JP2004265937A - 真空処理装置の冷却装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】構成が簡素でかつ軽量であって、被処理体の真空処理中に上記被処理体の温度が上昇し過ぎることを防止することができる真空処理装置の冷却装置を提供することを目的とする。
【解決手段】被処理体Ｗ１に熱が流入する真空処理を行う真空処理装置１の冷却装置３において、上記被処理体Ｗ１をヒートパイプ７を用いて冷却する。
【選択図】 図１

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、真空処理装置の冷却装置に係り、特に、プラズマＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）等の真空処理の際に被処理体に流入する熱を、ヒートパイプ、または流体を用いた熱流路を通過させて、上記真空処理装置の外部に効率良く移すことができる真空処理装置の冷却装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般的に、太陽電池はクリーンなエネルギー源として期待されているが、この普及を図るためにはコストダウンが不可欠である。そのため、大型基板に高品質で均一膜厚のａ−Ｓｉ（アモルファスシリコン）等の薄膜を形成できる薄膜形成装置が望まれている。
【０００３】
このような薄膜形成装置として、従来は、平行平板型（容量結合型）プラズマＣＶＤ装置が知られている（たとえば特許文献１）。
【０００４】
また、上記特許文献１に記載のプラズマＣＶＤ装置よりも生産性の向上が図られたプラズマＣＶＤ装置が提案されている（たとえば特許文献２）。
【０００５】
上記特許文献２に記載のプラズマＣＶＤ装置には、薄膜の成膜中に、薄膜が形成される基板の温度が上昇することを抑制するための冷却装置（制熱装置）が設けられている。
【０００６】
ここで、上記冷却装置の一例である冷却装置１０４について説明する。
【０００７】
図７は、冷却装置１０４の概略構成を示す図である。
【０００８】
上記冷却装置１０４が設けられているプラズマＣＶＤ装置１００は、上述のように、ａ−Ｓｉ（アモルファスシリコン）等の薄膜を基板に形成できる装置であり、内部を真空にすることが可能な成膜室１０２を備え、この成膜室１０２の内部に、上記冷却装置１０４の一部が設けられている。
【０００９】
すなわち、上記基板（図示せず）に薄膜を形成するときに発生する熱を上記基板から吸熱するために、たとえば厚い板状の吸熱部１０４Ａが上記成膜室１０２の内部に設けられ、また、上記成膜室１０２の外部には、上記吸熱部１０４Ａで吸収した熱を上記成膜室１０２の外部に排出するための放熱部１０４Ｂが設けられている。
【００１０】
そして、吸熱部１０４Ａで吸収された熱が矢印ＡＲ１０で示すように流れ、熱伝達部１０４Ｃを通って放熱部１０４Ｂに到達し、この到達した熱が放熱部１０４Ｂに設けられた水冷ジャケット１０４Ｄによって取り除かれる。
【００１１】
上記吸熱部１０４Ａ、放熱部１０４Ｂ、熱伝達部１０４Ｃは熱伝導率の良い、合金で構成されている。また、上記基板をできるだけ均一に冷却するには、吸熱部１１４Ａのｘ方向の温度をできるだけ均一に保つ必要があり、この必要のために厚い板状の吸熱部１０４Ａの厚さＤ１０をある程度厚く形成する必要がある。
【００１２】
次に、上記冷却装置の他の一例である冷却装置１２４について説明する。
【００１３】
図８は、冷却装置１２４の概略構成を示す図である。
【００１４】
上記冷却装置１２４が設けられているプラズマＣＶＤ装置１２０も、ａ−Ｓｉ（アモルファスシリコン）等の薄膜を基板に形成できる装置であり、内部を真空にすることが可能な成膜室１２２を備え、この成膜室１２２の内部に、上記冷却装置１２４の一部が設けられている。
【００１５】
すなわち、上記基板（図示せず）に薄膜を形成するときに発生する熱を上記基板から吸熱するための吸熱部１２４Ａが、上記成膜室１２２の内部に設けられ、また、上記成膜室１２２の外部から、矢印ＡＲ２０で示すように冷媒が供給され、この供給された冷媒が上記吸熱部１２４Ａを通って矢印ＡＲ２１で示す方向に排出され、この結果、上記基板が冷却される。なお、矢印ＡＲ２２は熱が流れる方向を示すものであり、この熱が流れる方向は上記冷媒が流れる方向に沿った方向である。
