JP2004286582A - 電界検出光学装置およびトランシーバ - Google Patents

電界検出光学装置およびトランシーバ Download PDF

Info

Publication number
JP2004286582A
JP2004286582A JP2003078727A JP2003078727A JP2004286582A JP 2004286582 A JP2004286582 A JP 2004286582A JP 2003078727 A JP2003078727 A JP 2003078727A JP 2003078727 A JP2003078727 A JP 2003078727A JP 2004286582 A JP2004286582 A JP 2004286582A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electro
optic crystal
electric field
detection light
crystal member
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2003078727A
Other languages
English (en)
Inventor
Aiichiro Sasaki
愛一郎 佐々木
Naoshi Minoya
直志 美濃谷
Mitsuru Shinagawa
満 品川
Akihiko Hirata
明彦 枚田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nippon Telegraph and Telephone Corp
Original Assignee
Nippon Telegraph and Telephone Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Telegraph and Telephone Corp filed Critical Nippon Telegraph and Telephone Corp
Priority to JP2003078727A priority Critical patent/JP2004286582A/ja
Publication of JP2004286582A publication Critical patent/JP2004286582A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Measuring Instrument Details And Bridges, And Automatic Balancing Devices (AREA)

Abstract

【課題】電気光学結晶の屈折率変化効率および変調効率を向上させる。
【解決手段】入射された電界検出用のレーザ光に基づいて電界を検出するための電界検出光学装置。この電界検出光学装置に対応する電界検出光学部21は、検出光出力部25および電気光学結晶28の入射面28a間に介在されており、レーザ光を信号電極30およびグランド電極32の対向方向に関して集束させて電気光学結晶部材28の入射面28aに入射させる第1のシリンドリカルレンズ41aと、電気光学結晶28の出射面28bから離間し、かつレーザ光の光路上に配置されており、電気光学結晶28の出射面28bから出射されたレーザ光を平行光として出射する第2のシリンドリカルレンズ41bとを備えている。
【選択図】 図2

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、生体等の電界伝達用媒体に誘起された電界に基づいて情報の受信を行う電界検出光学装置およびトランシーバに関する。
【0002】
【従来の技術】
ユピキタス社会の到来を迎え、ウェアラブルコンピュータ(身体に装着可能なコンピュータ)が注目を浴びている。
【0003】
そして、このウェアラブルコンピュータと他のコンピュータ(他のウェアラブルコンピュータ等)との間の情報通信手段として、ウェアラブルコンピュータが装着された生体を介して情報を通信できるトランシーバの研究・開発が進められている(例えば、特許文献1参照)。
【0004】
上記生体を介して情報を送受信するトランシーバにおいては、送信側のトランシーバにおいて送信対象となる情報を電圧信号として送信側信号電極を介して生体に与えることにより生体内に電界を誘起し、生体内に誘起された電界を、受信側のトランシーバの該生体に当接あるいは近接した受信側信号電極を介して受信することにより、送信側トランシーバおよび受信側トランシーバ間において情報の通信を行っている。
【0005】
そして、上記特許文献1に開示されているように、生体内に誘起された電界を用いて情報の送受信を行うトランシーバにおいては、上記受信側信号電極を介して受信された電界を検出するために、電気光学結晶(Electric−Optic結晶)を用いている。
【0006】
図10は、生体内に誘起され、受信側信号電極を介して受信された電界を電気光学結晶により検出するトランシーバに搭載された電界検出光学部60の概略構成を示す図である。
【0007】
図10に示すように、送信側のトランシーバから図示しない生体に誘起された電界は、受信側トランシーバにおける上記生体に当接された絶縁体62に取り付けられた受信側信号電極64に受信される。
【0008】
このとき、トランシーバの電界検出光学部60には、印加電圧に比例してその屈折率n1が変化する特性を有する方形体形状の電気光学結晶68(図11(a)参照)が設けられており、この電気光学結晶68における1組の互いに対向する長手方向(図10、図11におけるz方向)に沿った側面には、互いに平行な2枚の平行電極(信号電極70およびグランド電位に接続されたグランド電極72)が取り付けられている。
【0009】
受信側信号電極64は、信号線74を介して信号電極70に接続されており、受信側信号電極64により受信された電界は、この信号線74により信号電極70に印加される。
【0010】
一方、検出光出力部75から出力された検出光は、コリメートレンズ76を介して上記電極に平行な方向、すなわち、図10中z方向に沿って伝播する。この検出光は、波長板77を介して円偏光となり、電気光学結晶68の互いに対向する短手側の側面の一方における一部(例えば、中央部)に入射される。
【0011】
このとき、信号電極70に与えられた電界は、信号電極70およびグランド電極72間の電位差として電気光学結晶68に印加されているため、この印加電圧(電位差)、すなわち、信号電極70およびグランド電極72間の電界強度に比例して電気光学結晶68の屈折率が変化する。
【0012】
この電気光学結晶68の屈折率変化により、電気光学結晶68に入射された検出光(円偏光)は、楕円偏光に変調されて電気光学結晶68から出力される。
【0013】
電気光学結晶68から出力された検出光(楕円偏光)は、偏光子、光検出器等を有する検出部78に入力される。検出部78に入力された検出光は、偏光子を介して光検出器に入力されることにより、光強度変化として検出される。
【0014】
この結果、送信側のトランシーバから送信された送信対象となる情報に対応する電圧信号を、検出部78に入力されるおける光強度変化として検出することが可能になる。すなわち、送信側トランシーバ側からの情報を、受信側トランシーバの電界検出光学部60にて受信することができる。
【0015】
ここで、図10に示す構造の電界検出光学部60に印加された電圧(電位差)に基づいて発生する電界の電気力線ELと電界検出光学部60との関係を図11(b)に示す。
【0016】
上述したように、トランシーバにおける電界検出光学部60は、平行電極70および72間の電界を、その電界強度に比例した電気光学結晶68の屈折率変化に基づく検出光の変調により検出する構造を有しているため、電界検出光学部60における電界検出感度を向上させるためには、上記平行電極(信号電極70およびグランド電極72)間の電界強度を増大させればよい。
【0017】
信号電極70およびグランド電極72間の電界強度を増大させるためには、電気光学結晶68の厚さを薄くして電気力線ELを密集させ、電極間距離が狭くなるように配置された信号電極70およびグランド電極72間に電気光学結晶68を配置し、この電気光学結晶68に対して高強度の電界を印加することが有効である。
【0018】
信号電極70およびグランド電極72間の距離、言い換えれば、電気光学結晶68の電極間の厚さを極めて薄くした場合、電気光学結晶68に入射される検出光の直径(光径;ビーム径)を、その電気光学結晶68の電極間厚さ程度に小さく集束させる必要がある。
【0019】
すなわち、図10に示す構成において電気光学結晶68の厚さ(短手方向の長さ;図10中y軸方向の長さ)を薄くして信号電極70およびグランド電極72間の距離を狭く、例えば、検出光の光径よりも小さくした場合、図12に示すように、電気光学結晶68の検出光入射側および出射側に第1および第2のレンズ80aおよび80bをそれぞれ配置する。
【0020】
この結果、第1のレンズ80aに入射された検出光は、その第1のレンズ80aを介して、検出光光径が電極間の電気光学結晶68の厚さよりも小さくなるように集束し、また、電気光学結晶68から出射された検出光は、第2のレンズ80bを介して検出部78に入射する。
【0021】
【特許文献1】
特開2001−352298号公報(第5−10頁、第1図〜第4図)。
【0022】
【発明が解決しようとする課題】
確かに、図12に示す構成では、電気光学結晶68の電極間距離に対応する厚さを小さくし、その電極間距離を狭くすることにより、信号電極70およびグランド電極72を介して電気光学結晶68に印加される電圧に基づく電界強度を増大することが可能になる。
【0023】
しかしながら、図12に示すように、第1のレンズ80aで集束された検出光は、その集束点を境に検出部側へ発散するため、電気光学結晶68の電極間の距離を狭くすることにより、電気光学結晶68における検出光の光軸方向に沿った長さ(z軸方向に沿った長手方向の長さ)を小さくしなければならず、検出光の光路長を長くすることが困難であった。
【0024】
この結果、検出光を電気光学結晶68内で長距離に亘って伝播させることができず、高い変調効率を得ることが困難であった。
【0025】
本発明は、上述した事情に鑑みてなされたもので、電気光学結晶の屈折率変化効率および変調効率を向上させることをその目的とする。
【0026】
【課題を解決するための手段】
上述した目的を達成するため、本発明によれば、請求項1に記載したように、入射された電界検出用の検出光に基づいて電界を検出するための電界検出光学装置であって、前記検出光を所定の方向に沿って出力する検出光出力手段と、前記検出光の光路上に配置され、当該検出光が入射される入射面および前記検出光が出射される出射面をそれぞれ有する電気光学結晶部材と、前記電気光学結晶部材に前記検出光の光路を挟んで対向するようにそれぞれ取り付けられた前記電界検出用の第1および第2の電極と、前記検出光出力手段および前記電気光学結晶部材の入射面間に介在されており、前記検出光を前記第1および第2の電極の対向方向に関して集束させて前記電気光学結晶部材の入射面に入射させる第1のシリンドリカルレンズと、前記電気光学結晶部材の出射面から離間し、かつ前記検出光の光路上に配置されており、当該電気光学結晶部材の出射面から出射された検出光を平行光として出射する第2のシリンドリカルレンズと、を備えている。
【0027】
請求項2に記載した発明によれば、前記電気光学結晶部材は、第1の屈折率および前記入射面から延在して前記出射面に繋がる外側面部をそれぞれ有しており、前記第1の屈折率よりも小さい第2の屈折率を有し、前記電気光学結晶部材における少なくとも前記外側面部を被覆する被覆部材をさらに備え、前記第1および第2の電極は、前記電気光学結晶部材の外側面部に前記被覆部材を介して互いに対向するようにそれぞれ取り付けられている。
【0028】
請求項3に記載した発明によれば、前記第1のシリンドリカルレンズの曲率は、当該第1のシリンドリカルレンズに入射された検出光を前記電気光学結晶部材の入射面に集光できる値に設定されており、前記第2のシリンドリカルレンズの曲率は、前記電気光学結晶部材の出射面から出射された検出光を前記平行光にする値に設定されている。
【0029】
請求項4に記載した発明によれば、前記第1のシリンドリカルレンズは、その中心軸が前記電気光学結晶部材の入射面に対向するように配置され、前記第2のシリンドリカルレンズは、その中心軸が前記電気光学結晶部材の出射面に対向するように配置されており、当該第1および第2のシリンドリカルレンズそれぞれの中心軸の長さは、前記電気光学結晶部材の入射面および出射面における前記第1および第2の電極の対向方向に直交する方向の長さよりも長い。
【0030】
上述した目的を達成するため、本発明によれば、請求項5に記載したように、電界伝達用媒体に誘起された電界に基づいて情報の受信を行うトランシーバであって、前記電界伝達媒体に当接あるいは近接して取り付け可能であり、前記電界伝達用媒体に誘起された電界を受信する受信用電極と、前記電界検出用検出光を所定の方向に沿って出力する検出光出力手段と、前記検出光の光路上に配置され、当該検出光が入射される入射面および前記検出光が出射される出射面をそれぞれ有する電気光学結晶部材と、前記電気光学結晶部材に前記検出光の光路を挟んで対向するようにそれぞれ取り付けられ、どちらか一方が前記受信用電極に接続された前記電界検出用の第1および第2の電極を有し、前記受信用電極により受信された電界を、前記第1および第2の電極間の電位差として前記電気光学結晶に印加する印加手段と、前記検出光出力手段および前記電気光学結晶部材の入射面間に介在されており、前記検出光を前記第1および第2の電極の対向方向に関して集束させて前記電気光学結晶部材の入射面に入射させる第1のシリンドリカルレンズと、前記電気光学結晶部材の出射面から離間し、かつ前記検出光の光路上に配置されており、当該電気光学結晶部材の出射面から出射された検出光を平行光として出射する第2のシリンドリカルレンズと、を備えている。
【0031】
請求項6に記載した発明によれば、前記電気光学結晶部材は、第1の屈折率および前記入射面から延在して前記出射面に繋がる外側面部をそれぞれ有しており、前記第1の屈折率よりも小さい第2の屈折率を有し、前記電気光学結晶部材における少なくとも前記外側面部を被覆する被覆部材をさらに備え、前記第1および第2の電極は、前記電気光学結晶部材の外側面部に前記被覆部材を介して互いに対向するようにそれぞれ取り付けられている。
【0032】
請求項7に記載した発明によれば、前記第1のシリンドリカルレンズの曲率は、当該第1のシリンドリカルレンズに入射された検出光を前記電気光学結晶部材の入射面に集光できる値に設定されており、前記第2のシリンドリカルレンズの曲率は、前記電気光学結晶部材の出射面から出射された検出光を前記平行光にする値に設定されている。
【0033】
請求項8に記載した発明によれば、前記第1のシリンドリカルレンズは、その中心軸が前記電気光学結晶部材の入射面に対向するように配置され、前記第2のシリンドリカルレンズは、その中心軸が前記電気光学結晶部材の出射面に対向するように配置されており、当該第1および第2のシリンドリカルレンズそれぞれの中心軸の長さは、前記電気光学結晶部材の入射面および出射面における前記第1および第2の電極の対向方向に直交する方向の長さよりも長い。
【0034】
【発明の実施の形態】
本発明に係る電界検出光学装置およびトランシーバの実施の形態について、添付図面を参照して説明する。
【0035】
(第1の実施の形態)
図1は、本発明の第1の実施形態に係るトランシーバ1の概略構成を示す図である。
【0036】
すなわち、図1に示すように、トランシーバ1は、ウェアラブルコンピュータ等のコンピュータ2と通信可能であり、コンピュータ2に対する情報送受信機能を有している。
【0037】
すなわち、トランシーバ1は、コンピュータ2から送信された情報である送信データを入力するI/O(Input/Output;入出力)回路3と、このI/O回路3に接続されており、I/O回路3を介して入力された送信データを変調して送信するための送信部4とを備えている。
【0038】
この送信部4は、図1に示すように、上記送信データを変調する電圧信号として、例えば100KHz〜100MHz程度の周波数を有する電圧信号を発生するための信号発生器5を備えている。この信号発生器5には、グランド線6が接続されており、このグランド線6は、グランド電極7に接続されている。
【0039】
すなわち、信号発生器5は、グランド電極7の電位(グランド電位)を基準電位として、所定の電位差を有する電圧信号を発生させるようになっている。
【0040】
また、送信部4は、信号発生器5の出力側に接続された信号線9を備えており、信号発生器5にて発生された電圧信号は、信号線9を介して送信されるようになっている。
【0041】
また、トランシーバ1は、信号線9に接続された送信側信号電極10を備えており、この送信側信号電極10の例えば一表面は、例えばゴム等のフレキシブルな絶縁体部材(以下、絶縁体として記載する)11に覆われており、送信側信号電極10は、絶縁体11を介して生体12に接触されている。
【0042】
一方、トランシーバ1は、例えばゴム等のフレキシブルな絶縁体部材(以下、絶縁体として記載する)15に例えばその一表面が覆われている受信側信号電極16を備えており、この受信側信号電極16は、絶縁体15を介して生体12に接触されている。
【0043】
また、トランシーバ1は、受信側信号電極16に接続され、この受信側信号電極16より受信された電界を後述する受信部へ伝達するための信号線17と、信号線17を介して伝達された電界を受信するための受信部20とを備えている。
【0044】
すなわち、受信部20は、信号線17に接続され、この受信側信号電極16を介して入力された電界(電圧信号)を光学的に検出し、電気信号に変換して出力する電界検出光学部21を備えている。なお、本実施形態の電界検出光学部21は、本発明における電界検出光学装置に相当する。
【0045】
また、受信部20は、電界検出光学部21に接続されており、電界検出光学部21から出力された電気信号に対して、増幅処理および雑音除去(フィルタリング)処理等の信号処理を施す信号処理回路22とを備えている。
【0046】
さらに、トランシーバ1は、信号処理回路22に接続され、この信号処理回路22により信号処理された電気信号に対して波形整形処理を施し、I/O回路3の信号レベルに対応する電気信号に変換し、その電気信号を受信データとしてI/O回路3に送信する波形整形回路23を備えており、I/O回路3は、波形整形回路23から送信されてきた受信データをコンピュータ2に送信する機能を有している。
【0047】
図2は、図1に示す電界検出光学部21の概略構成を示す図である。
【0048】
図2に示すように、電界検出光学部21は、電界を検出するための検出光として、略単一波長の検出光である例えばレーザ光を所定の方向(図2におけるz軸)に沿って出力する検出光出力部25を備えている。なお、検出光出力部25としては、レーザダイオードを用いたレーザ光出力装置や、発光ダイオード(LED)を用いた装置等を用いることができる。また、波長帯域に広がりを有する検出光を出力する光源についても、帯域透過フィルタを組み合わせることにより、検出光出力部として適用することが可能である。
【0049】
また、電界検出光学部21は、検出光出力部25から出力されたレーザ光を、図2中z方向に平行なレーザ光に変換して出力するコリメートレンズ26と、このコリメートレンズ26を介して伝播された平行レーザ光の偏光状態を円偏光に変換する偏光光学素子である例えば波長板27とを備えている。なお、本実施形態における検出光出力部25、コリメートレンズ26および波長板27が本発明における検出光出力手段に相当する。
【0050】
さらに、電界検出光学部21は、所定の屈折率n1を有しており、印加される電圧(電位差)に比例して、その屈折率が変化する特性、いわゆる電気光学効果(ポッケルス効果)を有する電気光学結晶(電気光学結晶部材)28を備えている。
【0051】
この電気光学結晶28は、図2および図3に示すように、略直方体形状(略板形状)を有しており、レーザ光の光路上に、結晶長手方向がそのレーザ光の光路方向と平行になるように配置されている。
【0052】
すなわち、電気光学結晶28は、レーザ光が入射される入射面28aと、この入射面28aに平行かつ対向し、レーザ光が出射される出射面28bと、入射されるレーザ光を挟んで互いに対向し、それぞれ入射面28aから、図2および3におけるx軸方向に沿って延在して出射面28bに繋がる第1および第2の外側面28cおよび28dとを有している。
【0053】
電気光学結晶28の長手方向の長さLは、その結晶長手方向に沿って伝播されるレーザ光に対して十分な電気光学効果を付与できる程度の十分な長さとなっており、また、電気光学結晶28の厚さ(y軸方向に沿った長さ)tは、例えばレーザ光の波長オーダ程度と十分薄くなっている。
【0054】
さらに、電界検出光学部21は、図2および図3に示すように、電気光学結晶28の第1の外側面28cに取り付けられており、信号線17に接続された信号電極30と、第2の外側面28dに取り付けられており、グランド電位に接続されたグランド電極32とを備えている。なお、本実施形態における信号線17、信号電極30およびグランド電極32が本発明における印加手段に相当する。
【0055】
そして、電界検出光学部21は、レーザ光の光路上に、電気光学結晶28の出射面28bに対向配置され、その電気光学結晶28内を通過してきたレーザ光の偏光状態変化を、偏光子や偏光ビームスプリッタ等を含む偏光検出光学系によりレーザ光の強度変化として検出し、検出したレーザ光の強度変化をフォトディテクタ等の光電変換器を介して電気信号に変換する検出部34を備えており、この検出部34により得られた電気信号は、信号処理回路22に送信されるようになっている。
【0056】
そして、本実施形態において、電界検出光学部21は、波長板27および電気光学結晶28の入射面28a間に介在された第1のシリンドリカルレンズ41aと、電気光学結晶28の出射面28bから離間し、かつレーザ光の光路上に配置された第2のシリンドリカルレンズ41bを備えている。
【0057】
第1のシリンドリカルレンズ41aおよび第2のシリンドリカルレンズ41bの仕様(スペック)は略同一となっている。
【0058】
すなわち、第1のシリンドリカルレンズ41aは、例えば、図4に示すように、その中心軸AXに直交する横断面が略楕円形状を有する円柱形状を有し、その中心軸AXの方向がx軸に平行となり、かつ中心軸AXの中心Oがレーザ光の光軸と同軸となるように、電気光学結晶28の入射面28aに対して対向配置(アライメント)されている。
【0059】
この第1のシリンドリカルレンズ41aは、入射されたレーザ光を信号電極30およびグランド電極32の対向方向に関して集束させて電気光学結晶28の入射面28aに入射させるようになっている。
【0060】
すなわち、第1のシリンドリカルレンズ41aにおける上記横断面に平行な断面S1方向の曲率は、その第1のシリンドリカルレンズ41aに入射されたレーザ光を、電気光学結晶28の入射面28aに対して、その短軸方向の長さが電気光学結晶28の厚さよりも小さく、かつその長軸方向の長さが電気光学結晶28の短手方向の長さaに近似する楕円形状のビームパターン(図5参照)に集束できる値に設定されている。
【0061】
また、第2のシリンドリカルレンズ41bも、例えば、図4に示すように、x軸方向に直交する横断面が略楕円形状を有する円柱形状を有し、その中心軸AXの方向がx軸に平行となり、かつ中心軸AXの中心Oがレーザ光の光軸と同軸となるように、電気光学結晶28の出射面28bに対して対向配置(アライメント)されている。
【0062】
この第2のシリンドリカルレンズ41bは、電気光学結晶28の出射面28bから出射されたレーザ光を平行光として出射するようになっている。
【0063】
すなわち、第2のシリンドリカルレンズ41aの曲率は、その第2のシリンドリカルレンズ41bに入射されたレーザ光を、平行光に変換できる値に設定されている。
【0064】
また、第1のシリンドリカルレンズ41aおよび第2のシリンドリカルレンズ41bそれぞれの中心軸AXの長さwは、図5に示すように、電気光学結晶28の入射面28aおよび出射面28bにおける信号電極30およびグランド電極32の対向方向に直交する方向の長さaよりも長くなっている。
【0065】
次に、本実施形態の作用について説明する。
【0066】
図示しないトランシーバ等から図1に示す生体12に電界が誘起されると、この生体12内に誘起された電界は、生体12を介して、その生体12に絶縁体15を介して接触されたトランシーバ1の受信側信号電極16により受信される。そして、受信された電界は、信号線17を介して受信部20における電気光学結晶28の第1の外側面28cに取り付けられた信号電極30に供給される。
【0067】
この結果、信号電極30に供給された電界は、その信号電極30およびグランド電極32間の電位差として電気光学結晶28に印加される。
【0068】
一方、検出光出力部25から出力され、コリメートレンズ26を介して信号電極30およびグランド電極32に平行な方向(図2等におけるz方向)に沿って伝播してきたレーザ光は、波長板27を介して円偏光となり、第1のシリンドリカルレンズ41aに入射される。
【0069】
第1のシリンドリカルレンズ41aに入射されたレーザ光は、図5、図6(a)および(b)に示すように、電気光学結晶28の入射面28aに対して楕円状のビームパターンに整形された状態で集束される。
【0070】
このとき、本実施形態においては、第1のシリンドリカルレンズ41aを介して集束されたレーザ光は、図6(a)に示すように、y軸方向、すなわち、電気光学結晶28の信号電極30およびグランド電極32の対向方向に関しては、電気光学結晶28の厚さtよりも小さくなる程度に十分絞られた状態で電気光学結晶28の入射面28aに入射される。
【0071】
一方、電気光学結晶28のx軸方向に関しては、第1のシリンドリカルレンズ41aを通過したレーザ光は、図6(b)に示すように、ほとんど絞られることなく、すなわち、十分に発散した平行光状態で電気光学結晶28の入射面28aに入射される。
【0072】
したがって、電気光学結晶28の入射面28aに入射されたレーザ光は、x軸方向に関しては、発散しにくくなっている。この結果、電気光学結晶28のレーザ光光路に沿った長手方向の長さLが十分長い場合であっても、x軸−z軸平面に平行な結晶面からレーザ光が漏れる恐れがなくなる。
【0073】
これに対して、電気光学結晶28の入射面28aに入射されたレーザ光は、y軸方向に関しては、入射面28a上において集束されているため、その入射面28aを境に発散する。しかしながら、本構成においては、図6(a)に示すように、電気光学結晶28の信号電極30およびグランド電極32の対向方向とy軸方向とが一致しているため、そのy軸方向に関して発散したレーザ光は、電気光学結晶28内において、信号電極30およびグランド電極32に対して反射されながら伝播する。
【0074】
この結果、電気光学結晶28内に入射されたレーザ光は、その電気光学結晶28内に閉じ込められた状態で伝播する。
【0075】
このようにして、電気光学結晶28内において、レーザ光は、図5に示すように、短軸方向の長さが電気光学結晶28における厚さtよりも小さい極薄の楕円ビームパターンを有するレーザ光として、電気光学結晶28内に閉じ込められた状態で、電気光学結晶28内をその長手方向Lに沿って伝播する。
【0076】
このとき、電気光学結晶28における信号電極30およびグランド電極32間の電位差として電気光学結晶28に印加されている電界により、電気光学結晶28の屈折率がその印加電界強度に比例して変化しているため、円偏光状態のレーザ光は、楕円偏光に変調されて、電気光学結晶28内をその長手方向Lに沿って伝播する
このとき、本実施形態の構成によれば、電気光学結晶28の長手方向の長さLを十分長くしているため、レーザ光を、電気光学結晶28内において長距離に亘って伝播させることができ、電気光学結晶28によるレーザ光の変調効率を大幅に向上させることができる。
【0077】
そして、電気光学結晶28の出射面28bから出射されたレーザ光は、y軸方向に関しては、図6(a)に示すように、発散した状態で第2のシリンドリカルレンズ41bに入射され、この第2のシリンドリカルレンズ41bを介して平行なレーザ光に戻される。また、電気光学結晶28のx軸方向に関しては、第2のシリンドリカルレンズ41bを通過したレーザ光は、平行光状態で伝播する。
【0078】
このようにして、第2のシリンドリカルレンズ41bを介して伝播する平行レーザ光は、検出部34に入射される。
【0079】
検出部34に入射されたレーザ光は、偏光検出光学系を介して光検出器に入射されることにより、光強度変化を表す電気信号として検出される。
【0080】
このとき、本実施形態では、電気光学結晶28内を進むレーザ光の変調効率が向上されているため、検出部34により検出されるレーザ光の強度変化に対応する電気信号も増大する。この結果、トランシーバ1の受信部20における受信感度を増大させることができる。
【0081】
このようにして検出された電気信号は、信号処理回路22に送信されて増幅処理等の信号処理が施され、さらに波形整形回路23を介して波形整形された後、I/O回路3を介してコンピュータ2に送信される。
【0082】
この結果、図示しないトランシーバから誘起された電界に基づく情報をトランシーバ1を介してコンピュータ2に送信することができる。
【0083】
以上述べたように、本実施形態によれば、電気光学結晶28のレーザ光入射側および出射側に対して、信号電極30およびグランド電極32の対向方向(y軸方向)に沿った第1の断面S1の方向にのみ曲率を有する第1のシリンドリカルレンズ41aおよび第2のシリンドリカルレンズ41bをそれぞれ介在させている。
【0084】
このため、電気光学結晶28におけるy軸方向に関しては、信号電極30およびグランド電極32の反射作用により、電気光学結晶28内に閉じ込められた状態で、かつy軸方向に直交するx軸方向に関しては、発散しにくい状態で、レーザ光を伝播させることができる。
【0085】
この結果、電気光学結晶28のレーザ光光路方向に沿った長手方向の長さLを十分に長くしても、レーザ光が電気光学結晶28内から漏れる恐れがなくなるため、レーザ光を電気光学結晶28内において長距離Lに亘って伝播させることができる。したがって、電気光学結晶28によるレーザ光の変調効率を大幅に向上させることができ、トランシーバ1の受信部20における受信感度を増大させることができる。
【0086】
(第2の実施の形態)
図7は、本発明の第2の実施形態に係るトランシーバの電界検出光学部21Aにおける電気光学結晶部分の概略構成を示す斜視図である。なお、本実施形態において、トランシーバの電界検出光学部21Aにおける電気光学結晶部分以外の構成要素については、第1の実施の形態で説明したトランシーバ1および電界検出光学部21の構成要素と略同一であるため、同一の符号を付してその説明を省略または簡略化する。
【0087】
図7に示すように、電界検出光学部21Aは、電気光学結晶28の第1の外側面28cおよび28d上にそれぞれ積層された屈折率n2(n1>n2)を有する誘電体層50を備えており、この誘電体層50により電気光学結晶28の第1の外側面28cおよび28dがそれぞれ被覆されている。
【0088】
そして、この電気光学結晶28の第1の外側面28cおよび28d上にそれぞれ被覆された誘電体層50上に、信号電極30およびグランド電極32がそれぞれ取り付けられている。
【0089】
次に、本実施形態の作用について説明する。
【0090】
第1実施形態と同様に、第1のシリンドリカルレンズ41aは、その中心軸AXに直交する横断面が略楕円形状を有する円柱形状を有し、その中心軸AXの方向がx軸に平行となり、かつ中心軸AXの中心Oがレーザ光の光軸と同軸となるように、電気光学結晶28の入射面28aに対して対向配置(アライメント)されているため、その第1のシリンドリカルレンズ41aに入射されたレーザ光は、図8(a)に示すように、y軸方向、すなわち、電気光学結晶28の信号電極30およびグランド電極32の対向方向に関しては、電気光学結晶28の厚さtよりも小さくなる程度に十分絞られた状態で電気光学結晶28の入射面28aに入射される。
【0091】
一方、電気光学結晶28のx軸方向に関しては、第1のシリンドリカルレンズ41aを通過したレーザ光は、図8(b)に示すように、ほとんど絞られることなく、すなわち、十分に発散した平行光状態で電気光学結晶28の入射面28aに入射される。
【0092】
したがって、電気光学結晶28の入射面28aに入射されたレーザ光は、x軸方向に関しては、発散しにくくなっている。この結果、電気光学結晶28のレーザ光光路に沿った長手方向の長さLが十分長い場合であっても、x軸−z軸平面に平行な結晶面からレーザ光が漏れる恐れがなくなる。
【0093】
これに対して、電気光学結晶28の入射面28aに入射されたレーザ光は、y軸方向に関しては、入射面28a上において集束されているため、その入射面28aを境に発散する。しかしながら、本構成においては、図8(a)に示すように、電気光学結晶28の屈折率n1が、その電気光学結晶28の第1および第2の外側面28cおよび28dを被覆する誘電体層50の屈折率n2よりも大きいため、そのy軸方向に関して発散したレーザ光は、電気光学結晶28内において、誘電体層50の電気光学結晶28に対する境界面において全反射しながら伝播する。
【0094】
この結果、本実施形態においても、電気光学結晶28内に入射されたレーザ光は、その電気光学結晶28内に閉じ込められた状態で伝播する。
【0095】
このようにして、電気光学結晶28内において、レーザ光は、図9に示すように、短軸方向の長さが電気光学結晶28における厚さtよりも小さい極薄の楕円ビームパターンを有するレーザ光として、電気光学結晶28内に閉じ込められた状態で、電気光学結晶28内をその長手方向Lに沿って伝播する。
【0096】
このとき、本実施形態の構成においても、電気光学結晶28の長手方向の長さLを十分長くしているため、レーザ光を、電気光学結晶28内において長距離に亘って伝播させることができ、第1実施形態と同様に、電気光学結晶28によるレーザ光の変調効率を大幅に向上させることができる。
【0097】
なお、第1および第2の実施の形態においては、電気光学結晶28を略直方体形状に形成したが、本発明はこれに限定されるものではなく、レーザ光が入射される入射面、レーザ光が出射される出射面および入射面から延在して出射面に繋がる外側面をそれぞれ有する電気光学結晶であれば、例えば、円筒形状等、様々な形状に形成することが可能である。
【0098】
また、誘電体層も、電気光学結晶における、少なくともレーザ光が入射される入射面から延在して出射面に繋がる外側面を覆うことができる構成であれば、上記電気光学結晶28の形状に適合する形状に形成することが可能である。
【0099】
さらに、第1および第2の実施の形態においては、レーザ光を波長板により円偏光に変換して電気光学結晶に対して入射したが、本発明はこの構成に限定されるものではなく、直線偏光状態の検出光を電気光学結晶に入射させてもよく、また、電気光学結晶の結晶軸に対して45°の角度で直線偏光を入射させてもよい。この直線偏光入射タイプの場合、電気光学結晶から出射されたレーザ光を波長板を介して円偏光に変換した後に偏光検出光学系に入射させることが必要である。
【0100】
そして、本実施形態においては、送信および受信機能を有するトランシーバについて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、受信機能のみを有する一方向型のトランシーバに対しても適用可能である。
【0101】
さらに、本実施形態では、送信側信号電極および受信側信号電極を異なるものとしたが、本発明はこれに限定されるものではなく、送信側信号電極および受信側信号電極を一体化してもよい。
【0102】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の電界検出光学装置およびトランシーバによれば、検出光出力手段および電気光学結晶部材の入射面間に、前記検出光を前記第1および第2の電極の対向方向に関して集束させて前記電気光学結晶部材の入射面に入射させる第1のシリンドリカルレンズを介在させ、さらに、前記電気光学結晶部材の出射面から離間し、かつ前記検出光の光路上に、当該電気光学結晶部材の出射面から出射された検出光を平行光として出射する第2のシリンドリカルレンズを配置している。
【0103】
このため、電気光学結晶部材の入射面を介してその電気光学結晶部材内に入射された検出光は、その電気光学結晶部材における第1および第2の電極の対向方向に関しては、第1の電極および第2の電極の反射作用により、電気光学結晶部材内に閉じ込められた状態で伝播し、一方、上記対向方向に直交し、かつ上記検出光光路方向に直交する方向に関しては、発散しにくい状態で伝播する。
【0104】
この結果、電気光学結晶部材の検出光光路方向に沿った長手方向の長さを十分に長くしても、検出光が電気光学結晶部材内から漏れる恐れがなくなるため、検出光を電気光学結晶部材内において長距離に亘って伝播させることができる。したがって、電気光学結晶部材による検出光の変調効率を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施形態に係るトランシーバの概略構成を示す図。
【図2】図1に示す電界検出光学部の概略構成を示す図。
【図3】図2に示す電界検出光学部における電気光学結晶部分の概略構成を示す斜視図。
【図4】図2に示す第1のシリンドリカルレンズの概略構成を示す斜視図。
【図5】図2に示す電気光学結晶のx軸−y軸平面に沿った断面図。
【図6】(a)は、図2に示す電気光学結晶、第1のシリンドリカルレンズおよび第2のシリンドリカルレンズをx軸方向側から見た図、(b)は、図2に示す電気光学結晶、第1のシリンドリカルレンズおよび第2のシリンドリカルレンズをy軸方向側から見た図。
【図7】本発明の第2の実施の形態に係わる電界検出光学部における電気光学結晶部分の概略構成を示す斜視図。
【図8】(a)は、本発明の第2の実施の形態に係わる電気光学結晶、第1のシリンドリカルレンズおよび第2のシリンドリカルレンズをx軸方向側から見た図、(b)は、本発明の第2の実施の形態に係わる電気光学結晶、第1のシリンドリカルレンズおよび第2のシリンドリカルレンズをy軸方向側から見た図。
【図9】図7および図8に示す電気光学結晶のx軸−y軸平面に沿った断面図。
【図10】トランシーバに搭載された、生体内に誘起された受信側信号電極を介して受信された電界を電気光学結晶により検出する電界検出光学部の概略構成を示す図。
【図11】(a)は、図10に示す電界検出光学部の電気光学結晶部分の概略構成を示す斜視図、(b)は、図11(a)に示す電界検出光学部の電気光学結晶部分におけるx軸−y軸平面に沿った断面図。
【図12】図10において、電気光学結晶の検出光入射側および出射側に第1および第2のレンズおよびをそれぞれ配置した構成を示す図。
【符号の説明】
1 トランシーバ
2 コンピュータ
3 I/O回路
4 送信部
5 信号発生器
6 グランド線
7 グランド電極
9 信号線
10 送信側信号電極
11 絶縁体
12 生体
15 絶縁体
16 受信側信号電極
17 信号線
20 受信部
21、21A 電界検出光学部
22 信号処理回路
23 波形整形回路
25 検出光出力部
26 コリメートレンズ
27 波長板
28 電気光学結晶部材
28a 入射面
28b 出射面
28c 第1の外側面
28d 第2の外側面
30 信号電極
32 グランド電極
41a 第1のシリンドリカルレンズ
41b 第2のシリンドリカルレンズ
50 誘電体層

Claims (8)

  1. 入射された電界検出用の検出光に基づいて電界を検出するための電界検出光学装置であって、
    前記検出光を所定の方向に沿って出力する検出光出力手段と、
    前記検出光の光路上に配置され、当該検出光が入射される入射面および前記検出光が出射される出射面をそれぞれ有する電気光学結晶部材と、
    前記電気光学結晶部材に前記検出光の光路を挟んで対向するようにそれぞれ取り付けられた前記電界検出用の第1および第2の電極と、
    前記検出光出力手段および前記電気光学結晶部材の入射面間に介在されており、前記検出光を前記第1および第2の電極の対向方向に関して集束させて前記電気光学結晶部材の入射面に入射させる第1のシリンドリカルレンズと、
    前記電気光学結晶部材の出射面から離間し、かつ前記検出光の光路上に配置されており、当該電気光学結晶部材の出射面から出射された検出光を平行光として出射する第2のシリンドリカルレンズと、
    を備えたことを特徴とする電界検出光学装置。
  2. 前記電気光学結晶部材は、第1の屈折率および前記入射面から延在して前記出射面に繋がる外側面部をそれぞれ有しており、
    前記第1の屈折率よりも小さい第2の屈折率を有し、前記電気光学結晶部材における少なくとも前記外側面部を被覆する被覆部材をさらに備え、
    前記第1および第2の電極は、前記電気光学結晶部材の外側面部に前記被覆部材を介して互いに対向するようにそれぞれ取り付けられたことを特徴とする請求項1記載の電界検出光学装置。
  3. 前記第1のシリンドリカルレンズの曲率は、当該第1のシリンドリカルレンズに入射された検出光を前記電気光学結晶部材の入射面に集光できる値に設定されており、前記第2のシリンドリカルレンズの曲率は、前記電気光学結晶部材の出射面から出射された検出光を前記平行光にする値に設定されたことを特徴とする請求項1または2記載の電界検出光学装置。
  4. 前記第1のシリンドリカルレンズは、その中心軸が前記電気光学結晶部材の入射面に対向するように配置され、前記第2のシリンドリカルレンズは、その中心軸が前記電気光学結晶部材の出射面に対向するように配置されており、当該第1および第2のシリンドリカルレンズそれぞれの中心軸の長さは、前記電気光学結晶部材の入射面および出射面における前記第1および第2の電極の対向方向に直交する方向の長さよりも長いことを特徴とする請求項1乃至3の内の何れか1項記載の電界検出光学装置。
  5. 電界伝達用媒体に誘起された電界に基づいて情報の受信を行うトランシーバであって、
    前記電界伝達媒体に当接あるいは近接して取り付け可能であり、前記電界伝達用媒体に誘起された電界を受信する受信用電極と、
    前記電界検出用検出光を所定の方向に沿って出力する検出光出力手段と、
    前記検出光の光路上に配置され、当該検出光が入射される入射面および前記検出光が出射される出射面をそれぞれ有する電気光学結晶部材と、
    前記電気光学結晶部材に前記検出光の光路を挟んで対向するようにそれぞれ取り付けられ、どちらか一方が前記受信用電極に接続された前記電界検出用の第1および第2の電極を有し、前記受信用電極により受信された電界を、前記第1および第2の電極間の電位差として前記電気光学結晶に印加する印加手段と、
    前記検出光出力手段および前記電気光学結晶部材の入射面間に介在されており、前記検出光を前記第1および第2の電極の対向方向に関して集束させて前記電気光学結晶部材の入射面に入射させる第1のシリンドリカルレンズと、
    前記電気光学結晶部材の出射面から離間し、かつ前記検出光の光路上に配置されており、
    当該電気光学結晶部材の出射面から出射された検出光を平行光として出射する第2のシリンドリカルレンズと、
    を備えたことを特徴とするトランシーバ。
  6. 前記電気光学結晶部材は、第1の屈折率および前記入射面から延在して前記出射面に繋がる外側面部をそれぞれ有しており、
    前記第1の屈折率よりも小さい第2の屈折率を有し、前記電気光学結晶部材における少なくとも前記外側面部を被覆する被覆部材をさらに備え、
    前記第1および第2の電極は、前記電気光学結晶部材の外側面部に前記被覆部材を介して互いに対向するようにそれぞれ取り付けられたことを特徴とする請求項5記載のトランシーバ。
  7. 前記第1のシリンドリカルレンズの曲率は、当該第1のシリンドリカルレンズに入射された検出光を前記電気光学結晶部材の入射面に集光できる値に設定されており、前記第2のシリンドリカルレンズの曲率は、前記電気光学結晶部材の出射面から出射された検出光を前記平行光にする値に設定されたことを特徴とする請求項5または6記載のトランシーバ。
  8. 前記第1のシリンドリカルレンズは、その中心軸が前記電気光学結晶部材の入射面に対向するように配置され、前記第2のシリンドリカルレンズは、その中心軸が前記電気光学結晶部材の出射面に対向するように配置されており、当該第1および第2のシリンドリカルレンズそれぞれの中心軸の長さは、前記電気光学結晶部材の入射面および出射面における前記第1および第2の電極の対向方向に直交する方向の長さよりも長いことを特徴とする請求項5乃至7の内の何れか1項記載のトランシーバ。
JP2003078727A 2003-03-20 2003-03-20 電界検出光学装置およびトランシーバ Pending JP2004286582A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003078727A JP2004286582A (ja) 2003-03-20 2003-03-20 電界検出光学装置およびトランシーバ

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003078727A JP2004286582A (ja) 2003-03-20 2003-03-20 電界検出光学装置およびトランシーバ

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2004286582A true JP2004286582A (ja) 2004-10-14

Family

ID=33293120

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003078727A Pending JP2004286582A (ja) 2003-03-20 2003-03-20 電界検出光学装置およびトランシーバ

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2004286582A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009017142A1 (ja) 2007-07-31 2009-02-05 Nippon Telegraph And Telephone Corporation 分光器
KR20180072655A (ko) * 2018-06-25 2018-06-29 (주)에스엠인스트루먼트 소음원 가시화 데이터 누적 표시방법 및 음향 카메라 시스템

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009017142A1 (ja) 2007-07-31 2009-02-05 Nippon Telegraph And Telephone Corporation 分光器
JPWO2009017142A1 (ja) * 2007-07-31 2010-10-21 日本電信電話株式会社 分光器
US8274653B2 (en) 2007-07-31 2012-09-25 Nippon Telegraph And Telephone Corporation Spectroscope
JP2012215595A (ja) * 2007-07-31 2012-11-08 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 分光器
KR20180072655A (ko) * 2018-06-25 2018-06-29 (주)에스엠인스트루먼트 소음원 가시화 데이터 누적 표시방법 및 음향 카메라 시스템
KR101962198B1 (ko) * 2018-06-25 2019-03-26 (주)에스엠인스트루먼트 소음원 가시화 데이터 누적 표시방법 및 음향 카메라 시스템

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9304373B2 (en) Terahertz wave generation element, terahertz wave detection element, and terahertz time domain spectroscope device
US20150136987A1 (en) Terahertz wave generator, terahertz wave detector, and terahertz time domain spectroscopy device
CN104246584A (zh) 电光调制器和电光距离测量装置
CA3115836A1 (en) Method and apparatus for control and suppression of stray light in a photonic integrated circuit
JP2015138145A (ja) 光変調器
JP2004286582A (ja) 電界検出光学装置およびトランシーバ
JP2004286583A (ja) 電界検出光学装置およびトランシーバ
JP3688615B2 (ja) 電界検出光学装置
JP2004212137A (ja) 3軸光電界センサ
JP2004132785A (ja) 電界検出光学装置およびトランシーバ
JP2003307533A (ja) 電界センシング・光伝送システム
JP3795850B2 (ja) 電界検出光学装置およびトランシーバ
JP3869343B2 (ja) トランシーバ
JP3839415B2 (ja) 電界検出光学装置
JP3720800B2 (ja) 電界検出光学装置
JP3688614B2 (ja) 電界検出光学装置
JP3673611B2 (ja) 電界センサ
JPS6159573B2 (ja)
JP2768787B2 (ja) 光通信方法
JP3692333B2 (ja) 電界検出光学装置
JP3577616B2 (ja) 電界センサ
JP2004325295A (ja) 電界センシング装置
JP3632714B2 (ja) 電磁波受信システム
JP3627204B2 (ja) 電界センサ
JP3726079B2 (ja) 電界検出光学装置

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20050602

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20050628

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20050824

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20050927