た。

上記一般式（ＩＩ）中、Ｒ¹は水素原子であり、Ｒ²およびＲ³はメチル基である。
配向膜組成物Ａを、上記支持体上に、バーコーターを用いて均一塗布した後、１００℃のオーブン内で２分乾燥し、膜厚０．５μｍの配向膜付き支持体を得た。この配向膜に上記液晶組成物ＬＣ−３を、乾燥膜厚が１．２５μｍとなるようにバーコーターを用いて塗布した。次いで、膜面温度９５℃で６０秒間加熱熟成し、その後ただちに、２５℃空気下にて、キヤノン（株）製ＰＬＡ−５０１Ｆ露光機（超高圧水銀ランプ）を用い、５００ｍＪ／ｃｍ^２の露光量で露光し、Ｒｔｈ（５５０）が−１５０ｎｍのポジティブＣ領域含有層を含む積層体を得た。

円偏光板ＣＰ１の光学異方性層側に、上記ポジティブＣ領域含有層の表面を粘着剤を用いて貼りあわせ、続いて支持体を剥離し、ポジティブＣ領域含有層のみを転写した。ポジティブＣ領域含有層の表面に、比較例２と同様の方法で作製したコレステリック液晶層パターンを有する層を含む積層体のガラス基板側を粘着剤を用いて貼りあわせた。その後、得られた積層体を比較例２と同様の手順で発光素子基板と貼りあわせ、評価用画像表示装置を作製した。

（実施例２）
コレステリック液晶層パターンを有する層の厚みを２．０８μｍとして（Ｒｔｈ（５５０）を２５０ｎｍとし、塗布層の厚みを変更することでポジティブＣ領域含有層のＲｔｈ（５５０）を−２５０ｎｍとしたこと以外は、実施例１と同様の方法で、評価用画像表示装置を作製した。

（実施例３）
コレステリック液晶層パターンを有する層の厚みを０．５８μｍとして（Ｒｔｈ（５５０）を７０ｎｍとし、塗布層の厚みを変更することでポジティブＣ領域含有層のＲｔｈ（５５０）を−７０ｎｍとしたこと以外は、実施例１と同様の方法で、評価用画像表示装置を作製した。

（比較例３）
フォトマスクを用いなかった以外は比較例２と同様の手順で、コレステリック液晶層パターンを有する層の代わりに全面が反射中心波長が４５０ｎｍのコレステリック液晶層（パターンを有していないもの）を有する積層体を作製した。得られた積層体をコレステリック液晶層パターンを有する層を含む積層体の代わりに用いる以外は、実施例１と同様の手順で、評価用画像表示装置を作製した。

（実施例４）
比較例２で作製したコレステリック液晶層パターンを有する層と円偏光板とを有する積層体のコレステリック液晶層パターンを有する層側に、実施例１と同様の方法で作製したポジティブＣ領域含有層を、粘着剤を用いて貼りあわせ、続いて支持体を剥離し、ポジティブＣ領域含有層のみを転写した。得られた偏光板を、比較例２と同様に、発光素子基板と貼りあわせ、評価用画像表示装置を作製した。

（実施例５）
配向膜つきガラス基板Ａにラビング処理を施し、上記コレステリック組成物ＬＣ−２を、乾燥膜厚が１．２５μｍとなるようにスピンコート塗布した。次いで、膜面温度９５℃で６０秒間加熱熟成し、その後ただちに、２５℃空気下にて、キヤノン（株）製ＰＬＡ−５０１Ｆ露光機（超高圧水銀ランプ）を用い、１００ｍＪ／ｃｍ^２の露光量で、フォトマスクＡの遮蔽部と透過部を反転させたフォトマスクＢを介し露光した。その後、基板全体を２００℃に加熱しながら５００ｍＪ／ｃｍ^２の露光量で空冷メタルハライドランプ（アイグラフィックス（株）製）にて窒素下露光することにより、反射中心波長４５０ｎｍ、反射帯域８９ｎｍ、Ｒｔｈ（５５０）１５０ｎｍのコレステリック反射を持つ領域（Ｃ）と、光学的に等方性の領域（Ｄ）とに分画されたコレステリック液晶層パターンを有する層を得た。得られたコレステリック液晶層パターンを有する層を含む積層体を、実施例３と同様の方法で、円偏光板、ポジティブＣ領域含有層、発光素子基板と貼りあわせ、評価用画像表示装置を作製した。

（実施例６）
配向膜つきガラス基板Ａにラビング処理を施し、上記コレステリック組成物ＬＣ−２を、乾燥膜厚が１．２５μｍとなるようにスピンコート塗布した。次いで、膜面温度９５℃で６０秒間加熱熟成し、その後ただちに、２５℃空気下にて、キヤノン（株）製ＰＬＡ−５０１Ｆ露光機（超高圧水銀ランプ）を用い、１００ｍＪ／ｃｍ^２の露光量で、フォトマスクＡの遮蔽部と透過部を反転させたフォトマスクＢを介し露光した。その後、基板全体を２００℃に加熱しながら５００ｍＪ／ｃｍ^２の露光量で空冷メタルハライドランプ（アイグラフィックス（株）製）にて窒素下露光することにより、反射中心波長４５０ｎｍ、反射帯域８９ｎｍ、Ｒｔｈ（５５０）１５０ｎｍのコレステリック反射を持つ領域（Ｃ）と、光学的に等方性の領域（Ｄ）とに分画されたコレステリック液晶層パターンを有する層を得た。得られたコレステリック液晶層パターンを有する層を含む積層体を、実施例１と同様の方法で、円偏光板、ポジティブＣ領域含有層、発光素子基板と貼りあわせ、評価用画像表示装置を作製した。

（実施例７）
＜光学的に等方性の領域を有するポジティブＣ領域含有層の作製＞
配向膜組成物Ａを、上記支持体上に、バーコーターを用いて均一塗布した後、１００℃のオーブン内で２分乾燥し、膜厚０．５μｍの配向膜付き支持体を得た。この配向膜に上記液晶組成物ＬＣ−３を、乾燥膜厚が１．２５μｍとなるようにバーコーターを用いて塗布した。次いで、膜面温度９５℃で６０秒間加熱熟成し、その後ただちに、２５℃空気下にて、キヤノン（株）製ＰＬＡ−５０１Ｆ露光機（超高圧水銀ランプ）を用い、１００ｍＪ／ｃｍ^２の露光量で、フォトマスクＢを介し露光した。その後、基板全体を２００℃に加熱しながら５００ｍＪ／ｃｍ^２の露光量で空冷メタルハライドランプ（アイグラフィックス（株）製）にて窒素下露光することにより、Ｒｔｈ（５５０） が−１５０ｎｍの垂直配向領域（Ｅ）と光学的に等方性の領域（Ｄ）とに分画された光学的に等方性の領域を有するポジティブＣ領域含有層を含む積層体を得た。
このポジティブＣ領域含有層を用い、パターン化コレステリックサンプルの領域（Ｃ）とパターン化垂直配向サンプルの領域（Ｅ）が重なるように貼りあわせたこと以外は、実施例１と同様の手順で、評価用画像表示装置を作製した。

（比較例４）
特開２０１５−２００８６１号公報の実施例３２に示す方法で作製したポジティブＡプレートおよびポジティブＣプレート（ポジティブＣ領域含有層）を、偏光子、ポジティブＡプレートおよびポジティブＣプレートがこの順となるように比較例１で用いたものと同様の偏光子と貼りあわせ、円偏光板Ｘ２を作製した。ポジティブＡプレートの遅相軸は、偏光子の透過軸に対し、４５°に設定した。ポジティブＡプレートはＲｅ（５５０）が１３８ｎｍ、Ｒｔｈ（５５０）が６９ｎｍ、Ｒｅ（４５０）／Ｒｅ（５５０）が０．８６であった。ポジティブＣプレートはＲｅ（５５０）が０ｎｍ、Ｒｔｈ（５５０）が−６０ｎｍ、Ｒｔｈ（４５０）／Ｒｔｈ（５５０）が１．０５であった。

