JP2004274042A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004274042A5 JP2004274042A5 JP2004043325A JP2004043325A JP2004274042A5 JP 2004274042 A5 JP2004274042 A5 JP 2004274042A5 JP 2004043325 A JP2004043325 A JP 2004043325A JP 2004043325 A JP2004043325 A JP 2004043325A JP 2004274042 A5 JP2004274042 A5 JP 2004274042A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- layer
- nitride semiconductor
- semiconductor device
- insulating film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims 51
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 45
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims 32
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical group [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 14
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 9
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims 4
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000005275 alloying Methods 0.000 claims 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims 1
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004043325A JP4547933B2 (ja) | 2003-02-19 | 2004-02-19 | 窒化物半導体素子 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003041060 | 2003-02-19 | ||
JP2004043325A JP4547933B2 (ja) | 2003-02-19 | 2004-02-19 | 窒化物半導体素子 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004274042A JP2004274042A (ja) | 2004-09-30 |
JP2004274042A5 true JP2004274042A5 (enrdf_load_stackoverflow) | 2007-04-05 |
JP4547933B2 JP4547933B2 (ja) | 2010-09-22 |
Family
ID=33134140
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004043325A Expired - Fee Related JP4547933B2 (ja) | 2003-02-19 | 2004-02-19 | 窒化物半導体素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4547933B2 (enrdf_load_stackoverflow) |
Families Citing this family (34)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4956928B2 (ja) * | 2004-09-28 | 2012-06-20 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体装置 |
JP2006108297A (ja) * | 2004-10-04 | 2006-04-20 | ▲さん▼圓光電股▲ふん▼有限公司 | 窒化ガリウム系発光ダイオードの低電気抵抗n型コンタクト層の構造 |
WO2006043796A1 (en) * | 2004-10-22 | 2006-04-27 | Seoul Opto-Device Co., Ltd. | Gan compound semiconductor light emitting element and method of manufacturing the same |
JP2006128558A (ja) * | 2004-11-01 | 2006-05-18 | Sony Corp | 半導体レーザ、半導体レーザの実装方法、半導体レーザ実装構造体および光ディスク装置 |
JP2006245555A (ja) * | 2005-02-07 | 2006-09-14 | Showa Denko Kk | 透光性電極 |
JP2006324427A (ja) * | 2005-05-18 | 2006-11-30 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ |
KR101041843B1 (ko) * | 2005-07-30 | 2011-06-17 | 삼성엘이디 주식회사 | 질화물계 화합물 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
KR101154744B1 (ko) * | 2005-08-01 | 2012-06-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 질화물 발광 소자 및 그 제조 방법 |
JP4841909B2 (ja) * | 2005-09-14 | 2011-12-21 | 昭和電工株式会社 | 窒化物系半導体発光素子 |
JP4791119B2 (ja) * | 2005-09-16 | 2011-10-12 | 昭和電工株式会社 | 窒化物系半導体発光素子の製造方法 |
JP2007184411A (ja) | 2006-01-06 | 2007-07-19 | Sony Corp | 発光ダイオードおよびその製造方法ならびに集積型発光ダイオードおよびその製造方法ならびに発光ダイオードバックライトならびに発光ダイオード照明装置ならびに発光ダイオードディスプレイならびに電子機器ならびに電子装置およびその製造方法 |
JP4940670B2 (ja) * | 2006-01-25 | 2012-05-30 | 住友電気工業株式会社 | 窒化物半導体発光素子を作製する方法 |
JP2008181910A (ja) * | 2007-01-23 | 2008-08-07 | Mitsubishi Chemicals Corp | GaN系発光ダイオード素子の製造方法 |
JP5092419B2 (ja) * | 2007-01-24 | 2012-12-05 | 三菱化学株式会社 | GaN系発光ダイオード素子 |
JP4860499B2 (ja) * | 2007-02-05 | 2012-01-25 | 浜松ホトニクス株式会社 | 半導体発光素子および半導体発光素子製造方法 |
JP4952534B2 (ja) * | 2007-11-20 | 2012-06-13 | 三菱電機株式会社 | 窒化物半導体発光素子の製造方法 |
JP2009260316A (ja) * | 2008-03-26 | 2009-11-05 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 半導体発光素子およびそれを用いる照明装置 |
JP5186259B2 (ja) * | 2008-03-26 | 2013-04-17 | パナソニック株式会社 | 半導体発光素子およびそれを用いる照明装置 |
KR101000276B1 (ko) | 2008-12-04 | 2010-12-10 | 주식회사 에피밸리 | 반도체 발광소자 |
EP2249406B1 (en) * | 2009-05-04 | 2019-03-06 | LG Innotek Co., Ltd. | Light emitting diode |
KR100999806B1 (ko) | 2009-05-21 | 2010-12-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
KR101014013B1 (ko) | 2009-10-15 | 2011-02-10 | 엘지이노텍 주식회사 | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
KR101134731B1 (ko) | 2009-10-22 | 2012-04-13 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 및 그 제조방법 |
JP2011096870A (ja) * | 2009-10-30 | 2011-05-12 | Nichia Corp | 窒化物半導体レーザ素子 |
JP2013012559A (ja) * | 2011-06-29 | 2013-01-17 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光素子の製造方法 |
JP5440565B2 (ja) * | 2011-07-25 | 2014-03-12 | 住友電気工業株式会社 | Iii族窒化物半導体レーザ、半導体レーザ装置 |
JP6090111B2 (ja) * | 2013-05-29 | 2017-03-08 | 豊田合成株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
CN105723529B (zh) * | 2013-11-19 | 2019-03-01 | 亮锐控股有限公司 | 固态发光器件和制造固态发光器件的方法 |
JP6738169B2 (ja) * | 2016-03-11 | 2020-08-12 | Dowaエレクトロニクス株式会社 | 半導体光デバイスおよびその製造方法 |
JP6570702B1 (ja) * | 2018-05-29 | 2019-09-04 | 日機装株式会社 | 半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法 |
JP7296002B2 (ja) * | 2018-11-15 | 2023-06-21 | 日機装株式会社 | 半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法 |
JP7307662B2 (ja) * | 2019-10-31 | 2023-07-12 | 日機装株式会社 | 半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法 |
US12142677B2 (en) * | 2021-07-27 | 2024-11-12 | Nuvoton Technology Corporation Japan | Semiconductor device |
JP7728925B1 (ja) * | 2024-06-25 | 2025-08-25 | 日機装株式会社 | 半導体発光素子の製造方法 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000299528A (ja) * | 1999-04-12 | 2000-10-24 | Nec Corp | 半導体レーザおよびその製造方法 |
JP4148664B2 (ja) * | 2001-02-02 | 2008-09-10 | 三洋電機株式会社 | 窒化物系半導体レーザ素子およびその形成方法 |
JP2002335048A (ja) * | 2001-03-06 | 2002-11-22 | Sony Corp | 窒化物系半導体レーザ素子及びその製造方法 |
-
2004
- 2004-02-19 JP JP2004043325A patent/JP4547933B2/ja not_active Expired - Fee Related