JP2004274057A - 半導体レーザーダイオードのサブマウント、その製造方法及びこれを採用した半導体レーザーダイオード組立体 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 88
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 15
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims abstract description 65
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 29
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 41
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 41
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 10
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 5
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 3
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 description 18
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 14
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 6
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 6
- -1 nitride compound Chemical class 0.000 description 6
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 6
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 5
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 5
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 4
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 3
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 3
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
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- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/0206—Substrates, e.g. growth, shape, material, removal or bonding
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/023—Mount members, e.g. sub-mount members
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/0206—Substrates, e.g. growth, shape, material, removal or bonding
- H01S5/0207—Substrates having a special shape
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
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- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/0233—Mounting configuration of laser chips
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
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- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/0233—Mounting configuration of laser chips
- H01S5/0234—Up-side down mountings, e.g. Flip-chip, epi-side down mountings or junction down mountings
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
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- H01S5/0235—Method for mounting laser chips
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- H01S5/0235—Method for mounting laser chips
- H01S5/02355—Fixing laser chips on mounts
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Abstract
【課題】 半導体レーザーダイオードのサブマウント、その製造方法及びこれを採用した半導体レーザーダイオード組立体を提供する。
【解決手段】 互いに段付きになっている第１電極及び第２電極が備えられた半導体レーザーダイオードチップとフリップ・チップ・ボンディングされる半導体レーザーダイオードのサブマウントにおいて、１電極及び第２電極の段差に対応する高低差を有する第１及び第２段差面が備えられた基板と、第１段差面と第２段差面に同じ厚さに各々形成された第１及び第２金属層と、第１金属層及び第２金属層に同じ厚さに各々形成されて第１電極と第２電極とに各々接合される第１及び第２ソルダ層と、を含む半導体レーザーダイオードのサブマウント。