【００１６】
【特許文献１】
特開昭５９−０１４６３３号公報
【００１７】
【特許文献２】
特願２００２−２９２９４８明細書
【００１８】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上記プラズマＣＶＤ装置１００の冷却装置１０４では、充分な熱の伝導を確保するために、吸熱部１０４Ａ等が厚く大きくなり重くなるという問題がある。また、上記プラズマＣＶＤ装置１２０の冷却装置１２４では水等の冷媒を吸熱部１２４Ａの近傍で移動させる必要があるために、配管等が必要になり装置の構成が煩雑になるという問題がある。
【００１９】
上述のように、冷却装置が重くまたは冷却装置の構成が煩雑であると、上記プラズマＣＶＤ装置１００、１２０のメンテナンスにおいて、上記冷却装置を取り外し、再び取り付ける作業が複雑になり、上記メンテナンスに多くの時間と技能が必要になることがある。
【００２０】
なお、上記問題は、プラズマＣＶＤ装置以外の装置、たとえば、被処理体にドライエッチング、スパッタリング等のプラズマプロセッシング処理や蒸着、ｃａｔ−ＣＶＤ等、処理中に上記被処理体に熱が流入する真空中での処理（真空処理）を施す場合にも生じる問題である。
【００２１】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、構成が簡素でかつ軽量であって、被処理体の真空処理中に上記被処理体の温度が上昇し過ぎることを防止することができる真空処理装置の冷却装置を提供することを目的とする。
【００２２】
【課題を解決するための手段】
請求項１に記載の発明は、被処理体に熱が流入する真空処理を行う真空処理装置の冷却装置において、上記被処理体をヒートパイプを用いて冷却する真空処理装置の冷却装置である。
【００２３】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の真空処理装置の冷却装置において、上記ヒートパイプに、上記被処理体からの熱を受け取るための集熱部材を設けた真空処理装置の冷却装置である。
【００２４】
請求項３に記載の発明は、請求項２に記載の真空処理装置の冷却装置において、上記集熱部材の表面に輻射率を大きくするための処理が施してある真空処理装置の冷却装置である。
【００２５】
請求項４に記載の発明は、被処理体に熱が流入する真空処理を行う真空処理装置の冷却装置において、上記被処理体の熱を上記真空処理装置の内部で移動させるための内部伝熱経路と、上記真空処理装置の内部から外部に熱を放出する放熱経路と、上記内部熱経路と上記放熱経路との間の伝熱量を調整可能な伝熱経路とを有する真空処理装置の冷却装置である。
【００２６】
請求項５に記載の発明は、請求項４に記載の真空処理装置の冷却装置において、上記伝熱経路は、上記内部伝熱経路と上記放熱経路との間に、伝熱空間を形成する壁材と、上記伝熱空間に流出入する流体の量を調整可能な流体制御装置とを備えた構成である真空処理装置の冷却装置である。
【００２７】
請求項６に記載の発明は、請求項５に記載の真空処理装置の冷却装置において、上記流体は気体である真空処理装置の冷却装置である。
【００２８】
請求項７に記載の発明は、請求項６に記載の真空処理装置の冷却装置において、上記気体は、水素ガス、ヘリウムガス等の熱伝導率の高い気体である真空処理装置の冷却装置である。
【００２９】
請求項８に記載の発明は、請求項５〜請求項７のいずれか１項に記載の真空処理装置の冷却装置において、上記壁材の少なくとも内面は、輻射率を小さく構成してある真空処理装置の冷却装置である。
【００３０】
請求項９に記載の発明は、請求項５〜請求項８のいずれか１項に記載の真空処理装置の冷却装置において、上記内部伝熱経路は、ヒートパイプを用いて構成されている真空処理装置の冷却装置である。
【００３１】
【発明の実施の形態】
［第１の実施形態］
図１は、本発明の第１の実施形態に係る真空処理装置１の冷却装置３の概略構成を示す図である。
【００３２】
真空処理装置１は、ＣＶＤプラズマ方法によって、たとえば板状に形成されている被処理体（基板）Ｗ１の表面に、ａ−Ｓｉ等の薄膜を形成できる薄膜形成装置であり、たとえば、特願２００２−２９２９４８明細書に記載されている装置と同様に成膜を行うことができるものである。
【００３３】
上記成膜を行う際、上記真空処理装置１の成膜室５の内部は、圧力がたとえば１０００Ｐａ以下の原料ガスで充填されており、また、上記被処理体Ｗ１には、成膜中に矢印ＡＲ１で示すように熱が流入する。そして、上記被処理体Ｗ１の温度が上昇し、形成された薄膜の品質が劣化するため、これを無くすために冷却装置３を用いて、上記被処理体Ｗ１の温度が必要以上に上昇することを抑えている。
【００３４】
ここで、冷却装置３は、上記被処理体Ｗ１の熱を上記真空処置装置１の内部で移動させるための内部伝熱経路を構成しているヒートパイプ７を備え、このヒートパイプ７の一端部７Ａ側には、上記板状の被処理体Ｗ１を保持し、上記被処理体Ｗ１を冷却するための板状の被処理体ホルダ（基板ホルダ）９が設けられ、上記ヒートパイプ７の他端部７Ｂ側には、上記ヒートパイプ７を冷却するための冷却部材１１が設けられている。なお、上記被処理体ホルダ９や上記冷却部材１１は、熱伝導率の高い部材で構成されている。
【００３５】
上記冷却部材１１は、一端部１１Ａ側で上記ヒートパイプ７に接続され、上記ヒートパイプ７から熱を受け取るようになっており、また、この受け取った熱を上記成膜室５の外部に逃がすための（移動させるための）、すなわち、上記真空処理装置１の内部から外部に熱を放出するための放熱経路１２が、上記冷却部材１１の他端部１１Ｂ側に設けられている。なお、上記放熱経路１２では、たとえば冷却水等の冷媒が矢印ＡＲ２で示すように上記冷却部材１１に出入りするようになっている。
【００３６】
ここで、上記放熱経路１２について具体例を掲げて説明する。
【００３７】
図２は、上記放熱経路１２の１つの実施形態である放熱経路１２Ａの概略構成を示す図である。
【００３８】
図２に示す放熱経路１２Ａは、真空処理装置１の成膜室５を構成している真空隔壁５Ａを貫通している伝熱部材２１を備え、この伝熱部材２１の一端部２１Ａ側は冷却部材１１に接触し、他端部２１Ｂ側は、水や油等の冷媒と接するようになっている。そして、被処理体からの熱を、ヒートパイプ７、冷却部材１１を介して、上記一端部２１Ａ側で受け取り、この受け取った熱を上記他端部２１Ｂ側に移動し、この移動された熱を上記冷媒で取り除くことができるようになっている。
【００３９】
図３は、上記放熱経路１２の他の１つの実施形態である放熱経路１２Ｂの概略構成を示す図である。
【００４０】
図３に示す放熱経路１２Ｂは、真空処理装置１の成膜室５を構成している真空隔壁５Ａを貫通している伝熱部材２３を備え、この伝熱部材２３の一端部２３Ａ側は冷却部材１１に接触し、他端部２３Ｂ側は、冷却フィンが設けられている。そして、被処理体からの熱を、ヒートパイプ７、冷却部材１１を介して、上記一端部２３Ａ側で受け取り、この受け取った熱を上記他端部２３Ｂ側に移動し、この移動された熱を上記冷却フィンを用いて空冷することができるようになっている。
【００４１】
上述の構成することによって、成膜が終了し上記被処理体Ｗ１を冷却する必要が無くなった場合、上記冷媒によって上記成膜室５内が不要に冷却されるおそれを少なくすることができる。
【００４２】
また、図１に示すように、上記冷却部材１１の中間部（上記一端部１１Ａと上記他端部１１Ｂとの間；上記内部伝熱経路と上記放熱経路１２との間）には、ほぼ密閉された伝熱空間（伝熱経路）１３が設けられ（挿入され）ている。なお、上記伝熱空間１３は、壁材１３Ａと壁材１３Ｂとによって形成されており、また、上記伝熱空間１３は、熱伝導率の高いガス、たとえば水素ガスで満たされ、上記一端部１１Ａ側で上記ヒートパイプか７ら受け取った熱が、上記伝熱空間１３を通って、上記他端部１１Ｂ側に伝達されるようになっている。
【００４３】
換言すれば、上記被処理体ホルダ９は、上記被処理体Ｗ１からの熱を受け取る集熱部材としての機能を具備しており、この受け取った熱を上記ヒートパイプ７に伝達し、また、上記被処理体ホルダ９、ヒートパイプ７、冷却部材１１、伝熱空間１３は、上記被処理体Ｗ１の熱を上記真空処理装置１の外部に移動させるための熱経路（熱流路）を形成しており、さらに、水素ガスが充填された伝熱空間１３が設けられていることによって、上記熱経路中に、水素ガス等の流体を用いて熱伝達する伝熱経路（流体熱経路）が形成されていることになる。
【００４４】
また、上記伝熱経路における伝熱量を変えるために、上記伝熱空間１３には、この伝熱空間１３内に充填されるガス（上記伝熱経路に用いられる気体）の圧力を、上記伝熱空間１３に流出入するガスの量を調整して制御自在な、流体制御装置の例であるガス制御装置１５が接続されている。そして、上記伝熱空間１３にガスを充填し、または、上記伝熱空間１３内のガスを除去することで、上記伝熱空間１３が、熱を通過させまたは熱を通過させない熱伝導スイッチとしてはたらく。また、上記伝熱空間１３内のガス圧力や種類を変えるようにすると、上記伝熱空間１３の伝熱量が変化し、上記伝熱空間１３は熱伝導可変抵抗としてはたらく。
【００４５】
ここで、上記伝熱空間１３に、気体や液体を使用した場合について説明する。
【００４６】
図４は、上記伝熱空間１３に気体を使用した場合について説明する図である。
【００４７】
図４に示す上記伝熱空間１３内には、水素等の気体が充填されるようになっている。そして、上記伝熱空間１３内に水素等が充填された場合には、各壁材１３Ａ、１３Ｂの間で盛んに熱伝達が行われる。この際、上記各壁材１３Ａ、１３Ｂ間を伝わる伝熱量は、流体熱経路の断面積とギャップ長、壁材１３Ａと壁材１３Ｂとの間の温度差、上記伝熱空間１３内に充填された水素等の圧力によって決定される。
【００４８】
図５は、上記伝熱空間１３に液体を使用した場合について説明する図である。
【００４９】
図５に示す上記伝熱空間１３内には、たとえばＩｎ−Ｇａ共晶合金のような液体金属ＬＭ１が充填されるようになっている。そして、図５（１）に示すように上記液体金属ＬＭ１が約半分ほど抜き取られた状態では、流体熱経路を通過する熱量は僅かになり、図５（２）に示すように、上記液体金属ＬＭ１で上記伝熱空間１３が満たされた状態では、流体熱経路の熱伝達スイッチがＯＮしたことになり、盛んな熱伝達がされ、冷却部材１１を介した被処理体の冷却が行われる。
【００５０】
次に、真空処理装置１の成膜室５の内部で被処理体Ｗ１の平面状の成膜形成面Ｗ１Ａに成膜処理を施しているときに、上記被処理体Ｗ１を、上記冷却装置３で冷却する等する場合の動作について説明する。なお、上記成膜の際には、上記伝熱空間１３には水素ガスが充填されているものとする。
【００５１】
まず、上記成膜をしているときに、矢印ＡＲ１で示すように、被処理体ホルダ９に面接触して保持されている被処理体Ｗ１に熱が流入する。そして、上記被処理体Ｗ１に流入した上記熱が上記被処理体ホルダ９を介して上記ヒートパイプ７の一端部７Ａ側に移動し、この移動した熱が矢印ＡＲ３で示すように、上記被処理体Ｗ１の上記成膜形成面Ｗ１Ａに沿って（成膜形成面Ｗ１Ａとほぼ平行な横方向に）移動し、上記ヒートパイプ７の中間部を通って、他端部７Ｂに到達する。
【００５２】
続いて、上記他端部７Ｂに到達した熱が冷却部材１１の一端部１１Ａに移動し、この移動した熱が上記伝熱空間１３に充填されている水素ガスを熱伝達媒体にして、冷却部材１１の他端部１１Ｂ側に到達し、矢印ＡＲ２のように流れる冷媒で、上記他端部１１Ｂ側が冷却される。
【００５３】
上記成膜が終了すると、上記被処理体Ｗ１を上記成膜室５の外部に取り出すと共に、上記ガス制御装置１５によって、上記伝熱空間１３に充填されていた水素ガスを取り除き、上記伝熱空間１３を熱が伝達しにくいようにする。すなわち、上記伝熱空間１３の断熱性を高める。
【００５４】
続いて、次に成膜処理を施す被処理体を成膜室５の被処理体ホルダ９に設置する前に、成膜室５内を成膜のための適切な温度まで昇温する。この昇温の際、ヒートパイプ７を用いることによって冷却装置３の熱容量が小さく構成されているので、従来よりも早く、上記成膜室５内を昇温することができる。また、上記伝熱空間１３が断熱されているので、成膜室５の外部に逃げる熱量を少なくすることができ、成膜室５内の温度を早く上昇させることができる。さらに、上記伝熱空間１３が断熱されているので、矢印ＡＲ２の冷媒を流し続けていても、上記成膜室５内の昇温を迅速に行うことができ、また、矢印ＡＲ２の冷媒を流し続けていても、この冷媒が実際に冷却部材１１を必要以上に冷却することはない等、待機時のエネルギー消費を低くおさえることができる。
【００５５】
そして、上記成膜室５の昇温完了後、上記伝熱空間１３に水素ガスを充填し、上記成膜と上記冷却等の上述した動作を繰り返す。
【００５６】
真空処理装置１の冷却装置３によれば、被処理体Ｗ１の冷却に、軽量で構成が簡素なヒートパイプ７を用いているので、冷却装置３全体が軽量化されしかも冷却装置３全体の構成が簡素になっている。したがって、上記真空処理装置１のメンテナンスにおいて、上記冷却装置３を取り外し、再び取り付ける作業が容易になり、上記メンテナンスを簡単にしかも短時間で行うことができる。また、ヒートパイプ７を用いているので、被処理体Ｗ１が過熱された場合、上記被処理体Ｗ１の温度を早く下降させることができる。
【００５７】
なお、上記伝熱空間１３内の水素ガスの圧力を、上述のようにガス制御装置１５で制御できるようにすれば、上記伝熱空間１３の伝熱量を広い範囲で容易にしかも緻密に変更することができ、矢印ＡＲ２の冷媒の流れを制御することなく、上記被処理体Ｗ１の温度を一層正確に保つことができ、被処理体Ｗ１に成膜される薄膜の品質を一層向上させることができる。
【００５８】
また、上記伝熱空間１３に充填されるガスとして、水素ガスの他にヘリウムガス等の熱伝導率の高い気体を採用することができ、また、上記伝熱空間１３内に充填されるガス（上記伝熱経路に用いられる気体）の種類を、上述のようにガス制御装置１５で変更することができるようにすれば、上記上記伝熱空間１３の熱伝導率を、一層容易かつ緻密に変えることができ、被処理体Ｗ１に成膜される薄膜の品質をさらに一層向上させることができる。
【００５９】
さらに、上記伝熱空間１３に充填する物質として、気体以外に、熱伝導性の高い流体（液体や流動体）を採用することができる。
【００６０】
なお、図１に示す冷却装置３では、板状の被処理体Ｗ１、板状の被処理体ホルダ９が横方向（水平方向）に延伸し、この延伸に伴ってヒートパイプ７の一端部７Ａ側も横方向に延伸し、被処理体Ｗ１からの熱が矢印ＡＲ３で示す横方向に移動し、また、上記被処理体ホルダ９の上部側（鉛直方向上部側）に、ヒートパイプ７の他端部７Ｂ側が延びて冷却部材１１が設けられているが、必ずしも上述のように配置されている必要はない。
【００６１】
たとえば、上記板状の被処理体ホルダ９等が、鉛直方向や斜めの方向に延伸していてもよい。ただし、鉛直方向の下側の熱を上部側に効率良く伝達することができるヒートパイプの特性に鑑み、上記被処理体ホルダ９等の上部側（鉛直方向の上部側）に上記冷却部材１１が配置されていることが好ましい。
【００６２】
また、上記処理体ホルダ（集熱部材）９の表面（被処理体Ｗ１が接触する面）に輻射率（熱吸収率）を大きくするための処理（輻射率の高い皮膜を形成するなどの処理）を施してもよい。このようにすることによって、上記被処理体Ｗ１を一層効率良く冷却することができる。
【００６３】
また、上記伝熱空間１３における伝熱量を小さくする（熱抵抗を大きくする）場合、自由分子によって熱伝導がされる自由分子熱伝導領域に達するまで、ガス制御装置１５で、上記伝熱空間１３の気体（たとえば水素ガス）の圧力を低下させるようにしてもよい。
【００６４】
また、上記伝熱空間１３での断熱性を高めるために、上記伝熱空間１３の各壁材１３Ａ、１３Ｂの少なくとも内面（上記伝熱空間１３を囲む面）の輻射率を小さく構成してもよい。
【００６５】
［第２の実施形態］
図２は、本発明の第２の実施形態に係る真空処理装置３１の冷却装置３３の概略構成を示す図である。
【００６６】
真空処理装置３１の冷却装置３３では、成膜の際に被処理体Ｗ１が、集熱部材（第１の実施形態の被処理体ホルダ９に対応する部材）３９から離れたところに設置されている点が第１の実施の形態に係る真空処理装置１とは異なり、その他の点は真空処理装置１とほぼ同様に構成され、ほぼ同様に作動する。
【００６７】
すなわち、被処理体Ｗ１から発せられた熱が、輻射または成膜室５内に存在しているガスの熱伝導により、熱が矢印ＡＲ６で示すように進行して、集熱部材３９に到達し、この到達した熱が矢印ＡＲ７で示す方向に、ヒートパイプ３７内を流れ、ヒートパイプ３７は冷却部材１１で冷却される。
【００６８】
なお、板状の被処理体Ｗ１と、集熱部材３９とは互い平行に、鉛直方向に延伸して設けられている。また、ヒートパイプ３７内を流れる熱は、上記被処理体Ｗ１が延伸している方向（鉛直上方向）に流れるようになっている。また、図２に示す真空処理装置３１では、図１に示す真空処理装置１と同様に構成されている部分は同じ符号を付してある、
真空処理装置３１の冷却装置３３によれば、真空処理装置１の冷却装置３とほぼ同様の効果を奏すると共に、被処理体Ｗ１と集熱部材３９とが互いに離隔しているので、被処理体Ｗ１の設置位置の自由度が増すと共に、１つの冷却装置３３で２枚の被処理体Ｗ１を冷却することができる。
【００６９】
なお、上記各真空処理装置１、３１では板状（平板状）の被処理体を例に掲げ説明しているが、上記形状以外の被処理体にも上記各実施形態に係る真空処理装置を適用することができる。この場合、被処理体ホルダや集熱部材の形状を上記被処理体の形状に応じて変更すればよい。
【００７０】
また、上記各実施形態では、プラズマＣＶＤ装置を例に掲げて説明しているが、プラズマＣＶＤ装置以外の装置、たとえば、被処理体にドライエッチング、スパッタリング等のプラズマプロセッシング処理や蒸着、ｃａｔ−ＣＶＤ等、処理中に上記被処理体に熱が流入する真空中での真空処理を施す装置にも、上記各実施形態に係る真空処理装置を適用することができる。
【００７１】
【発明の効果】
本発明によれば、構成が簡素でかつ軽量であって、被処理体の真空処理中に上記被処理体の温度が上昇し過ぎることを防止することができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る真空処理装置の冷却装置の概略構成を示す図である。
【図２】放熱経路の１つの実施形態の概略構成を示す図である。
【図３】放熱経路の他の１つの実施形態の概略構成を示す図である。
【図４】伝熱空間に気体を使用した場合について説明する図である。
【図５】伝熱空間に液体を使用した場合について説明する図である。
【図６】本発明の第２の実施形態に係る真空処理装置の冷却装置の概略構成を示す図である。
【図７】従来の冷却装置の概略構成を示す図である。
【図８】従来の冷却装置の概略構成を示す図である。
【符号の説明】
１、３１ 真空処理装置
３、３３ 冷却装置
７、３７ ヒートパイプ
９ 被処理体ホルダ
１１ 冷却部材
１２ 放熱経路
１３ 伝熱空間
１３Ａ、１３Ｂ 壁材
１５ ガス制御装置
３９ 集熱部材
Ｗ１ 被処理体

Claims (9)

  1. 被処理体に熱が流入する真空処理を行う真空処理装置の冷却装置において、
    上記被処理体をヒートパイプを用いて冷却することを特徴とする真空処理装置の冷却装置。
  2. 請求項１に記載の真空処理装置の冷却装置において、
    上記ヒートパイプに、上記被処理体からの熱を受け取るための集熱部材を設けたことを特徴とする真空処理装置の冷却装置。
  3. 請求項２に記載の真空処理装置の冷却装置において、
    上記集熱部材の表面に輻射率を大きくするための処理が施してあることを特徴とする真空処理装置の冷却装置。
  4. 被処理体に熱が流入する真空処理を行う真空処理装置の冷却装置において、
    上記被処理体の熱を上記真空処理装置の内部で移動させるための内部伝熱経路と；
    上記真空処理装置の内部から外部に熱を放出する放熱経路と；
    上記内部熱経路と上記放熱経路との間の伝熱量を調整可能な伝熱経路と；を有することを特徴とする真空処理装置の冷却装置。
  5. 請求項４に記載の真空処理装置の冷却装置において、
    上記伝熱経路は、上記内部伝熱経路と上記放熱経路との間に、伝熱空間を形成する壁材と、上記伝熱空間に流出入する流体の量を調整可能な流体制御装置とを備えた構成であることを特徴とする真空処理装置の冷却装置。
  6. 請求項５に記載の真空処理装置の冷却装置において、
    上記流体は気体であることを特徴とする真空処理装置の冷却装置。
  7. 請求項６に記載の真空処理装置の冷却装置において、
    上記気体は、水素ガス、ヘリウムガス等の熱伝導率の高い気体であることを特徴とする真空処理装置の冷却装置。
  8. 請求項５〜請求項７のいずれか１項に記載の真空処理装置の冷却装置において、
    上記壁材の少なくとも内面は、輻射率を小さく構成してあることを特徴とする真空処理装置の冷却装置。
  9. 請求項５〜請求項８のいずれか１項に記載の真空処理装置の冷却装置において、
    上記内部伝熱経路は、ヒートパイプを用いて構成されていることを特徴とする真空処理装置の冷却装置。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007324369A (ja) * 2006-06-01 2007-12-13 Sekisui Chem Co Ltd 基材外周処理装置
JP2009212340A (ja) * 2008-03-05 2009-09-17 Tokyo Electron Ltd 電極ユニット、基板処理装置及び電極ユニットの温度制御方法
KR101070138B1 (ko) 2007-09-18 2011-10-05 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기화 장치, 성막 장치 및 성막 방법
JP2013129908A (ja) * 2011-11-22 2013-07-04 Kobe Steel Ltd プラズマ発生源の冷却機構及び冷却方法
JP2013253286A (ja) * 2012-06-06 2013-12-19 Kaneka Corp 薄膜の製造方法

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008244224A (ja) * 2007-03-28 2008-10-09 Sumitomo Precision Prod Co Ltd プラズマ処理装置
CN103928379B (zh) * 2014-04-28 2017-10-27 北京七星华创电子股份有限公司 基板装卸载单元及基板处理系统
DE102017223592B4 (de) * 2017-12-21 2023-11-09 Meyer Burger (Germany) Gmbh System zur elektrisch entkoppelten, homogenen Temperierung einer Elektrode mittels Wärmeleitrohren sowie Bearbeitungsanlage mit einem solchen System
KR102058244B1 (ko) 2018-05-29 2019-12-20 주식회사 바큠텍 진공 코팅용 냉각장치

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6059104B2 (ja) * 1982-02-03 1985-12-23 株式会社東芝 静電チヤツク板
JPS5914633A (ja) 1982-07-16 1984-01-25 Anelva Corp プラズマｃｖｄ装置
JPS5919328A (ja) * 1982-07-23 1984-01-31 Hitachi Ltd ドライエツチング装置
JPS6372877A (ja) * 1986-09-12 1988-04-02 Tokuda Seisakusho Ltd 真空処理装置
JPS63157449A (ja) * 1986-12-22 1988-06-30 Nec Corp 集積回路の冷却構造
EP0363098B1 (en) * 1988-10-03 1995-04-05 Canon Kabushiki Kaisha Temperature controlling device
US5078851A (en) 1989-07-26 1992-01-07 Kouji Nishihata Low-temperature plasma processor
JPH03206613A (ja) * 1990-01-09 1991-09-10 Fujitsu Ltd 低温ドライエッチング装置
EP0484179B1 (en) * 1990-11-01 1996-03-27 Canon Kabushiki Kaisha Wafer holding device in an exposure apparatus
JPH05315293A (ja) * 1992-05-02 1993-11-26 Tokyo Electron Ltd 被処理体の載置装置
JP3206613B2 (ja) 1993-03-24 2001-09-10 関西日本電気株式会社 Ｉｃソケット
US6544379B2 (en) * 1993-09-16 2003-04-08 Hitachi, Ltd. Method of holding substrate and substrate holding system
US5676205A (en) 1993-10-29 1997-10-14 Applied Materials, Inc. Quasi-infinite heat source/sink
JPH08165572A (ja) * 1994-12-14 1996-06-25 Nissin Electric Co Ltd 真空処理室における通水装置
JPH09267036A (ja) * 1996-03-31 1997-10-14 Furontetsuku:Kk 真空装置
TW406346B (en) 1996-08-26 2000-09-21 Applied Materials Inc Method and apparatus for cooling a workpiece using an electrostatic chuck
JPH113893A (ja) * 1997-06-13 1999-01-06 Orion Mach Co Ltd 半導体基板の温度調節装置
JPH11233598A (ja) * 1998-02-18 1999-08-27 Toyota Autom Loom Works Ltd ウェハ冷却装置
JP2000193376A (ja) * 1998-12-24 2000-07-14 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 熱処理装置
US6215642B1 (en) * 1999-03-11 2001-04-10 Nikon Corporation Of Japan Vacuum compatible, deformable electrostatic chuck with high thermal conductivity
US6406545B2 (en) 1999-07-27 2002-06-18 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor workpiece processing apparatus and method
JP2001168037A (ja) * 1999-12-10 2001-06-22 Hitachi Kokusai Electric Inc プラズマ処理装置
JP2001189373A (ja) * 1999-12-28 2001-07-10 Ibiden Co Ltd 半導体製造・検査装置用セラミック基板

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007324369A (ja) * 2006-06-01 2007-12-13 Sekisui Chem Co Ltd 基材外周処理装置
KR101070138B1 (ko) 2007-09-18 2011-10-05 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기화 장치, 성막 장치 및 성막 방법
JP2009212340A (ja) * 2008-03-05 2009-09-17 Tokyo Electron Ltd 電極ユニット、基板処理装置及び電極ユニットの温度制御方法
JP2013129908A (ja) * 2011-11-22 2013-07-04 Kobe Steel Ltd プラズマ発生源の冷却機構及び冷却方法
JP2013253286A (ja) * 2012-06-06 2013-12-19 Kaneka Corp 薄膜の製造方法

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