JP2004292882A

JP2004292882A - 耐食性部材とその製造方法およびそれを用いた半導体・液晶製造装置

Info

Publication number: JP2004292882A
Application number: JP2003085950A
Authority: JP
Inventors: Masahiro Nakahara; 正博中原; Tetsuji Hayazaki; 哲治早崎
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 2003-03-26
Filing date: 2003-03-26
Publication date: 2004-10-21
Anticipated expiration: 2023-03-26
Also published as: JP4084689B2

Abstract

【課題】ハロゲン系腐食性ガス或いはそれらのプラズマに曝される半導体、液晶製造装置用の真空チャンバー内壁部等の部材に、上記腐食性ガス或いはそのプラズマに対して耐食性に劣る金属製部材が多く使用されており、部品寿命が短く、その交換に経費や時間を要していた。
【解決手段】金属からなる基材の表面に、Ｙ_２Ｏ_３を主成分とする耐食膜を有する耐食性部材であって、上記耐食膜のＸ線反射率法による膜密度が３ｇ／ｃｍ^３以上であり、かつＸ線回折によるＹ_２Ｏ_３結晶の最高ピークの半価幅が１．３°以下であることを特徴とする耐食性部材で半導体・液晶製造装置の真空チャンバー内壁材、上記装置内とクライオポンプやターボ分子ポンプを繋ぐ配管部品、クライオポンプやターボ分子ポンプの構成部品等を構成する。
【選択図】図１

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体・液晶製造装置のチャンバー内壁材、上記装置とその装置内を高真空に保つために使用されるクライオポンプやターボ分子ポンプ等を繋ぐ配管部品やクライオポンプ、ターボ分子ポンプ等のローター等の構成部品、その中でも特に腐食性ガス又はそのプラズマに対して高い耐食性を求められる部材に適用できる耐食性部材とその製造方法、および耐食性部材を用いた半導体・液晶製造装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、フッ素系や塩素系などのハロゲン系腐食性ガスに曝される半導体・液晶製造装置のチャンバーの内壁材、上記装置とその装置内を高真空に保つために使用されるクライオポンプやターボ分子ポンプ等とを接続する配管部品、上記クライオポンプ、ターボ分子ポンプ等の構成部品にはアルミニウムやステンレス鋼等の金属製部材が多く使用されている。
【０００３】
しかしながら、上記金属製部材はフッ素系や塩素系などのハロゲン系腐食性ガスやプラズマに対し耐食性が悪く、頻繁に部品交換をしなければならず経費と時間がかかるという問題があった。
【０００４】
このような問題に対し、例えば特許文献１では半導体製造処装置においてセラミックスや金属からなる処理容器内壁や真空チャンバー、ベルジャー等に周期律表第３ａ族元素化合物を含む膜、特にイットリウム・アルミニウム・ガーネット（以下ＹＡＧと記載）からなる膜を溶射法により被覆させ、耐食性を向上させた耐食性部材を用いることにより、部材自体を長寿命化する提案がされている。
【０００５】
この溶射法は、金属基材に高い耐プラズマ性を有する周期律表第３ａ族元素化合物を２０００℃以上の高温でプラズマ溶融させ、微粒として溶射機のノズルから必要な箇所に向けてぶつけるように吹きつけ、これを平らに延ばして層状として冷却固化させ、この微小な層状の材料の積み重ねによって耐食膜を形成するものである。
【０００６】
また、特許文献２では金属からなる基材の表面に、金属との反応を防止するための第１のセラミック層と、外部からの腐食生成物の侵入を防ぐための第２のセラミック層と、上記金属基材とこれらセラミック層との密着性を向上させるための金属中間層とを設けた耐食性部材が提案されている。
【０００７】
〔特許文献１〕