【選択図】 図４
【解決手段】 互いに段付きになっている第１電極及び第２電極が備えられた半導体レーザーダイオードチップとフリップ・チップ・ボンディングされる半導体レーザーダイオードのサブマウントにおいて、１電極及び第２電極の段差に対応する高低差を有する第１及び第２段差面が備えられた基板と、第１段差面と第２段差面に同じ厚さに各々形成された第１及び第２金属層と、第１金属層及び第２金属層に同じ厚さに各々形成されて第１電極と第２電極とに各々接合される第１及び第２ソルダ層と、を含む半導体レーザーダイオードのサブマウント。
【選択図】 図４
Description
本発明は半導体レーザーダイオードに係り、特に両電極が互いに段付きになって同じ方向に形成された半導体レーザーダイオードチップにフリップ・チップ・ボンディング（ｆｌｉｐ−ｃｈｉｐ−ｂｏｎｄｉｎｇ）されたサブマウント（ｓｕｂ ｍｏｕｎｔ）、その製造方法及びこれを採用した半導体レーザーダイオード組立体に関する。
情報記録の高密度化に対する必要性が増大するにつれ、可視光半導体レーザーダイオードの需要も増大しつつある。これに伴い、可視光レーザー発振ができる多様な形態の化合物半導体レーザーダイオードが登場しており、その中でＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体レーザーダイオードは、遷移方式がレーザー発振確率の高い直接遷移型で青色レーザー発振が可能であるという特性をもっているため特に注目されている。
図１は、従来技術によるｎ型及びｐ型電極が同じ方向に形成されたリッジ導波管を具備するＧａＮ系ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体レーザーダイオードチップの断面図である。
図１を見れば、従来技術によるＧａＮ系ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体レーザーダイオードチップは、ｎ型及びｐ型電極が同側に設けられてｐ型電極側にリッジ導波管が備えられた半導体レーザーダイオードチップであることがわかる。
具体的には、サファイア基板１０上にｎ‐ＧａＮ層１２が形成されており、ｎ‐ＧａＮ層１２は第１及び第２領域Ｒ１、Ｒ２に分けられている。ｎ‐ＧａＮ層１２の第２領域Ｒ２上にｎ型電極１４が形成されている。ｎ‐ＧａＮ層１２の第１領域Ｒ１上に屈折率が順次に大きくなるｎ−ＡｌＧａＮ／ＧａＮ層１６、ｎ‐ＧａＮ層１８、及びＩｎＧａＮ層（２０、活性層）が形成されている。ＩｎＧａＮ層２０上にこれより屈折率が順次に小さくなるｐ−ＧａＮ層２２、ｐ−ＡｌＧａＮ／ＧａＮ層２４及びｐ−ＧａＮ層２６が形成されている。ｐ−ＡｌＧａＮ／ＧａＮ層２４の上部の中央部分はリッジ（或いは、リーブ）状に突出されており、突出された部分の上部にｐ−ＧａＮ層２６が形成されている。ｐ−ＡｌＧａＮ／ＧａＮ層２４は、ｐ−ＧａＮ層２６と連通したチャンネル２７が形成された保護膜２８で覆われている。保護膜２８上にはこのチャンネル２７を介してｐ−ＧａＮ層２６と接触されたｐ型電極３０が形成されている。このような構成によれば、ｐ型電極３０とｎ型電極１４はｈ１だけ段付きになる。
一般に、半導体レーザーダイオードのレーザー発振のための臨界電流及びレーザーモードの安定性は温度と密接な関係があり、温度が高まるにつれて両者の特性はいずれも低下する。したがって、レーザー発振中に活性層で生じる熱を除去してレーザーダイオードの温度が高まることを防止する必要があるが、前記の従来技術によるＧａＮ系ＩＩＩ−Ｖ族半導体レーザーダイオードの場合、基板の熱伝導性が極めて低いので（サファイアの場合、０．５Ｗ／ｃｍＫ程度）、大部分の熱はリッジを通じてのみ放出される。しかし、リッジを通した熱放出は制限的で効果的な熱放出が困難であり、したがってレーザーダイオードの温度上昇を防止して素子の特性低下を防止するのには限界がある。
これによって、図１に示した従来技術による半導体レーザーダイオードチップの場合、図２に示すようにフリップ・チップ・ボンディング技術を用いて活性層で発生する熱の放出を促している。
具体的に、図２を参照すれば、参照符号５０は、半導体レーザーダイオードチップであって、図１に示した従来技術によるＧａＮ系ＩＩＩ−Ｖ族半導体レーザーダイオードの逆転した形状を表す。参照番号４０はサブマウント（ｓｕｂ ｍｏｕｎｔ）、４１は基板、４２ａ及び４２ｂは各々第１及び第２金属層、４４ａ及び４４ｂは各々半導体レーザーダイオードチップ５０のｎ型電極１４及びｐ型電極３０と溶融接合される第１及び第２ソルダ層である。
このように、半導体レーザーダイオードを別に設けられた熱放出構造体にボンディングさせることによって熱放出効率を増加させることができる。
ところが、図２に示すように、１ソルダ層４４ａと第２ソルダ層４４ｂは、ｎ型電極１４とｐ型電極３０との段差ｈ１を補償するためにその厚さが相異なる。即ち、第１及び第２金属層４２ａ、４２ｂの厚さが互いに同様であれば、第１ソルダ層４４ａは第２ソルダ層４４ｂよりｈ１だけ厚い。この場合、第１ソルダ層４４ａと第２ソルダ層４４ｂが各々両電極１４、３０と接合される時に不均一に溶けながら各々のボンディング状態が変わるという問題が発生し得る。図３は、図２に示した従来のサブマウントのソルダ層が溶融された状態を示す平面写真である。図３を見れば、第１ソルダ層４４ａと第２ソルダ層４４ｂが不均一に溶けながら流れたことがわかる。
第１及び第２ソルダ層４４ａ、４４ｂはその化学的構成比が同様であるべきである。第１ソルダ層４４ａと第２ソルダ層４４ｂの化学的構成比が互いに少しだけ異なっても夫々の溶融温度は非常に大きい差となって現れるので、第１ソルダ層４４ａと第２ソルダ層４４ｂが各々二電極１４、３０と接合される場合、同時に溶けず時差をおいて溶けながらそれぞれのボンディング状態が変動するという問題が発生し得る。このような問題点を解決するためには第１及び第２ソルダ層４４ａ、４４ｂを同じ工程で同時に形成する必要がある。
ところが、上述したように第１ソルダ層４４ａ及び第２ソルダ層４４ｂはその厚さが相異なる。したがって、サブマウントの製造工程において第１ソルダ層４４ａと第２ソルダ層４４ｂとを同時に形成することはできず、何れか一方を先に形成してから、他方を形成せねばならない。したがって、このような工程によれば、第１ソルダ層４４ａと第２ソルダ層４４ｂとの化学的構成比が異なる可能性が非常に高い。
