JP2004274262A - 電気絶縁型スイッチング素子駆動回路 - Google Patents

電気絶縁型スイッチング素子駆動回路 Download PDF

Info

Publication number
JP2004274262A
JP2004274262A JP2003060343A JP2003060343A JP2004274262A JP 2004274262 A JP2004274262 A JP 2004274262A JP 2003060343 A JP2003060343 A JP 2003060343A JP 2003060343 A JP2003060343 A JP 2003060343A JP 2004274262 A JP2004274262 A JP 2004274262A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
circuit
voltage
switching element
drive circuit
power supply
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2003060343A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4082672B2 (ja
Inventor
Koji Kawasaki
宏治 川崎
Takeshi Yamashita
剛 山下
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Denso Corp
Soken Inc
Original Assignee
Denso Corp
Nippon Soken Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Denso Corp, Nippon Soken Inc filed Critical Denso Corp
Priority to JP2003060343A priority Critical patent/JP4082672B2/ja
Priority to US10/792,861 priority patent/US6956427B2/en
Publication of JP2004274262A publication Critical patent/JP2004274262A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4082672B2 publication Critical patent/JP4082672B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/56Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
    • H03K17/687Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors
    • H03K17/689Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors with galvanic isolation between the control circuit and the output circuit
    • H03K17/691Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors with galvanic isolation between the control circuit and the output circuit using transformer coupling
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/06Modifications for ensuring a fully conducting state
    • H03K17/063Modifications for ensuring a fully conducting state in field-effect transistor switches

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Dc-Dc Converters (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)
  • Power Conversion In General (AREA)

Abstract

【課題】簡素な構成にて装置の小型軽量化が可能な電気絶縁型スイッチング素子駆動回路を提供すること。
【解決手段】スイッチング素子14のゲート電極を駆動する駆動回路200の電源電力を共振型コアレストランス7を通じて外部から駆動回路に電気絶縁しつつ供給するとともに、この外部から共振型コアレストランス7を通じて送る電源電力の電圧レベルなどを変調することによりスイッチング素子14の駆動を制御する。更に、スイッチング素子14をオフする場合でも、コアレストランス7を通じての駆動回路への電源電力供給は確保しておく。
【選択図】図1