特開２００１−２２６７７３号公報
〔特許文献２〕
特開２００１−２９５０７５号公報
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、上記特許文献１における溶射法では、微小な層状の材料の積み重ねによって耐食膜を形成するため、これら層状材料の間に陰影効果や不完全な積み重なりによる気孔が発生しやすく、アルキメデス法によりこの溶射膜の吸水率を測定すると２〜５％と、溶射膜と同材質の焼結体における吸水率が１％以下であるのに対し高いことが分かる。そのため、溶射膜の表面及び内部には多数の気孔が存在しており、膜自体が十分に緻密化されておらず、その膜密度は非常に低いものであり、ハロゲン系腐食性ガスやそのプラズマに対する耐食性が、緻密化された耐食膜に比較して劣るという欠点を有している。
【０００９】
また、特許文献２における耐食性部材は、金属基材とセラミック層との間に中間層を設けたことから、金属基材へのセラミック層の密着性は高められるものの、
第１および第２のセラミック層が必要となり、厚み数μｍ〜数十μｍの薄い膜が要求された場合に対応することができないという欠点を有している。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
そこで本発明は上記課題に鑑み、金属からなる基材の表面に、Ｙ_２Ｏ_３を主成分とする耐食膜を有する耐食性部材であって、上記耐食膜のＸ線反射率法による膜密度が３ｇ／ｃｍ^３以上であり、かつＸ線回折によるＹ_２Ｏ_３結晶の最高ピークの半価幅が１．３°以下であることを特徴とする。
【００１１】
上記耐食膜の厚さが５０μｍ未満であることを特徴とする。
【００１２】
上記金属からなる基材の表面粗さ（Ｒａ）が１μｍ以下であることを特徴とする。
【００１３】
金属からなる基材の表面にＹ_２Ｏ_３を主成分とする耐食膜を有する耐食性部材の製造方法であって、上記基材の少なくとも一方の主面にＹ元素を主成分とするゾル液をコーティングした後、熱処理を施して耐食膜を形成することを特徴とする。
【００１４】
上記熱処理温度が３００〜１０００℃であることを特徴とする。
【００１５】
上記基材に耐食膜を形成する前に、予め酸化処理を行うことを特徴とする。
【００１６】
上記基材をＹ_２Ｏ_３を主成分とするゾル液に浸漬または基材にゾル液を塗布することで基材にＹ_２Ｏ_３を主成分とするゾル液を厚み２．５μｍ以上となるようにコーティングし、３００℃〜１０００℃の温度で熱処理する工程を繰り返すことにより、厚み５０μｍ未満の耐食膜を形成することを特徴とする。
【００１７】
上記の何れかに記載の耐食性部材を半導体・液晶製造装置に用いたことを特徴とする。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について詳細に説明する。
【００１９】
本発明の耐食性部材は、特にフッ素系や塩素系ガス及びプラズマに対して高い耐食性が要求される半導体製造装置に使用される部材であり、これら腐食性ガス及びそのプラズマに曝される半導体製造装置のチャンバーの内壁材、また半導体・液晶製造装置とその装置内を高真空に保つために使用されるクライオポンプやターボ分子ポンプ等を繋ぐ配管部品やクライオポンプ、ターボ分子ポンプ等の構成部品として用いられる。
【００２０】
なお、上記フッ素系や塩素系ガスとしては、ＳＦ_６、ＣＦ_４、ＣＨＦ_３、ＣｌＦ_３、ＮＦ_３、Ｃ_４Ｆ_８、ＨＦ等のフッ素系、Ｃｌ_２、ＨＣｌ、ＢＣｌ_３、ＣＣｌ_４等の塩素系ガス、或いはＢｒ_２、ＨＢｒ、ＢＢｒ_３等の臭素系ガスなどがあり、上記半導体製造装置内では、これらの腐食性ガスが使用される１〜１０Ｐａの圧力雰囲気下でマイクロ波や高周波が導入されるとこれらのガスがプラズマ化される。
【００２１】
また、よりエッチング効果を高めるために上記のような腐食性ガスとともに、Ａｒ等の不活性ガスを導入してプラズマを発生させることもある。
【００２２】
