JP2004231993A - 成膜装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】真空槽内に成膜源を有し、基板の成膜処理を行う成膜装置あって、所望する薄膜形成が可能となる成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜時に、基板１を冷却する手段と、基板１の角度を変更する手段と、基板１と成膜源（図示せず）との距離を変更する手段を備え、更に、基板公転プレート２８の中央に膜厚センサー１５を備える。これらの手段は、シャフト部により構成される。
【効果】基板を冷却することにより成膜時の基板温度の上昇の抑制ができ、高品位な膜の形成が可能となる。また、成膜時の基板の角度、基板と成膜源間の距離を変更および基板に対する成膜を遮ることなく基板公転プレートの中央部に設置された膜厚センサーとにより、精度の高い膜厚管理および形成が可能となる。よって、高精度の電子部品に対応した所望する手段を有する薄膜形成が可能な成膜装置が提供できる。
【選択図】 図４
【解決手段】成膜時に、基板１を冷却する手段と、基板１の角度を変更する手段と、基板１と成膜源（図示せず）との距離を変更する手段を備え、更に、基板公転プレート２８の中央に膜厚センサー１５を備える。これらの手段は、シャフト部により構成される。
【効果】基板を冷却することにより成膜時の基板温度の上昇の抑制ができ、高品位な膜の形成が可能となる。また、成膜時の基板の角度、基板と成膜源間の距離を変更および基板に対する成膜を遮ることなく基板公転プレートの中央部に設置された膜厚センサーとにより、精度の高い膜厚管理および形成が可能となる。よって、高精度の電子部品に対応した所望する手段を有する薄膜形成が可能な成膜装置が提供できる。
【選択図】 図４
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、真空槽内に成膜源を有し、基板への成膜処理を行う装置であって、特にスパッタ装置や真空蒸着装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、電子機器の高精度化が急速に進められるなか、電子部品においても様々な機能が要求される。電子部品に形成される薄膜においても、その精度および機能の更なる向上が求められている。薄膜を形成する方法としては、真空を利用した成膜装置が用いられるが、形成される薄膜は、その成膜条件に対して顕著な依存性を示すことは一般に知られているところである。成膜条件としては、成膜時の基板温度、基板に対する成膜粒子の入射角度、成膜粒子エネルギー等の種々の項目が挙げられる。
【０００３】
その中で、成膜時の基板温度の上昇は、基板温度の上昇に伴う基板からの不純物の発生および成膜する膜の状態変化により、膜特性が劣化することが考えられる。また、成膜される基板によっては、成膜時の基板温度の上昇により基板自身の有する特性が劣化することも考えられる。更に、リフトオフ成膜においては、レジストの耐熱性の問題も考えられる。成膜時の基板温度の上昇を抑制し、成膜時の基板温度を制御することは、必要とされる特性を有する薄膜を形成する上でも重要な項目の一つである。
【０００４】
そこで、成膜装置として基板を保持する基板保持具と、基板保持具に公転および自転の動作をさせる動力伝達手段を有する成膜装置において、動力伝達機構の公転部材と、基板保持具を含む自転部材の内部に、互いに連通された冷却水路を形成する。その水路に、冷却水供給装置から公転部材および自転部材に対して循環的に冷却水を供給し、基板保持具を冷却する成膜装置が提案されている（例えば特許文献１参照。）。
【０００５】
また、成膜粒子の入射角度は、必要とされる特性を有する薄膜を形成するため、基板に対するステップカバレージ性を向上させるためおよび基板に形成される膜の厚みの均一性を向上させるための重要な成膜条件の一つである。このことからも成膜装置としては、成膜中の経時変化等に対応して、成膜源に対する基板の角度の変更を連続的に行うことは重要となる。
【０００６】
そこで、成膜源を内部に設けた真空槽内に、基板が取り付けられて自公転する部材を設けた成膜装置において、公転部材に自転板を揺動部材により揺動自在に取り付ける。揺動部材に揺動回転軸を連結して該揺動回転軸の中心軸方向への移動によって揺動部材および自転板を揺動させ、入射角の異なった成膜が連続的に行える成膜装置が提案されている（例えば特許文献２参照。）。
【０００７】
一方、電子部品によっては、形成される薄膜の膜厚に対して顕著な特性の依存性を示すものも存在する。そのため、形成される薄膜の膜厚は、所望する特性を有する電子部品を形成するために、所望する膜厚を精度よく形成することが望まれる。
【０００８】
そこで、真空中において付着する成膜材料の量に応じて共振周波数が変化する水晶振動子の周波数変化量に基づいて、膜厚を測定する膜厚モニターを備える成膜装置が提案されている（例えば特許文献３参照。）。
【０００９】
【特許文献１】
特開平８−２５０５７７号公報
【特許文献２】
特開平９−１４３７１７号公報
【特許文献３】
特開平１１−２２２６７０号公報
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記した従来技術による成膜装置においては、以下の問題が存在する。
【００１１】
特許文献１においては、基板保持具を冷却し、成膜源と基板との距離を変更可能な手段を有する。
【００１２】
しかし、特許文献１においては、膜厚センサーを有しないことから、基板に形成される膜厚を精度よく管理することは困難である。また、その機構上の制約から、薄膜形成における他の重要な成膜条件である成膜時に基板の角度を連続的に変化させることは出来ない。
【００１３】
したがって、精度の高い膜厚の管理や均一で高精度な膜形成が困難であるとの課題を有する。
【００１４】
特許文献２においては、入射角の異なった成膜が連続的に行える成膜装置が提案されている。
【００１５】
しかし、特許文献２においては、その機構上の制約から、薄膜形成における他の重要な成膜条件である成膜時の基板温度の上昇を抑制すること、成膜源と基板間距離の変更することは困難である。また、膜厚センサーを有しない。
【００１６】
したがって、成膜時の基板温度の上昇は避けることができず、成膜時の基板からの不純物ガスの発生および基板によっては、その基板の有する特性が劣化するとの課題を有する。また、成膜時の膜厚の実測ができないことおよび成膜源と基板間の距離の変更ができないことから、経時変化に対応した、精度の高い膜厚の管理が困難であるとの課題を有する。
【００１７】
特許文献３においては、飛来する成膜材料を間欠的に遮蔽する手段を有する膜厚モニターを備える。
【００１８】
膜厚モニターは、その機構上の制約から成膜する基板の外側に設置する構成となる。本来、膜厚モニターの設置位置は、成膜される基板の近傍、または成膜状態の最も安定する位置に設置されるべきでものである。基板から離れたところでの膜厚のモニターリングは、連続使用時における膜厚測定精度を劣化させることになり、高精度な膜厚管理が行えないとの課題を有する。
【００１９】
しかし、特許文献３においては、その機構上の制約から、基板を遮蔽することなく成膜状態の最も安定する中央部近傍に膜厚センサーを設置することが困難なことは明確である。また、薄膜形成における他の重要な成膜条件である、成膜時の基板温度の上昇を抑制すること、基板の角度の連続的な変更および成膜源と基板間の距離を変更する手段を設けることは困難である。
【００２０】
したがって、所望の機能を有する薄膜形成および精度の高い膜厚の管理が困難であるとの課題を有する。
【００２１】
本発明は上記の問題点を解決することを目的とするもので、膜形成として重要な項目となる、成膜時の基板の温度上昇の抑制、膜厚の管理、基板への入射角度および基板と成膜源間の距離の変更手段を有することにより、高精度の電子部品に対応した薄膜を形成することが可能となる成膜装置を提供する。
【００２２】
【課題を解決するための手段】
上記問題を解決すべく本発明は、真空槽内に成膜源を有し、基板への成膜処理を行う装置であって、大気中から真空槽内に導入されるシャフト部であって、冷却媒体の流路の一部が構成されて多重構造をしたシャフト部と、真空槽内でシャフト部に接続され、回転運動が伝達される基板公転プレートと、複数の基板を保持可能であり、かつ基板公転プレートに設けられ、流路を通る冷却媒体により基板を冷却する基板ホルダーと、基板公転プレートの中央部近傍に位置し、シャフト部の内部に配線が施される膜厚センサーとを備える成膜装置である。
【００２３】
また、シャフト部と基板ホルダーとの間に設けられた、冷却媒体を基板ホルダーに循環させるフレキシブルチューブを備える成膜装置である。
【００２４】
また、基板の角度を変更するための揺動手段と、揺動手段にシャフト部の上下運動を伝達手段とを備える成膜装置である。更に、基板と成膜源との距離を変更するための上下運動する手段がシャフト部に設けられている成膜装置である。
【００２５】
以上のような本発明の成膜装置によれば、薄膜形成における重要な成膜条件である成膜時の基板温度の上昇を抑制すること、成膜時の基板の角度および成膜源と基板間の距離を変更することが可能となる。また、基板に対する成膜を遮ることなく精度の高い膜厚の管理が可能となる。よって、高精度の電子部品に対応した薄膜形成が可能となる。
【００２６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施例について添付図に基いて詳細を説明する。
【００２７】
図１は、本発明の成膜装置における一実施例の一部概略断面図を示す。
【００２８】
図１において、成膜装置５０は、チャンバー４を隔て、Ａ側を大気部、Ｂ側を真空部とする。
【００２９】
成膜装置５０は、Ｂ側真空部内に複数の基板１を保持する基板ホルダー２と、基板ホルダー２が固定された中空構造を有する基板公転プレート３を備える。
【００３０】
基板公転プレート３は、チャンバー４をＡ側大気部からＢ側真空部へ貫通するシャフト部を構成する管状部材である回転伝達シャフト５と中間シャフト１３に接続される。また、回転伝達シャフト５は、回転支持部６を介してモーター等の回転機構（図示せず）へと接続される。
【００３１】
回転伝達シャフト５および中間シャフト１３は、シール機構７を介して回転運動をＡ側大気部からＢ側真空部へと導入する。また、回転伝達シャフト５は、その上部において天板１１およびシール機構１２によりシールされ、保持された状態となる。シール機構７およびシール機構１２は、磁性流体シールが望ましいが、求める真空度によっては、Ｏリングでも可能である。
【００３２】
更に、基板公転プレート３は、その内部に冷却媒体を循環する手段を有しており、冷却媒体の整流のために整流板８を備える。整流板８は、チャンバー４をＡ側大気部からＢ側真空部へ貫通するシャフト部を構成する中間シャフト１４に接続される。
【００３３】
供給部９から導入された冷却媒体は、回転伝達シャフト５と中間シャフト１４との隙間により形成された往路を通りチャンバー４の中に入り、基板公転プレート３の内部に導入される。その後、所定の流路を通り、中間シャフト１４と中間シャフト１３との隙間により形成された復路を通り排出部１０より排出される。冷却媒体としては、温度制御された水や不凍液を用いることが好ましい。
【００３４】
供給部９を構成する部材と回転伝達シャフト５および中間シャフト１４とのシール、また、排出部１０を構成する部材と中間シャフト１３とのシールには、Ｏリング、オイルシールおよびメカニカルシール等を用いると良い。
【００３５】
回転伝達シャフト５、中間シャフト１３および中間シャフト１４は、同一軸上にてシャフト部を構成する。シャフト部においては、回転伝達シャフト５の外側に中間シャフト１４を配し、中間シャフト１４の外側に中間シャフト１３を備える構造となる。シャフト部は、前記したシール機構７を介してＡ側大気部からＢ側真空部へと導入される。
【００３６】
膜厚センサー１５は、回転伝達シャフト５の内部に配線が施され、基板公転プレート３の中央部近傍に位置する。天板１１は、膜厚センサー１５の配線部を保持し、シール機構１２に設置されている。
【００３７】
基板公転プレート３の回転機構を説明する。モーター等の回転機構から回転支持部６に伝達された回転運動は、回転伝達シャフト５、回転伝達シャフト５に接続された中間シャフト１４および中間シャフト１３とともにシール機構７を介してＡ側大気部よりＢ側真空部に導入される。回転伝達シャフト５、中間シャフト１４および中間シャフト１３が基板公転プレート３にそれぞれ接続されていることから導入された回転運動は、基板公転プレート３を回転させる。
【００３８】
この時、回転伝達シャフト５の上部に位置する天板１１およびシール機構１２、また、冷却媒体の供給部９、排出部１０、シール機構７および膜厚センサー１５は静止した状態である。
【００３９】
以上の構成により、導入された冷却媒体で基板ホルダー２が冷却され、基板ホルダー２により保持された基板１が冷却される。冷却媒体は、形成された経路を流れることにより、効率のよい熱交換を行うことが可能となる。成膜時における基板温度の上昇の抑制は、基板１からの不純物ガス発生の抑制および成膜する膜特性の安定化につながることから高品位の成膜が可能となる。また、基板１によっては、基板温度の上昇により有する特性を劣化させるものも存在することから、基板１の有する特性の安定化にもつながる。更に、リフトオフ成膜の場合、リフトオフ成膜では、使用するレジストの耐熱性に対応することが可能となる。
【００４０】
また、膜厚センサー１５は、基板公転プレート３の中央部近傍に位置しているにもかかわらず配線が基板１を遮蔽することなく、基板１における成膜に対する遮蔽についても問題とはならない。基板公転プレート３の中央部に設置した膜厚センサー１５により、成膜時の精度の高い膜厚測定が可能となり、所望する膜厚に対し、精度の高い膜厚の管理が可能となる。
【００４１】
次に、図２は、本発明の成膜装置における別の実施例の一部概略断面図を示す。
【００４２】
図２において、成膜装置６０は、チャンバー４を隔て、Ａ側を大気部、Ｂ側を真空部とする。
【００４３】
成膜装置６０は、Ｂ側真空部内に複数の基板１を保持する基板ホルダー１６と、基板ホルダー１６が固定された基板公転プレート１７とを備える。
【００４４】
基板公転プレート１７は、チャンバー４をＡ側大気部からＢ側真空部へと貫通するシャフト部を構成する管状部材である回転伝達シャフト１８に接続され、回転支持部６よりモーター等の回転機構（図示せず）へと接続されている。また、その上部において天板１１およびシール機構１２により密閉され、保持された状態となる。
【００４５】
また、基板ホルダー１６は、ベース基板１９とで形成されるその内部に、冷却媒体を循環する手段を備える。ベース基板１９の内部には、図５に示すように冷却媒体の流路が形成されている。
【００４６】
供給部９から供給された冷却媒体は、回転伝達シャフト１８と中間シャフト２０との隙間により形成された往路を通り、フレキシブルチューブ２２を介して、供給ジョイント２３に接続される。冷却媒体は、基板ホルダー１６と、ベース基板１９とに形成されたその内部に導入される。次に、排出ジョイント２４に接続されたフレキシブルチューブ２５を介して、中間シャフト２０と中間シャフト２１との隙間により形成された復路を通り、排出部１０より排出される。
【００４７】
回転伝達シャフト１８、中間シャフト２０および中間シャフト２１は、同一軸上にて、シャフト部を構成する。また、回転伝達シャフト１８の外側に中間シャフト２０を配し、中間シャフト２０の外側に中間シャフト２１を備える構造となる。シャフト部は、シール機構７を介して、Ａ側大気部からＢ側真空部へと導入される。
【００４８】
また、ベース基板１９は、揺動部材２６、揺動アーム２７により基板公転プレート１７に取り付けられている。更に、シャフト部とベース基板１９との間の冷却媒体の経路がフレキシブルチューブにて構成されている。これにより、初期設定時に基板ホルダー１６の角度の変更が可能となる。
【００４９】
また、膜厚センサー１５は、回転伝達シャフト１８の内部に配線が施され、基板公転プレート１７の中央近傍に位置する。高さ方向においては、基板１の高さに調整されている。天板１１は、膜厚センサー１５の配線部を保持し、シール機構１２に設置されている。
【００５０】
基板公転プレート１７の回転機構を下記に示す。モーター等の回転機構（図示せず）から回転支持部６に伝達された回転運動は、回転伝達シャフト１６、回転伝達シャフト１６に接続された中間シャフト２０および中間シャフト２１とともにシール機構７を介してＡ側大気部よりＢ側真空部に導入される。回転伝達シャフト１８が基板公転プレート１７に接続されていることから、導入された回転運動により、基板ホルダー１６を含む基板公転プレート１７が回転する。
【００５１】
この時、回転伝達シャフト１８の上部を位置する天板１１およびシール機構１２、また、冷却媒体の供給部９、排出部１０、シール機構７および膜厚センサー１５は静止した状態となる。
【００５２】
以上の構成により、導入された冷却媒体で基板ホルダー１６および基板ホルダー１６により保持された基板１が冷却され、所望する膜の形成および基板１の特性を劣化させることなく膜を形成することが可能となる。
【００５３】
また、基板公転プレート１７の中央部近傍に位置した膜厚センサー１５により、成膜時の精度の高い膜厚管理が可能となる。
【００５４】
更に、基板１の角度は、基板１に対する初期状態での設定変更が可能となり、成膜条件の拡大につながる。また、基板ベース１９には、図５に示した冷却媒体の流路を形成されており、流路における冷却媒体のたまりの発生をすることを回避できる。その結果、冷却効率の向上が可能となる。
【００５５】
次に、図３に、本発明の成膜装置における更に別の実施例の一部概略断面図を示す。
【００５６】
図３において、成膜装置７０は、チャンバー４を隔て、Ａ側を大気部、Ｂ側を真空部とする。
【００５７】
成膜装置７０は、Ｂ側真空部内に複数の基板１を保持する基板ホルダー１６と、基板ホルダー１６を固定する基板公転プレート２８とを備える。
【００５８】
基板公転プレート２８は、チャンバー４をＡ側大気部からＢ側真空部に貫通するシャフト部を構成する回転伝達シャフト１８に接続され、回転支持部６よりモーター等の回転機構（図示せず）へと接続されている。
【００５９】
基板ホルダー１６は、ベース基板１９とで形成されるその内部に、冷却媒体を循環する手段を備える。ベース基板１９の内部および冷却媒体の流路は、前記した図２に示す実施例と同様であることから、記載は省略する。この構成により、基板１が冷却される。
【００６０】
更に、基板ホルダー１６は、基板公転プレート２８に揺動可能なように揺動部材２６にて取り付けされ、基板１の角度を変更する手段を備える。基板１の角度を変更する揺動手段にシャフトの上下運動を伝達する手段として、シャフト部の最内部に構成された管状形状した中空シャフト３３に設けられた逆円錐台形状したカム部２９と、ローラー部３０と、バネ部３１と、揺動支持部３２および揺動アーム２７とを備える。ローラー部３０は、バネ部３１によりカム部２９のテーパー部に押し付けられた状態となる。
【００６１】
基板ホルダー１６の角度の変更は、カム部２９を備える中空シャフト３３の上下運動により行う。中空シャフト３３は、ベローズ３４およびベローズ３５が図示を省略した別の手段によって伸縮することにより上下運動し、Ａ側大気部よりＢ側真空部に導入される。上下運動の導入は、ベローズの使用が望ましいが、求める真空度によっては、Ｏリングでも可能である。
【００６２】
導入された上下運動は、中空シャフト３３に備えられるカム部２９を介して、バネ部３１により押し付けられているローラー部３０へと伝達される。更に、揺動支持部３２を介し、揺動部材２６により支持された揺動アーム２７により基板ホルダー１６へと伝達される。これらにより、中空シャフト３３の上下運動が基板１の角度を変更する水平方向の運動へと変換される。
【００６３】
成膜中における基板１の角度の変更によって、大気に開放することなく異なる材料を成膜する時に、その材料に適切な基板１と成膜源間との距離の設定に対応し、常に成膜源に対して基板１を正対させることが可能となる。また、微細な成膜パターンを形成する時に、ステップカバレージ性を制御することも可能となる。
【００６４】
シャフト部の全体構成については、最内部に位置する中空シャフト３０を除き、図２にて示した実施例と同様であることから記載を省略する。
【００６５】
また、膜厚センサー１５は、中空シャフト３３の内部に配線が施され、基板公転プレート２８の中央部近傍に位置する。更に、膜厚センサー１５は、高さ方向において、基板１の高さに調整されている。
【００６６】
また、中空シャフト３３の上部の上下面には、ベローズ３４およびベローズ３５がそれぞれ備えられる。
【００６７】
基板公転プレート２８の回転は、モーター等の回転機構（図示せず）から回転支持部６に伝達された回転運動が、回転伝達シャフト１８、回転伝達シャフト１８に接続された中間シャフト２０および中間シャフト２１とともにシール機構７およびシール機構３６を介してＡ側大気部よりＢ側真空部に導入される。回転伝達シャフト１８が基板公転プレート２８に接続されていることから、導入された回転運動により、基板ホルダー１６を含む基板公転プレート２８が回転する。この時、中空シャフト３３、中空シャフト３３の上部を構成する、ベローズ３４、ベローズ３５および天板１１、更にシール機構３６、冷却媒体の供給部９、排出部１０、シール機構７および膜厚センサー１５は静止した状態となる。
【００６８】
以上の構成により、成膜時の基板１の冷却、成膜時の経時変化に対応した角度の変更および精度の高い膜厚管理が可能となる。
【００６９】
次に図４に、本発明の成膜装置における更に別の実施例の一部概略断面図を示す。
【００７０】
図４において、成膜装置８０は、チャンバー４を隔て、Ａ側を大気部、Ｂ側を真空部とする。
【００７１】
成膜装置８０は、Ｂ側真空部内に複数の基板１を保持する基板ホルダー１６と、基板ホルダー１６を固定する基板公転プレート２８とを備える。
【００７２】
基板ホルダー１６は、基板１の冷却手段および角度の変更手段を有する。また、基板公転プレート２８の中央部近傍に位置した膜厚センサー１５が備えられる。これらの構成の詳細は、図２および図３にて示した実施例の内容と同様なので記載を省略する。
【００７３】
更に、成膜源（図示せず）と基板１との距離の変更する手段がシャフト部に設けられる。ベローズ３４、ベローズ３５およびベローズ３８が図示を省略した別の手段によって伸縮する。シャフト構成部である中空シャフト３３、回転伝達シャフト１８、中間シャフト２０、および中間シャフト２１が上下運動し、基板公転プレート２８を上下運動させる。基板公転プレート２８に備えられた基板ホルダー１６も、上下運動が可能となる。
【００７４】
また、これらのシャフト部を構成する部材は、シール機構７およびシール機構３６を回転シール部として、Ａ側大気部よりＢ側真空部に導入される。更に、シール機構７とチャンバー４との間には、ベローズ３８が設けられている。
【００７５】
基板公転プレート２８の回転の状態は、図３にて示した実施例と同様であることから記載を省略する。
【００７６】
以上の構成により、成膜時の基板１の角度変更、冷却、精度の高い膜厚管理および基板１と成膜源間の距離の変更が可能となる。
【００７７】
通常スパッタ装置においては、成膜に伴う経時変化により、ターゲットにエロージョンが形成される。形成されたエロージョンは、基板と成膜源との距離および基板に飛来する成膜粒子に対しても影響を及ぼす。これは、基板に入射する成膜粒子状態が経時的に変化することを意味する。本発明は、この経時変化および大気に開放することなく異なる材料を成膜する時に、その材料に適切な基板１と成膜源間との距離の設定に対応し、基板角度を補正し常に成膜源に対し正対させることが可能となる。
【００７８】
また微細な成膜パターンを形成する時に、ステップカバレージ性を制御することも可能となり安定した成膜が可能となる。
【００７９】
更に、本発明の成膜装置は、上記に示した種々の手段において、所望する手段の組合せが可能である。
【００８０】
【発明の効果】
以上のような本発明の成膜装置によれば、多重構造したシャフト部に、冷却媒体を循環させる手段と、基板公転プレートの中央部近傍に膜厚センサーを位置する手段と、基板の角度を変更する手段と、基板と成膜源間の距離を変更する手段とを備え、これらを組み合わせた成膜装置を提供することが可能となる。
【００８１】
よって、所望する膜を形成する時の重要な成膜条件である、成膜時の基板温度の上昇の抑制、成膜時の精度の高い膜厚の管理、成膜時の基板への入射角度の変更および基板と成膜源との距離を任意に設定することが可能となり、高精度な電子部品に対応した所望の薄膜を形成することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による弾性表面波装置の一実施例の平面図である。
【図２】本発明による弾性表面波装置の別の実施例の断面図である。
【図３】本発明による弾性表面波装置の別の実施例の断面図である。
【図４】本発明による弾性表面波装置の別の実施例の断面図である。
【図５】基板ホルダー内の冷却媒体の経路図である。
【符号の説明】
１…基板
２、１６…基板ホルダー
３、１７、２８…基板公転プレート
４…チャンバー
５、１８…回転伝達シャフト
６…回転支持部
７、１２、３６…シール機構
８…整流板
９…供給部
１０…排出部
１１…天板
１３、１４、２０、２１…中間シャフト
１５…膜厚センサー
１９…ベース基板
２２、２５…フレキシブルチューブ
２３…供給ジョイント
２４…排出ジョイント
２６…揺動部材
２７…揺動アーム
２９…カム部
３０…ローラー部
３１…バネ部
３２…揺動支持部
３３…中空シャフト
３４、３５、３８…ベローズ
５０、６０、７０、８０…成膜装置
Ａ…大気部
Ｂ…真空部
【発明の属する技術分野】
本発明は、真空槽内に成膜源を有し、基板への成膜処理を行う装置であって、特にスパッタ装置や真空蒸着装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、電子機器の高精度化が急速に進められるなか、電子部品においても様々な機能が要求される。電子部品に形成される薄膜においても、その精度および機能の更なる向上が求められている。薄膜を形成する方法としては、真空を利用した成膜装置が用いられるが、形成される薄膜は、その成膜条件に対して顕著な依存性を示すことは一般に知られているところである。成膜条件としては、成膜時の基板温度、基板に対する成膜粒子の入射角度、成膜粒子エネルギー等の種々の項目が挙げられる。
【０００３】
その中で、成膜時の基板温度の上昇は、基板温度の上昇に伴う基板からの不純物の発生および成膜する膜の状態変化により、膜特性が劣化することが考えられる。また、成膜される基板によっては、成膜時の基板温度の上昇により基板自身の有する特性が劣化することも考えられる。更に、リフトオフ成膜においては、レジストの耐熱性の問題も考えられる。成膜時の基板温度の上昇を抑制し、成膜時の基板温度を制御することは、必要とされる特性を有する薄膜を形成する上でも重要な項目の一つである。
【０００４】
そこで、成膜装置として基板を保持する基板保持具と、基板保持具に公転および自転の動作をさせる動力伝達手段を有する成膜装置において、動力伝達機構の公転部材と、基板保持具を含む自転部材の内部に、互いに連通された冷却水路を形成する。その水路に、冷却水供給装置から公転部材および自転部材に対して循環的に冷却水を供給し、基板保持具を冷却する成膜装置が提案されている（例えば特許文献１参照。）。
【０００５】
また、成膜粒子の入射角度は、必要とされる特性を有する薄膜を形成するため、基板に対するステップカバレージ性を向上させるためおよび基板に形成される膜の厚みの均一性を向上させるための重要な成膜条件の一つである。このことからも成膜装置としては、成膜中の経時変化等に対応して、成膜源に対する基板の角度の変更を連続的に行うことは重要となる。
【０００６】
そこで、成膜源を内部に設けた真空槽内に、基板が取り付けられて自公転する部材を設けた成膜装置において、公転部材に自転板を揺動部材により揺動自在に取り付ける。揺動部材に揺動回転軸を連結して該揺動回転軸の中心軸方向への移動によって揺動部材および自転板を揺動させ、入射角の異なった成膜が連続的に行える成膜装置が提案されている（例えば特許文献２参照。）。
【０００７】
一方、電子部品によっては、形成される薄膜の膜厚に対して顕著な特性の依存性を示すものも存在する。そのため、形成される薄膜の膜厚は、所望する特性を有する電子部品を形成するために、所望する膜厚を精度よく形成することが望まれる。
【０００８】
そこで、真空中において付着する成膜材料の量に応じて共振周波数が変化する水晶振動子の周波数変化量に基づいて、膜厚を測定する膜厚モニターを備える成膜装置が提案されている（例えば特許文献３参照。）。
【０００９】
【特許文献１】
特開平８−２５０５７７号公報
【特許文献２】
特開平９−１４３７１７号公報
【特許文献３】
特開平１１−２２２６７０号公報
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記した従来技術による成膜装置においては、以下の問題が存在する。
【００１１】
特許文献１においては、基板保持具を冷却し、成膜源と基板との距離を変更可能な手段を有する。
【００１２】
しかし、特許文献１においては、膜厚センサーを有しないことから、基板に形成される膜厚を精度よく管理することは困難である。また、その機構上の制約から、薄膜形成における他の重要な成膜条件である成膜時に基板の角度を連続的に変化させることは出来ない。
【００１３】
したがって、精度の高い膜厚の管理や均一で高精度な膜形成が困難であるとの課題を有する。
【００１４】
特許文献２においては、入射角の異なった成膜が連続的に行える成膜装置が提案されている。
【００１５】
しかし、特許文献２においては、その機構上の制約から、薄膜形成における他の重要な成膜条件である成膜時の基板温度の上昇を抑制すること、成膜源と基板間距離の変更することは困難である。また、膜厚センサーを有しない。
【００１６】
したがって、成膜時の基板温度の上昇は避けることができず、成膜時の基板からの不純物ガスの発生および基板によっては、その基板の有する特性が劣化するとの課題を有する。また、成膜時の膜厚の実測ができないことおよび成膜源と基板間の距離の変更ができないことから、経時変化に対応した、精度の高い膜厚の管理が困難であるとの課題を有する。
【００１７】
特許文献３においては、飛来する成膜材料を間欠的に遮蔽する手段を有する膜厚モニターを備える。
【００１８】
膜厚モニターは、その機構上の制約から成膜する基板の外側に設置する構成となる。本来、膜厚モニターの設置位置は、成膜される基板の近傍、または成膜状態の最も安定する位置に設置されるべきでものである。基板から離れたところでの膜厚のモニターリングは、連続使用時における膜厚測定精度を劣化させることになり、高精度な膜厚管理が行えないとの課題を有する。
【００１９】
しかし、特許文献３においては、その機構上の制約から、基板を遮蔽することなく成膜状態の最も安定する中央部近傍に膜厚センサーを設置することが困難なことは明確である。また、薄膜形成における他の重要な成膜条件である、成膜時の基板温度の上昇を抑制すること、基板の角度の連続的な変更および成膜源と基板間の距離を変更する手段を設けることは困難である。
【００２０】
したがって、所望の機能を有する薄膜形成および精度の高い膜厚の管理が困難であるとの課題を有する。
【００２１】
本発明は上記の問題点を解決することを目的とするもので、膜形成として重要な項目となる、成膜時の基板の温度上昇の抑制、膜厚の管理、基板への入射角度および基板と成膜源間の距離の変更手段を有することにより、高精度の電子部品に対応した薄膜を形成することが可能となる成膜装置を提供する。
【００２２】
【課題を解決するための手段】
上記問題を解決すべく本発明は、真空槽内に成膜源を有し、基板への成膜処理を行う装置であって、大気中から真空槽内に導入されるシャフト部であって、冷却媒体の流路の一部が構成されて多重構造をしたシャフト部と、真空槽内でシャフト部に接続され、回転運動が伝達される基板公転プレートと、複数の基板を保持可能であり、かつ基板公転プレートに設けられ、流路を通る冷却媒体により基板を冷却する基板ホルダーと、基板公転プレートの中央部近傍に位置し、シャフト部の内部に配線が施される膜厚センサーとを備える成膜装置である。
【００２３】
また、シャフト部と基板ホルダーとの間に設けられた、冷却媒体を基板ホルダーに循環させるフレキシブルチューブを備える成膜装置である。
【００２４】
また、基板の角度を変更するための揺動手段と、揺動手段にシャフト部の上下運動を伝達手段とを備える成膜装置である。更に、基板と成膜源との距離を変更するための上下運動する手段がシャフト部に設けられている成膜装置である。
【００２５】
以上のような本発明の成膜装置によれば、薄膜形成における重要な成膜条件である成膜時の基板温度の上昇を抑制すること、成膜時の基板の角度および成膜源と基板間の距離を変更することが可能となる。また、基板に対する成膜を遮ることなく精度の高い膜厚の管理が可能となる。よって、高精度の電子部品に対応した薄膜形成が可能となる。
【００２６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施例について添付図に基いて詳細を説明する。
【００２７】
図１は、本発明の成膜装置における一実施例の一部概略断面図を示す。
【００２８】
図１において、成膜装置５０は、チャンバー４を隔て、Ａ側を大気部、Ｂ側を真空部とする。
【００２９】
成膜装置５０は、Ｂ側真空部内に複数の基板１を保持する基板ホルダー２と、基板ホルダー２が固定された中空構造を有する基板公転プレート３を備える。
【００３０】
基板公転プレート３は、チャンバー４をＡ側大気部からＢ側真空部へ貫通するシャフト部を構成する管状部材である回転伝達シャフト５と中間シャフト１３に接続される。また、回転伝達シャフト５は、回転支持部６を介してモーター等の回転機構（図示せず）へと接続される。
【００３１】
回転伝達シャフト５および中間シャフト１３は、シール機構７を介して回転運動をＡ側大気部からＢ側真空部へと導入する。また、回転伝達シャフト５は、その上部において天板１１およびシール機構１２によりシールされ、保持された状態となる。シール機構７およびシール機構１２は、磁性流体シールが望ましいが、求める真空度によっては、Ｏリングでも可能である。
【００３２】
更に、基板公転プレート３は、その内部に冷却媒体を循環する手段を有しており、冷却媒体の整流のために整流板８を備える。整流板８は、チャンバー４をＡ側大気部からＢ側真空部へ貫通するシャフト部を構成する中間シャフト１４に接続される。
【００３３】
供給部９から導入された冷却媒体は、回転伝達シャフト５と中間シャフト１４との隙間により形成された往路を通りチャンバー４の中に入り、基板公転プレート３の内部に導入される。その後、所定の流路を通り、中間シャフト１４と中間シャフト１３との隙間により形成された復路を通り排出部１０より排出される。冷却媒体としては、温度制御された水や不凍液を用いることが好ましい。
【００３４】
供給部９を構成する部材と回転伝達シャフト５および中間シャフト１４とのシール、また、排出部１０を構成する部材と中間シャフト１３とのシールには、Ｏリング、オイルシールおよびメカニカルシール等を用いると良い。
【００３５】
回転伝達シャフト５、中間シャフト１３および中間シャフト１４は、同一軸上にてシャフト部を構成する。シャフト部においては、回転伝達シャフト５の外側に中間シャフト１４を配し、中間シャフト１４の外側に中間シャフト１３を備える構造となる。シャフト部は、前記したシール機構７を介してＡ側大気部からＢ側真空部へと導入される。
【００３６】
膜厚センサー１５は、回転伝達シャフト５の内部に配線が施され、基板公転プレート３の中央部近傍に位置する。天板１１は、膜厚センサー１５の配線部を保持し、シール機構１２に設置されている。
【００３７】
基板公転プレート３の回転機構を説明する。モーター等の回転機構から回転支持部６に伝達された回転運動は、回転伝達シャフト５、回転伝達シャフト５に接続された中間シャフト１４および中間シャフト１３とともにシール機構７を介してＡ側大気部よりＢ側真空部に導入される。回転伝達シャフト５、中間シャフト１４および中間シャフト１３が基板公転プレート３にそれぞれ接続されていることから導入された回転運動は、基板公転プレート３を回転させる。
【００３８】
この時、回転伝達シャフト５の上部に位置する天板１１およびシール機構１２、また、冷却媒体の供給部９、排出部１０、シール機構７および膜厚センサー１５は静止した状態である。
【００３９】
以上の構成により、導入された冷却媒体で基板ホルダー２が冷却され、基板ホルダー２により保持された基板１が冷却される。冷却媒体は、形成された経路を流れることにより、効率のよい熱交換を行うことが可能となる。成膜時における基板温度の上昇の抑制は、基板１からの不純物ガス発生の抑制および成膜する膜特性の安定化につながることから高品位の成膜が可能となる。また、基板１によっては、基板温度の上昇により有する特性を劣化させるものも存在することから、基板１の有する特性の安定化にもつながる。更に、リフトオフ成膜の場合、リフトオフ成膜では、使用するレジストの耐熱性に対応することが可能となる。
【００４０】
また、膜厚センサー１５は、基板公転プレート３の中央部近傍に位置しているにもかかわらず配線が基板１を遮蔽することなく、基板１における成膜に対する遮蔽についても問題とはならない。基板公転プレート３の中央部に設置した膜厚センサー１５により、成膜時の精度の高い膜厚測定が可能となり、所望する膜厚に対し、精度の高い膜厚の管理が可能となる。
【００４１】
次に、図２は、本発明の成膜装置における別の実施例の一部概略断面図を示す。
【００４２】
図２において、成膜装置６０は、チャンバー４を隔て、Ａ側を大気部、Ｂ側を真空部とする。
【００４３】
成膜装置６０は、Ｂ側真空部内に複数の基板１を保持する基板ホルダー１６と、基板ホルダー１６が固定された基板公転プレート１７とを備える。
【００４４】
基板公転プレート１７は、チャンバー４をＡ側大気部からＢ側真空部へと貫通するシャフト部を構成する管状部材である回転伝達シャフト１８に接続され、回転支持部６よりモーター等の回転機構（図示せず）へと接続されている。また、その上部において天板１１およびシール機構１２により密閉され、保持された状態となる。
【００４５】
また、基板ホルダー１６は、ベース基板１９とで形成されるその内部に、冷却媒体を循環する手段を備える。ベース基板１９の内部には、図５に示すように冷却媒体の流路が形成されている。
【００４６】
供給部９から供給された冷却媒体は、回転伝達シャフト１８と中間シャフト２０との隙間により形成された往路を通り、フレキシブルチューブ２２を介して、供給ジョイント２３に接続される。冷却媒体は、基板ホルダー１６と、ベース基板１９とに形成されたその内部に導入される。次に、排出ジョイント２４に接続されたフレキシブルチューブ２５を介して、中間シャフト２０と中間シャフト２１との隙間により形成された復路を通り、排出部１０より排出される。
【００４７】
回転伝達シャフト１８、中間シャフト２０および中間シャフト２１は、同一軸上にて、シャフト部を構成する。また、回転伝達シャフト１８の外側に中間シャフト２０を配し、中間シャフト２０の外側に中間シャフト２１を備える構造となる。シャフト部は、シール機構７を介して、Ａ側大気部からＢ側真空部へと導入される。
【００４８】
また、ベース基板１９は、揺動部材２６、揺動アーム２７により基板公転プレート１７に取り付けられている。更に、シャフト部とベース基板１９との間の冷却媒体の経路がフレキシブルチューブにて構成されている。これにより、初期設定時に基板ホルダー１６の角度の変更が可能となる。
【００４９】
また、膜厚センサー１５は、回転伝達シャフト１８の内部に配線が施され、基板公転プレート１７の中央近傍に位置する。高さ方向においては、基板１の高さに調整されている。天板１１は、膜厚センサー１５の配線部を保持し、シール機構１２に設置されている。
【００５０】
基板公転プレート１７の回転機構を下記に示す。モーター等の回転機構（図示せず）から回転支持部６に伝達された回転運動は、回転伝達シャフト１６、回転伝達シャフト１６に接続された中間シャフト２０および中間シャフト２１とともにシール機構７を介してＡ側大気部よりＢ側真空部に導入される。回転伝達シャフト１８が基板公転プレート１７に接続されていることから、導入された回転運動により、基板ホルダー１６を含む基板公転プレート１７が回転する。
【００５１】
この時、回転伝達シャフト１８の上部を位置する天板１１およびシール機構１２、また、冷却媒体の供給部９、排出部１０、シール機構７および膜厚センサー１５は静止した状態となる。
【００５２】
以上の構成により、導入された冷却媒体で基板ホルダー１６および基板ホルダー１６により保持された基板１が冷却され、所望する膜の形成および基板１の特性を劣化させることなく膜を形成することが可能となる。
【００５３】
また、基板公転プレート１７の中央部近傍に位置した膜厚センサー１５により、成膜時の精度の高い膜厚管理が可能となる。
【００５４】
更に、基板１の角度は、基板１に対する初期状態での設定変更が可能となり、成膜条件の拡大につながる。また、基板ベース１９には、図５に示した冷却媒体の流路を形成されており、流路における冷却媒体のたまりの発生をすることを回避できる。その結果、冷却効率の向上が可能となる。
【００５５】
次に、図３に、本発明の成膜装置における更に別の実施例の一部概略断面図を示す。
【００５６】
図３において、成膜装置７０は、チャンバー４を隔て、Ａ側を大気部、Ｂ側を真空部とする。
【００５７】
成膜装置７０は、Ｂ側真空部内に複数の基板１を保持する基板ホルダー１６と、基板ホルダー１６を固定する基板公転プレート２８とを備える。
【００５８】
基板公転プレート２８は、チャンバー４をＡ側大気部からＢ側真空部に貫通するシャフト部を構成する回転伝達シャフト１８に接続され、回転支持部６よりモーター等の回転機構（図示せず）へと接続されている。
【００５９】
基板ホルダー１６は、ベース基板１９とで形成されるその内部に、冷却媒体を循環する手段を備える。ベース基板１９の内部および冷却媒体の流路は、前記した図２に示す実施例と同様であることから、記載は省略する。この構成により、基板１が冷却される。
【００６０】
更に、基板ホルダー１６は、基板公転プレート２８に揺動可能なように揺動部材２６にて取り付けされ、基板１の角度を変更する手段を備える。基板１の角度を変更する揺動手段にシャフトの上下運動を伝達する手段として、シャフト部の最内部に構成された管状形状した中空シャフト３３に設けられた逆円錐台形状したカム部２９と、ローラー部３０と、バネ部３１と、揺動支持部３２および揺動アーム２７とを備える。ローラー部３０は、バネ部３１によりカム部２９のテーパー部に押し付けられた状態となる。
【００６１】
基板ホルダー１６の角度の変更は、カム部２９を備える中空シャフト３３の上下運動により行う。中空シャフト３３は、ベローズ３４およびベローズ３５が図示を省略した別の手段によって伸縮することにより上下運動し、Ａ側大気部よりＢ側真空部に導入される。上下運動の導入は、ベローズの使用が望ましいが、求める真空度によっては、Ｏリングでも可能である。
【００６２】
導入された上下運動は、中空シャフト３３に備えられるカム部２９を介して、バネ部３１により押し付けられているローラー部３０へと伝達される。更に、揺動支持部３２を介し、揺動部材２６により支持された揺動アーム２７により基板ホルダー１６へと伝達される。これらにより、中空シャフト３３の上下運動が基板１の角度を変更する水平方向の運動へと変換される。
【００６３】
成膜中における基板１の角度の変更によって、大気に開放することなく異なる材料を成膜する時に、その材料に適切な基板１と成膜源間との距離の設定に対応し、常に成膜源に対して基板１を正対させることが可能となる。また、微細な成膜パターンを形成する時に、ステップカバレージ性を制御することも可能となる。
【００６４】
シャフト部の全体構成については、最内部に位置する中空シャフト３０を除き、図２にて示した実施例と同様であることから記載を省略する。
【００６５】
また、膜厚センサー１５は、中空シャフト３３の内部に配線が施され、基板公転プレート２８の中央部近傍に位置する。更に、膜厚センサー１５は、高さ方向において、基板１の高さに調整されている。
【００６６】
また、中空シャフト３３の上部の上下面には、ベローズ３４およびベローズ３５がそれぞれ備えられる。
【００６７】
基板公転プレート２８の回転は、モーター等の回転機構（図示せず）から回転支持部６に伝達された回転運動が、回転伝達シャフト１８、回転伝達シャフト１８に接続された中間シャフト２０および中間シャフト２１とともにシール機構７およびシール機構３６を介してＡ側大気部よりＢ側真空部に導入される。回転伝達シャフト１８が基板公転プレート２８に接続されていることから、導入された回転運動により、基板ホルダー１６を含む基板公転プレート２８が回転する。この時、中空シャフト３３、中空シャフト３３の上部を構成する、ベローズ３４、ベローズ３５および天板１１、更にシール機構３６、冷却媒体の供給部９、排出部１０、シール機構７および膜厚センサー１５は静止した状態となる。
【００６８】
以上の構成により、成膜時の基板１の冷却、成膜時の経時変化に対応した角度の変更および精度の高い膜厚管理が可能となる。
【００６９】
次に図４に、本発明の成膜装置における更に別の実施例の一部概略断面図を示す。
【００７０】
図４において、成膜装置８０は、チャンバー４を隔て、Ａ側を大気部、Ｂ側を真空部とする。
【００７１】
成膜装置８０は、Ｂ側真空部内に複数の基板１を保持する基板ホルダー１６と、基板ホルダー１６を固定する基板公転プレート２８とを備える。
【００７２】
基板ホルダー１６は、基板１の冷却手段および角度の変更手段を有する。また、基板公転プレート２８の中央部近傍に位置した膜厚センサー１５が備えられる。これらの構成の詳細は、図２および図３にて示した実施例の内容と同様なので記載を省略する。
【００７３】
更に、成膜源（図示せず）と基板１との距離の変更する手段がシャフト部に設けられる。ベローズ３４、ベローズ３５およびベローズ３８が図示を省略した別の手段によって伸縮する。シャフト構成部である中空シャフト３３、回転伝達シャフト１８、中間シャフト２０、および中間シャフト２１が上下運動し、基板公転プレート２８を上下運動させる。基板公転プレート２８に備えられた基板ホルダー１６も、上下運動が可能となる。
【００７４】
また、これらのシャフト部を構成する部材は、シール機構７およびシール機構３６を回転シール部として、Ａ側大気部よりＢ側真空部に導入される。更に、シール機構７とチャンバー４との間には、ベローズ３８が設けられている。
【００７５】
基板公転プレート２８の回転の状態は、図３にて示した実施例と同様であることから記載を省略する。
【００７６】
以上の構成により、成膜時の基板１の角度変更、冷却、精度の高い膜厚管理および基板１と成膜源間の距離の変更が可能となる。
【００７７】
通常スパッタ装置においては、成膜に伴う経時変化により、ターゲットにエロージョンが形成される。形成されたエロージョンは、基板と成膜源との距離および基板に飛来する成膜粒子に対しても影響を及ぼす。これは、基板に入射する成膜粒子状態が経時的に変化することを意味する。本発明は、この経時変化および大気に開放することなく異なる材料を成膜する時に、その材料に適切な基板１と成膜源間との距離の設定に対応し、基板角度を補正し常に成膜源に対し正対させることが可能となる。
【００７８】
また微細な成膜パターンを形成する時に、ステップカバレージ性を制御することも可能となり安定した成膜が可能となる。
【００７９】
更に、本発明の成膜装置は、上記に示した種々の手段において、所望する手段の組合せが可能である。
【００８０】
【発明の効果】
以上のような本発明の成膜装置によれば、多重構造したシャフト部に、冷却媒体を循環させる手段と、基板公転プレートの中央部近傍に膜厚センサーを位置する手段と、基板の角度を変更する手段と、基板と成膜源間の距離を変更する手段とを備え、これらを組み合わせた成膜装置を提供することが可能となる。
【００８１】
よって、所望する膜を形成する時の重要な成膜条件である、成膜時の基板温度の上昇の抑制、成膜時の精度の高い膜厚の管理、成膜時の基板への入射角度の変更および基板と成膜源との距離を任意に設定することが可能となり、高精度な電子部品に対応した所望の薄膜を形成することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による弾性表面波装置の一実施例の平面図である。
【図２】本発明による弾性表面波装置の別の実施例の断面図である。
【図３】本発明による弾性表面波装置の別の実施例の断面図である。
【図４】本発明による弾性表面波装置の別の実施例の断面図である。
【図５】基板ホルダー内の冷却媒体の経路図である。
【符号の説明】
１…基板
２、１６…基板ホルダー
３、１７、２８…基板公転プレート
４…チャンバー
５、１８…回転伝達シャフト
６…回転支持部
７、１２、３６…シール機構
８…整流板
９…供給部
１０…排出部
１１…天板
１３、１４、２０、２１…中間シャフト
１５…膜厚センサー
１９…ベース基板
２２、２５…フレキシブルチューブ
２３…供給ジョイント
２４…排出ジョイント
２６…揺動部材
２７…揺動アーム
２９…カム部
３０…ローラー部
３１…バネ部
３２…揺動支持部
３３…中空シャフト
３４、３５、３８…ベローズ
５０、６０、７０、８０…成膜装置
Ａ…大気部
Ｂ…真空部
Claims (4)
- 真空槽内に成膜源を有し、基板への成膜処理を行う装置であって、
大気中から真空槽内に導入されるシャフト部であって、冷却媒体の流路の一部が構成された多重構造をした前記シャフト部と、
前記真空槽内で前記シャフト部に接続され、該シャフト部の回転運動が伝達される基板公転プレートと、
複数の前記基板を保持可能であり、かつ前記基板公転プレートに設けられた基板ホルダーであって、前記流路を通る冷却媒体により前記基板を冷却する基板ホルダーと、
前記基板公転プレートの中央部近傍に位置し、前記シャフト部の内部に配線が施された膜厚センサーとを備えることを特徴とする成膜装置。 - 前記流路と前記基板ホルダーとを連結し、前記冷却媒体を前記基板ホルダーに循環させるフレキシブルチューブを備えることを特徴とする、請求項１に記載の成膜装置。
- 前記基板の角度を変更するための揺動手段と、前記揺動手段に前記シャフト部の上下運動を伝達する手段とを備えることを特徴とする、請求項１または２に記載の成膜装置。
- 前記基板と前記成膜源との距離を変更するための上下運動する手段が前記シャフト部に設けられることを特徴とする、請求項１乃至３に記載の成膜装置。
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