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電気絶縁型スイッチング素子駆動回路に関する。
【0002】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】
DCーDCコンバータや各種のインバータ回路においては、入力回路系の基準電位とは異なる基準電位を基準として駆動されることが一般的である。このような用途の最も端的な例は、インバータ回路のハイサイド素子(上アーム素子)をこのインバータ回路の出力端の電位として駆動する場合であり、この場合、このハイサイド素子の制御端子にはインバータ回路の出力端(インバータ回路のハイサイド素子とローサイド素子との接続点)を基準とする制御電圧が印加されねばならない。また、ハイサイド素子だけでなくインバータ回路のローサイド素子も、しばしば制御信号回路系とは異なる電圧系により駆動される。
【0003】
このように、スイッチング素子の制御電圧の基準電位とは異なる基準電位の制御電圧によりこのスイッチング素子を駆動制御するために、言い換えれば、スイッチング素子の基準電圧とは異なる基準電圧により駆動される制御回路によりこのスイッチング素子を駆動制御するために電気絶縁型スイッチング素子駆動回路を用いるのが通常であり、この電気絶縁型スイッチング素子駆動回路としては、たとえばトランス型スイッチング素子駆動回路や、パルストランス型スイッチング素子駆動回路が知られている。
【0004】
たとえば、特許文献1は、パルストランスの二次コイル電圧をスイッチング素子であるMOSトランジスタのゲート電極に直接に印加するパルストランス型スイッチング素子駆動回路を提案している。また、トランス絶縁型スイッチング素子駆動回路では、トランスの二次コイル電圧を整流してスイッチング素子の制御電極駆動用の回路(駆動回路とも呼ぶ)の電源電圧とし、フォトカプラなどにより伝送された制御信号をこの駆動回路で電力増幅してスイッチング素子の制御電極に印加することが通常である。
【0005】
【特許文献1】特開平7ー231250号公報
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記した従来のパルストランス型やトランス型の電気絶縁型スイッチング素子駆動回路は、制御用の電力を制御回路側から伝送できる利点はあるものの、トランスの体格、重量を含めて装置体格が大きくなり、必要部品点数の増大を含めて回路構成が大規模となるという問題があった。
【0007】
本発明は上記問題点に鑑みなされたものであり、簡素な構成にて装置の小型軽量化が可能な電気絶縁型スイッチング素子駆動回路を提供することを、その目的としている。
【0008】
【課題を解決するための手段】
請求項1記載の電気絶縁型スイッチング素子駆動回路は、スイッチング素子と、入力された制御指令信号に基づいて作成した駆動電圧を前記スイッチング素子の制御電極に印加して前記スイッチング素子を断続制御する駆動回路と、前記制御電極駆動回路に電源電力を供給する電源回路と、前記電源回路に交流電圧を印加する給電するトランスと、前記トランスに前記交流電圧を印加する交流電圧出力回路とを備え、前記駆動回路は、前記制御指令信号をその送信側から電気絶縁されつつ受信する電気絶縁型スイッチング素子駆動回路において、
前記交流電圧出力回路は、出力する前記交流電圧の状態を前記制御指令信号により変更し、前記駆動回路は、前記トランスから受け取った前記交流電圧の状態に基づいて前記スイッチング素子の制御電極に印加する前記駆動電圧の大きさを変更することを特徴としている。
【0009】
すなわち、この発明によれば、スイッチング素子を駆動制御する駆動回路へ印加するする電源電圧をトランスを通じて給電するとともに、スイッチング素子を駆動するための制御指令信号もこのトランスを通じてこの駆動回路に伝送する。これにより、回路構成を従来より大幅に簡素化した小型軽量化の電気絶縁型スイッチング素子駆動回路を実現できるとともに、パルストランスを用いる必要もなくコストダウンも実現することができるうえ、駆動回路のスイッチング素子駆動電力を大きく設定することができるので、スイッチング素子を高速駆動することができる。
【0010】
好適な態様において、前記電源回路は、前記トランスから受け取った前記交流電圧を整流平滑して前記駆動回路にその電源電圧として出力する。
【0011】
好適な態様において、前記交流電圧出力回路は、前記スイッチング素子のオフ期間も前記トランスを通じて前記電源回路に前記交流電圧を印加する。これにより、スイッチング素子を駆動するための制御指令信号が入力した時点から速やかにスイッチング素子のオンを実現することができる。
【0012】
好適な態様において、前記交流電圧出力回路は、前記出力する交流電圧の周波数又は振幅又は変調の状態を前記制御指令信号により変更する。これにより、回路構成を複雑化することなく、確実に駆動回路駆動のための電源電力とスイッチング素子制御のための制御指令信号とを電気絶縁しつつ伝送することができる。
【0013】
好適な態様において、前記交流電圧出力回路から前記電源回路に至る電源電力送電系は、出力電圧の振幅を増大させる共振回路を含み、前記交流電圧出力回路は、前記制御指令信号が前記スイッチング素子のオンを指令する場合に前記交流電圧の周波数を前記共振回路の共振周波数に略一致させ前記制御指令信号が前記スイッチング素子のオフを指令する場合に前記交流電圧の周波数を前記共振回路の共振周波数から所定周波数幅だけずれさせる。このようにすれば、トランスの電力伝送効率を高めることができるとともに、制御信号の送信、受信およびその分離も簡単となる。共振回路としては、LC共振回路を用いられる。
【0014】
好適な態様において、前記共振回路は、前記トランスをなすコアレストランスと、その漏れインダクタンスとともに前記共振回路を構成するコンデンサとを有する。このようにすれば、装置重量を大幅に低減することができるとともに、上記した共振回路を構成するインダクタンス素子としてコアレストランスの大きな漏れインダクタンスを利用できるので、コアレストランスの漏れインダクタンスが大きいにも関わらずトランスの電力伝送効率を大幅に向上することができるとともに、この漏れインダクタンスから周辺の回路素子に放射される電磁波ノイズを大幅に低減することができる。なお、コアレストランスは開放型磁気回路を構成するものであれば部分的に磁性体コア又は磁性体層を有していてもよい。また、このトランスの共振により、トランスの巻き数比を電磁的伝送効率が高いたとえばそれを1対1に設定したとしても、トランスの出力電圧を増大することができる。
【0015】
好適な態様において、前記コアレストランスの前記一次コイルおよび前記二次コイルは、回路基板に絶縁層又は前記回路基板を挟んで厚さ方向に積層された渦巻き型プリントコイルからそれぞれ構成されているので、コアレストランスを簡単に回路基板に実装することができる。
【0016】
好適な態様において、前記両コイルを構成する導体層の80%以上は、前記回路基板の主面方向において同位置に配置されている。このようにすれば、両コイルの各ターン同士の電磁結合係数を向上することができるので、コアレストランスの電力伝送効率を最大とすることができる。
【0017】
【発明を実施するための態様】
本発明の電気絶縁型スイッチング素子駆動回路の好適な実施態様を図面を参照して以下に説明する。
【0018】
【実施例1】
この実施例の電気絶縁型スイッチング素子駆動回路を図1を参照して以下に説明する。
【0019】
(回路構成および動作説明)
1はON用の発振回路、2はOFF用の発振回路、3はパルス発生回路、4は変調回路、5はプッシュプルドライバ回路、6は一次側コンデンサ、7はコアレストランス、8は二次側コンデンサ、9は倍電圧整流回路、10は検波回路、11は分圧回路、12はコンパレータ、13はプッシュプルドライバ回路、14はnチャンネルMOSトランジスタ(本発明で言うスイッチング素子)である。
【0020】
1〜5は本発明で言う交流電圧出力回路100を構成し、6〜8は本発明で言う共振回路を構成し、9は本発明で言う電源回路を構成し、10〜13は本発明で言う駆動回路200を構成している。
【0021】
発振回路1は所定周波数f1にて発振する正弦波発振器であり、発振回路2は所定周波数f2にて発振する正弦波発振器である。パルス発生回路3は外部からのスイッチング素子駆動指令信号をパルス信号に変換する。外部からのスイッチング素子指令信号が良好なパルス波形を有していれば、パルス発生回路3は省略されることができる。
【0022】
変調回路4はアナログマルチプレクサにより構成されており、パルス発生回路3から入力されるパルス信号のレベルにより、発振回路1の出力交流電圧と発振回路2の出力交流電圧とのどちらか一方をプッシュプルドライバ回路5に出力し、プッシュプルドライバ回路5はそれを電力増幅して一次コンデンサ6を通じてコアレストランス7の一次コイルに印加する。
【0023】
なお、発振回路1、2は、発振周波数が変更可能な一つの発振回路とすることができ、この場合にはスイッチング素子駆動指令信号はこの発振回路の発振周波数を2種類のレベルの間で切り替える。また、この実施例では発振回路として正弦波回路を用いたが、正弦波ではなくてもよくたとえば矩形波発振回路としてもよい。プッシュプルドライバ回路5は、通常の電力増幅回路であれば周知の種々の回路に変更することができる。この実施例で言うプッシュプルドライバ回路は、コンプリメンタリエミッタホロワ回路により構成されているが、たとえばCMOSインバータ回路としてもよい。
【0024】
一次コンデンサ6、コアレストランス7および二次コンデンサ8は発振回路1の発振周波数を共振周波数とする共振回路を構成している。この発振回路の例を図2に示す。一次側の共振系はコアレストランス7の一次側の漏れインダクタンスL1と一次コンデンサ6の静電容量C1との直列共振回路により構成され、二次側の共振系はコアレストランス7の二次側の漏れインダクタンスL2と二次コンデンサ8の静電容量C0との直列共振回路により構成され、二次コンデンサ8から共振回路の出力電圧が出力される。この共振回路自体は公知事項であるので、これ以上の説明を省略する。ただし、コアレストランス7は、大きな寄生容量をもつので、この容量をたとえば二次コンデンサ8の一部又は全部を構成することができる。重要な点は、発振回路2の発振周波数は共振回路の共振点(共振周波数)から所定周波数幅だけずれている(ここでは低周波数側に)点にあり、このため、発振回路2が選択された場合にはコアレストランス7の二次コイルの出力電圧は発振回路1が選択された場合に比較して所定比率だけ低下する点にある。
【0025】
コアレストランス7の二次コイル電圧すなわち二次コンデンサ8の電圧は、倍電圧整流回路9により倍電圧整流され、この倍電圧整流回路9に内蔵される平滑コンデンサにより平滑され、その後、定電圧ダイオードを通じてバイパスされることにより電圧変動を抑制されて略定電圧の直流電源電圧V1に変換され、コンパレータ12やプッシュプルドライバ回路13に電源電圧として供給される。
【0026】
なお、定電圧ダイオードを省略しても多少はリップルが増大するものの上記平滑コンデンサの蓄電作用により発振回路2が選択された場合でも出力直流電源電圧V1としてある程度のレベルを確保することができる。つまり、この平滑コンデンサはダイオードを通じてコアレストランス7の二次コイルから高速充電されるが、放電は駆動回路の電源電力消費分だけであり、平均充電電流と平均放電電流がバランスする電位を確保することができる。
【0027】
分圧回路11は、直流電源電圧V1を分圧する抵抗分圧回路であって、二つの抵抗素子を直列接続してなる。分圧回路11から出力される直流分圧はコンパレータの一つの入力端(好適にはマイナス入力端)に入力される。また、倍電圧整流回路9で整流された直流電圧は検波回路10により半波整流され、抵抗分圧回路により所定の電圧レベルに降圧されてコンパレータ10の他の入力端(好適にはプラス入力端)に入力される。
【0028】
これにより、発振回路1が選択された場合には検波回路10からコンパレータに送られる電圧は分圧回路11の出力電圧を超えることができるが、発振回路2が選択された場合には検波回路10からコンパレータに送られる電圧は分圧回路11の出力電圧を超えることができない。したがって、コンパレータ12は、発振回路1が選択された場合にはプッシュプルドライバ回路13を通じてMOSトランジスタ14を高周波パルス駆動されるが、発振回路2が選択された場合にはMOSトランジスタ14はオフのままとなる。しかしながら、発振回路2が選択された状態、すなわちMOSトランジスタ14の遮断が選択されている場合においても駆動回路200は電源電圧が印加されているため動作可能状態を維持しており、その後、発振回路1が選択されれば高速にMOSトランジスタ14を駆動することができる。図1の回路の具体的設計例を図3に示す。
【0029】
図4は発振回路1、2の発振状態を示す波形図(タイミングチャート)であり、図5は図1の回路における駆動回路の直流電源電圧V1と検波回路10の出力電圧V2を示す波形図(タイミングチャート)である。図6は共振回路のゲインと周波数との関係を示す特性図であって、発振回路1選択点(オン時のキャリアと記載)と発振回路2選択点(オフ時のキャリアと記載)を示す。検波回路10の電圧は発振回路1のオン時にコンパレータ12のしきい値電圧Vth(分圧回路11の出力電圧)を超え、オフ時に超えない。
【0030】
(変形態様)
上記実施例の回路には当業者がきわめて容易に採用可能な種々のバリエーションが存在する。すなわち、上記実施例の本質は、トランス7とMOSトランジスタ14との間の駆動回路200にMOSトランジスタ14のオフ時においても電源回路9が駆動回路200に電源電圧を供給する点にある。この電源電圧はMOSトランジスタ14のオン時に上昇可能であればMOSトランジスタ14のオフ時のそれよりもある程度小さくてもよい。したがって、交流電圧出力回路100は一つの発振周波数をもつ発振回路とし、その発振電圧を分圧して出力したり、そのまま出力したりしてもよい。また、交流電圧出力回路100が正弦波発振回路以外の発振回路をもつ場合には、その基本周波数を共振回路の共振周波数とすることが好適である。倍電圧整流回路9の代わりに通常の半波整流回路又は全波整流回路を採用してもよい。
【0031】
また、上記各実施例では、コアレストランスの二次コイル側の共振回路の共振周波数を一次側から供給するパルス電圧の基本周波数としたが、その代わりに、コアレストランスの二次コイル側の共振回路の共振周波数を一次側から供給するパルス電圧の基本周波数の3倍としてもよい。これは、パルス電圧は3倍高調波成分を多く含むためである。
【0032】
(コアレストランス7の説明)
コアレストランス7の具体例を図7を参照して説明する。40はプリント回路基板、41は一次コイル、42は二次コイルである。両コイル41、42はプリント回路基板40上に形成された銅箔パターンを有しており、図8に示すように略正方形に形成されている。両コイル41、42を構成する銅箔パターンの内側の線端43は、銅箔パターンの上方に銅箔パターンから電気絶縁されつつ形成された渡り線44、45により、外側の角形銅箔パターンの外側にこの銅箔パターンと同一工程により形成された出力端46、47に接続され、これら出力端46、47は、銅箔パターンの外側の線端48とともに、これら一次コイル41、二次コイル42の一対の端子を構成している。
【0033】
図8において重要なことは、一次コイル41と二次コイル42とがプリント回路基板40の互いに反対側に形成され、両銅箔パターンが同一巻き数をもち、両銅箔パターンの各ターンが基板40の面に対して直角方向に見た場合互いに重なっていることである。また、両コイル41、42の出力端46、47も同様に重なっており、その結果として、両コイル41、42の間を簡単に電気絶縁しつつ、両コイル41、42間の電磁結合をコアを用いることなく良好に結合することができる。なお、この実施例では、両銅箔パターンは樹脂が被覆され、その上に渡り線44、45が配置されている。記号A、Bは基板40の二つの角部を示す。
【0034】
(変形態様)
なお、全波整流などのために二次コイルを二つ用いる場合には一次コイルをプリント回路基板の内部に配置し、基板40の両表面に二次コイルを上記と同様に配置すればよい。また、ターン数を増加するには、多層プリント基板を用いて多数のコイルを各層に同位置に形成し、それらをビヤホール導体などを用いて直列接続すればよい。また、二次コイル42の両端を一次コイル41側に取り出すにはスルーホール導体を用いればよい。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施例1の電気絶縁型スイッチング素子駆動回路の回路構成を示すブロック回路図である。
【図2】コアレストランスを用いた発振回路の例を示す等価回路図である。
【図3】図1の回路の具体的設計例を示す回路図である。
【図4】発振回路の発振状態を示す波形図(タイミングチャート)である。
【図5】図1の回路における駆動回路の直流電源電圧V1と検波回路の出力電圧V2を示す波形図(タイミングチャート)である。
【図6】共振回路のゲインと周波数との関係を示す特性図である。
【図7】コアレストランスの具体例を示す断面図である。
【図8】コアレストランスの配線パターンを示す図であり、(a)は基板表面側を示し、(b)は基板裏面を示す。
【符号の説明】
1 ON用の発振回路(本発明で言う交流電圧出力回路)
2 OFF用の発振回路(本発明で言う交流電圧出力回路)
3 パルス発生回路(本発明で言う交流電圧出力回路)
4 変調回路(本発明で言う交流電圧出力回路)
5 プッシュプルドライバ回路(本発明で言う交流電圧出力回路)
6 一次側コンデンサ(本発明で言う共振回路)
7 コアレストランス(本発明で言うトランス、共振回路)
8 二次側コンデンサ(本発明で言う共振回路)
9 倍電圧整流回路(本発明で言う電源回路)
10 検波回路(本発明で言う駆動回路)
11 分圧回路(本発明で言う駆動回路)
12 コンパレータ(本発明で言う駆動回路)
13 プッシュプルドライバ回路(本発明で言う駆動回路)
14 MOSトランジスタ(本発明で言うスイッチング素子)

Claims (8)

  1. スイッチング素子と、
    入力された制御指令信号に基づいて作成した駆動電圧を前記スイッチング素子の制御電極に印加して前記スイッチング素子を断続制御する駆動回路と、
    前記制御電極駆動回路に電源電力を供給する電源回路と、
    前記電源回路に交流電圧を印加する給電するトランスと、
    前記トランスに前記交流電圧を印加する交流電圧出力回路と、
    を備え、
    前記駆動回路は、前記制御指令信号をその送信側から電気絶縁されつつ受信する電気絶縁型スイッチング素子駆動回路において、
    前記交流電圧出力回路は、出力する前記交流電圧の状態を前記制御指令信号により変更し、
    前記駆動回路は、前記トランスから受け取った前記交流電圧の状態に基づいて前記スイッチング素子の制御電極に印加する前記駆動電圧の大きさを変更することを特徴とする電気絶縁型スイッチング素子駆動回路。
  2. 請求項1記載の電気絶縁型スイッチング素子駆動回路において、
    前記電源回路は、
    前記トランスから受け取った前記交流電圧を整流平滑して前記駆動回路にその電源電圧として出力することを特徴とする電気絶縁型スイッチング素子駆動回路。
  3. 請求項2記載の電気絶縁型スイッチング素子駆動回路において、
    前記交流電圧出力回路は、
    前記スイッチング素子のオフ期間も前記トランスを通じて前記電源回路に前記交流電圧を印加することを特徴とする電気絶縁型スイッチング素子駆動回路。
  4. 請求項3記載の電気絶縁型スイッチング素子駆動回路において、
    前記交流電圧出力回路は、前記出力する交流電圧の周波数又は振幅又は変調の状態を前記制御指令信号により変更することを特徴とする電気絶縁型スイッチング素子駆動回路。
  5. 請求項4記載の電気絶縁型スイッチング素子駆動回路において、
    前記交流電圧出力回路から前記電源回路に至る電源電力送電系は、出力電圧の振幅を増大させる共振回路を含み、
    前記交流電圧出力回路は、
    前記制御指令信号が前記スイッチング素子のオンを指令する場合に前記交流電圧の周波数を前記共振回路の共振周波数に略一致させ前記制御指令信号が前記スイッチング素子のオフを指令する場合に前記交流電圧の周波数を前記共振回路の共振周波数から所定周波数幅だけずれさせる電気絶縁型スイッチング素子駆動回路。
  6. 請求項5記載の電気絶縁型スイッチング素子駆動回路において、
    前記共振回路は、
    前記トランスをなすコアレストランスと、その漏れインダクタンスとともに前記共振回路を構成するコンデンサとを有することを特徴とする電気絶縁型スイッチング素子駆動回路。
  7. 請求項6記載の電気絶縁型スイッチング素子駆動回路において、
    前記コアレストランスの前記一次コイルおよび前記二次コイルは、回路基板に絶縁層又は前記回路基板を挟んで厚さ方向に積層された渦巻き型プリントコイルからそれぞれ構成されていることを特徴とする電気絶縁型スイッチング素子駆動回路。
  8. 請求項7記載の電気絶縁型スイッチング素子駆動回路において、
    前記両コイルを構成する導体層の80%以上は、前記回路基板の主面方向において同位置に配置されていることを特徴とする電気絶縁型スイッチング素子駆動回路。
JP2003060343A 2003-03-06 2003-03-06 電気絶縁型スイッチング素子駆動回路 Expired - Fee Related JP4082672B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003060343A JP4082672B2 (ja) 2003-03-06 2003-03-06 電気絶縁型スイッチング素子駆動回路
US10/792,861 US6956427B2 (en) 2003-03-06 2004-03-05 Electrically insulated switching element drive circuit

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003060343A JP4082672B2 (ja) 2003-03-06 2003-03-06 電気絶縁型スイッチング素子駆動回路

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2004274262A true JP2004274262A (ja) 2004-09-30
JP4082672B2 JP4082672B2 (ja) 2008-04-30

Family

ID=33122915

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003060343A Expired - Fee Related JP4082672B2 (ja) 2003-03-06 2003-03-06 電気絶縁型スイッチング素子駆動回路

Country Status (2)

Country Link
US (1) US6956427B2 (ja)
JP (1) JP4082672B2 (ja)

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006271041A (ja) * 2005-03-23 2006-10-05 Fuji Electric Holdings Co Ltd 電圧駆動型半導体素子のゲート駆動装置
JP2006280100A (ja) * 2005-03-29 2006-10-12 Toyota Industries Corp 電気絶縁型スイッチング素子駆動回路および電気絶縁型スイッチング素子の駆動方法
JP2006296007A (ja) * 2005-04-06 2006-10-26 Mitsubishi Electric Corp 電力変換器の駆動回路
JP2007252109A (ja) * 2006-03-16 2007-09-27 Fuji Electric Device Technology Co Ltd パワーエレクトロニクス機器
JP2011244185A (ja) * 2010-05-18 2011-12-01 Toshiba Corp スイッチング素子駆動回路
JP2012165341A (ja) * 2011-02-09 2012-08-30 Toshiba Corp スイッチング素子駆動回路
JP2013150454A (ja) * 2012-01-19 2013-08-01 Toshiba Corp 電力変換装置及び電力変換制御方法
JP2014176123A (ja) * 2013-03-06 2014-09-22 Denso Corp スイッチング素子の駆動装置
US9494964B2 (en) 2013-08-27 2016-11-15 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Gate drive circuit
JPWO2015015708A1 (ja) * 2013-07-31 2017-03-02 パナソニックIpマネジメント株式会社 高周波受信回路及び絶縁型信号伝送装置
JPWO2016189585A1 (ja) * 2015-05-22 2018-04-05 日産自動車株式会社 電力変換装置
JP2021069136A (ja) * 2019-10-17 2021-04-30 ニチコン株式会社 スイッチング素子の駆動装置
WO2021117432A1 (ja) * 2019-12-09 2021-06-17 三菱パワー株式会社 信号伝送回路
DE102023124945A1 (de) 2022-10-27 2024-05-02 Mitsubishi Electric Corporation Schaltelement-Ansteuerungsschaltung

Families Citing this family (49)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102005001322B4 (de) * 2005-01-11 2010-07-08 Dspace Digital Signal Processing And Control Engineering Gmbh Verfahren und Schaltung zur galvanisch getrennten Übertragung eines Signals
US7667408B2 (en) 2007-03-12 2010-02-23 Cirrus Logic, Inc. Lighting system with lighting dimmer output mapping
US20080224631A1 (en) * 2007-03-12 2008-09-18 Melanson John L Color variations in a dimmable lighting device with stable color temperature light sources
US8018171B1 (en) 2007-03-12 2011-09-13 Cirrus Logic, Inc. Multi-function duty cycle modifier
US8076920B1 (en) 2007-03-12 2011-12-13 Cirrus Logic, Inc. Switching power converter and control system
US7804256B2 (en) * 2007-03-12 2010-09-28 Cirrus Logic, Inc. Power control system for current regulated light sources
JP4985024B2 (ja) * 2007-03-28 2012-07-25 富士ゼロックス株式会社 粉体搬送用回転体及びトナーカートリッジ
US7554473B2 (en) * 2007-05-02 2009-06-30 Cirrus Logic, Inc. Control system using a nonlinear delta-sigma modulator with nonlinear process modeling
US8102127B2 (en) 2007-06-24 2012-01-24 Cirrus Logic, Inc. Hybrid gas discharge lamp-LED lighting system
US7804697B2 (en) 2007-12-11 2010-09-28 Cirrus Logic, Inc. History-independent noise-immune modulated transformer-coupled gate control signaling method and apparatus
US7656687B2 (en) 2007-12-11 2010-02-02 Cirrus Logic, Inc. Modulated transformer-coupled gate control signaling method and apparatus
US8576589B2 (en) * 2008-01-30 2013-11-05 Cirrus Logic, Inc. Switch state controller with a sense current generated operating voltage
US7755525B2 (en) * 2008-01-30 2010-07-13 Cirrus Logic, Inc. Delta sigma modulator with unavailable output values
US8008898B2 (en) 2008-01-30 2011-08-30 Cirrus Logic, Inc. Switching regulator with boosted auxiliary winding supply
US8022683B2 (en) * 2008-01-30 2011-09-20 Cirrus Logic, Inc. Powering a power supply integrated circuit with sense current
US7796076B2 (en) * 2008-02-26 2010-09-14 Cirrus Logic, Inc. Transformer-isolated analog-to-digital converter (ADC) feedback apparatus and method
US7759881B1 (en) 2008-03-31 2010-07-20 Cirrus Logic, Inc. LED lighting system with a multiple mode current control dimming strategy
US8008902B2 (en) 2008-06-25 2011-08-30 Cirrus Logic, Inc. Hysteretic buck converter having dynamic thresholds
US8212491B2 (en) * 2008-07-25 2012-07-03 Cirrus Logic, Inc. Switching power converter control with triac-based leading edge dimmer compatibility
US8344707B2 (en) 2008-07-25 2013-01-01 Cirrus Logic, Inc. Current sensing in a switching power converter
US8847719B2 (en) 2008-07-25 2014-09-30 Cirrus Logic, Inc. Transformer with split primary winding
US8487546B2 (en) 2008-08-29 2013-07-16 Cirrus Logic, Inc. LED lighting system with accurate current control
US8816653B2 (en) * 2008-09-25 2014-08-26 Infineon Technologies Austria Ag Circuit including a transformer for driving a semiconductor switching element
US8222872B1 (en) 2008-09-30 2012-07-17 Cirrus Logic, Inc. Switching power converter with selectable mode auxiliary power supply
US8179110B2 (en) 2008-09-30 2012-05-15 Cirrus Logic Inc. Adjustable constant current source with continuous conduction mode (“CCM”) and discontinuous conduction mode (“DCM”) operation
US8288954B2 (en) 2008-12-07 2012-10-16 Cirrus Logic, Inc. Primary-side based control of secondary-side current for a transformer
US8299722B2 (en) * 2008-12-12 2012-10-30 Cirrus Logic, Inc. Time division light output sensing and brightness adjustment for different spectra of light emitting diodes
US8362707B2 (en) 2008-12-12 2013-01-29 Cirrus Logic, Inc. Light emitting diode based lighting system with time division ambient light feedback response
US7994863B2 (en) * 2008-12-31 2011-08-09 Cirrus Logic, Inc. Electronic system having common mode voltage range enhancement
US8482223B2 (en) * 2009-04-30 2013-07-09 Cirrus Logic, Inc. Calibration of lamps
US8248145B2 (en) * 2009-06-30 2012-08-21 Cirrus Logic, Inc. Cascode configured switching using at least one low breakdown voltage internal, integrated circuit switch to control at least one high breakdown voltage external switch
US8212493B2 (en) 2009-06-30 2012-07-03 Cirrus Logic, Inc. Low energy transfer mode for auxiliary power supply operation in a cascaded switching power converter
US8963535B1 (en) 2009-06-30 2015-02-24 Cirrus Logic, Inc. Switch controlled current sensing using a hall effect sensor
US8198874B2 (en) 2009-06-30 2012-06-12 Cirrus Logic, Inc. Switching power converter with current sensing transformer auxiliary power supply
US9155174B2 (en) * 2009-09-30 2015-10-06 Cirrus Logic, Inc. Phase control dimming compatible lighting systems
US8654483B2 (en) 2009-11-09 2014-02-18 Cirrus Logic, Inc. Power system having voltage-based monitoring for over current protection
WO2013080383A1 (ja) * 2011-12-02 2013-06-06 三菱電機株式会社 電力変換装置
US9215100B2 (en) * 2013-02-15 2015-12-15 Siemens Industry, Inc. Isolated data acquisition
DE112013006773T5 (de) * 2013-03-06 2015-12-10 SiEVA Vorrichtung für high-side Transistor-Brückentreiber
EP2811609B1 (en) * 2013-06-03 2018-09-12 Dialog Semiconductor GmbH Battery balancing with resonant converter
EP3484032B1 (en) * 2013-08-01 2020-03-04 Mitsubishi Electric Corporation Gate-power-supply device and semiconductor circuit breaker using same
DE102014105852A1 (de) * 2014-04-25 2015-10-29 Minebea Co., Ltd. Schaltung und Verfahren zum Übertragen eines Steuersignals für einen Schalter
AT515848B1 (de) * 2014-05-15 2020-09-15 Fronius Int Gmbh Schaltungsanordnung und Verfahren zum Ansteuern eines Halbleiterschaltelements
US10051701B2 (en) 2014-07-16 2018-08-14 Philips Lighting Holding B.V. Systems and methods for maintaining dimmer behavior in a low-power lamp assembly
KR102220899B1 (ko) * 2014-12-12 2021-02-26 삼성에스디아이 주식회사 게이트 구동부 및 그의 구동방법
EP3076550A1 (en) * 2015-03-30 2016-10-05 ALSTOM Technology Ltd Circuit and a method for the galvanically isolated control of a semiconductor switch
ITUB20153500A1 (it) * 2015-09-09 2017-03-09 St Microelectronics Srl Procedimento per trasmettere potenza e dati attraverso una barriera di isolamento galvanico, sistema ed apparecchiatura corrispondenti
IT201600088207A1 (it) 2016-08-30 2018-03-02 St Microelectronics Srl Circuito di isolamento galvanico, sistema e procedimento corrispondenti
DE112017006414B4 (de) * 2016-12-21 2021-05-27 Mitsubishi Electric Corporation Gate-Treibersystem

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0053709B1 (de) * 1980-12-04 1985-03-06 Siemens Aktiengesellschaft Schaltungsanordnung zum Ansteuern mindestens eines Leistungs-FET
US4423341A (en) * 1981-01-02 1983-12-27 Sperry Corporation Fast switching field effect transistor driver circuit
US4667144A (en) * 1986-06-03 1987-05-19 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force High frequency, high voltage MOSFET isolation amplifier
US5469089A (en) * 1990-05-28 1995-11-21 Deutsche Thomson-Brandt Gmbh Circuit arrangement for regulating signals
US6107860A (en) * 1991-12-11 2000-08-22 Vlt Corporation High efficiency floating gate driver circuit using leakage-inductance transformer
US5434527A (en) * 1993-10-25 1995-07-18 Caterpillar Inc. Gate drive circuit
JPH07231250A (ja) 1994-02-21 1995-08-29 Fuji Electric Co Ltd Mosfet駆動回路およびその駆動方法
US5939927A (en) * 1996-10-31 1999-08-17 Hewlett-Packard Company Isolated pulse mode driver for power transistor
GB2341288B (en) * 1998-06-23 2003-12-10 Eev Ltd Switching arrangement
US6559689B1 (en) * 2000-10-02 2003-05-06 Allegro Microsystems, Inc. Circuit providing a control voltage to a switch and including a capacitor
JP3909407B2 (ja) 2002-02-15 2007-04-25 株式会社デンソー 電気絶縁型スイッチング素子駆動回路

Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006271041A (ja) * 2005-03-23 2006-10-05 Fuji Electric Holdings Co Ltd 電圧駆動型半導体素子のゲート駆動装置
JP2006280100A (ja) * 2005-03-29 2006-10-12 Toyota Industries Corp 電気絶縁型スイッチング素子駆動回路および電気絶縁型スイッチング素子の駆動方法
JP4715273B2 (ja) * 2005-03-29 2011-07-06 株式会社豊田自動織機 電気絶縁型スイッチング素子駆動回路および電気絶縁型スイッチング素子の駆動方法
JP2006296007A (ja) * 2005-04-06 2006-10-26 Mitsubishi Electric Corp 電力変換器の駆動回路
JP2007252109A (ja) * 2006-03-16 2007-09-27 Fuji Electric Device Technology Co Ltd パワーエレクトロニクス機器
JP2011244185A (ja) * 2010-05-18 2011-12-01 Toshiba Corp スイッチング素子駆動回路
JP2012165341A (ja) * 2011-02-09 2012-08-30 Toshiba Corp スイッチング素子駆動回路
JP2013150454A (ja) * 2012-01-19 2013-08-01 Toshiba Corp 電力変換装置及び電力変換制御方法
JP2014176123A (ja) * 2013-03-06 2014-09-22 Denso Corp スイッチング素子の駆動装置
JPWO2015015708A1 (ja) * 2013-07-31 2017-03-02 パナソニックIpマネジメント株式会社 高周波受信回路及び絶縁型信号伝送装置
US9494964B2 (en) 2013-08-27 2016-11-15 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Gate drive circuit
JPWO2016189585A1 (ja) * 2015-05-22 2018-04-05 日産自動車株式会社 電力変換装置
US10230294B2 (en) 2015-05-22 2019-03-12 Nissan Motor Co., Ltd. Power conversion device with gate drive circuit
JP2021069136A (ja) * 2019-10-17 2021-04-30 ニチコン株式会社 スイッチング素子の駆動装置
JP7300364B2 (ja) 2019-10-17 2023-06-29 ニチコン株式会社 スイッチング素子の駆動装置
WO2021117432A1 (ja) * 2019-12-09 2021-06-17 三菱パワー株式会社 信号伝送回路
DE102023124945A1 (de) 2022-10-27 2024-05-02 Mitsubishi Electric Corporation Schaltelement-Ansteuerungsschaltung

Also Published As

Publication number Publication date
JP4082672B2 (ja) 2008-04-30
US20040232971A1 (en) 2004-11-25
US6956427B2 (en) 2005-10-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4082672B2 (ja) 電気絶縁型スイッチング素子駆動回路
JP4262886B2 (ja) ダブルエンデッド絶縁d.c.−d.c.コンバータ
US5886516A (en) Series resonant converter transformer assembly having integral inductor tank elements
KR100451606B1 (ko) 유도 결합에 의한 비접촉식 충전 시스템
TW201607226A (zh) 開啟及關閉控制的共振直流對直流電源轉換器
WO2007069403A1 (ja) 複合トランスおよび絶縁型スイッチング電源装置
JP2005524375A (ja) Llcハーフブリッジコンバータ
US9312778B2 (en) Power supply device
US20150201276A1 (en) Self-bias emitter circuit
EP0481682A2 (en) Non-coupled integrated magnetic structure
TW480805B (en) Switching power supply circuit
JP3346543B2 (ja) スイッチング電源装置
US20170373605A1 (en) Inductive power receiver
JP3909407B2 (ja) 電気絶縁型スイッチング素子駆動回路
US7113068B2 (en) Winding structure of inductor used in power factor correction circuit
JP2011192724A (ja) 複合トランスモジュール
JPH11356042A (ja) 電圧変換装置
JP3735490B2 (ja) 電子レンジ
JP2009302158A (ja) 電圧変換装置
JP2018509876A (ja) 誘導電力受信機
JP2000357582A (ja) マグネトロンの駆動電源
JP7185676B2 (ja) 半導体リレー装置
JP2002044946A (ja) スイッチング電源装置
TWI840390B (zh) 用於傳送電力至電力負載之系統
JP4366713B2 (ja) スイッチング電源装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20050420

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20070309

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20070507

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070705

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20080207

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20080208

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110222

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120222

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130222

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140222

Year of fee payment: 6

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees