JP2004290958A - パターンの形成方法及びパターン形成装置、デバイスの製造方法、導電膜配線、電気光学装置、並びに電子機器 - Google Patents
パターンの形成方法及びパターン形成装置、デバイスの製造方法、導電膜配線、電気光学装置、並びに電子機器 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004290958A JP2004290958A JP2004031048A JP2004031048A JP2004290958A JP 2004290958 A JP2004290958 A JP 2004290958A JP 2004031048 A JP2004031048 A JP 2004031048A JP 2004031048 A JP2004031048 A JP 2004031048A JP 2004290958 A JP2004290958 A JP 2004290958A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- droplets
- pattern
- droplet
- forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 78
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 204
- 239000011344 liquid material Substances 0.000 claims abstract description 50
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 42
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 32
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 claims description 24
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 claims description 10
- 238000007599 discharging Methods 0.000 abstract description 16
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 14
- 239000010408 film Substances 0.000 description 104
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 27
- 239000002612 dispersion medium Substances 0.000 description 23
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 19
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 19
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 16
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 15
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 10
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 9
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 8
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 8
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 6
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 6
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 5
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 5
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N Dimethoxyethane Chemical compound COCCOC XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 239000002120 nanofilm Substances 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N N-Heptane Chemical compound CCCCCCC IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 3
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YBYIRNPNPLQARY-UHFFFAOYSA-N 1H-indene Chemical compound C1=CC=C2CC=CC2=C1 YBYIRNPNPLQARY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 4-Butyrolactone Chemical compound O=C1CCCO1 YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical group [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 2
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 2
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- -1 cyclohexylbenzene Hydrocarbon compounds Chemical class 0.000 description 2
- NNBZCPXTIHJBJL-UHFFFAOYSA-N decalin Chemical compound C1CCCC2CCCCC21 NNBZCPXTIHJBJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N decane Chemical compound CCCCCCCCCC DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N diglyme Chemical compound COCCOCCOC SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SQNZJJAZBFDUTD-UHFFFAOYSA-N durene Chemical compound CC1=CC(C)=C(C)C=C1C SQNZJJAZBFDUTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 2
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 2
- 125000003709 fluoroalkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 2
- XMGQYMWWDOXHJM-UHFFFAOYSA-N limonene Chemical compound CC(=C)C1CCC(C)=CC1 XMGQYMWWDOXHJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N octane Chemical compound CCCCCCCC TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 2
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 2
- LZDKZFUFMNSQCJ-UHFFFAOYSA-N 1,2-diethoxyethane Chemical compound CCOCCOCC LZDKZFUFMNSQCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RRQYJINTUHWNHW-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxy-2-(2-ethoxyethoxy)ethane Chemical compound CCOCCOCCOCC RRQYJINTUHWNHW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CNJRPYFBORAQAU-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxy-2-(2-methoxyethoxy)ethane Chemical compound CCOCCOCCOC CNJRPYFBORAQAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CAQYAZNFWDDMIT-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxy-2-methoxyethane Chemical compound CCOCCOC CAQYAZNFWDDMIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 229930007927 cymene Natural products 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 229940019778 diethylene glycol diethyl ether Drugs 0.000 description 1
- 238000005068 drawing (forming) Methods 0.000 description 1
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 1
- 125000001301 ethoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 1
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 239000008204 material by function Substances 0.000 description 1
- 239000002609 medium Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 230000005499 meniscus Effects 0.000 description 1
- VMTCKFAPVIWNOF-UHFFFAOYSA-N methane tetrahydrofluoride Chemical compound C.F.F.F.F VMTCKFAPVIWNOF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000956 methoxy group Chemical group [H]C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 239000003607 modifier Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- HFPZCAJZSCWRBC-UHFFFAOYSA-N p-cymene Chemical compound CC(C)C1=CC=C(C)C=C1 HFPZCAJZSCWRBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 229960004624 perflexane Drugs 0.000 description 1
- BPHQIXJDBIHMLT-UHFFFAOYSA-N perfluorodecane Chemical compound FC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F BPHQIXJDBIHMLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZJIJAJXFLBMLCK-UHFFFAOYSA-N perfluorohexane Chemical compound FC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F ZJIJAJXFLBMLCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 1
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RUOJZAUFBMNUDX-UHFFFAOYSA-N propylene carbonate Chemical compound CC1COC(=O)O1 RUOJZAUFBMNUDX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000002940 repellent Effects 0.000 description 1
- 239000005871 repellent Substances 0.000 description 1
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 1
- SCPYDCQAZCOKTP-UHFFFAOYSA-N silanol Chemical compound [SiH3]O SCPYDCQAZCOKTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 239000002887 superconductor Substances 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N tetrafluoroethene Chemical group FC(F)=C(F)F BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CXWXQJXEFPUFDZ-UHFFFAOYSA-N tetralin Chemical compound C1=CC=C2CCCCC2=C1 CXWXQJXEFPUFDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- JLGNHOJUQFHYEZ-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(3,3,3-trifluoropropyl)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCC(F)(F)F JLGNHOJUQFHYEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4846—Leads on or in insulating or insulated substrates, e.g. metallisation
- H01L21/4867—Applying pastes or inks, e.g. screen printing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
- H01J9/02—Manufacture of electrodes or electrode systems
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/12—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using thick film techniques, e.g. printing techniques to apply the conductive material or similar techniques for applying conductive paste or ink patterns
- H05K3/1241—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using thick film techniques, e.g. printing techniques to apply the conductive material or similar techniques for applying conductive paste or ink patterns by ink-jet printing or drawing by dispensing
- H05K3/125—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using thick film techniques, e.g. printing techniques to apply the conductive material or similar techniques for applying conductive paste or ink patterns by ink-jet printing or drawing by dispensing by ink-jet printing
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
- H10K71/13—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing
- H10K71/135—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing using ink-jet printing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2217/00—Gas-filled discharge tubes
- H01J2217/38—Cold-cathode tubes
- H01J2217/49—Display panels, e.g. not making use of alternating current
- H01J2217/492—Details
- H01J2217/49207—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/14—Related to the order of processing steps
- H05K2203/1476—Same or similar kind of process performed in phases, e.g. coarse patterning followed by fine patterning
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Gas-Filled Discharge Tubes (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
【解決手段】 本発明のパターン形成方法は、液体材料の液滴を基板11上に吐出することにより膜パターンWを形成するパターンの形成方法であって、液滴により基板11上に膜パターンWの中央パターンW1を形成する第1工程と、形成された中央パターンW1に対して一方の側に第1側部パターンW2を形成する第2工程と、中央パターンW1に対して他方の側に第2側部パターンW3を形成する第3工程とを有する。
【選択図】 図2
Description
本発明によれば、膜パターンを形成する際、中央部を形成した後、この中央部に隣接するように一方の側部及び他方の側部を形成するようにしたので、1回の配置動作での液滴の体積が小さくても幅広の膜パターンを容易に形成できる。そして、1回の配置動作での液滴の体積を小さくできるのでバルジ等の不都合の発生を抑えることができる。
本発明によれば、側部を形成するために配置された液滴はその一部を中央部に重ね合わせることにより中央部に対して確実に接続される。したがって、膜パターンに不連続部が形成されるといった不都合の発生を抑えることができる。
本発明によれば、複数の液滴を配置することで側部を形成する際、第1配置工程で液滴どうしの間隔をあけて基板上に配置した後、この液滴どうしの間を埋めるように第2配置工程で液滴を配置するようにしたので、バルジの発生を抑えつつ側部を複数の液滴で連続させることができる。すなわち、液滴を連続的に吐出して複数の液滴どうしをつなげるように配置するとバルジが発生しやすくなるが、配置動作(吐出動作)を複数回に分け、第1配置動作では液滴を間引いて配置し、第2配置動作で基板上の液滴どうしの間を補間することで、バルジの発生を抑えつつ側部(膜パターン)を複数の液滴で確実に連続させることができる。
本発明によれば、例えば膜パターンの設計値情報や液体材料の材料特性等に応じて各工程の配置条件を変更することで効率良く良好なパターン形成動作を行うことができる。
例えば、前記第1、第2、及び第3工程における前記液滴の前記基板上での配置間隔を互いに異なる値に設定することにより、処理時間を短縮しつつバルジ等の不都合の発生を抑えることができる。
また、前記第1、第2、及び第3工程における前記液滴の体積を互いに異なる値に設定することにより、例えば使用する液体材料の材料特性によりバルジが発生し難い条件である場合には、1回の配置動作(吐出動作)における液滴の体積を多くすることでスループットの向上を図ることができる。
本発明によれば、基板上に液滴を配置する前に基板の撥液性を調整する表面処理を行うことで所望の接触角で液滴を基板上に配置することができ、パターンの厚膜化及びパターン形状安定化が図られ、パターン形成を円滑に行うことができる。
ここで、撥液性を与える撥液化処理とは液体材料に対して非親和性を示す特性を与える処理のことをいう。
本発明によれば、バルジ等の不都合の発生を抑えつつ幅広の膜パターンを容易に形成できる。
本発明によれば、バルジ等の不都合の発生を抑えつつ幅広の配線パターンを容易に形成できるため、電気伝導に有利な配線パターンを備えたデバイスを提供できる。
本発明の電気光学装置は、上記記載の導電膜配線を備えることを特徴とする。また、本発明の電子機器は、上記記載の電気光学装置を備えることを特徴とする。これらの発明によれば、電気伝導に有利な導電膜配線を備えるので配線部の断線や短絡等の不良が生じにくい。
以下、本発明のパターンの形成方法について図面を参照しながら説明する。図1は本発明のパターンの形成方法の一実施形態を示すフローチャート図である。
ここで、本実施形態では基板上に導電膜配線パターンを形成する場合を例にして説明する。
本実施形態の材料配置工程は、導電膜配線形成用材料を含む液体材料の液滴を液滴吐出装置の液滴吐出ヘッドより基板上に吐出することにより基板上に線状の膜パターン(配線パターン)Wを形成する工程である。液体材料は導電膜配線形成用材料である金属等の導電性微粒子を分散媒に分散した液状体である。
まず、図3(a)に示すように、液滴吐出ヘッド10から吐出した液滴L1が所定の間隔をあけて基板11上に順次配置される。すなわち、液滴吐出ヘッド10は基板11上で液滴L1どうしが重ならないように配置する(第1配置工程)。本例では、液滴L1の配置ピッチP1は基板11上に配置した直後の液滴L1の直径よりも大きくなるように設定されている。これにより基板11上に配置された直後の液滴L1どうしは重ならずに(接触せずに)、液滴L1どうしが合体して基板11上で濡れ拡がることが防止される。また、液滴L1の配置ピッチP1は基板11上に配置した直後の液滴L1の直径の2倍以下となるように設定されている。
次に、図1で示した表面処理工程S2、S3について説明する。表面処理工程では、導電膜配線を形成する基板の表面を液体材料に対して撥液性に加工する(ステップS2)。
具体的には、導電性微粒子を含有した液体材料に対する所定の接触角が、60[deg]以上、好ましくは90[deg]以上110[deg]以下となるように基板に対して表面処理を施す。表面の撥液性(濡れ性)を制御する方法としては、例えば、基板の表面に自己組織化膜を形成する方法、プラズマ処理法等を採用できる。
次に、図1で示した中間乾燥工程S5について説明する。中間乾燥工程(熱・光処理工程)では、基板上に配置された液滴に含まれる分散媒あるいはコーティング材を除去する。すなわち、基板上に配置された導電膜形成用の液体材料は、微粒子間の電気的接触をよくするために分散媒を完全に除去する必要がある。また、導電性微粒子の表面に分散性を向上させるために有機物などのコーティング材がコーティングされている場合には、このコーティング材も除去する必要がある。
次に、本発明のパターン形成装置の一例について図10を参照しながら説明する。図10は本実施形態に係るパターン形成装置の概略斜視図である。図10に示すように、パターン形成装置100は、液滴吐出ヘッド10、液滴吐出ヘッド10をX方向に駆動するためのX方向ガイド軸2、X方向ガイド軸2を回転させるX方向駆動モータ3、基板11を載置するための載置台4、載置台4をY方向に駆動するためのY方向ガイド軸5、Y方向ガイド軸5を回転させるY方向駆動モータ6、クリーニング機構部14、ヒータ15、及びこれらを統括的に制御する制御装置8等を備えている。X方向ガイド軸2及びY方向ガイド軸5はそれぞれ、基台7上に固定されている。なお、図10では、液滴吐出ヘッド10は、基板11の進行方向に対し直角に配置されているが、液滴吐出ヘッド10の角度を調整し、基板11の進行方向に対して交差させるようにしてもよい。このようにすれば、液滴吐出ヘッド10の角度を調整することで、ノズル間のピッチを調節することが出来る。また、基板11とノズル面との距離を任意に調節することが出来るようにしてもよい。
次に、本発明の電気光学装置の一例としてプラズマ型表示装置について説明する。図11は本実施形態のプラズマ型表示装置500の分解斜視図を示している。プラズマ型表示装置500は、互いに対向して配置された基板501、502、及びこれらの間に形成される放電表示部510を含んで構成される。放電表示部510は、複数の放電室516が集合されたものである。複数の放電室516のうち、赤色放電室516(R)、緑色放電室516(G)、青色放電室516(B)の3つの放電室516が対になって1画素を構成するように配置されている。
図13に示す液晶表示装置(電気光学装置)901は、大別するとカラーの液晶パネル(電気光学パネル)902と、液晶パネル902に接続される回路基板903とを備えている。また、必要に応じて、バックライト等の照明装置、その他の付帯機器が液晶パネル902に付設されている。
本実施形態の液晶表示装置によれば、電気特性の不均一が解消された高品質の液晶表示装置を得ることができる。
図14は、FEDを説明するための図であって、図14(a)はFEDを構成するカソード基板とアノード基板の配置を示した概略構成図、図14(b)はFEDのうちカソード基板が具備する駆動回路の模式図、図14(c)はカソード基板の要部を示した斜視図である。
本実施形態のFEDによれば、電気特性の不均一が解消された高品質のFEDを得ることができる。
次に、本発明の電子機器の例について説明する。図15は上述した実施形態に係る表示装置を備えたモバイル型のパーソナルコンピュータ(情報処理装置)の構成を示す斜視図である。同図において、パーソナルコンピュータ1100は、キーボード1102を備えた本体部1104と、上述した電気光学装置1106を備えた表示装置ユニットとから構成されている。このため、発光効率が高く明るい表示部を備えた電子機器を提供することができる。
100…パターン形成装置(液滴吐出装置)、
W…膜パターン(配線パターン、導電膜配線)、
W1…中央パターン(中央部)、W2…第1側部パターン(一方の側部)、
W3…第2側部パターン(他方の側部)
Claims (13)
- 液体材料の液滴を基板上に配置することにより膜パターンを形成するパターンの形成方法であって、
前記液滴により前記基板上に前記膜パターンの中央部を形成する第1工程と、
前記形成された中央部に対して一方の側部を形成する第2工程と、
前記形成された中央部に対して他方の側部を形成する第3工程とを有することを特徴とするパターンの形成方法。 - 前記基板上に形成された前記中央部に対して少なくともその一部が重なるように前記液滴を配置して前記側部を形成することを特徴とする請求項1記載のパターンの形成方法。
- 複数の液滴により前記側部を形成する際、
前記基板上で液滴どうしが重ならないように複数の液滴を配置する第1配置工程と、
前記第1配置工程で前記基板上に配置された複数の液滴どうしの間に液滴を配置する第2配置工程とを有することを特徴とする請求項1又は2記載のパターンの形成方法。 - 前記第1、第2、及び第3工程における前記液滴の配置条件を互いに異なる条件に設定することを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項記載のパターンの形成方法。
- 前記第1、第2、及び第3工程における前記液滴の前記基板上での配置間隔を互いに異なる値に設定することを特徴とする請求項4記載のパターンの形成方法。
- 前記第1、第2、及び第3工程における前記液滴の体積を互いに異なる値に設定することを特徴とする請求項4記載のパターンの形成方法。
- 前記基板上に前記液滴を配置する前に前記基板表面の撥液性を調整する表面処理工程を有することを特徴とする請求項1〜6のいずれか一項記載のパターンの形成方法。
- 前記液体材料は導電性微粒子を含む液状体であることを特徴とする請求項1〜7のいずれか一項記載のパターンの形成方法。
- 液体材料の液滴を基板上に配置する液滴吐出装置を備え、前記液滴により膜パターンを形成するパターン形成装置であって、
前記液滴吐出装置は、前記液滴により前記基板上に前記膜パターンの中央部を形成した後、前記基板上に形成された中央部に対して一方及び他方の側部を形成することを特徴とするパターン形成装置。 - 配線パターンを有するデバイスの製造方法において、
液体材料の液滴を基板上に配置する材料配置工程を有し、
前記材料配置工程は、前記液滴により前記基板上に前記配線パターンの中央部を形成する第1工程と、
前記形成された中央部に対して一方の側部を形成する第2工程と、
前記形成された中央部に対して他方の側部を形成する第3工程とを有することを特徴とするデバイスの形成方法。 - 請求項9記載のパターン形成装置により形成されたことを特徴とする導電膜配線。
- 請求項11記載の導電膜配線を備えることを特徴とする電気光学装置。
- 請求項12記載の電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004031048A JP3966293B2 (ja) | 2003-03-11 | 2004-02-06 | パターンの形成方法及びデバイスの製造方法 |
TW093104800A TWI231164B (en) | 2003-03-11 | 2004-02-25 | Method and device to form pattern, manufacturing method of device, conductive film wiring, electro-optic device, and electronic apparatus |
KR1020040014204A KR100592372B1 (ko) | 2003-03-11 | 2004-03-03 | 패턴 형성 방법 및 패턴 형성 장치, 디바이스의 제조방법, 도전막 배선, 전기 광학 장치, 및 전자 기기 |
CNB2004100078356A CN100508693C (zh) | 2003-03-11 | 2004-03-04 | 图形的形成方法和图形形成装置、器件的制造方法、导电膜布线、光电装置及电子机器 |
US10/797,591 US7582333B2 (en) | 2003-03-11 | 2004-03-10 | Pattern forming method, pattern forming apparatus, method of manufacturing device, conductive film wiring, electro-optical device, and electronic apparatus |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003065323 | 2003-03-11 | ||
JP2004031048A JP3966293B2 (ja) | 2003-03-11 | 2004-02-06 | パターンの形成方法及びデバイスの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004290958A true JP2004290958A (ja) | 2004-10-21 |
JP3966293B2 JP3966293B2 (ja) | 2007-08-29 |
Family
ID=33421542
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004031048A Expired - Fee Related JP3966293B2 (ja) | 2003-03-11 | 2004-02-06 | パターンの形成方法及びデバイスの製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7582333B2 (ja) |
JP (1) | JP3966293B2 (ja) |
KR (1) | KR100592372B1 (ja) |
CN (1) | CN100508693C (ja) |
TW (1) | TWI231164B (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009034582A (ja) * | 2007-07-31 | 2009-02-19 | Kyocera Chemical Corp | 接着層の形成方法及び接着性樹脂溶液 |
US7816672B2 (en) | 2006-09-08 | 2010-10-19 | Ricoh Company, Ltd. | Wiring pattern, electronic device, organic semiconductor device, layered wiring pattern, and layered wiring substrate using the wiring pattern |
WO2016140284A1 (ja) * | 2015-03-02 | 2016-09-09 | コニカミノルタ株式会社 | パターン形成方法、透明導電膜付き基材、デバイス及び電子機器 |
KR20170106337A (ko) | 2015-01-20 | 2017-09-20 | 토레이 엔지니어링 컴퍼니, 리미티드 | 도포 장치 및 도포 방법 |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005199230A (ja) * | 2004-01-19 | 2005-07-28 | Seiko Epson Corp | 吐出装置、材料塗布方法、カラーフィルタ基板の製造方法、エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法、プラズマ表示装置の製造方法、および配線製造方法 |
JP2005351975A (ja) * | 2004-06-08 | 2005-12-22 | Seiko Epson Corp | 配向膜形成装置、配向膜形成方法、描画装置および描画方法 |
JP3807425B2 (ja) * | 2004-08-27 | 2006-08-09 | セイコーエプソン株式会社 | 配線パターン形成方法およびtft用ゲート電極の形成方法 |
JP4371997B2 (ja) * | 2004-12-22 | 2009-11-25 | シャープ株式会社 | 表示装置用基板及びその製造方法 |
US7867561B2 (en) * | 2005-06-22 | 2011-01-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Circuit pattern forming method and circuit pattern forming device |
CN100461335C (zh) * | 2005-08-26 | 2009-02-11 | 精工爱普生株式会社 | 层形成方法、有源矩阵基板的制造方法及多层布线基板的制造方法 |
US20080119011A1 (en) * | 2006-11-20 | 2008-05-22 | Industrial Technology Research Institute | Method of film coating and device manufactured thereby |
US7785667B2 (en) * | 2007-01-04 | 2010-08-31 | Nordson Corporation | Method of controlling edge definition of viscous materials |
KR100978276B1 (ko) * | 2008-09-17 | 2010-08-26 | 삼성전기주식회사 | 복합 노즐 잉크젯 장치를 이용한 배선 인쇄 방법 |
BRPI0921388A2 (pt) * | 2008-11-21 | 2015-12-29 | Sharp Kk | método para ejetar gotícula de material de alinhamento e dispositivo para o mesmo |
WO2013174651A1 (en) * | 2012-05-23 | 2013-11-28 | Oce-Technologies B.V. | Printing method for printing a functional pattern and a printing apparatus |
TWI585375B (zh) * | 2014-12-05 | 2017-06-01 | 麥克思股份有限公司 | 超音波感測器及其製造方法 |
CN111497448B (zh) * | 2015-12-07 | 2022-07-26 | 科迪华公司 | 用于以改进的均匀性和打印速度制造薄膜的技术 |
US10335995B2 (en) | 2015-12-16 | 2019-07-02 | Xerox Corporation | System and method for compensating for dissimilar shrinkage rates in different materials used to form a three-dimensional printed object during additive manufacturing |
US11951472B2 (en) * | 2017-06-15 | 2024-04-09 | Wisconsin Alumni Research Foundation | Systems and methods for undermedia repellency |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2839133B2 (ja) * | 1994-03-31 | 1998-12-16 | キヤノン株式会社 | カラーフィルタの製造方法及び製造装置及び液晶表示装置の製造方法及び液晶表示装置を備えた装置の製造方法 |
JP3124718B2 (ja) * | 1995-03-31 | 2001-01-15 | キヤノン株式会社 | カラーフィルタの製造方法及び製造装置及びカラーフィルタのフィルタエレメント列内の着色ムラを低減する方法 |
JP3241613B2 (ja) * | 1995-10-12 | 2001-12-25 | キヤノン株式会社 | 電子放出素子、電子源および画像形成装置の製造方法 |
JPH10283917A (ja) * | 1997-04-08 | 1998-10-23 | Canon Inc | 電子放出素子の製造方法、電子放出素子、電子源基板、画像形成装置、および液滴付与装置 |
JPH10312743A (ja) | 1997-05-09 | 1998-11-24 | Canon Inc | 電子放出素子、電子源基板および画像形成装置の製造方法 |
JP4003273B2 (ja) * | 1998-01-19 | 2007-11-07 | セイコーエプソン株式会社 | パターン形成方法および基板製造装置 |
JP4741045B2 (ja) | 1998-03-25 | 2011-08-03 | セイコーエプソン株式会社 | 電気回路、その製造方法および電気回路製造装置 |
FI110622B (fi) * | 1998-04-30 | 2003-02-28 | Metso Paper Inc | Menetelmä ja laite jenkkisylinterin kattavan huuvan kuivatuskapasiteetin parantamiseksi |
JP2000094755A (ja) | 1998-09-25 | 2000-04-04 | Brother Ind Ltd | 画像形成装置 |
JP2000216330A (ja) | 1999-01-26 | 2000-08-04 | Seiko Epson Corp | 積層型半導体装置およびその製造方法 |
JP3583944B2 (ja) | 1999-04-13 | 2004-11-04 | 関西ペイント株式会社 | 多色模様の形成方法 |
US6501663B1 (en) | 2000-02-28 | 2002-12-31 | Hewlett Packard Company | Three-dimensional interconnect system |
JP4035968B2 (ja) | 2000-06-30 | 2008-01-23 | セイコーエプソン株式会社 | 導電膜パターンの形成方法 |
JP3506660B2 (ja) * | 2000-07-07 | 2004-03-15 | 株式会社リコー | 電子源基板の製造方法、該方法により製造された電子源基板及び該基板を用いた画像表示装置 |
US6720119B2 (en) * | 2000-07-27 | 2004-04-13 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Method of fabricating high-dielectric color filter |
JP2003080694A (ja) * | 2001-06-26 | 2003-03-19 | Seiko Epson Corp | 膜パターンの形成方法、膜パターン形成装置、導電膜配線、電気光学装置、電子機器、並びに非接触型カード媒体 |
JP4281342B2 (ja) * | 2001-12-05 | 2009-06-17 | セイコーエプソン株式会社 | パターン形成方法および配線形成方法 |
JP3578162B2 (ja) * | 2002-04-16 | 2004-10-20 | セイコーエプソン株式会社 | パターンの形成方法、パターン形成装置、導電膜配線、デバイスの製造方法、電気光学装置、並びに電子機器 |
JP3829287B2 (ja) | 2004-07-30 | 2006-10-04 | 関西ティー・エル・オー株式会社 | 耳鼻咽喉科用照明付観察装置 |
-
2004
- 2004-02-06 JP JP2004031048A patent/JP3966293B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2004-02-25 TW TW093104800A patent/TWI231164B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-03-03 KR KR1020040014204A patent/KR100592372B1/ko active IP Right Grant
- 2004-03-04 CN CNB2004100078356A patent/CN100508693C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2004-03-10 US US10/797,591 patent/US7582333B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7816672B2 (en) | 2006-09-08 | 2010-10-19 | Ricoh Company, Ltd. | Wiring pattern, electronic device, organic semiconductor device, layered wiring pattern, and layered wiring substrate using the wiring pattern |
JP2009034582A (ja) * | 2007-07-31 | 2009-02-19 | Kyocera Chemical Corp | 接着層の形成方法及び接着性樹脂溶液 |
KR20170106337A (ko) | 2015-01-20 | 2017-09-20 | 토레이 엔지니어링 컴퍼니, 리미티드 | 도포 장치 및 도포 방법 |
WO2016140284A1 (ja) * | 2015-03-02 | 2016-09-09 | コニカミノルタ株式会社 | パターン形成方法、透明導電膜付き基材、デバイス及び電子機器 |
JPWO2016140284A1 (ja) * | 2015-03-02 | 2017-12-14 | コニカミノルタ株式会社 | パターン形成方法、透明導電膜付き基材、デバイス及び電子機器 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN100508693C (zh) | 2009-07-01 |
TW200420210A (en) | 2004-10-01 |
US20040241586A1 (en) | 2004-12-02 |
KR20040080986A (ko) | 2004-09-20 |
JP3966293B2 (ja) | 2007-08-29 |
CN1531389A (zh) | 2004-09-22 |
KR100592372B1 (ko) | 2006-06-22 |
TWI231164B (en) | 2005-04-11 |
US7582333B2 (en) | 2009-09-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3966292B2 (ja) | パターンの形成方法及びパターン形成装置、デバイスの製造方法、導電膜配線、電気光学装置、並びに電子機器 | |
JP3578162B2 (ja) | パターンの形成方法、パターン形成装置、導電膜配線、デバイスの製造方法、電気光学装置、並びに電子機器 | |
KR100712632B1 (ko) | 배선 형성 방법, 배선 형성 장치, 도전막 배선, 전기 광학장치, 전자 기기, 및 비접촉형 카드 매체 | |
JP4720069B2 (ja) | 電気光学装置及び電子機器 | |
JP4103830B2 (ja) | パターンの形成方法及びパターン形成装置、デバイスの製造方法、アクティブマトリクス基板の製造方法 | |
JP3966293B2 (ja) | パターンの形成方法及びデバイスの製造方法 | |
JP3966294B2 (ja) | パターンの形成方法及びデバイスの製造方法 | |
JP2004006313A (ja) | 電気光学装置の製造方法、電気光学装置、および電子機器 | |
JP2004311958A (ja) | 表面処理方法、表面処理装置、表面処理基板及び電気光学装置並びに電子機器 | |
JP2004311957A (ja) | デバイスとその製造方法及び電気光学装置並びに電子機器 | |
JP2004351305A (ja) | 薄膜パターン形成方法、デバイスとその製造方法及び電気光学装置並びに電子機器 | |
JP2004305990A (ja) | パターン形成方法、パターン形成装置、導電膜配線、デバイスの製造方法、電気光学装置、並びに電子機器 | |
KR100669934B1 (ko) | 배선 패턴 형성 방법, 디바이스의 제조 방법, 디바이스,전기 광학 장치 및 전자 기기 | |
JP2007049186A (ja) | 配線形成方法 | |
JP4955919B2 (ja) | 配線形成方法 | |
JP2004356320A (ja) | 膜パターン形成方法、デバイス及びデバイスの製造方法、電気光学装置、並びに電子機器 | |
JP5344078B2 (ja) | 電気光学装置及び電子機器 | |
JP2003324266A (ja) | 膜パターンの形成方法、膜パターン形成装置、導電膜配線、電気光学装置、電子機器、並びに非接触型カード媒体 | |
JP2004127676A (ja) | 配線パターン用インク、配線パターンの形成方法、導電膜配線、電気光学装置、並びに電子機器 | |
JP2004296668A (ja) | パターンの形成方法及びデバイスの製造方法、導電膜配線、電気光学装置、並びに電子機器 | |
JP2005052835A (ja) | 膜パターンの形成方法、導電膜配線、電気光学装置、電子機器、非接触型カード媒体、及び薄膜トランジスタ | |
JP2004349639A (ja) | パターンの形成方法及びパターン形成装置、デバイスの製造方法、電気光学装置及び電子機器 | |
JP2004330166A (ja) | 膜パターン形成方法、デバイス及びデバイスの製造方法、電気光学装置、並びに電子機器 | |
JP2003311203A (ja) | デバイスの製造方法及びデバイス製造装置、デバイス及び電子機器 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060406 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070213 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20070403 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070405 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070508 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070521 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 3966293 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110608 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110608 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120608 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130608 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130608 Year of fee payment: 6 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |