JP2004269636A - 半導体封止用無機質充填剤、エポキシ樹脂組成物および半導体封止装置 - Google Patents
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- YKTNYEHAKOWIAK-BAQGIRSFSA-N C/C=C\C(CCCC1CCCCC1)=C Chemical compound C/C=C\C(CCCC1CCCCC1)=C YKTNYEHAKOWIAK-BAQGIRSFSA-N 0.000 description 1
- MDWMIHFDUVTPJX-UHFFFAOYSA-N CC(C)C(C)(CC1)CCC(C2)C1CCC(CC1CCC(CC(C)(C)C)CC1)CC2O Chemical compound CC(C)C(C)(CC1)CCC(C2)C1CCC(CC1CCC(CC(C)(C)C)CC1)CC2O MDWMIHFDUVTPJX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 0 Cc(cc1)ccc1-c1ccc(*)cc1 Chemical compound Cc(cc1)ccc1-c1ccc(*)cc1 0.000 description 1
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Abstract
【解決手段】カーボンブラック1重量部に対し溶融シリカ粉末など無機充填剤2〜500重量部の割合にドライブレンドし、その後に半導体パッケージのピン間隔やワイヤー間隔以上など所望の粗粒分をカットしたものである半導体封止用の無機質充填剤と、(A)エポキシ樹脂、(B)フェノール硬化剤、(C)硬化促進剤とともに(D)上記の半導体封止用の無機質充填剤を必須成分とするエポキシ樹脂組成物と、半導体封止装置である。
【選択図】 なし
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、ファインピッチ化した半導体パッケージを絶縁性に優れたものとする半導体封止用の無機充填剤、エポキシ樹脂組成物および半導体封止装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
電気・電子部品の封止用途として使用されているエポキシ樹脂組成物は、外乱光による動作不良を防止する目的でカーボンブラックなどの着色剤を使用しているが、近年の電子部品の軽薄短小化に伴う半導体パッケージのファインピッチ化のため、導電性のあるカーボンブラックの粒子が、ピン間隔およびワイヤー間隔より大きいとリーク不良などの絶縁性不良となるため、粗粒分のカットを行っている。
【0003】
一方、ピン間隔およびワイヤー間隔が狭くなるにつれ、隙間の流動性保持のために低粘度の樹脂を主剤としたエポキシ樹脂組成物を使用して半導体パッケージの組み立てが行われているが、低粘度の樹脂を用いてエポキシ樹脂組成物を製造する際には、従来よりも混練時にトルクがかかりにくく、カーボンブラックなどが分散しづらくなっている。
【0004】
このため、カーボンブラックの粗粒カット粒径をさらに小さくしなければならないが、カーボンブラック単体での篩による粗粒分カットでは非常に時間がかかり、また篩による粗粒分カット後に2次凝集が起こる等の問題があった。また、アゾ染料などの有機染料は、それ自体の絶縁性が高いが、耐熱性が低く、半導体組み立て工程の熱履歴により熱分解し、外乱光の隠ぺい率が落ちるという問題があった。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
従って、本発明の目的は、ファインピッチ化した半導体パッケージを絶縁性に優れたものとする半導体封止用の無機充填剤、エポキシ樹脂組成物およびその硬化物で封止された半導体封止装置を提供しようとするものである。
【0006】
【課題を解決するための手段】
本発明者は、上記の目的を達成しようと鋭意研究を重ねた結果、カーボンブラックを無機充填剤中に予めドライブレンドした後、粗粒分をカットしたものを着色剤として用いることにより、従来の無機充填剤とカーボンブラックを別々で篩うよりも作業性および歩留まりが大幅に向上し、熱履歴を受けても変色が少なくリーク不良などを起こすことのない、絶縁性に優れたエポキシ樹脂組成物と半導体封止装置が得られることを見いだし、本発明を完成したものである。
【0007】
即ち、本発明の半導体封止用の無機充填剤は、カーボンブラック1重量部に対し無機充填剤2〜500重量部の割合にドライブレンドし、その後に粗粒分をカットしてなることを特徴とする。
【0008】
また、本発明のエポキシ樹脂組成物は、
(A)エポキシ樹脂、(B)フェノール硬化剤、(C)硬化促進剤および(D)請求項1記載の無機充填剤を必須成分とすることを特徴とするもの、
(A)150℃におけるICI粘度が0.10Pa・s以下であるエポキシ樹脂、(B)フェノール硬化剤、(C)硬化促進剤および(D)請求項1記載の無機充填剤を必須成分とし、(D)の無機充填剤を含む無機充填剤の合計含有率が、樹脂組成物全体に対して80〜95重量%であることを特徴とするもの、または(A)次の一般式に示されるフェノールベンズアルデヒド樹脂のエポキシ化物、
【化5】
(但し、R1 ,R2 ,R3 は水素原子またはアルキル基を、nは1以上の整数をそれぞれ表す)
または次の一般式化6〜8のいずれかに示されるナフタレン骨格含有エポキシ樹脂
【化6】
(但し、nは0または1以上の整数を表す)
【化7】
(但し、nは1以上の整数を表す)
【化8】
(但し、nは0または1以上の整数を表す)
(B)フェノール硬化剤、(C)硬化促進剤および(D)請求項1記載の無機充填剤を必須成分とし、(D)の無機充填剤を含む無機充填剤の合計含有率が、樹脂組成物全体に対して70〜95重量%であることを特徴とするものである。
【0009】
そして本発明の半導体封止装置は、上記したエポキシ樹脂組成物の硬化物によって半導体チップが封止されてなることを特徴とする。
【0010】
以下、本発明を詳細に説明する。
【0011】
本発明に用いる(A)エポキシ樹脂としては、前記の一般式化5〜8で示されるもののほか、耐湿信頼性などから好ましくは、下記の一般式のもの
【化9】
(但し、式中、nは1以上の整数を表す)
【化10】
(但し、式中、nは0または1以上の整数を表す)
【化11】
【化12】
(但し、式中、nは1以上の整数を表す)
等が挙げられ、これらは単独又は2種以上混合して使用することができる。また、これらエポキシ樹脂は、150℃におけるICI粘度0.10Pa・s以下のものを用いることが、充填性のうえから好ましい。そしてまた、これらエポキシ樹脂には、ビスフェノールA型エポキシ樹脂やビスフェノールF型エポキシ樹脂、またこれらの臭素化エポキシ樹脂等、その他一般公知のエポキシ樹脂を併用することができる。
【0012】
本発明に用いる(B)フェノール硬化剤としては、フェノール性水酸基を2個以上有するフェノール樹脂であれば種類を問わないが、やはり耐湿信頼性などから好ましくは、下記一般式のもの
【化13】
(但し、式中、nは1以上の整数を表す)
【化14】
(但し、式中、nは1以上の整数を表す)
【化15】
(但し、式中、nは1以上の整数を表す)
【化16】
(但し、式中、nは0または1以上の整数を表す)
等が挙げられ、これらは単独又は2種以上混合して使用することができる。また、このフェノール硬化剤には、本発明の目的に反しない限度において、ナフトールアラルキル樹脂等その他の一般公知のフェノール樹脂を併用することができる。
【0013】
本発明に用いる(C)硬化促進剤としては、不純物濃度が低いものが好ましく使用される。具体的には、トリフェニルホスフィン又はその他の公知のリン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤、DBU(ジアザビシクロウンデセン)系硬化促進剤、その他のエポキシ樹脂用硬化促進剤を単独又は2種以上混合して使用することができる。(C)硬化促進剤の配合割合は、樹脂組成物に対して0.01〜5重量%含有することが望ましい。その割合が0.01重量%未満では樹脂組成物のゲルタイムが長く、半導体封止装置の生産サイクルが長くなってしまい好ましくない。また、5重量%を超えると極端に流動性が悪くなるため充填性が悪くなり、また実装後の耐湿信頼性が劣り好ましくない。
【0014】
本発明に用いる(D)のカーボンブラックを含む半導体封止用の無機充填剤としては、不純物濃度が低い溶融シリカ粉末、結晶シリカ粉末、アルミナ粉末など、カーボンブラックとしては、粒子径が50nm以下で黒色度の高いものが好ましく使用される。カーボンブラックと無機充填剤とを、予めドライブレンドする際の比率としては、カーボンブラックは1重量部に対して無機充填剤2〜500重量部の割合が好ましい。カーボンブラックの量が多いと分散性が悪く、また粗粒分をカットする際の篩いの効果が悪いばかりでなく、篩い後の2次凝集も起こるため好ましくない。また、カーボンブラックの量が少なすぎると、半導体封止装置としたときに、外乱光の隠蔽率が落ちるため好ましくない。これらの無機充填剤の最大粒径は、半導体パッケージのピン間隔よりも小さいものが好ましく、最大粒径50μm以下のものなどが使用される。
【0015】
また、カーボンブラックとドライブレンドした後に粗粒分をカットした本発明の無機充填剤に加えて、単独で粗粒分をカットしたほかの無機充填剤を併用することも可能である。(D)の半導体封止用無機充填剤を含む全体の無機充填剤の配合割合は、樹脂組成物に対して70〜95重量%、好ましくは80〜92重量%である。その割合が70重量%未満では、実装後の耐湿信頼性に劣り、95重量%を超えると極端に流動性が悪くなるため充填性が悪くなり好ましくない。
【0016】
なお、ここで言う「粗粒分」とは、目的となる半導体パッケージのピン間隔やワイヤー間隔以上、あるいは使用する無機充填剤の最大粒径以上の粒径を意味し、また2個以上の粒子の凝集物も含める。
【0017】
本発明のエポキシ樹脂組成物は、前述したエポキシ樹脂、フェノール硬化剤、硬化促進剤、上記したカーボンブラックを含む半導体封止用の無機充填剤を必須成分とするが、本発明の目的に反しない限度において、また必要に応じて、例えば天然ワックス類、合成ワックス類などの離型剤、カーボンブラック以外の着色剤、ゴム系やシリコーン系ポリマーの低応力付与剤、アミン変性およびエポキシ変性シリコーンオイル等のカップリング剤、単独で粗粒分をカットした無機充填剤等を適宜添加配合することができる。ただし、融点が100℃を超える添加物は、前述のカーボンブラックと同様に予め無機充填剤とドライブレンドした後、粗粒分をカットすることが望ましい。
【0018】
本発明のエポキシ樹脂組成物を成形材料として調製する方法の一般的な方法としては、予めカーボンブラックをミキサー等によって無機充填剤とドライブレンドした後に篩などにより粗粒分をカットし、それを前述したエポキシ樹脂、フェノール硬化剤、硬化促進剤および粗粒分をカットした無機充填剤、その他成分を配合し、ミキサー等によって十分均一に混合し、さらに熱ロールまたはニーダ等により加熱溶融混合処理を行い、ついで冷却固化させ、適当な大きさに粉砕して成形材料とすることができる。こうして作られた成形材料は、半導体装置をはじめとする電子部品あるいは電気部品の封止、被覆、絶縁等に適用すれば、優れた成形性と信頼性、絶縁性等の特性を付与することができる。
【0019】
また、本発明の半導体封止装置は、上記の成形材料を用いて半導体チップを封止することにより、容易に製造することができる。封止を行う半導体チップとしては、例えば、集積回路、大規模集積回路、トランジスタ、サイリスタ、ダイオード等で特に限定されるものではない。封止の最も一般的な方法としては、トランスファー成形法があるが、射出成形、圧縮成形等による封止も可能であり、必要に応じて真空下成形することにより隙間の充填性を向上させることができる。封止および封止後加熱して樹脂を硬化させる際、150℃以上にすることが望ましい。
【0020】
【作用】
本発明のエポキシ樹脂組成物および半導体封止装置は、前述したエポキシ樹脂、フェノール硬化剤、、硬化促進剤、無機充填剤および予めカーボンブラックを無機充填剤とドライブレンドした後、粗粒分をカットし用いることによってファインピッチ化した半導体パッケージにおいてもリーク不良等の絶縁性不良を防止することができ、また、熱履歴を受けても変色を抑制することができる。
【0021】
【発明の実施の形態】
次に、本発明を実施例によって具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例によって限定されるものではない。以下の実施例および比較例において「%」とは「重量%」を意味する。
【0022】
実施例1
最大粒径100μmの溶融球状シリカ粉末(平均粒径15μm)100重量部に対し、カーボンブラックMA−600(三菱化学社製、商品名)1重量部をボールミルミキサーで30分間ドライブレンドした後、目開き50μmの篩で粗粒分をカットした半導体封止用無機充填剤を製造した。
【0023】
実施例2
最大粒径50μmの溶融球状シリカ粉末(平均粒径10μm)35.0%と実施例1で製造した半導体封止用無機充填剤50.5%をミキサーに入れ、攪拌しながらγ−フェニルアミノプロピルトリメトキシシラン0.4%を添加して表面処理した。この処理したシリカに、前述した化5の多官能エポキシ樹脂EPPN−502H(150℃のICI粘度=0.1Pa・s)を8.7%、化13のフェノールノボラック樹脂(150℃のICI粘度=0.10Pa・s)を5.1%、トリフェニルホスフィンを0.1%、それにエステルワックスを0.2%添加して常温で混合し、さらに70〜80℃で混練してこれを冷却、粉砕して成形材料を製造した。
【0024】
実施例3〜8
実施例2と同様にして表1に示す組成の成形材料を製造した。
【0025】
比較例1〜3
実施例1の半導体封止用無機充填剤を入れない他は実施例2と同様にして表2に示す組成の成形材料を製造した。
【0026】
こうして製造した実施例2〜8、比較例1〜3の成形材料を用いてトランスファー成形機により175℃に加熱した金型内で2分間成形し、さらに175℃で4時間アフターキュアして試験成形品および半導体封止装置を得た。
【0027】
実施例および比較例について諸試験を行ったので、その結果を表3,4に示したが、本発明のエポキシ樹脂組成物は、熱履歴を受けても変色が少なく、絶縁性に優れ、その組成物によって封止された半導体封止装置は実装後のリーク不良などの絶縁特性に優れており、本発明の顕著な効果を確認することができた。
【0028】
【表1】
【表2】
【表3】
【表4】
表3,4の注:
*1:EMMI−I66に準じたスパイラルフロー測定を行った(175℃)。
*2:熱板法により測定した(175℃)。
【0029】
*3:適当な大きさの試験片を作り、熱分析装置を用いて測定した。
【0030】
*4:モールド直後の黒色度から175℃、4時間ベーク後の色の変化を目視した。なし;変色なし、あり;青く変色する(黒色度の低下)。
【0031】
*5:ワイヤー間距離50μmのQFP型パッケージにてピン間に10kVの電圧を印加し、ピン間ショートパッケージ数/総パッケージ数を求めた。
【0032】
【発明の効果】
以上の説明および表3,4の結果からも明らかなように、本発明の半導体封止用無機充填剤とエポキシ樹脂組成物は、カーボンブラックの粒子に、充填剤よりも大きい粒子あるいは凝集物がないため絶縁性に優れ、熱による変色も少ないために薄肉樹脂厚パッケージにおいても外乱光に対する隠ぺい率の低下が起こりにくく、このエポキシ樹脂組成物によって封止された半導体封止装置は実装後のリーク不良などの絶縁特性に優れており、本発明の顕著な効果が確認できた。
Claims (5)
- カーボンブラック1重量部に対し無機充填剤2〜500重量部の割合にドライブレンドし、その後に粗粒分をカットしてなることを特徴とする半導体封止用の無機質充填剤。
- (A)エポキシ樹脂、(B)フェノール硬化剤、(C)硬化促進剤および(D)請求項1記載の無機充填剤を必須成分とすることを特徴とするエポキシ樹脂組成物。
- (A)150℃におけるICI粘度が0.10Pa・s以下であるエポキシ樹脂、(B)フェノール硬化剤、(C)硬化促進剤および(D)請求項1記載の無機充填剤を必須成分とし、(D)の無機充填剤を含む無機充填剤の合計含有率が、樹脂組成物全体に対して80〜95重量%であることを特徴とするエポキシ樹脂組成物。
- 請求項2〜4いずれか記載のエポキシ樹脂組成物の硬化物によって半導体チップが封止されてなることを特徴とする半導体封止装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003060745A JP2004269636A (ja) | 2003-03-07 | 2003-03-07 | 半導体封止用無機質充填剤、エポキシ樹脂組成物および半導体封止装置 |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2003060745A JP2004269636A (ja) | 2003-03-07 | 2003-03-07 | 半導体封止用無機質充填剤、エポキシ樹脂組成物および半導体封止装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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JP2004269636A true JP2004269636A (ja) | 2004-09-30 |
Family
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003060745A Pending JP2004269636A (ja) | 2003-03-07 | 2003-03-07 | 半導体封止用無機質充填剤、エポキシ樹脂組成物および半導体封止装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7910638B2 (en) | 2008-01-25 | 2011-03-22 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Semiconductor-encapsulating epoxy resin composition, preparation method, and semiconductor device |
WO2023145780A1 (ja) | 2022-01-28 | 2023-08-03 | 日産化学株式会社 | 低誘電正接シリカゾル及び低誘電正接シリカゾルの製造方法 |
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2003
- 2003-03-07 JP JP2003060745A patent/JP2004269636A/ja active Pending
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KR20230160956A (ko) | 2022-01-28 | 2023-11-24 | 닛산 가가쿠 가부시키가이샤 | 저유전정접 실리카졸 및 저유전정접 실리카졸의 제조방법 |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A02 | Decision of refusal |
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|
A521 | Written amendment |
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A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
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|
A912 | Removal of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
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