JP2004260212A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 回路主要部1a上に積層された第1絶縁性保護膜4i上には、回路主要部1aを覆うように配置された遮光膜5と、遮光膜5を完全に被覆するように配置された酸化アルミニウム膜7と、酸化アルミニウム膜7上に配置された遮光用上部配線11とを形成し回路主要部1aの視認を防止している。また、第1絶縁性保護膜4iは本体配線2上に開口する開口部12を有しており、該開口部を封じる第2絶縁性保護膜4jが化学的に除去された時、本体配線2上の第1絶縁性保護膜の開口部12が現れ、開口部12を介して侵入してくる薬液等によって本体配線2に直接ダメージを与えるため、内部回路の解析を防止できる。
【選択図】 図10
Description
本発明の第1の参考の形態について図1ないし図5に基づいて説明すれば、以下の通りである。
本発明の第2の参考の形態について図6ないし図9に基づいて説明すれば、以下の通りである。なお、本参考の形態において、参考の形態1における構成要素と同等の機能を有する構成要素については、同一の符号を付記してその説明を省略する。
本発明の実施の形態について図10ないし図13に基づいて説明すれば、以下の通りである。なお、本実施の形態において、参考の形態1における構成要素と同等の機能を有する構成要素については、同一の符号を付記してその説明を省略する。
を設け(図11(k))、その上に保護膜4jを、例えばP−CVD法にて300nmの
厚さで成膜し(図11(l))、開口部12を覆う。
1a 回路主要部(回路構成部)
1b 抵抗検知回路部(抵抗検知回路)
2 配線(本体配線)
3 接続部
4 絶縁性保護膜
4i、4k 保護膜(第1絶縁性保護膜)
4j、4l 保護膜(第2絶縁性保護膜)
5 遮光膜
6 耐食性遮光膜(耐食性を有する遮光膜)
7 酸化アルミニウム膜(被覆膜)
8 遮光用上部配線(抵抗配線、第1配線部)
9 抵抗検知用上部配線(抵抗配線、第2配線部)
10 抵抗検知兼遮光用上部配線(抵抗配線)
11 上部配線
12 開口部
Claims (6)
- 半導体基板に形成された回路構成部と、半導体基板上に配置された本体配線とが接続された構造を有する半導体装置において、
上記回路構成部の主要部を覆うように設けられた遮光膜と、
該遮光膜を完全に被覆するように積層され、かつ耐食性を有する膜材料で形成された被覆膜と、
上記本体配線上に開口する開口部を有する第1絶縁性保護膜と、該開口部を封じる第2絶縁性保護膜とを持つ絶縁性保護膜を備えていることを特徴とする半導体装置。 - 半導体基板に形成された回路構成部と、半導体基板上に配置された本体配線とが接続された構造を有する半導体装置において、
上記回路構成部の主要部を覆うように積層され、かつ耐食性を有する遮光膜と、
上記本体配線上に開口する開口部を有する第1絶縁性保護膜と、該開口部を封じる第2絶縁性保護膜とを持つ絶縁性保護膜を備えていることを特徴とする半導体装置。 - 上記被覆膜が酸化アルミニウムから成ることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 上記酸化アルミニウムが、染色処理されていることを特徴とする請求項3に記載の半導体装置。
- 上記絶縁性保護膜の表面が平坦化加工されていることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置。
- 上記遮光膜が、タンタルまたはニオブから成ることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置。
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