JPH06209574A - 電源回路 - Google Patents
電源回路Info
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- JPH06209574A JPH06209574A JP5016707A JP1670793A JPH06209574A JP H06209574 A JPH06209574 A JP H06209574A JP 5016707 A JP5016707 A JP 5016707A JP 1670793 A JP1670793 A JP 1670793A JP H06209574 A JPH06209574 A JP H06209574A
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- JP
- Japan
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- voltage
- smoothing capacitor
- circuit
- current
- switching
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- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M1/00—Details of apparatus for conversion
- H02M1/42—Circuits or arrangements for compensating for or adjusting power factor in converters or inverters
- H02M1/4208—Arrangements for improving power factor of AC input
- H02M1/4266—Arrangements for improving power factor of AC input using passive elements
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
- Y02B70/00—Technologies for an efficient end-user side electric power management and consumption
- Y02B70/10—Technologies improving the efficiency by using switched-mode power supplies [SMPS], i.e. efficient power electronics conversion e.g. power factor correction or reduction of losses in power supplies or efficient standby modes
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Rectifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 抵抗の電力損失を少なくして、簡単な回路で
力率を改善し、安価で信頼性を向上できる電源回路を提
供する。 【構成】 交流電源1の電圧を整流回路2で整流し、整
流出力電流を抵抗4、ダイオード14を経て平滑コンデ
ンサ5に流入させて該平滑コンデンサ5を充電させ、前
記抵抗4によって平滑コンデンサ5に流入する充電電流
のピークを抑制し、平滑コンデンサ5の放電時には、ダ
イオード13を通して抵抗4をバイパスして放電し、抵
抗4による損失は充電時のみとし、力率を改善する。
力率を改善し、安価で信頼性を向上できる電源回路を提
供する。 【構成】 交流電源1の電圧を整流回路2で整流し、整
流出力電流を抵抗4、ダイオード14を経て平滑コンデ
ンサ5に流入させて該平滑コンデンサ5を充電させ、前
記抵抗4によって平滑コンデンサ5に流入する充電電流
のピークを抑制し、平滑コンデンサ5の放電時には、ダ
イオード13を通して抵抗4をバイパスして放電し、抵
抗4による損失は充電時のみとし、力率を改善する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、簡単な構成で安価に力
率を改善することができるようにした整流回路に関する
ものである。
率を改善することができるようにした整流回路に関する
ものである。
【0002】
【従来の技術】図20は従来の電源回路の回路図であ
り、力率を改善するために、ACラインに抵抗を入れた
場合を示し、以下、図20の従来例を第1従来例と称す
ることにする。この第1従来例では、交流電源1とダイ
オードをブリッジ接続した整流回路2との間を接続する
一方のACライン3aに力率改善用の抵抗4を挿入し、
整流回路2の正負両出力端間に平滑コンデンサ5が接続
されているとともに、負荷としての電源6の入力端が接
続されている。3bは他方のACラインである。
り、力率を改善するために、ACラインに抵抗を入れた
場合を示し、以下、図20の従来例を第1従来例と称す
ることにする。この第1従来例では、交流電源1とダイ
オードをブリッジ接続した整流回路2との間を接続する
一方のACライン3aに力率改善用の抵抗4を挿入し、
整流回路2の正負両出力端間に平滑コンデンサ5が接続
されているとともに、負荷としての電源6の入力端が接
続されている。3bは他方のACラインである。
【0003】この第1従来例の場合は交流電源1からの
電圧がACライン3aと抵抗4を通して整流回路1の入
力端に印加され、整流回路2で全波整流されて直流電圧
に変換され、この直流電圧が平滑コンデンサ5で平滑さ
れて、その平滑電圧がスイッチング電源6に印加され
る。印加された平滑電圧でスイッチング電源6はスイッ
チング動作し、所定の電圧を得て不図示の負荷に電力を
供給する。このように、第1従来例の電源回路では、抵
抗4をACライン3aに挿入することにより、平滑コン
デンサ5の充電電流を制限して力率を改善している。
電圧がACライン3aと抵抗4を通して整流回路1の入
力端に印加され、整流回路2で全波整流されて直流電圧
に変換され、この直流電圧が平滑コンデンサ5で平滑さ
れて、その平滑電圧がスイッチング電源6に印加され
る。印加された平滑電圧でスイッチング電源6はスイッ
チング動作し、所定の電圧を得て不図示の負荷に電力を
供給する。このように、第1従来例の電源回路では、抵
抗4をACライン3aに挿入することにより、平滑コン
デンサ5の充電電流を制限して力率を改善している。
【0004】また、図21は第2従来例の電源回路の回
路図であり、この第2従来例の場合は、整流回路2の正
側の整流ライン7に抵抗4を挿入し、この抵抗4により
平滑コンデンサ5の充電電流を抑制して力率を改善して
いる。さらに、図22に示す第3従来例の電源回路で
は、平滑コンデンサ5に抵抗4を直列に接続し、平滑コ
ンデンサ5の充電電流を抑制して力率を改善している。
路図であり、この第2従来例の場合は、整流回路2の正
側の整流ライン7に抵抗4を挿入し、この抵抗4により
平滑コンデンサ5の充電電流を抑制して力率を改善して
いる。さらに、図22に示す第3従来例の電源回路で
は、平滑コンデンサ5に抵抗4を直列に接続し、平滑コ
ンデンサ5の充電電流を抑制して力率を改善している。
【0005】これらの図20〜図22に示す第1従来例
ないし第3従来例の場合は、いずれも、抵抗4による発
熱を回避することができず、この発熱により実用上力率
を大幅に改善することができない。上記抵抗4の使用に
代えて、インダクタを使用したものもあり、図23はイ
ンタクタ8をACライン3aに挿入した第4従来例の回
路図であり、この第4従来例の場合はインダクタ8のイ
ンピーダンスにより、平滑コンデンサ5の充電電流を抑
制して力率を改善するようにしたものであるが、この種
のインダクタ8は重量が大きく、コストが高くなる欠点
がある。
ないし第3従来例の場合は、いずれも、抵抗4による発
熱を回避することができず、この発熱により実用上力率
を大幅に改善することができない。上記抵抗4の使用に
代えて、インダクタを使用したものもあり、図23はイ
ンタクタ8をACライン3aに挿入した第4従来例の回
路図であり、この第4従来例の場合はインダクタ8のイ
ンピーダンスにより、平滑コンデンサ5の充電電流を抑
制して力率を改善するようにしたものであるが、この種
のインダクタ8は重量が大きく、コストが高くなる欠点
がある。
【0006】上記のようなACライン3aにインダクタ
8を挿入する代わりに、図24の第5従来例、図25の
第6従来例のように、アクティブフィルタを使用する場
合もある。このうち、図24の第5従来例の電源回路
は、整流回路2の正側の整流ラインにインダクタ8を挿
入し、インダクタ8の負荷側、すなわち、スイッチング
レギュレータ10側の接続端と整流回路2の負側の出力
端との間に、平滑コンデンサ5とスイッチング素子9と
の直列回路を接続し、この直列回路と並列にスイッチン
グレギュレータ10を接続して構成した昇圧形のもので
ある。
8を挿入する代わりに、図24の第5従来例、図25の
第6従来例のように、アクティブフィルタを使用する場
合もある。このうち、図24の第5従来例の電源回路
は、整流回路2の正側の整流ラインにインダクタ8を挿
入し、インダクタ8の負荷側、すなわち、スイッチング
レギュレータ10側の接続端と整流回路2の負側の出力
端との間に、平滑コンデンサ5とスイッチング素子9と
の直列回路を接続し、この直列回路と並列にスイッチン
グレギュレータ10を接続して構成した昇圧形のもので
ある。
【0007】この第5従来例では、交流電源1の交流電
圧を整流回路2で全波整流し、スイッチング素子9を交
流電源1の周波数よりも高い周波数の矩形波信号でスイ
ッチング動作させる。スイッチング素子9のオン時に
は、整流回路2の出力電流はスイッチングレギュレータ
10へ供給されると共にインダクタ8を通して平滑コン
デンサ5に充電電流として出力され、スイッチング素子
9のオフ時にはインダクタ8にはある程度高い起電力が
発生し、この起電力が整流回路2の整流電圧に重畳され
て、スイッチングレギュレータ10に印加され、スイッ
チングレギュレータ10には、整流回路2の整流電圧に
比べて高い電圧が印加され、スイッチングレギュレータ
10への供給電流が増加し、力率が改善されることにな
る。
圧を整流回路2で全波整流し、スイッチング素子9を交
流電源1の周波数よりも高い周波数の矩形波信号でスイ
ッチング動作させる。スイッチング素子9のオン時に
は、整流回路2の出力電流はスイッチングレギュレータ
10へ供給されると共にインダクタ8を通して平滑コン
デンサ5に充電電流として出力され、スイッチング素子
9のオフ時にはインダクタ8にはある程度高い起電力が
発生し、この起電力が整流回路2の整流電圧に重畳され
て、スイッチングレギュレータ10に印加され、スイッ
チングレギュレータ10には、整流回路2の整流電圧に
比べて高い電圧が印加され、スイッチングレギュレータ
10への供給電流が増加し、力率が改善されることにな
る。
【0008】しかし、この第5従来例の昇圧型の場合に
は、スイッチングレギュレータ10に高い電圧が印加さ
れるため、スイッチングレギュレータ10内の不図示の
スイッチング素子に高耐電圧のスイッチング素子を用い
る必要がある。加えて、スイッチングレギュレータ10
の上限レギュレーションの範囲を広くとらなければなら
ず、コストアップと信頼性の低下を招く。
は、スイッチングレギュレータ10に高い電圧が印加さ
れるため、スイッチングレギュレータ10内の不図示の
スイッチング素子に高耐電圧のスイッチング素子を用い
る必要がある。加えて、スイッチングレギュレータ10
の上限レギュレーションの範囲を広くとらなければなら
ず、コストアップと信頼性の低下を招く。
【0009】一方、図25の第6従来例は降圧型を示す
ものであり、この図25では、インダクタ8を整流ライ
ンに挿入するのではなく、平滑コンデンサ5とスイッチ
ング素子9との間に挿入して、これらを直列に接続した
ものであり、その他の構成は図24と同じである。この
ように構成することにより、スイッチング素子9のオン
時に平滑コンデンサ5は、整流回路2へ入力される交流
入力電圧からインダクタ8の逆起電圧を減算した電圧で
充電される。また、スイッチング素子9のオフ時には、
平滑コンデンサ5のインダクタ8が接続されている側の
端子の電位は、整流回路2へ入力される交流入力電圧か
らインダクタ8の逆起電力とスイッチング素子9の飽和
電圧を差し引いた電圧となり、平滑コンデンサ5の充電
電圧は整流回路の出力電圧より低くなり、その分力率が
改善される。
ものであり、この図25では、インダクタ8を整流ライ
ンに挿入するのではなく、平滑コンデンサ5とスイッチ
ング素子9との間に挿入して、これらを直列に接続した
ものであり、その他の構成は図24と同じである。この
ように構成することにより、スイッチング素子9のオン
時に平滑コンデンサ5は、整流回路2へ入力される交流
入力電圧からインダクタ8の逆起電圧を減算した電圧で
充電される。また、スイッチング素子9のオフ時には、
平滑コンデンサ5のインダクタ8が接続されている側の
端子の電位は、整流回路2へ入力される交流入力電圧か
らインダクタ8の逆起電力とスイッチング素子9の飽和
電圧を差し引いた電圧となり、平滑コンデンサ5の充電
電圧は整流回路の出力電圧より低くなり、その分力率が
改善される。
【0010】しかし、この第6従来例の場合には、整流
回路2の出力電圧に比較して平滑コンデンサ5の充電電
圧が低くなるから、スイッチングレギュレータ10の下
限のレギュレーションを広くとらなければならない。こ
のため、スイッチングトランスの大型化、スイッチング
トランジスタ(いずれも図示せず)の大電流容量化が必
要であり、ひいては、コストアップと信頼性の低下を招
くことになる。加えて、図24の第5従来例および図2
5の第6従来例の両方とも、高調波歪規正に対応しよう
とすると、次段のスイッチングレギュレーションを再設
計し直さなければならないという不便さもある。
回路2の出力電圧に比較して平滑コンデンサ5の充電電
圧が低くなるから、スイッチングレギュレータ10の下
限のレギュレーションを広くとらなければならない。こ
のため、スイッチングトランスの大型化、スイッチング
トランジスタ(いずれも図示せず)の大電流容量化が必
要であり、ひいては、コストアップと信頼性の低下を招
くことになる。加えて、図24の第5従来例および図2
5の第6従来例の両方とも、高調波歪規正に対応しよう
とすると、次段のスイッチングレギュレーションを再設
計し直さなければならないという不便さもある。
【0011】さらに、アクティブフィルタを使用した場
合の図26に示す第7従来例では、整流回路2の正の出
力端側の整流ラインにインダクタ8と逆流阻止用のダイ
オード11を介してスイッチングレギュレータ10の一
方の入力端に接続し、インダクタ8とダイオード11と
の接続点と、整流回路2の負側の出力端間にスイッチン
グ素子9を接続し、スイッチングレギュレータ10の両
入力端に平滑コンデンサ5を接続するとともに、スイッ
チングレギュレータ10の他方の入力端を整流回路2の
負側の出力端に接続したものであり、インダクタ8と平
滑コンデンサ5とスイッチング素子9とによりアクティ
ブフィルタを構成している。その他は図25と同じであ
る。この第7従来例では、ACライン3の電圧と負荷電
流が比例するように、スイッチング素子9のスイッチン
グ作動を制御すると、ACライン3a,3bから見たア
クティブフィルタ回路は定抵抗として動作し、これによ
り、力率を改善するようにしている。
合の図26に示す第7従来例では、整流回路2の正の出
力端側の整流ラインにインダクタ8と逆流阻止用のダイ
オード11を介してスイッチングレギュレータ10の一
方の入力端に接続し、インダクタ8とダイオード11と
の接続点と、整流回路2の負側の出力端間にスイッチン
グ素子9を接続し、スイッチングレギュレータ10の両
入力端に平滑コンデンサ5を接続するとともに、スイッ
チングレギュレータ10の他方の入力端を整流回路2の
負側の出力端に接続したものであり、インダクタ8と平
滑コンデンサ5とスイッチング素子9とによりアクティ
ブフィルタを構成している。その他は図25と同じであ
る。この第7従来例では、ACライン3の電圧と負荷電
流が比例するように、スイッチング素子9のスイッチン
グ作動を制御すると、ACライン3a,3bから見たア
クティブフィルタ回路は定抵抗として動作し、これによ
り、力率を改善するようにしている。
【0012】さらに、図27に示す第8従来例では、ス
イッチングコンバータトランス12を使用しており、整
流回路2の正側の出力端はスイッチングコンバータトラ
ンス12の1次巻線12Pとスイッチング素子9を介し
て整流回路2の負側の出力端に接続されている。また、
スイッチングコンバータトランス12の2次巻線12s
の一端はダイオード13を介してスイッチングレギュレ
ータ10の一方の入力端に接続されており、スイッチン
グレギュレータ10の両入力端間に平滑コンデンサ5が
接続されている。スイッチングレギュレータ10の他方
の入力端と、2次巻線12sの他端は整流回路2の負側
の出力端に接続されている。
イッチングコンバータトランス12を使用しており、整
流回路2の正側の出力端はスイッチングコンバータトラ
ンス12の1次巻線12Pとスイッチング素子9を介し
て整流回路2の負側の出力端に接続されている。また、
スイッチングコンバータトランス12の2次巻線12s
の一端はダイオード13を介してスイッチングレギュレ
ータ10の一方の入力端に接続されており、スイッチン
グレギュレータ10の両入力端間に平滑コンデンサ5が
接続されている。スイッチングレギュレータ10の他方
の入力端と、2次巻線12sの他端は整流回路2の負側
の出力端に接続されている。
【0013】このように構成することにより、第8従来
例では、交流電源1の交流電圧が整流回路2で整流さ
れ、1次巻線12pと2次巻線12sが同極の場合に
は、スイッチング素子9のオン時に1次巻線12pとス
イッチング素子9を通って電流が流れて2次巻線12s
に誘導電流が生じ、この電流がダイオードD13を通し
て平滑コンデンサ5に充電電流として流れる。また、ス
イッチングコンバータトランス12の1次巻線12pと
2次巻線12sが異極性の場合には、スイッチング素子
9のオフ時に2次巻線12sに電流が流れ、この電流が
ダイオード13を通して平滑コンデンサ5に充電電流と
して流れる。すなわち、スイッチング素子9のオン、オ
フにより平滑コンデンサ5が一定電圧に充電される。こ
のようにして、平滑コンデンサ5を整流回路2により直
接充電しないようにして力率を改善している。
例では、交流電源1の交流電圧が整流回路2で整流さ
れ、1次巻線12pと2次巻線12sが同極の場合に
は、スイッチング素子9のオン時に1次巻線12pとス
イッチング素子9を通って電流が流れて2次巻線12s
に誘導電流が生じ、この電流がダイオードD13を通し
て平滑コンデンサ5に充電電流として流れる。また、ス
イッチングコンバータトランス12の1次巻線12pと
2次巻線12sが異極性の場合には、スイッチング素子
9のオフ時に2次巻線12sに電流が流れ、この電流が
ダイオード13を通して平滑コンデンサ5に充電電流と
して流れる。すなわち、スイッチング素子9のオン、オ
フにより平滑コンデンサ5が一定電圧に充電される。こ
のようにして、平滑コンデンサ5を整流回路2により直
接充電しないようにして力率を改善している。
【0014】しかし、この第8従来例の場合には、スイ
ッチングレギュレータ10に供給する電力すべてをスイ
ッチング素子9でスイッチングするため、スイッチング
コンバータトランス12にすべての電力を蓄えねばなら
ない。このため、スイッチング素子9、スイッチングコ
ンバータトランス12の電流容量を大きくしなければな
らず、部品コストが高くなり、しかも、形状も大きくな
るとともに放熱コストも高くなる。
ッチングレギュレータ10に供給する電力すべてをスイ
ッチング素子9でスイッチングするため、スイッチング
コンバータトランス12にすべての電力を蓄えねばなら
ない。このため、スイッチング素子9、スイッチングコ
ンバータトランス12の電流容量を大きくしなければな
らず、部品コストが高くなり、しかも、形状も大きくな
るとともに放熱コストも高くなる。
【0015】
【発明が解決しようとする課題】このように従来の電源
回路において、図20〜図22の第1〜第3従来例のよ
うに、抵抗4により力率を改善する場合には、いずれも
抵抗4の発熱が大きく、実用上力率を大幅に改善するこ
とができない。また、図23の第4従来例のように、イ
ンダクタ8をACライン3に挿入する場合には、インダ
クタ8の重量が重くかつ大きくなる欠点がある。さら
に、図24〜図27に示す第5従来例〜第8従来例のよ
うなアクティブフィルタを使用する場合には、コストが
高く信頼性も低下し、形状、重量も大きくなるという問
題点があった。
回路において、図20〜図22の第1〜第3従来例のよ
うに、抵抗4により力率を改善する場合には、いずれも
抵抗4の発熱が大きく、実用上力率を大幅に改善するこ
とができない。また、図23の第4従来例のように、イ
ンダクタ8をACライン3に挿入する場合には、インダ
クタ8の重量が重くかつ大きくなる欠点がある。さら
に、図24〜図27に示す第5従来例〜第8従来例のよ
うなアクティブフィルタを使用する場合には、コストが
高く信頼性も低下し、形状、重量も大きくなるという問
題点があった。
【0016】本発明は上述の問題に鑑みなされたもので
あり、簡単な回路により力率を改善することができ、か
つ小型、軽量化とコストダウンが可能で、しかも信頼性
を向上することができ、ノイズも出ない電源回路を提供
することにある。
あり、簡単な回路により力率を改善することができ、か
つ小型、軽量化とコストダウンが可能で、しかも信頼性
を向上することができ、ノイズも出ない電源回路を提供
することにある。
【0017】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は、交流電流を整流し、整流された直流脈動電
流を2つの出力端子から外部に供給するブリッジ整流回
路と、上記直流脈動電流を平滑化するように接続された
平滑コンデンサと、上記ブリッジ整流回路の一方の出力
端子から上記平滑コンデンサに向けて、該平滑コンデン
サを充電するための電流を流すように接続されたダイオ
ードと、上記ダイオードを通って上記平滑コンデンサに
流入する電流のピークを押さえるように接続されたピー
ク抑制手段とを設けたことを特徴とする。また、本発明
は、前記ピーク抑制手段は抵抗又はコイルで構成されて
いるものとした。
に本発明は、交流電流を整流し、整流された直流脈動電
流を2つの出力端子から外部に供給するブリッジ整流回
路と、上記直流脈動電流を平滑化するように接続された
平滑コンデンサと、上記ブリッジ整流回路の一方の出力
端子から上記平滑コンデンサに向けて、該平滑コンデン
サを充電するための電流を流すように接続されたダイオ
ードと、上記ダイオードを通って上記平滑コンデンサに
流入する電流のピークを押さえるように接続されたピー
ク抑制手段とを設けたことを特徴とする。また、本発明
は、前記ピーク抑制手段は抵抗又はコイルで構成されて
いるものとした。
【0018】さらに、本発明は、交流電圧を整流し、整
流された直流脈動電圧を2つの出力端子から外部に供給
する整流回路と、上記直流脈動電圧を平滑化するように
接続された平滑コンデンサと、オン時には上記直流脈動
電圧の一部が上記平滑コンデンサを通るようにし、オフ
時には該直流脈動電圧の通過を遮断して上記平滑コンデ
ンサの放電電圧を上記直流脈動電圧に重畳させるスイッ
チング素子と、上記平滑コンデンサで平滑化された上記
直流脈動電圧を断続して負荷に供給して該負荷への供給
電圧を制御するスイッチングレギュレータと、上記スイ
ッチングレギュレータの制御状態を検出し、該スイッチ
ングレギュレータへの入力電圧が定格電圧であるときに
は高力率となり、該入力電圧が上記スイッチングレギュ
レータによる上記供給電圧の制御が可能な入力電圧範囲
の上限又は下限になるにつれて低力率となるように、上
記スイッチング素子のスイッチング動作を制御する制御
手段とを設けたことを特徴とする。
流された直流脈動電圧を2つの出力端子から外部に供給
する整流回路と、上記直流脈動電圧を平滑化するように
接続された平滑コンデンサと、オン時には上記直流脈動
電圧の一部が上記平滑コンデンサを通るようにし、オフ
時には該直流脈動電圧の通過を遮断して上記平滑コンデ
ンサの放電電圧を上記直流脈動電圧に重畳させるスイッ
チング素子と、上記平滑コンデンサで平滑化された上記
直流脈動電圧を断続して負荷に供給して該負荷への供給
電圧を制御するスイッチングレギュレータと、上記スイ
ッチングレギュレータの制御状態を検出し、該スイッチ
ングレギュレータへの入力電圧が定格電圧であるときに
は高力率となり、該入力電圧が上記スイッチングレギュ
レータによる上記供給電圧の制御が可能な入力電圧範囲
の上限又は下限になるにつれて低力率となるように、上
記スイッチング素子のスイッチング動作を制御する制御
手段とを設けたことを特徴とする。
【0019】また、本発明は、交流電流を整流し、整流
された直流脈動電流を2つの出力端子から外部に供給す
る整流回路と、上記直流脈動電流を平滑化するように接
続された平滑コンデンサと、上記整流回路の一方の出力
端子から上記平滑コンデンサに向けて、該平滑コンデン
サを充電するための電流を流すように接続されたダイオ
ードと、上記直流脈動電流の一部が一次巻線に流れ、二
次巻線に誘起された電流が上記ダイオードを通って上記
平滑コンデンサに流入するように接続されたトランス
と、オン時には上記トランスの二次巻線に誘起された電
流で上記平滑コンデンサを充電させ、オフ時には平滑コ
ンデンサに充電された電流を放電させて上記直流脈動電
流を平滑化させるスイッチング素子とを設けたことを特
徴とする。
された直流脈動電流を2つの出力端子から外部に供給す
る整流回路と、上記直流脈動電流を平滑化するように接
続された平滑コンデンサと、上記整流回路の一方の出力
端子から上記平滑コンデンサに向けて、該平滑コンデン
サを充電するための電流を流すように接続されたダイオ
ードと、上記直流脈動電流の一部が一次巻線に流れ、二
次巻線に誘起された電流が上記ダイオードを通って上記
平滑コンデンサに流入するように接続されたトランス
と、オン時には上記トランスの二次巻線に誘起された電
流で上記平滑コンデンサを充電させ、オフ時には平滑コ
ンデンサに充電された電流を放電させて上記直流脈動電
流を平滑化させるスイッチング素子とを設けたことを特
徴とする。
【0020】さらに、本発明は、交流電圧を整流し、整
流された直流脈動電圧を2つの出力端子から外部に供給
する整流回路と、上記直流脈動電圧を平滑化するように
接続された平滑コンデンサと、オン時には上記直流脈動
電圧の一部が上記平滑コンデンサを通るようにし、オフ
時には上記平滑コンデンサの放電電圧を上記直流脈動電
圧に重畳させるスイッチング素子と、上記スイッチング
素子のオン時に上記平滑コンデンサを通る電圧を抑制す
るように接続され、該スイッチング素子のオフ時に上記
平滑コンデンサの放電回路の一部を形成するように接続
された第1インダクタと、上記スイッチング素子のスイ
ッチング動作に伴って上記第1インダクタから該スイッ
チング素子に加わる逆起電力を抑制する第2インダクタ
とを設けたことを特徴とする。また、本発明は、上記第
1及び第2インダクタはトランスの一次巻線及び二次巻
線により構成されているものとした。
流された直流脈動電圧を2つの出力端子から外部に供給
する整流回路と、上記直流脈動電圧を平滑化するように
接続された平滑コンデンサと、オン時には上記直流脈動
電圧の一部が上記平滑コンデンサを通るようにし、オフ
時には上記平滑コンデンサの放電電圧を上記直流脈動電
圧に重畳させるスイッチング素子と、上記スイッチング
素子のオン時に上記平滑コンデンサを通る電圧を抑制す
るように接続され、該スイッチング素子のオフ時に上記
平滑コンデンサの放電回路の一部を形成するように接続
された第1インダクタと、上記スイッチング素子のスイ
ッチング動作に伴って上記第1インダクタから該スイッ
チング素子に加わる逆起電力を抑制する第2インダクタ
とを設けたことを特徴とする。また、本発明は、上記第
1及び第2インダクタはトランスの一次巻線及び二次巻
線により構成されているものとした。
【0021】
【作用】本発明によれば、整流回路により交流電流を整
流して得られた直流脈動電流がピーク抑制手段でピーク
抑制され、ダイオードを通して平滑コンデンサに流入す
るので、平滑コンデンサを充電するための電流が急激に
平滑コンデンサへ流入するのが防止され、力率の悪化が
抑制する。これにより、簡単な回路により力率を改善す
ることができ、小形軽量化とコストダウンが可能で、し
かも、信頼性を向上することができ、ノイズも出ないよ
うにできる。
流して得られた直流脈動電流がピーク抑制手段でピーク
抑制され、ダイオードを通して平滑コンデンサに流入す
るので、平滑コンデンサを充電するための電流が急激に
平滑コンデンサへ流入するのが防止され、力率の悪化が
抑制する。これにより、簡単な回路により力率を改善す
ることができ、小形軽量化とコストダウンが可能で、し
かも、信頼性を向上することができ、ノイズも出ないよ
うにできる。
【0022】以下、本発明の実施例を図面に基づき説明
する。図1は本発明の一実施例による電源回路の回路図
である。図1において、上記各従来例の説明で参照した
図20乃至図27と同一部分には同一符号を付して述べ
る。図1に示すように交流電源1は、ダイオードをブリ
ッジ接続して構成された整流回路2の両入力端にACラ
イン3a,3bを介して接続されている。整流回路2の
正側の出力端は、負荷としてのスイッチングレギュレー
タ10の一方の入力端に接続されているとともに、抵抗
4とダイオード14と平滑コンデンサ5との直列回路を
介して、整流回路2の負側の出力端に接続されている。
スイッチングレギュレータ10の他方の入力端は整流回
路2の負側の出力端に接続されている。
する。図1は本発明の一実施例による電源回路の回路図
である。図1において、上記各従来例の説明で参照した
図20乃至図27と同一部分には同一符号を付して述べ
る。図1に示すように交流電源1は、ダイオードをブリ
ッジ接続して構成された整流回路2の両入力端にACラ
イン3a,3bを介して接続されている。整流回路2の
正側の出力端は、負荷としてのスイッチングレギュレー
タ10の一方の入力端に接続されているとともに、抵抗
4とダイオード14と平滑コンデンサ5との直列回路を
介して、整流回路2の負側の出力端に接続されている。
スイッチングレギュレータ10の他方の入力端は整流回
路2の負側の出力端に接続されている。
【0023】次に動作について説明する。交流電源1よ
りACライン3a,3bを通して整流回路2に交流電流
が加えられ、整流回路2により全波整流されて直流電流
に変換される。これにより、交流電源1より整流回路2
に入力した入力電流I1は整流されて直流電流I2とI
3に分かれ、直流電流I3は整流回路2の正側の出力端
からスイッチングレギュレータ10に入力される。ま
た、直流電流I2は整流回路2の正側の出力端から抵抗
4〜ダイオード14〜平滑コンデンサ5の直列回路を通
して整流回路2の負側の出力端へと流れ、平滑コンデン
サ5を充電する。
りACライン3a,3bを通して整流回路2に交流電流
が加えられ、整流回路2により全波整流されて直流電流
に変換される。これにより、交流電源1より整流回路2
に入力した入力電流I1は整流されて直流電流I2とI
3に分かれ、直流電流I3は整流回路2の正側の出力端
からスイッチングレギュレータ10に入力される。ま
た、直流電流I2は整流回路2の正側の出力端から抵抗
4〜ダイオード14〜平滑コンデンサ5の直列回路を通
して整流回路2の負側の出力端へと流れ、平滑コンデン
サ5を充電する。
【0024】平滑コンデンサ5に流入する電流は抵抗1
4で抑制され、この電流I1が抵抗14を通るときに抵
抗14で発熱するが、この発熱は平滑コンデンサ5の充
電時のみであり、この分だけが抵抗4での損失となる。
力率が悪化する原因は平滑コンデンサに充電する際の流
入電流が急激なためであるが、この図1の回路では、平
滑コンデンサ5への流入電流のピークを抵抗4により制
限しており、なお、かつ抵抗の損失はこのときのみであ
る。したがって、従来の抵抗のみで力率(0.62)を
改善した場合に比較して、抵抗4の損失を1/3程に抑
えられ、力率は0.80となる。
4で抑制され、この電流I1が抵抗14を通るときに抵
抗14で発熱するが、この発熱は平滑コンデンサ5の充
電時のみであり、この分だけが抵抗4での損失となる。
力率が悪化する原因は平滑コンデンサに充電する際の流
入電流が急激なためであるが、この図1の回路では、平
滑コンデンサ5への流入電流のピークを抵抗4により制
限しており、なお、かつ抵抗の損失はこのときのみであ
る。したがって、従来の抵抗のみで力率(0.62)を
改善した場合に比較して、抵抗4の損失を1/3程に抑
えられ、力率は0.80となる。
【0025】図2は、平滑コンデンサ5に流入する電流
を抑制する手段として能動素子を用いた本発明の第2の
実施例による電源回路の回路図であり、図1の抵抗4に
代えてトランジスタ15,16、抵抗17,18からな
る回路が挿入されている。すなわち、整流回路2の正側
の出力端はスイッチングレギュレータ10の一方の入力
端に接続されているとともに、トランジスタ15のコレ
クタに接続されており、トランジスタ15のエミッタは
抵抗17を介してダイオード14に接続されている。抵
抗17とダイオード14との接続点はトランジスタ16
のエミッタに接続されており、トランジスタ16のベー
スとトランジスタ15のエミッタが接続され、トランジ
スタ16のコレクタとトランジスタ16のベースが接続
されている。トランジスタ15のベースは抵抗18を介
して整流回路2の正側の出力端に接続されている。その
他の構成は図1と同じである。
を抑制する手段として能動素子を用いた本発明の第2の
実施例による電源回路の回路図であり、図1の抵抗4に
代えてトランジスタ15,16、抵抗17,18からな
る回路が挿入されている。すなわち、整流回路2の正側
の出力端はスイッチングレギュレータ10の一方の入力
端に接続されているとともに、トランジスタ15のコレ
クタに接続されており、トランジスタ15のエミッタは
抵抗17を介してダイオード14に接続されている。抵
抗17とダイオード14との接続点はトランジスタ16
のエミッタに接続されており、トランジスタ16のベー
スとトランジスタ15のエミッタが接続され、トランジ
スタ16のコレクタとトランジスタ16のベースが接続
されている。トランジスタ15のベースは抵抗18を介
して整流回路2の正側の出力端に接続されている。その
他の構成は図1と同じである。
【0026】次に、動作について説明する。整流回路2
の正側の出力端から抵抗18を通してトランジスタ15
のベースにベース電流が流れるとトランジスタ15がオ
ンし、トランジスタ15のコレクタにコレクタ電流が整
流回路2の正側の出力端から流れる。このコレクタ電流
は抵抗17を通して、平滑コンデンサ5に流れ込み、平
滑コンデンサ5を充電する。また、抵抗17の両端にト
ランジスタ16のベースとエミッタが接続されており、
抵抗17の両端の電圧がトランジスタ16のオン電圧に
達するとトランジスタ16がオンし、トランジスタ15
のベース電流をトランジスタ16のコレクタ電流として
分流させる。これにより、トランジスタ15のコレクタ
電流が制限され、トランジスタ15は定電流動作とな
り、その結果、平滑コンデンサ5に流入する電流のピー
ク値が減少し、力率が改善される。
の正側の出力端から抵抗18を通してトランジスタ15
のベースにベース電流が流れるとトランジスタ15がオ
ンし、トランジスタ15のコレクタにコレクタ電流が整
流回路2の正側の出力端から流れる。このコレクタ電流
は抵抗17を通して、平滑コンデンサ5に流れ込み、平
滑コンデンサ5を充電する。また、抵抗17の両端にト
ランジスタ16のベースとエミッタが接続されており、
抵抗17の両端の電圧がトランジスタ16のオン電圧に
達するとトランジスタ16がオンし、トランジスタ15
のベース電流をトランジスタ16のコレクタ電流として
分流させる。これにより、トランジスタ15のコレクタ
電流が制限され、トランジスタ15は定電流動作とな
り、その結果、平滑コンデンサ5に流入する電流のピー
ク値が減少し、力率が改善される。
【0027】図3は本発明の第3の実施例の構成を示す
回路図であり、この図3では、図1の抵抗4に代えてイ
ンダクタ19を挿入したものであり、その他の構成は図
1と同じであり、図1と同一部分には同一符号を付すの
みにとどめる。この図3のように、インダクタ19を挿
入することにより、交流電源1側から平滑コンデンサ5
へのインピーダンスが高くなり、しかも、インダクタ1
9での損失が少なく、電流容量の小さなインダクタ19
で力率を改善することができる。
回路図であり、この図3では、図1の抵抗4に代えてイ
ンダクタ19を挿入したものであり、その他の構成は図
1と同じであり、図1と同一部分には同一符号を付すの
みにとどめる。この図3のように、インダクタ19を挿
入することにより、交流電源1側から平滑コンデンサ5
へのインピーダンスが高くなり、しかも、インダクタ1
9での損失が少なく、電流容量の小さなインダクタ19
で力率を改善することができる。
【0028】以上のようにして、図1〜図3の第1〜第
3の実施例では、抵抗あるいはインダクタとダイオード
とを平滑コンデンサとともに直列にしているので、簡単
な回路構成により力率を改善することができ、大容量の
インダクタを用いる必要がなく、コストダウンが可能
で、かつ、信頼性が向上し、ノイズも出ない利点を有す
る。
3の実施例では、抵抗あるいはインダクタとダイオード
とを平滑コンデンサとともに直列にしているので、簡単
な回路構成により力率を改善することができ、大容量の
インダクタを用いる必要がなく、コストダウンが可能
で、かつ、信頼性が向上し、ノイズも出ない利点を有す
る。
【0029】次に、本発明の第4の実施例について図4
により説明する。図4において、図1〜図3と同一部分
には同一符号を付して述べる。整流回路2の正側の出力
端はスイッチングレギュレータ10の一方の入力端と平
滑コンデンサ5、トランス20の1次巻線20pを介し
て、スイッチング素子としての電界効果トランジスタ2
1(以下、FETという)のドレインに接続されてい
る。FET21のソースは整流回路2の負側の出力端に
接続されており、整流回路2の両入力端はそれぞれAC
ライン3a,3bを介して交流電源1に接続されてい
る。
により説明する。図4において、図1〜図3と同一部分
には同一符号を付して述べる。整流回路2の正側の出力
端はスイッチングレギュレータ10の一方の入力端と平
滑コンデンサ5、トランス20の1次巻線20pを介し
て、スイッチング素子としての電界効果トランジスタ2
1(以下、FETという)のドレインに接続されてい
る。FET21のソースは整流回路2の負側の出力端に
接続されており、整流回路2の両入力端はそれぞれAC
ライン3a,3bを介して交流電源1に接続されてい
る。
【0030】また、FET21のドレイン・ソース間に
並列に放電用のダイオード22が接続されている。トラ
ンス20の2次巻線20sの一端は逆流防止用のダイオ
ード23を介してスイッチングレギュレータ10の一方
の入力端に接続され、2次巻線20sの他端は整流回路
2の負側の出力端に接続されている。スイッチングレギ
ュレータ10の他方の入力端も整流回路2の負側の出力
端に接続されている。
並列に放電用のダイオード22が接続されている。トラ
ンス20の2次巻線20sの一端は逆流防止用のダイオ
ード23を介してスイッチングレギュレータ10の一方
の入力端に接続され、2次巻線20sの他端は整流回路
2の負側の出力端に接続されている。スイッチングレギ
ュレータ10の他方の入力端も整流回路2の負側の出力
端に接続されている。
【0031】本実施例の電源回路では、スイッチングレ
ギュレータ10の制御状態を制御状態検出回路24で検
出し、この制御状態検出回路24の検出出力でPWM
(パルス幅変調)ドライブ回路25がFET21のゲー
トに加えるパルス幅を変える構成としてある。
ギュレータ10の制御状態を制御状態検出回路24で検
出し、この制御状態検出回路24の検出出力でPWM
(パルス幅変調)ドライブ回路25がFET21のゲー
トに加えるパルス幅を変える構成としてある。
【0032】次に、図4の第4の実施例の動作について
説明する。整流回路2の出力電流はスイッチングレギュ
レータ10に入力されるとともに、PWMドライブ回路
25の出力によりFET21をオンにして、平滑コンデ
ンサ5〜トランス20の1次巻線20p〜FET21を
通して整流回路2の正側の出力端から充電電流が平滑コ
ンデンサ5に流れる。また、トランス20の1次巻線2
0pに電流が流れることにより2次巻線20sに電圧が
誘起され、2次巻線20sの一端からダイオード23を
通してスイッチングレギュレータ10に入力される。F
ET21がオフになると、平滑コンデンサ5の放電電流
がスイッチングレギュレータ10〜ダイオード22〜ダ
イオード23〜トランス20の1次巻線20pを通して
スイッチングレギュレータ10に流入する。
説明する。整流回路2の出力電流はスイッチングレギュ
レータ10に入力されるとともに、PWMドライブ回路
25の出力によりFET21をオンにして、平滑コンデ
ンサ5〜トランス20の1次巻線20p〜FET21を
通して整流回路2の正側の出力端から充電電流が平滑コ
ンデンサ5に流れる。また、トランス20の1次巻線2
0pに電流が流れることにより2次巻線20sに電圧が
誘起され、2次巻線20sの一端からダイオード23を
通してスイッチングレギュレータ10に入力される。F
ET21がオフになると、平滑コンデンサ5の放電電流
がスイッチングレギュレータ10〜ダイオード22〜ダ
イオード23〜トランス20の1次巻線20pを通して
スイッチングレギュレータ10に流入する。
【0033】この第4の実施例は、スイッチングレギュ
レータ10の制御状態を制御状態検出回路24で検出す
ることにより、FET21のオン、オフのデューティを
100%(低力率)〜0%(高力率)まで変化させて、
より効率的に力率を改善するものである。上記スイッチ
ングレギュレータ10の制御状態を制御状態検出回路2
4で検出し、スイッチングレギュレータ10の下限入力
電圧の検出時には、その検出出力をPWMドライブ回路
25に出力し、PWMドライブ回路25はFET21の
オン、オフのデューティを100%オンにする。これに
より、平滑コンデンサ5の充放電はFET21とダイオ
ード22とにより自由に行われるので、力率が悪くなる
が、スイッチングレギュレータ10の入力電圧はリップ
ルの少ない普通の整流電圧の直流電圧になる。
レータ10の制御状態を制御状態検出回路24で検出す
ることにより、FET21のオン、オフのデューティを
100%(低力率)〜0%(高力率)まで変化させて、
より効率的に力率を改善するものである。上記スイッチ
ングレギュレータ10の制御状態を制御状態検出回路2
4で検出し、スイッチングレギュレータ10の下限入力
電圧の検出時には、その検出出力をPWMドライブ回路
25に出力し、PWMドライブ回路25はFET21の
オン、オフのデューティを100%オンにする。これに
より、平滑コンデンサ5の充放電はFET21とダイオ
ード22とにより自由に行われるので、力率が悪くなる
が、スイッチングレギュレータ10の入力電圧はリップ
ルの少ない普通の整流電圧の直流電圧になる。
【0034】また、スイッチングレギュレータ10が制
御を始め、安定な出力を出せる状態となるにしたがっ
て、入力電圧より少し高い電圧から徐々にFET21の
デューティをPWMドライブ回路25で小さくなるよう
にFET21をドライブすると、徐々に力率が改善し、
入力定格0前後で高力率に設定することができる。した
がって、スイッチングレギュレータ10の信頼性を向上
することができ、ローコストで力率を改善できる電源回
路とすることができる。
御を始め、安定な出力を出せる状態となるにしたがっ
て、入力電圧より少し高い電圧から徐々にFET21の
デューティをPWMドライブ回路25で小さくなるよう
にFET21をドライブすると、徐々に力率が改善し、
入力定格0前後で高力率に設定することができる。した
がって、スイッチングレギュレータ10の信頼性を向上
することができ、ローコストで力率を改善できる電源回
路とすることができる。
【0035】図5は本発明の第5の実施例を示す回路図
であり、降圧型の力率を改善した整流回路と、直交トラ
ンスを用いた2石共振コンバータとの組み合わせの例を
示すものである。この図5において、図4と同一部分に
は同一符号を付して述べる。図5では図4で述べたトラ
ンス20に代えて、図3で示したインダクタ19が挿入
されている。また、整流回路2の正側の出力端はトラン
ジスタ26のコレクタに接続され、そのベースはコンデ
ンサ27と可飽和リアクタ28の2次巻線28aを介し
てトランジスタ29のコレクタとトランジスタ26のエ
ミッタに接続されている。可飽和リアクタ28の2次巻
線28bの一端はコンデンサ30を介して、トランジス
タ29のベースに接続されている。トランジスタ29の
エミッタは整流回路2の負側の出力端に接続され、かつ
アースされている。トランジスタ26と29はスイッチ
ングコンバータの主体をなすものである。可飽和リアク
タ28の1次巻線28cの一端はアースされ、他端はト
ランジスタ31のコレクタに接続されている。
であり、降圧型の力率を改善した整流回路と、直交トラ
ンスを用いた2石共振コンバータとの組み合わせの例を
示すものである。この図5において、図4と同一部分に
は同一符号を付して述べる。図5では図4で述べたトラ
ンス20に代えて、図3で示したインダクタ19が挿入
されている。また、整流回路2の正側の出力端はトラン
ジスタ26のコレクタに接続され、そのベースはコンデ
ンサ27と可飽和リアクタ28の2次巻線28aを介し
てトランジスタ29のコレクタとトランジスタ26のエ
ミッタに接続されている。可飽和リアクタ28の2次巻
線28bの一端はコンデンサ30を介して、トランジス
タ29のベースに接続されている。トランジスタ29の
エミッタは整流回路2の負側の出力端に接続され、かつ
アースされている。トランジスタ26と29はスイッチ
ングコンバータの主体をなすものである。可飽和リアク
タ28の1次巻線28cの一端はアースされ、他端はト
ランジスタ31のコレクタに接続されている。
【0036】上記トランジスタ26のエミッタはトラン
ス32の1次巻線31pとコンデンサ34の直列回路を
介してアースされている。トランス32の2次巻線32
sの両端は、ダイオードをブリッジ接続して構成した整
流回路35の両入力端に接続されており、この整流回路
35の正、負両出力端間に平滑コンデンサ36が接続さ
れているとともに、負荷37に接続されている。
ス32の1次巻線31pとコンデンサ34の直列回路を
介してアースされている。トランス32の2次巻線32
sの両端は、ダイオードをブリッジ接続して構成した整
流回路35の両入力端に接続されており、この整流回路
35の正、負両出力端間に平滑コンデンサ36が接続さ
れているとともに、負荷37に接続されている。
【0037】整流回路35の正、負両出力端間には、抵
抗38と39の直列回路が接続されており、両抵抗38
と39との接続点はシャントレギュレータ40のゲート
に接続され、整流回路35の出力電圧を分圧した電圧は
シャントレギュレータ40のゲートに印加される。シャ
ントレギュレータ40は発光素子41と直列に接続さ
れ、この直列回路が電源とアース間に接続されている。
抗38と39の直列回路が接続されており、両抵抗38
と39との接続点はシャントレギュレータ40のゲート
に接続され、整流回路35の出力電圧を分圧した電圧は
シャントレギュレータ40のゲートに印加される。シャ
ントレギュレータ40は発光素子41と直列に接続さ
れ、この直列回路が電源とアース間に接続されている。
【0038】発光素子41と受光素子42はフォトカプ
ラを構成しており、受光素子42のコレクタは抵抗43
を介して電源に接続され、この電源は上記トランジスタ
31のエミッタに接続されている。トランジスタ31の
ベースは受光素子42のコレクタに接続されており、ま
た、トランジスタ31のベースは受光素子42のコレク
タに接続されている。受光素子42のエミッタはアース
されている。トランジスタ31のコレクタは上述のよう
に、可飽和リアクタ28の1次巻線28cの他端に接続
されており、この1次巻線28cの他端は抵抗44、ツ
ェナーダイオード45、抵抗46を直列に介してアース
されている。ツェナーダイオード45と抵抗46との直
列回路には、ツェナーダイオード47とコンデンサ48
との並列回路が並列に接続されている。
ラを構成しており、受光素子42のコレクタは抵抗43
を介して電源に接続され、この電源は上記トランジスタ
31のエミッタに接続されている。トランジスタ31の
ベースは受光素子42のコレクタに接続されており、ま
た、トランジスタ31のベースは受光素子42のコレク
タに接続されている。受光素子42のエミッタはアース
されている。トランジスタ31のコレクタは上述のよう
に、可飽和リアクタ28の1次巻線28cの他端に接続
されており、この1次巻線28cの他端は抵抗44、ツ
ェナーダイオード45、抵抗46を直列に介してアース
されている。ツェナーダイオード45と抵抗46との直
列回路には、ツェナーダイオード47とコンデンサ48
との並列回路が並列に接続されている。
【0039】ツェナーダイオード45と抵抗46との接
続点は制御回路49内のオペアンプ49aの非反転入力
端に接続されており、制御回路49の他方の入力端はア
ースされている。制御回路49は図4で述べたように、
スイッチングレギュレータの状態を検出するもので、F
ET21のパルス幅を制御するPWMドライブを兼ねた
PWMコンパレータ49bを内蔵しており、制御回路4
9の出力はFET21のゲートに加えられる。
続点は制御回路49内のオペアンプ49aの非反転入力
端に接続されており、制御回路49の他方の入力端はア
ースされている。制御回路49は図4で述べたように、
スイッチングレギュレータの状態を検出するもので、F
ET21のパルス幅を制御するPWMドライブを兼ねた
PWMコンパレータ49bを内蔵しており、制御回路4
9の出力はFET21のゲートに加えられる。
【0040】次に、図5の第5の実施例の動作について
説明する。交流電源1の電圧は整流回路2で整流され、
平滑コンデンサ5で平滑される。この際、平滑コンデン
サ5への充電電流はインダクタ19を通ってFET21
でスイッチングされるため、力率が改善される。FET
21のゲートに加わるパルスのパルス幅は、制御回路4
9の出力によって制御されており、この制御回路49の
出力によりオン、オフを繰り返す。また、平滑コンデン
サ5の充電電流は、トランス32の2次巻線32p〜コ
ンデンサ34〜ダイオード22〜インダクタ19の経路
で放電される。その放電電流は、トランジスタ26と2
9とによるスイッチングコンバータにより、高周波に変
換される。すなわち、可飽和トランス28の1次巻線2
8cに電流を流すことにより2次巻線28a,28bの
インダクダが可変され、コンデンサ27と2次巻線28
a、コンデンサ30と2次巻線28bの各直列共振回路
の直列共振周波数により、トランジスタ26,29がそ
れぞれ交互にオン、オフを繰り返すことにより、上記平
滑コンデンサ5の放電電流がスイッチングされる。
説明する。交流電源1の電圧は整流回路2で整流され、
平滑コンデンサ5で平滑される。この際、平滑コンデン
サ5への充電電流はインダクタ19を通ってFET21
でスイッチングされるため、力率が改善される。FET
21のゲートに加わるパルスのパルス幅は、制御回路4
9の出力によって制御されており、この制御回路49の
出力によりオン、オフを繰り返す。また、平滑コンデン
サ5の充電電流は、トランス32の2次巻線32p〜コ
ンデンサ34〜ダイオード22〜インダクタ19の経路
で放電される。その放電電流は、トランジスタ26と2
9とによるスイッチングコンバータにより、高周波に変
換される。すなわち、可飽和トランス28の1次巻線2
8cに電流を流すことにより2次巻線28a,28bの
インダクダが可変され、コンデンサ27と2次巻線28
a、コンデンサ30と2次巻線28bの各直列共振回路
の直列共振周波数により、トランジスタ26,29がそ
れぞれ交互にオン、オフを繰り返すことにより、上記平
滑コンデンサ5の放電電流がスイッチングされる。
【0041】このスイッチングにより、上記平滑コンデ
ンサ5の放電電流はトランス32の1次巻線32pとコ
ンデンサ34との直列共振回路の共振電流となり、トラ
ンス32の1次巻線32pに共振電流が流れることによ
り、該トランス32の2次巻線32sに電圧が誘起され
る。この2次巻線32sに誘起された電圧は整流回路3
5で整流され、さらに平滑コンデンサ36で平滑され
て、直流電圧が負荷37に印加される。整流回路35の
整流出力電圧を一定にするためには、トランジスタ26
と29とのスイッチング周波数を変化させればよく、可
飽和リアクタ28の1次巻線28cの電流をトランジス
タ31、発光素子41と受光素子42とによるフォトカ
プラ、シャントレギュレータ40とによって制御する。
ンサ5の放電電流はトランス32の1次巻線32pとコ
ンデンサ34との直列共振回路の共振電流となり、トラ
ンス32の1次巻線32pに共振電流が流れることによ
り、該トランス32の2次巻線32sに電圧が誘起され
る。この2次巻線32sに誘起された電圧は整流回路3
5で整流され、さらに平滑コンデンサ36で平滑され
て、直流電圧が負荷37に印加される。整流回路35の
整流出力電圧を一定にするためには、トランジスタ26
と29とのスイッチング周波数を変化させればよく、可
飽和リアクタ28の1次巻線28cの電流をトランジス
タ31、発光素子41と受光素子42とによるフォトカ
プラ、シャントレギュレータ40とによって制御する。
【0042】すなわち、平滑コンデンサ36の充電電圧
は抵抗38と39とにより分圧され、その分圧された電
圧がシャントレギュレータ40のゲートに印加されてお
り、その分圧値が所定以上になるとシャントレギュレー
タ40がオンとなり、発光素子41が発光する。発光素
子41が発した光を受光素子42は受光され、受光素子
42のコレクタ電流がトランジスタ31のベースに加わ
ってトランジスタ31がオンとなる。トランジスタ31
のコレクタは抵抗44を介してツェナーダイオード4
5,47が接続されており、一定電位となっている。こ
のツェナーダイオード45のアノードは制御回路49内
のオペアンプ49aの非反転入力端に接続されており、
オペアンプ49aは電圧フォロワになっており、ツェナ
ーダイオード45のアノードの電圧によりFET21の
ゲートに加えるパルスのPWMのデューティ比が決定さ
れ、このデューティによりFET21がオン、オフして
力率もこれに応じて変化する。
は抵抗38と39とにより分圧され、その分圧された電
圧がシャントレギュレータ40のゲートに印加されてお
り、その分圧値が所定以上になるとシャントレギュレー
タ40がオンとなり、発光素子41が発光する。発光素
子41が発した光を受光素子42は受光され、受光素子
42のコレクタ電流がトランジスタ31のベースに加わ
ってトランジスタ31がオンとなる。トランジスタ31
のコレクタは抵抗44を介してツェナーダイオード4
5,47が接続されており、一定電位となっている。こ
のツェナーダイオード45のアノードは制御回路49内
のオペアンプ49aの非反転入力端に接続されており、
オペアンプ49aは電圧フォロワになっており、ツェナ
ーダイオード45のアノードの電圧によりFET21の
ゲートに加えるパルスのPWMのデューティ比が決定さ
れ、このデューティによりFET21がオン、オフして
力率もこれに応じて変化する。
【0043】ここで、トランジスタ26,29以降で構
成されるスイッチングレギュレータの制御可能入力電圧
範囲をDC110V〜DC170Vとすると、入力が1
10V以下の場合はスイッチングレギュレータが出力電
圧の制御を行うことができず、よって最も出力電圧が高
くなる。この第5実施例の場合、周波数が最も低い場合
であり、可飽和リアクタ28の1次巻線28cには全く
電流が流れていない。このとき、トランジスタ31のコ
レクタは0Vであり、制御回路49のオペアンプ49a
の非反転入力端も0Vである。したがって、FET21
のゲートは常に電圧Vccpが印加されておりFET2
1はオン状態である。FET21が常時オンであると、
整流回路35と合わせて平滑コンデンサ5の放電は自由
に行われるので、整流回路35は通常のブリッジ整流と
なり、したがって、スイッチングレギュレータの入力は
リップルの少ない安定な入力が得られる。
成されるスイッチングレギュレータの制御可能入力電圧
範囲をDC110V〜DC170Vとすると、入力が1
10V以下の場合はスイッチングレギュレータが出力電
圧の制御を行うことができず、よって最も出力電圧が高
くなる。この第5実施例の場合、周波数が最も低い場合
であり、可飽和リアクタ28の1次巻線28cには全く
電流が流れていない。このとき、トランジスタ31のコ
レクタは0Vであり、制御回路49のオペアンプ49a
の非反転入力端も0Vである。したがって、FET21
のゲートは常に電圧Vccpが印加されておりFET2
1はオン状態である。FET21が常時オンであると、
整流回路35と合わせて平滑コンデンサ5の放電は自由
に行われるので、整流回路35は通常のブリッジ整流と
なり、したがって、スイッチングレギュレータの入力は
リップルの少ない安定な入力が得られる。
【0044】次に、スイッチングレギュレータの入力が
110Vに達すると、該スイッチングレギュレータは出
力電圧の制御を開始し、可飽和リアクタ28の1次巻線
28cにトランジスタ31のコレクタ電流が流れ出す
と、このトランジスタ31のコレクタ電位が上昇する
が、ツェナーダイオード45により、図5中の点Eで示
すコンデンサ48の一端の電位がツェナー電圧に達する
まで、図5中の点Fで示すツェナーダイオード45と抵
抗46との接続点の電位は0Vのままである。このとき
同様に、FET21も常時オンである。ここで、ツェナ
ーダイオード45がオンする直前の入力電圧をDC12
0Vとする。
110Vに達すると、該スイッチングレギュレータは出
力電圧の制御を開始し、可飽和リアクタ28の1次巻線
28cにトランジスタ31のコレクタ電流が流れ出す
と、このトランジスタ31のコレクタ電位が上昇する
が、ツェナーダイオード45により、図5中の点Eで示
すコンデンサ48の一端の電位がツェナー電圧に達する
まで、図5中の点Fで示すツェナーダイオード45と抵
抗46との接続点の電位は0Vのままである。このとき
同様に、FET21も常時オンである。ここで、ツェナ
ーダイオード45がオンする直前の入力電圧をDC12
0Vとする。
【0045】入力電圧が徐々に上昇し、点Eの電圧がツ
ェナーダイオード45のツェナー電圧に達すると、点F
の電位が上昇し始める。これにより、制御回路49内で
三角波とオペアンプ49aの出力をPWMコンパレータ
49bで比較し、それに応じたパルスを出し始め、この
パルスにより、FET21がスイッチング作動を開始
し、交流入力電流のピークが低くなり、導通角が広くな
り始め、力率が改善される。このときの電圧をDC12
7Vとする。さらに入力電圧が上昇すると、点Fの電位
に応じてFET21のオン時間が短くなり、力率はさら
によくなっていく。点Eの電圧がツェナーダイオード4
7のツェナー電圧に達すると、点Fの電位はVD47
(ツェナーダイオード47のツェナー電圧)−VD45
(ツェナーダイオード45のツェナー電圧)=一定とな
り、FET21のデューティ比は一定となる。
ェナーダイオード45のツェナー電圧に達すると、点F
の電位が上昇し始める。これにより、制御回路49内で
三角波とオペアンプ49aの出力をPWMコンパレータ
49bで比較し、それに応じたパルスを出し始め、この
パルスにより、FET21がスイッチング作動を開始
し、交流入力電流のピークが低くなり、導通角が広くな
り始め、力率が改善される。このときの電圧をDC12
7Vとする。さらに入力電圧が上昇すると、点Fの電位
に応じてFET21のオン時間が短くなり、力率はさら
によくなっていく。点Eの電圧がツェナーダイオード4
7のツェナー電圧に達すると、点Fの電位はVD47
(ツェナーダイオード47のツェナー電圧)−VD45
(ツェナーダイオード45のツェナー電圧)=一定とな
り、FET21のデューティ比は一定となる。
【0046】つまり、ツェナーダイオード45,47は
必要以上に力率を改善しないで、スイッチングレギュレ
ータと力率改善回路の信頼性を確保するためのダイオー
ドである。点Eの電位がツェナーダイオード47のツェ
ナー電圧に達する入力DCをここで148Vとする。そ
の後、入力電圧が上昇しても、点Fの電位は上昇しな
い。また、これはスイッチングレギュレータの負荷が重
くなったとき、たとえば、DCが170Vの状態でも、
デューティが100%になり、普通の整流回路と同様に
なり、重量でもスイッチングレギュレータはパワーを供
給できる。
必要以上に力率を改善しないで、スイッチングレギュレ
ータと力率改善回路の信頼性を確保するためのダイオー
ドである。点Eの電位がツェナーダイオード47のツェ
ナー電圧に達する入力DCをここで148Vとする。そ
の後、入力電圧が上昇しても、点Fの電位は上昇しな
い。また、これはスイッチングレギュレータの負荷が重
くなったとき、たとえば、DCが170Vの状態でも、
デューティが100%になり、普通の整流回路と同様に
なり、重量でもスイッチングレギュレータはパワーを供
給できる。
【0047】以上のように、低入力時及び重負荷時は、
FET21を完全にオンさせ、図5の電源回路を通常の
電源回路として用い、次段のスイッチングレギュレータ
が制御を開始する電圧より少し高い電圧からFET21
をスイッチングさせることで、定格電圧時に力率を改善
(たとえば0.8〜0.96)することができる。
FET21を完全にオンさせ、図5の電源回路を通常の
電源回路として用い、次段のスイッチングレギュレータ
が制御を開始する電圧より少し高い電圧からFET21
をスイッチングさせることで、定格電圧時に力率を改善
(たとえば0.8〜0.96)することができる。
【0048】次に、本発明の第6実施例について説明す
る。図6は第6実施例の構成を示す回路図であり、PW
Mコンバータと力率改善用の整流回路とを組み合わせた
実施例を示す。この図6において、図5と同一部分には
同一符号を付すのみにとどめる。図6において、図5の
トランジスタ26,29、可飽和リアクタ28、シャン
トレギュレータ40、発光素子41、受光素子42、整
流回路35、トランジスタ31が省略されている。
る。図6は第6実施例の構成を示す回路図であり、PW
Mコンバータと力率改善用の整流回路とを組み合わせた
実施例を示す。この図6において、図5と同一部分には
同一符号を付すのみにとどめる。図6において、図5の
トランジスタ26,29、可飽和リアクタ28、シャン
トレギュレータ40、発光素子41、受光素子42、整
流回路35、トランジスタ31が省略されている。
【0049】また、図5の整流回路35に代えてダイオ
ード51が使用されており、また、図4のトランス32
の1次巻線32pと直列に接続されていたコンデンサ3
4の位置にスイッチング素子としてFET50が挿入さ
れている。抵抗38と39との接続点は制御回路52内
のオペアンプ52aの非反転入力端に接続されており、
制御回路52はオペアンプ52aとPWMコンパレータ
52bとで構成されている。制御回路52の出力はトラ
ンス53を介してFET50のベースに加られるととも
に、ツェナーダイオード45,47のカソードにも抵抗
44を介して加えられる。その他の構成は図5と同じで
ある。
ード51が使用されており、また、図4のトランス32
の1次巻線32pと直列に接続されていたコンデンサ3
4の位置にスイッチング素子としてFET50が挿入さ
れている。抵抗38と39との接続点は制御回路52内
のオペアンプ52aの非反転入力端に接続されており、
制御回路52はオペアンプ52aとPWMコンパレータ
52bとで構成されている。制御回路52の出力はトラ
ンス53を介してFET50のベースに加られるととも
に、ツェナーダイオード45,47のカソードにも抵抗
44を介して加えられる。その他の構成は図5と同じで
ある。
【0050】次に動作について、図7の波形図を参照し
て説明する。図7その1に示す(A)は整流回路2に流
入する交流入力電流波形であり、(B)はFET21の
出力電流波形、(C)は整流回路2の出力波形である。
また、図7その1に示す(D)はFET50の入力波
形、(E)はツェナーダイオード45のカソード電圧、
(F)は制御回路49内のオペアンプ49aの非反転入
力端の電圧波形図である。
て説明する。図7その1に示す(A)は整流回路2に流
入する交流入力電流波形であり、(B)はFET21の
出力電流波形、(C)は整流回路2の出力波形である。
また、図7その1に示す(D)はFET50の入力波
形、(E)はツェナーダイオード45のカソード電圧、
(F)は制御回路49内のオペアンプ49aの非反転入
力端の電圧波形図である。
【0051】図6において、次段のスイッチングレギュ
レータの制御状態、ひいては、平滑コンデンサ36の充
電電圧を抵抗38と39で分圧して検出し、制御回路5
2内のオペアンプ52aの非反転入力端に加える。制御
回路52内で、オペアンプ52aの出力と三角波信号と
をPWMコンパレータ52bで比較し、その比較結果に
応じて図7(D)に示す波形の電圧がトランス53を介
してFET50のゲートに加えられ、その電圧に応じて
FET50を導通させ、トランス32の1次巻線32p
に電流が流れ、2次巻線32sに誘起される電圧をダイ
オード51で整流して平滑コンデンサ36を充電する。
レータの制御状態、ひいては、平滑コンデンサ36の充
電電圧を抵抗38と39で分圧して検出し、制御回路5
2内のオペアンプ52aの非反転入力端に加える。制御
回路52内で、オペアンプ52aの出力と三角波信号と
をPWMコンパレータ52bで比較し、その比較結果に
応じて図7(D)に示す波形の電圧がトランス53を介
してFET50のゲートに加えられ、その電圧に応じて
FET50を導通させ、トランス32の1次巻線32p
に電流が流れ、2次巻線32sに誘起される電圧をダイ
オード51で整流して平滑コンデンサ36を充電する。
【0052】また、トランス53と抵抗44を介して制
御回路52の出力電圧が図7(E)に示すように、ツェ
ナーダイオード45と47のカソードに加えられ、ツェ
ナーダイオード45,47で基準電圧を作成し、上記図
5の第5の実施例と同様に制御回路49でFET21の
ゲートに加えるパルスのパルス幅を変え、このFET2
1のオン、オフのデューティ比を変えることにより、効
果的に力率を改善させることができる。この場合、点E
の入力による電圧の変化が上記図5の第5の実施例と逆
になるため(入力が重くなると、点Fの電位が下が
る)、制御回路49の内部で反転させる。
御回路52の出力電圧が図7(E)に示すように、ツェ
ナーダイオード45と47のカソードに加えられ、ツェ
ナーダイオード45,47で基準電圧を作成し、上記図
5の第5の実施例と同様に制御回路49でFET21の
ゲートに加えるパルスのパルス幅を変え、このFET2
1のオン、オフのデューティ比を変えることにより、効
果的に力率を改善させることができる。この場合、点E
の入力による電圧の変化が上記図5の第5の実施例と逆
になるため(入力が重くなると、点Fの電位が下が
る)、制御回路49の内部で反転させる。
【0053】図8は本発明の第7の実施例の構成を示す
回路図であり、PWMコンバータと力率を改善した整流
回路とを組み合わせた実施例を示している。この図8で
は、スイッチングレギュレータと力率改善をした整流回
路のドライブを一つの制御回路で行うようにしたもので
あり、図8において、図6と同一部分には同一符号を付
して構成の説明を省略し、図6とは異なる部分を主体に
述べる。
回路図であり、PWMコンバータと力率を改善した整流
回路とを組み合わせた実施例を示している。この図8で
は、スイッチングレギュレータと力率改善をした整流回
路のドライブを一つの制御回路で行うようにしたもので
あり、図8において、図6と同一部分には同一符号を付
して構成の説明を省略し、図6とは異なる部分を主体に
述べる。
【0054】図8では、図6で示した制御回路49、ツ
ェナーダイオード45,47、コンデンサ48などは省
略されており、制御回路52の出力はトランス53を介
して、FET21,50のゲートに加えるようにしてお
り、また、直接制御回路52の出力をトランス32の2
次巻線32sの一端に加えるようにしている。その他の
構成は図6と同じである。このように構成することによ
り、FET21のオン、オフのデューティ比を100%
にすることはできないが、第6の実施例と同様に効果的
に力率を改善することができる。
ェナーダイオード45,47、コンデンサ48などは省
略されており、制御回路52の出力はトランス53を介
して、FET21,50のゲートに加えるようにしてお
り、また、直接制御回路52の出力をトランス32の2
次巻線32sの一端に加えるようにしている。その他の
構成は図6と同じである。このように構成することによ
り、FET21のオン、オフのデューティ比を100%
にすることはできないが、第6の実施例と同様に効果的
に力率を改善することができる。
【0055】すなわち、抵抗38,39で分圧した電圧
を制御回路52のオペアンプ52aに加えて、オペアン
プ52aの出力と三角波をPWMコンパレータ52bで
比較し、その比較結果に応じた出力をトランス53を介
して、FET21,50のゲートに加え、FET21,
50のオン、オフのデューティ比を変えることにより、
力率を改善することができる。
を制御回路52のオペアンプ52aに加えて、オペアン
プ52aの出力と三角波をPWMコンパレータ52bで
比較し、その比較結果に応じた出力をトランス53を介
して、FET21,50のゲートに加え、FET21,
50のオン、オフのデューティ比を変えることにより、
力率を改善することができる。
【0056】以上のように、第5〜第7の実施例では、
スイッチング素子としてのFET21のパルス幅を、次
段のスイッチングレギュレータの制御状態を検出するこ
とにより制御し、より効果的に力率を改善することがで
きる。これにより、入力電圧が低いときには、普通の低
力率の整流回路とし、入力定格時には、高力率の力率改
善が可能となる。
スイッチング素子としてのFET21のパルス幅を、次
段のスイッチングレギュレータの制御状態を検出するこ
とにより制御し、より効果的に力率を改善することがで
きる。これにより、入力電圧が低いときには、普通の低
力率の整流回路とし、入力定格時には、高力率の力率改
善が可能となる。
【0057】なお、この第5乃至第7の実施例について
は、ここで説明した回路の他に多くの変形例が考えら
れ、PWM制御、周波数制御、その他の降圧型、昇圧
型、昇降圧型でもよく、また、電流共振型、電圧共振型
でも、スイッチングレギュレータはリンギングチョクコ
ンバータ、PWM方式コンバータ、周波数制御コンバー
タ、電流共振型コンバータ、電圧共振型コンバータ、部
分共振コンバータ、擬似共振コンバータ、その他のどの
組み合わせにおいても、スイッチングレギュレータの制
御状態を検出して、力率改善整流回路の力率を重負荷
時、下限入力時に悪くし(たとえば、0.6〜0.
7)、定格時に高力率(たとえば、0.8〜0.95)
にすることにより、効率的に力率を改善することができ
る。どの組み合わせにおいても、力率を改善する整流回
路を構成することができる。
は、ここで説明した回路の他に多くの変形例が考えら
れ、PWM制御、周波数制御、その他の降圧型、昇圧
型、昇降圧型でもよく、また、電流共振型、電圧共振型
でも、スイッチングレギュレータはリンギングチョクコ
ンバータ、PWM方式コンバータ、周波数制御コンバー
タ、電流共振型コンバータ、電圧共振型コンバータ、部
分共振コンバータ、擬似共振コンバータ、その他のどの
組み合わせにおいても、スイッチングレギュレータの制
御状態を検出して、力率改善整流回路の力率を重負荷
時、下限入力時に悪くし(たとえば、0.6〜0.
7)、定格時に高力率(たとえば、0.8〜0.95)
にすることにより、効率的に力率を改善することができ
る。どの組み合わせにおいても、力率を改善する整流回
路を構成することができる。
【0058】次に、スイッチングコンバータトランス自
体を平滑コンデンサの充電用トランスとして用いること
により、アクティブフィルタやACラインのチョークコ
イルを用いずに、力率を改善することができる本発明の
実施例について説明する。図9はこの範疇に属する本発
明の第8の実施例の構成を示す回路図である。この図9
において、図1〜図4と同一部分には同一符号を付して
述べる。図9において、整流回路2の入力側は上記各実
施例と同じであり、整流回路2の正側の出力端は逆流防
止用のダイオード55を介してスイッチングレギュレー
タ10の一方の入力端に接続されているとともに、スイ
ッチングコンバータトランス54の1次巻線54p、F
ET21を介して整流回路2の負側の出力端に接続され
ている。
体を平滑コンデンサの充電用トランスとして用いること
により、アクティブフィルタやACラインのチョークコ
イルを用いずに、力率を改善することができる本発明の
実施例について説明する。図9はこの範疇に属する本発
明の第8の実施例の構成を示す回路図である。この図9
において、図1〜図4と同一部分には同一符号を付して
述べる。図9において、整流回路2の入力側は上記各実
施例と同じであり、整流回路2の正側の出力端は逆流防
止用のダイオード55を介してスイッチングレギュレー
タ10の一方の入力端に接続されているとともに、スイ
ッチングコンバータトランス54の1次巻線54p、F
ET21を介して整流回路2の負側の出力端に接続され
ている。
【0059】スイッチングコンバータトランス54の2
次巻線54sの一端は整流用のダイオード56を介して
平滑コンデンサ5の一方の電極に接続されている。この
2次巻線54sの他端は整流回路2の負側の出力端に接
続されている。平滑コンデンサ5と充電防止用のダイオ
ード57との直列回路がダイオード55のカソードと整
流回路2の負側の出力端との間に接続されている。スイ
ッチングレギュレータ10の他方の入力端も整流回路2
の負側の出力端に接続されている。
次巻線54sの一端は整流用のダイオード56を介して
平滑コンデンサ5の一方の電極に接続されている。この
2次巻線54sの他端は整流回路2の負側の出力端に接
続されている。平滑コンデンサ5と充電防止用のダイオ
ード57との直列回路がダイオード55のカソードと整
流回路2の負側の出力端との間に接続されている。スイ
ッチングレギュレータ10の他方の入力端も整流回路2
の負側の出力端に接続されている。
【0060】次に、図10の波形図を参照しながら、第
8の実施例の動作について説明する。交流電源1からの
交流電圧が整流回路2で全波整流される場合、ACライ
ン3a,3bに現れる交流電流が図10(F)に示す波
形であるとき、図10(A)に示すような整流電圧が整
流回路2の正側の出力端に整流回路2の入力側に現われ
る。これにより、整流回路2の正側の出力端からスイッ
チングコンバータトランス54の1次巻線54pを通し
てFET21に流れる。
8の実施例の動作について説明する。交流電源1からの
交流電圧が整流回路2で全波整流される場合、ACライ
ン3a,3bに現れる交流電流が図10(F)に示す波
形であるとき、図10(A)に示すような整流電圧が整
流回路2の正側の出力端に整流回路2の入力側に現われ
る。これにより、整流回路2の正側の出力端からスイッ
チングコンバータトランス54の1次巻線54pを通し
てFET21に流れる。
【0061】このとき、FET21は高周波でオン、オ
フしているので、FET21に流れる電流は高周波とな
る。スイッチングコンバータトランス54の1次巻線5
4pと2次巻線54pが同極、異極に無関係に、FET
21のオン、オフにより、2次巻線54sに電圧が誘起
され、2次巻線54sの一端からダイオード56を介し
て平滑コンデンサ5に充電電流が流れ、平滑コンデンサ
5は図10(B)に示すように、ある一定電圧で充電さ
れる。
フしているので、FET21に流れる電流は高周波とな
る。スイッチングコンバータトランス54の1次巻線5
4pと2次巻線54pが同極、異極に無関係に、FET
21のオン、オフにより、2次巻線54sに電圧が誘起
され、2次巻線54sの一端からダイオード56を介し
て平滑コンデンサ5に充電電流が流れ、平滑コンデンサ
5は図10(B)に示すように、ある一定電圧で充電さ
れる。
【0062】スイッチングレギュレータ10に供給され
る電圧は図10(C)に示すようになり、整流回路2の
正側の出力端が平滑コンデンサ5の充電電圧より高いと
きは、直接整流回路2の正側の出力端からダイオード5
5を介して、直接供給される。このときのダイオード5
5の電流は図10(D)のようになる。また、整流回路
2の正側の出力端の電圧が平滑コンデンサ5の充電電圧
よりも低い場合には、平滑コンデンサ5よりダイオード
57を介して、スイッチングレギュレータ10に電力が
供給される。このときのダイオード57の電流は図10
(E)のようになる。つまり、スイッチングレギュレー
タ10の入力電圧は比較的安定したDC電圧となる。
る電圧は図10(C)に示すようになり、整流回路2の
正側の出力端が平滑コンデンサ5の充電電圧より高いと
きは、直接整流回路2の正側の出力端からダイオード5
5を介して、直接供給される。このときのダイオード5
5の電流は図10(D)のようになる。また、整流回路
2の正側の出力端の電圧が平滑コンデンサ5の充電電圧
よりも低い場合には、平滑コンデンサ5よりダイオード
57を介して、スイッチングレギュレータ10に電力が
供給される。このときのダイオード57の電流は図10
(E)のようになる。つまり、スイッチングレギュレー
タ10の入力電圧は比較的安定したDC電圧となる。
【0063】図10(F)に示す交流入力電圧(Pea
k−0V)をVACIHとし、平滑コンデンサ5の両端
電圧をVCIとすると、スイッチングレギュレータ10
の入力電圧は図10(C)に示すように、その合成波形
となる。図10(A)の整流回路2の出力電圧と図10
(B)の平滑コンデンサ5の充電電流の関係により、ダ
イオード55,57で図10(D)、図10(E)に示
すように、交互に電流が流れ、スイッチングレギュレー
タ10に電力を供給する。図10(F)に示すように、
交流電源1からの交流入力電流は整流回路2の整流電圧
が平滑コンデンサ5の両端電圧よりも高いときに流れる
ので、通常の整流回路よりも、導通角が広くなり、力率
が改善されることになる。
k−0V)をVACIHとし、平滑コンデンサ5の両端
電圧をVCIとすると、スイッチングレギュレータ10
の入力電圧は図10(C)に示すように、その合成波形
となる。図10(A)の整流回路2の出力電圧と図10
(B)の平滑コンデンサ5の充電電流の関係により、ダ
イオード55,57で図10(D)、図10(E)に示
すように、交互に電流が流れ、スイッチングレギュレー
タ10に電力を供給する。図10(F)に示すように、
交流電源1からの交流入力電流は整流回路2の整流電圧
が平滑コンデンサ5の両端電圧よりも高いときに流れる
ので、通常の整流回路よりも、導通角が広くなり、力率
が改善されることになる。
【0064】図11は本発明の第9の実施例の構成を示
す回路図であり、通常の1石式のスイッチングレギュレ
ータにも応用できる場合を示している。この図11にお
いて、整流回路2の正、負両出力端間にダイオード57
と平滑コンデンサ5との直列回路を接続し、スイッチン
グコンバータトランス54の1次巻線54pと2次巻線
54sの他に充電巻線54aを設け、この充電巻線54
aの一端はダイオード56を介して、平滑コンデンサ5
とダイオード57との接続点に接続され、充電巻線54
aの他端は整流回路2の負側の出力端に接続されてい
る。
す回路図であり、通常の1石式のスイッチングレギュレ
ータにも応用できる場合を示している。この図11にお
いて、整流回路2の正、負両出力端間にダイオード57
と平滑コンデンサ5との直列回路を接続し、スイッチン
グコンバータトランス54の1次巻線54pと2次巻線
54sの他に充電巻線54aを設け、この充電巻線54
aの一端はダイオード56を介して、平滑コンデンサ5
とダイオード57との接続点に接続され、充電巻線54
aの他端は整流回路2の負側の出力端に接続されてい
る。
【0065】スイッチングコンバータトランス54の1
次巻線54pの一端は整流回路2の正側の出力端に接続
され、1次巻線54pの他端はスイッチング素子として
のトランジスタ58を介して、整流回路2の負側の出力
端に接続されている。スイッチングコンバータトランス
54の2次巻線54sの両端間には、ダイオード51と
平滑コンデンサ36が直列に接続されている。
次巻線54pの一端は整流回路2の正側の出力端に接続
され、1次巻線54pの他端はスイッチング素子として
のトランジスタ58を介して、整流回路2の負側の出力
端に接続されている。スイッチングコンバータトランス
54の2次巻線54sの両端間には、ダイオード51と
平滑コンデンサ36が直列に接続されている。
【0066】この第9の実施例では、トランジスタ58
がオン、オフすることにより、整流回路2の正側の出力
端からスイッチングコンバータトランス54の1次巻線
54pに電流が断続して流れ、それにともなって2次巻
線54s、充電巻線54aに電圧が誘起される。充電巻
線54aの電圧はダイオード56で整流され、平滑コン
デンサ5に充電電流を供給し、第8の実施例と同様に力
率を改善することができる。なお、この充電巻線54a
は1次巻線54pと同極、異極を問わない。
がオン、オフすることにより、整流回路2の正側の出力
端からスイッチングコンバータトランス54の1次巻線
54pに電流が断続して流れ、それにともなって2次巻
線54s、充電巻線54aに電圧が誘起される。充電巻
線54aの電圧はダイオード56で整流され、平滑コン
デンサ5に充電電流を供給し、第8の実施例と同様に力
率を改善することができる。なお、この充電巻線54a
は1次巻線54pと同極、異極を問わない。
【0067】図12は本発明の第10の実施例の構成を
示す回路図であり、2石プッシュプル方式のスイッチン
グレギュレータに応用した場合を示している。スイッチ
ングコンバータトランス54の1次巻線54pに中点タ
ップ54bを設け、中点タップ54bに整流回路2の正
側の出力端を接続し、1次巻線54pの両端はスイッチ
ング素子としてのFET59,60をそれぞれ介して、
整流回路2の負側の出力端に接続されている。また、充
電巻線54aの両端は整流回路61の入力端に接続され
ており、整流回路61の正側の出力端はダイオード57
と平滑コンデンサ5との接続点に接続され、整流回路2
と61の負側の出力端同士が接続されている。スイッチ
ングコンバータトランス54の2次巻線54sの両端は
整流回路35の入力端に接続され、整流回路35の正負
両出力端間に平滑コンデンサ36が接続されている。
示す回路図であり、2石プッシュプル方式のスイッチン
グレギュレータに応用した場合を示している。スイッチ
ングコンバータトランス54の1次巻線54pに中点タ
ップ54bを設け、中点タップ54bに整流回路2の正
側の出力端を接続し、1次巻線54pの両端はスイッチ
ング素子としてのFET59,60をそれぞれ介して、
整流回路2の負側の出力端に接続されている。また、充
電巻線54aの両端は整流回路61の入力端に接続され
ており、整流回路61の正側の出力端はダイオード57
と平滑コンデンサ5との接続点に接続され、整流回路2
と61の負側の出力端同士が接続されている。スイッチ
ングコンバータトランス54の2次巻線54sの両端は
整流回路35の入力端に接続され、整流回路35の正負
両出力端間に平滑コンデンサ36が接続されている。
【0068】この図12では、FET59,60を交互
にオン、オフさせることにより、充電巻線54aに電圧
を誘起させ、その誘起電圧を整流回路61で整流して、
平滑コンデンサ5の充電を行い、図11の場合と同様に
力率を改善するようにしたものである。
にオン、オフさせることにより、充電巻線54aに電圧
を誘起させ、その誘起電圧を整流回路61で整流して、
平滑コンデンサ5の充電を行い、図11の場合と同様に
力率を改善するようにしたものである。
【0069】図13は本発明の第11の実施例を示すも
ので、ハーフブリッジに応用した場合を示しており、整
流回路2の正、負両出力端間には、FET59,60と
コンデンサ62と63とによるブリッジ回路の入力端を
接続し、このブリッジ回路の出力端間にスイッチングコ
ンバータトランス54の1次巻線54pを接続し、FE
T59,60を交互にオン、オフさせ、充電巻線54a
の誘起電圧を整流回路61で整流して、平滑コンデンサ
5を充電するようにして、力率の改善を図っている。
ので、ハーフブリッジに応用した場合を示しており、整
流回路2の正、負両出力端間には、FET59,60と
コンデンサ62と63とによるブリッジ回路の入力端を
接続し、このブリッジ回路の出力端間にスイッチングコ
ンバータトランス54の1次巻線54pを接続し、FE
T59,60を交互にオン、オフさせ、充電巻線54a
の誘起電圧を整流回路61で整流して、平滑コンデンサ
5を充電するようにして、力率の改善を図っている。
【0070】図14は本発明の第12の実施例を示す回
路図であり、2石共振コンバータに応用した例を示して
いる。整流回路2の正負両出力端間にFET59とコン
バータ64と1次巻線54pの直列回路を接続し、コン
バータ64と1次巻線54pとの直列回路にFET60
を並列に接続している。その他の構成は図12と同じで
ある。
路図であり、2石共振コンバータに応用した例を示して
いる。整流回路2の正負両出力端間にFET59とコン
バータ64と1次巻線54pの直列回路を接続し、コン
バータ64と1次巻線54pとの直列回路にFET60
を並列に接続している。その他の構成は図12と同じで
ある。
【0071】この図14では、FET59,60を交互
にオン、オフさせ、FET59がオンでFET60のオ
フ時に、コンデンサ64と1次巻線54pとが直列共振
を呈し、FET59がオフで、FET60のオン時に、
コンデンサ64の電荷を1次巻線54pとFET60を
通して放電するようにし、いずれの場合にも充電巻線5
4aに誘起する電圧を整流回路61で整流して平滑コン
デンサ5を充電することにより力率を改善している。
にオン、オフさせ、FET59がオンでFET60のオ
フ時に、コンデンサ64と1次巻線54pとが直列共振
を呈し、FET59がオフで、FET60のオン時に、
コンデンサ64の電荷を1次巻線54pとFET60を
通して放電するようにし、いずれの場合にも充電巻線5
4aに誘起する電圧を整流回路61で整流して平滑コン
デンサ5を充電することにより力率を改善している。
【0072】図15は本発明の第13の実施例を示す回
路図であり、4石フルブリッジのスイッチングレギュレ
ータに応用した場合を示している。この図15では、ス
イッチング素子としてのFET59,60,65,66
でブリッジ回路を構成し、その入力端を整流回路2の
正、負両出力端間に接続し、ブリッジ回路の出力端間を
スイッチングコンバータ54の1次巻線54pを接続
し、その他の構成は図14と同じである。
路図であり、4石フルブリッジのスイッチングレギュレ
ータに応用した場合を示している。この図15では、ス
イッチング素子としてのFET59,60,65,66
でブリッジ回路を構成し、その入力端を整流回路2の
正、負両出力端間に接続し、ブリッジ回路の出力端間を
スイッチングコンバータ54の1次巻線54pを接続
し、その他の構成は図14と同じである。
【0073】このように構成することにより、FET5
9と60、60と65をそれぞれ交互にオン、オフさせ
て、そのオン時に1次巻線54pに整流回路2の出力電
流を通電させ、充電巻線54aの誘起電圧を整流回路6
1で整流して平滑コンデンサ5を充電することにより力
率を改善している。
9と60、60と65をそれぞれ交互にオン、オフさせ
て、そのオン時に1次巻線54pに整流回路2の出力電
流を通電させ、充電巻線54aの誘起電圧を整流回路6
1で整流して平滑コンデンサ5を充電することにより力
率を改善している。
【0074】図16は本発明の第16の実施例の構成を
示す回路図であり、4石共振コンバータに応用した場合
を示しており、FET59,60,65,66でブリッ
ジ回路を構成し、このブリッジ回路の両入力端を整流回
路2の正、負両出力端間に接続し、ブリッジ回路の両出
力端間にスイッチングコンバータトランス54の1次巻
線54pとコンデンサ67との直列回路を接続してい
る。その他の構成は図15と同じである。この図16で
は、FET59と60、60と65を交互にオン、オフ
させることにより、1次巻線54pとコンデンサ67と
の直列共振回路に整流回路2からの電流が流れ、直列共
振を呈し、充電巻線54aに誘起された電圧を整流回路
61で整流して平滑コンデンサ5を充電することにより
力率を改善している。
示す回路図であり、4石共振コンバータに応用した場合
を示しており、FET59,60,65,66でブリッ
ジ回路を構成し、このブリッジ回路の両入力端を整流回
路2の正、負両出力端間に接続し、ブリッジ回路の両出
力端間にスイッチングコンバータトランス54の1次巻
線54pとコンデンサ67との直列回路を接続してい
る。その他の構成は図15と同じである。この図16で
は、FET59と60、60と65を交互にオン、オフ
させることにより、1次巻線54pとコンデンサ67と
の直列共振回路に整流回路2からの電流が流れ、直列共
振を呈し、充電巻線54aに誘起された電圧を整流回路
61で整流して平滑コンデンサ5を充電することにより
力率を改善している。
【0075】これらの第8〜第14の実施例では、いず
れもスイッチングコンバータトランス54自体を平滑コ
ンデンサ5の充電用トランスとしたものであり、この他
のすべてのスイッチングコンバータ、電流共振コンバー
タ、電圧共振コンバータに応用できる。
れもスイッチングコンバータトランス54自体を平滑コ
ンデンサ5の充電用トランスとしたものであり、この他
のすべてのスイッチングコンバータ、電流共振コンバー
タ、電圧共振コンバータに応用できる。
【0076】図17は本発明の第15の実施例の構成を
示す回路図であり、平滑コンデンサ5の流入電源をスイ
ッチングして、インダクタにより制限するようにしたも
のである。図17において、整流回路2の入力端間に
は、FET21のノイズ吸収用のコンデンサ68が接続
され、また、整流回路2の正、負両出力端間には、平滑
コンデンサ5、インダクタとしてのチョークトランス6
9の1次巻線69pとスイッチング素子としてのFET
21の直列回路が接続されている。FET21には、放
電用のダイオード22とコンデンサ70との並列回路が
並列に接続されている。
示す回路図であり、平滑コンデンサ5の流入電源をスイ
ッチングして、インダクタにより制限するようにしたも
のである。図17において、整流回路2の入力端間に
は、FET21のノイズ吸収用のコンデンサ68が接続
され、また、整流回路2の正、負両出力端間には、平滑
コンデンサ5、インダクタとしてのチョークトランス6
9の1次巻線69pとスイッチング素子としてのFET
21の直列回路が接続されている。FET21には、放
電用のダイオード22とコンデンサ70との並列回路が
並列に接続されている。
【0077】チョークトランス69の2次巻線69sに
並列にコンデンサ71が接続されており、コンデンサ7
1と放電用のダイオード23との直列回路が整流回路2
の正、負両出力端間に接続されている。この直列回路に
並列にFET21のノイズ対策用のコンデンサ72が接
続されている。なお、スイッチングレギュレータ10の
他方の入力端は整流回路2の負側の出力端に接続されて
いる。
並列にコンデンサ71が接続されており、コンデンサ7
1と放電用のダイオード23との直列回路が整流回路2
の正、負両出力端間に接続されている。この直列回路に
並列にFET21のノイズ対策用のコンデンサ72が接
続されている。なお、スイッチングレギュレータ10の
他方の入力端は整流回路2の負側の出力端に接続されて
いる。
【0078】次に、第15の実施例の動作について図1
8の波形図を参照しながら説明する。交流電源1より整
流回路2に入力される図18(E)に示す交流入力電流
は整流回路2で整流され、図18(C)のような電流波
形となって平滑コンデンサ5へ充電される。整流回路2
による整流電圧は図18(A)のようになる。この充電
電流はACライン3a〜整流回路2〜平滑コンデンサ5
〜チョークトランス69の1次巻線69p〜FET21
〜整流回路2〜ACライン3bの経路で流れる。
8の波形図を参照しながら説明する。交流電源1より整
流回路2に入力される図18(E)に示す交流入力電流
は整流回路2で整流され、図18(C)のような電流波
形となって平滑コンデンサ5へ充電される。整流回路2
による整流電圧は図18(A)のようになる。この充電
電流はACライン3a〜整流回路2〜平滑コンデンサ5
〜チョークトランス69の1次巻線69p〜FET21
〜整流回路2〜ACライン3bの経路で流れる。
【0079】このとき、FET21は図18(D)に示
すように、高周波数でオン、オフするため、チョークト
ランス69の1次巻線69pのインピーダンスで電圧降
下(VT1とする)が発生し、平滑コンデンサ5に充電
される図18(B)に示す電圧VC1は、整流回路2の
正、負両出力端間の電圧をVDCIHとすると、VC1
=VDCIH−VT1となる(このとき、FET21の
オン時、両端電圧は、ここでは無視する)。チョークト
ランス69の2次巻線69sは1次巻線69pと同極ま
たは異極性で巻装されており、同極の場合には、1次巻
線69pに電流が流れているとき、2次巻線69sに電
圧が誘起され、2次巻線69sの一端からダイオード2
3を通してコンデンサ72またはスイッチングレギュレ
ータ10に流れ、さらに2次巻線69sの他端に戻るル
ープに電流が流れる。これにより、チョークトランス6
9の内部には、FET21のオン時に蓄積されるエネル
ギは最小で済み、FET21のオフ時には、1次巻線6
9pに発生する逆起電力は極小に抑えられる。
すように、高周波数でオン、オフするため、チョークト
ランス69の1次巻線69pのインピーダンスで電圧降
下(VT1とする)が発生し、平滑コンデンサ5に充電
される図18(B)に示す電圧VC1は、整流回路2の
正、負両出力端間の電圧をVDCIHとすると、VC1
=VDCIH−VT1となる(このとき、FET21の
オン時、両端電圧は、ここでは無視する)。チョークト
ランス69の2次巻線69sは1次巻線69pと同極ま
たは異極性で巻装されており、同極の場合には、1次巻
線69pに電流が流れているとき、2次巻線69sに電
圧が誘起され、2次巻線69sの一端からダイオード2
3を通してコンデンサ72またはスイッチングレギュレ
ータ10に流れ、さらに2次巻線69sの他端に戻るル
ープに電流が流れる。これにより、チョークトランス6
9の内部には、FET21のオン時に蓄積されるエネル
ギは最小で済み、FET21のオフ時には、1次巻線6
9pに発生する逆起電力は極小に抑えられる。
【0080】また、2次巻線69sが1次巻線69pと
異極性に巻装されている場合には、FET21のオン時
に、チョークトランス69の内部に電磁エネルギが蓄積
されるが、FET21のオフ時に2次巻線69sの一端
からダイオード23を介して、コンデンサ72、スイッ
チングレギュレータ10側にエネルギが放出される。こ
のため、1次巻線69pに発生する逆起電力は小さくて
済み、これにより、FET21の耐電圧は従来よりも小
さくて済む。
異極性に巻装されている場合には、FET21のオン時
に、チョークトランス69の内部に電磁エネルギが蓄積
されるが、FET21のオフ時に2次巻線69sの一端
からダイオード23を介して、コンデンサ72、スイッ
チングレギュレータ10側にエネルギが放出される。こ
のため、1次巻線69pに発生する逆起電力は小さくて
済み、これにより、FET21の耐電圧は従来よりも小
さくて済む。
【0081】平滑コンデンサ5の両端の電圧は常に(V
DCIN−VT1)で充電されるため、整流回路2の正
側の出力端の電位が平滑コンデンサ5の充電電圧より高
いときには、常に整流回路2を構成するダイオードが導
通し、スイッチングレギュレータ10に整流回路2の正
側の出力端の電位が平滑コンデンサ5の充電電圧より低
いときには、平滑コンデンサ5の充電電荷がスイッチン
グレギュレータ10−ダイオード22の放電経路で放電
され、スイッチングレギュレータ10に電力を供給す
る。以上の動作により、整流回路2を構成するダイオー
ドの導通角が広くなり、力率が改善される。
DCIN−VT1)で充電されるため、整流回路2の正
側の出力端の電位が平滑コンデンサ5の充電電圧より高
いときには、常に整流回路2を構成するダイオードが導
通し、スイッチングレギュレータ10に整流回路2の正
側の出力端の電位が平滑コンデンサ5の充電電圧より低
いときには、平滑コンデンサ5の充電電荷がスイッチン
グレギュレータ10−ダイオード22の放電経路で放電
され、スイッチングレギュレータ10に電力を供給す
る。以上の動作により、整流回路2を構成するダイオー
ドの導通角が広くなり、力率が改善される。
【0082】図19は本発明の第16の実施例の構成を
示す回路図であり、この図19では、チョークトランス
69の1次巻線69pと平滑コンデンサ5との位置を図
17の第15の実施例とは逆にしたものであり、その動
作、効果は第15の実施例と同じである。
示す回路図であり、この図19では、チョークトランス
69の1次巻線69pと平滑コンデンサ5との位置を図
17の第15の実施例とは逆にしたものであり、その動
作、効果は第15の実施例と同じである。
【0083】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
整流回路から平滑コンデンサに流入する、該平滑コンデ
ンサを充電するための電流のピークを、抵抗又はコイル
で構成されたピーク抑制手段で押さえるようにしたの
で、簡単な回路で力率を改善することができ、コストダ
ウンと信頼性の向上が可能となり、しかもノイズも出な
くなる効果を奏する。また、本発明によれば、スイッチ
ングレギュレータの制御状態を検出して、スイッチング
素子のスイッチング動作を制御し、スイッチングレギュ
レータへの入力電圧が定格電圧であるときには高力率と
なり、該スイッチングレギュレータによる制御が可能な
入力電圧の範囲の上限又は下限になるにつれて低力率と
なるようにしたので、スイッチングレギュレータへの入
力電圧が低いときには普通の力率の電源回路とし、定格
入力時には高力率の電源回路とすることができ、スイッ
チング素子、ヒートシンク、パワートランスなどの小型
軽量化と信頼性の向上と低コスト化が可能となる。
整流回路から平滑コンデンサに流入する、該平滑コンデ
ンサを充電するための電流のピークを、抵抗又はコイル
で構成されたピーク抑制手段で押さえるようにしたの
で、簡単な回路で力率を改善することができ、コストダ
ウンと信頼性の向上が可能となり、しかもノイズも出な
くなる効果を奏する。また、本発明によれば、スイッチ
ングレギュレータの制御状態を検出して、スイッチング
素子のスイッチング動作を制御し、スイッチングレギュ
レータへの入力電圧が定格電圧であるときには高力率と
なり、該スイッチングレギュレータによる制御が可能な
入力電圧の範囲の上限又は下限になるにつれて低力率と
なるようにしたので、スイッチングレギュレータへの入
力電圧が低いときには普通の力率の電源回路とし、定格
入力時には高力率の電源回路とすることができ、スイッ
チング素子、ヒートシンク、パワートランスなどの小型
軽量化と信頼性の向上と低コスト化が可能となる。
【0084】さらに、本発明によれば、トランスの二次
巻線に誘起された電流を平滑コンデンサへ充電電流とし
て流入させるようにしたので、アクティブフィルタやA
Cラインのインダクタを用いる必要がなくなり、スイッ
チング素子が平滑コンデンサの充電電流分のみで済み、
比較的小さなスイッチング素子で済ませることができ、
スイッチングロスやノイズを少なく、力率改善のための
構成を低コストでできる利点がある。加えて、本発明に
よれば、平滑コンデンサを通る電圧を抑制する第1イン
ダクタから、平滑コンデンサの充電、放電のスイッチン
グを行うスイッチング素子に加わる逆起電力を、第2イ
ンダクタにより抑制するようにしたので、低耐圧のスイ
ッチング素子で済み、かつ逆起電圧が小さいので、輻射
ノイズも抑制でき、熱対策部品やノイズ対策部品のロー
コスト化が可能となる。
巻線に誘起された電流を平滑コンデンサへ充電電流とし
て流入させるようにしたので、アクティブフィルタやA
Cラインのインダクタを用いる必要がなくなり、スイッ
チング素子が平滑コンデンサの充電電流分のみで済み、
比較的小さなスイッチング素子で済ませることができ、
スイッチングロスやノイズを少なく、力率改善のための
構成を低コストでできる利点がある。加えて、本発明に
よれば、平滑コンデンサを通る電圧を抑制する第1イン
ダクタから、平滑コンデンサの充電、放電のスイッチン
グを行うスイッチング素子に加わる逆起電力を、第2イ
ンダクタにより抑制するようにしたので、低耐圧のスイ
ッチング素子で済み、かつ逆起電圧が小さいので、輻射
ノイズも抑制でき、熱対策部品やノイズ対策部品のロー
コスト化が可能となる。
【図1】本発明の第1の実施例による電源回路の回路図
である。
である。
【図2】本発明の第2の実施例による電源回路の回路図
である。
である。
【図3】本発明の第3の実施例による電源回路の回路図
である。
である。
【図4】本発明の第4の実施例による電源回路の回路図
である。
である。
【図5】本発明の第5の実施例による電源回路の回路図
である。
である。
【図6】本発明の第6の実施例による電源回路の回路図
である。
である。
【図7】同上第6の実施例の動作を説明するための各部
の波形図である。
の波形図である。
【図8】本発明の第7の実施例による電源回路の回路図
である。
である。
【図9】本発明の第8の実施例による電源回路の回路図
である。
である。
【図10】同上第8の実施例の動作を説明するための各
部の波形図である。
部の波形図である。
【図11】本発明の第9の実施例による電源回路の回路
図である。
図である。
【図12】本発明の第10の実施例による電源回路の回
路図である。
路図である。
【図13】本発明の第11の実施例による電源回路の回
路図である。
路図である。
【図14】本発明の第12の実施例による電源回路の回
路図である。
路図である。
【図15】本発明の第13の実施例による電源回路の回
路図である。
路図である。
【図16】本発明の第14の実施例による電源回路の回
路図である。
路図である。
【図17】本発明の第15の実施例による電源回路の回
路図である。
路図である。
【図18】同上第15の実施例の動作を説明するための
各部の波形図である。
各部の波形図である。
【図19】本発明の第16の実施例による電源回路の回
路図である。
路図である。
【図20】第1従来例の電源回路の回路図である。
【図21】第2従来例の電源回路の回路図である。
【図22】第3従来例の電源回路の回路図である。
【図23】第4従来例の電源回路の回路図である。
【図24】第5従来例の電源回路の回路図である。
【図25】第6従来例の電源回路の回路図である。
【図26】第7従来例の電源回路の回路図である。
【図27】第8従来例の電源回路の回路図である。
1 交流電源 2,35,61 整流回路 4 抵抗 5,36 平滑コンデンサ 10 スイッチングレギュレータ 13,14,22,23,51,55,56,57 ダ
イオード 15,29,31,58 トランジスタ 21,59,60,65,66 FET 28,32 トランス 45,47 ツェナーダイオード 49,52 制御回路 54 スイッチングコンバータトランス 69 チョークトランス
イオード 15,29,31,58 トランジスタ 21,59,60,65,66 FET 28,32 トランス 45,47 ツェナーダイオード 49,52 制御回路 54 スイッチングコンバータトランス 69 チョークトランス
Claims (6)
- 【請求項1】 交流電流を整流し、整流された直流脈動
電流を2つの出力端子から外部に供給する整流回路と、 上記直流脈動電流を平滑化するように接続された平滑コ
ンデンサと、 上記整流回路の一方の出力端子から上記平滑コンデンサ
に向けて、該平滑コンデンサを充電するための電流を流
すように接続されたダイオードと、 上記ダイオードを通って上記平滑コンデンサに流入する
電流のピークを押さえるように接続されたピーク抑制手
段と、 を設けたことを特徴とする電源回路。 - 【請求項2】 前記ピーク抑制手段は抵抗又はコイルで
構成されている請求項1記載の電源回路。 - 【請求項3】 交流電圧を整流し、整流された直流脈動
電圧を2つの出力端子から外部に供給する整流回路と、 上記直流脈動電圧を平滑化するように接続された平滑コ
ンデンサと、 オン時には上記直流脈動電圧の一部が上記平滑コンデン
サを通るようにし、オフ時には該直流脈動電圧の通過を
遮断して上記平滑コンデンサの放電電圧を上記直流脈動
電圧に重畳させるスイッチング素子と、 上記平滑コンデンサで平滑化された上記直流脈動電圧を
断続して負荷に供給して該負荷への供給電圧を制御する
スイッチングレギュレータと、 上記スイッチングレギュレータの制御状態を検出し、該
スイッチングレギュレータへの入力電圧が定格電圧であ
るときには高力率となり、該入力電圧が上記スイッチン
グレギュレータによる上記供給電圧の制御が可能な入力
電圧範囲の上限又は下限になるにつれて低力率となるよ
うに、上記スイッチング素子のスイッチング動作を制御
する制御手段と、 を設けたことを特徴とする電源回路。 - 【請求項4】 交流電流を整流し、整流された直流脈動
電流を2つの出力端子から外部に供給する整流回路と、 上記直流脈動電流を平滑化するように接続された平滑コ
ンデンサと、 上記整流回路の一方の出力端子から上記平滑コンデンサ
に向けて、該平滑コンデンサを充電するための電流を流
すように接続されたダイオードと、 上記直流脈動電流の一部が一次巻線に流れ、二次巻線に
誘起された電流が上記ダイオードを通って上記平滑コン
デンサに流入するように接続されたトランスと、 オン時には上記トランスの二次巻線に誘起された電流で
上記平滑コンデンサを充電させ、オフ時には該平滑コン
デンサに充電された電流を放電させて上記直流脈動電流
を平滑化させるスイッチング素子と、 を設けたことを特徴とする電源回路。 - 【請求項5】 交流電圧を整流し、整流された直流脈動
電圧を2つの出力端子から外部に供給する整流回路と、 上記直流脈動電圧を平滑化するように接続された平滑コ
ンデンサと、 オン時には上記直流脈動電圧の一部が上記平滑コンデン
サを通るようにし、オフ時には上記平滑コンデンサの放
電電圧を上記直流脈動電圧に重畳させるスイッチング素
子と、 上記スイッチング素子のオン時に上記平滑コンデンサを
通る電圧を抑制するように接続され、該スイッチング素
子のオフ時に上記平滑コンデンサの放電回路の一部を形
成するように接続された第1インダクタと、 上記スイッチング素子のスイッチング動作に伴って上記
第1インダクタから該スイッチング素子に加わる逆起電
力を抑制する第2インダクタと、 を設けたことを特徴とする電源回路。 - 【請求項6】 上記第1及び第2インダクタはトランス
の一次巻線及び二次巻線により構成されている請求項5
記載の電源回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5016707A JPH06209574A (ja) | 1993-01-06 | 1993-01-06 | 電源回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5016707A JPH06209574A (ja) | 1993-01-06 | 1993-01-06 | 電源回路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06209574A true JPH06209574A (ja) | 1994-07-26 |
Family
ID=11923749
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5016707A Pending JPH06209574A (ja) | 1993-01-06 | 1993-01-06 | 電源回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH06209574A (ja) |
Cited By (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
1993
- 1993-01-06 JP JP5016707A patent/JPH06209574A/ja active Pending
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