（実施例８）
塗布層の厚みを変更することでポジティブＣプレート（ポジティブＣ領域含有層）のＲｔｈ（５５０）を−２１０ｎｍに変更した以外は比較例４と同様の方法で、円偏光板Ｘ３を作製した。次いで、ポジティブＣプレートの表面に、実施例１と同様の方法で作製したコレステリック液晶層パターンを有する層を含む積層体のガラス基板側を、粘着剤を用いて貼りあわせ、得られた積層光学体を、比較例２と同様の手順で、発光素子基板と貼りあわせ、評価用画像表示装置を作製した。

［評価用画像表示装置の評価］
（発光輝度評価）
評価用パネルを点灯し、全面に単色の青を表示させた後、架台に設置し、２ｍ先に分光放射計ＳＲ−３（（株）トプコン社製）を配置して輝度評価を行った。比較例１のコレステリック材料がない画像表示装置の輝度に対して、各実施例、比較例の画像表示装置の輝度の向上率を評価した。
Ａ：輝度向上率が４０％以上
Ｂ：輝度向上率が４０％より小さく、２０％以上
Ｃ：輝度向上率が２０％より小さく、５％以上
Ｄ：輝度向上率が５％より小さい

（斜め観察時の光漏れの評価）
斜め観察時の光漏れは、測色計（コニカミノルタ製、ＣＭ−２０２２）を用い、ＳＣＥモードで積層体の法線方向から８度の方向から測定して得られたＹ値を用い、比較例２のＹ値との差をΔＹとし、以下の基準に従って評価した。

Ａ：ΔＹが比較例２のΔＹの２０％以下である場合
Ｂ：ΔＹが比較例２のΔＹの２０％超４０％以下である場合
Ｃ：ΔＹが比較例２のΔＹの４０％超６０％以下である場合
Ｄ：ΔＹが比較例２のΔＹの６０％超である場合

（にじみ評価）
評価用画像表示装置を点灯し、青を２ピクセル、黒が５ピクセルの繰り返しで、青と黒のストライプを表示させ、にじみの有無を目視評価した。

１ 偏光分離層
２ 有機電界発光層
３ 反射層
４ 発光素子基板
５ 位相差層
６ 偏光層
７ 円偏光板
８ 偏光分離領域（偏光分離部位）
９ 可視光透過領域
１１ バリア層
１２ ポジティブＣ領域含有層
１３ ポジティブＣ領域
１４ 光学的に等方性の領域

Claims (17)

1. 発光素子基板および円偏光板を含む有機ＥＬ画像表示装置であって、
   前記発光素子基板は反射層および前記反射層上に有機電界発光層を含み、
   前記反射層、前記有機電界発光層、および前記円偏光板はこの順で配置されており、
   前記有機電界発光層と前記円偏光板との間に偏光分離層を含み、
   前記偏光分離層は、前記有機電界発光層が発光した光のうち、１つの偏光状態の光を反射し、かつ他方の偏光状態の光を透過する偏光分離領域と、可視光透過領域とを含み、
   前記偏光分離領域はコレステリック液晶相を固定して形成された層からなり、
   前記有機電界発光層と前記円偏光板との間にポジティブＣ領域含有層を含む、有機ＥＬ画像表示装置。
2. 前記ポジティブＣ領域含有層のポジティブＣ領域の波長５５０ｎｍにおける膜厚方向のレターデーションＲｔｈ（５５０）が−２５０ｎｍ〜−７０ｎｍである請求項１に記載の有機ＥＬ画像表示装置。
3. 前記ポジティブＣ領域含有層のポジティブＣ領域の波長５５０ｎｍにおける膜厚方向のレターデーションＲｔｈ（５５０）が−２３０ｎｍ〜−１３０ｎｍである請求項１に記載の有機ＥＬ画像表示装置。
4. 前記円偏光板が１／４波長板、１／２波長位相差板、および偏光層をこの順で含む請求項１〜３のいずれか一項に記載の有機ＥＬ画像表示装置。
5. 前記円偏光板が逆波長分散性のＡプレート、および偏光層を含む請求項１〜３のいずれか一項に記載の有機ＥＬ画像表示装置。
6. 前記有機電界発光層、前記ポジティブＣ領域含有層、前記偏光分離層、および前記円偏光板がこの順で配置されている請求項１〜５のいずれか一項に記載の有機ＥＬ画像表示装置。
7. 前記可視光透過領域が前記偏光分離領域作製のための組成物と同一の組成物を用いて作製されている請求項１〜６のいずれか一項に記載の有機ＥＬ画像表示装置。
8. 前記可視光透過領域が光学的に等方性の領域からなる請求項１〜７のいずれか一項に記載の有機ＥＬ画像表示装置。
9. 前記ポジティブＣ領域含有層がポジティブＣ領域からなり、
   前記ポジティブＣ領域の可視光領域の任意の波長Ｘｎｍでの膜厚方向のレターデーションＲｔｈ（Ｘ）の絶対値が、前記偏光分離領域の波長Ｘにおける膜厚方向のレターデーションＲｔｈ-Ｃｈ(Ｘ)の絶対値と前記可視光透過領域の波長ＸにおけるレターデーションＲｔｈ-Ｔ(Ｘ)の絶対値との間の任意の値である請求項８に記載の有機ＥＬ画像表示装置。
10. 前記可視光透過領域がコレステリック液晶相を固定して形成された層であり紫外光波長域または赤外光波長域に選択反射の中心波長を有する請求項７に記載の有機ＥＬ画像表示装置。
11. 前記ポジティブＣ領域含有層がポジティブＣ領域からなり、
    前記ポジティブＣ領域の可視光領域の任意の波長Ｘｎｍにおける膜厚方向のレターデーションＲｔｈ（Ｘ）の絶対値が、前記偏光分離領域の波長Ｘｎｍにおける膜厚方向のレターデーションＲｔｈ（Ｘ）の絶対値と等しい請求項１０に記載の有機ＥＬ画像表示装置。
12. 前記ポジティブＣ領域含有層がポジティブＣ領域に加えさらに光学的に等方性の領域を含む請求項８に記載の有機ＥＬ画像表示装置。
13. 前記ポジティブＣ領域の可視光領域の任意の波長Ｘｎｍにおける膜厚方向のレターデーションＲｔｈ（Ｘ）の絶対値が前記偏光分離領域の波長Ｘｎｍにおける膜厚方向のレターデーションＲｔｈ（Ｘ）の絶対値と等しい請求項１２に記載の有機ＥＬ画像表示装置。
14. 前記発光素子基板は前記反射層上に前記有機電界発光層がマトリクス状に配置された有機電界発光層群を含む請求項１〜１３のいずれか一項に記載の有機ＥＬ画像表示装置。
15. 前記偏光分離領域が前記有機電界発光層群に対応してマトリクス状に配置された偏光分離部位の集合である請求項１４に記載の有機ＥＬ画像表示装置。
16. 前記有機電界発光層群が２種以上の波長の光を発光する有機電界発光層を含み、
    前記偏光分離部位は対応する位置に配置されている有機電界発光層が発光する波長域で１つの偏光状態の光を反射する請求項１５に記載の有機ＥＬ画像表示装置。
17. 前記可視光透過領域が光学的に等方性の領域からなり、
    前記ポジティブＣ領域含有層が前記ポジティブＣ領域および光学的に等方性の領域を含み、前記ポジティブＣ領域が前記マトリクス状に配置された前記偏光分離部位に対応してマトリクス状である請求項１５または１６のいずれか一項に記載の有機ＥＬ画像表示装置。