JP2008232911A - 表面形状認証用センサの製造方法および表面形状認証用センサ - Google Patents
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Abstract
【課題】センサを構成する金属部材の形成装置の種類を少なくすること。
【解決手段】半導体基板の表面に層間絶縁膜を介して第1および第2導電配線をスパッタ法で形成し、第1および第2導電配線と層間絶縁膜を第1絶縁膜で覆い、第1絶縁膜の上に第2絶縁膜を積層し、第1導電配線上の第1および第2絶縁膜を除去し、それによって第2絶縁膜表面から第1導電配線に達する溝を形成し、第2絶縁膜と溝の側壁および底とを覆う導電膜をスパッタ法で形成し、前記導電膜の上から溝幅より広いレジスト膜で溝を覆い、レジスト膜をマスクとして前記導電膜と第2絶縁膜とを除去して第1絶縁膜を露出させ、レジスト膜を除去した後、第3絶縁膜をその表面が前記導電膜の表面と同一表面になるように第1絶縁膜上に形成する表面形状認証用センサの製造方法。
【選択図】図1
【解決手段】半導体基板の表面に層間絶縁膜を介して第1および第2導電配線をスパッタ法で形成し、第1および第2導電配線と層間絶縁膜を第1絶縁膜で覆い、第1絶縁膜の上に第2絶縁膜を積層し、第1導電配線上の第1および第2絶縁膜を除去し、それによって第2絶縁膜表面から第1導電配線に達する溝を形成し、第2絶縁膜と溝の側壁および底とを覆う導電膜をスパッタ法で形成し、前記導電膜の上から溝幅より広いレジスト膜で溝を覆い、レジスト膜をマスクとして前記導電膜と第2絶縁膜とを除去して第1絶縁膜を露出させ、レジスト膜を除去した後、第3絶縁膜をその表面が前記導電膜の表面と同一表面になるように第1絶縁膜上に形成する表面形状認証用センサの製造方法。
【選択図】図1
Description
本発明は、表面形状認証用センサの製造方法と、それによって製造されるセンサに関し、とくに、表面が露出したアース用導電性膜(以下、GND配線という)と、指などの検出対象が接触する検出面に保護膜とを有する指紋センサのような表面形状認証用センサの製造方法とそのセンサに関する。
近年、セキュリティ向上のために、個人認証技術の開発が進められている。個人認証技術としては、指紋、顔、声紋、虹彩などの検出が挙げられるが、この中でも特に指紋認証技術はそのセンサが比較的安価で、小型化が容易であることから数多くの開発がなされている。
指紋の形状を検出するセンサとしては、一般に光学方式と静電容量方式に大別されるが、光学方式の一部を除き、指紋の形状を検出するときは、指を検出面に接触させるようにしている。
ところで、静電容量方式のセンサにおいて、指紋の形状を検出する際、指を検出面に接触させるために特に以下の3つの課題がある。
(1)静電気問題(指に帯電した静電気を如何に逃がすか。)
(2)残留指紋問題(検出面に接触した指による指紋痕等の残留物をどう防ぐか。)
(3)表面強度問題(検出表面を引っかくあるいは擦ることによる傷、膜剥がれをどう抑えるか。)
(1)静電気問題(指に帯電した静電気を如何に逃がすか。)
(2)残留指紋問題(検出面に接触した指による指紋痕等の残留物をどう防ぐか。)
(3)表面強度問題(検出表面を引っかくあるいは擦ることによる傷、膜剥がれをどう抑えるか。)
課題(1)の静電気問題の対策に関して、指に帯電した静電気を逃がすために、表面が露出したGND配線を指紋センサ表面に形成し、課題(2)の残留指紋問題の対策に関して、感光性ポリイミド膜を保護膜として検出表面に形成し、課題(3)の表面強度問題の対策に関して、保護膜を厚くすると共に、保護膜の表面をGND配線の表面と同一平面にするセンサの製造方法が知られている(例えば、特許文献1参照)。
特開2003−269907
しかしながら、このようなセンサの製造方法においては、GND配線の形成に際して、TiWからなる金属膜をスパッタ法により形成し、その上にCr/Auからなる金属膜を蒸着法により形成し、さらにその上にAuからなる電極柱を電解メッキ法により形成するようにしている。従って、金属部材の製造に多種類の製造装置が必要となるという問題点があった。
この発明はこのような事情を考慮してなされたもので、金属部材の形成に必要な製造装置の種類を少なくしたセンサ製造方法を提供するものである。
この発明はこのような事情を考慮してなされたもので、金属部材の形成に必要な製造装置の種類を少なくしたセンサ製造方法を提供するものである。
この発明は、半導体基板の表面に層間絶縁膜を介して第1および第2導電配線をスパッタ法で形成し、第1および第2導電配線と層間絶縁膜を第1絶縁膜で覆い、第1絶縁膜の上に第2絶縁膜を積層し、第1導電配線上の第1および第2絶縁膜を除去し、それによって第2絶縁膜表面から第1導電配線に達する溝を形成し、第2絶縁膜と溝の側壁および底とを覆う導電膜をスパッタ法で形成し、前記導電膜の上から溝幅よい広いレジスト膜で溝を覆い、レジスト膜をマスクとして前記導電膜と第2絶縁膜とを除去して第1絶縁膜を露出させ、レジスト膜を除去した後、第3絶縁膜をその表面が前記導電膜の表面と同一表面になるように第1絶縁膜上に形成する表面形状認証用センサの製造方法を提供するものである。
この発明によれば、センサを構成する金属部材、つまり第1および第2導電配線と導電膜が、スパッタ法による製造装置のみによって形成される。
この発明の表面形状認証用センサの製造方法の特徴は、半導体基板の表面に層間絶縁膜を介して第1および第2導電配線をスパッタ法で形成し、第1および第2導電配線と層間絶縁膜を第1絶縁膜で覆い、第1絶縁膜の上に第2絶縁膜を積層し、第1導電配線上の第1および第2絶縁膜を除去し、それによって第2絶縁膜表面から第1導電配線に達する溝を形成し、第2絶縁膜と溝の側壁および底とを覆う導電膜をスパッタ法で形成し、前記導電膜の上から溝幅より広いレジスト膜で溝を覆い、レジスト膜をマスクとして前記導電膜と第2絶縁膜とを除去して第1絶縁膜を露出させ、レジスト膜を除去した後、第3絶縁膜をその表面が前記導電膜の表面と同一表面になるように第1絶縁膜上に形成する工程を備える。
ここで、スパッタ法とは、例えば、真空チャンバー内で膜を付ける試料とターゲット(膜の原料)の間に電圧を印加し、イオン化された希ガス元素(通常アルゴン)をターゲットに衝突させ、ターゲット表面の原子をはじき飛ばし、試料表面に成膜する方法である。
ここで、スパッタ法とは、例えば、真空チャンバー内で膜を付ける試料とターゲット(膜の原料)の間に電圧を印加し、イオン化された希ガス元素(通常アルゴン)をターゲットに衝突させ、ターゲット表面の原子をはじき飛ばし、試料表面に成膜する方法である。
第1および第2導電配線は250〜1000nmの膜厚を有してもよい。
第1絶縁膜は窒化シリコンからなり、300〜1800nmの膜厚を有してもよい。
第2絶縁膜は酸化シリコンからなり、200〜1200nmの膜厚を有してもよい。
第1絶縁膜は窒化シリコンからなり、300〜1800nmの膜厚を有してもよい。
第2絶縁膜は酸化シリコンからなり、200〜1200nmの膜厚を有してもよい。
第3絶縁膜は感光性ポリイミド又はフルオロカーボン材料からなり、450〜2200nmの膜厚を有することが好ましい。
第2絶縁膜と前記導電膜の膜厚の和が第3絶縁膜の膜厚に等しくなることが好ましい。
この発明によれば、前記記載の製造方法により製造された表面形状認証用センサが提供される。
第2絶縁膜と前記導電膜の膜厚の和が第3絶縁膜の膜厚に等しくなることが好ましい。
この発明によれば、前記記載の製造方法により製造された表面形状認証用センサが提供される。
以下に、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。
まず、図1(a)に示すように、下層導電配線101、層間絶縁膜102および接続電極103を有する半導体装置上に、第1および第2導電配線1a,1bをスパッタ法で250〜1000nmの膜厚に形成する。次に、第1および第2導電配線1a,1bを覆うように、第1絶縁膜として窒化シリコンのパッシベーション膜2を300〜1800nmの膜厚で形成する。このパッシベーション膜2は表面の保護膜としてだけでなく、指紋センサの容量膜の機能も兼ねる。
まず、図1(a)に示すように、下層導電配線101、層間絶縁膜102および接続電極103を有する半導体装置上に、第1および第2導電配線1a,1bをスパッタ法で250〜1000nmの膜厚に形成する。次に、第1および第2導電配線1a,1bを覆うように、第1絶縁膜として窒化シリコンのパッシベーション膜2を300〜1800nmの膜厚で形成する。このパッシベーション膜2は表面の保護膜としてだけでなく、指紋センサの容量膜の機能も兼ねる。
次に、図1(b)に示す様に、パッシベーション膜2上に第2絶縁膜としての絶縁膜3を形成する。この絶縁膜3は、パッシベーション膜2とは異なる材料からなり、例えば、酸化シリコン膜を200〜1200nmの膜厚で形成する。
次に、図1(c)に示す様に、公知のフォトリソ技術にてGND配線を形成する領域のみに開口を有するレジストパターン4を形成する。
次に、導電配線用溝5を形成するために、絶縁膜3およびパッシベーション膜2を連続してドライエッチングして除去する。なお、ドライエッチングに使用するガスとしては、例えば、絶縁膜3を酸化シリコンとした場合、そのエッチングガスは、Ar、O2、CHF3の混合ガスが挙げられ、また、パッシベーション膜2を窒化シリコンとした場合、そのエッチングガスとしては、O2、CHF3、COの混合ガスが挙げられる。
次に、導電配線用溝5を形成するために、絶縁膜3およびパッシベーション膜2を連続してドライエッチングして除去する。なお、ドライエッチングに使用するガスとしては、例えば、絶縁膜3を酸化シリコンとした場合、そのエッチングガスは、Ar、O2、CHF3の混合ガスが挙げられ、また、パッシベーション膜2を窒化シリコンとした場合、そのエッチングガスとしては、O2、CHF3、COの混合ガスが挙げられる。
次に、図1(d)に示すように、レジストパターン4を除去し、絶縁膜3および導電配線用溝5を覆うように導電膜6をスパッタ法で形成する。
なお、後述のように、絶縁膜3および導電膜6の膜厚の総和が後述の硬化状態のパッシベーション膜7の膜厚と等しくなるようにすることにより、GND配線表面とパッシベーション膜7表面間の段差発生を抑制できる。
なお、後述のように、絶縁膜3および導電膜6の膜厚の総和が後述の硬化状態のパッシベーション膜7の膜厚と等しくなるようにすることにより、GND配線表面とパッシベーション膜7表面間の段差発生を抑制できる。
この導電膜6は、後述のように表面が露出したGND配線になることから、大気中で膜表面が酸化されない特性を有する導電膜からなるからなることが好ましい。
例えば、導電膜6が単層の場合は、チタン、クロム、又はその窒化物からなる膜が挙げられる。また、導電膜6が2層構造の場合は、上層が、チタン、クロム又はその窒化物からなる膜、下層が、チタン、クロム、アルミニウム、銅、タングステン、ニッケル、及びこれらの合金からなる膜が挙げられる。
例えば、導電膜6が単層の場合は、チタン、クロム、又はその窒化物からなる膜が挙げられる。また、導電膜6が2層構造の場合は、上層が、チタン、クロム又はその窒化物からなる膜、下層が、チタン、クロム、アルミニウム、銅、タングステン、ニッケル、及びこれらの合金からなる膜が挙げられる。
次に、図1(e)に示す様に、公知のフォトリソ技術にて導電膜6の一部を残し、GND配線となる第3導電配線6aを形成する領域以外が開口するようにレジストパターン4aを形成する。
次に、導電膜6と絶縁膜3の一部を残して第3導電配線6aを形成するために、導電膜6および絶縁膜3をドライエッチングする。
導電膜6および絶縁膜3のドライエッチングは連続して処理してもよいし、個別に処理してもよい。
導電膜6および絶縁膜3のドライエッチングは連続して処理してもよいし、個別に処理してもよい。
ここで、導電膜6のエッチング完了の状態を図1(e)に、絶縁膜3のエッチング完了の状態を図(f)に示す。この時、絶縁膜3はGND配線としての第3導電配線6aの直下および側壁の一部のみに残留する。
なお、ドライエッチングに使用するガスとしては、例えば、導電膜6をTiN/Tiの2層構造からなる導電膜とした場合、そのエッチングガスは、Ar、CL2、BLC3の混合ガスが挙げられ、また、絶縁膜3を酸化シリコンとした場合、そのエッチングガスとしては、Ar、O2、CHF3の混合ガスが挙げられる。
次に、図1(g)に示す様に、レジストパターン4aを除去し、第3絶縁膜としてのパッシベーション膜7を、例えば、感光性ポリイミドを塗布して形成する。このパッシベーション膜7は、表面の保護膜としてだけでなく、指紋センサの容量膜の機能も兼ね、さらに、検出面に接触した指による指紋痕等の残留物が付着しにくい特性を有し、残留指紋による誤認証を防ぐ役割も兼ねる。
なお、ここでは、パッシベーション膜7として感光性ポリイミドとしたが、感光性ポリイミドの代わりにフルオロカーボン材料でもよい。
なお、ここでは、パッシベーション膜7として感光性ポリイミドとしたが、感光性ポリイミドの代わりにフルオロカーボン材料でもよい。
次に、図1(h)に示す様に、公知のフォトリソ技術にてGND配線、つまり、第3導電配線6aの領域のみが開口するように、感光性ポリイミドからなるパッシベーション膜7を露光および現像する。
次に、ベーク処理を行い、感光性ポリイミドからなるパッシベーション膜7を硬化させ、その膜厚を450〜2200nmにする。
この様にして、表面に平坦に露出したGND配線と残留指紋対策膜を有する指紋センサが作製される。
この様にして、表面に平坦に露出したGND配線と残留指紋対策膜を有する指紋センサが作製される。
GND配線である第3導電配線6aは、図3の平面図に示すように、センサ電極である第2導電配線1bをマスの中央部に配置した平面視格子状の構造体である。第3導電配線6aは、正方形の格子状に形成され、正方形の一辺が約50μmである。また、格子の中央に配置される第2導電配線1bは、一辺が約40μmの正方形である。
また、第2導電配線1bは、マトリクス状に例えば256×256個配置され、これらでセンサの検出面を形成している。なお、図2(h)に示す下層導電配線101の下方の半導体基板には、センサ回路が形成され、第2導電配線1bに形成される容量を検出する。形成された容量が処理回路により交換された画像データとして出力されるようになっている。
1a 第1導電配線
1b 第2導電配線
2 パッシベーション膜
3 絶縁膜
4 レジストパターン
5 導電配線用溝
6 導電膜
6a 第3導電配線
7 パッシベーション膜
101 下層導電配線
102 層間絶縁膜
103 接続電極
1b 第2導電配線
2 パッシベーション膜
3 絶縁膜
4 レジストパターン
5 導電配線用溝
6 導電膜
6a 第3導電配線
7 パッシベーション膜
101 下層導電配線
102 層間絶縁膜
103 接続電極
Claims (7)
- 半導体基板の表面に層間絶縁膜を介して第1および第2導電配線をスパッタ法で形成し、第1および第2導電配線と層間絶縁膜を第1絶縁膜で覆い、第1絶縁膜の上に第2絶縁膜を積層し、第1導電配線上の第1および第2絶縁膜を除去し、それによって第2絶縁膜表面から第1導電配線に達する溝を形成し、第2絶縁膜と溝の側壁および底とを覆う導電膜をスパッタ法で形成し、前記導電膜の上から溝幅より広いレジスト膜で溝を覆い、レジスト膜をマスクとして前記導電膜と第2絶縁膜とを除去して第1絶縁膜を露出させ、レジスト膜を除去した後、第3絶縁膜をその表面が前記導電膜の表面と同一表面になるように第1絶縁膜上に形成する表面形状認証用センサの製造方法。
- 第1および第2導電配線は250〜1000nmの膜厚を有する請求項1記載の表面形状認証用センサの製造方法。
- 第1絶縁膜は窒化シリコンからなり、300〜1800nmの膜厚を有する請求項1記載の表面形状認証用センサの製造方法。
- 第2絶縁膜は酸化シリコンからなり、200〜1200nmの膜厚を有する請求項1記載の表面形状認証用センサの製造方法。
- 第3絶縁膜は感光性ポリイミド又はフルオロカーボン材料からなり、450〜2200nmの膜厚を有する請求項1記載の表面形状認証用センサの製造方法。
- 第2絶縁膜と前記導電膜の膜厚の和が第3絶縁膜の膜厚に等しい請求項1記載の表面形状認証用センサの製造方法。
- 請求項1記載の製造方法により製造された表面形状認証用センサ。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2007074789A JP2008232911A (ja) | 2007-03-22 | 2007-03-22 | 表面形状認証用センサの製造方法および表面形状認証用センサ |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011198565A (ja) * | 2010-03-18 | 2011-10-06 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 画像表示装置、画像表示装置のためのコンピュータプログラムおよび画像表示方法 |
-
2007
- 2007-03-22 JP JP2007074789A patent/JP2008232911A/ja active Pending
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