KR102220899B1 - 게이트 구동부 및 그의 구동방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 신뢰성을 향상시킬 수 있도록 한 게이트 구동부에 관한 것이다
본 발명의 실시예에 의한 게이트 구동부는 스위칭소자와, 펄스신호를 생성하기 위한 펄스 생성부와, 상기 펄스신호에 대응하여 상기 스위칭소자로 공급될 게이트전압을 생성하기 위한 펄스 트랜스포머를 구비하며, 상기 펄스 생성부는 상기 펄스신호의 주파수를 변경하면서 상기 스위칭소자의 동작을 제어한다.

Description

게이트 구동부 및 그의 구동방법{Gate Driver and Driving Method Thereof}
본 발명의 실시예는 게이트 구동부 및 그의 구동방법에 관한 것으로, 특히 신뢰성을 향상시킬 수 있도록 한 게이트 구동부 및 그의 구동방법에 관한 것이다.
스위칭소자(예를 들면, IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor) 및 FET(Field Effect Transistor) 등)는 전력을 공급하는 전력 변환장치 및 인버터 등을 포함한 다양한 장치에 사용되고 있다.
일례로, 하드브리드 차량 및 전기 자동차에서는 스위칭소자(IGBT 및/또는 FET 소자 등)를 이용하여 전원의 공급여부를 제어한다. 여기서, 배터리 전원과 스위칭소자는 전기적으로 절연되어야 한다. 실제로, 배터리 전원과 스위칭소자와의 절연은 안전, 신뢰성에서 매우 중요한 요소이며, 단품 시험기준에서도 절연저항, 절연내력 항목으로 관리되는 중요 요소이다.
따라서, 스위칭소자를 제어하기 위한 게이트 구동부는 절연과 동시에 스위칭소자를 제어할 수 있도록 펄스 트랜스포머(Pulse Transformet : PT)를 사용한다. 하지만, 펄스 트랜스포머가 사용되는 경우 1차 권선과 2차 권선 사이의 잔류 에너지에 의하여 스위칭소자가 원하지 않는 형태로 구동될 염려가 있다.
일례로, 펄스 트랜스포머로 펄스신호의 공급이 중단될 때 1차 권선과 2차 권선 사이의 잔류 에너지로 의하여 스위칭소자로 사인파 형태의 전압이 인가된다. 여기서, 스위칭소자로 공급되는 사인파 형태의 전압은 스위칭소자에서 오동작을 유발하며, 이에 따라 신뢰성이 저하된다. 또한, 펄스 트랜스포머로 공급되는 펄스신호의 공급중단시마다 스위칭소자로 사인파 형태의 전압이 인가되며, 스위칭소자에 지속적으로 스트레스(Stress)가 가해져 스위칭소자가 파손될 염려가 있다.
따라서, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 신뢰성을 향상시킬 수 있도록 한 게이트 구동부 및 그의 구동방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 실시예에 의한 게이트 구동부는 스위칭소자와, 펄스신호를 생성하기 위한 펄스 생성부와, 상기 펄스신호에 대응하여 상기 스위칭소자로 공급될 게이트전압을 생성하기 위한 펄스 트랜스포머를 구비하며, 상기 펄스 생성부는 상기 펄스신호의 주파수를 변경하면서 상기 스위칭소자의 동작을 제어한다.
실시 예에 의한, 상기 스위칭소자의 동작이 중지될 때 상기 펄스 생성부는 상기 펄스신호의 주파수를 높인다.
실시 예에 의한, 상기 펄스 생성부는 상기 스위칭소자의 정상 구동기간 동안 제 1주파수로 상기 펄스신호를 생성하고, 상기 스위칭소자의 동작이 중지될 때 상기 펄스신호를 제 1주파수로부터 상기 제 1주파수보다 높은 제 2주파수로 서서히 변경한다.
실시 예에 의한, 상기 주파수 변경과 무관하게 상기 펄스신호의 듀티비는 일정하다.
실시 예에 의한, 상기 펄스 생성부와 상기 펄스 트랜스포머 사이에 위치되며, 상기 펄스신호의 전압을 승압하기 위한 승압부를 더 구비한다.
본 발명의 실시예에 의한 게이트 구동부의 구동방법은 펄스 트랜스포머로 입력되는 펄스신호에 대응하여 스위칭소자를 턴-온 및 턴-오프시키기 위한 게이트전압을 생성하는 단계와, 상기 스위칭소자의 동작이 중지될 때 상기 펄스신호의 주파수를 변경하는 단계를 포함한다.
실시 예에 의한, 상기 스위칭소자의 동작이 중지될 때 상기 펄스신호의 주파수는 제 1주파수에서 상기 제 1주파수보다 높은 제 2주파수로 서서히 증가된다.
실시 예에 의한, 상기 주파수 변경과 무관하게 상기 펄스신호의 듀티비는 일정하다.
본 발명의 실시예에 의한 게이트 구동부 및 그의 구동방법에 의하면 스위칭소자의 동작이 중지될 때 펄스 트랜스포머로 공급되는 펄스신호의 주파수를 서서히 상승시키고, 이에 따라 펄스 트랜스포머의 1차 권선과 2차 권선 사이의 잔류 에너지를 안정적으로 제거할 수 있다. 즉, 본원 발명에서는 스위칭소자의 동작이 중지될 때 잔류 에너지에 의하여 펄스 트랜스포머에서 원하지 않는 게이트전압이 생성되는 것을 방지할 수 있고, 이에 따라 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 의한 게이트 구동부를 나타내는 도면이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 의한 펄스 생성부의 동작과정을 나타내는 도면이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 의한 펄스 트랜스포머를 나타내는 도면이다.
도 4는 본원 발명의 다른 실시예에 의한 게이트 구동부를 나타내는 도면이다.
도 5는 본원 발명의 또 다른 실시예에 의한 게이트 구동부를 나타내는 도면이다.
이하, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있는 바람직한 실시 예가 첨부된 도 1 내지 도 5를 참조하여 자세히 설명하면 다음과 같다.
도 1은 본 발명의 실시예에 의한 게이트 구동부를 나타내는 도면이다. 본원 발명의 게이트 구동부는 절연 방식으로 스위칭소자를 제어하는 것으로, 인버터, 컨버터 및 전력 변환장치를 포함한 다양한 장치에 적용될 수 있다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 실시예에 의한 게이트 구동부는 펄스 생성부(100), 펄스 트랜스포머(200) 및 스위칭소자(M1)를 구비한다.
펄스 생성부(100)는 하이전압 및 로우전압을 반복하는 펄스신호를 생성한다. 펄스 생성부(100)는 일정한 듀티비(duty ratio)를 갖는 펄스신호를 생성하고, 생성된 펄스신호를 펄스 트랜스포머(200)로 공급한다.
펄스 트랜스포머(200)는 펄스 생성부(100)와 스위칭소자(M1)를 절연하면서, 펄스신호에 대응하여 게이트전압을 생성한다. 일례로, 펄스 트랜스포머(200)는 펄스신호의 하이전압 구간 동안 스위칭소자(M1)가 턴-온될 수 있는 게이트전압을 생성하고, 펄스신호의 로우전압 구간 동안 스위칭소자(M1)가 턴-오프될 수 있는 게이트전압을 생성할 수 있다.
스위칭소자(M1)는 제 1전원(VDD)과 제 1노드(N1) 사이에 위치된다. 이와 같은 스위칭소자(M1)는 게이트전압에 대응하여 턴-온 및 턴-오프되면서 제 1전원(VDD)의 전압을 선택적으로 제 1노드(N1)로 공급한다.
여기서, 도 1에서는 스위칭소자(M1)과 제 1전원(VDD)과 제 1노드(N1) 사이에 접속되는 것으로 도시되었지만, 본원 발명이 이에 한정되지는 않는다. 일례로, 스위칭소자(M1)는 제 1전원(VDD)보다 낮은 제 2전원(예를 들면, 그라운드 전원)과 제 1노드(N1) 사이에 접속될 수도 있다. 그리고, 제 1노드(N1)는 스위칭소자(M1)의 위치에 대응하여 다양한 회로에 접속될 수 있다.
도 2는 본 발명의 실시예에 의한 펄스 생성부의 동작과정을 나타내는 도면이다. 이후 설명에서 스위칭소자(M1)의 동작이 중지된다는 것은 스위칭소자(M1)가 일정기간 동안 휴지상태로 설정됨을 의미한다. 즉, 정상구동 기간 동안 스위칭소자(M1)는 턴-온 및 턴-오프 상태를 반복하며, 동작이 중지된 후 일정기간 동안 턴-오프 상태를 유지한다.
도 2를 참조하면, 스위칭소자(M1)의 정상구동 기간 동안 펄스 생성부(100)는 일정 듀티비를 가지는 펄스신호를 생성하고, 생성된 펄스신호를 펄스 트랜스포머(200)로 공급한다.
여기서, 듀티비는 펄스신호의 주기에 대한 펄스 폭의 비율을 의미한다. 일례로, 펄스신호의 하이전압(예를 들면, 정극성(+)의 전압) 및 로우전압(예를 들면, 부극성(-)의 전압) 구간의 폭이 동일하다면 듀티비는 50%로 설정된다. 펄스 생성부(100)는 펄스신호의 하이전압을 "1"로 설정하는 경우, 로우전압이 "n(n은 실수)"으로 설정되는 듀티비를 갖도록 펄스신호를 생성한다.
펄스 생성부(100)에서 1:n의 듀티비를 갖는 펄스신호가 생성되면 펄스 트랜스포머(200)는 1:n의 듀티비를 갖는 펄스신호에 대응하여 게이트전압을 생성하고, 생성된 게이트전압을 이용하여 스위칭소자(M1)의 턴-온 및 턴-오프를 제어한다.
스위칭소자(M1)의 정상구동 기간 이후에 스위칭소자(M1)의 동작이 중지될 때 펄스 생성부(100)는 펄스신호의 주파수를 서서히 증가시킨다. 일례로, 펄스 생성부(100)는 정상구동 기간의 제 1주파수로부터 제 1주파수보다 높은 제 2주파수로 펄스신호의 주파수를 서서히 증가시킬 수 있다.
여기서, 제 2주파수는 펄스 트랜스포머(200)가 인식할 수 없는 주파수, 즉 펄스 트랜스포머(200)에서 스위칭소자(M1)를 턴-온시키기 위한 게이트전압이 생성되지 않는 주파수를 의미한다. 제 2주파수는 펄스 트랜스포머(200)의 용량 등을 고려하여 미리 설정된다. 예를 들어, 제 2주파수는 10Khz로 설정될 수 있다. 스위칭소자(M1)의 동작이 중지될 때 펄스신호의 주파수가 서서히 증가되면 펄스 트랜스포머(200)의 1차 권선과 2차 권선 사이의 잔류 에너지가 제거된다.
상세히 설명하면, 스위칭소자(M1)의 동작이 중지될 때 펄스 생성부(100)는 제 1주파수로부터 제 2주파수로 펄스신호의 주파수를 서서히 증가시킨다. 그러면, 펄스 트랜스포머(200)는 점점 빠른 속도로 하이 및 로우의 게이트전압을 생성하고, 이에 따라 1차 권선과 2차 권선 사이의 전류 에너지가 서서히 제거된다. 그리고, 그리고, 펄스신호의 주파수가 제 2주파수로 증가되면 펄스 트랜스포머(200)는 스위칭소자(M1)를 턴-온시키기 위한 게이트전압을 생성하지 못한다. 하지만, 펄스 트랜스포머(200)로 공급되는 제 2주파수의 펄스신호에 의하여 1차 권선과 2차 권선 사이에 남은 잔류 에너지가 추가적으로 제거될 수 있다.
즉, 본원 발명에서는 스위칭소자(M1)의 동작이 중지될 때 펄스신호의 주파수를 제 1주파수로부터 제 2주파수로 서서히 상승시키면서 펄스 트랜지스포머(200)의 잔류 에너지를 제거한다. 그러면, 펄스 트랜스포머(200)의 잔류 에너지에 의하여 예측되지 못하는 게이트전압이 생성되지 않고, 이에 따라 신뢰성을 확보할 수 있다.
추가적으로, 펄스 생성부(100)는 펄스신호의 주파수가 변하더라도 듀티비는 일정하게 유지한다.(즉, 하이 및 로우기간을 1:n으로 유지 함) 즉, 본원 발명에서는 펄스신호의 듀티비를 일정하게 유지하면서, 펄스신호의 주파수만을 이용하여 펄스 트랜스포머(200)의 잔류 에너지를 제거한다.
도 3은 본 발명의 실시예에 의한 펄스 트랜스포머를 나타내는 도면이다.
도 3을 참조하면, 본 발명의 실시예에 의한 펄스 트랜스포머(200)는 1차 권선, 2차 권선, 커패시터(C1), 다이오드(D1), 저항(R1)을 구비한다.
1차 권선 및 2차 권선은 서로 절연된 상태로 위치된다. 1차 권선은 펄스 생성부(100)로부터 공급되는 펄스신호에 대응하여 소정의 전기 에너지를 생성하고, 2차 권선은 1차 권선에서 생성된 전기 에너지를 이용하여 게이트전압을 생성한다. 여기서, 게이트전압의 전압값은 1차 권선 및 2차 권선의 권선비, 펄스신호의 듀티비 등에 의하여 결정된다.
커패시터(C1) 및 저항(R1)은 스위칭소자(M1)의 게이트전극과 2차 권선 사이에 위치된다. 다이오드(D1)는 커패시터(C1) 및 제 1저항(R1) 사이의 공통노드와 제 1노드(N1) 사이에 위치된다. 즉, 다이오드(D1)는 2차 권선과 병렬로 접속된다.
여기서, 커패시터(C1), 저항(R1) 및 다이오드(D1)는 직류 재생회로로 이용된다. 일례로, 다이오드(D1)에서 정류된 직류전압이 커패시터(C1)에 충전되어 펄스 생성부(200)에서 공급되는 펄스신호의 듀티비에 따라서 2차 권선의 직류전위 레벨을 일정하게 유지한다.
한편, 도 3은 본원 발명의 펄스 트랜스포머(200)의 실시예일 뿐, 본원 발명이 이에 한정되지는 않는다. 일례로, 본원 발명의 펄스 트랜스포머(200)는 현재 공지된 다양한 형태의 회로로도 구현 가능하다.
도 4는 본원 발명의 다른 실시예에 의한 게이트 구동부를 나타내는 도면이다. 도 4를 설명할 때 도 1과 동일한 구성에 대해서는 동일한 도면부호를 할당함과 아울러 상세한 설명은 생략하기로 한다.
도 4를 참조하면, 본원 발명의 다른 실시예에 의한 게이트 구동부는 펄스 생성부(100)와 펄스 트랜스포머(200) 사이에 위치되는 승압부(300)를 구비한다. 승압부(300)는 펄스 생성부(100)로부터의 펄스신호의 전압을 승압하여 펄스 트랜스포머(200)로 공급한다.
도 5는 본원 발명의 또 다른 실시예에 의한 게이트 구동부를 나타내는 도면이다.
도 5를 참조하면, 제 1전원(VDD)과 제 1전원(VDD)보다 낮은 전압으로 설정되는 제 2전원(VSS) 사이에 제 1스위칭소자(M1) 및 제 2스위칭소자(M2)가 접속된다. 그리고, 제 1스위칭소자(M1) 및 제 2스위칭소자(M2)의 공통단자인 제 1노드(N1)는 소정의 회로와 접속된다.
제 1스위칭소자(M1)는 제 1펄스 생성부(100) 및 제 1펄스 트랜스포머(200)에 의하여 구동된다.
제 2스위칭소자(M2)는 제 2펄스 생성부(100') 및 제 2펄스 트랜스포머(200')에 의하여 구동된다. 여기서, 펄스 생성부(100, 100') 및 펄스 트랜스포머(200, 200')의 구성 및 역할은 상술한 도 1과 동일하다.
다만, 제 1펄스 생성부(100)는 및 제 2펄스 생성부(100')는 소정의 위상차, 예를 들면, 180도의 위상차를 갖도록 펄스신호를 생성한다. 그러면, 제 1스위칭소자(M1) 및 제 2스위칭소자(M2)는 교번적으로 턴-온 및 턴-오프되면서 제 1노드(N1)로 제 1전원(VDD) 또는 제 2전원(VSS)의 전압을 공급한다.
또한, 스위칭소자들(M1, M2)의 동작이 중지될 때 제 1펄스 생성부(100) 및 제 2펄스 생성부(100')는 펄스신호의 주파수를 서서히 높이면서 스위칭소자들(M1, M2)을 턴-오프시킨다. 여기서, 제 1펄스 생성부(100) 및 제 2펄스 생성부(100')에서 생성되는 펄스신호는 180도의 위상차를 갖기 때문에 스위칭소자들(M1, M2)은 동시에 턴-온되지 않고, 이에 따라 동작의 안정성을 확보할 수 있다.
또한, 제 1펄스 생성부(100) 및 제 2펄스 생성부(100')는 펄스신호의 주파수를 서서히 높아지면 펄스 트랜스포머(200, 200')의 잔류 에너지가 제거되어 스위칭소자들(M1, M2)의 오동작을 방지할 수 있다.
본 발명의 기술 사상은 상기 바람직한 실시예에 따라 구체적으로 기술되었으나, 상기한 실시예는 그 설명을 위한 것이며 그 제한을 위한 것이 아님을 주의하여야 한다. 또한, 본 발명의 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 기술 사상의 범위 내에서 다양한 변형예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.
100 : 펄스 생성부 200 : 펄스 트랜스포머
300 : 승압부

Claims (8)

  1. 스위칭소자와,
    펄스신호를 생성하기 위한 펄스 생성부와,
    상기 펄스신호에 대응하여 상기 스위칭소자로 공급될 게이트전압을 생성하기 위한 펄스 트랜스포머를 구비하며,
    상기 펄스 생성부는
    상기 펄스신호의 주파수를 변경하면서 상기 스위칭소자의 동작을 제어하되,
    상기 스위칭소자의 정상 구동기간 동안 제 1주파수로 상기 펄스신호를 생성하고,
    상기 스위칭소자의 동작이 중지될 때 상기 펄스신호를 제 1주파수로부터 상기 제 1주파수보다 높은 제 2주파수로 점차적으로 변경하는 것을 특징으로 하는 게이트 구동부.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 스위칭소자의 동작이 중지될 때 상기 펄스 생성부는 상기 펄스신호의 주파수를 높이는 것을 특징으로 하는 게이트 구동부.
  3. 삭제
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 주파수 변경과 무관하게 상기 펄스신호의 듀티비는 일정한 것을 특징으로 하는 게이트 구동부.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 펄스 생성부와 상기 펄스 트랜스포머 사이에 위치되며, 상기 펄스신호의 전압을 승압하기 위한 승압부를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 게이트 구동부.
  6. 게이트 구동부의 구동 방법에 있어서,
    펄스 트랜스포머로 입력되는 펄스신호에 대응하여 스위칭소자를 턴-온 및 턴-오프시키기 위한 게이트전압을 생성하는 단계와,
    상기 스위칭소자의 동작이 중지될 때 상기 펄스신호의 주파수를 변경하는 단계를 포함하되,
    상기 주파수를 변경하는 단계는
    상기 스위칭소자의 동작이 중지될 때 상기 펄스신호의 주파수를 제 1주파수에서 상기 제 1주파수보다 높은 제 2주파수로 점차적으로 변경시키는 것을 특징으로 하는 게이트 구동부의 구동방법.
  7. 삭제
  8. 제 6항에 있어서,
    상기 주파수 변경과 무관하게 상기 펄스신호의 듀티비는 일정한 것을 특징으로 하는 게이트 구동부의 구동방법.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9966837B1 (en) 2016-07-08 2018-05-08 Vpt, Inc. Power converter with circuits for providing gate driving
US10044350B1 (en) * 2017-05-25 2018-08-07 Navitas Semiconductor, Inc. Power FET driver
WO2022024915A1 (ja) * 2020-07-30 2022-02-03 ローム株式会社 駆動回路および制御基板

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2862165A (en) * 1957-09-19 1958-11-25 Collins Radio Co Modulation-conversion switched servo control
JPS57115029A (en) * 1981-01-09 1982-07-17 Tohoku Metal Ind Ltd Driving circuit for switching
US5781040A (en) * 1996-10-31 1998-07-14 Hewlett-Packard Company Transformer isolated driver for power transistor using frequency switching as the control signal
KR19990051463A (ko) 1997-12-19 1999-07-05 김영환 전기 자동차의 게이트 드라이브 회로
US5900683A (en) * 1997-12-23 1999-05-04 Ford Global Technologies, Inc. Isolated gate driver for power switching device and method for carrying out same
KR100325729B1 (ko) 1999-11-19 2002-03-06 류정열 4륜구동차량의 동력전달 단속장치
JP4082672B2 (ja) * 2003-03-06 2008-04-30 株式会社デンソー 電気絶縁型スイッチング素子駆動回路
US6998911B2 (en) 2003-12-18 2006-02-14 International Rectifier Corporation Gate control circuit with soft start/stop function
KR100645310B1 (ko) 2006-06-14 2006-11-15 주식회사 유니룩스 스위치 오프시 일정시간 임의 조도 유지회로
CN101656529A (zh) * 2008-08-18 2010-02-24 力博特公司 晶闸管驱动电路
JP5541044B2 (ja) * 2010-09-28 2014-07-09 サンケン電気株式会社 ゲート駆動回路及びスイッチング電源装置
JP2012143071A (ja) * 2010-12-28 2012-07-26 Canon Inc 電源装置および電子機器
TWI422130B (zh) 2011-01-26 2014-01-01 Macroblock Inc 自適型洩流電路
US8780590B2 (en) * 2012-05-03 2014-07-15 Hong Kong Applied Science & Technology Research Institute Company, Ltd. Output current estimation for an isolated flyback converter with variable switching frequency control and duty cycle adjustment for both PWM and PFM modes
US8755199B2 (en) * 2012-06-20 2014-06-17 Semiconductor Components Industries, Llc Control circuit for a resonant converter or the like and method therefor
EP2712082B1 (en) * 2012-09-21 2015-01-07 Ferroamp Elektronik AB Power switch circuit with planar transformer drive

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