本発明の耐食性部材は、金属からなる基材の表面に、Ｙ_２Ｏ_３を主成分とする耐食膜を有するものであり、基材としては、一般的に広く用いられているアルミニウム、ステンレス鋼、ニツケルクロム鋼、ニッケルクロムモリブデン鋼、ニレジスト鋳鉄、銅等様々な金属を用いることができ、これらの電気的、機械的特性を生かして耐食性部材を構成している。
【００２３】
また、上記基材は、その表面粗さを算術平均粗さ（Ｒａ）で１μｍ以下とすることが好ましく、基材の表面粗さの影響を受けることなく耐食膜の表面粗さを滑らかとし、より腐食性ガスやプラズマに曝される表面積を低減させ耐食性を向上できる点においてより好適である。なお、基材の算術平均粗さを１μｍ以下とするには、あらかじめ耐食膜を形成する金属基材の表面をバフ研磨等の機械加工を行うことで得ることができる。
【００２４】
さらに、上記基材の表面には、Ｙ_２Ｏ_３を主成分とする耐食膜を有することから、Ｙ_２Ｏ_３とフッ素系ガスが反応すると主にＹＦ_３を生成し、また塩素系ガスと反応するとＹＣｌ_３を生成するが、これらの反応生成物の融点（ＹＦ_３：１１５２℃、ＹＣｌ_３：６８０℃）は、基材である金属と該ガスとの反応により生成される反応生成物の融点より高いために腐食性ガスやプラズマに高温で曝されたとしても安定した耐食性を備えている。
【００２５】
また、上記耐食膜は、その表面をＸ線反射率法によって測定した膜密度が３ｇ／ｃｍ^３以上、かつＸ線回折におけるＹ_２Ｏ_３結晶の最高ピークの半価幅が１．３°以下に特定され、基材の表面に形成されたＹ_２Ｏ_３が十分に結晶化され、耐食膜の表面は気孔が非常に少ない緻密化された形で存在するため、腐食性ガス雰囲気に曝された場合でも高い耐食性を有することができる。
【００２６】
一方、上記膜密度の測定値が３ｇ／ｃｍ^３未満、Ｙ_２Ｏ_３結晶の最高ピークの半価幅が１．３°より大きくなると、基材表面に形成された耐食膜は十分に結晶化されておらず、耐食膜表面には気孔が多く存在するため、腐食性ガス雰囲気に曝された場合に腐食性ガスとの接触面積が増加するために耐食性が低下してしまう。
【００２７】
より好ましくは膜密度が３．３ｇ／ｃｍ^３以上、Ｘ線回折におけるＹ_２Ｏ_３結晶の最高ピークの半価幅が１．１°以下である。
【００２８】
なお、Ｘ線反射率法とは、斜入射Ｘ線分析装置（Ｐｈｉｌｉｐｓ社製）により測定試料にＸ線を小さな視斜角で入射して全反射現象を生じさせ、その臨界角から物質の密度を求める方法である。
【００２９】
また、上記半価幅とは、２θ＝２９°付近のＹ_２Ｏ_３の最高結晶ピーク強度からＸ線回折における回折角度読み取り方法のうち、半価幅中点法を用いて求めた中点位置のピーク幅（２θ）を示している。
【００３０】
図１に本発明の一例として、基材にステンレス鋼を用いて、その一表面にＹ_２Ｏ_３を主成分とする耐食膜を１μｍの厚さで形成した耐食性部材における耐食膜表面をＸ線回折した際の結晶ピークのスペクトル図を示す。
【００３１】
なお、図１は上記耐食性部材の表面にＸ線回折装置を用いてＸ線を照射し、Ｙ_２Ｏ_３等の結晶により回折されたＸ線強度を回折図形の形で記録したスペクトル図であり、縦軸はピーク強度、横軸は耐食膜表面へのＸ線入射角度をθとしたときの２θの角度を示している。
【００３２】
図１中、白○がＹ_２Ｏ_３を主成分とした耐食膜、白□がＦｅ−Ｎｉ−Ｃｒ（ステンレス鋼）、黒□がその他（主に金属基材成分）の結晶ピークを表している。図１において２θ＝２９°付近にＹ_２Ｏ_３の最高結晶ピークが存在しており、２θ＝４２°付近に基材であるステンレス鋼の最高結晶ピークが存在している。
【００３３】
ここで、２θ＝２９°付近にＹ_２Ｏ_３の最高結晶ピークと２θ＝４２°付近に基材であるステンレス鋼の最高結晶ピークの関係は、金属基材表面に形成した耐食膜の厚みが厚いと２θ＝２９°付近のＹ_２Ｏ_３の最高結晶ピークの方がより顕著に現れ、耐食膜の厚みが薄いと２θ＝４２°付近のステンレス鋼の最高結晶ピークがより顕著に現れる。これまでの検討の結果では、１μｍより薄い膜厚では金属基材の最高結晶ピーク強度の方が高くより顕著に現れ、１μｍより厚い膜厚ではＹ_２Ｏ_３の最高結晶ピーク強度の方が高くより顕著に現れることが分かっている。
【００３４】
また、図１においてＹ_２Ｏ_３の最高結晶ピークの半価幅はおよそ０．９°である。
【００３５】
なお、このように、耐食膜のＸ線反射率法における膜密度を３ｇ／ｃｍ^３以上、かつＸ線回折におけるＹ_２Ｏ_３の最高結晶ピークの半価幅を１．３°以下とするには、詳細を後述するように基材表面に耐食膜を形成する際に、Ｙ_２Ｏ_３を主成分とするゾル液を用いて形成することで得ることができる。
【００３６】
さらに、上記耐食膜の厚みは、５０μｍ未満とすることが好ましく、耐食性部材を半導体、液晶製造装置用部材として用いた際、各部材に耐食膜を形成して耐食性部材として使用するが、耐食膜の厚さが厚いと、部材に形成されている必要不可欠な細かい段差部が、耐食膜を形成した影響により段差がほとんどなくなったり、また細かい穴部等は閉塞されるために５０μｍ以上の膜厚とするのは好ましくない。また、ハロゲン系腐食性ガスを含む半導体製造装置内の排ガスを流す配管部品においても、内径の小さな配管部品の内面に上記耐食性部材を形成する際、膜厚が厚いと排ガスが流れにくくなるために、５０μｍ以上の膜厚とするのは好ましくない。
【００３７】
また、上記耐食膜の厚みは３０μｍ以下とすることがより好ましい。
【００３８】
以下、本発明の耐食性部材の製造方法を説明する。
【００３９】
まず、基材となる金属部材を準備し、基材の表面に主成分がＹ_２Ｏ_３からなるゾル液を塗布する。
【００４０】
ここで、上記基材に耐食膜を形成する前に、予め酸化処理を行うことが好ましく、熱処理温度としては３００〜１０００℃が好適である。この熱処理によって、基材表面に付着している有機物の除去を行い、また基材表面に酸化膜を形成することでゾル液との濡れ性が向上し、均一塗布させることが可能となる。
【００４１】
また、基材のエッジ部をＲ面とすることが好ましく、基材の表面にＹ_２Ｏ_３を主成分とする耐食膜を形成する際に、耐食膜形成用のＹ元素を主成分とするゾル液がエッジ部に溜まることを防止して均一に耐食膜を形成することができる。
【００４２】
塗布方法としては、基材をＹ元素を主成分とするゾル液に浸漬し、引き上げることにより塗布するディップコーティング法が好ましく、あらゆる形状の基材へも対応可能でありコスト等の面からもより好適である。また他の塗布方法としては、他にＹ_２Ｏ_３を主成分とするゾル液をスプレーガン等の噴霧機により基材表面に噴霧塗布させる方法や、ハケ塗り等も適用することができる。
【００４３】
また、使用するゾル液については、Ｙ_２Ｏ_３換算濃度３〜１０重量％水溶液を用いることがより好適であり、ゾル液中のＹ_２Ｏ_３純度については９５％以上、Ｙ_２Ｏ_３ゾル液中の不純物にはＦｅ_２Ｏ_３、ＣａＯ、ＳｉＯ_２、Ｎａ_２Ｏ等が合計で１重量％以下含有していても良い。またｐＨ（水素イオン濃度指数）については、７以上となりアルカリ性を有している。
【００４４】
次いで、ゾル液を表面に塗布させた基材に熱処理を施す。熱処理温度はＹ_２Ｏ_３が結晶化しはじめる３００℃から基材の耐熱温度までの温度で実施することが好ましく、耐熱鋳鉄等の耐熱金属では１０００℃までの熱処理が可能である。基材の酸化による特性劣化を防ぐためには３００〜８００℃で熱処理することがより好適である。
【００４５】
さらに、より好適な耐食膜の形成方法として、基材表面に上記ゾル液を用いて１μｍ程度の薄い膜を形成した後、３００〜１０００℃、より好適には３００〜８００℃の温度で熱処理する工程を繰り返し、１μｍ以上の厚みの耐食膜を形成することにより、熱処理の際に耐食膜が収縮し耐食膜の表面に発生する割れを防止する方法を適用することも可能である。
【００４６】
このようにして得られた耐食性部材は、基材表面に形成した耐食膜の緻密性が高く、またＹ_２Ｏ_３ゾルを用いて形成するために基材の表面に数μｍ〜数十μｍの薄い耐食膜を形成でき、複雑形状を有する基材や数ｍｍ程度の円管の内面等にも耐食膜を容易に形成でき、基材全体の耐食性を高めることができる。
【００４７】
そして、耐食性部材を腐食性ガスやそのプラズマに曝される半導体・液晶製造装置における真空チャンバーの内壁、上記装置とその装置内を高真空に保つためのクライオポンプ、ターボ分子ポンプとを接続する配管の内壁、上記クライオポンプ、ターボ分子ポンプの構成部品等の各部材として好適に用いることができ、高い耐食性を有しているために、各部品の寿命を大きく向上させることができるとともに、部品交換に要していた経費や時間を大幅に低減することができる。
【００４８】
また、本発明の耐食性部材は、上述の実施形態に限定されるものでなく、その要旨を逸脱しない範囲内であれば種々の変更をしてもよいことは言うまでもない。
【００４９】
【実施例】
以下本発明の実施例を具体的に説明する。
【００５０】
本発明の耐食性部材について、基材表面に形成した耐食膜の密度とＸ線回折におけるＹ_２Ｏ_３結晶の最高ピークの半価幅が耐食性に与える影響を確認する試験を以下に記載の方法により実施した。
【００５１】
先ず、基材として縦２５ｍｍ×横２５ｍｍ、厚さ３ｍｍ、エッジ部に０．２ｍｍのＲ面を有した正方形のステンレス鋼からなるテストピースを準備した。
【００５２】
なお、上記テストピースには予め８００℃の温度で熱処理を施してある。
【００５３】
そしてそれらテストピースをＹ（ＯＨ）_３ゾル液（Ｙ_２Ｏ_３換算濃度５．５重量％水溶液）に浸漬し引き上げるディップコーティング法を用いて、Ｙ（ＯＨ）_３ゾル液を１０μｍの厚さとなるよう基材表面に塗布した。
【００５４】
その後、約１００℃の温度で基材に塗布したＹ（ＯＨ）_３ゾル液の溶媒を蒸発・乾燥させ、３００℃、５００℃、７００℃、１０００℃、１２００℃の温度で熱処理し、耐食性部材を製作した。
【００５５】
また、比較例として上記基材に溶射法により上記と同様の金属基材上にＹ_２Ｏ_３膜を５０μｍ被覆したものと、基材と同形状のＹ_２Ｏ_３焼結体を準備した。
【００５６】
そして、Ｘ線反射率法により各試料の密度を算出し、かつＸ線回折により半価幅についても測定を行った。
【００５７】
その後各試料の耐食性を測定するため、ＲＩＥ（リアクティブ・イオン・エッチング）装置を用いてチャンバー内に試料を入れ、フッ素系のＣＦ４、ＣＨＦ３、Ａｒの混合ガス雰囲気中にて高周波出力１４０Ｗを印可し、プラズマを発生させ１時間保持した後、試料の体積減少率にて耐食性を確認した。なお、体積減少率は耐食性良好なＹ_２Ｏ_３焼結体の値を１として算出している。
【００５８】
表１にその結果を示す。
【００５９】
【表１】

【００６０】
表１の結果から、比較例である金属基材にＹ_２Ｏ_３溶射膜を被覆させた試料については、膜の緻密度が低く、膜厚みが厚いためにＸ線がうまく反射せず、膜密度が測定できなかった。また、膜密度が測定できなかったため、膜の緻密度を判断する目安としてアルキメデス法により吸水率を測定すると５％もあり、やはり膜の緻密性が悪く、その耐食性はＹ_２Ｏ_３焼結体と比較して２倍以上の減少率となっている。
【００６１】
また、熱処理温度を２００℃の低温で実施した本発明範囲外の試料Ｎｏ．１については、耐食膜の主成分であるＹ_２Ｏ_３が結晶化しないため、Ｘ線回折におけるＹ_２Ｏ_３結晶ピークがわずかの強度しか確認できず、その半価幅は大きく（測定不可）、また膜密度も低く、耐食性に劣る結果となった。
【００６２】
これと比較して本発明の試料（Ｎｏ．２〜６）は、Ｙ_２Ｏ_３焼結体自体の耐食性よりは劣るものの、比較例のＹ_２Ｏ_３溶射膜を被覆させた試料と比較して良好な耐食性を示している。また、Ｘ線反射率法における膜密度測定で密度が高く、その半価幅が小さいもの程、Ｙ_２Ｏ_３の結晶化が進んでおり、良好な耐食性を示すことが確認された。
【００６３】
なお、本発明範囲内の試料Ｎｏ．６については熱処理温度が１２００℃と高いために金属基材であるステンレス鋼の結晶粒が粗大化し、基材が脆くなっており、熱処理後のハンドリング性にやや問題が見られたが、基材及び耐食膜に破損等はなく、その耐食性に影響はなかった。
【００６４】
この結果から、本発明範囲内であればハロゲン系腐食性ガスやそのプラズマに対して良好な耐食性を示す耐食性部材を作製できることが確認された。
【００６５】
【発明の効果】
本発明によれば、金属からなる基材の表面に、Ｙ_２Ｏ_３を主成分とする耐食膜を有する耐食性部材であって、上記耐食膜のＸ線反射率法による膜密度が３ｇ／ｃｍ^３以上であり、かつＸ線回折によるＹ_２Ｏ_３結晶の最高ピークの半価幅が１．３°以下とすることにより、半導体・液晶製造装置内のハロゲン系腐食性ガスやそのプラズマに対して高い耐食性を示す耐食性部材とすることが可能となる。
【００６６】
また、上記耐食膜の厚さを５０μｍ未満とすることにより、金属基材に形成された細かい段差部や穴部を閉塞することなく、また金属基材を小さな内径を有する配管形状とした場合に、その内面に耐食膜を形成する際に配管を閉塞することなく耐食性部材を構成することが可能となる。
【００６７】
また、上記金属からなる基材の表面粗さ（Ｒａ）を１μｍ以下とすることにより、基材の表面粗さの影響を受けることなく上記耐食膜を形成可能であり、耐食膜の表面粗さはより滑らかになり、これにより腐食性ガスやそのプラズマに曝される表面積を低減することができるために耐食性を向上できる。
【００６８】
また、上記基材の少なくとも一方の主面にＹ元素を主成分とするゾル液をコーティングした後、熱処理を施して耐食膜を形成する製造方法を用いることにより、金属基材表面に数μｍ〜数十μｍの薄い耐食膜を形成でき、複雑形状を有する基材や数ｍｍ程度の円管の内面等にも耐食膜を容易に形成することが可能となる。
【００６９】
また、上記熱処理温度を３００〜１０００℃とすることにより、耐食膜の主成分であるＹ_２Ｏ_３を結晶化させ、緻密化することが可能となる。
【００７０】
また、上記基材に耐食膜を形成する前に、予め酸化処理を行うことにより、基材表面に付着している有機物の除去を行い、また基材表面に酸化膜を形成させることができ、上記Ｙ元素を主成分とするゾル液との濡れ性が向上し、均一に塗布することが可能となる。
【００７１】
また、上記基材をＹ_２Ｏ_３を主成分とするゾル液に浸漬または基材にゾル液を塗布することで基材にＹ_２Ｏ_３を主成分とするゾル液を厚み２．５μｍ以上となるようにコーティングし、３００℃〜１０００℃の温度で熱処理する工程を繰り返すことにより、厚み５０μｍ未満の耐食膜を形成することが可能となる。
【００７２】
また、上記耐食性部材を用いて半導体・液晶製造装置を構成することにより、従来から用いていた金属部材の特性を生かしつつ更にハロゲン系腐食性ガスやそのプラズマに対する耐食性をも向上できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の耐食性部材のＸ線回折における結晶ピークを示すスペクトル図である。

Claims

金属からなる基材の表面に、Ｙ_２Ｏ_３を主成分とする耐食膜を有する耐食性部材であって、上記耐食膜のＸ線反射率法による膜密度が３ｇ／ｃｍ^３以上であり、かつＸ線回折によるＹ_２Ｏ_３結晶の最高ピークの半価幅が１．３°以下であることを特徴とする耐食性部材。
上記耐食膜の厚さが５０μｍ未満であることを特徴とする請求項１に記載の耐食性部材。
上記金属からなる基材の表面粗さ（Ｒａ）が１μｍ以下であることを特徴とする請求項１または２に記載の耐食性部材。
金属からなる基材の表面にＹ_２Ｏ_３を主成分とする耐食膜を有する耐食性部材の製造方法であって、上記基材の少なくとも一方の主面にＹ元素を主成分とするゾル液をコーティングした後、熱処理を施して耐食膜を形成することを特徴とする耐食性部材の製造方法。
上記熱処理温度が３００〜１０００℃であることを特徴とする請求項４に記載の耐食性部材の製造方法。
上記基材に耐食膜を形成する前に、予め酸化処理を行うことを特徴とする請求項４又は５に記載の耐食性部材の製造方法。
上記基材をＹ_２Ｏ_３を主成分とするゾル液に浸漬または基材にゾル液を塗布することで基材にＹ_２Ｏ_３を主成分とするゾル液を厚み２．５μｍ以上となるようにコーティングし、３００℃〜１０００℃の温度で熱処理する工程を繰り返すことにより、厚み５０μｍ未満の耐食膜を形成することを特徴とする請求項４乃至６の何れかに記載の耐食性部材の製造方法。
請求項１乃至３の何れかに記載の耐食性部材を用いたことを特徴とする半導体・液晶製造装置。