JP2004289134A - 電荷検出装置 - Google Patents
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- 238000009825 accumulation Methods 0.000 claims abstract description 5
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 26
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 18
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 16
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 3
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 claims description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 25
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 57
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 29
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 9
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 8
- 230000008859 change Effects 0.000 description 8
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 8
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 7
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 6
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 5
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14609—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/148—Charge coupled imagers
- H01L27/14806—Structural or functional details thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
Abstract
【解決手段】 P型ウェル101内に形成された低濃度のN型(N−)層108と、N−層と主表面との間に形成された高濃度のN型(N+)層とからなる電荷蓄積部を備え、N+層は、出力回路の増幅用トランジスタ405の入力端子に接続され、蓄積電荷の排出においてN+層に逆バイアスが印加された後、少なくとも飽和電荷の蓄積に至るまでは、N−層が全て空乏化している構成をとる。
【選択図】 図1A
Description
102、402 拡散浮遊領域の高濃度N層(N+)
403 リセット用MOSトランジスタ
404 リセット電極
405 増幅用MOSトランジスタ
406 行選択用MOSトランジスタ
407 出力端子
108 拡散浮遊領域の低濃度N層(N−)
308a 拡散浮遊領域の表面側の低濃度N層(N−)
308b 拡散浮遊領域の深部の低濃度N層(N)
209 フォトダイオードのN層
210 フォトダイオードの表面の高濃度P層(P+)
211 読出しゲート
Claims (7)
- 一主表面を含む半導体基板上に形成された第1導電型の第1の領域と、前記第1の領域内に形成された第2導電型の第2の領域と、前記第2の領域と主表面との間に形成された第2導電型の第3の領域とからなる電荷蓄積部を備え、
前記第3の領域は出力回路の入力端子に接続され、前記第3の領域に対し前記電荷蓄積部に蓄積された蓄積電荷を排出するリセット電圧が印加された後、前記第2の領域が全て空乏化していることを特徴とする電荷検出装置。 - 一主表面を含む半導体基板上に形成された第1導電型の第1の領域と、前記第1の領域内に形成された第2導電型の第2の領域と、前記第2の領域と主表面との間に形成された第2導電型の第3の領域とからなる電荷蓄積部を備え、
前記第3の領域は出力回路の入力端子に接続され、前記第3の領域に対し前記電荷蓄積部に蓄積された蓄積電荷を排出するリセット電圧が印加された直後は、前記第2の領域が全て空乏化していることを特徴とする電荷検出装置。 - 前記リセット電圧が印加された直後から、少なくとも飽和電荷の蓄積に至るまでは、前記第2の領域が空乏化していることを特徴とする請求項2記載の電荷検出装置。
- 前記第2の領域の不純物濃度は、第3の領域の不純物濃度よりも低いことを特徴とする請求項1または2記載の電荷検出装置。
- 前記第2の領域は、同一導電型の複数の領域で形成されており、表面側の領域の不純物濃度が、該表面側の領域より深い領域の不純物濃度よりも低いことを特徴とする請求項1記載の電荷検出装置。
- 前記主表面における前記第3の領域の面積は、前記第2の領域と前記第3の領域が接する部分の面積と同等もしくは広いことを特徴とする請求項1または2記載の電荷検出装置。
- 前記第2の領域の不純物濃度は、2.0×1016cm-3以下であることを特徴とする請求項1または2記載の電荷検出装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004040450A JP3793205B2 (ja) | 2003-03-06 | 2004-02-17 | 電荷検出装置および固体撮像装置 |
US10/793,107 US7034347B2 (en) | 2003-03-06 | 2004-03-03 | Charge detecting device |
CNB2004100074641A CN100382329C (zh) | 2003-03-06 | 2004-03-04 | 电荷检测装置 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003060529 | 2003-03-06 | ||
JP2004040450A JP3793205B2 (ja) | 2003-03-06 | 2004-02-17 | 電荷検出装置および固体撮像装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005304400A Division JP4351667B2 (ja) | 2003-03-06 | 2005-10-19 | 電荷検出装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004289134A true JP2004289134A (ja) | 2004-10-14 |
JP3793205B2 JP3793205B2 (ja) | 2006-07-05 |
Family
ID=32992927
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004040450A Expired - Fee Related JP3793205B2 (ja) | 2003-03-06 | 2004-02-17 | 電荷検出装置および固体撮像装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7034347B2 (ja) |
JP (1) | JP3793205B2 (ja) |
CN (1) | CN100382329C (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009158569A (ja) * | 2007-12-25 | 2009-07-16 | Seiko Instruments Inc | 光検出半導体装置、光検出装置、及び画像表示装置 |
JP2009158570A (ja) * | 2007-12-25 | 2009-07-16 | Seiko Instruments Inc | 光検出半導体装置、光検出装置、及び画像表示装置 |
JP2012178542A (ja) * | 2011-01-31 | 2012-09-13 | Canon Inc | 光電変換装置 |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4940540B2 (ja) * | 2004-10-07 | 2012-05-30 | ソニー株式会社 | 半導体装置 |
US7115925B2 (en) * | 2005-01-14 | 2006-10-03 | Omnivision Technologies, Inc. | Image sensor and pixel having an optimized floating diffusion |
US8053287B2 (en) | 2006-09-29 | 2011-11-08 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method for making multi-step photodiode junction structure for backside illuminated sensor |
JP5493430B2 (ja) * | 2009-03-31 | 2014-05-14 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置とその製造方法、及び電子機器 |
CN102175932B (zh) * | 2011-01-26 | 2013-05-29 | 北京大学 | 一种等离子体环境的电荷测试方法和测试系统 |
WO2012147302A1 (ja) * | 2011-04-28 | 2012-11-01 | パナソニック株式会社 | 固体撮像装置及びそれを用いたカメラシステム |
US9275747B2 (en) * | 2012-06-14 | 2016-03-01 | Texas Instruments Incorporated | Integrated circuit with automatic total ionizing dose (TID) exposure deactivation |
JP2015035450A (ja) * | 2013-08-07 | 2015-02-19 | 株式会社東芝 | 固体撮像装置および固体撮像装置の製造方法 |
JP2016092661A (ja) * | 2014-11-07 | 2016-05-23 | ソニー株式会社 | 撮像素子および駆動方法、並びに電子機器 |
JP7445899B2 (ja) | 2018-09-14 | 2024-03-08 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 撮像装置および撮像方法 |
JP7357297B2 (ja) | 2018-09-14 | 2023-10-06 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 撮像装置および撮像方法 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09232555A (ja) | 1996-02-21 | 1997-09-05 | Sony Corp | イメージセンサ |
JP2000082839A (ja) | 1998-06-29 | 2000-03-21 | Hyundai Electronics Ind Co Ltd | フォトダイオ―ド、これを用いたイメ―ジセンサの単位画素及びこれからデ―タを得る方法 |
JP3621273B2 (ja) | 1998-09-09 | 2005-02-16 | 松下電器産業株式会社 | 固体撮像装置およびその製造方法 |
JP2001291858A (ja) * | 2000-04-04 | 2001-10-19 | Sony Corp | 固体撮像素子及びその製造方法 |
-
2004
- 2004-02-17 JP JP2004040450A patent/JP3793205B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2004-03-03 US US10/793,107 patent/US7034347B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2004-03-04 CN CNB2004100074641A patent/CN100382329C/zh not_active Expired - Fee Related
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JP2009158569A (ja) * | 2007-12-25 | 2009-07-16 | Seiko Instruments Inc | 光検出半導体装置、光検出装置、及び画像表示装置 |
JP2009158570A (ja) * | 2007-12-25 | 2009-07-16 | Seiko Instruments Inc | 光検出半導体装置、光検出装置、及び画像表示装置 |
JP2012178542A (ja) * | 2011-01-31 | 2012-09-13 | Canon Inc | 光電変換装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN1527397A (zh) | 2004-09-08 |
US7034347B2 (en) | 2006-04-25 |
CN100382329C (zh) | 2008-04-16 |
US20040183109A1 (en) | 2004-09-23 |
JP3793205B2 (ja) | 2006-07-05 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050411 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050418 |
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A521 | Request for written amendment filed |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060406 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100414 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
S533 | Written request for registration of change of name |
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|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |