JP2004241442A - 多層基板の製造方法およびそれを用いた回路装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】開口部１１が設けられた樹脂シート１０を用いて露光を行い、更に樹脂シート１０を介して多層の導電膜１５を積層させる。
【解決手段】第１の導電膜１５Ａの表面に感光性のネガ型のレジスト１６を塗布し、開口部１１を有する樹脂シート１０をマスクとして用いて、レジスト１６の露光を行い、開口部１１に対応した箇所にレジスト１６を残存させる。残存したレジスト１６をマスクとして、第１の導電膜１５Ａをエッチングすることにより凸状の接続部１７を形成する。接続部１７に開口部１１を填め込むようにして第１の導電膜１５Ａ上に樹脂シート１０を積層させる。更に樹脂シート１０上に第２の導電膜１５Ｂを積層させることにより、多層基板２０は形成される。
【選択図】 図１
【解決手段】第１の導電膜１５Ａの表面に感光性のネガ型のレジスト１６を塗布し、開口部１１を有する樹脂シート１０をマスクとして用いて、レジスト１６の露光を行い、開口部１１に対応した箇所にレジスト１６を残存させる。残存したレジスト１６をマスクとして、第１の導電膜１５Ａをエッチングすることにより凸状の接続部１７を形成する。接続部１７に開口部１１を填め込むようにして第１の導電膜１５Ａ上に樹脂シート１０を積層させる。更に樹脂シート１０上に第２の導電膜１５Ｂを積層させることにより、多層基板２０は形成される。
【選択図】 図１
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、微細な導電パターンを形成することを可能とする多層基板の製造方法およびそれを用いた回路装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
図３３を参照して、従来の多層基板の配線構造を有する回路装置１１０の製造方法を説明する（例えば、特許文献１を参照）。図３３（Ａ）から図３３（Ｄ）は回路装置１１０の製造工程を示す断面図である。
【０００３】
図３３（Ａ）を参照して、シート状の第１の導電膜１２３Ａと第２の導電膜１２３Ｂが層間絶縁膜１２２を介して接着された絶縁シート１２１を用意する。そして、第１の導電膜１２３Ａおよび層間絶縁層１２２を部分的に除去することにより、貫通孔１３１を形成してその下部に第２の導電膜１２３Ｂの表面を露出させる。
【０００４】
図３３（Ｂ）を参照して、貫通孔１３１の表面および第１の導電膜１２３Ａの表面にメッキ膜を形成することにより、多層接続手段１１４を形成する。次に、第１の導電膜を選択的にエッチングを行うことにより、第１の導電配線層１１２Ａを形成する。
【０００５】
図３３（Ｃ）を参照して、第１の導電配線層１１２Ａ上に絶縁して回路素子１１３を固着する。同図のように回路素子１１３として半導体素子が実装された場合は、半導体素子の電極と第１の導電配線層１１２Ａとを金属細線１１５で接続する。
【０００６】
図３３（Ｄ）を参照して、回路素子１１３が被覆されるように封止樹脂層１１７を形成する。そして、裏面の第２の導電膜１２３Ｂを選択的にエッチングを行うことにより、第２の導電配線層１１２Ｂを形成する。最後に、第２の導電配線層１１２Ｂの所望の箇所に外部電極１１６を形成することにより、回路装置１１０は製造されていた。
【０００７】
【特許文献１】
特願２００１―１８５４２２（第９図）
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述した回路装置１１０の製造方法では、貫通孔１３１および第１の導電膜１２３Ａの表面にメッキ膜を形成することにより、多層接続手段１１４を形成していた。従って、メッキ膜が形成される分だけ第１の導電配線層１２３Ａの厚みが増すここになる。また、第１の導電膜１２３Ａを選択的にエッチングを行うことにより、第１の導電配線層１１２Ａは形成される。このことから、薄く形成された第１の導電膜１２３Ａを有する絶縁シート１２１を用意しても、上記した理由により第１の導電膜１２３Ａの厚みが増してしまうので、所望の微細さを有する第１の導電配線層１１２Ａを形成するのが困難である問題があった。
【０００９】
更に、図３３（Ａ）を参照して、貫通孔１３１には作業雰囲気によりゴミが入ったり汚染物が残ったりすることで、上下導電配線層との接続性が悪化することがあった。このことにより、モールド時の応力により接続部が簡単に剥がれてしまう問題があった。
【００１０】
本発明は上述した問題点を鑑みて成され、本発明の目的は、微細な配線層を形成することを可能とする多層基板の製造方法およびそれを用いた回路装置の製造方法を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明の多層基板の製造方法は、第１の導電膜上を感光性レジストで被覆する工程と、予め形成した開口部を有するシートをマスクとして前記開口部に対応する箇所に前記レジストを残存させる工程と、残存した前記レジストをマスクとして前記第１の導電膜をエッチングして前記開口部に対応する位置に凸状の接続部を形成する工程と、前記シートで前記凸状の接続部を囲むように埋め込み、前記シート上に第２の導電膜を付着する工程とを具備することを特徴とする。
【００１２】
本発明の回路装置の製造方法は、第１の導電膜上を感光性レジストで被覆する工程と、予め形成した開口部を有するシートをマスクとして前記開口部に対応する箇所に前記レジストを残存させる工程と、残存した前記レジストをマスクとして前記第１の導電膜をエッチングして前記開口部に対応する位置に凸状の接続部を形成する工程と、前記シートで前記凸状の接続部を囲むように埋め込み、前記シート上に前記第２の導電膜を付着する工程と、前記第２の導電膜をパターンニングして配線層を形成する工程と、前記配線層上に回路素子を固着する工程と、前記回路素子を被覆するように封止樹脂を形成する工程とを具備することを特徴とする。
【００１３】
本発明の多層基板の製造方法は、第１の導電膜と第２の導電膜が第３の導電膜を介して積層された積層基板の前記第１の導電膜上を感光性レジストで被覆する工程と、予め形成した開口部を有するシートをマスクとして前記開口部に対応する箇所に前記レジストを残存させる工程と、残存した前記レジストをマスクとして前記第１の導電膜をエッチングして前記開口部に対応する位置に凸状の接続部を形成する工程と、前記接続部をマスクとして前記第３の導電膜を除去する工程と、前記シートで前記凸状の接続部を囲むように埋め込み、前記シート上に前記第４の導電膜を付着する工程とを具備することを特徴とする。
【００１４】
本発明の回路装置の製造方法は、第１の導電膜と第２の導電膜が第３の導電膜を介して積層された積層基板の前記第１の導電膜上を感光性レジストで被覆する工程と、予め形成した開口部を有するシートをマスクとして前記開口部に対応する箇所に前記レジストを残存させる工程と、残存した前記レジストをマスクとして前記第１の導電膜をエッチングして前記開口部に対応する位置に凸状の接続部を形成する工程と、前記接続部をマスクとして前記第３の導電膜を除去する工程と、前記シートで前記凸状の接続部を囲むように埋め込み、前記シート上に前記第４の導電膜を付着する工程と、前記第４の導電膜をパターンニングして配線層を形成する工程と、前記配線層上に回路素子を固着する工程と、前記回路素子を被覆するように封止樹脂を形成する工程とを具備することを特徴とする。
【００１５】
上記したシートとしては、例えば樹脂製の絶縁シートを採用することができる。樹脂シートに設けられた開口部の位置は、各導電膜の電気的接続を行う接続部が形成される箇所に対応している。従って、レジストの選択的な除去を行う際に、樹脂シートを露光マスクとして用いることにより、接続部が形成される予定の箇所にレジストを残存させることができる。更に、接続部に開口部を填め込むように、導電膜に樹脂シートを積層させることで、樹脂シートを層間絶縁膜として用いることができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
（多層基板の製造方法を説明する第１の実施の形態）
図１から図６を参照して、多層基板２０の製造方法を説明する。本発明の多層基板２０の製造方法は、第１の導電膜１５Ａ上を感光性レジスト１６で被覆する工程と、レジスト１６の所望箇所に予め形成した開口部１１を有するシート１０をマスクとして開口部１１に対応する箇所にレジスト１６を残存させる工程と、残存したレジスト１６をマスクとして第１の導電膜１５Ａをエッチングして開口部１１に対応する位置に凸状の接続部１７を形成する工程と、シート１０で凸状の接続部１１を囲むように埋め込み、シート１０上に第２の導電膜１５Ｂを付着する工程とを具備する。このような各工程を以下にて説明する。
【００１７】
本発明の第１の工程は、図１から図３を参照して、第１の導電膜１５Ａ上を感光性レジスト１６で被覆し、レジスト１６の所望箇所に予め形成した開口部１１を有するシート１０をマスクとして開口部１１に対応する箇所にレジスト１６を残存させることにある。
【００１８】
先ず、図１を参照して、第１の導電膜１５Ａを用意する。第１の導電膜１５Ａの材料としては、好ましくは、Ｃｕを主材料とするもの、または公知のリードフレームの材料を採用することができる。第１の導電膜１５Ａの厚さは、例えば７０〜２００μｍ程度に形成される。そして、第１の導電膜１５Ａの表面に感光性のレジスト１６を塗布する。ここでは、レジスト１６としては、ネガ型のレジストが採用されている。
【００１９】
樹脂シート１０は、平面的な大きさが第１の導電膜１５Ａと同等に形成されており、高分子から成る絶縁材料で成る。また、後の工程で形成される接続手段１７に対応する箇所には、開口部１１が形成されている。この開口部１１は、エッチング、レーザー、ドリルまたはプレスで形成することが可能である。ここで、レーザーにより開口部１１が形成された場合では、開口部１１の側面は傾斜が付いた構造に成る。また、樹脂シート１０の材料としては、レジスト１６の露光を行う光線に対して遮光性を有する材料から成る。具体的には、紫外線（ＵＶ）を用いてレジスト１６の露光を行う場合には、ＵＶに対して遮光性を有する樹脂を、樹脂シート１０の材料として採用する。また熱伝導性が考慮され、中にフィラーが混入されても良い。材料としては、ガラス、酸化Ｓｉ、酸化アルミニウム、窒化Ａｌ、Ｓｉカーバイド、窒化ボロン等が考えられる。また、樹脂シート１０の材料としては、レジスト１６の露光を行う光線に対して遮光性を有するものであれば、熱可塑性樹脂および熱硬化性樹脂の両方を全般的に採用することができる。本発明に適用可能な熱可塑性樹脂としては、例えば、ＡＢＳ樹脂、ポリプロピレン、ポリエチレン、ポリスチレン、アクリル、ポリエチレンテレフタレート、ポリフェニレンエーテル、ナイロン、ポリアミド、ポリカーボネイト、ポリアセタール、ポリブチレンテレフタレート、ポリフェニレンサルファイド、ポリエーテルエーテルケトン、液晶ポリマー、フッ素樹脂、ウレタン樹脂およびエラストマーが挙げられる。また、熱硬化性樹脂としては、例えば、ユリア、フェノール、メラミン、フラン、アルキド、不飽和ポリエステル、ジアリルフタレート、エポキシ、ケイ素樹脂およびポリウレタンを挙げることができる。
【００２０】
特に、樹脂シート１０の材料として液晶ポリマー等の熱可塑性樹脂を用いると、熱可塑性樹脂は高温時に軟化する為、使用状況下の温度変化に起因する熱応力を緩和する働きを有する。
【００２１】
次に、図２を参照して、第１の導電膜１５Ａの表面に塗布されたレジスト１６の上面に、樹脂シート１０を載置して露光を行う。このことにより、開口部１１から露出する部分のレジスト１６のみが露光される。また、レジスト１６はネガ型のものでありので、露光した箇所のみが光化学反応によりアルカリ不溶に変質する。
【００２２】
次に、図３を参照して、アルカリ溶液を用いて選択的にレジスト１６を剥離する。このことにより、感光していない箇所のレジスト１６は剥離され、感光した箇所のレジスト１６は残存する。具体的には、樹脂シート１０に設けた開口部１１に対応する領域のレジスト１６が残存する。
【００２３】
本発明の第２の工程は、図４を参照して、残存したレジスト１６をマスクとして第１の導電膜１５Ａをエッチングして開口部１１に対応する位置に凸状の接続部１７を形成する工程である。
【００２４】
図４を参照して、残存したレジスト１６をマスクとして第１の導電膜１５Ａをエッチングし、凸状の接続部１７を形成する。接続部１７の高さは例えば５０μｍ程度に形成され、前述した樹脂シート１０の厚みよりも高く形成される。このエッチングは、第１の導電膜１５Ａが銅より成る場合は、エッチング液として塩化第２鉄または塩化第２銅を用いる。一般的に、エッチングは等方性にて進行するので、接続部１７の側面は傾斜が付いた形状になる。具体的には、接続部１７の側面は、先端部から下方に成るに従い、裾野ができる形状に成る。なお、エッチングの工程が終了した後に、レジスト１６は剥離される。また、接続部１７の表面および接続部１７が形成された第１の導電膜１５Ａの表面を、プラズマ処理またはエッチング等により粗化させることで、後の工程で、それらの面と樹脂シート１０との接着強度を向上させることができる。
【００２５】
本発明の第３の工程は、図５および図６を参照して、シート１０で凸状の接続部１１を囲むように埋め込み、シート１０上に第２の導電膜１５Ｂを付着する工程である。
【００２６】
図５（Ａ）を参照して、開口部１１で接続部１７を囲むように第１の導電膜１５Ａ表面に樹脂シート１０を載置する。樹脂シート１０を露光マスクとして用いて残存したレジスト１６により、接続部１７は形成される。従って、樹脂シート１０が有する開口部１１の位置と、第１の導電膜１５Ａが有する接続部１７の位置は正確に対応している。また、開口部１１の大きさと、接続部１７の大きさも同等程度に形成されている。
【００２７】
樹脂シート１０の開口部１１がレーザー加工により形成された場合、レーザーの特性により、開口部１１の側面は傾斜に形成される。また、上述したようにエッチングにより形成される接続部１７の側面の傾斜に形成される。このことから、接続部１７側面の傾斜に対して、開口部１１の側面が逆傾斜になるような面方向で、樹脂シート１０を第１の導電膜１５Ａに積層させることで、接続部１７と開口部１１とを嵌合させることができる。
【００２８】
図５（Ｂ）を参照して、接続部１７の上端部は、樹脂シート１０の上面よりも突出した構成と成っている。樹脂シート１０の上面から突出する接続部１７の高さは、数μｍ〜１０μｍ程度でよい。このように、樹脂シート１０の上面から接続部１７を突出させることにより、樹脂シート１０の上面に更に導電膜を積層させる工程に於いて、その導電膜と接続部１７との間に樹脂が介在してしまうのを防止することができる。また、第２の導電膜１５Ｂの裏面を予め粗化することにより、第２の導電膜１５Ｂと樹脂シート１０との接着強度を向上させることができる。
【００２９】
図６（Ａ）を参照して、樹脂シート１０の上部に第２の導電膜１５Ｂを付着させる。第２の導電膜１５Ｂの付着は、ローラーまたはプレスを用いて加圧することにより行うことができる。同時に、樹脂シート１０を軟化させる為に、樹脂シート１０を構成する樹脂が軟化する温度以上に加熱される。ここで、第２の導電膜１５Ｂは、厚さが５〜３５μｍ程度に形成され、できるだけ薄くしてファインパターンが形成できるように配慮される。
【００３０】
図６（Ｂ）を参照して、接続部１７と第２の導電膜１５Ｂとの接続構造を説明する。上述したように、接続部１７の上端は樹脂シート１０の上面よりも上方に突出している。従って、ローラー等を用いて第２の導電膜１５Ｂを付着させることにより、接続部１７の先端は僅かに潰れて第２の導電膜１５Ｂの裏面に圧着される。従って、接続部１７の上端部とその箇所に当接する第２の導電膜１５Ｂの裏面との接続は強固になり、両者の電気的接続は良好なものとなる。以上のような工程により、多層基板２０は製造される。
【００３１】
また、第２の導電膜１５Ｂを付着する前に、樹脂シート１０の表面および接続部１７の露出部をプラズマ洗浄することにより、常温接合が可能になる。これは、プラズマ洗浄により樹脂シート１０および接続部１７の表面が洗浄化および粗化され、第２の導電膜１５Ｂとの接着性が向上するからである。また、第２の導電膜１５Ｂ裏面もプラズマ洗浄を行うことにより、接着性を向上させることができる。ここでのプラズマ洗浄としては、例えばアルゴンガスを用いたプラズマ洗浄を採用することができる。
【００３２】
（回路装置の製造方法を説明する第２の実施の形態）
図７から図１１を参照して、回路装置３０の製造方法を説明する。本発明の回路装置の製造方法は、第１の導電膜１５Ａ上を感光性レジスト１６で被覆する工程と、レジスト１６Ａの所望箇所に予め形成した開口部１１を有するシート１０をマスクとして開口部１１に対応する箇所にレジスト１６を残存させる工程と、残存したレジスト１６をマスクとして第１の導電膜１５Ａをエッチングして開口部１１に対応する位置に凸状の接続部１７を形成する工程と、シート１０で凸状の接続部１１を囲むように埋め込み、シート１０上に第２の導電膜１５Ｂを付着する工程と、第２の導電膜１５Ｂをパターンニングして第１の配線層２３Ａを形成する工程と、第１の配線層２３Ａ上に回路素子２１を固着する工程と、回路素子２１を被覆するように封止樹脂２３を形成する工程とを具備する。
【００３３】
上記したように、絶縁シート１０に第２の導電膜を付着するまでの工程は、前述した第１の実施の形態と同様であるので、その説明は割愛する。以下では、接続部１７を介して電気的に接続された第１の導電膜１５Ａおよび第２の導電膜１５Ｂから成る多層基板を用いた回路装置３０の製造方法を説明する。
【００３４】
本発明の第１の工程は、図７を参照して、第２の導電膜１５Ｂをパターンニングして第１の配線層２３Ａを形成する工程である。
【００３５】
第１の実施の形態で述べたように、第２の導電膜１５Ｂは、厚さが５〜３５μｍ程度と非常に薄く形成されているので、エッチングにより第１の配線層２３Ａを微細に形成することができる。従って、多数個のボンディングパッドおよびボンディングパッドから延在する配線部を、第１の配線層２３Ａで形成することが可能である。
【００３６】
本発明の第２の工程は、図８を参照して、第１の配線層２３Ａ上に回路素子２１を固着する工程である。
【００３７】
ここでは、回路素子２１としては半導体素子が採用され、フェイスアップで第１の配線層２３Ａと電気的に絶縁して固着されている。そして、回路素子２１の電極と第１の配線層２３Ａとは、金属細線２２を介して電気的に接続されている。また、ボンディングパッドとなる第１の配線層２３Ａの表面には、Ａｇ等から成るメッキ膜が形成されている。同図では、半導体素子である回路素子２１が、フェイスアップで固着されているが、半導体素子をフェイスダウンで実装しても良い。
【００３８】
ワイヤーボンデインクの時の多層基板２０を用いるメリットについて述べる。一般にＡｕ線のワイヤーボンディングの際は、２００℃〜３００℃に加熱される。この時、第１の導電膜１５Ａが薄いと、多層基板２０が反り、この状態でボンディングヘッドを介して多層基板２０が加圧されると、多層基板２０に亀裂の発生する可能性がある。これは樹脂シート１０にフィラーが混入されると、材料自体が堅くなり柔軟性を失うため、より顕著に現れる。また樹脂は金属から比べると柔らかいので、ＡｕやＡｌのボンディングでは、加圧や超音波のエネルギーが発散してしまう。しかし、第１の導電膜１５Ａ自体が厚く形成されることでこれらの問題を解決することができる。
【００３９】
本発明の第３の工程は、図９から図１１を参照して、回路素子２１を被覆するように封止樹脂２３を形成する工程である。
【００４０】
図９を参照して、回路素子２１が被覆されるように封止樹脂を形成する。多層基板２０は、モールド装置にセットされて樹脂モールドを行う。モールド方法としては、トランスファーモールド、インジェクションモールド、塗布、ディピング等でも可能である。しかし、量産性を考慮すると、トランスファーモールド、インジェクションモールドが適している。
【００４１】
本工程では、モールドキャビティーの下金型に多層基板２０はフラットで当接される必要があるが、厚い第１の導電膜１５Ａがこの働きをする。しかもモールドキャビティーから取り出した後も、封止樹脂１３の収縮が完全に完了するまで、第１の導電膜１５Ａによってパッケージの平坦性を維持している。すなわち、本工程までの多層基板２０の機械的支持の役割は第１の導電膜１５Ａにより担われている。
【００４２】
次に、図１０を参照して、第１の導電膜１５Ａをパターンニングすることにより、第２の配線層２３Ｂを形成する。先ず、第１の導電膜１５Ａをマスクなしで全面を薄くなるようにエッチングする。このエッチングは、塩化第２鉄または塩化第２銅を用いたケミカルエッチングで良く、第１の導電膜１５Ａの厚みは３５μｍ程度まで一様に薄くする。この際に、以前の工程で第１の導電膜１５Ａに付いた傷を取り除くことができる。続いて、第１の導電膜１５Ａは、所望のパターンのホトレジストで被覆し、ケミカルエッチングで第２の配線層２３Ｂを形成する。第１の導電膜１５Ａは本工程で薄くされるので、５０μｍ以下のファインパターン化が実現できる。
【００４３】
次に、図１１を参照して、半田等のロウ材から成る外部電極２４の形成を行う。第２の配線層２３Ｂは外部電極２４を形成する部分を露出して溶剤で溶かした樹脂をスクリーン印刷してオーバーコート樹脂で大部分を被覆する。オーバーコート樹脂の材料としては、好適には、ＵＶ硬化・現像型の樹脂が使用される。即ち、活性光線により選択的に露光されて未露光部または露光部がアルカリ水溶液により現像することが可能であり、ＵＶが照射されることにより硬化される樹脂を採用することができる。次に半田のリフローあるいは半田クリームのスクリーン印刷によりこの露出部分に外部電極２４を同時に形成する。
【００４４】
最後に、多層基板２０には回路装置が多数マトリックス状に形成されているので、封止樹脂２３および多層基板２０をダイシングしてそれらを個々の回路装置に分離する。
【００４５】
以上の工程により多層基板２０を用いた回路装置３０の製造方法が行われる。本発明で使用する多層基板２０は、各配線層を電気的に接続する接続部１７が既に形成されているので、メッキ膜等による接続部の形成の工程無しで、回路装置を製造することができる。従って、薄く形成された第１の配線層２３Ａにより微細なパターンを形成することが可能となる。
【００４６】
（多層基板の製造方法を説明する第３の実施の形態）
図１２から図１８を参照して、多層基板２０の製造方法を説明する。本発明の多層基板２０の製造方法は、第１の導電膜１５Ａと第２の導電膜１５Ｂが第３の導電膜１５Ｃを介して積層された積層基板２５の第１の導電膜１５Ａ上を感光性レジスト１６で被覆する工程と、レジスト１６の所望箇所に予め形成した開口部１１を有するシート１０をマスクとして開口部１１に対応する箇所にレジスト１６を残存させる工程と、残存したレジスト１６をマスクとして第１の導電膜１５Ａをエッチングして開口部１１に対応する位置に凸状の接続部１７を形成する工程と、接続部１７をマスクとして第３の導電膜１５Ｃを除去する工程と、シート１０で凸状の接続部１７を囲むように埋め込み、シート１０上に第４の導電膜１５Ｄを付着する工程とを具備する。本発明の基本的な製造方法は、第１の実施の形態と同様であり、相違点は、第３の導電膜１５Ｃを介して第１の導電膜１５Ａおよび第２の導電膜１５Ｂが積層された積層基板を用いる点にある。上記した各工程を以下にて説明する。
【００４７】
本発明の第１の工程は、図１２から図１４を参照して、第１の導電膜１５Ａと第２の導電膜１５Ｂが第３の導電膜１５Ｃを介して積層された積層基板２５の第１の導電膜１５Ａ上を感光性レジスト１６で被覆し、更に、レジスト１６の所望箇所に予め形成した開口部１１を有するシート１０をマスクとして開口部１１に対応する箇所にレジスト１６を残存させる工程である。
【００４８】
図１２および図１３を参照して、積層基板２５の詳細を説明する。積層板２５の表面は、実質全域に第１の導電膜１５Ａが形成され、第３の導電膜１５Ｃを介して、裏面にも実質全域に第２の導電膜１５Ｂが形成されるものである。また、第１の導電膜１５Ａおよび第２の導電膜１５Ｂは、好ましくは、Ｃｕを主材料とするもの、または公知のリードフレームの材料から成る。第１の導電膜１５Ａ、第２の導電膜１５Ｂおよび第３の導電膜１５Ｃは、メッキ法、蒸着法またはスパッタ法で形成されたり、圧延法やメッキ法により形成された金属箔が貼着されても良い。なお、第１の導電膜１５Ａおよび第２の導電膜１５ＢとしてはＡｌ、Ｆｅ、Ｆｅ−Ｎｉ、公知のリードフレーム材等でも良い。
【００４９】
第３の導電膜１５Ｃの材料は、第１の導電膜１５Ａおよび第２の導電膜１５Ｂを除去する際に使用されるエッチング液に、エッチングされない材料が採用される。具体的に、第３の導電膜１５Ｃの材料としては金、銀、パラジュームから成る導電材料を採用することができる。
【００５０】
樹脂シート１０は、平面的な大きさが第１の導電膜１５Ａと同等に形成されており、ポリイミド樹脂またはエポキシ樹脂等の高分子から成る絶縁材料で成る。また、後の工程で形成される接続手段１７に対応する箇所には、開口部１１が形成されている。この開口部は、レーザー、ドリルまたはプレスで形成することが可能である。ここで、レーザーにより開口部１１が形成された場合では、開口部１１の側面は傾斜が付いた構造に成る。また、樹脂シート１０の材料としては、レジスト１６の露光を行う光線に対して遮光性を有する材料から成る。具体的には、紫外線（ＵＶ）を用いてレジスト１６の露光を行う場合には、ＵＶに対して遮光性を有する樹脂を、樹脂シート１０の材料として採用する。また熱伝導性が考慮され、中にフィラーが混入されても良い。材料としては、ガラス、酸化Ｓｉ、酸化アルミニウム、窒化Ａｌ、Ｓｉカーバイド、窒化ボロン等が考えられる。
【００５１】
次に、図１３を参照して、第１の導電膜１５Ａの表面に塗布されたレジスト１６の上面に、樹脂シート１０を載置して露光を行う。このことにより、開口部１１から露出する部分のレジスト１６のみが露光される。また、レジスト１６はネガ型のものでありので、露光した箇所のみが光化学反応によりアルカリ不溶に変質する。
【００５２】
次に、図１４を参照して、アルカリ溶液を用いて選択的にレジスト１６を剥離する。このことにより、感光していない箇所のレジスト１６は剥離され、感光した箇所のレジスト１６は残存する。具体的には、樹脂シート１０に設けた開口部１１に対応する領域のレジスト１６が残存する。
【００５３】
本発明の第２の工程は、図１５から図１６を参照して、残存したレジスト１６をマスクとして第１の導電膜１５Ａをエッチングして開口部１１に対応する位置に凸状の接続部１７を形成し、更に、接続部１７をマスクとして第３の導電膜１５Ｃを除去する工程である。
【００５４】
図１５を参照して、残存したレジスト１６をマスクとして第１の導電膜１５Ａをエッチングし、凸状の接続部１７を形成する。接続部１７の高さは例えば５０μｍ程度に形成され、前述した樹脂シート１０の厚みよりも高く形成される。このエッチングは、第１の導電膜１５Ａが銅より成る場合は、エッチング液として塩化第２鉄または塩化第２銅を用いる。なお、エッチングの工程が終了した後に、レジスト１６は剥離される。また、接続部１７の表面および第３の導電膜１５Ｃの表面を、プラズマ処理またはエッチング等により粗化させることで、後の工程で、それらの面と樹脂シート１０との接着強度を向上させることができる。
【００５５】
更に、本工程では、第１の導電膜１５Ａのエッチングを、第３の導電膜１５Ｃでストップさせることができる。本工程でエッチングされる第１の導電膜１５Ａが主にＣｕから形成された場合、エッチング液としては、塩化第２鉄または塩化第２銅が使用される。それに対して、第３の導電膜１５Ｃは塩化第２鉄または塩化第２銅にエッチングされない導電性材料から形成されているので、エッチングは第３の導電膜１５Ｃの表面でストップする。このことから、接続部１７の側面を導電膜１５の延在方向に対して垂直に近い形状に形成することができる。
【００５６】
図１６を参照して、前工程で形成された接続部をマスクとして、露出する第３の導電膜１５Ｃを除去する。第３の導電膜１５Ｃを除去する方法としては２つの方法を採用することができる。第１の方法は、第３の導電膜１５Ｃのみを除去する液を用いてエッチングする方法である。第２の方法は、電界剥離により第３の導電膜１５Ｃのみを除去する方法である。
【００５７】
第１の方法であるエッチングにより第３の導電膜１５Ｃを部分的に除去する方法を説明する。この方法で使用するエッチング液は、第３の導電膜１５Ｃをエッチングし且つ第１の導電配線層１５Ａおよび第２の導電膜１５Ｂをエッチングしないものが使用される。例えば、第１の導電膜１５Ａおよび第２の導電膜１５ＢがＣｕを主体とする材料から形成され、第３の導電膜１５ＣがＡｇ膜である場合は、ヨウ素系のエッチング液を使用することにより第３の導電膜１５Ｃのみを除去することができる。第３の導電膜１５Ｃがエッチングされることにより、第２の導電膜１５Ｂはヨウ素系のエッチング液に接触するが、例えばＣｕから成る第２の導電膜１５Ｂはヨウ素系のエッチング液にはエッチングされない。従って、ここでのエッチングは、第２の導電膜１５Ｂの表面でストップする。
【００５８】
第２の方法である電界剥離により第３の導電膜１５Ｃのみを除去する方法を説明する。先ず、金属イオンを含む溶液と第３の導電膜１５Ｃを接触させる。そして溶液の方にプラスの電極を設け、積層基板２５にマイナスの電極を設けて直流電流を流す。このことにより、電界法によるメッキ膜形成と逆の原理で第３の導電膜１５Ｃのみが除去される。ここで使用する溶液は、第３の導電膜１５Ｃを構成する材料をメッキ処理する際に用いるものである。従って、この方法では、第３の導電膜１５Ｃのみが剥離される。また、高圧で液体を噴射することにより、第３の導電膜１５Ｃを除去しても良い。
【００５９】
本発明の第３の工程は、図１７および図１８を参照して、シート１０で凸状の接続部１７を囲むように埋め込み、シート１０上に第４の導電膜１５Ｄを付着する工程である。
【００６０】
図１７を参照して、開口部１１で接続部１７を囲むように第１の導電膜１５Ａ表面に樹脂シート１０を載置する。樹脂シート１０を露光マスクとして用いて残存したレジスト１６により、接続部１７は形成される。従って、樹脂シート１０が有する開口部１１の位置と、第１の導電膜１５Ａが有する接続部１７の位置は正確に対応している。また、開口部１１の大きさと、接続部１７の大きさも同等程度に形成されている。
【００６１】
接続部１７の上端部は、樹脂シート１０の上面よりも突出した構成と成っている。樹脂シート１０の上面から突出する接続部１７の高さは、数μｍ〜１０μｍ程度でよい。このように、樹脂シート１０の上面から接続部１７を突出させることにより、樹脂シート１０の上面に更に導電膜を積層させる工程に於いて、その導電膜と接続部１７との間に樹脂が介在してしまうのを防止することができる。
【００６２】
図１８（Ａ）を参照して、樹脂シート１０の上部に第４の導電膜１５Ｄを付着させる。第４の導電膜１５Ｄの付着は、ローラーまたはプレスを用いて加圧することにより行うことができる。同時に、樹脂シート１０を軟化させる為に、樹脂シート１０を構成する樹脂が軟化する温度以上に加熱される。ここで、第４の導電膜１５Ｄは、厚さが５〜３５μｍ程度に形成され、できるだけ薄くしてファインパターンが形成できるように配慮される。また、第４の導電膜１５Ｄの裏面を予め粗化することにより、第４の導電膜１５Ｄと樹脂シート１０との接着強度を向上させることができる。
【００６３】
図１８（Ｂ）を参照して、接続部１７と第４の導電膜１５Ｄとの接続構造を説明する。上述したように、接続部１７の上端は樹脂シート１０の上面よりも上方に突出している。従って、ローラー等を用いて第４の導電膜１５Ｄを付着させることにより、接続部１７の先端は僅かに潰れて第４の導電膜１５Ｄの裏面に圧着される。従って、接続部１７の上端部とその箇所に当接する第４の導電膜１５Ｄの裏面との接続は強固になり、両者の電気的接続は良好なものとなる。以上のような工程により、多層基板２０は製造される。
【００６４】
（回路装置の製造方法を説明する第４の実施の形態）
図１９から図２３を参照して、回路装置３０の製造方法を説明する。本発明の回路装置の製造方法は、第１の導電膜１５Ａと第２の導電膜１５Ｂが第３の導電膜１５Ｃを介して積層された積層基板２５の第１の導電膜１５Ａ上を感光性レジスト１６で被覆する工程と、レジスト１６の所望箇所に予め形成した開口部１１を有するシート１０をマスクとして開口部１１に対応する箇所にレジスト１６を残存させる工程と、残存したレジスト１６をマスクとして第１の導電膜１５Ａをエッチングして開口部１１に対応する位置に凸状の接続部１７を形成する工程と、接続部１７をマスクとして第３の導電膜１５Ｃを除去する工程と、シート１０で凸状の接続部１７を囲むように埋め込み、シート１０上に第４の導電膜１５Ｄを付着する工程と、第４の導電膜１５Ｄをパターンニングして第１の配線層２３Ａを形成する工程と、第１の配線層２３Ａ上に回路素子２１を固着する工程と、回路素子２１を被覆するように封止樹脂２３を形成する工程とを具備する。
【００６５】
上記したように、第４の導電膜１５Ｄを付着するまでの工程は、前述した第３の実施の形態と同様であるので、その説明は割愛する。以下では、第３の実施の形態により製造される多層基板２０を用いた回路装置３０の製造方法を説明する。
【００６６】
本発明の第１の工程は、図１９を参照して、第４の導電膜１５Ｄをパターンニングして第１の配線層２３Ａを形成する工程である。
【００６７】
第３の実施の形態で述べたように、第４の導電膜１５Ｄは、厚さが５〜３５μｍ程度と非常に薄く形成されているので、エッチングにより第１の配線層２３Ａを微細に形成することができる。従って、多数個のボンディングパッドおよびボンディングパッドから延在する配線部を、第１の配線層２３Ａで形成することが可能である。
【００６８】
本発明の第２の工程は、図２０を参照して、第１の配線層２３Ａ上に回路素子２１を固着する工程である。
【００６９】
ここでは、回路素子２１としては半導体素子が採用され、フェイスアップで第１の配線層２３Ａと電気的に絶縁して固着されている。そして、回路素子２１の電極と第１の配線層２３Ａとは、金属細線２２を介して電気的に接続されている。また、ボンディングパッドとなる第１の配線層２３Ａの表面には、Ａｇ等から成るメッキ膜が形成されている。同図では、半導体素子である回路素子２１が、フェイスアップで固着されているが、半導体素子をフェイスダウンで実装しても良い。
【００７０】
ワイヤーボンデインクの時の多層基板２０を用いるメリットについて述べる。一般にＡｕ線のワイヤーボンディングの際は、２００℃〜３００℃に加熱される。この時、第２の導電膜１５Ｂが薄いと、多層基板２０が反り、この状態でボンディングヘッドを介して多層基板２０が加圧されると、多層基板２０に亀裂の発生する可能性がある。これは樹脂シート１０にフィラーが混入されると、材料自体が堅くなり柔軟性を失うため、より顕著に現れる。また樹脂は金属から比べると柔らかいので、ＡｕやＡｌのボンディングでは、加圧や超音波のエネルギーが発散してしまう。しかし、第２の導電膜１５Ｂ自体が厚く形成されることでこれらの問題を解決することができる。
【００７１】
本発明の第３の工程は、図２１から図２３を参照して、回路素子２１を被覆するように封止樹脂２３を形成する工程である。
【００７２】
図２１を参照して、回路素子２１が被覆されるように封止樹脂を形成する。多層基板２０は、モールド装置にセットされて樹脂モールドを行う。モールド方法としては、トランスファーモールド、インジェクションモールド、塗布、ディピング等でも可能である。しかし、量産性を考慮すると、トランスファーモールド、インジェクションモールドが適している。
【００７３】
本工程では、モールドキャビティーの下金型に絶縁樹脂シート１はフラットで当接される必要があるが、厚い第２の導電膜１５Ｂがこの働きをする。しかもモールドキャビティーから取り出した後も、封止樹脂２３の収縮が完全に完了するまで、第２の導電膜１５Ｂによってパッケージの平坦性を維持している。すなわち、本工程までの多層基板２０の機械的支持の役割は第２の導電膜１５Ｂにより担われている。
【００７４】
次に、図２２を参照して、第２の導電膜１５Ｂをパターンニングすることにより、第２の配線層２３Ｂを形成する。先ず、第２の導電膜１５Ｂをマスクなしで全面を薄くなるようにエッチングする。このエッチングは、塩化第２鉄または塩化第２銅を用いたケミカルエッチングで良く、第２の導電膜１５Ｂの厚みは３５μｍ程度まで一様に薄くする。この際に、以前の工程で第２の導電膜１５Ｂに付いた傷を取り除くことができる。続いて、第２の導電膜１５Ｂは、所望のパターンのホトレジストで被覆し、ケミカルエッチングで第２の配線層２３Ｂを形成する。第２の導電膜１５Ｂは本工程で薄くされるので、５０μｍ以下のファインパターン化が実現できる。
【００７５】
次に、図２３を参照して、半田等のロウ材から成る外部電極２４の形成を行う。第２の配線層２３Ｂは外部電極２４を形成する部分を露出して溶剤で溶かしたエポキシ樹脂等をスクリーン印刷してオーバーコート樹脂で大部分を被覆する。次に半田のリフローあるいは半田クリームのスクリーン印刷によりこの露出部分に外部電極２４を同時に形成する。
【００７６】
最後に、多層基板２０には回路装置が多数マトリックス状に形成されているので、封止樹脂２３および多層基板２０をダイシングしてそれらを個々の回路装置に分離する。
【００７７】
以上の工程により多層基板２０を用いた回路装置３０の製造方法が行われる。本発明で使用する多層基板２０は、各配線層を電気的に接続する接続部１７が既に形成されているので、メッキ膜等による接続部の形成の工程無しで、回路装置を製造することができる。従って、薄く形成された第４の配線層１５Ｄにより微細なパターンを形成することが可能となる。
【００７８】
（多層基板の製造方法を説明する第５の実施の形態）
図２４から図３２を参照して、多層基板４０の製造方法を説明する。本実施の形態の多層基板の製造方法は、基本的には第３の実施の形態と同様であり、４層以上に積層された積層基板３５を用いて、３層以上の配線構造を形成することができる。以下にて、多層基板４０の製造方法の詳細を説明する。
【００７９】
本発明の第１の工程は、図２４および図２５を参照して、積層板３５を用意し、絶縁シート１０Ａにより接続部１７Ａの形成し、第６の導電膜を付着させる。
【００８０】
図２４を参照して、積層基板３５の詳細を説明する。積層基板３５は、５層に積層された第１の導電膜１５Ａ〜第５の導電膜１５Ｅで形成されている。後の工程により配線層２３Ａまたは接続部１７と成る層の導電膜１５は、銅等の公知のリードフレームの材料から形成される。ここでは、第１の導電膜１５Ａ、第３の導電膜１５Ｃおよび第５の導電膜１５Ｅが、例えば銅から形成されている。そして、第２の導電膜１５Ｂおよび第４の導電膜は、第１の導電膜、第３の導電膜および第５の導電膜とは異なる材料から形成されている。第２の導電膜１５Ｂおよび第４の導電膜の材料としては、例えば金、銀、パラジュームを採用することができる。
【００８１】
積層基板３５の製造方法としては、例えば、銅から成る第３の導電膜１５Ｃを用意し、その両面に銀から成る第２の導電膜１５Ｂおよび第４の導電膜１５Ｄをメッキ法で積層させる。更に、第２の導電膜１５Ｄの表面および第４の導電膜１５Ｄの表面に、銅から成る第１の導電膜１５Ａおよび第５の導電膜１５Ｅをメッキ法で積層させる。
【００８２】
次に、開口部を有する樹脂シート１０を露光マスクとして接続部１７Ａを形成し、第３の導電膜を選択的に除去した後に、樹脂シート１０を第３の導電膜上に積層させ、樹脂シート１０Ａ上に第６の導電膜１５Ｆを付着させる。この方法は、前述した第３の実施の形態と同様であるので詳細な説明は省略する。
【００８３】
本発明の第２の工程は、図２６から図２９を参照して、第５の導電膜１５Ｅをエッチングすることにより、接続部１７Ｂを形成することにある。
【００８４】
先ず、図２６および図２７を参照して、第５の導電膜１５Ｅの表面にネガ型の感光性を有するレジスト１６を形成する。そして、接続部１７Ｂが形成予定の箇所に開口部１１を有する樹脂シート１０Ｂを、第５の導電膜１５Ｅの表面に載置する。次に、樹脂シート１０を介してレジスト１６を感光させる。この様に露光を行うことにより、図２７に示すように、開口部１１に対応した箇所のレジスト１６を残存させることができる。
【００８５】
次に、図２８を参照して、残存したレジスト１６をマスクとして第５の導電膜１５Ｅをエッチングにより選択的に除去することで、凸状の接続部１７Ｂを形成する。第５の導電膜をエッチングすることで、第４の導電膜１５Ｄもエッチング液に接触する。しかしながら、第４の導電膜１５Ｄはこのエッチング液とは反応しない銀等の材料からなるので、第４の導電膜１５Ｄの表面でエッチングをストップさせることができる。
【００８６】
次に、図２９を参照して、接続部１７Ｂをマスクとして第４の導電膜を選択的に除去する。第４の導電膜が銀から形成された場合は、ヨウ素系の溶液を用いたエッチングまたは電界剥離により第４の導電膜１５Ｄのみを選択的に除去することができる。これらの方法の詳細は、第３の実施の形態で詳述したので、ここではその説明は省略する。
【００８７】
本発明の第３の工程は、図３０から図３１を参照して、第３の導電膜１５Ｃおよび第６の導電膜１５Ｆをパターンニングすることにより、配線層２３を形成する。
【００８８】
先ず、図３０を参照して、所望のパターンが形成されるように、第３の導電膜１５Ｃの表面および第６の導電膜１５Ｆの表面にレジスト１６を形成する。また、第３の導電膜１５Ｃの表面に形成された接続部１７Ｂも、レジスト１６で被覆される。
【００８９】
次に、図３１を参照して、エッチングを行うことにより、第１の配線層２３Ａおよび第２の配線層２３Ｂを形成する。第６の導電膜は、３０μｍ程度に薄く形成することが可能であるので、第１の配線層２３Ａは微細に形成することが可能である。
【００９０】
本発明の第４の工程は、図３２を参照して、樹脂シート１０Ｂを介して他の多層基板２０を積層させる工程である。
【００９１】
図３２（Ａ）を参照して、樹脂シート１０Ｂの開口部１１を、接合部１７Ｂに填め込んで、樹脂シート１０Ｂを積層される。更に、多層基板２０を樹脂シート１０Ｂの表面に積層される。多層基板２０は、前述した第１の実施の形態または第３の実施の形態による方法で製造されたものでよい。ここでは、第１の実施の形態による方法で製造された多層基板２０を積層させている。従って、多層基板２０の表面に形成された配線層と、接続部１７Ｂが電気的に接続する。
【００９２】
図３２（Ｂ）参照して、多層基板４０の構成を説明する。ここでは、第１の配線層２３Ａ、第２の配線層２３Ｂおよび第３の配線層２３Ｃが絶縁シート１０Ａ、１０Ｂを介して積層されている。また、第１の配線層２３Ａと第２の配線層２３Ｂとは接続部１７Ａを介して電気的に接続され、第２の配線層２３Ｂと第３の配線層２３Ｃとは接続部１７Ｂを介して電気的に接続されている。またこの様な構成を有する多層基板４０を用いて、第４の実施の形態のように回路装置を製造することにより、３層以上の配線構造を有する回路装置を製造することができる。
【００９３】
上記の説明では、開口部１１が設けられた樹脂シート１０を用いて、接続部１７を形成する多層基板等の製造方法の説明を行ったが、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の変更が可能である。具体的には、回路素子が実装されるランド部、配線部およびパッド部を構成するように、樹脂シート１０の開口部１１を形成することが可能である。
【００９４】
【発明の効果】
本発明の多層基板の製造方法によれば、開口部１１を有する樹脂シート１０を用いて第１の導電膜１５Ａの表面に形成されたレジスト１６の露光を行うことで、開口部１１に対応した箇所のレジスト１６を残存させることができる。更に、残存したレジスト１６をマスクとして導電膜１５のエッチングを行い、凸状の接続部１７を形成する。その後、接続部１７に開口部１１を填め込むように樹脂シート１０を積層させて、樹脂シート１０上に第２の導電膜１５Ｂを積層させることで、多層基板２０を製造する。従って、導電膜を絶縁する樹脂シート１０を、接続部１７を形成するための露光マスクとして用いている。このことから、開口部１１の位置に正確に対応した箇所に接続部１７を形成することができる。
【００９５】
また、第１の導電膜１５Ａおよび第２の導電膜１５Ｂが第３の導電膜１５Ｃを介して積層された積層基板２５を基材として、上記と同じ方法で接続部１７の形成および樹脂シート１０の積層を行うことができる。この場合は、接続部１７の側面が傾斜が少ない構造になるので、樹脂シート１０の開口部１１の位置に、より正確に対応した箇所に接続部１７を形成することが可能となる。
【００９６】
本発明の回路装置の製造方法によれば、上記の方法により、多層に形成された導電膜１５が接続部１７により電気的に接続された多層基板２０を用いて回路装置を製造するため、メッキ法により接続手段を形成する工程を省いて、回路装置を製造することができる。従って、メッキ膜形成による導電膜１５の膜厚の増加を防止できるので、微細な配線層２３を形成することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の多層基板の製造方法を説明する斜視図である。
【図２】本発明の多層基板の製造方法を説明する断面図である。
【図３】本発明の多層基板の製造方法を説明する断面図である。
【図４】本発明の多層基板の製造方法を説明する断面図である。
【図５】本発明の多層基板の製造方法を説明する断面図（Ａ）、断面図（Ｂ）である。
【図６】本発明の多層基板の製造方法を説明する断面図（Ａ）、断面図（Ｂ）である。
【図７】本発明の回路装置の製造方法を説明する断面図である。
【図８】本発明の回路装置の製造方法を説明する断面図である。
【図９】本発明の回路装置の製造方法を説明する断面図である。
【図１０】本発明の回路装置の製造方法を説明する断面図である。
【図１１】本発明により製造された回路装置を説明する断面図である。
【図１２】本発明の多層基板の製造方法を説明する斜視図である。
【図１３】本発明の多層基板の製造方法を説明する断面図である。
【図１４】本発明の多層基板の製造方法を説明する断面図である。
【図１５】本発明の多層基板の製造方法を説明する断面図である。
【図１６】本発明の多層基板の製造方法を説明する断面図である。
【図１７】本発明の多層基板の製造方法を説明する断面図である。
【図１８】本発明の多層基板の製造方法を説明する断面図（Ａ）、断面図（Ｂ）である。
【図１９】本発明の回路装置の製造方法を説明する断面図である。
【図２０】本発明の回路装置の製造方法を説明する断面図である。
【図２１】本発明の回路装置の製造方法を説明する断面図である。
【図２２】本発明の回路装置の製造方法を説明する断面図である。
【図２３】本発明により製造された回路装置を説明する断面図である。
【図２４】本発明の多層基板の製造方法を説明する断面図である。
【図２５】本発明の多層基板の製造方法を説明する断面図である。
【図２６】本発明の多層基板の製造方法を説明する断面図である。
【図２７】本発明の多層基板の製造方法を説明する断面図である。
【図２８】本発明の多層基板の製造方法を説明する断面図である。
【図２９】本発明の多層基板の製造方法を説明する断面図である。
【図３０】本発明の多層基板の製造方法を説明する断面図である。
【図３１】本発明の多層基板の製造方法を説明する断面図である。
【図３２】本発明の多層基板の製造方法を説明する断面図（Ａ）、断面図（Ｂ）である。
【図３３】従来の回路装置の製造方法を説明する断面図である。
【符号の説明】
１０ 樹脂シート
１１ 開口部
１５Ａ 第１の導電膜
１５Ｂ 第２の導電膜
１５Ｃ 第３の導電膜
１６ レジスト
１７ 接続部
２０ 多層基板
【発明の属する技術分野】
本発明は、微細な導電パターンを形成することを可能とする多層基板の製造方法およびそれを用いた回路装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
図３３を参照して、従来の多層基板の配線構造を有する回路装置１１０の製造方法を説明する（例えば、特許文献１を参照）。図３３（Ａ）から図３３（Ｄ）は回路装置１１０の製造工程を示す断面図である。
【０００３】
図３３（Ａ）を参照して、シート状の第１の導電膜１２３Ａと第２の導電膜１２３Ｂが層間絶縁膜１２２を介して接着された絶縁シート１２１を用意する。そして、第１の導電膜１２３Ａおよび層間絶縁層１２２を部分的に除去することにより、貫通孔１３１を形成してその下部に第２の導電膜１２３Ｂの表面を露出させる。
【０００４】
図３３（Ｂ）を参照して、貫通孔１３１の表面および第１の導電膜１２３Ａの表面にメッキ膜を形成することにより、多層接続手段１１４を形成する。次に、第１の導電膜を選択的にエッチングを行うことにより、第１の導電配線層１１２Ａを形成する。
【０００５】
図３３（Ｃ）を参照して、第１の導電配線層１１２Ａ上に絶縁して回路素子１１３を固着する。同図のように回路素子１１３として半導体素子が実装された場合は、半導体素子の電極と第１の導電配線層１１２Ａとを金属細線１１５で接続する。
【０００６】
図３３（Ｄ）を参照して、回路素子１１３が被覆されるように封止樹脂層１１７を形成する。そして、裏面の第２の導電膜１２３Ｂを選択的にエッチングを行うことにより、第２の導電配線層１１２Ｂを形成する。最後に、第２の導電配線層１１２Ｂの所望の箇所に外部電極１１６を形成することにより、回路装置１１０は製造されていた。
【０００７】
【特許文献１】
特願２００１―１８５４２２（第９図）
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述した回路装置１１０の製造方法では、貫通孔１３１および第１の導電膜１２３Ａの表面にメッキ膜を形成することにより、多層接続手段１１４を形成していた。従って、メッキ膜が形成される分だけ第１の導電配線層１２３Ａの厚みが増すここになる。また、第１の導電膜１２３Ａを選択的にエッチングを行うことにより、第１の導電配線層１１２Ａは形成される。このことから、薄く形成された第１の導電膜１２３Ａを有する絶縁シート１２１を用意しても、上記した理由により第１の導電膜１２３Ａの厚みが増してしまうので、所望の微細さを有する第１の導電配線層１１２Ａを形成するのが困難である問題があった。
【０００９】
更に、図３３（Ａ）を参照して、貫通孔１３１には作業雰囲気によりゴミが入ったり汚染物が残ったりすることで、上下導電配線層との接続性が悪化することがあった。このことにより、モールド時の応力により接続部が簡単に剥がれてしまう問題があった。
【００１０】
本発明は上述した問題点を鑑みて成され、本発明の目的は、微細な配線層を形成することを可能とする多層基板の製造方法およびそれを用いた回路装置の製造方法を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明の多層基板の製造方法は、第１の導電膜上を感光性レジストで被覆する工程と、予め形成した開口部を有するシートをマスクとして前記開口部に対応する箇所に前記レジストを残存させる工程と、残存した前記レジストをマスクとして前記第１の導電膜をエッチングして前記開口部に対応する位置に凸状の接続部を形成する工程と、前記シートで前記凸状の接続部を囲むように埋め込み、前記シート上に第２の導電膜を付着する工程とを具備することを特徴とする。
【００１２】
本発明の回路装置の製造方法は、第１の導電膜上を感光性レジストで被覆する工程と、予め形成した開口部を有するシートをマスクとして前記開口部に対応する箇所に前記レジストを残存させる工程と、残存した前記レジストをマスクとして前記第１の導電膜をエッチングして前記開口部に対応する位置に凸状の接続部を形成する工程と、前記シートで前記凸状の接続部を囲むように埋め込み、前記シート上に前記第２の導電膜を付着する工程と、前記第２の導電膜をパターンニングして配線層を形成する工程と、前記配線層上に回路素子を固着する工程と、前記回路素子を被覆するように封止樹脂を形成する工程とを具備することを特徴とする。
【００１３】
本発明の多層基板の製造方法は、第１の導電膜と第２の導電膜が第３の導電膜を介して積層された積層基板の前記第１の導電膜上を感光性レジストで被覆する工程と、予め形成した開口部を有するシートをマスクとして前記開口部に対応する箇所に前記レジストを残存させる工程と、残存した前記レジストをマスクとして前記第１の導電膜をエッチングして前記開口部に対応する位置に凸状の接続部を形成する工程と、前記接続部をマスクとして前記第３の導電膜を除去する工程と、前記シートで前記凸状の接続部を囲むように埋め込み、前記シート上に前記第４の導電膜を付着する工程とを具備することを特徴とする。
【００１４】
本発明の回路装置の製造方法は、第１の導電膜と第２の導電膜が第３の導電膜を介して積層された積層基板の前記第１の導電膜上を感光性レジストで被覆する工程と、予め形成した開口部を有するシートをマスクとして前記開口部に対応する箇所に前記レジストを残存させる工程と、残存した前記レジストをマスクとして前記第１の導電膜をエッチングして前記開口部に対応する位置に凸状の接続部を形成する工程と、前記接続部をマスクとして前記第３の導電膜を除去する工程と、前記シートで前記凸状の接続部を囲むように埋め込み、前記シート上に前記第４の導電膜を付着する工程と、前記第４の導電膜をパターンニングして配線層を形成する工程と、前記配線層上に回路素子を固着する工程と、前記回路素子を被覆するように封止樹脂を形成する工程とを具備することを特徴とする。
【００１５】
上記したシートとしては、例えば樹脂製の絶縁シートを採用することができる。樹脂シートに設けられた開口部の位置は、各導電膜の電気的接続を行う接続部が形成される箇所に対応している。従って、レジストの選択的な除去を行う際に、樹脂シートを露光マスクとして用いることにより、接続部が形成される予定の箇所にレジストを残存させることができる。更に、接続部に開口部を填め込むように、導電膜に樹脂シートを積層させることで、樹脂シートを層間絶縁膜として用いることができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
（多層基板の製造方法を説明する第１の実施の形態）
図１から図６を参照して、多層基板２０の製造方法を説明する。本発明の多層基板２０の製造方法は、第１の導電膜１５Ａ上を感光性レジスト１６で被覆する工程と、レジスト１６の所望箇所に予め形成した開口部１１を有するシート１０をマスクとして開口部１１に対応する箇所にレジスト１６を残存させる工程と、残存したレジスト１６をマスクとして第１の導電膜１５Ａをエッチングして開口部１１に対応する位置に凸状の接続部１７を形成する工程と、シート１０で凸状の接続部１１を囲むように埋め込み、シート１０上に第２の導電膜１５Ｂを付着する工程とを具備する。このような各工程を以下にて説明する。
【００１７】
本発明の第１の工程は、図１から図３を参照して、第１の導電膜１５Ａ上を感光性レジスト１６で被覆し、レジスト１６の所望箇所に予め形成した開口部１１を有するシート１０をマスクとして開口部１１に対応する箇所にレジスト１６を残存させることにある。
【００１８】
先ず、図１を参照して、第１の導電膜１５Ａを用意する。第１の導電膜１５Ａの材料としては、好ましくは、Ｃｕを主材料とするもの、または公知のリードフレームの材料を採用することができる。第１の導電膜１５Ａの厚さは、例えば７０〜２００μｍ程度に形成される。そして、第１の導電膜１５Ａの表面に感光性のレジスト１６を塗布する。ここでは、レジスト１６としては、ネガ型のレジストが採用されている。
【００１９】
樹脂シート１０は、平面的な大きさが第１の導電膜１５Ａと同等に形成されており、高分子から成る絶縁材料で成る。また、後の工程で形成される接続手段１７に対応する箇所には、開口部１１が形成されている。この開口部１１は、エッチング、レーザー、ドリルまたはプレスで形成することが可能である。ここで、レーザーにより開口部１１が形成された場合では、開口部１１の側面は傾斜が付いた構造に成る。また、樹脂シート１０の材料としては、レジスト１６の露光を行う光線に対して遮光性を有する材料から成る。具体的には、紫外線（ＵＶ）を用いてレジスト１６の露光を行う場合には、ＵＶに対して遮光性を有する樹脂を、樹脂シート１０の材料として採用する。また熱伝導性が考慮され、中にフィラーが混入されても良い。材料としては、ガラス、酸化Ｓｉ、酸化アルミニウム、窒化Ａｌ、Ｓｉカーバイド、窒化ボロン等が考えられる。また、樹脂シート１０の材料としては、レジスト１６の露光を行う光線に対して遮光性を有するものであれば、熱可塑性樹脂および熱硬化性樹脂の両方を全般的に採用することができる。本発明に適用可能な熱可塑性樹脂としては、例えば、ＡＢＳ樹脂、ポリプロピレン、ポリエチレン、ポリスチレン、アクリル、ポリエチレンテレフタレート、ポリフェニレンエーテル、ナイロン、ポリアミド、ポリカーボネイト、ポリアセタール、ポリブチレンテレフタレート、ポリフェニレンサルファイド、ポリエーテルエーテルケトン、液晶ポリマー、フッ素樹脂、ウレタン樹脂およびエラストマーが挙げられる。また、熱硬化性樹脂としては、例えば、ユリア、フェノール、メラミン、フラン、アルキド、不飽和ポリエステル、ジアリルフタレート、エポキシ、ケイ素樹脂およびポリウレタンを挙げることができる。
【００２０】
特に、樹脂シート１０の材料として液晶ポリマー等の熱可塑性樹脂を用いると、熱可塑性樹脂は高温時に軟化する為、使用状況下の温度変化に起因する熱応力を緩和する働きを有する。
【００２１】
次に、図２を参照して、第１の導電膜１５Ａの表面に塗布されたレジスト１６の上面に、樹脂シート１０を載置して露光を行う。このことにより、開口部１１から露出する部分のレジスト１６のみが露光される。また、レジスト１６はネガ型のものでありので、露光した箇所のみが光化学反応によりアルカリ不溶に変質する。
【００２２】
次に、図３を参照して、アルカリ溶液を用いて選択的にレジスト１６を剥離する。このことにより、感光していない箇所のレジスト１６は剥離され、感光した箇所のレジスト１６は残存する。具体的には、樹脂シート１０に設けた開口部１１に対応する領域のレジスト１６が残存する。
【００２３】
本発明の第２の工程は、図４を参照して、残存したレジスト１６をマスクとして第１の導電膜１５Ａをエッチングして開口部１１に対応する位置に凸状の接続部１７を形成する工程である。
【００２４】
図４を参照して、残存したレジスト１６をマスクとして第１の導電膜１５Ａをエッチングし、凸状の接続部１７を形成する。接続部１７の高さは例えば５０μｍ程度に形成され、前述した樹脂シート１０の厚みよりも高く形成される。このエッチングは、第１の導電膜１５Ａが銅より成る場合は、エッチング液として塩化第２鉄または塩化第２銅を用いる。一般的に、エッチングは等方性にて進行するので、接続部１７の側面は傾斜が付いた形状になる。具体的には、接続部１７の側面は、先端部から下方に成るに従い、裾野ができる形状に成る。なお、エッチングの工程が終了した後に、レジスト１６は剥離される。また、接続部１７の表面および接続部１７が形成された第１の導電膜１５Ａの表面を、プラズマ処理またはエッチング等により粗化させることで、後の工程で、それらの面と樹脂シート１０との接着強度を向上させることができる。
【００２５】
本発明の第３の工程は、図５および図６を参照して、シート１０で凸状の接続部１１を囲むように埋め込み、シート１０上に第２の導電膜１５Ｂを付着する工程である。
【００２６】
図５（Ａ）を参照して、開口部１１で接続部１７を囲むように第１の導電膜１５Ａ表面に樹脂シート１０を載置する。樹脂シート１０を露光マスクとして用いて残存したレジスト１６により、接続部１７は形成される。従って、樹脂シート１０が有する開口部１１の位置と、第１の導電膜１５Ａが有する接続部１７の位置は正確に対応している。また、開口部１１の大きさと、接続部１７の大きさも同等程度に形成されている。
【００２７】
樹脂シート１０の開口部１１がレーザー加工により形成された場合、レーザーの特性により、開口部１１の側面は傾斜に形成される。また、上述したようにエッチングにより形成される接続部１７の側面の傾斜に形成される。このことから、接続部１７側面の傾斜に対して、開口部１１の側面が逆傾斜になるような面方向で、樹脂シート１０を第１の導電膜１５Ａに積層させることで、接続部１７と開口部１１とを嵌合させることができる。
【００２８】
図５（Ｂ）を参照して、接続部１７の上端部は、樹脂シート１０の上面よりも突出した構成と成っている。樹脂シート１０の上面から突出する接続部１７の高さは、数μｍ〜１０μｍ程度でよい。このように、樹脂シート１０の上面から接続部１７を突出させることにより、樹脂シート１０の上面に更に導電膜を積層させる工程に於いて、その導電膜と接続部１７との間に樹脂が介在してしまうのを防止することができる。また、第２の導電膜１５Ｂの裏面を予め粗化することにより、第２の導電膜１５Ｂと樹脂シート１０との接着強度を向上させることができる。
【００２９】
図６（Ａ）を参照して、樹脂シート１０の上部に第２の導電膜１５Ｂを付着させる。第２の導電膜１５Ｂの付着は、ローラーまたはプレスを用いて加圧することにより行うことができる。同時に、樹脂シート１０を軟化させる為に、樹脂シート１０を構成する樹脂が軟化する温度以上に加熱される。ここで、第２の導電膜１５Ｂは、厚さが５〜３５μｍ程度に形成され、できるだけ薄くしてファインパターンが形成できるように配慮される。
【００３０】
図６（Ｂ）を参照して、接続部１７と第２の導電膜１５Ｂとの接続構造を説明する。上述したように、接続部１７の上端は樹脂シート１０の上面よりも上方に突出している。従って、ローラー等を用いて第２の導電膜１５Ｂを付着させることにより、接続部１７の先端は僅かに潰れて第２の導電膜１５Ｂの裏面に圧着される。従って、接続部１７の上端部とその箇所に当接する第２の導電膜１５Ｂの裏面との接続は強固になり、両者の電気的接続は良好なものとなる。以上のような工程により、多層基板２０は製造される。
【００３１】
また、第２の導電膜１５Ｂを付着する前に、樹脂シート１０の表面および接続部１７の露出部をプラズマ洗浄することにより、常温接合が可能になる。これは、プラズマ洗浄により樹脂シート１０および接続部１７の表面が洗浄化および粗化され、第２の導電膜１５Ｂとの接着性が向上するからである。また、第２の導電膜１５Ｂ裏面もプラズマ洗浄を行うことにより、接着性を向上させることができる。ここでのプラズマ洗浄としては、例えばアルゴンガスを用いたプラズマ洗浄を採用することができる。
【００３２】
（回路装置の製造方法を説明する第２の実施の形態）
図７から図１１を参照して、回路装置３０の製造方法を説明する。本発明の回路装置の製造方法は、第１の導電膜１５Ａ上を感光性レジスト１６で被覆する工程と、レジスト１６Ａの所望箇所に予め形成した開口部１１を有するシート１０をマスクとして開口部１１に対応する箇所にレジスト１６を残存させる工程と、残存したレジスト１６をマスクとして第１の導電膜１５Ａをエッチングして開口部１１に対応する位置に凸状の接続部１７を形成する工程と、シート１０で凸状の接続部１１を囲むように埋め込み、シート１０上に第２の導電膜１５Ｂを付着する工程と、第２の導電膜１５Ｂをパターンニングして第１の配線層２３Ａを形成する工程と、第１の配線層２３Ａ上に回路素子２１を固着する工程と、回路素子２１を被覆するように封止樹脂２３を形成する工程とを具備する。
【００３３】
上記したように、絶縁シート１０に第２の導電膜を付着するまでの工程は、前述した第１の実施の形態と同様であるので、その説明は割愛する。以下では、接続部１７を介して電気的に接続された第１の導電膜１５Ａおよび第２の導電膜１５Ｂから成る多層基板を用いた回路装置３０の製造方法を説明する。
【００３４】
本発明の第１の工程は、図７を参照して、第２の導電膜１５Ｂをパターンニングして第１の配線層２３Ａを形成する工程である。
【００３５】
第１の実施の形態で述べたように、第２の導電膜１５Ｂは、厚さが５〜３５μｍ程度と非常に薄く形成されているので、エッチングにより第１の配線層２３Ａを微細に形成することができる。従って、多数個のボンディングパッドおよびボンディングパッドから延在する配線部を、第１の配線層２３Ａで形成することが可能である。
【００３６】
本発明の第２の工程は、図８を参照して、第１の配線層２３Ａ上に回路素子２１を固着する工程である。
【００３７】
ここでは、回路素子２１としては半導体素子が採用され、フェイスアップで第１の配線層２３Ａと電気的に絶縁して固着されている。そして、回路素子２１の電極と第１の配線層２３Ａとは、金属細線２２を介して電気的に接続されている。また、ボンディングパッドとなる第１の配線層２３Ａの表面には、Ａｇ等から成るメッキ膜が形成されている。同図では、半導体素子である回路素子２１が、フェイスアップで固着されているが、半導体素子をフェイスダウンで実装しても良い。
【００３８】
ワイヤーボンデインクの時の多層基板２０を用いるメリットについて述べる。一般にＡｕ線のワイヤーボンディングの際は、２００℃〜３００℃に加熱される。この時、第１の導電膜１５Ａが薄いと、多層基板２０が反り、この状態でボンディングヘッドを介して多層基板２０が加圧されると、多層基板２０に亀裂の発生する可能性がある。これは樹脂シート１０にフィラーが混入されると、材料自体が堅くなり柔軟性を失うため、より顕著に現れる。また樹脂は金属から比べると柔らかいので、ＡｕやＡｌのボンディングでは、加圧や超音波のエネルギーが発散してしまう。しかし、第１の導電膜１５Ａ自体が厚く形成されることでこれらの問題を解決することができる。
【００３９】
本発明の第３の工程は、図９から図１１を参照して、回路素子２１を被覆するように封止樹脂２３を形成する工程である。
【００４０】
図９を参照して、回路素子２１が被覆されるように封止樹脂を形成する。多層基板２０は、モールド装置にセットされて樹脂モールドを行う。モールド方法としては、トランスファーモールド、インジェクションモールド、塗布、ディピング等でも可能である。しかし、量産性を考慮すると、トランスファーモールド、インジェクションモールドが適している。
【００４１】
本工程では、モールドキャビティーの下金型に多層基板２０はフラットで当接される必要があるが、厚い第１の導電膜１５Ａがこの働きをする。しかもモールドキャビティーから取り出した後も、封止樹脂１３の収縮が完全に完了するまで、第１の導電膜１５Ａによってパッケージの平坦性を維持している。すなわち、本工程までの多層基板２０の機械的支持の役割は第１の導電膜１５Ａにより担われている。
【００４２】
次に、図１０を参照して、第１の導電膜１５Ａをパターンニングすることにより、第２の配線層２３Ｂを形成する。先ず、第１の導電膜１５Ａをマスクなしで全面を薄くなるようにエッチングする。このエッチングは、塩化第２鉄または塩化第２銅を用いたケミカルエッチングで良く、第１の導電膜１５Ａの厚みは３５μｍ程度まで一様に薄くする。この際に、以前の工程で第１の導電膜１５Ａに付いた傷を取り除くことができる。続いて、第１の導電膜１５Ａは、所望のパターンのホトレジストで被覆し、ケミカルエッチングで第２の配線層２３Ｂを形成する。第１の導電膜１５Ａは本工程で薄くされるので、５０μｍ以下のファインパターン化が実現できる。
【００４３】
次に、図１１を参照して、半田等のロウ材から成る外部電極２４の形成を行う。第２の配線層２３Ｂは外部電極２４を形成する部分を露出して溶剤で溶かした樹脂をスクリーン印刷してオーバーコート樹脂で大部分を被覆する。オーバーコート樹脂の材料としては、好適には、ＵＶ硬化・現像型の樹脂が使用される。即ち、活性光線により選択的に露光されて未露光部または露光部がアルカリ水溶液により現像することが可能であり、ＵＶが照射されることにより硬化される樹脂を採用することができる。次に半田のリフローあるいは半田クリームのスクリーン印刷によりこの露出部分に外部電極２４を同時に形成する。
【００４４】
最後に、多層基板２０には回路装置が多数マトリックス状に形成されているので、封止樹脂２３および多層基板２０をダイシングしてそれらを個々の回路装置に分離する。
【００４５】
以上の工程により多層基板２０を用いた回路装置３０の製造方法が行われる。本発明で使用する多層基板２０は、各配線層を電気的に接続する接続部１７が既に形成されているので、メッキ膜等による接続部の形成の工程無しで、回路装置を製造することができる。従って、薄く形成された第１の配線層２３Ａにより微細なパターンを形成することが可能となる。
【００４６】
（多層基板の製造方法を説明する第３の実施の形態）
図１２から図１８を参照して、多層基板２０の製造方法を説明する。本発明の多層基板２０の製造方法は、第１の導電膜１５Ａと第２の導電膜１５Ｂが第３の導電膜１５Ｃを介して積層された積層基板２５の第１の導電膜１５Ａ上を感光性レジスト１６で被覆する工程と、レジスト１６の所望箇所に予め形成した開口部１１を有するシート１０をマスクとして開口部１１に対応する箇所にレジスト１６を残存させる工程と、残存したレジスト１６をマスクとして第１の導電膜１５Ａをエッチングして開口部１１に対応する位置に凸状の接続部１７を形成する工程と、接続部１７をマスクとして第３の導電膜１５Ｃを除去する工程と、シート１０で凸状の接続部１７を囲むように埋め込み、シート１０上に第４の導電膜１５Ｄを付着する工程とを具備する。本発明の基本的な製造方法は、第１の実施の形態と同様であり、相違点は、第３の導電膜１５Ｃを介して第１の導電膜１５Ａおよび第２の導電膜１５Ｂが積層された積層基板を用いる点にある。上記した各工程を以下にて説明する。
【００４７】
本発明の第１の工程は、図１２から図１４を参照して、第１の導電膜１５Ａと第２の導電膜１５Ｂが第３の導電膜１５Ｃを介して積層された積層基板２５の第１の導電膜１５Ａ上を感光性レジスト１６で被覆し、更に、レジスト１６の所望箇所に予め形成した開口部１１を有するシート１０をマスクとして開口部１１に対応する箇所にレジスト１６を残存させる工程である。
【００４８】
図１２および図１３を参照して、積層基板２５の詳細を説明する。積層板２５の表面は、実質全域に第１の導電膜１５Ａが形成され、第３の導電膜１５Ｃを介して、裏面にも実質全域に第２の導電膜１５Ｂが形成されるものである。また、第１の導電膜１５Ａおよび第２の導電膜１５Ｂは、好ましくは、Ｃｕを主材料とするもの、または公知のリードフレームの材料から成る。第１の導電膜１５Ａ、第２の導電膜１５Ｂおよび第３の導電膜１５Ｃは、メッキ法、蒸着法またはスパッタ法で形成されたり、圧延法やメッキ法により形成された金属箔が貼着されても良い。なお、第１の導電膜１５Ａおよび第２の導電膜１５ＢとしてはＡｌ、Ｆｅ、Ｆｅ−Ｎｉ、公知のリードフレーム材等でも良い。
【００４９】
第３の導電膜１５Ｃの材料は、第１の導電膜１５Ａおよび第２の導電膜１５Ｂを除去する際に使用されるエッチング液に、エッチングされない材料が採用される。具体的に、第３の導電膜１５Ｃの材料としては金、銀、パラジュームから成る導電材料を採用することができる。
【００５０】
樹脂シート１０は、平面的な大きさが第１の導電膜１５Ａと同等に形成されており、ポリイミド樹脂またはエポキシ樹脂等の高分子から成る絶縁材料で成る。また、後の工程で形成される接続手段１７に対応する箇所には、開口部１１が形成されている。この開口部は、レーザー、ドリルまたはプレスで形成することが可能である。ここで、レーザーにより開口部１１が形成された場合では、開口部１１の側面は傾斜が付いた構造に成る。また、樹脂シート１０の材料としては、レジスト１６の露光を行う光線に対して遮光性を有する材料から成る。具体的には、紫外線（ＵＶ）を用いてレジスト１６の露光を行う場合には、ＵＶに対して遮光性を有する樹脂を、樹脂シート１０の材料として採用する。また熱伝導性が考慮され、中にフィラーが混入されても良い。材料としては、ガラス、酸化Ｓｉ、酸化アルミニウム、窒化Ａｌ、Ｓｉカーバイド、窒化ボロン等が考えられる。
【００５１】
次に、図１３を参照して、第１の導電膜１５Ａの表面に塗布されたレジスト１６の上面に、樹脂シート１０を載置して露光を行う。このことにより、開口部１１から露出する部分のレジスト１６のみが露光される。また、レジスト１６はネガ型のものでありので、露光した箇所のみが光化学反応によりアルカリ不溶に変質する。
【００５２】
次に、図１４を参照して、アルカリ溶液を用いて選択的にレジスト１６を剥離する。このことにより、感光していない箇所のレジスト１６は剥離され、感光した箇所のレジスト１６は残存する。具体的には、樹脂シート１０に設けた開口部１１に対応する領域のレジスト１６が残存する。
【００５３】
本発明の第２の工程は、図１５から図１６を参照して、残存したレジスト１６をマスクとして第１の導電膜１５Ａをエッチングして開口部１１に対応する位置に凸状の接続部１７を形成し、更に、接続部１７をマスクとして第３の導電膜１５Ｃを除去する工程である。
【００５４】
図１５を参照して、残存したレジスト１６をマスクとして第１の導電膜１５Ａをエッチングし、凸状の接続部１７を形成する。接続部１７の高さは例えば５０μｍ程度に形成され、前述した樹脂シート１０の厚みよりも高く形成される。このエッチングは、第１の導電膜１５Ａが銅より成る場合は、エッチング液として塩化第２鉄または塩化第２銅を用いる。なお、エッチングの工程が終了した後に、レジスト１６は剥離される。また、接続部１７の表面および第３の導電膜１５Ｃの表面を、プラズマ処理またはエッチング等により粗化させることで、後の工程で、それらの面と樹脂シート１０との接着強度を向上させることができる。
【００５５】
更に、本工程では、第１の導電膜１５Ａのエッチングを、第３の導電膜１５Ｃでストップさせることができる。本工程でエッチングされる第１の導電膜１５Ａが主にＣｕから形成された場合、エッチング液としては、塩化第２鉄または塩化第２銅が使用される。それに対して、第３の導電膜１５Ｃは塩化第２鉄または塩化第２銅にエッチングされない導電性材料から形成されているので、エッチングは第３の導電膜１５Ｃの表面でストップする。このことから、接続部１７の側面を導電膜１５の延在方向に対して垂直に近い形状に形成することができる。
【００５６】
図１６を参照して、前工程で形成された接続部をマスクとして、露出する第３の導電膜１５Ｃを除去する。第３の導電膜１５Ｃを除去する方法としては２つの方法を採用することができる。第１の方法は、第３の導電膜１５Ｃのみを除去する液を用いてエッチングする方法である。第２の方法は、電界剥離により第３の導電膜１５Ｃのみを除去する方法である。
【００５７】
第１の方法であるエッチングにより第３の導電膜１５Ｃを部分的に除去する方法を説明する。この方法で使用するエッチング液は、第３の導電膜１５Ｃをエッチングし且つ第１の導電配線層１５Ａおよび第２の導電膜１５Ｂをエッチングしないものが使用される。例えば、第１の導電膜１５Ａおよび第２の導電膜１５ＢがＣｕを主体とする材料から形成され、第３の導電膜１５ＣがＡｇ膜である場合は、ヨウ素系のエッチング液を使用することにより第３の導電膜１５Ｃのみを除去することができる。第３の導電膜１５Ｃがエッチングされることにより、第２の導電膜１５Ｂはヨウ素系のエッチング液に接触するが、例えばＣｕから成る第２の導電膜１５Ｂはヨウ素系のエッチング液にはエッチングされない。従って、ここでのエッチングは、第２の導電膜１５Ｂの表面でストップする。
【００５８】
第２の方法である電界剥離により第３の導電膜１５Ｃのみを除去する方法を説明する。先ず、金属イオンを含む溶液と第３の導電膜１５Ｃを接触させる。そして溶液の方にプラスの電極を設け、積層基板２５にマイナスの電極を設けて直流電流を流す。このことにより、電界法によるメッキ膜形成と逆の原理で第３の導電膜１５Ｃのみが除去される。ここで使用する溶液は、第３の導電膜１５Ｃを構成する材料をメッキ処理する際に用いるものである。従って、この方法では、第３の導電膜１５Ｃのみが剥離される。また、高圧で液体を噴射することにより、第３の導電膜１５Ｃを除去しても良い。
【００５９】
本発明の第３の工程は、図１７および図１８を参照して、シート１０で凸状の接続部１７を囲むように埋め込み、シート１０上に第４の導電膜１５Ｄを付着する工程である。
【００６０】
図１７を参照して、開口部１１で接続部１７を囲むように第１の導電膜１５Ａ表面に樹脂シート１０を載置する。樹脂シート１０を露光マスクとして用いて残存したレジスト１６により、接続部１７は形成される。従って、樹脂シート１０が有する開口部１１の位置と、第１の導電膜１５Ａが有する接続部１７の位置は正確に対応している。また、開口部１１の大きさと、接続部１７の大きさも同等程度に形成されている。
【００６１】
接続部１７の上端部は、樹脂シート１０の上面よりも突出した構成と成っている。樹脂シート１０の上面から突出する接続部１７の高さは、数μｍ〜１０μｍ程度でよい。このように、樹脂シート１０の上面から接続部１７を突出させることにより、樹脂シート１０の上面に更に導電膜を積層させる工程に於いて、その導電膜と接続部１７との間に樹脂が介在してしまうのを防止することができる。
【００６２】
図１８（Ａ）を参照して、樹脂シート１０の上部に第４の導電膜１５Ｄを付着させる。第４の導電膜１５Ｄの付着は、ローラーまたはプレスを用いて加圧することにより行うことができる。同時に、樹脂シート１０を軟化させる為に、樹脂シート１０を構成する樹脂が軟化する温度以上に加熱される。ここで、第４の導電膜１５Ｄは、厚さが５〜３５μｍ程度に形成され、できるだけ薄くしてファインパターンが形成できるように配慮される。また、第４の導電膜１５Ｄの裏面を予め粗化することにより、第４の導電膜１５Ｄと樹脂シート１０との接着強度を向上させることができる。
【００６３】
図１８（Ｂ）を参照して、接続部１７と第４の導電膜１５Ｄとの接続構造を説明する。上述したように、接続部１７の上端は樹脂シート１０の上面よりも上方に突出している。従って、ローラー等を用いて第４の導電膜１５Ｄを付着させることにより、接続部１７の先端は僅かに潰れて第４の導電膜１５Ｄの裏面に圧着される。従って、接続部１７の上端部とその箇所に当接する第４の導電膜１５Ｄの裏面との接続は強固になり、両者の電気的接続は良好なものとなる。以上のような工程により、多層基板２０は製造される。
【００６４】
（回路装置の製造方法を説明する第４の実施の形態）
図１９から図２３を参照して、回路装置３０の製造方法を説明する。本発明の回路装置の製造方法は、第１の導電膜１５Ａと第２の導電膜１５Ｂが第３の導電膜１５Ｃを介して積層された積層基板２５の第１の導電膜１５Ａ上を感光性レジスト１６で被覆する工程と、レジスト１６の所望箇所に予め形成した開口部１１を有するシート１０をマスクとして開口部１１に対応する箇所にレジスト１６を残存させる工程と、残存したレジスト１６をマスクとして第１の導電膜１５Ａをエッチングして開口部１１に対応する位置に凸状の接続部１７を形成する工程と、接続部１７をマスクとして第３の導電膜１５Ｃを除去する工程と、シート１０で凸状の接続部１７を囲むように埋め込み、シート１０上に第４の導電膜１５Ｄを付着する工程と、第４の導電膜１５Ｄをパターンニングして第１の配線層２３Ａを形成する工程と、第１の配線層２３Ａ上に回路素子２１を固着する工程と、回路素子２１を被覆するように封止樹脂２３を形成する工程とを具備する。
【００６５】
上記したように、第４の導電膜１５Ｄを付着するまでの工程は、前述した第３の実施の形態と同様であるので、その説明は割愛する。以下では、第３の実施の形態により製造される多層基板２０を用いた回路装置３０の製造方法を説明する。
【００６６】
本発明の第１の工程は、図１９を参照して、第４の導電膜１５Ｄをパターンニングして第１の配線層２３Ａを形成する工程である。
【００６７】
第３の実施の形態で述べたように、第４の導電膜１５Ｄは、厚さが５〜３５μｍ程度と非常に薄く形成されているので、エッチングにより第１の配線層２３Ａを微細に形成することができる。従って、多数個のボンディングパッドおよびボンディングパッドから延在する配線部を、第１の配線層２３Ａで形成することが可能である。
【００６８】
本発明の第２の工程は、図２０を参照して、第１の配線層２３Ａ上に回路素子２１を固着する工程である。
【００６９】
ここでは、回路素子２１としては半導体素子が採用され、フェイスアップで第１の配線層２３Ａと電気的に絶縁して固着されている。そして、回路素子２１の電極と第１の配線層２３Ａとは、金属細線２２を介して電気的に接続されている。また、ボンディングパッドとなる第１の配線層２３Ａの表面には、Ａｇ等から成るメッキ膜が形成されている。同図では、半導体素子である回路素子２１が、フェイスアップで固着されているが、半導体素子をフェイスダウンで実装しても良い。
【００７０】
ワイヤーボンデインクの時の多層基板２０を用いるメリットについて述べる。一般にＡｕ線のワイヤーボンディングの際は、２００℃〜３００℃に加熱される。この時、第２の導電膜１５Ｂが薄いと、多層基板２０が反り、この状態でボンディングヘッドを介して多層基板２０が加圧されると、多層基板２０に亀裂の発生する可能性がある。これは樹脂シート１０にフィラーが混入されると、材料自体が堅くなり柔軟性を失うため、より顕著に現れる。また樹脂は金属から比べると柔らかいので、ＡｕやＡｌのボンディングでは、加圧や超音波のエネルギーが発散してしまう。しかし、第２の導電膜１５Ｂ自体が厚く形成されることでこれらの問題を解決することができる。
【００７１】
本発明の第３の工程は、図２１から図２３を参照して、回路素子２１を被覆するように封止樹脂２３を形成する工程である。
【００７２】
図２１を参照して、回路素子２１が被覆されるように封止樹脂を形成する。多層基板２０は、モールド装置にセットされて樹脂モールドを行う。モールド方法としては、トランスファーモールド、インジェクションモールド、塗布、ディピング等でも可能である。しかし、量産性を考慮すると、トランスファーモールド、インジェクションモールドが適している。
【００７３】
本工程では、モールドキャビティーの下金型に絶縁樹脂シート１はフラットで当接される必要があるが、厚い第２の導電膜１５Ｂがこの働きをする。しかもモールドキャビティーから取り出した後も、封止樹脂２３の収縮が完全に完了するまで、第２の導電膜１５Ｂによってパッケージの平坦性を維持している。すなわち、本工程までの多層基板２０の機械的支持の役割は第２の導電膜１５Ｂにより担われている。
【００７４】
次に、図２２を参照して、第２の導電膜１５Ｂをパターンニングすることにより、第２の配線層２３Ｂを形成する。先ず、第２の導電膜１５Ｂをマスクなしで全面を薄くなるようにエッチングする。このエッチングは、塩化第２鉄または塩化第２銅を用いたケミカルエッチングで良く、第２の導電膜１５Ｂの厚みは３５μｍ程度まで一様に薄くする。この際に、以前の工程で第２の導電膜１５Ｂに付いた傷を取り除くことができる。続いて、第２の導電膜１５Ｂは、所望のパターンのホトレジストで被覆し、ケミカルエッチングで第２の配線層２３Ｂを形成する。第２の導電膜１５Ｂは本工程で薄くされるので、５０μｍ以下のファインパターン化が実現できる。
【００７５】
次に、図２３を参照して、半田等のロウ材から成る外部電極２４の形成を行う。第２の配線層２３Ｂは外部電極２４を形成する部分を露出して溶剤で溶かしたエポキシ樹脂等をスクリーン印刷してオーバーコート樹脂で大部分を被覆する。次に半田のリフローあるいは半田クリームのスクリーン印刷によりこの露出部分に外部電極２４を同時に形成する。
【００７６】
最後に、多層基板２０には回路装置が多数マトリックス状に形成されているので、封止樹脂２３および多層基板２０をダイシングしてそれらを個々の回路装置に分離する。
【００７７】
以上の工程により多層基板２０を用いた回路装置３０の製造方法が行われる。本発明で使用する多層基板２０は、各配線層を電気的に接続する接続部１７が既に形成されているので、メッキ膜等による接続部の形成の工程無しで、回路装置を製造することができる。従って、薄く形成された第４の配線層１５Ｄにより微細なパターンを形成することが可能となる。
【００７８】
（多層基板の製造方法を説明する第５の実施の形態）
図２４から図３２を参照して、多層基板４０の製造方法を説明する。本実施の形態の多層基板の製造方法は、基本的には第３の実施の形態と同様であり、４層以上に積層された積層基板３５を用いて、３層以上の配線構造を形成することができる。以下にて、多層基板４０の製造方法の詳細を説明する。
【００７９】
本発明の第１の工程は、図２４および図２５を参照して、積層板３５を用意し、絶縁シート１０Ａにより接続部１７Ａの形成し、第６の導電膜を付着させる。
【００８０】
図２４を参照して、積層基板３５の詳細を説明する。積層基板３５は、５層に積層された第１の導電膜１５Ａ〜第５の導電膜１５Ｅで形成されている。後の工程により配線層２３Ａまたは接続部１７と成る層の導電膜１５は、銅等の公知のリードフレームの材料から形成される。ここでは、第１の導電膜１５Ａ、第３の導電膜１５Ｃおよび第５の導電膜１５Ｅが、例えば銅から形成されている。そして、第２の導電膜１５Ｂおよび第４の導電膜は、第１の導電膜、第３の導電膜および第５の導電膜とは異なる材料から形成されている。第２の導電膜１５Ｂおよび第４の導電膜の材料としては、例えば金、銀、パラジュームを採用することができる。
【００８１】
積層基板３５の製造方法としては、例えば、銅から成る第３の導電膜１５Ｃを用意し、その両面に銀から成る第２の導電膜１５Ｂおよび第４の導電膜１５Ｄをメッキ法で積層させる。更に、第２の導電膜１５Ｄの表面および第４の導電膜１５Ｄの表面に、銅から成る第１の導電膜１５Ａおよび第５の導電膜１５Ｅをメッキ法で積層させる。
【００８２】
次に、開口部を有する樹脂シート１０を露光マスクとして接続部１７Ａを形成し、第３の導電膜を選択的に除去した後に、樹脂シート１０を第３の導電膜上に積層させ、樹脂シート１０Ａ上に第６の導電膜１５Ｆを付着させる。この方法は、前述した第３の実施の形態と同様であるので詳細な説明は省略する。
【００８３】
本発明の第２の工程は、図２６から図２９を参照して、第５の導電膜１５Ｅをエッチングすることにより、接続部１７Ｂを形成することにある。
【００８４】
先ず、図２６および図２７を参照して、第５の導電膜１５Ｅの表面にネガ型の感光性を有するレジスト１６を形成する。そして、接続部１７Ｂが形成予定の箇所に開口部１１を有する樹脂シート１０Ｂを、第５の導電膜１５Ｅの表面に載置する。次に、樹脂シート１０を介してレジスト１６を感光させる。この様に露光を行うことにより、図２７に示すように、開口部１１に対応した箇所のレジスト１６を残存させることができる。
【００８５】
次に、図２８を参照して、残存したレジスト１６をマスクとして第５の導電膜１５Ｅをエッチングにより選択的に除去することで、凸状の接続部１７Ｂを形成する。第５の導電膜をエッチングすることで、第４の導電膜１５Ｄもエッチング液に接触する。しかしながら、第４の導電膜１５Ｄはこのエッチング液とは反応しない銀等の材料からなるので、第４の導電膜１５Ｄの表面でエッチングをストップさせることができる。
【００８６】
次に、図２９を参照して、接続部１７Ｂをマスクとして第４の導電膜を選択的に除去する。第４の導電膜が銀から形成された場合は、ヨウ素系の溶液を用いたエッチングまたは電界剥離により第４の導電膜１５Ｄのみを選択的に除去することができる。これらの方法の詳細は、第３の実施の形態で詳述したので、ここではその説明は省略する。
【００８７】
本発明の第３の工程は、図３０から図３１を参照して、第３の導電膜１５Ｃおよび第６の導電膜１５Ｆをパターンニングすることにより、配線層２３を形成する。
【００８８】
先ず、図３０を参照して、所望のパターンが形成されるように、第３の導電膜１５Ｃの表面および第６の導電膜１５Ｆの表面にレジスト１６を形成する。また、第３の導電膜１５Ｃの表面に形成された接続部１７Ｂも、レジスト１６で被覆される。
【００８９】
次に、図３１を参照して、エッチングを行うことにより、第１の配線層２３Ａおよび第２の配線層２３Ｂを形成する。第６の導電膜は、３０μｍ程度に薄く形成することが可能であるので、第１の配線層２３Ａは微細に形成することが可能である。
【００９０】
本発明の第４の工程は、図３２を参照して、樹脂シート１０Ｂを介して他の多層基板２０を積層させる工程である。
【００９１】
図３２（Ａ）を参照して、樹脂シート１０Ｂの開口部１１を、接合部１７Ｂに填め込んで、樹脂シート１０Ｂを積層される。更に、多層基板２０を樹脂シート１０Ｂの表面に積層される。多層基板２０は、前述した第１の実施の形態または第３の実施の形態による方法で製造されたものでよい。ここでは、第１の実施の形態による方法で製造された多層基板２０を積層させている。従って、多層基板２０の表面に形成された配線層と、接続部１７Ｂが電気的に接続する。
【００９２】
図３２（Ｂ）参照して、多層基板４０の構成を説明する。ここでは、第１の配線層２３Ａ、第２の配線層２３Ｂおよび第３の配線層２３Ｃが絶縁シート１０Ａ、１０Ｂを介して積層されている。また、第１の配線層２３Ａと第２の配線層２３Ｂとは接続部１７Ａを介して電気的に接続され、第２の配線層２３Ｂと第３の配線層２３Ｃとは接続部１７Ｂを介して電気的に接続されている。またこの様な構成を有する多層基板４０を用いて、第４の実施の形態のように回路装置を製造することにより、３層以上の配線構造を有する回路装置を製造することができる。
【００９３】
上記の説明では、開口部１１が設けられた樹脂シート１０を用いて、接続部１７を形成する多層基板等の製造方法の説明を行ったが、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の変更が可能である。具体的には、回路素子が実装されるランド部、配線部およびパッド部を構成するように、樹脂シート１０の開口部１１を形成することが可能である。
【００９４】
【発明の効果】
本発明の多層基板の製造方法によれば、開口部１１を有する樹脂シート１０を用いて第１の導電膜１５Ａの表面に形成されたレジスト１６の露光を行うことで、開口部１１に対応した箇所のレジスト１６を残存させることができる。更に、残存したレジスト１６をマスクとして導電膜１５のエッチングを行い、凸状の接続部１７を形成する。その後、接続部１７に開口部１１を填め込むように樹脂シート１０を積層させて、樹脂シート１０上に第２の導電膜１５Ｂを積層させることで、多層基板２０を製造する。従って、導電膜を絶縁する樹脂シート１０を、接続部１７を形成するための露光マスクとして用いている。このことから、開口部１１の位置に正確に対応した箇所に接続部１７を形成することができる。
【００９５】
また、第１の導電膜１５Ａおよび第２の導電膜１５Ｂが第３の導電膜１５Ｃを介して積層された積層基板２５を基材として、上記と同じ方法で接続部１７の形成および樹脂シート１０の積層を行うことができる。この場合は、接続部１７の側面が傾斜が少ない構造になるので、樹脂シート１０の開口部１１の位置に、より正確に対応した箇所に接続部１７を形成することが可能となる。
【００９６】
本発明の回路装置の製造方法によれば、上記の方法により、多層に形成された導電膜１５が接続部１７により電気的に接続された多層基板２０を用いて回路装置を製造するため、メッキ法により接続手段を形成する工程を省いて、回路装置を製造することができる。従って、メッキ膜形成による導電膜１５の膜厚の増加を防止できるので、微細な配線層２３を形成することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の多層基板の製造方法を説明する斜視図である。
【図２】本発明の多層基板の製造方法を説明する断面図である。
【図３】本発明の多層基板の製造方法を説明する断面図である。
【図４】本発明の多層基板の製造方法を説明する断面図である。
【図５】本発明の多層基板の製造方法を説明する断面図（Ａ）、断面図（Ｂ）である。
【図６】本発明の多層基板の製造方法を説明する断面図（Ａ）、断面図（Ｂ）である。
【図７】本発明の回路装置の製造方法を説明する断面図である。
【図８】本発明の回路装置の製造方法を説明する断面図である。
【図９】本発明の回路装置の製造方法を説明する断面図である。
【図１０】本発明の回路装置の製造方法を説明する断面図である。
【図１１】本発明により製造された回路装置を説明する断面図である。
【図１２】本発明の多層基板の製造方法を説明する斜視図である。
【図１３】本発明の多層基板の製造方法を説明する断面図である。
【図１４】本発明の多層基板の製造方法を説明する断面図である。
【図１５】本発明の多層基板の製造方法を説明する断面図である。
【図１６】本発明の多層基板の製造方法を説明する断面図である。
【図１７】本発明の多層基板の製造方法を説明する断面図である。
【図１８】本発明の多層基板の製造方法を説明する断面図（Ａ）、断面図（Ｂ）である。
【図１９】本発明の回路装置の製造方法を説明する断面図である。
【図２０】本発明の回路装置の製造方法を説明する断面図である。
【図２１】本発明の回路装置の製造方法を説明する断面図である。
【図２２】本発明の回路装置の製造方法を説明する断面図である。
【図２３】本発明により製造された回路装置を説明する断面図である。
【図２４】本発明の多層基板の製造方法を説明する断面図である。
【図２５】本発明の多層基板の製造方法を説明する断面図である。
【図２６】本発明の多層基板の製造方法を説明する断面図である。
【図２７】本発明の多層基板の製造方法を説明する断面図である。
【図２８】本発明の多層基板の製造方法を説明する断面図である。
【図２９】本発明の多層基板の製造方法を説明する断面図である。
【図３０】本発明の多層基板の製造方法を説明する断面図である。
【図３１】本発明の多層基板の製造方法を説明する断面図である。
【図３２】本発明の多層基板の製造方法を説明する断面図（Ａ）、断面図（Ｂ）である。
【図３３】従来の回路装置の製造方法を説明する断面図である。
【符号の説明】
１０ 樹脂シート
１１ 開口部
１５Ａ 第１の導電膜
１５Ｂ 第２の導電膜
１５Ｃ 第３の導電膜
１６ レジスト
１７ 接続部
２０ 多層基板
Claims (21)
- 第１の導電膜上を感光性レジストで被覆する工程と、
予め形成した開口部を有するシートをマスクとして前記開口部に対応する箇所に前記レジストを残存させる工程と、
残存した前記レジストをマスクとして前記第１の導電膜をエッチングして前記開口部に対応する位置に凸状の接続部を形成する工程と、
前記シートで前記凸状の接続部を囲むように埋め込み、前記シート上に前記第２の導電膜を付着する工程とを具備することを特徴とする多層基板の製造方法。 - 前記シートをマスクとして露光および現像を行うことにより、前記開口部に対応する箇所に前記レジストを残存させることを特徴とする請求項１記載の多層基板の製造方法。
- 前記シートは、前記露光を行う光線に対して遮光性を有する樹脂シートであることを特徴とする請求項２記載の多層基板の製造方法。
- 前記接続部は、前記シートの厚さよりも高く形成され、前記第２の導電膜を圧着させることにより前記接続部と前記第２の導電膜が密着することを特徴とする請求項１記載の多層基板の製造方法。
- 前記第１の導電膜が、前記第２の導電膜よりも厚く形成されることを特徴とする請求項１記載の多層基板の製造方法。
- 前記レジストとしてネガ型のレジストを用いることを特徴とする請求項１記載の多層基板の製造方法。
- 前記シートおよび前記接続部をプラズマ洗浄した後に、前記シート上に前記第２の導電膜を付着することを特徴とする請求項１記載の多層基板の製造方法。
- 第１の導電膜上を感光性レジストで被覆する工程と、
予め形成した開口部を有するシートをマスクとして前記開口部に対応する箇所に前記レジストを残存させる工程と、
残存した前記レジストをマスクとして前記第１の導電膜をエッチングして前記開口部に対応する位置に凸状の接続部を形成する工程と、
前記シートで前記凸状の接続部を囲むように埋め込み、前記シート上に前記第２の導電膜を付着する工程と、
前記第２の導電膜をパターンニングして配線層を形成する工程と、
前記配線層上に回路素子を固着する工程と、
前記回路素子を被覆するように封止樹脂を形成する工程とを具備することを特徴とする回路装置の製造方法。 - 前記第１の導電膜が、前記第２の導電膜よりも厚く形成されることを特徴とする請求項８記載の回路装置の製造方法。
- 第１の導電膜と第２の導電膜が第３の導電膜を介して積層された積層基板の前記第１の導電膜上を感光性レジストで被覆する工程と、
予め形成した開口部を有するシートをマスクとして前記開口部に対応する箇所に前記レジストを残存させる工程と、
残存した前記レジストをマスクとして前記第１の導電膜をエッチングして前記開口部に対応する位置に凸状の接続部を形成する工程と、
前記接続部をマスクとして前記第３の導電膜を除去する工程と、
前記シートで前記凸状の接続部を囲むように埋め込み、前記シート上に前記第４の導電膜を付着する工程とを具備することを特徴とする多層基板の製造方法。 - 前記シートをマスクとして露光および現像を行うことにより、前記開口部に対応する箇所に前記レジストを残存させることを特徴とする請求項１０記載の多層基板の製造方法。
- 前記シートは、前記露光を行う光線に対して遮光性を有する樹脂シートであることを特徴とする請求項１０記載の多層基板の製造方法。
- 前記接続部は、前記シートの厚さよりも高く形成され、前記第２の導電膜を圧着させることにより前記接続部と前記第２の導電膜が密着することを特徴とする請求項１０記載の多層基板の製造方法。
- 前記第２の導電膜が、前記第１の導電膜または前記第４の導電膜よりも厚く形成されることを特徴とする請求項１０記載の多層基板の製造方法。
- 前記レジストとしてネガ型のレジストを用いることを特徴とする請求項１０記載の多層基板の製造方法。
- 前記第１の導電膜をエッチングする際に前記第３の導電膜をエッチングのストッパーとして用いることを特徴とする請求項１０記載の多層基板の製造方法。
- 前記第１の導電膜をエッチングする溶液として塩化第２銅または塩化第２鉄が含まれた溶液を用いることを特徴とする請求項１０記載の多層基板の製造方法。
- 前記第３の導電膜の除去は、ヨウ素系の溶液を用いたエッチングにより行うことを特徴とする請求項１０記載の多層基板の製造方法。
- 前記第３の導電膜の除去は、電界剥離により行うことを特徴とする請求項１０記載の多層基板の製造方法。
- 第１の導電膜と第２の導電膜が第３の導電膜を介して積層された積層基板の前記第１の導電膜上を感光性レジストで被覆する工程と、
予め形成した開口部を有するシートをマスクとして前記開口部に対応する箇所に前記レジストを残存させる工程と、
残存した前記レジストをマスクとして前記第１の導電膜をエッチングして前記開口部に対応する位置に凸状の接続部を形成する工程と、
前記接続部をマスクとして前記第３の導電膜を除去する工程と、
前記シートで前記凸状の接続部を囲むように埋め込み、前記シート上に前記第４の導電膜を付着する工程と、
前記第４の導電膜をパターンニングして配線層を形成する工程と、
前記配線層上に回路素子を固着する工程と、
前記回路素子を被覆するように封止樹脂を形成する工程とを具備することを特徴とする回路装置の製造方法。 - 前記第２の導電膜が、前記第１の導電膜または前記第４の導電膜よりも厚く形成されることを特徴とする請求項２０記載の回路装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003026503A JP4245365B2 (ja) | 2003-02-03 | 2003-02-03 | 多層基板の製造方法およびそれを用いた回路装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP2003026503A JP4245365B2 (ja) | 2003-02-03 | 2003-02-03 | 多層基板の製造方法およびそれを用いた回路装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2004241442A true JP2004241442A (ja) | 2004-08-26 |
| JP4245365B2 JP4245365B2 (ja) | 2009-03-25 |
Family
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003026503A Expired - Fee Related JP4245365B2 (ja) | 2003-02-03 | 2003-02-03 | 多層基板の製造方法およびそれを用いた回路装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4245365B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9961791B2 (en) | 2012-06-04 | 2018-05-01 | Hitachi Metals, Ltd. | Seal ring and method for manufacturing seal ring |
| JP2019047115A (ja) * | 2017-08-31 | 2019-03-22 | ヘソン・ディーエス・カンパニー・リミテッド | 半導体パッケージ基板の製造方法及びそれを用いて製造された半導体パッケージ基板 |
| CN115500011B (zh) * | 2022-11-03 | 2023-02-03 | 四川富乐华半导体科技有限公司 | 一种用于dpc陶瓷基板加工的定位方法 |
-
2003
- 2003-02-03 JP JP2003026503A patent/JP4245365B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| US9961791B2 (en) | 2012-06-04 | 2018-05-01 | Hitachi Metals, Ltd. | Seal ring and method for manufacturing seal ring |
| US10188010B2 (en) | 2012-06-04 | 2019-01-22 | Hitachi Metals, Ltd. | Seal ring and method for manufacturing seal ring |
| JP2019047115A (ja) * | 2017-08-31 | 2019-03-22 | ヘソン・ディーエス・カンパニー・リミテッド | 半導体パッケージ基板の製造方法及びそれを用いて製造された半導体パッケージ基板 |
| US10811302B2 (en) | 2017-08-31 | 2020-10-20 | Haesung Ds Co., Ltd. | Method of manufacturing semiconductor package substrate and semiconductor package substrate manufactured using the same |
| US11876012B2 (en) | 2017-08-31 | 2024-01-16 | Haesung Ds Co., Ltd. | Method of manufacturing semiconductor package substrate and semiconductor package substrate manufactured using the same |
| CN115500011B (zh) * | 2022-11-03 | 2023-02-03 | 四川富乐华半导体科技有限公司 | 一种用于dpc陶瓷基板加工的定位方法 |
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| JP4245365B2 (ja) | 2009-03-25 |
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