JP2004281004A

JP2004281004A - 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド及びその製造方法

Info

Publication number: JP2004281004A
Application number: JP2003074264A
Authority: JP
Inventors: Satoshi Terui; 聡照井; Megumi Nikaido; 恵二階堂; Yusuke Tamagawa; 裕介玉川; Yuko Senda; 優子千田
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 2003-03-18
Filing date: 2003-03-18
Publication date: 2004-10-07

Abstract

【課題】記録信号を忠実に再生でき、生産性に優れたマルチトラック対応の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド及びその製造方法を提供する。
【解決手段】磁気記録媒体との摺動面側から見て、磁気抵抗効果素子４１，４２の形成幅をトラック幅Ｔｗとし、磁性材料でなるシールド磁性膜２２を介して磁気抵抗効果素子４１，４２をトラック幅方向に相互にずらして２層以上積層する。シールド磁性膜２２は、第１磁気抵抗効果素子４１側の上部磁性磁極と、第２磁気抵抗効果素子４２側の下部磁性磁極とを兼用する。この構成により、マルチトラック対応の再生用薄膜磁気ヘッドを構成でき、各磁気抵抗効果素子４１，４２への不要磁束の侵入を第２シールド磁性膜２２によって防止して、記録信号に忠実な再生信号を出力することができる。
【選択図】図１

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、マルチトラック構造の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド装置及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、磁気記録の分野においては、高音質の音声データや高画質の映像データ等の信号を大量に記録再生する必要性が高まっており、記憶媒体の大容量化及び高転送レート化が望まれている。
【０００３】
磁気テープを用いてデータの記録及び再生を行う磁気記録再生装置としては、従来より、周面に磁気ヘッドが設けられた回転ドラムに対して、磁気テープをヘリカル状に巻き付けて信号の記録及び再生を行うヘリカルスキャン方式が知られている。このヘリカルスキャン方式は、走行する磁気テープ上を磁気ヘッドが斜め方向に高速で摺動して信号の記録及び再生を行うので、磁気テープと磁気ヘッドとの相対摺動速度が速く、これにより記録密度及びデータ転送レートの向上が実現されている。
【０００４】
そこで、更なる高転送レート化を実現する方法として、トラック幅方向に複数の磁気ヘッドを回転ドラムの周面に各々配設することにより、複数のトラックに対する記録及び再生を同時に行うことを可能とするマルチトラックヘッドが知られている（下記特許文献１参照）。
【０００５】
一方、高記録密度化に対応した磁気ヘッドとして、薄膜形成工程によってヘッド素子を構成する各構成要素が積層形成されてなる、いわゆる薄膜磁気ヘッドが注目されている。薄膜磁気ヘッドは、磁性膜、非磁性絶縁膜等の薄膜層が真空薄膜形成技術により形成されるため、狭トラック化や狭ギャップ化等の微細寸法化が容易であるという特徴を有している。
【０００６】
例えば、ハードディスク駆動装置等では、記録専用ヘッドとして電磁誘導を利用したインダクティブ型薄膜磁気ヘッドと、再生専用ヘッドとして磁気抵抗効果を利用した磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドとを組み合わせた複合型の薄膜磁気ヘッドが実用化されている（下記特許文献２参照）。
【０００７】
中でも、磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドは、遷移金属に見られる磁化の向きとその内部を流れる電流の向きのなす角によって電気抵抗値が変化する磁気抵抗効果現象を利用しており、再生出力が媒体速度に依存せず、低媒体速度でも高再生出力が得られるという特徴を有している。
【０００８】
磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドにおいては、磁気記録媒体からの漏洩磁束を磁気抵抗効果素子が受けると、その磁束により磁気抵抗効果素子の磁化の向きが反転し、磁気抵抗効果素子の内部を流れる電流の向きに対して磁束量に応じた角度を持つようになる。そのため、磁気抵抗効果素子の電気抵抗値が変化し、この変化量に応じた電圧変化が、電流が流れている磁気抵抗効果素子の両端の電極に現れる。したがって、この電圧変化を電圧信号として磁気記録信号を読み出せることになる。
【０００９】
磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドは、基板上に薄膜技術により磁気抵抗効果素子や電極膜、絶縁層等を成膜し、フォトリソ技術によってこれらを所定形状にエッチングすることにより形成され、再生時のギャップ長を規定して不要な磁束の磁気抵抗効果素子への侵入を防止するために、シールド材となる下部磁性磁極及び上部磁性磁極を上下に配したシールド構造を採用している。
【００１０】
なお、この出願の発明に関連する先行技術文献として、以下のものが挙げられる。
【特許文献１】
特開２００２−２９８５７０号公報
【特許文献２】
特開２００１−１５５３０８号公報
【特許文献３】
特開２００１−２５０２０４号公報（第７−８頁、図９ｂ）
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
デジタルテープレコーダでは、通常のアナログテープレコーダに比べて記録する信号量が飛躍的に増大することから、複数のトラックを同時に記録するマルチトラック記録方式が採用されている。かかる状況より、磁気ヘッドの分野においても、デジタルにおける高記録密度化に対処するべくマルチトラック構造とした磁気ヘッドへの要求が高まっている。
【００１２】
しかしながら、特許文献１に記載されているように、複数の再生用のヘッドチップを回転ドラムの周面に配設することによってマルチトラック化に対応させた従来の磁気ヘッドにおいては、各ヘッドチップ間のギャップ間隔調整やトラック高さ位置合わせを高精度に行うのが極めて困難であり、ヘッドチップの回転ドラムへの取付け作業も難しく煩雑化し、歩留まりや製造コスト等の点で大きな問題を有している。
【００１３】
また、特許文献２に記載されているような複合型の薄膜磁気ヘッドは、記録及び再生の各々専用の磁気ヘッドを具備するものの、複数のトラックに対して再生動作を同時に行うことは不可能な構成である。
【００１４】
更に、特許文献３には、上下一組のシールド材の間に主磁極薄膜を二層、トラック幅方向にずらして積層した構成の薄膜磁気ヘッドが開示されているが、この構成を再生ヘッドとして採用するとなると、各主磁極薄膜に対する不要磁束の侵入は避けられないので、記録信号に忠実な再生出力を高精度に得ることはできないという問題がある。
【００１５】
本発明は上述の問題に鑑みてなされ、記録信号を忠実に再生でき、生産性に優れたマルチトラック対応の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド及びその製造方法を提供することを課題とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
以上の課題を解決するに当たり、本発明の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドは、磁気記録媒体との摺動面側から見て磁気抵抗効果素子の形成幅をトラック幅とし、磁性材料でなるシールド材を介して上記磁気抵抗効果素子をトラック幅方向に相互にずらして２層以上積層したことを特徴とする。
【００１７】
本発明の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドにおいては、磁性材料でなるシールド材を介して磁気抵抗効果素子をトラック幅方向に相互にずらして２層以上積層しているので、複数のトラックに対する再生動作を同時に行うことを可能としながら、各磁気抵抗効果素子への不要磁束の侵入を層間のシールド材によって防止することができ、これにより記録信号に忠実なデータの読み取りを高精度に行うことが可能となる。
【００１８】
好ましくは、各層の磁気抵抗効果素子の間に設けられるシールド材を、一層でそれを挟む各磁気抵抗効果素子のシールドとして共用する。すなわち、当該シールド材を、一方の磁気抵抗効果素子の上部磁性磁極、及び、他方の磁気抵抗効果素子の下部磁性磁極として兼用する。これにより、シールド材の層数を少なくできるので、磁気ヘッドの薄型化は勿論、生産性及び歩留まりの向上を図ることが可能となる。
【００１９】
また、本発明の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの製造方法は、第１のシールド磁性体の上に第１の非磁性絶縁膜を介して第１の磁気抵抗効果素子を形成する工程と、第１の磁気抵抗効果素子の上に第２の非磁性絶縁膜を介して第２のシールド磁性体を形成する工程と、第２のシールド磁性体の上に第３の非磁性絶縁膜を介して第２の磁気抵抗効果素子を、第１の磁気抵抗効果素子に対してトラック幅方向にずらして形成する工程と、第２の磁気抵抗効果素子の上に第４の非磁性絶縁膜を介して第３のシールド磁性体を形成する工程とを有することを特徴とする。
【００２０】
この方法によれば、第１の磁気抵抗効果素子の上部磁性磁極と、第２の磁気抵抗効果素子の下部磁性磁極とが、第２のシールド磁性体で共通に構成された磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドが得られる。これにより、マルチトラック化に対応した高性能な再生用薄膜磁気ヘッドを工程数少なく、高歩留まりで製造することが可能となる。
【００２１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
【００２２】
図１は、本発明の実施の形態による磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド（以下「薄膜磁気ヘッドという。）１の構成を示しており、磁気記録媒体との摺動面から見た断面模式図である。
【００２３】
薄膜磁気ヘッド１は、Ａｌ_２Ｏ_３−ＴｉＣ（アルチック）等でなる非磁性基板１１上に、絶縁層１２を介してＮｉ−Ｆｅ等でなる第１シールド磁性膜２１が成膜され、この第１シールド磁性膜２１の上にＳｉＯ_２膜やＡｌ_２Ｏ_３膜等でなる第１非磁性絶縁膜３１が積層されている。
【００２４】
そして、第１非磁性絶縁膜３１の上には、感磁部である第１磁気抵抗効果素子４１が形成され、更にこの第１磁気抵抗効果素子４１に接続されるハードバイアス膜１３が成膜されるとともに、このハードバイアス膜１３の上に電極膜１４が積層されている。
【００２５】
第１磁気抵抗効果素子４１は、図２にその立体的構造を示すが、本実施の形態ではスピンバルブＧＭＲ（巨大磁気抵抗効果素子）で構成されている。スピンバルブＧＭＲは多層構造とされ、主として反強磁性層、ピン層、非磁性層及びフリー層を有する公知の構成とされている。
【００２６】
ピン層磁化は隣接する反強磁性膜からの交換結合磁界により固定され、フリー層磁化は磁気記録媒体からの磁界に反応して回転する。フリー層磁化は自己の結晶磁気異方性とハードバイアス膜１３からの磁界によりトラック幅方向に揃えられており、ピン層磁化と直交関係にある。そこで、磁気記録媒体からの磁界が入ると、フリー層磁化はピン層磁化に対し平行（同一方向）又は反平行（逆行）方向へと変化し、このとき生じるセンス電流の電気抵抗値の変動を読み取って再生信号が得られるようになっている。
【００２７】
第１磁気抵抗効果素子４１は、平面形状が略長方形パターンとして形成され、その一側縁部が上記摺動面に臨むようになされており、摺動面側から見て素子の形成幅がトラック幅Ｔｗとされている。
【００２８】
ハードバイアス膜１３は、上記フリー層のバルクハウゼンノイズを除去するための永久磁石膜であり、例えばＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ膜で構成されている。電極膜１４は、第１磁気抵抗効果素子４１にセンス電流を印加するための非磁性導体膜であり、例えば、Ｔｉ，Ｍｏ，Ｔａ膜等で構成されている。
【００２９】
第１磁気抵抗効果素子４１及び電極膜１４の上には、ＳｉＯ_２膜やＡｌ_２Ｏ_３膜等でなる第２非磁性絶縁膜３２を介して、Ｎｉ−Ｆｅ等でなる第２シールド磁性膜２２が成膜されている。
【００３０】
次に、第２シールド磁性膜２２の上には、ＳｉＯ_２膜やＡｌ_２Ｏ_３膜等でなる第３非磁性絶縁膜３３を介して、感磁部である第２磁気抵抗効果素子４２が形成されている。更にこの第２磁気抵抗効果素子４２に接続されるハードバイアス膜１５が成膜されるとともに、このハードバイアス膜１５の上に電極膜１６が積層されている。
【００３１】
第２磁気抵抗効果素子４２は、第１磁気抵抗効果素子４１と同様、ＧＭＲすなわち巨大磁気抵抗効果素子で構成されている。第２磁気抵抗効果素子４２は、平面形状が略長方形パターンとして形成され、その一側縁部が上記摺動面に臨むようになされており、摺動面側から見て素子の形成幅がトラック幅Ｔｗとされている。
【００３２】
第１磁気抵抗効果素子４１の形成幅と第２磁気抵抗効果素子４２の形成幅はそれぞれ同一に形成されている。第２磁気抵抗効果素子４２は、第１磁気抵抗効果素子４１に対してトラック幅Ｔｗの方向にずらして形成されている。本実施の形態では、第１磁気抵抗効果素子４１に対して第２磁気抵抗効果素子４２が１トラック分ずれた位置に形成されている。
【００３３】
ハードバイアス膜１５は永久磁石膜であり、例えばＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ膜で構成されている。電極膜１６は、第２磁気抵抗効果素子４２にセンス電流を通電するための非磁性導体膜であり、例えば、Ｔｉ，Ｍｏ，Ｔａ膜等で構成されている。
【００３４】
第２磁気抵抗効果素子４２及び電極膜１６の上には、ＳｉＯ_２膜やＡｌ_２Ｏ_３膜等でなる第４非磁性絶縁膜３４を介して、Ｎｉ−Ｆｅ等でなる第３シールド磁性膜２３が成膜されている。
【００３５】
本実施の形態の薄膜磁気ヘッド１は、第１シールド磁性膜２１と第１磁気抵抗効果素子４１と第２シールド磁性膜２２とで第１の再生用薄膜磁気ヘッド部が構成され、第１シールド磁性膜２１及び第２シールド磁性膜２２は当該第１の再生用薄膜磁気ヘッド部の下部磁性磁極及び上部磁性磁極としてそれぞれ機能する。このとき、第１非磁性絶縁膜３１及び第２非磁性絶縁膜は当該第１の再生用薄膜磁気ヘッド部の下層ギャップ及び上層ギャップとしてそれぞれ機能することになる。
【００３６】
また、本実施の形態の薄膜磁気ヘッド１は、第２シールド磁性膜２２と第２磁気抵抗素子４２と第３シールド磁性膜２３とで第２の再生用薄膜磁気ヘッド部が構成され、第２シールド磁性膜２２及び第３シールド磁性膜２３は当該第２の再生用薄膜磁気ヘッド部の下部磁性磁極及び上部磁性磁極としてそれぞれ機能する。このとき、第３非磁性絶縁膜３３及び第４非磁性絶縁膜３４は当該第２の再生用薄膜磁気ヘッド部の下層ギャップ及び上層ギャップとしてそれぞれ機能することになる。
【００３７】
以上のように構成された薄膜磁気ヘッド１では、磁気記録媒体に記録された信号を再生する際に、電極膜１４，１６を介して、第１，第２磁気抵抗効果素子４１，４２に対してセンス電流が供給される。また、図示しない検出機構によって、これら磁気抵抗効果素子４１，４２の電圧値が検出される。磁気抵抗効果素子４１，４２の抵抗値は、磁気記録媒体からの信号磁界に応じて変化する。このため、センス電流の電圧値は、磁気抵抗効果素子４１，４２の抵抗値の変化に基づいて変化し、この電圧値の変化を検出することによって、磁気記録媒体からの信号磁界を検出する。
【００３８】
そこで、本実施の形態の薄膜磁気ヘッド１によれば、磁気抵抗効果素子４１，４２を相互にトラック幅Ｔｗ方向にずらして２層積層しているので、磁気記録媒体の２トラック分に記録されている信号磁界を同時に検出することができる。これにより、デジタル磁気テープ等の高記録密度テープ状磁気記録媒体のマルチトラックに対応した再生用磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドを得ることができる。
【００３９】
また、本実施の形態の薄膜磁気ヘッド１によれば、各磁気抵抗効果素子４１，４２の間に第２シールド磁性膜２２が介装されているので、各磁気抵抗効果素子４１，４２への不要磁界（磁束）の侵入を効果的に防止することができる。これにより、各トラックの信号磁界を高精度に読み出すことができる。
【００４０】
更に、第２シールド磁性膜２２が、第１磁気抵抗効果素子４１の上部磁性磁極と、第２磁気抵抗効果素子４２の下部磁性磁極とを兼用した構成であるので、薄膜ヘッド１の薄型化を図ることができる。本発明者らの試作によれば、素子間の距離を２．７μｍ以下に形成することができることが確認されている。
【００４１】
次に、以上のように構成される本実施の形態の薄膜磁気ヘッド１の製造方法について図３〜図６を参照して説明する。ここで、図３〜図６は、薄膜ヘッド１の製造方法を説明する工程断面図である。
【００４２】
先ず、図３Ａに示すように、例えばＡｌ_２Ｏ_３−ＴｉＣ材からなる非磁性基板１１上に、当該基板１１の絶縁と表面性の改善を目的として、Ａｌ_２Ｏ_３やＳｉＯ_２膜等でなる絶縁層１２を形成する。
【００４３】
次に、絶縁層１２の上に、第１シールド磁性膜２１を成膜する。この第１シールド磁性膜２１は、例えばパーマロイ等の軟磁性材料膜をスパッタリングやめっき等の手法により成膜した後、これを所定形状に加工して形成される。
【００４４】
次に、図３Ｂに示すように、第１シールド磁性膜２１の上に、Ａｌ_２Ｏ_３やＳｉＯ_２膜等でなる第１非磁性絶縁膜３１を成膜し、その上に第１磁気抵抗効果素子４１を構成する多層構造のＧＭＲ膜４１Ａを例えばスパッタリング法によって形成する。
【００４５】
続いて、ＧＭＲ膜４１Ａ上にフォトレジストを塗布しマスクを施して、図３Ｃに示すような所定形状のレジストパターンＦＲ１を形成する。そして、このレジストパターンＦＲ１をマスクとしてＧＭＲ膜４１Ａを例えばイオンミリング法によってエッチングした後、図４Ｄに示すように、ハードバイアス膜１３及び電極膜１４を成膜し所定形状に加工する。
【００４６】
電極膜１４の形成後、有機溶剤を用いてレジストパターンＦＲ１と、レジストパターンＦＲ１の上部に堆積したハードバイアス膜１３及び電極膜１４をリフトオフすることで、図４Ｅに示すような形状の第１磁気抵抗効果素子４１が形成される。
【００４７】
続いて、図５Ｆに示すように、Ａｌ_２Ｏ_３やＳｉＯ_２膜等でなる第２非磁性絶縁膜３２を成膜し、この第２非磁性絶縁膜３２の上に、第２シールド磁性膜２２の下地膜として例えばＮｉ−Ｆｅ膜を成膜する。そして、フォトレジストを用いてフォトリソ技術により所定の形状に第２シールド磁性膜２２のフレームパターンを形成した後、図５Ｇに示すようにＮｉ−Ｆｅ等で第２シールド磁性膜２２を成膜する。
【００４８】
その後、上記フレームパターンを有機溶剤を用いて除去し、イオンミリング法によって上記Ｎｉ−Ｆｅ下地膜を除去する。更に、第２シールド磁性膜２２の不要部分をウェットエッチングにて除去するためのカバーレジストを形成する。そして、硝酸を主成分とするエッチャントにて上記不要部分を溶解除去した後、上記カバーレジストを有機溶剤を用いて除去する。
【００４９】
そして、全体をＡｌ_２Ｏ_３等の絶縁膜で埋め込んだ後研磨し、第２シールド磁性膜２２の表面が露出して、所定のシールド厚となったところで研磨を終了する。以上のようにして、第１の再生用薄膜ヘッド部が完成する。
【００５０】
第２の再生用薄膜ヘッド部は、上述した第１の再生用薄膜ヘッド部と同様な工程を経て製造される。この場合、第１の再生用薄膜ヘッド部の上部磁性磁極に対応する第２シールド磁性膜２２が、第２の再生用薄膜ヘッド部の下部磁性磁極として共用される。
【００５１】
図６Ｈに示すように、第２シールド磁性膜２２の上に、Ａｌ_２Ｏ_３やＳｉＯ_２膜等でなる第３非磁性絶縁膜３３を形成した後、第２磁気抵抗効果素子４２を構成するＧＭＲ膜、ハードバイアス膜１５及び電極膜１６を形成する。この場合、第２磁気抵抗効果素子４２は、下層側の第１磁気抵抗効果素子４１に対して１トラック分だけトラック幅方向にずらして形成する。
【００５２】
そして、図６Ｉに示すように、同じくＡｌ_２Ｏ_３やＳｉＯ_２膜等でなる第４非磁性絶縁膜３４を形成した後、第２シールド磁性膜２２の形成工程と同一の工程を経て、Ｎｉ−Ｆｅ等でなる第３シールド磁性膜２３を形成する。以上のようにして、第２の再生用薄膜磁気ヘッド部が完成する。
【００５３】
以上のように、本実施の形態の薄膜磁気ヘッド１の製造方法においては、第１の再生用薄膜磁気ヘッド部の上部磁性磁極と、第２の再生用薄膜磁気ヘッド部の下部磁性磁極とを、中間シールド層として設けられた第２シールド磁性膜２２で兼用させているので、上記した上部磁性磁極及び下部磁性磁極とを各々独立して形成する場合に比べて薄膜磁気ヘッド１の構成層数を少なくでき、これにより膜応力の低減が図られ、また研磨工程の精度が向上し、高歩留まりで生産性の高いマルチトラック対応の再生用薄膜磁気ヘッド１を製造することができる。
【００５４】
また、本実施の形態の薄膜磁気ヘッド１の製造方法においては、第１の再生用薄膜磁気ヘッドの上に第２の再生用薄膜磁気ヘッドを積層する際、第２シールド磁性膜２２の上面を平坦化する工程を有しているので、第１磁気抵抗効果素子４１と第２磁気抵抗効果素子４２との間の形成ピッチ（トラックピッチ）を精度良く製作できるので、マルチトラック対応の再生用薄膜磁気ヘッドを高精度に製造することができる。
【００５５】
以上、本発明の実施の形態について説明したが、勿論、本発明はこれに限定されることなく、本発明の技術的思想に基づいて種々の変形が可能である。
【００５６】
例えば以上の実施の形態では、磁気抵抗効果素子４１，４２を２層積層した構造の薄膜磁気ヘッド１について説明したが、磁気抵抗効果素子の積層数は２層に限らず、更にその数を増加してもよい。この場合、第２の再生用薄膜ヘッド部の上部磁性磁極に対応する第３シールド磁性膜２３を、積層する第３の再生用薄膜磁気ヘッド部の下部磁性磁極として兼用すればよい。
【００５７】
また、以上の実施の形態では、磁気抵抗効果素子４１４，４２として巨大磁気抵抗効果（ＧＭＲ）素子を適用した例について説明したが、これに代えて、従来より公知の異方性磁気抵抗効果（ＡＭＲ）素子を適用してもよい。
【００５８】
更に、以上の実施の形態では、磁気抵抗効果素子４１，４２を各層でトラック幅方向に１トラック分ずらして形成したが、ずらす量はこれに限定されず、一部が互いにオーバーラップしていてもよい。
【００５９】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドによれば、磁性材料でなるシールド材を介して磁気抵抗効果素子をトラック幅方向に相互にずらして２層以上積層しているので、複数のトラックに対する再生動作を同時に行うことを可能としながら、各磁気抵抗効果素子への不要磁束の侵入を層間のシールド材によって防止することができ、これにより記録信号に忠実なデータの読み取りを高精度に行うことが可能となる。
【００６０】
また、本発明の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、１の磁気抵抗効果素子の上部磁性磁極と、第２の磁気抵抗効果素子の下部磁性磁極とが、第２のシールド磁性体で共通に構成された磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドが得られるので、マルチトラック化に対応した高性能な再生用薄膜磁気ヘッドを工程数少なく、高歩留まりで製造することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態による磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド１の構成を磁気記録媒体摺動面側から見た断面模式図である。
【図２】磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド１を構成する磁気抵抗効果素子の立体構造を模式的に示す斜視図である。
【図３】磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド１の製造方法を説明する工程断面図であり、Ａは第１シールド磁性膜形成工程、Ｂは第１非磁性絶縁膜形成工程、ＣはＧＭＲ膜形成工程を示している。
【図４】磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド１の製造方法を説明する工程断面図であり、第１磁気抵抗効果素子の形成工程を示している。
【図５】磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド１の製造方法を説明する工程断面図であり、Ｆは第２非磁性絶縁膜形成工程、Ｇは第２シールド磁性膜形成工程を示している。
【図６】磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド１の製造方法を説明する工程断面図であり、Ｈは第２磁気抵抗効果素子形成工程、Ｉは第４非磁性絶縁膜形成工程及び第３シールド磁性膜形成工程を示している。
【符号の説明】
１…磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド、１１…非磁性基板、１３，１５…ハードバイアス膜、１４，１６…電極膜、２１…シールド磁性膜、２２…第２シールド磁性膜、２３…第３シールド磁性膜、３１…第１非磁性絶縁膜、３２…第２非磁性絶縁膜、３３…第３非磁性絶縁膜、３４…第４非磁性絶縁膜、４１…第１磁気抵抗効果素子、４２…第２磁気抵抗効果素子、Ｔｗ…トラック幅。

Claims

磁気記録媒体との摺動面側から見て磁気抵抗効果素子の形成幅をトラック幅とし、磁性材料でなるシールド材を介して前記磁気抵抗効果素子を前記トラック幅方向に相互にずらして２層以上積層した
ことを特徴とする磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド。
前記シールド材が、一層でそれを挟む前記各磁気抵抗効果素子のシールド材として共用されている
ことを特徴とする請求項１に記載の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド。
前記磁気抵抗効果素子が異方性磁気抵抗効果素子又は巨大磁気抵抗効果素子でなる
ことを特徴とする請求項１に記載の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド。
磁気記録媒体との摺動面側から見て磁気抵抗効果素子の形成幅をトラック幅とした磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの製造方法において、
第１のシールド磁性膜の上に第１の非磁性絶縁膜を介して第１の磁気抵抗効果素子を形成する工程と、
前記第１の磁気抵抗効果素子の上に第２の非磁性絶縁膜を介して第２のシールド磁性膜を形成する工程と、
前記第２のシールド磁性膜の上に第３の非磁性絶縁膜を介して第２の磁気抵抗効果素子を、前記第１の磁気抵抗効果素子に対して前記トラック幅方向にずらして形成する工程と、
前記第２の磁気抵抗効果素子の上に第４の非磁性絶縁膜を介して第３のシールド磁性膜を形成する工程とを有する
ことを特徴とする磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの製造方法。
前記第２のシールド磁性膜を形成する工程の後、前記第２のシールド磁性膜の上面を平坦化する工程を有する
ことを特徴とする請求項４に記載の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの製造方法。