上述したように、第１及び第２ソルダ層４４ａ、４４ｂと両電極１４、３０とのボンディング状態が相異なれば、半導体レーザーダイオードチップ５０の動作時に生じる熱が効率的にサブマウント４０に伝えられなくなって熱放出特性が低下する。これによって、活性層２０内部の熱が十分に放出できず半導体レーザーダイオードチップ５０の温度が上昇して活性層２０のレーザー発光特性が低下する。
本発明は前記問題点を解決するために案出されたものであって、本発明の目的は、その厚さと化学的構成比とが同一であるソルダ層を有するサブマウント及びその製造方法と、このサブマウントを備えた半導体レーザーダイオード組立体を提供することである。
前記目的を達成するために、本発明の半導体レーザーダイオードのサブマウントは、互いに段付きになっている第１電極及び第２電極が備えられた半導体レーザーダイオードチップとフリップ・チップ・ボンディングされる半導体レーザーダイオードのサブマウントにおいて、前記第１電極と第２電極との段差に対応する高低差を有する第１及び第２段差面が備えられた基板と、前記第１段差面及び第２段差面に同じ厚さに各々形成された第１及び第２金属層と、前記第１金属層及び第２金属層に同じ厚さに各々形成されて前記第１電極と第２電極とに各々接合される第１及び第２ソルダ層と、を含む。
また、本発明による半導体レーザーダイオード組立体は、互いに段付きになっている第１電極及び第２電極が備えられた半導体レーザーダイオードチップと、前記半導体レーザーダイオードチップとフリップ・チップ・ボンディングされるサブマウントとを含む半導体レーザーダイオード組立体において、前記サブマウントは、前記第１電極と第２電極との段差に対応する高低差を有する第１及び第２段差面が備えられた基板と、前記第１段差面及び第２段差面に同じ厚さに各々形成された第１及び第２金属層と、前記第１金属層及び第２金属層に同じ厚さに各々形成されて前記第１電極と第２電極とに各々接合される第１及び第２ソルダ層と、を含む。
前記目的を達成するために、本発明の半導体レーザーダイオードのサブマウント製造方法は、互いに段付きになっている第１電極及び第２電極が備えられた半導体レーザーダイオードチップとフリップ・チップ・ボンディングされる半導体レーザーダイオードのサブマウント製造方法において、（ａ）基板をエッチングして前記第１電極と第２電極との間の段差に対応する高低差を有する第１及び第２段差面を形成する段階と、（ｂ）前記第１及び第２段差面に各々金属を同じ厚さに蒸着して第１及び第２金属層を形成する段階と、（ｃ）前記第１及び第２金属層にソルダを同じ厚さに蒸着させて前記第１電極と第２電極と各々接合される第１及び第２ソルダ層を形成する段階と、を含む。
前記（ａ）段階は、乾式エッチングによりなることが好ましい。
前記基板は、ＡｌＮ、ＳｉＣ、ＧａＮ又はこれに準ずる熱伝逹係数を有する絶縁物質からなることが好ましい。また、前記第１及び第２金属層は、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ａｕのうち、少なくとも２つ以上の合金からなることが好ましい。また、前記第１及び第２ソルダ層は、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｍｏ、Ｓｎのうち、少なくとも２つ以上の合金からなることが好ましい。
本発明に係る半導体レーザーダイオード組立体及びその製造方法によれば、次のような効果を得ることができる。
半導体レーザーダイオードチップの段付きになって両電極と溶融接合されるサブマウントの両ソルダ層とが同じ厚さを有し、且つ単一工程により同時に生成されてその化学的構成比もほぼ同一になるので、ほぼ同じ溶融特性を示す。
したがって、半導体レーザーダイオードチップとのフリップ・チップ・ボンディング時、両ソルダ層が両電極と均一に溶融接合されることで半導体レーザーダイオードチップの動作時に発生する熱を効果的に放出することができる。これによって、半導体レーザーダイオードチップの発光効率を向上させ得る。
以下、添付した図面に基づいて本発明の好ましい実施形態を詳しく説明する。
図４は、本発明に係る半導体レーザーダイオード組立体の一例を示した断面図である。図４は本発明に係る半導体レーザーダイオード組立体の特徴を明確に示すために多少誇張して表現したものである。
図４を見れば、半導体レーザーダイオードチップ１００とこれにフリップ・チップ・ボンディングされるサブマウント２００が示されている。本実施例の半導体レーザーダイオードチップ１００は、ＧａＮ系列ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体レーザーダイオードチップである。
半導体レーザーダイオードチップ１００は、基板１１０上に順次に積層された第１物質層１２０と活性層１３０及び第２物質層１４０を含む。
基板１１０上には第１化合物半導体層１２１が設けられる。基板１１０は、ＧａＮ又はＳｉＣなどのＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層基板、又はサファイア基板のような高抵抗性基板であり得る。第１化合物半導体層１２１は、ＧａＮ系列のＩＩＩ−Ｖ族窒化物化合物半導体からなるｎ型物質層または非ドープ（Ｕｎｄｏｐｅｄ）物質層であって、ｎ‐ＧａＮ層であることが好ましい。第１化合物半導体層１２１は、第１及び第２領域Ｒ１、Ｒ２に分けられている。第２領域Ｒ２上に第１電極としてｎ型電極１８０が設けられる。
第１化合物半導体層１２１上には第１クラッド層１２２及び共振層１５０が順次に設けられている。第１クラッド層１２２は、ｎ−ＡｌＧａＮ／ＧａＮ層である。共振層１５０は、第１クラッド層１２２上に順次に形成された第１導波層（ｗａｖｅ ｇｕｉｄｅ ｌａｙｅｒ）１２３、活性層１３０及び第２導波層１４１からなっている。第１化合物半導体層１２１、第１クラッド層１２２及び第１導波層１２３は、活性層１３０にレーザー発振を誘導するレージングのための第１物質層１２０である。したがって、第１化合物半導体層１２１は第１物質層１２０の最下物質層になる。活性層１３０は電子−正孔などのキャリア再結合によりレージングが起こる物質層であって、多重量子井戸（ＭＱＷ：Ｍｕｌｔｉ Ｑｕａｎｔｕｍ Ｗｅｌｌ）構造を有するＧａＮ系列のＩＩＩ−Ｖ族窒化物化合物半導体層が好ましく、その中でもＩｎｘＡｌｙＧＡｌ−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、そしてｘ＋ｙ≦１）層であることがさらに好ましい。他に、活性層１３０は、ＧａＮ系列のＩＩＩ−Ｖ族窒化物化合物半導体層にインジウム（Ｉｎ）を所定の割合で含有する物質層、例えば、ＩｎＧａＮ層であり得る。第１及び第２導波層１２３、１４１はＧａＮ系列のＩＩＩ−Ｖ族窒化物化合物半導体層として各々ｎ‐ＧａＮ層及びｐ−ＧａＮ層であることが好ましい。第１及び第２導波層１２３、１４１は活性層１３０に比べて屈折率が低く、第１クラッド層１２２及び後述する第２クラッド層１４２よりは屈折率が高い。共振層１５０上に第２クラッド層１４２及び第２化合物半導体層１４３が順次に形成されている。第２導波層１４１、第２クラッド層１４２及び第２化合物半導体層１４３は、活性層１３０にレーザー発振を誘導するレージングのための第２物質層１４０である。したがって、第２化合物半導体層１４３は第２物質層１４０の最上物質層になる。
第２クラッド層１４２は、共振層１５０の中央に対応する部分がリッジ状に突出された突出部１４４及びこの突出部１４４に比べて厚さが薄い部分１４５からなっている。第２化合物半導体層１４３は、前記第２物質層１４０の最上物質層として第２クラッド層１４２の突出部１４４の上面に設けられている。第２クラッド層１４２は、ドーピング物質がｐ型であることを除いては第１クラッド層１２２と同じ物質層である。第２化合物半導体層１４３は、ＧａＮ系列のＩＩＩ−Ｖ族窒化物化合物半導体層であって、ｐ型導電性不純物がドーピングされた直接遷移型であることが好ましく、その中でもｐ−ＧａＮ層がさらに好ましい。また、第１化合物半導体層１２１と同様に、ＧａＮ層、アルミニウム（Ａｌ）やインジウム（Ｉｎ）を所定の割合で含有するＡｌＧａＮ層またはＩｎＧａＮ層であり得る。第２クラッド層１４２は、第２化合物半導体層１４３と連通したチャンネル１６１が備えられた保護膜１６０により覆われている。保護膜１６０上にはチャンネル１６１を介して第２化合物半導体層１４３と接触される第２電極としてｐ型電極１７０が設けられる。
前記のような半導体レーザーダイオードチップ１００においては、ｐ型電極１７０とｎ型電極１８０とが互いに段付きになっている。
サブマウント２００は、半導体ダイオードチップ１００とフリップ・−チップ・−ボンディングされて半導体ダイオードチップ１００の動作時に発生する熱を放出するものであって、基板２１０と第１、第２金属層２２１、２２２、及び第１、第２ソルダ層２３１、２３２を含む。
基板２１０には第１段差面２１１と第２段差面２１２とが備えられる。第１及び第２段差面２１１、２１２はｐ型電極１７０及びｎ型電極１８０と各々対面する位置に形成され、両段差面２１１、２１２間の高低差（ｈ２）は、ｐ型電極１８０とｎ型電極１７０との高低差と同一にすることが好ましい。基板２１０は、ＡｌＮ、ＳｉＣ、ＧａＮまたはこれに準ずる熱伝逹係数を有する絶縁物質からなることが好ましい。
第１段差面２１１及び第２段差面２１２には、各々第１金属層２２１及び第２金属層２２２が設けられる。第１及び第２金属層２２１、２２２は、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ａｕのうち少なくとも２つ以上の合金、例えば、Ｃｒ／Ａｕ、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ等からなることが好ましい。
第１及び第２金属層２２１、２２２上にはｐ型電極１７０及びｎ型電極１８０と各々接合される第１及び第２ソルダ層２３１、２３２が設けられる。第１及び第２ソルダ層２３１、２３２は、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｍｏ、Ｓｎのうち少なくとも２つ以上の合金、例えば、Ａｕ／Ｓｎ、Ｐｔ／Ａｕ／Ｓｎ、Ｃｒ／Ａｕ／Ｓｎ等からなることが好ましい。
第１金属層２２１、第１ソルダ層２３１は、各々第２金属層２２２、第２ソルダ層２３２と互いに分離され、絶縁されることが好ましい。このために第１金属層２２１と第２金属層２２２との間に絶縁層２４０がさらに設けられ得る。絶縁層２４０は、図４に示すように第１段差面２１１と第２段差面２１２の境界面２１３から第１金属層２２１まで延びて形成され得る。
第１金属層２２１と第２金属層２２２、第１ソルダ層２３１と第２ソルダ層２３２は、その厚さが相等しいことが好ましい。このような構成によれば、第１ソルダ層２３１と第２ソルダ層２３２間の高低差はｐ型電極１７０とｎ型電極１８０間の高低差と同一になる。
したがって、半導体レーザーダイオードチップ１００にサブマウント２００を載せれば、ｐ型電極１７０と第１ソルダ層２３１、ｎ型電極１８０と第２ソルダ層２３２とが自然に接触される。この状態で熱を加えれば、第１及び第２ソルダ層２３１、２３２の厚さが相等しいので、第１及び第２ソルダ層２３１、２３２が同じ温度で同時に溶融されながら各々ｐ型電極１７０、ｎ型電極１８０と均一に接合される。図５は、本発明に係るサブマウント２００の第１及び第２ソルダ層２３１、２３２が溶融された状態を撮影した写真である。図５を見れば、図３と比べた時、第１及び第２ソルダ層２３１、２３２が均一に溶けたことがわかる。したがって、サブマウント２００を通した熱放出効率も向上し、これによって半導体レーザーダイオードチップ１００の発光特性も向上する。
以下に、図６Ａ乃至図６Ｄを参照して本発明に係るサブマウント製造方法の一例を説明する。
まず、図６Ａに示すように、ＡｌＮ、ＳｉＣ、ＧａＮ又はこれに準ずる熱伝逹係数を有する絶縁物質からなる基板２１０上にエッチングマスクＭを形成する。その後、マスキングされない基板２１０面を所定深さにエッチングし、エッチングマスクＭを除去する。前記のようにして、図６Ｂに示すようにエッチングされない第１段差面２１１と所定深さにエッチングされた第２段差面２１２とが形成される。図７は、エッチングされた基板２１０を撮影した写真である。この時、エッチング深さを調節して第１段差面２１１と第２段差面２１２との高低差を前記の半導体レーザーダイオードチップ１００のｐ型電極１７０とｎ型電極１８０との高低差と同一にする。この時、乾式エッチングを使用することが好ましい。
次に、第１及び第２段差面２１１、２１２に第１及び第２金属層２２１、２２２が形成される部分を定義するマスキングをし、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ａｕのうち少なくとも２つ以上の合金、例えば、Ｃｒ／Ａｕ、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕなどを所定厚さに蒸着させる。その後、マスキングを除去すれば図６Ｃに示すように第１及び第２段差面２１１、２１２に各々第１及び第２金属層２２１、２２２が形成される。この時、第１及び第２金属層２２１、２２２はその厚さが相等しいことが好ましい。
次に、第１及び第２金属層２２１、２２２上に第１及び第２ソルダ層２３１、２３２が形成される部分を定義するマスキングをし、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｍｏ、Ｓｎのうち少なくとも２つ以上の合金、例えば、Ａｕ／Ｓｎ、Ｐｔ／Ａｕ／Ｓｎ、Ｃｒ／Ａｕ／Ｓｎなどを所定厚さに蒸着させる。その後、マスキングを除去すれば図６Ｄに示すように第１及び第２金属層２２１、２２２上に各々第１及び第２ソルダ層２３１、２３２が形成される。この時、第１及び第２ソルダ層２３１、２３２はその厚さが互いに同一に形成されることが好ましい。本工程においては、第１ソルダ層２３１と第２ソルダ層２３２とを同時に形成することが好ましい。そうすると、第１ソルダ層２３１と第２ソルダ層２３２とをなす金属物質の化学的構成比がほぼ同一になる。
前記の工程を完了すれば、第１ソルダ層２３１と第２ソルダ層２３２間の高低差と半導体レーザーダイオードチップ１００のｐ型電極１７０とｎ型電極１８０との高低差とが同一なサブマウント２００を得ることができる。
本発明は前記の説明及び図面に示したものに限定されることはなく、請求の範囲内で多様な変形及び変容例が可能であることは言うまでもない。
半導体チップ、特に両電極が互いに段付きになって同じ方向に形成された半導体レーザーダイオードチップとフリップ・チップ・ボンディングされるサブマウントと、その製造方法に適用される。
２００ サブマウント、
１１０ 基板、
１２０ 第１物質層、
１３０ 活性層、
１４０ 第２物質層、
１５０ 共振層、
１２１ 第１化合物半導体層、
１２２ 第１クラッド層、
１２３ 第１導波層、
１４１ 第２導波層、
１４２ 第２クラッド層、
１４３ 第２化合物半導体層、
１４４ 突出部、
１６０ 保護膜、
１６１ チャンネル、
１７０ ｐ型電極、
１８０ ｎ型電極、
２１０ 基板、
２１１ 第１段差面、
２１２ 第２段差面、
２２１ 第１金属層、
２２２ 第２金属層、
２３１ 第１ソルダ層、
２３２ 第２ソルダ層、
２４０ 絶縁層。
１１０ 基板、
１２０ 第１物質層、
１３０ 活性層、
１４０ 第２物質層、
１５０ 共振層、
１２１ 第１化合物半導体層、
１２２ 第１クラッド層、
１２３ 第１導波層、
１４１ 第２導波層、
１４２ 第２クラッド層、
１４３ 第２化合物半導体層、
１４４ 突出部、
１６０ 保護膜、
１６１ チャンネル、
１７０ ｐ型電極、
１８０ ｎ型電極、
２１０ 基板、
２１１ 第１段差面、
２１２ 第２段差面、
２２１ 第１金属層、
２２２ 第２金属層、
２３１ 第１ソルダ層、
２３２ 第２ソルダ層、
２４０ 絶縁層。
Claims (10)
- 互いに段付きになっている第１電極及び第２電極が備えられた半導体レーザーダイオードチップとフリップ・チップ・ボンディングされる半導体レーザーダイオードのサブマウントにおいて、
前記第１電極と第２電極との段差に対応する高低差を有する第１及び第２段差面が備えられた基板と、
前記第１段差面及び第２段差面に同じ厚さに各々形成された第１及び第２金属層と、
前記第１金属層及び第２金属層に同じ厚さに各々形成されて前記第１電極と第２電極とに各々接合される第１及び第２ソルダ層と、
を含む半導体レーザーダイオードのサブマウント。 - 前記基板は、ＡｌＮ、ＳｉＣ、ＧａＮ又はこれに準ずる熱伝逹係数を有する絶縁物質からなることを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザーダイオードのサブマウント。
- 前記第１及び第２金属層は、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ａｕのうち、少なくとも２つ以上の合金からなることを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザーダイオードのサブマウント。
- 前記第１及び第２ソルダ層は、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｍｏ、Ｓｎのうち、少なくとも２つ以上の合金からなることを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザーダイオードのサブマウント。
- 互いに段付きになっている第１電極及び第２電極が備えられた半導体レーザーダイオードチップと、前記半導体レーザーダイオードチップとフリップ・チップ・ボンディングされるサブマウントとを含む半導体レーザーダイオード組立体において、
前記サブマウントは、
前記第１電極と第２電極との段差に対応する高低差を有する第１及び第２段差面が備えられた基板と、
前記第１段差面及び第２段差面に同じ厚さに各々形成された第１及び第２金属層と、
前記第１金属層及び第２金属層に同じ厚さに各々形成されて前記第１電極と第２電極とに各々接合される第１及び第２ソルダ層と、
を含む半導体レーザーダイオード組立体。 - 互いに段付きになっている第１電極及び第２電極が備えられた半導体レーザーダイオードチップとフリップ・チップ・ボンディングされる半導体レーザーダイオードのサブマウント製造方法において、
（ａ）基板をエッチングして前記第１電極と第２電極との間の段差に対応する高低差を有する第１及び第２段差面を形成する段階と、
（ｂ）前記第１及び第２段差面に各々金属を同じ厚さに蒸着して第１及び第２金属層を形成する段階と、
（ｃ）前記第１及び第２金属層にソルダを同じ厚さに蒸着させて前記第１電極と第２電極と各々接合される第１及び第２ソルダ層を形成する段階と、
を含む半導体レーザーダイオードのサブマウント製造方法。 - 前記（ａ）段階は、乾式エッチングにより行われることを特徴とする請求項６に記載の半導体レーザーダイオードのサブマウント製造方法。
- 前記基板は、ＡｌＮ、ＳｉＣ、ＧａＮ又はこれに準ずる熱伝逹係数を有する絶縁物質であることを特徴とする請求項６に記載の半導体レーザーダイオードのサブマウント製造方法。
- 前記第１及び第２金属層は、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ａｕのうち、少なくとも２つ以上の合金からなることを特徴とする請求項６に記載の半導体レーザーダイオードのサブマウント製造方法。
- 前記第１及び第２ソルダ層は、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｍｏ、Ｓｎのうち、少なくとも２つ以上の合金からなることを特徴とする請求項６に記載の半導体レーザーダイオードのサブマウント製造方法。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020030014613A KR100958054B1 (ko) | 2003-03-08 | 2003-03-08 | 반도체 레이저 다이오드의 서브 마운트, 그 제조방법 및이를 채용한 반도체 레이저 다이오드 조립체 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2004274057A true JP2004274057A (ja) | 2004-09-30 |
Family
ID=36776511
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2004062190A Withdrawn JP2004274057A (ja) | 2003-03-08 | 2004-03-05 | 半導体レーザーダイオードのサブマウント、その製造方法及びこれを採用した半導体レーザーダイオード組立体 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US7092420B2 (ja) |
| EP (1) | EP1458036B1 (ja) |
| JP (1) | JP2004274057A (ja) |
| KR (1) | KR100958054B1 (ja) |
| CN (1) | CN100468893C (ja) |
| DE (1) | DE60302427T2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013201456A (ja) * | 2004-12-14 | 2013-10-03 | Seoul Opto Devices Co Ltd | 複数の発光セルを有する発光素子 |
| US20170105287A1 (en) * | 2015-10-12 | 2017-04-13 | Tyco Electronics Corporation | Process of Producing Electronic Component and an Electronic Component |
Families Citing this family (31)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100964399B1 (ko) * | 2003-03-08 | 2010-06-17 | 삼성전자주식회사 | 반도체 레이저 다이오드 및 이를 채용한 반도체 레이저다이오드 조립체 |
| CN100576662C (zh) * | 2004-11-01 | 2009-12-30 | 中国科学院半导体研究所 | 利用倒装焊技术制作氮化镓基激光器管芯的方法 |
| KR101106148B1 (ko) * | 2004-12-14 | 2012-01-20 | 서울옵토디바이스주식회사 | 발광 소자 |
| KR101086995B1 (ko) * | 2004-12-29 | 2011-11-29 | 엘지전자 주식회사 | 발광 소자 조립용 서브 마운트 기판 및 그의 제조 방법 |
| US8076680B2 (en) * | 2005-03-11 | 2011-12-13 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | LED package having an array of light emitting cells coupled in series |
| KR101100425B1 (ko) * | 2005-05-07 | 2011-12-30 | 삼성전자주식회사 | 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조방법 |
| KR100598357B1 (ko) * | 2005-05-24 | 2006-07-06 | 엘지전자 주식회사 | 발광소자용 서브마운트 기판 |
| JP5113478B2 (ja) * | 2006-10-13 | 2013-01-09 | 三洋電機株式会社 | 半導体発光素子、照明装置および半導体発光素子の製造方法 |
| US7816155B2 (en) * | 2007-07-06 | 2010-10-19 | Jds Uniphase Corporation | Mounted semiconductor device and a method for making the same |
| KR101475093B1 (ko) * | 2007-12-28 | 2014-12-22 | 에이저 시스템즈 엘엘시 | 델타 도핑된 활성 영역을 갖는 도파로 디바이스 |
| CN102202484B (zh) * | 2010-03-23 | 2014-04-16 | 施耐德东芝换流器欧洲公司 | 散热系统诊断方法 |
| US8456961B1 (en) | 2011-03-22 | 2013-06-04 | Western Digital (Fremont), Llc | Systems and methods for mounting and aligning a laser in an electrically assisted magnetic recording assembly |
| US8518748B1 (en) | 2011-06-29 | 2013-08-27 | Western Digital (Fremont), Llc | Method and system for providing a laser submount for an energy assisted magnetic recording head |
| US8288204B1 (en) | 2011-08-30 | 2012-10-16 | Western Digital (Fremont), Llc | Methods for fabricating components with precise dimension control |
| US8665677B1 (en) | 2011-12-19 | 2014-03-04 | Western Digital (Fremont), Llc | Disk drive magnetic read head with affixed and recessed laser device |
| US9475151B1 (en) | 2012-10-30 | 2016-10-25 | Western Digital (Fremont), Llc | Method and apparatus for attaching a laser diode and a slider in an energy assisted magnetic recording head |
| US9431037B2 (en) | 2013-03-12 | 2016-08-30 | Western Digitatl (Fremont), LLC | Systems and methods for monitoring the power of a light source utilized in energy-assisted magnetic recording |
| US8897102B1 (en) | 2013-04-02 | 2014-11-25 | Western Digital (Fremont), Llc | Method and system for measuring light delivery offsets in a heat assisted magnetic recording head |
| US9001628B1 (en) | 2013-12-16 | 2015-04-07 | Western Digital (Fremont), Llc | Assistant waveguides for evaluating main waveguide coupling efficiency and diode laser alignment tolerances for hard disk |
| CN104979224B (zh) * | 2014-04-04 | 2017-10-20 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 一种器件封装互联方法 |
| US9042048B1 (en) | 2014-09-30 | 2015-05-26 | Western Digital (Fremont), Llc | Laser-ignited reactive HAMR bonding |
| US9902023B1 (en) | 2014-10-28 | 2018-02-27 | Western Digital (Fremont), Llc | Systems and devices for achieving high throughput attachment and sub-micron alignment of components |
| US10622785B2 (en) | 2015-01-30 | 2020-04-14 | University Of Southern California | Micro-VCSELs in thermally engineered flexible composite assemblies |
| KR102373677B1 (ko) * | 2015-08-24 | 2022-03-14 | 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 | 발광소자 |
| TWI620352B (zh) * | 2017-01-20 | 2018-04-01 | 大光能源科技有限公司 | 覆晶發光二極體及其製造方法 |
| CN110289548B (zh) * | 2019-06-17 | 2021-04-27 | 威科赛乐微电子股份有限公司 | flip chip型VCSEL芯片及其制造方法 |
| DE102020132133A1 (de) | 2020-12-03 | 2022-06-09 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Strahlungsemittierendes laserbauteil und verfahren zur herstellung eines strahlungsemittierenden laserbauteils |
| US11557874B2 (en) * | 2021-05-18 | 2023-01-17 | Trumpf Photonics, Inc. | Double-sided cooling of laser diodes |
| US11876343B2 (en) | 2021-05-18 | 2024-01-16 | Trumpf Photonics, Inc. | Laser diode packaging platforms |
| CN114908320A (zh) * | 2022-04-14 | 2022-08-16 | 广东工业大学 | 一种免刻蚀的半导体激光器热沉结构及其制备方法和应用 |
| CN116613626B (zh) * | 2023-07-21 | 2023-09-26 | 南昌凯迅光电股份有限公司 | 一种AuSn电极背面出光VCSEL芯片及其制备方法 |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB8728342D0 (en) * | 1987-12-03 | 1988-01-06 | Bt & D Technologies Ltd | Light sources |
| TW381411B (en) * | 1997-01-20 | 2000-02-01 | Oki Electric Ind Co Ltd | Assembly unit for optical semiconductor components and the supporting substrate and the method for embedding optical semiconductor components on the supporting substrate |
| US6281524B1 (en) * | 1997-02-21 | 2001-08-28 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light-emitting device |
| JP3822318B2 (ja) * | 1997-07-17 | 2006-09-20 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子及びその製造方法 |
| US6266355B1 (en) * | 1997-09-12 | 2001-07-24 | Sdl, Inc. | Group III-V nitride laser devices with cladding layers to suppress defects such as cracking |
| JP2001168442A (ja) | 1999-12-07 | 2001-06-22 | Sony Corp | 半導体レーザ素子の製造方法、配設基板および支持基板 |
| JP4897133B2 (ja) | 1999-12-09 | 2012-03-14 | ソニー株式会社 | 半導体発光素子、その製造方法および配設基板 |
| JP2001339121A (ja) * | 2000-05-29 | 2001-12-07 | Sharp Corp | 窒化物半導体発光素子とそれを含む光学装置 |
| US6657237B2 (en) * | 2000-12-18 | 2003-12-02 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | GaN based group III-V nitride semiconductor light-emitting diode and method for fabricating the same |
| KR100413808B1 (ko) * | 2000-12-18 | 2003-12-31 | 삼성전기주식회사 | ＧａＮ계열 Ⅲ-Ⅴ족 질화물 반도체 발광 소자 및 그 제조방법 |
| US6630689B2 (en) * | 2001-05-09 | 2003-10-07 | Lumileds Lighting, U.S. Llc | Semiconductor LED flip-chip with high reflectivity dielectric coating on the mesa |
| KR100789112B1 (ko) * | 2002-02-06 | 2007-12-26 | 주식회사 엘지이아이 | 화합물 반도체 발광 소자의 제조 방법 |
| JP3882712B2 (ja) * | 2002-08-09 | 2007-02-21 | 住友電気工業株式会社 | サブマウントおよび半導体装置 |
| KR101086995B1 (ko) * | 2004-12-29 | 2011-11-29 | 엘지전자 주식회사 | 발광 소자 조립용 서브 마운트 기판 및 그의 제조 방법 |
-
2003
- 2003-03-08 KR KR1020030014613A patent/KR100958054B1/ko active IP Right Grant
- 2003-12-09 CN CNB200310120206XA patent/CN100468893C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2003-12-11 US US10/732,241 patent/US7092420B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2003-12-15 EP EP03257874A patent/EP1458036B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2003-12-15 DE DE60302427T patent/DE60302427T2/de not_active Expired - Lifetime
-
2004
- 2004-03-05 JP JP2004062190A patent/JP2004274057A/ja not_active Withdrawn
-
2006
- 2006-06-30 US US11/477,911 patent/US20070015313A1/en not_active Abandoned
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013201456A (ja) * | 2004-12-14 | 2013-10-03 | Seoul Opto Devices Co Ltd | 複数の発光セルを有する発光素子 |
| US20170105287A1 (en) * | 2015-10-12 | 2017-04-13 | Tyco Electronics Corporation | Process of Producing Electronic Component and an Electronic Component |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100958054B1 (ko) | 2010-05-13 |
| CN1527448A (zh) | 2004-09-08 |
| EP1458036A1 (en) | 2004-09-15 |
| KR20040079635A (ko) | 2004-09-16 |
| US7092420B2 (en) | 2006-08-15 |
| CN100468893C (zh) | 2009-03-11 |
| DE60302427T2 (de) | 2006-08-24 |
| DE60302427D1 (de) | 2005-12-29 |
| US20070015313A1 (en) | 2007-01-18 |
| US20050002428A1 (en) | 2005-01-06 |
| EP1458036B1 (en) | 2005-11-23 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20061130 |
|
| A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20090508 |