JP2004282958A - 力率改善回路 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】交流電源Vac1の交流電源電圧を全波整流回路B1で整流した整流電圧を昇圧リアクトルL1を介して入力して主スイッチQ1によりオン/オフして入力力率を改善するとともに、直流の出力電圧に変換する力率改善回路であって、主スイッチQ1のスイッチング周波数fを交流電源電圧値に応じて制御する制御回路10を有する。
【選択図】 図1
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、高効率、低ノイズ、高力率なスイッチング電源に使用する力率改善回路に関する。
【0002】
【従来の技術】
図22に従来の力率改善回路の回路構成図を示す(特許文献1)。図22に示す力率改善回路において、交流電源Vac1の交流電源電圧を整流する全波整流回路B1の出力両端には、昇圧リアクトルL1とMOSFETからなるスイッチQ1と電流検出抵抗Rとからなる直列回路が接続されている。スイッチQ1の両端には、ダイオードD1と平滑コンデンサC1とからなる直列回路が接続され、平滑コンデンサC1の両端には、負荷RLが接続されている。スイッチQ1は、制御回路100のPWM制御によりオン/オフするようになっている。
【0003】
電流検出抵抗Rは、全波整流回路B1に流れる入力電流を検出する。
【0004】
制御回路100は、誤差増幅器111、乗算器112、誤差増幅器113、発振器(OSC)114、PWMコンパレータ116を有して構成される。
【0005】
誤差増幅器111は、基準電圧E1が+端子に入力され、平滑コンデンサC1の電圧が−端子に入力され、平滑コンデンサC1の電圧と基準電圧E1との誤差が増幅され、誤差電圧信号を生成して乗算器112に出力する。乗算器112は、誤差増幅器111からの誤差電圧信号と全波整流回路B1の正極側出力端P1からの全波整流電圧とを乗算して乗算出力電圧を誤差増幅器113の+端子に出力する。
【0006】
誤差増幅器113は、電流検出抵抗Rで検出した入力電流に比例した電圧が−端子に入力され、乗算器112からの乗算出力電圧が+端子に入力され、電流検出抵抗Rによる電圧と乗算出力電圧との誤差が増幅され、誤差電圧信号を生成してこの誤差電圧信号をフィードバック信号FBとしてPWMコンパレータ116に出力する。OSC114は、一定周期の三角波信号を生成する。
【0007】
PWMコンパレータ116は、OSC114からの三角波信号が−端子に入力され、誤差増幅器113からのフィードバック信号FBが+端子に入力され、フィードバック信号FBの値が三角波信号の値以上のときにオンで、フィードバック信号FBの値が三角波信号の値未満のときにオフとなるパルス信号を生成し、該パルス信号をスイッチQ1のゲートに印加する。
【0008】
即ち、PWMコンパレータ116は、スイッチQ1に対して、誤差増幅器113による電流検出抵抗Rの出力と乗算器112の出力との差信号に応じたデューティパルスを提供する。このデューティパルスは、交流電源電圧及び直流負荷電圧の変動に対して一定周期で連続的に補償するパルス幅制御信号である。このような構成により、交流電源電流波形が交流電源電圧波形に一致するように制御されて、力率が大幅に改善される。
【0009】
図23は従来の力率改善回路の交流電源電圧波形と整流出力電流波形のタイミングチャートを示す図である。図24では、図23に示すタイミングチャートのA部の詳細、即ち交流電源電圧の最大値付近における100KHzのスイッチング波形を示している。図25では、図23に示すタイミングチャートのB部の詳細、即ち、交流電源電圧の低い部分における100KHzのスイッチング波形を示している。
【0010】
次に、このように構成された力率改善回路の動作を図24に示すタイミングチャートを参照しながら説明する。なお、図24では、スイッチQ1の両端間の電圧Q1v、スイッチQ1に流れる電流Q1i、ダイオードD1に流れる電流D1iを示している。
【0011】
まず、時刻t31において、スイッチQ1がオンし、全波整流回路B1から昇圧リアクトルL1を介してスイッチQ1に電流Q1iが流れる。この電流は、時刻t32まで時間の経過とともに直線的に増大していく。なお、時刻t31から時刻t32では、ダイオードD1に流れる電流D1iは零になる。
【0012】
次に、時刻t32において、スイッチQ1は、オン状態からオフ状態に変わる。このとき、昇圧リアクトルL1に誘起された励磁エネルギーによりスイッチQ1の電圧Q1vが上昇する。また、時刻t32〜時刻t33では、スイッチQ1がオフであるため、スイッチQ1に流れる電流Q1iは零になる。なお、時刻t32から時刻t33では、L1→D1→C1で電流D1iが流れて、負荷RLに電力が供給される。
【0013】
【特許文献1】
特開2000−37072号(図1)
【0014】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、通常、昇圧リアクトルL1を小型化するためには、周波数を高周波数(例えば100kHz)とするが、このような高周波数であっても、交流電源電圧の最大値付近のような電流の大きいA部では、昇圧リアクトルL1に蓄えられたエネルギーは、スイッチQ1がオフした時に、ダイオードD1を介して負荷RLに供給される。
【0015】
しかし、B部のような電圧の低い部分では、電流も少なくスイッチQ1がオフした時の電流が低い。また、MOSFETからなるスイッチQ1には図示しない内部容量(寄生容量)を有し、スイッチQ1は、内部容量C0とスイッチQ1に印加された電圧Vとにより決定された分(C0V2/2)だけ電力損失が発生する。この電力損失は周波数に比例して増大する。
【0016】
また、スイッチQ1の内部容量により、昇圧リアクトルL1に蓄えられるエネルギーが少ないため、スイッチQ1をオフした時の電圧Q1vは、図25に示すように、正弦波状となり、出力電圧まで上昇せず、電力損失が増大する。即ち、効率が低下してしまう。
【0017】
本発明は、交流電源電圧の低い部分の電力損失を低減して、小型、高効率、低ノイズ化することができる力率改善回路を提供することにある。
【0018】
【課題を解決するための手段】
本発明は前記課題を解決するために以下の構成とした。請求項1の発明は、交流電源の交流電源電圧を整流回路で整流した整流電圧を昇圧リアクトルを介して入力して主スイッチによりオン/オフして入力力率を改善するとともに、直流の出力電圧に変換する力率改善回路であって、前記主スイッチのスイッチング周波数を前記交流電源の交流電源電圧値に応じて制御する制御手段を有することを特徴とする。
【0019】
請求項1の発明によれば、制御手段が主スイッチのスイッチング周波数を入力交流電源電圧に基づいて制御するので、入力交流電源電圧の低い部分には、主スイッチのスイッチング周波数を低くすることで、主スイッチのオン時間が増加して電流も増加し負荷に電力を供給でき、また、スイッチング回数が減少するため、損失も低減できる。
【0020】
請求項2の発明では、前記制御手段は、前記出力電圧と基準電圧との誤差を増幅して第1誤差電圧信号を生成する第1誤差電圧生成手段と、この第1誤差電圧生成手段の第1誤差電圧信号と前記整流回路の整流電圧とを乗算して乗算出力電圧を生成する乗算出力電圧生成手段と、前記整流回路に流れる入力電流を検出する電流検出手段と、この電流検出手段で検出された入力電流に応じた電圧と前記乗算出力電圧生成手段の乗算出力電圧との誤差を増幅して第2誤差電圧信号を生成する第2誤差電圧生成手段と、前記整流回路の整流電圧値に応じて前記主スイッチのスイッチング周波数を変化させた周波数制御信号を生成する周波数制御手段と、前記第2誤差電圧生成手段の第2誤差電圧信号に基づきパルス幅を制御し且つ前記周波数制御手段で生成された前記周波数制御信号に応じて前記主スイッチのスイッチング周波数を変化させたパルス信号を生成し、パルス信号を前記主スイッチに印加して前記出力電圧を所定電圧に制御するパルス幅制御手段とを有することを特徴とする。
【0021】
請求項3の発明では、前記制御手段は、前記交流電源電圧が下限設定電圧以下の場合に前記スイッチング周波数を下限周波数に設定し、前記交流電源電圧が上限設定電圧以上の場合に前記スイッチング周波数を上限周波数に設定し、前記交流電源電圧が前記下限設定電圧から前記上限設定電圧までの範囲の場合に前記スイッチング周波数を前記下限周波数から前記上限周波数まで徐々に変化させることを特徴とする。
【0022】
請求項4の発明では、前記制御手段は、前記交流電源電圧が前記下限設定電圧未満の場合には前記主スイッチのスイッチング動作を停止させることを特徴とする。
【0023】
請求項5の発明では、前記整流回路の一方の出力端と他方の出力端との間に接続され、前記昇圧リアクトルと第1整流素子と平滑コンデンサと前記電流検出手段とからなる第1直列回路と、前記昇圧リアクトルと前記第1整流素子との接続点と前記電流検出抵抗の一端との間に接続され、可飽和リアクトルと前記主スイッチとからなる第2直列回路と、前記主スイッチに並列に接続され、補助スイッチとスナバコンデンサとからなる第3直列回路と、前記主スイッチに並列に接続された第2整流素子及びコンデンサと、前記補助スイッチに並列に接続された第3整流素子とを有し、前記制御手段は、前記パルス幅制御手段の出力を反転して反転出力を前記補助スイッチに印加する反転手段を有し、前記主スイッチ及び前記補助スイッチを交互にオン/オフ制御することにより前記平滑コンデンサの出力電圧を所定電圧に制御することを特徴とする。
【0024】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係る力率改善回路の実施の形態を図面を参照して詳細に説明する。
【0025】
(第1の実施の形態)
第1の実施の形態に係る力率改善回路は、交流電源電圧値に応じてスイッチのスイッチング周波数を変化させ、交流電源電圧の低い部分でのスイッチング周波数を低下又はスイッチング動作を停止させ、交流電源電圧の低い部分の電力損失を低減して、小型、高効率、低ノイズ化したことを特徴とする。
【0026】
(第1実施例)
第1実施例では、交流電源電圧が下限設定電圧以下の場合に主スイッチのスイッチング周波数を下限周波数(例えば20KHz)に設定し、交流電源電圧が上限設定電圧以上の場合に主スイッチのスイッチング周波数を上限周波数(例えば100KHz)に設定し、交流電源電圧が下限設定電圧から上限設定電圧までの範囲の場合に主スイッチのスイッチング周波数を下限周波数から上限周波数まで徐々に変化させることを特徴とする。
【0027】
図1は第1の実施の形態に係る力率改善回路の第1実施例を示す回路構成図である。図2は第1の実施の形態に係る力率改善回路の第1実施例の交流電源電圧波形とスイッチング周波数のタイミングチャートである。図2では、交流電源電圧Viが零から最大値まで変化した場合に、主スイッチQ1のスイッチング周波数fが零から例えば100KHzまで変化することを示している。
【0028】
図3では、図2に示すタイミングチャートのA部(交流電源電圧Viが最大値付近)における100KHzのスイッチング波形を示している。図3に示すタイミングチャートは、スイッチング周波数fが100KHzであるので、図24に示すタイミングチャートと同じである。図4では、図2に示すタイミングチャートのB部(交流電源電圧Viが低い部分)における20KHzのスイッチング波形を示している。
【0029】
図1に示す第1の実施の形態の第1実施例の力率改善回路は、図22に示す従来の力率改善回路に対して、制御回路10の構成のみが異なる。
【0030】
なお、図1に示すその他の構成は、図22に示す構成と同一構成であるので、同一部分には同一符号を付し、その詳細な説明は省略する。
【0031】
制御回路10は、誤差増幅器111、乗算器112、誤差増幅器113、電圧制御発振器(VCO)115、PWMコンパレータ116を有して構成される。なお、誤差増幅器111、乗算器112、誤差増幅器113及びPWMコンパレータ116は、図22に示すものと同じであるので、それらの説明は省略する。
【0032】
VCO115(本発明の周波数制御手段に対応)は、全波整流回路B1からの全波整流電圧の電圧値に応じて主スイッチQ1のスイッチング周波数fを変化させた三角波信号(本発明の周波数制御信号に対応)を生成するもので、全波整流回路B1からの全波整流電圧が増加するに従って主スイッチQ1のスイッチング周波数fが増加する電圧周波数変換特性を有している。
【0033】
図5は第1の実施の形態に係る力率改善回路の第1実施例に設けられたVCOの詳細な回路構成図である。VCO115において、全波整流回路B1の正極側出力端P1に抵抗R1が接続され、抵抗R1に直列に抵抗R2が接続されている。抵抗R1と抵抗R2との接続点にはツェナーダイオードZDのカソードが接続され、ツェナーダイオードZDのアノードは制御電源EBの正極及びヒステリシスコンパレータ115aの電源端子bに接続されている。抵抗R1と抵抗R2との接続点はヒステリシスコンパレータ115aの入力端子aに接続され、ヒステリシスコンパレータ115aの接地端子cは制御電源EBの負極と抵抗R2の他端に接続されている。ヒステリシスコンパレータ115aの出力端子dはPWMコンパレータ116の一端子に接続されている。ヒステリシスコンパレータ115aは、図7に示すように、入力端子aに印加される電圧Eaが増加するに従って主スイッチQ1のスイッチング周波数fが増加する電圧周波数変換特性CVを有した三角波信号を発生する。
【0034】
図5に示すVCO115では、図2に示す交流電源電圧Viが最大値付近(A部)に達したとき、ツェナーダイオードZDが降伏するので、入力端子aに印加される電圧Eaは、ツェナーダイオードZDの降伏電圧VZと制御電源電圧EBとの合計電圧(VZ+EB)、即ち上限設定電圧に設定される。また、交流電源電圧Viが低い部分(B部)に達したとき、制御電源EBからツェナーダイオードZDを介して抵抗R2に電流が流れるので、入力端子aに印加される電圧Eaは、制御電源電圧EB、即ち下限設定電圧に設定される。さらに、交流電源電圧Viが最大値付近と低い部分までの範囲の場合には、入力端子aに印加される電圧Eaは、合計電圧(VZ+EB)と制御電源電圧EBとの範囲で徐々に変化する。
【0035】
このため、図7に示すように、交流電源電圧Viが下限設定電圧EB以下の場合に主スイッチQ1のスイッチング周波数fを下限周波数f12(例えば20KHz)に設定し、交流電源電圧Viが上限設定電圧(VZ+EB)以上の場合に主スイッチQ1のスイッチング周波数fを上限周波数f11(例えば100KHz)に設定し、交流電源電圧Viが下限設定電圧EBから上限設定電圧(VZ+EB)までの範囲の場合に主スイッチQ1のスイッチング周波数fを下限周波数f12から上限周波数f11まで徐々に変化させるようになっている。
【0036】
PWMコンパレータ116(本発明のパルス幅制御手段に対応)は、VCO115からの三角波信号が−端子に入力され、誤差増幅器113からのフィードバック信号FBが+端子に入力され、図8に示すように、フィードバック信号FBの値が三角波信号の値以上のときにオンで、フィードバック信号FBの値が三角波信号の値未満のときにオフとなるパルス信号を生成し、該パルス信号を主スイッチQ1に印加して平滑コンデンサC1の出力電圧を所定電圧に制御する。
【0037】
また、PWMコンパレータ116は、平滑コンデンサC1の出力電圧が基準電圧E1に達して、フィードバック信号FBが低下すると、フィードバック信号FBの値が三角波信号の値以上となるパルスオン幅を短くすることによって、出力電圧を所定電圧に制御する。即ち、パルス幅を制御している。
【0038】
なお、VCO115からの三角波信号の電圧の最大値、最小値は、周波数により変化しない。このため、誤差増幅器113のフィードバック信号FBにより、周波数に関係なく、パルス信号のオン/オフのデューティ比が決定されるようになっている。また、スイッチング周波数fが変わることで、パルス信号のオン幅が変わっても、パルス信号のオン/オフのデューティ比は変わらない。
【0039】
次に、このように構成された第1の実施の形態に係る力率改善回路の第1実施例の動作を図1乃至図8を参照しながら説明する。ここでは、制御回路10の動作についてのみ説明する。
【0040】
まず、誤差増幅器111は、平滑コンデンサC1の電圧と基準電圧E1との誤差を増幅して、誤差電圧信号を生成して乗算器112に出力する。乗算器112は、誤差増幅器111からの誤差電圧信号と全波整流回路B1の正極側出力端P1からの全波整流電圧とを乗算して乗算出力電圧を誤差増幅器113の+端子に出力する。
【0041】
次に、誤差増幅器113は、電流検出抵抗R(本発明の電流検出抵抗に対応)による電圧と乗算出力電圧との誤差を増幅して、誤差電圧信号を生成してこの誤差電圧信号をフィードバック信号FBとしてPWMコンパレータ116に出力する。
【0042】
一方、VCO115は、全波整流回路B1からの全波整流電圧の電圧値に応じて主スイッチQ1のスイッチング周波数fが変化した三角波信号を生成する。
【0043】
ここで、図6のタイミングチャートを用いて説明すると、交流電源電圧Viが最大値付近(例えば時刻t2〜t3、時刻t6〜t7)に達したときには、図5に示すツェナーダイオードZDが降伏するので、入力端子aに印加される電圧Eaは、ツェナーダイオードZDの降伏電圧VZと制御電源電圧EBとの合計電圧(VZ+EB)、即ち上限設定電圧に設定される。このため、交流電源電圧Viが上限設定電圧(VZ+EB)以上の場合には、VCO115により、主スイッチQ1のスイッチング周波数fは、上限周波数f11(例えば100KHz)に設定される。
【0044】
次に、交流電源電圧Viが低い部分(例えば時刻t0〜t1、時刻t4〜t5)に達したときには、図5に示す制御電源EBからツェナーダイオードZDを介して抵抗R2に電流が流れるので、入力端子aに印加される電圧Eaは、制御電源電圧EB、即ち下限設定電圧に設定される。このため、交流電源電圧Viが下限設定電圧EB以下の場合には、ヒステリシスコンパレータ115aにより、主スイッチQ1のスイッチング周波数fは、下限周波数f12(例えば20KHz)に設定される。
【0045】
さらに、交流電源電圧Viが最大値付近と低い部分までの範囲(例えば時刻t1〜t2、時刻t3〜t4、時刻t5〜t6)の場合には、入力端子aに印加される電圧Eaは、合計電圧(VZ+EB)と制御電源電圧EBとの範囲で徐々に変化する。このため、交流電源電圧Viが下限設定電圧EBから上限設定電圧(VZ+EB)までの範囲の場合には、主スイッチQ1のスイッチング周波数fは下限周波数f12から上限周波数f11まで徐々に変化する。
【0046】
次に、交流電源電圧Viが最大値付近(例えば時刻t2〜t3、時刻t6〜t7)の場合には、PWMコンパレータ116は、図8に示すように、フィードバック信号FBの値が上限周波数f11を持つ三角波信号の値以上のときにオンで、フィードバック信号FBの値が上限周波数f11を持つ三角波信号の値未満のときにオフとなる上限周波数f11を持つパルス信号を生成し、該パルス信号を主スイッチQ1に印加する。
【0047】
一方、交流電源電圧Viが低い部分(例えば時刻t0〜t1、時刻t4〜t5)の場合には、PWMコンパレータ116は、図8に示すように、フィードバック信号FBの値が下限周波数f12を持つ三角波信号の値以上のときにオンで、フィードバック信号FBの値が下限周波数f12を持つ三角波信号の値未満のときにオフとなる下限周波数f12を持つパルス信号を生成し、該パルス信号を主スイッチQ1に印加する。
【0048】
また、交流電源電圧Viが最大値付近と低い部分までの範囲(例えば時刻t1〜t2、時刻t3〜t4、時刻t5〜t6)の場合には、PWMコンパレータ116は、下限周波数f12から上限周波数f11までの範囲で徐々に変化する周波数を持つパルス信号を生成し、該パルス信号を主スイッチQ1に印加する。
【0049】
このように、第1実施例によれば、交流電源電圧Viに応じて主スイッチQ1のスイッチング周波数fを変化させ、交流電源電圧Viの低い部分でのスイッチング周波数fを低下させることで、図4に示すように、主スイッチQ1のオン時間も長くなり、電流も増加し負荷RLに電力を供給できる。また、スイッチング回数が減少するため、スイッチング損失も低減できる。
【0050】
特に、主スイッチQ1のスイッチング周波数fとして例えば100kHzを上限周波数とし、人間の聞こえない周波数、例えば20kHzを下限周波数とし、他の部分を交流電源電圧Viにスイッチング周波数fを比例させたので、スイッチング損失を低減でき、また、可聴周波数以下となり、不快な騒音を発生することもない。
【0051】
また、磁束は電流に比例するため、交流電源電圧Viの最大値の時(電流も最大)に最大周波数とし、他の部分は交流電源電圧Viに比例させて周波数を変化させても、昇圧リアクトルL1の磁束は最大値を上回ることはなく、昇圧リアクトルL1は大型化せず、スイッチング損失を低減できる。
【0052】
また、主スイッチQ1のスイッチング周波数fが下限周波数から上限周波数までの範囲に亙るので、発生するノイズも周波数に対して分散するから、ノイズを低減できる。このため、小型、高効率、低ノイズ化できる力率改善回路を提供できる。
【0053】
(第2実施例)
図9は第1の実施の形態に係る力率改善回路の第2実施例の交流電源電圧波形とVCOに入力される電圧により変化するスイッチング周波数のタイミングチャートである。
【0054】
図6に示す第1実施例では、交流電源電圧Viが低い部分に達したときに、VCO115により、主スイッチQ1のスイッチング周波数fを下限周波数f12(例えば20KHz)に設定したが、図9に示す第2実施例では、交流電源電圧Viが低い部分の場合で、下限周波数f12未満では、VCO115により、主スイッチQ1の動作を停止させたことを特徴とする。この停止部分では、交流電源電流も少ないため、入力電流波形の歪みも最低限に抑えられる。
【0055】
(第3実施例)
第3実施例では、交流電源電圧が設定電圧以下の場合に主スイッチのスイッチング周波数を下限周波数(例えば20KHz)に設定し、交流電源電圧が設定電圧を超えた場合に主スイッチのスイッチング周波数を上限周波数(例えば100KHz)に設定したことを特徴とする。
【0056】
図10は第1の実施の形態に係る力率改善回路の第3実施例のVCOの詳細な回路構成図である。図10に示すVCO115Aにおいて、全波整流回路B1の正極側出力端P1に抵抗R1が接続され、抵抗R1に直列に抵抗R2が接続されている。コンパレータ115bは、抵抗R1と抵抗R2との接続点の電圧を+端子に入力し、基準電圧Er1を−端子に入力し、抵抗R1と抵抗R2との接続点の電圧が基準電圧Er1よりも大きいときHレベルをトランジスタTR1のベースに出力する。この場合、基準電圧Er1を前記設定電圧に設定する。
【0057】
トランジスタTR1のエミッタは接地され、トランジスタTR1のコレクタは、抵抗R3を介してトランジスタTR2のベースと抵抗R4の一端と抵抗R5の一端とに接続されている。抵抗R4の他端は電源VBに接続され、抵抗R5の他端は接地されている。トランジスタTR2のエミッタは抵抗R6を介して電源VBに接続され、トランジスタTR2のコレクタはコンデンサCを介して接地されている。
【0058】
コンパレータ115cにヒステリシスを持たせるために、+端子と出力端子との間には、抵抗R9を接続し、+端子は、抵抗R8を介して接地されている。
【0059】
コンパレータ115cは、コンデンサCの電圧を−端子に入力している。また、コンデンサCの放電に、出力端子からダイオードD及び抵抗R7の直列回路が−端子に接続されている。図11に示すように、交流電源電圧Viが設定電圧以下の場合に主スイッチQ1のスイッチング周波数fを下限周波数f12に設定した三角波信号を生成し、交流電源電圧が設定電圧を超えた場合に主スイッチQ1のスイッチング周波数fを上限周波数f11に設定した三角波信号を生成する。
【0060】
次に、このように構成された第1の実施の形態に係る力率改善回路の第3実施例の動作を図10及び図11を参照しながら説明する。ここでは、VCO115Aの動作についてのみ説明する。
【0061】
まず、VCO115Aは、全波整流回路B1からの全波整流電圧の電圧値に応じて主スイッチQ1のスイッチング周波数fが変化した三角波信号を生成する。
【0062】
ここで、図11のタイミングチャートを用いて説明すると、交流電源電圧Viが設定電圧を超えた場合(例えば時刻t2〜t3、時刻t5〜t6)、コンパレータ115bからのHレベルによりトランジスタTR1がオンする。このため、電源VBから抵抗R4及びトランジスタTR2のベースを介して抵抗R3に電流が流れるため、トランジスタTR2のコレクタ電流が増大する。すると、トランジスタTR2のコレクタに流れる電流によりコンデンサCが短時間で充電される。即ち、コンデンサCの電圧Ecが上昇して、この電圧Ecがコンパレータ115cに入力されるため、コンパレータ115cは、主スイッチQ1のスイッチング周波数fを上限周波数f11(例えば100KHz)に設定した三角波信号を生成する。
【0063】
一方、交流電源電圧Viが設定電圧以下の場合(例えば時刻t0〜t2、時刻t3〜t5)、コンパレータ115bからHレベルは出力されないため、トランジスタTR1はオフとなる。このため、トランジスタTR2のコレクタ電流が減少するため、コンデンサCの充電時間が長くなる。即ち、コンデンサCの電圧Ecはゆるやかに上昇して、この電圧Ecがコンパレータ115cに入力されるため、コンパレータ115cは、主スイッチQ1のスイッチング周波数fを下限周波数f12(例えば20KHz)に設定した三角波信号を生成する。
【0064】
次に、交流電源電圧Viが設定電圧を超えた場合(例えば時刻t2〜t3、時刻t5〜t6)、PWMコンパレータ116は、フィードバック信号FBの値が上限周波数f11を持つ三角波信号の値以上のときにオンで、フィードバック信号FBの値が上限周波数f11を持つ三角波信号の値未満のときにオフとなる上限周波数f11を持つパルス信号を生成し、パルス信号を主スイッチQ1に印加する。
【0065】
一方、交流電源電圧Viが設定電圧以下の場合(例えば時刻t0〜t2、時刻t3〜t5)、PWMコンパレータ116は、フィードバック信号FBの値が下限周波数f12を持つ三角波信号の値以上のときにオンで、フィードバック信号FBの値が下限周波数f12を持つ三角波信号の値未満のときにオフとなる下限周波数f12を持つパルス信号を生成し、パルス信号を主スイッチQ1に印加する。
【0066】
このように第3実施例によれば、交流電源電圧が設定電圧以下の場合に主スイッチQ1のスイッチング周波数を下限周波数に設定し、交流電源電圧が設定電圧を超えた場合に主スイッチQ1のスイッチング周波数を上限周波数に設定しても、第1実施例の効果とほぼ同等な効果が得られる。
【0067】
(第2の実施の形態)
第2の実施の形態に係る力率改善回路は、第1の実施の形態の構成に加えて、さらに、補助スイッチと可飽和リアクトルを用い、主スイッチ及び補助スイッチのゼロ電圧スイッチングを可能とし、スイッチング損失及びスイッチングノイズも低減させ、高効率、低ノイズ化を図ることを特徴とする。また、昇圧リアクトルと可飽和リアクトルを一体化して、部品点数を削減して、小型化を図ることを特徴とする。
【0068】
図12は第2の実施の形態に係る力率改善回路の回路構成図である。図12において、全波整流回路B1は、交流電源Vac1に接続され、交流電源Vac1からの交流電源電圧を整流して正極側出力端P1及び負極側出力端P2に出力する。
【0069】
全波整流回路B1の正極側出力端P1と負極側出力端P2との間には、昇圧リアクトルL2とダイオードD1と平滑コンデンサC1と電流検出抵抗R(本発明の電流検出手段に対応)とからなる第1直列回路が接続されている。
【0070】
また、昇圧リアクトルL2とダイオードD1との接続点と電流検出抵抗Rの一端との間には、可飽和リアクトルSL1とMOSFETからなるスイッチQ1(主スイッチ)とからなる第2直列回路が接続されている。スイッチQ1の両端にはダイオードD2と共振用コンデンサC2とが並列に接続されている。
【0071】
スイッチQ1の両端には、MOSFETからなるスイッチQ2(補助スイッチ)とスナバコンデンサC3とからなる第3直列回路が接続されている。スイッチQ2の両端にはダイオードD3が並列に接続されている。なお、ダイオードD3と並列にコンデンサを付加しても良い。
【0072】
また、ダイオードD2はスイッチQ1の寄生ダイオードであってもよく、ダイオードD3は、スイッチQ2の寄生ダイオードであってもよい。共振用コンデンサC2はスイッチQ1の寄生容量であってもよい。
【0073】
スイッチQ1,Q2は、共にオフとなる期間(デッドタイム)を有し、制御回路10aのPWM制御により交互にオン/オフする。
【0074】
ダイオードD1と平滑コンデンサC1とで整流平滑回路を構成する。平滑コンデンサC1には並列に負荷RLが接続され、平滑コンデンサC1はダイオードD1の整流電圧を平滑して直流出力を負荷RLに出力する。
【0075】
電流検出抵抗Rは、全波整流回路B1に流れる入力電流を検出する。
【0076】
制御回路10aは、誤差増幅器111、乗算器112、誤差増幅器113、VCO115、PWMコンパレータ116、インバータ回路117、及びハイサイドドライバ118を有して構成される。誤差増幅器111、乗算器112、誤差増幅器113、VCO115及びPWMコンパレータ116は、図1に示すものと同じであるので、それらの説明は省略する。
【0077】
また、インバータ回路117は、PWMコンパレータ116の出力を反転し、ハイサイドドライバ118は、インバータ回路117の出力(ローサイドレベル)をハイサイドレベルに変換してスイッチQ2のゲートに印加する。
【0078】
図13は第2の実施の形態に係る力率改善回路に設けられた可飽和リアクトルの構造図である。図13に示す可飽和リアクトルSL1は、口の字型のコア(鉄心)20を有し、コア20のB脚20bには、巻線5bが巻回されている。コア20のA脚20aには、凹部21が1箇所形成されている。この凹部21により、外周コアの磁路の一部の断面積が他の部分よりも狭くなり、その部分のみが飽和する。この飽和する巻線5bを、可飽和リアクトルSL1として使用したときにはコア損失を低減できる。
【0079】
可飽和リアクトルSL1は、コア20の飽和特性を用いている。可飽和リアクトルSL1には、大きさの等しい交流電流が流れるため、磁束は、図14に示すB−Hカーブ上のゼロを中心にして、第1象限と第3象限とに等しく増減する。
【0080】
また、一定の正磁界Hに対して磁束Bが飽和し、一定の負磁界Hに対して磁束Bが飽和する。磁界Hは電流iの大きさに比例して発生する。凹部21を有した可飽和リアクトルSL1では、B−Hカーブ上を磁束BがBa→Bb→Bc→Bd→Beと移動し、磁束の動作範囲が広範囲となっている。B−Hカーブ上のBa−Bb間及びBd−Be間は飽和状態である。凹部21を設けることにより、飽和時の磁束が減少し、凹部21以外の部分は飽和しない。従って、損失の上昇も凹部21のみとなり、全体のコア損失は低減する。
【0081】
次にこのように構成された第2の実施の形態に係る力率改善回路の動作を図15乃至図18に示すタイミングチャートを参照しながら説明する。図15は第2の実施の形態に係る力率改善回路の交流電源電圧波形と整流出力電流波形のタイミングチャートである。図16は第2の実施の形態に係る力率改善回路の各部における信号のタイミングチャートである。図17は第2の実施の形態に係る力率改善回路のスイッチQ2のターンオン時の各部における信号のタイミングチャートである。図18は第2の実施の形態に係る力率改善回路のスイッチQ1のターンオン時の各部ににおける信号のタイミングチャートである。
【0082】
なお、図15では、交流電源電圧Vi、整流出力電流I0を示している。図16では、図15のA部の詳細を示している。図16乃至図18では、スイッチQ1の両端間の電圧Q1v、スイッチQ1に流れる電流Q1i、スイッチQ2の両端間の電圧Q2v、スイッチQ2に流れる電流Q2i、ダイオードD1に流れる電流D1iを示している。Q1制御信号Q1gはスイッチQ1のゲートに印加される信号、Q2制御信号Q2gはスイッチQ2のゲートに印加される信号を示している。
【0083】
まず、時刻t0において、スイッチQ1をオンさせると、交流電源電圧Viを整流した電圧により、Vac1→B1→L2→SL1→Q1→R→B1→Vac1で電流が流れる。
【0084】
このとき、インピーダンスの高い可飽和リアクトルSL1に電圧が印加されて、可飽和リアクトルSL1が飽和する。この飽和により、可飽和リアクトルSL1のインピーダンスは略零となるため、可飽和リアクトルSL1の電圧は、消失して、昇圧リアクトルL2に電圧が移動する。この電圧により、時刻t0から時刻t1において、スイッチQ1に流れる電流Q1iが直線的に増加していく。なお、時刻t0から時刻t1では、ダイオードD1に流れる電流D1iは零になる。
【0085】
また、スイッチQ1をオンさせた時に、可飽和リアクトルSL1にも電流が流れて、可飽和リアクトルSL1にエネルギーが蓄えられる。
【0086】
次に、時刻t1において、スイッチQ1をオフさせると、L2→SL1→C2と電流が流れて、共振用コンデンサC2の電圧が上昇し、スイッチQ1の電圧Q1vが上昇する。
【0087】
そして、共振用コンデンサC2の電位と平滑コンデンサC1の電位とが同電位となったとき、L2→D1→C1と電流が流れる。即ち、ダイオードD1が導通し、負荷RLに電力が供給される。
【0088】
また、図17に示すように、時刻t11において、SL1→D3→C3と電流が流れて、スナバコンデンサC3が充電される。ダイオードD3に電流が流れると、スイッチQ2の電圧Q2vは略零となる。そして、ダイオードD3に電流が流れている期間中の時刻t12において、スイッチQ2をオンさせる。これにより、スイッチQ2はゼロ電圧スイッチングを達成することができる。さらに、時刻t14まで、SL1→Q2→C3と電流が流れる。
このとき、可飽和リアクトルSL1の磁束は、図14のプラス(+)の飽和状態(Bd−Be)からマイナス(−)の飽和に向けて降下しマイナスの飽和状態(Ba−Bb)となり、飽和電流(図16に示すP1)が流れる。この飽和電流の電流値LV2は図16に示すように、スイッチQ1の電流Q1iの電流値LV1とほぼ等しい。
【0089】
そして、スイッチQ2の電流Q2iが減少して、時刻t14から時刻t15までほぼゼロとなる。この時刻t14から時刻t15までは、可飽和リアクトルSL1は、非飽和である。
【0090】
時刻t15において、可飽和リアクトルSL1は飽和し、スナバコンデンサC3に蓄積されたエネルギーにより、C3→Q2→SL1→D1→C1→C3で電流が流れて、負荷RLに還流される。このため、図16及び図18では、ダイオードD1の電流D1iは、スイッチQ2の電流Q2iが加算されてより大きい電流となっている。
【0091】
このとき、可飽和リアクトルSL1の磁束は、図14のプラス(+)の飽和状態(Bd−Be)となり、飽和電流(図16に示すP2)が流れる。
【0092】
そして、スイッチQ2をオフすると、共振用コンデンサC2の電圧が下降し、ゼロとなった時刻t21(図18)に、ダイオードD2を導通させる。すると、D2→SL1→D1→C1→D2で電流が流れて、負荷RLに還流される。そして、ダイオードD2に電流が流れている期間中の時刻t22において、スイッチQ1をオンさせると、これにより、スイッチQ1はゼロ電圧スイッチングを達成することができる。
【0093】
このように第2の実施の形態に係る力率改善回路によれば、スイッチQ1のゲートには、PWMコンパレータ116からのパルス信号が直接印加され、スイッチQ2のゲートには、PWMコンパレータ116からのパルス信号がインバータ回路117及びハイサイドドライバ118を介して印加される。即ち、交流電源電圧に応じてスイッチQ1,Q2のスイッチング周波数を変化させ、交流電源電圧の低い部分でのスイッチQ1,Q2のスイッチング周波数を低下又はスイッチング動作を停止させるので、交流電源電圧の低い部分の電力損失を低減して、小型、高効率、低ノイズ化できる。即ち、第1の実施の形態の効果と同様な効果が得られる。
【0094】
また、ダイオードD1とスイッチQ1との間に可飽和リアクトルSL1が挿入されているので、スイッチQ1をオンした時にダイオードリカバリーによるスパイク電流RC(図3、図24に示す。)が流れなくなる。また、共振用コンデンサC2によりスイッチQ1をオフした時にスパイク電圧SP(図3、図24に示す。)が発生しなくなる。このため、ノイズが低減され、ノイズフィルタも小型化されるので、スイッチング電源の小型、高効率化を図ることができる。
【0095】
また、スイッチQ2と可飽和リアクトルSL1と共振用コンデンサC2及びスナバコンデンサC3を用い、スイッチQ1及びスイッチQ2のゼロ電圧スイッチングを可能とし、スイッチング損失及びスイッチングノイズを低減できるので、高効率、低ノイズ化を図ることができる。
【0096】
また、可飽和リアクトルSL1を用いているので、通常のリアクトルを用いるよりもスイッチQ2に流れる電流Q2iをより少なくできる。
【0097】
(変形例)
次に第2の実施の形態に係る力率改善回路の変形例を説明する。この変形例では、昇圧リアクトルと可飽和リアクトルを一体化した例である。
【0098】
図19は可飽和リアクトルと昇圧リアクトルとを一体化したリアクトルの構造図である。図19に示すリアクトルは、日の字型のコア20Aを有し、このコア20Aは、A脚20aとB脚20bと中央脚20cとからなる。中央脚20cにはギャップ23が形成され、中央脚20cには巻線5aからなる昇圧リアクトルL2が巻回されている。
【0099】
A脚20aには、巻線5bが巻回されているとともに、凹部21が1箇所形成されている。この凹部21により、外周コアの磁路の一部の断面積が他の部分よりも狭くなり、その部分のみが飽和する。この飽和する巻線5bを、可飽和リアクトルSL1として兼用したときにはコア損失を低減できる。
【0100】
図20は図19に示す一体化したリアクトルの磁束の流れを示す図である。図20に示すように、中央脚20cに巻回された巻線5aによる磁束φaは、20c→20a→20cの反時計方向閉ループと、20c→20b→20cの時計方向ループとに形成される。また、A脚20aに巻回された巻線5bによる磁束φbは、20a→20b→20aの反時計方向閉ループに形成される。
【0101】
図21は図19に示す一体化したリアクトルの磁束分布のタイミングチャートである。図21におけるタイミングチャートの各時刻は、図16におけるタイミングチャートの各時刻に対応している。図21に示すように、A脚20aの磁束は、−φm〜+φmまで変化している。図21からもわかるように、B脚20bを貫く磁束は、φa−φbとなる。
【0102】
即ち、B脚20bの磁束をキャンセルするように、巻線5aと巻線5bとを接続したので、B脚20bの磁束は、増大せず、コアを小型化できる。
【0103】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、交流電源電圧値に応じてスイッチのスイッチング周波数を変化させ、交流電源電圧の低い部分でのスイッチング周波数を低下又はスイッチング動作を停止させ、交流電源電圧の低い部分の電力損失を低減して、小型、高効率、低ノイズ化できる力率改善回路を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】第1の実施の形態に係る力率改善回路の第1実施例を示す回路構成図である。
【図2】第1の実施の形態に係る力率改善回路の第1実施例の交流電源電圧波形とスイッチング周波数のタイミングチャートである。
【図3】図2に示すタイミングチャートのA部における100KHzのスイッチング波形を示す図である。
【図4】図2に示すタイミングチャートのB部における20KHzのスイッチング波形を示す図である。
【図5】第1の実施の形態に係る力率改善回路の第1実施例に設けられたVCOの詳細な回路構成図である。
【図6】第1の実施の形態に係る力率改善回路の第1実施例の交流電源電圧波形とヒステリシスコンパレータに入力される電圧とこの電圧により変化するスイッチング周波数のタイミングチャートである。
【図7】第1の実施の形態に係る力率改善回路の第1実施例のVCOの特性を示す図である。
【図8】第1の実施の形態に係る力率改善回路の第1実施例のVCOの周波数の変化に応じてPWMコンパレータのパルス周波数が変化した様子を示す図である。
【図9】第1の実施の形態に係る力率改善回路の第2実施例の交流電源電圧波形とヒステリシスコンパレータに入力される電圧により変化するスイッチング周波数のタイミングチャートである。
【図10】第1の実施の形態に係る力率改善回路の第3実施例のVCOの詳細な回路構成図である。
【図11】第1の実施の形態に係る力率改善回路の第3実施例の交流電源電圧波形とコンデンサの電圧とこの電圧により変化するスイッチング周波数のタイミングチャートである。
【図12】第2の実施の形態に係る力率改善回路を示す回路構成図である。
【図13】第2の実施の形態に係る力率改善回路に設けられた可飽和リアクトルの構造図である。
【図14】第2の実施の形態に係る力率改善回路に設けられた可飽和リアクトルのB−H特性を示す図である。
【図15】第2の実施の形態に係る力率改善回路の交流電源電圧波形と整流出力電流波形のタイミングチャートである。
【図16】第2の実施の形態に係る力率改善回路の各部における信号のタイミングチャートである。
【図17】第2の実施の形態に係る力率改善回路のスイッチQ2のターンオン時の各部における信号のタイミングチャートである。
【図18】第2の実施の形態に係る力率改善回路のスイッチQ1のターンオン時の各部ににおける信号のタイミングチャートである。
【図19】可飽和リアクトルと昇圧リアクトルとを一体化したリアクトルの構造図である。
【図20】図19に示す一体化したリアクトルの磁束の流れを示す図である。
【図21】図19に示す一体化したリアクトルの磁束分布のタイミングチャートである。
【図22】従来の力率改善回路を示す回路構成図である。
【図23】従来の力率改善回路の交流電源電圧波形と整流出力電流波形のタイミングチャートである。
【図24】図23に示すタイミングチャートのA部における100KHzのスイッチング波形を示す図である。
【図25】図23に示すタイミングチャートのB部における100KHzのスイッチング波形を示す図である。
【符号の説明】
Vac1 交流電源
B1 全波整流回路
10,10a,100 制御回路
Q1,Q2 スイッチ
RL 負荷
R,R1〜R9 抵抗
L1,L2 昇圧リアクトル
SL1 可飽和リアクトル
C1 平滑コンデンサ
C2 共振用コンデンサ
C3 スナバコンデンサ
C コンデンサ
D1〜D3,D ダイオード
ZD ツェナーダイオード
R 電流検出抵抗
111 誤差増幅器
112 乗算器
113 誤差増幅器
115 電圧制御発振器(VCO)
115a ヒステリシスコンパレータ
115b,115c コンパレータ
116 PWMコンパレータ
117 インバータ回路
118 ハイサイドドライバ
Claims (5)
- 交流電源の交流電源電圧を整流回路で整流した整流電圧を昇圧リアクトルを介して入力して主スイッチによりオン/オフして入力力率を改善するとともに、直流の出力電圧に変換する力率改善回路であって、
前記主スイッチのスイッチング周波数を前記交流電源の交流電源電圧値に応じて制御する制御手段を有することを特徴とする力率改善回路。 - 前記制御手段は、
前記出力電圧と基準電圧との誤差を増幅して第1誤差電圧信号を生成する第1誤差電圧生成手段と、
この第1誤差電圧生成手段の第1誤差電圧信号と前記整流回路の整流電圧とを乗算して乗算出力電圧を生成する乗算出力電圧生成手段と、
前記整流回路に流れる入力電流を検出する電流検出手段と、
この電流検出手段で検出された入力電流に応じた電圧と前記乗算出力電圧生成手段の乗算出力電圧との誤差を増幅して第2誤差電圧信号を生成する第2誤差電圧生成手段と、
前記整流回路の整流電圧値に応じて前記主スイッチのスイッチング周波数を変化させた周波数制御信号を生成する周波数制御手段と、
前記第2誤差電圧生成手段の第2誤差電圧信号に基づきパルス幅を制御し且つ前記周波数制御手段で生成された前記周波数制御信号に応じて前記主スイッチのスイッチング周波数を変化させたパルス信号を生成し、パルス信号を前記主スイッチに印加して前記出力電圧を所定電圧に制御するパルス幅制御手段と、
を有することを特徴とする請求項1記載の力率改善回路。 - 前記制御手段は、前記交流電源電圧が下限設定電圧以下の場合に前記スイッチング周波数を下限周波数に設定し、前記交流電源電圧が上限設定電圧以上の場合に前記スイッチング周波数を上限周波数に設定し、前記交流電源電圧が前記下限設定電圧から前記上限設定電圧までの範囲の場合に前記スイッチング周波数を前記下限周波数から前記上限周波数まで徐々に変化させることを特徴とする請求項1又は請求項2記載の力率改善回路。
- 前記制御手段は、前記交流電源電圧が前記下限設定電圧未満の場合には前記主スイッチのスイッチング動作を停止させることを特徴とする請求項3記載の力率改善回路。
- 前記整流回路の一方の出力端と他方の出力端との間に接続され、前記昇圧リアクトルと第1整流素子と平滑コンデンサと前記電流検出手段とからなる第1直列回路と、
前記昇圧リアクトルと前記第1整流素子との接続点と前記電流検出手段の一端との間に接続され、可飽和リアクトルと前記主スイッチとからなる第2直列回路と、
前記主スイッチに並列に接続され、補助スイッチとスナバコンデンサとからなる第3直列回路と、
前記主スイッチに並列に接続された第2整流素子及びコンデンサと、
前記補助スイッチに並列に接続された第3整流素子とを有し、
前記制御手段は、前記パルス幅制御手段の出力を反転して反転出力を前記補助スイッチに印加する反転手段を有し、前記主スイッチ及び前記補助スイッチを交互にオン/オフ制御することにより前記平滑コンデンサの出力電圧を所定電圧に制御することを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか1項記載の力率改善回路。
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