KR101873851B1 - 기판의 패시베이션층 또는 절연층 증착장치 및 증착방법 - Google Patents

기판의 패시베이션층 또는 절연층 증착장치 및 증착방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101873851B1
KR101873851B1 KR1020110077803A KR20110077803A KR101873851B1 KR 101873851 B1 KR101873851 B1 KR 101873851B1 KR 1020110077803 A KR1020110077803 A KR 1020110077803A KR 20110077803 A KR20110077803 A KR 20110077803A KR 101873851 B1 KR101873851 B1 KR 101873851B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
temperature
electrostatic chuck
insulating layer
passivation layer
Prior art date
Application number
KR1020110077803A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20130015677A (ko
Inventor
김영훈
한정훈
Original Assignee
주성엔지니어링(주)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주성엔지니어링(주) filed Critical 주성엔지니어링(주)
Priority to KR1020110077803A priority Critical patent/KR101873851B1/ko
Publication of KR20130015677A publication Critical patent/KR20130015677A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101873851B1 publication Critical patent/KR101873851B1/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C23C16/4586—Elements in the interior of the support, e.g. electrodes, heating or cooling devices
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/34—Nitrides
    • C23C16/345—Silicon nitride
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/40—Oxides
    • C23C16/401—Oxides containing silicon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
    • C23C16/509—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges using internal electrodes

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)

Abstract

본 발명은 기판의 패시베이션층 또는 절연층 증착장치 및 증착방법에 관한 것으로서, 상세하게는 기판에 패시베이션층을 저온에서 증착할 수 있으며, 동시에 우수한 막질을 가지는 패시베이션층을 증착할 수 있는 기판의 패시베이션층 증착장치 및 증착방법에 관한 것이다.

Description

기판의 패시베이션층 또는 절연층 증착장치 및 증착방법{A DEVICE AND A METHOD FOR DEPOSITING PASSIVATION LAYER OR INSULATING LAYER ON SUBSTRATE}
본 발명은 기판의 패시베이션층 또는 절연층 증착장치 및 증착방법에 관한 것으로서, 상세하게는 기판에 패시베이션층을 저온에서 증착할 수 있으며, 동시에 우수한 막질을 가지는 패시베이션층을 증착할 수 있는 기판의 패시베이션층 증착장치 및 증착방법에 관한 것이다.
일반적으로, 기판에는 기판에 포함된 회로 또는 소자의 표면 부식을 방지하고 상기 회로 또는 소자를 외부환경으로부터 보호하기 위한 패시베이션층(passivation layer) 또는 기판에 포함된 회로 또는 소자를 절연하는 절연층(insulating layer)이 구비된다.
이러한 기판에 패시베이션층 또는 절연층을 형성하는 방법으로는 일반적으로 PECVD(Plasma enhanced Chemical Vapor Deposition) 또는 LPCVD(Low Pressure Chemical Vapor Deposition)가 사용된다.
PECVD는 용량결합 플라즈마(Capacitive Coupled Plasma, CCP) 소스를 이용하여 균일한 밀도의 플라즈마를 형성하고 서셉터(suscepter)에 히터(heater)를 설치하여 기판의 온도를 제어하여, 기판에 패시베이션층 또는 절연층을 증착하는 방식이다. 그리고, LPCVD는 챔버에 다양한 히터 및 고온의 발열체를 설치하여 챔버 내부를 고온으로 만든 후, 고온에 의한 에너지로 소스가스를 열분해하여 기판에 증착하는 방법이며, 일반적으로 챔버 내의 온도는 500℃ 내지 700℃로 유지된다.
그러나, 패시베이션층 또는 절연층이 실리콘 나이트라이드(Silicon Nitride) 또는 실리콘 옥사이드(Silicon Oxide)로 구성되는 경우, 상기 패시베이션층 또는 상기 절연층을 PECVD로 기판에 증착하면 LPCVD에 비해 상대적으로 저온(예를 들어, 약 400 ℃ 정도)에서 증착과정을 실행할 수 있으나, 굴절률(Refractive Index, RI) 및 박막밀도(film density)이 좋지않아 막질(film quality)이 좋지 못한 패시베이션층 또는 절연층이 기판에 증착되는 문제점이 존재하여 왔다.
또한, 패시베이션층 또는 절연층이 실리콘 나이트라이드 또는 실리콘 옥사이드로 구성되는 경우, 상기 패시베이션층 또는 상기 절연층을 LPCVD로 기판에 증착하면 굴절률 및 박막밀도가 좋아 막질이 우수한 패시베이션층 또는 절연층을 기판에 증착할 수 있으나, LPCVD의 챔버 내부가 고온(예를 들어, 약 500 ℃내지 700 ℃) 상태로 유지되므로 저온 공정을 필요로 하는 회로, 또는 부품을 포함하는 기판(예를 들어, 실리콘관통전극(Trough Silicon Via, TSV)을 구비하는 반도체패키지, 또는 자기터널접합(Magnetic Tunnel Junction, MTJ)을 구비하는 MRAM 등)의 경우 LPCVD로 증착공정을 실행할 수 없어, LPCVD의 경우 적용가능한 기판의 종류가 한정적이라는 문제점이 존재하여 왔다.
따라서, 본 발명의 목적은 패시베이션층 또는 절연층을 저온 공정으로 기판에 증착하면서, 동시에 기판에 막질이 우수한 패시베이션층 또는 절연층을 증착할 수 있는 기판의 패시베이션층 또는 절연층 증착장치 및 기판의 패시베이션층 또는 절연층 증착방법을 제공하는 것이다.
전술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 측면에 의하면, 본 발명은, 기판이 수용되고, 패시베이션층 또는 절연층의 증착공정이 실행되는 진공챔버; 상기 진공챔버에 설치되는 유도결합 플라즈마 소스; 상기 진공챔버 내에서 하부에 설치되고, 상기 기판을 상기 진공챔버 내에 고정하는 정전척; 및 상기 유도결합 플라즈마 소스 및 상기 정전척을 제어하는 제어부를 포함하고, 상기 정전척은, 상부면에 안착되는 상기 기판의 온도를 조절하는 제1 온도조절부를 구비하는 상부본체와, 상기 정전척의 온도를 조절하는 제2 온도조절부를 구비하는 하부본체를 포함하는 기판의 패시베이션층 또는 절연층 증착장치를 제공한다.
이때, 상기 유도결합 플라즈마 소스는, 상기 진공챔버 내에 설치되고, 소스가스 또는 반응가스를 분사하는 가스 분사부; 상기 진공챔버의 상부에 설치되고, 상기 진공챔버 내에 전자기장 또는 플라즈마를 발생시키는 안테나부; 상기 안테나부에 고주파수 전력을 공급하는 제1 고주파전력 발진부; 상기 안테나부와 상기 고주파전력 발진부 사이에서 상기 고주파전력 발진부에서 공급된 전력의 임피던스를 정합하는 제1 임피던스 정합부;를 포함할 수 있다.
이 경우, 상기 상부본체는 절연체로 구성되고, 상기 상부본체는 내부에 정전척 전극을 구비하고, 상기 상부본체 또는 상기 하부본체는 내부에 바이어스전극을 구비하며, 상기 기판의 패시베이션층 또는 절연층 증착장치는 상기 바이어스전극에 고주파수 전력을 공급하는 제2 고주파전력 발진부와 상기 바이어스전극과 상기 고주파수 발진부 사이에서 상기 고주파수 발진부에서 공급된 전력의 임피던스를 정합하는 제2 임피던스 정합부를 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 제1 온도조절부는, 상기 상부본체의 표면에 형성된 표면유로, 상기 표면유로에 연통되어 상기 표면유로에 냉각가스를 공급하는 제1 냉각가스 유입관, 상기 표면유로에 연통되어 상기 표면유로에서 냉각가스를 배출하는 제1 냉각가스 유출관 및 상기 표면유로에 공급되는 냉각가스의 유량을 조절하는 제1 유량밸브를 포함할 수 있다.
또한, 상기 제2 온도조절부는 상기 하부본체의 내부에 형성되어 냉각가스가 유동하는 경로가 형성된 냉각부, 상기 냉각부에 연통되어 상기 냉각부에 냉각가스를 공급하는 제2 냉각가스 유입관, 상기 냉각부에 연통되어 상기 냉각부에서 냉각가스를 배출하는 제2 냉각가스 유출관 및 상기 냉각부에 공급되는 냉각가스의 유량을 조절하는 제2 유량밸브를 포함할 수 있다.
또한, 상기 제어부는, 상기 기판에 기설정된 굴절률을 가지는 패시베이션층 또는 절연층이 증착되도록 상기 유도결합 플라즈마 소스와, 상기 제1 온도조절부 및 상기 제2 온도조절부 중 적어도 하나 이상의 온도조절부를 제어할 수 있다.
이 경우, 상기 기설정된 굴절률은 1.78 내지 2.05일 수 있다.
또한, 상기 제어부는 상기 유도결합 플라즈마 소스에 기설정된 고주파수 전력을 인가하여 상기 진공챔버 내에 고밀도 플라즈마를 형성하도록 상기 유도결합 플라즈마 소스를 제어하고, 증착공정 중에 상기 정전척에 안착된 기판의 온도가 기설정된 온도범위 내에 유지되도록 상기 제1 온도조절부 및 상기 제2 온도조절부 중 적어도 하나 이상의 온도조절부를 제어할 수 있다.
이때, 상기 기설정된 온도범위는 180℃ 내지 350℃일 수 있다.
또한, 상기 패시베이션층 또는 상기 절연층은 실리콘 나이트라이드 또는 실리콘 옥사이드로 구성될 수 있다.
전술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 다른 일 측면에 의하면, 본 발명은, 유도결합 플라즈마 소스 및 기판이 고정되는 정전척을 포함하는 기판의 패시베이션층 또는 절연층 증착장치에서 기판에 패시베이션 또는 절연층을 증착하는 방법으로서, 상기 정전척에 구비된 정전척 전극에 직류 전력을 인가하여 기판을 정전척에 고정하는 단계; 상기 진공챔버 내부에 소스가스 및 반응가스를 주입하는 단계; 상기 유도결합 플라즈마 소스에 기설정된 고주파 전력을 인가하고, 상기 정전척에 구비된 바이어스전극에 바이어스전력을 인가하여 진공챔버 내에 고밀도 플라즈마를 형성하는 단계; 및 상기 정전척에 구비된 제1 온도조절부 및 제2 온도조절부 중 적어도 하나 이상의 온도조절부를 이용하여 상기 정전척에 고정된 기판의 온도를 제어하는 단계;를 포함하고, 상기 정전척에 고정된 기판의 온도를 제어하는 단계는, 공정 초기부터 공정 종료시까지 기판의 온도가 기설정된 온도범위 내에 유지되도록 하는 것을 특징으로 하는 기판의 패시베이션층 또는 절연층 증착방법을 제공한다.
이때, 상기 기설정된 온도범위는 80℃ 내지 350℃일 수 있다.
또한, 상기 진공챔버 내에 고밀도 플라즈마를 형성하는 단계 및 상기 정전척에 고정된 기판의 온도를 제어하는 단계는, 상기 기판에 증착되는 패시베이션층 또는 절연층의 굴절률이 1.78 내지 2.05가 되도록 실행될 수 있다.
또한, 상기 제1 온도조절부는 냉각가스로 상기 정전척에 고정된 기판의 온도를 조절하고, 상기 제2 온도조절부는 냉각가스로 상기 정전척의 온도를 조절할 수 있다.
또한, 상기 제1 온도조절부는 기판이 접촉하는 면에 형성되어 냉각가스의 유로를 한정하는 표면유로 및 상기 표면유로에 공급되는 냉각가스의 유량을 조절하는 제1 유량밸브를 포함하고, 상기 제2 온도조절부는 정전척 내부에 챔버 형상으로 형성된 냉각부 및 상기 냉각부에 공급되는 냉각가스의 유량을 조절하는 제2 유량밸브를 포함할 수 있다.
또한, 상기 정전척에 고정된 기판의 온도를 제어하는 단계는, 기판의 온도가 기설정된 온도범위보다 높은 경우 상기 제1 유량밸브 및 상기 제2 유량밸브 중 적어도 하나 이상의 유량밸브의 개도량을 증가시키도록 실행될 수 있다.
또한, 상기 정전척에 고정된 기판의 온도를 제어하는 단계는, 기판의 온도가 기설정된 온도범위보다 낮은 경우 상기 제1 유량밸브 및 상기 제2 유량밸브 중 적어도 하나 이상의 유량밸브의 개도량을 감소시키도록 실행될 수 있다.
이 경우, 상기 패시베이션층 또는 상기 절연층은 실리콘 나이트라이드 또는 실리콘 옥사이드로 구성될 수 있다.
또한, 상기 소스가스는 아르곤 또는 실리콘이 함유된 가스이고, 상기 반응가스는 질소, 암모니아, 산소가 함유된 가스일 수 있다.
전술한 본 발명의 과제해결수단에 따르면, 본 발명은 패시베이션층 또는 절연층을 저온 공정으로 기판에 증착하면서, 동시에 기판에 막질이 우수한 패시베이션층 또는 절연층을 증착하는 효과를 가진다. 또한, 본 발명은 우수한 막질을 가지는 패시베이션층 또는 절연층을 기판에 증착하면서, 적용가능한 기판의 범위를 상당히 향상시킬 수 있는 효과를 가진다.
도 1은 본 발명에 따른 기판의 패시베이션층 또는 절연층 증착장치에 대한 개략도이다.
도 2는 본 발명에 따른 정전척에 대한 개략도이다.
도 3은 도 2의 정전척의 개략적인 평면도이다.
도 4는 본 발명에 따른 기판의 패시베이션층 또는 절연층 증착장법에 대한 개략적인 순서흐름도이다.
도 5는 도 4의 정전척에 고정된 기판의 온도를 제어하는 단계의 구체적인 순서흐름도이다.
도 6a 내지 도 6b는 본 발명에 따른 기판의 패시베이션층 또는 절연층 증착장치 및 기판의 패시베이션층 또는 절연층 증착방법으로 증착된 패시베이션층 또는 절연층의 막질에 대한 그래프이다.
이하 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대한 구성 및 작용을 상세히 설명하면 다음과 같다. 여기서 각 도면의 구성요소들에 대해 참조부호를 부가함에 있어서 동일한 구성요소들에 한해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호로 표기되었음에 유의하여야 한다.
도 1은 본 발명에 따른 기판(S)의 패시베이션층 또는 절연층 증착장치(1000)에 대한 개략도이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 기판(S)의 패시베이션층 또는 절연층 증착장치(1000)는, 기판(S)이 수용되어 패시베이션층 또는 절연층의 증착공정이 실행되는 진공챔버(100); 상기 진공챔버(100)에 설치되는 유도결합 플라즈마(Inductively Coupled Plasma, ICP) 소스(200); 상기 진공챔버(100) 내에서 하부에 설치되고, 상기 기판(S)을 상기 진공챔버(100) 내에 고정하는 정전척(300)(Electro Static Chuck, ESC); 및 상기 유도결합 플라즈마 소스(200) 및 상기 정전척(300)을 제어하는 제어부;를 포함한다.
여기서, 상기 정전척(300)은 상부본체(310)와 하부본체(330)로 구성되고, 상기 상부본체(310)는 정전척(300)에 안착되는 기판(S)의 온도를 조절하는 제1 온도조절부를 구비하고, 상기 하부본체(330)는 정전척(300)의 온도를 조절하는 제2 온도조절부를 구비한다. 상기 정전척(300)의 온도조절부에 대한 내용은 이하에서 도 2 및 도 3을 참고하여 보다 구체적으로 기술하기로 한다.
이때, 바람직하게는, 상기 패시베이션층 또는 상기 절연층은 실리콘 나이트라이드 또는 실리콘 옥사이드로 구성될 수 있다.
진공챔버(100)는 기판(S), 상기 기판(S)에 증착할 패시베이션층 또는 절연층의 소스가스 및/또는 반응가스, 상기 기판(S)이 안착되는 정전척(300) 등이 수용되는 밀폐된 반응용기이다. 상기 진공챔버(100)에는, 고밀도 플라즈마를 형성하는 유도결합 플라즈마 소스(200), 기판(S)이 안착되어 고정되는 정전척(300) 및 상기 진공챔버(100) 내의 진공상태를 형성하고 유지하는 진공펌프가 설치된다.
또한, 진공챔버(100)는 상기 진공챔버(100)로 공급되는 소스가스 및/또는 반응가스 등의 필요물질이 저장되는 저장장치(도시되지 않음), 상기 저장장치에서 상기 진공챔버(100)로 필요물질이 공급되는 유입관, 상기 진공챔버(100) 내부의 기체를 배출하는 유출관 및 상기 배출관에 연결되어 상기 진공챔버(100) 내에서의 반응가스 및/또는 소스가스 등의 필요물질의 압력 및 농도를 조절하는 가스조절펌프(600)를 포함한다.
유도결합 플라즈마 소스(200)는 진공챔버(100)의 상부에 및/또는 측면에 설치되어, 진공챔버(100) 내에서 소스가스 및/또는 반응가스에 전자기장을 생성하여 상기 진공챔버(100) 내에 고밀도 플라즈마를 형성한다.
도 1에 도시된 바와 같이, 유도결합 플라즈마 소스(200)는, 진공챔버(100) 내에 설치되어 소스가스 또는 반응가스를 분사하는 가스 분사부(210); 상기 진공챔버(100)의 상부에 설치되고, 상기 진공챔버(100) 내에 전자기장 또는 플라즈마를 발생시키는 안테나부(230); 상기 안테나부(230)에 고주파수 전력을 공급하는 제1 고주파전력 발진부(250); 상기 안테나부(230)와 상기 고주파전력 발진부 사이에서 상기 고주파전력 발진부에서 공급된 전력의 임피던스를 정합하는 제1 임피던스 정합부(270);를 포함한다.
가스 분사부(210)는 유입관에 연결되고 진공챔버(100) 내에 복수 개 구비되며, 소스가스 및/또는 반응가스가 진공챔버(100) 내부로 공급될 수 있도록 하는 구성요소이다. 상기 가스 분사부(210)는 안테나부(230)의 바로 아래에 설치될 수도 있고, 진공챔버(100) 내에서 상기 진공챔버(100)의 양 측면 근처에 설치될 수도 있다.
안테나부(230)는 진공챔버(100)의 상부 및/또는 측면부에 설치되고, 상기 진공챔버(100) 내에 전력을 방출하여 전자기장 및/또는 플라즈마를 형성하는 구성요소이다. 상기 안테나부(230)는 전도성 물질로 구성되고, 코일 또는 관이 나선형을 감긴 형태로 형성된다. 상기 안테나부(230)는 제1 임피던스 정합부(270) 및 제1 고주파전력 발진부(250)에 연결된다.
제1 고주파전력 발진부(250)는 안테나부(230)에 전기적으로 연결되어 전자기장 및/또는 고밀도 플라즈마를 형성하기 위한 고주파 전력을 안테나부(230)에 인가한다.
상기 제1 고주파전력 발진부(250)와 상기 안테나부(230) 사이에는, 제1 임피던스 정합부(270)가 설치된다. 상기 제1 임피던스 정합부(270)는 제1 고주파전력 발진부(250)에서 제공된 고주파 전력의 임피던스를 적절하게 조절하여 매칭한다. 구체적으로, 제1 임피던스 정합부(270)는 제1 고주파전력 발진부(250)에 연결되는 연결케이블의 특성 임피던스(characterisitic impedance)에 로드 임피던스(load impedance)를 매칭한다.
이렇게, 유도결합 플라즈마 소스(200)를 구비함으로써, 낮은 작동압력으로 고밀도의 플라즈마를 형성할 수 있어, 굴절률(RI) 및 박막밀도가 좋은 우수한 막질의 패시베이션층 또는 절연층을 기판(S)에 증착할 수 있다.
정전척(300)은 기판(S)이 고정되며 절연체로 구성된 상부본체(310)와, 상기 상부본체(310)의 하부에 위치되는 하부본체(330)로 구성된다.
상부본체(310)는 내부에 (즉, 기판(S)이 안착되는 상부면의 아래에) 기판(S)에 전기적 인력을 가하여 기판(S)을 고정하는 정전척 전극(311)을 구비한다. 상기 정전척 전극(311)은 직류 전력공급부에 연결되어 있고, 상기 직류 전력공급부로부터 진류 전력이 인가되면 기판(S)에 전기적 인력을 가하여 기판(S)을 상부본체(310)의 상부면(또는 상기 상부면으로부터 소정높이 떨어진 위치)에 고정한다.
상부본체(310) 또는 하부본체(330)는 내부에 바이어스(bias)전극(510)을 구비한다. 상기 바이어스전극(510)은 상기 바이어스전극(510)에 고주파수 전력을 공급하는 제2 고주파전력 발진부(530)에 연결된다. 상기 바이어스전극(510)과 상기 제2 고주파전력 발진부(530) 사이에는, 제2 고주파전력 발진부(530)에서 공급된 전력의 임피던스를 정합하는 제2 임피던스 정합부(550)가 구비된다. 상기 바이어스전극(510)은, 제2 고주파전력 발진부(530)부로부터 제2 임피던스 정합부(550)를 거쳐 임피던스 정합된 고주파전력을 인가받아 유도결합 플라즈마 소스(200)에 의해 형성된 고밀도 플라즈마 이온의 임팩트(impact) 에너지를 조절한다.
제어부는 가스 분사부(210)에 연결되어 저장장치로부터 진공챔버(100) 내로 공급되는 소스가스 및/또는 반응가스의 유량을 제어하고, 가스조절펌프(600)에 연결되어 진공챔버(100) 내의 소스가스 및/또는 반응가스의 압력 및/또는 농도를 제어하고, 진공펌프에 연결되어 진공펌프 내의 진공상태를 제어한다. 또한, 제어부는 유도결합 플라즈마 소스(200)에 연결되어 플라즈마의 밀도를 제어하고, 제2 고주파전력 발진부(530) 및 제2 임피던스 정합부(550)에 연결되어 유도결합 플라즈마 소스(200)에 의해 형성된 플라즈마(또는 플라즈마 이온)의 임팩트 에너지를 제어한다.
특히, 제어부는 유도결합 플라즈마 소스(200)에 기설정된 고주파수 전력을 인가하여 진공챔버(100) 내에 고밀도 플라즈마를 형성하도록 유도결합 플라즈마 소스(200)(즉, 제1 고주파전력 발진부(250) 및 제1 임피던스 정합부(270))를 제어하고, 증착공정 중에 정전척(300)에 안착된 기판(S)의 온도가 기설정된 온도범위 내에 유지되도록 정전척(300)의 제1 온도조절부 및 제2 온도조절부 중 적어도 하나 이상의 온도조절부를 제어한다. 이때, 상기 기설정된 온도범위는 저온이면서 반도체 소자에 증착되는 패시베이션층 또는 절연층의 막질이 양질성이 유지되는 온도범위로서, 바람직하게는 180℃ 내지 350℃일 수 있다. 이는 실험적으로 증명된 온도범위이며, 이에 대해서는 도 6a 및 도 6b를 참고하여 후술하기로 한다.
또한, 고밀도 플라즈마를 형성하기 위해서, 상기 기설정된 고주파수 전력은 예를 들어 2 kW 내지 9 kW일 수 있다. 이는 실험적으로 증명된 전력범위이며, 이에 대해서는 도 6a 및 도 6b를 참고하여 후술하기로 한다.
이렇게 본 발명에 따른 반도체 소자의 패시베이션층 또는 절연층 증착장치(1000)는 패시베이션층 또는 절연층을 저온 공정으로 기판(S)에 증착하면서, 동시에 기판(S)에 막질이 우수한 패시베이션층 또는 절연층을 증착할 수 있다.
도 2는 본 발명에 따른 정전척(300)에 대한 개략도이고, 도 3은 도 2의 정전척(300)의 개략적인 평면도이다.
도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 정전척(300)은 상부면에 안착되는 상기 기판(S)의 온도를 조절하는 제1 온도조절부를 구비하는 상부본체(310)와, 상기 정전척(300)의 온도를 조절하는 제2 온도조절부를 구비하는 하부본체(330)를 포함한다. 정전척(300)은 도면에 도시된 바와 같이 웨이퍼의 형상에 대응되는 원형일 수 있으나, 이는 예시적인 것으로서 기판(S)의 종류에 따라 다양한 형상을 가질 수 있음은 당연하다.
도 3에 도시된 바와 같이, 제1 온도조절부는 상부본체(310)의 표면에 형성된 표면유로(313), 상기 표면유로(313)에 연통되어 상기 표면유로(313)에 냉각가스를 공급하는 제1 냉각가스 유입관(315), 상기 표면유로(313)에 연통되어 상기 표면유로(313)에서 냉각가스를 배출하는 제1 냉각가스 유출관 및 상기 표면유로(313)에 공급되는 냉각가스의 유량을 조절하는 제1 유량밸브(316)를 포함한다. 상기 제1 냉각가스 유입관(315) 및 상기 제1 냉각가스 유출관은 냉각가스 저장용기(도시되지 않음)에 연결되어 있다. 여기서, 상기 냉각가스는 헬륨(He)인 것이 바람직하다.
표면유로(313)는 도 3에 도시되 바와 같이 제1 냉각가스 유입관(315)의 제1 냉각가스 유입구에서부터 제1 냉각가스 유출관(317)의 제1 냉각가스 유출구까지 나선형으로 형성된 홈일 수 있다. 그러나, 이러한 표면유로(313)의 형상은 예시적인 것으로서, 표면유로(313)의 형상은 이에 제한되지 않는다.
기판(S)이 정전척 전극(311)의 직류전력 인가로 인해 상부본체(310)에 고정된 후, 제1 냉각가스 유입관(315)을 통하여 냉각가스가 표면유로(313)로 공급되고 제1 냉각가스 유출관을 통하여 냉각가스가 표면유로(313)로부터 배출되므로, 표면유로(313)를 따라 냉각가스가 순환하여 기판(S)의 온도를 직접적으로 조절할 수 있다.
도 2에 도시된 바와 같이, 제2 온도조절부는 하부본체(330)의 내부에 형성되어 냉각가스가 유동하는 경로 또는 챔버가 형성된 냉각부(331), 상기 냉각부(331)에 연통되어 상기 냉각부(331)에 냉각가스를 공급하는 제2 냉각가스 유입관(333), 상기 냉각부(331)에 연통되어 상기 냉각부(331)에서 냉각가스를 배출하는 제2 냉각가스 유출관(335) 및 상기 냉각부(331)에 공급되는 냉각가스의 유량을 조절하는 제2 유량밸브(334)를 포함한다. 상기 제2 냉각가스 유입관(333) 및 상기 제2 냉각가스 유출관(335)은 냉각가스 저장용기(도시되지 않음)에 연결되어 있다. 여기서, 상기 냉각가스는 헬륨(He)인 것이 바람직하다.
기판(S)이 정전척 전극(311)의 직류전력 인가로 인해 상부본체(310)에 고정된 후, 제2 냉각가스 유입관(333)을 통하여 냉각가스가 냉각부(331)로 공급되고 제2 냉각가스 유출관(335)을 통하여 냉각가스가 냉각부(331)로부터 배출되므로, 냉각부(331) 내에서 냉각가스가 저장되거나 또는 순환함으로써 정전척(300)의 온도를 직적적으로 조절할 수 있고, 이로 인해 정전척(300)의 상부본체(310)에 안착되는 기판(S)의 온도를 직간접적으로 조절할 수 있다.
이렇게, 정전척(300)에 제1 온도조절부 및 제2 온도조절부를 구비함으로써, 진공챔버(100) 내부가 고온으로 유지되더라도 기판의 온도를 약 180 ℃ 내지 350 ℃의 저온으로 유지함으로써, 기판 자체, 및/또는 기판에 포함된 회로, 및/또는 기판에 포함된 부품들이 고온으로 열변형 및 손상되는 것을 방지할 수 있다. 즉, 정전척(300)에 제1 온도조절부 및 제2 온도조절부를 구비함으로써, 본 발명에 따른 반도체 소자의 패시베이션층 또는 절연층 증착장치(1000)에 적용가능한 기판의 범위를 상당히 증가시킬 수 있다.
이하에서는, 본 발명에 따른 반도체 소자의 패시베이션층 또는 절연층 증착방법에 대하여 기술하기로 한다. 상기 반도체 소자의 패시베이션층 또는 절연층 증착방법은 본 발명에 따른 반도체 소자의 패시베이션층 또는 절연층 증착장치(1000)에 의해 실행된다.
도 4는 본 발명에 따른 기판(S)의 패시베이션층 또는 절연층 증착장법(S2000)에 대한 개략적인 순서흐름도이고, 도 5는 도 4의 정전척(300)에 고정된 기판(S)의 온도를 제어하는 단계(S2600)의 구체적인 순서흐름도이다.
도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 반도체 소자의 패시베이션층 또는 절연층 증착방법은 유도결합 플라즈마 소스(200) 및 기판(S)이 고정되는 정전척(300)을 포함하는 기판의 패시베이션층 또는 절연층 증착장치(1000)에서 기판(S)에 패시베이션 또는 절연층을 증착하는 방법이며, 상기 반도체 소자의 패시베이션층 또는 절연층 증착방법은, 상기 정전척(300)에 구비된 정전척 전극(311)에 직류 전력을 인가하여 기판(S)을 정전척(300)에 고정하는 단계(S2100); 상기 진공챔버(100) 내부에 소스가스 및 반응가스를 주입하는 단계(S2300); 유도결합 플라즈마 소스(200)에 기설정된 고주파 전력을 인가하고, 상기 정전척(300)에 구비된 바이어스전극(510)에 바이어스전력을 인가하여 진공챔버(100) 내에 고밀도 플라즈마를 형성하는 단계(S2500); 및 상기 정전척(300)에 구비된 제1 온도조절부 및 제2 온도조절부 중 적어도 하나 이상의 온도조절부를 이용하여 상기 정전척(300)에 고정된 기판(S)의 온도를 제어하는 단계(S2600);를 포함한다.
여기서, 상기 정전척(300)에 고정된 기판(S)의 온도를 제어하는 단계(S2600)는, 증착공정 초기부터 증착공정 종료시까지 기판(S)의 온도가 기설정된 온도범위 내에 유지되도록 실행되며, 상기 기설정된 온도범위는 저온 온도범위로서 바람직하게는 180℃ 내지 350℃일 수 있다. 물론, 제1 온도조절부 및 제2 온도조절부 중 적어도 하나 이상의 온도조절부에서의 냉각가스의 유량을 조절하여 기판(S)의 온도를 180℃ 내지 350℃ 이하의 온도로 유지할 수도 있다.
도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 반도체 소자의 패시베이션층 또는 절연층 증착방법을 순차적으로 살펴보면, 우선 정전척(300)에 구비된 정전척 전극(311)에 직류 전력을 인가하여 기판(S)을 정전척(300)에 고정한다(S2100). 즉, 정전척 전극(311)에 직류 전력을 인가하면 정전척(300)의 상부본체(310) 부근에 정전장이 형성되고, 상기 정전장과 기판(S)와의 정전상호작용에 의해 기판(S)이 정전척(300)의 상부본체(310)에 고정된다.
이후, 진공챔버(100) 내부에 소스가스 및/또는 반응가스를 주입한다(S2300). 즉, 진공챔버(100) 내부에 설치된 가스 분사부(210)를 이용하여 저장장치로부터 진공챔버(100) 내부로 소스가스 및/또는 반응가스를 주입한다. 이때, 상기 소스가스는 아르곤(Ar) 또는 실리콘(Si)이 함유된 가스(예를 들어, SiH4)이고, 상기 반응가스는 질소(N2, N), 암모니아(NH3), 산소(O2, O)가 함유된 가스일 수 있다.
이후, 유도결합 플라즈마 소스(200)에 기설정된 고주파 전력을 인가하고, 상기 정전척(300)에 구비된 바이어스전극(510)에 바이어스전력을 인가하여 진공챔버(100) 내에 고밀도 플라즈마를 형성한다(S2500). 이때, 상기 기설정된 고주파수 전력은 2 kW 내지 9 kW인 것이 바람직하다. 이렇게, 고밀도 플라즈마가 진공챔버(100) 내에 형성되면, 기판(S)에 막질이 우수한 패시베이션층 또는 절연층이 증착된다.
도 5에 도시된 바와 같이, 상기 기판(S)을 정전척(300)에 고정하는 단계(S2100), 상기 소스가스 및 반응가스를 주입하는 단계(S2300) 및 고밀도 플라즈마를 형성하는 단계(S2500) 동안, 정전척(300)에 구비된 제1 온도조절부 및 제2 온도조절부 중 적어도 하나 이상의 온도조절부를 이용하여 상기 정전척(300)에 고정된 기판(S)의 온도를 제어하는 단계(S2600)를 지속적으로 실행한다.
구체적으로, 상기 정전척(300)에 고정된 기판(S)의 온도를 제어하는 단계(S2600)는,제1 온도조절부를 이용하여 냉각가스로 상기 정전척(300)에 고정된 기판(S)의 온도를 조절하고, 및/또는 상기 제2 온도조절부를 이용하여 냉각가스로 정전척(300)의 온도를 조절하도록 실행된다.
특히, 정전척(300)에 고정된 기판(S)의 온도를 제어하는 단계(S2600)는, 증착공정 초기부터 증착공정 종료시까지 기판(S)의 온도가 약 180℃ 내지 350℃의 온도범위 내에 유지되도록 반복하여 실행된다.
이를 위하여, 도 6에 도시된 바와 같이, 제어부는 온도센서(도시되지 않음)를 통하여 기판(S)의 온도를 기설정된 온도범위 내에 있는지를 증착공정 동안 지속적으로 판단한다(S2610)(S2630).
만약, 제어부가 기판(S)의 온도가 기설정된 온도범위보다 높다고 판단하는 경우, 제1 온도조절부의 제1 유량밸브(316) 및 제2 온도조절부의 제2 유량밸브(334) 중 적어도 하나 이상의 유량밸브의 개도량이 증가하도록 제1 유량밸브(316) 및 제2 유량밸브(334) 중 적어도 하나 이상의 유량밸브를 제어한다(S2500). 즉, 이 경우, 제어부는 표면유로(313) 또는 냉각부(331)를 순환하는 냉각가스의 유량을 증가시켜, 기판(S)의 온도를 하강시킨다.
반대로, 제어부가 기판(S)의 온도가 기설정된 온도범위보다 낮다고 판단하는 경우, 제1 유량밸브(316) 및 상기 제2 유량밸브(334) 중 적어도 하나 이상의 유량밸브의 개도량이 감소되도록 제1 유량밸브(316) 및 제2 유량밸브(334) 중 적어도 하나 이상의 유량밸브를 제어한다(S2700). 즉, 이 경우, 제어부는 표면유로(313) 또는 냉각부(331)를 순환하는 냉각가스의 유량을 증가시켜, 기판(S)의 온도를 상승시킨다. 이는, 기판(S)의 온도가 기설정된 온도 이하로 내려가는 경우, 패시베이션층 또는 절연층의 막질의 저하현상이 발생되기 때문이다.
도 6a 내지 도 6b는 본 발명에 따른 기판(S)의 패시베이션층 또는 절연층 증착장치(1000) 및 기판(S)의 패시베이션층 또는 절연층 증착방법으로 증착된 패시베이션층 또는 절연층의 막질에 대한 그래프이다.
도 6a 및 도 6b에서는, 패시베이션층 또는 절연층이 예를 들어 실리콘 나이트라이드로 구성된 경우 막질의 판단기준 중 하나인 굴절률(RI)에 대한 실험값에 기초하여 기술하기로 한다. 참고로, 실리콘 나이트라이드의 경우 표준 굴절률은 2.0이며, 일반적으로 굴절률이 1.75 내지 2.1 정도의 범위에 있는 패시베이션층 또는 절연층을 우수하다고 평가한다.
도 6a에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 반도체 소자의 패시베이션층 또는 절연층 증착방법으로 기판(S)에 패시베이션층 또는 절연층을 증착하는 경우, 기판(S)의 온도를 180 ℃ 내지 350 ℃로 유지함으로써 1.78 내지 2.05의 우수한 굴절률을 가지는 패시베이션층 또는 절연층을 획득할 수 있었다.
또한, 도 6b에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 반도체 소자의 패시베이션층 또는 절연층 증착방법을 실행시, 제1 고주파전력 발진부(250)에서 안테나부(230)에 예를 들어 2 kW 내지 9 kW의 전력(저전력)을 공급해야 1.78 내지 2.05의 우수한 굴절률을 가지는 패시베이션층 또는 절연층을 획득할 수 있음을 확인하였다.
전술한 바와 같이, 본 발명은 패시베이션층 또는 절연층을 저온 공정으로 기판(S)에 증착하면서, 동시에 기판(S)에 막질이 우수한 패시베이션층 또는 절연층을 증착할 수 있다. 또한, 본 발명은 우수한 막질을 가지는 패시베이션층 또는 절연층을 기판(S)에 증착하면서, 적용가능한 기판(S)의 범위를 상당히 향상시킬 수 있다.
전술한 바와 같이, 본 발명은 패시베이션층 또는 절연층을 저온 공정으로 기판에 증착하면서, 동시에 기판에 막질이 우수한 패시베이션층 또는 절연층을 증착할 수 있다. 또한, 본 발명은 우수한 막질을 가지는 패시베이션층 또는 절연층을 기판에 증착하면서, 적용가능한 기판의 범위를 상당히 향상시킬 수 있다.
본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않고 본 발명의 기술적 요지를 벗어나지 아니하는 범위 내에서 다양하게 수정 또는 변형되어 실시될 수 있음은 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 있어서 자명한 것이다.
1000 : 반도체 소자의 패시베이션층 또는 절연층 증착장치
100 : 진공챔버 200 : 유도결합 플라즈마 소스
300 : 정전척 310 : 상부본체
330 : 하부본체 500 : 바이어스 소스
600 : 가스조절펌프

Claims (19)

  1. 삭제
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 삭제
  7. 삭제
  8. 삭제
  9. 삭제
  10. 삭제
  11. 유도결합 플라즈마 소스 및 기판이 고정되는 정전척을 포함하는 기판의 패시베이션층 또는 절연층 증착장치에서 기판에 패시베이션 또는 절연층을 증착하는 방법으로서,
    상기 정전척에 구비된 정전척 전극에 직류 전력을 인가하여 기판을 정전척에 고정하는 단계;
    진공챔버 내부에 소스가스 및 반응가스를 주입하는 단계;
    유도결합 플라즈마 소스에 기설정된 고주파 전력을 인가하고, 상기 정전척에 구비된 바이어스전극에 바이어스전력을 인가하여 진공챔버 내에 고밀도 플라즈마를 형성하는 단계; 및
    상기 정전척에 구비된 제1 온도조절부 및 제2 온도조절부를 이용하여 상기 정전척에 고정된 기판의 온도를 상기 진공챔버보다 저온으로 제어하는 단계;를 포함하고,
    상기 정전척에 고정된 기판의 온도를 상기 진공챔버보다 저온으로 제어하는 단계는, 공정 초기부터 공정 종료시까지 기판의 온도가 상기 진공챔버보다 저온인 기설정된 온도범위 내에 유지되도록 하고,
    상기 제1 온도조절부는 기판이 접촉하는 면에 나선형 홈으로 형성된 표면유로를 따라 순환하는 냉각가스로 상기 정전척에 고정된 기판의 온도를 조절하고,
    상기 제2 온도조절부는 정전척 내부에 챔버 형상으로 형성된 냉각부를 순환하는 냉각가스로 상기 정전척의 온도를 조절하며,
    상기 기설정된 온도범위는 180℃ 내지 350℃이고,
    상기 패시베이션층 또는 상기 절연층은 실리콘 나이트라이드 또는 실리콘 옥사이드로 구성되는 것을 특징으로 하는 기판의 패시베이션층 또는 절연층 증착방법.
  12. 삭제
  13. 제11항에 있어서,
    상기 진공챔버 내에 고밀도 플라즈마를 형성하는 단계 및 상기 정전척에 고정된 기판의 온도를 제어하는 단계는, 상기 기판에 증착되는 패시베이션층 또는 절연층의 굴절률이 1.78 내지 2.05가 되도록 실행되는 것을 특징으로 하는 기판의 패시베이션층 또는 절연층 증착방법.
  14. 삭제
  15. 제11항에 있어서,
    상기 제1 온도조절부는 상기 표면유로에 공급되는 냉각가스의 유량을 조절하는 제1 유량밸브를 포함하고,
    상기 제2 온도조절부는 상기 냉각부에 공급되는 냉각가스의 유량을 조절하는 제2 유량밸브를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판의 패시베이션층 또는 절연층 증착방법.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 정전척에 고정된 기판의 온도를 제어하는 단계는, 기판의 온도가 기설정된 온도범위보다 높은 경우 상기 제1 유량밸브 및 상기 제2 유량밸브 중 적어도 하나 이상의 유량밸브의 개도량을 증가시키도록 실행되는 것을 특징으로 하는 기판의 패시베이션층 또는 절연층 증착방법.
  17. 제15항에 있어서,
    상기 정전척에 고정된 기판의 온도를 제어하는 단계는, 기판의 온도가 기설정된 온도범위보다 낮은 경우 상기 제1 유량밸브 및 상기 제2 유량밸브 중 적어도 하나 이상의 유량밸브의 개도량을 감소시키도록 실행되는 것을 특징으로 하는 기판의 패시베이션층 또는 절연층 증착방법.
  18. 삭제
  19. 제11항 및 제13항 및 제15항 내지 제17항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 소스가스는 아르곤 또는 실리콘이 함유된 가스이고, 상기 반응가스는 질소, 암모니아, 산소가 함유된 가스인 것을 특징으로 하는 기판의 패시베이션층 또는 절연층 증착방법.
KR1020110077803A 2011-08-04 2011-08-04 기판의 패시베이션층 또는 절연층 증착장치 및 증착방법 KR101873851B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110077803A KR101873851B1 (ko) 2011-08-04 2011-08-04 기판의 패시베이션층 또는 절연층 증착장치 및 증착방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110077803A KR101873851B1 (ko) 2011-08-04 2011-08-04 기판의 패시베이션층 또는 절연층 증착장치 및 증착방법

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020180071653A Division KR101924843B1 (ko) 2018-06-21 2018-06-21 기판의 패시베이션층 또는 절연층 증착장치 및 증착방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20130015677A KR20130015677A (ko) 2013-02-14
KR101873851B1 true KR101873851B1 (ko) 2018-08-02

Family

ID=47895441

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020110077803A KR101873851B1 (ko) 2011-08-04 2011-08-04 기판의 패시베이션층 또는 절연층 증착장치 및 증착방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101873851B1 (ko)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004231993A (ja) 2003-01-28 2004-08-19 Murata Mfg Co Ltd 成膜装置
JP2007273752A (ja) * 2006-03-31 2007-10-18 Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd プラズマ処理装置およびプラズマ生成装置
JP4037493B2 (ja) * 1997-10-28 2008-01-23 芝浦メカトロニクス株式会社 基板冷却手段を備えた成膜装置

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100685826B1 (ko) * 2005-02-25 2007-02-22 삼성에스디아이 주식회사 증착 장치 및 이를 이용한 증착 방법

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4037493B2 (ja) * 1997-10-28 2008-01-23 芝浦メカトロニクス株式会社 基板冷却手段を備えた成膜装置
JP2004231993A (ja) 2003-01-28 2004-08-19 Murata Mfg Co Ltd 成膜装置
JP2007273752A (ja) * 2006-03-31 2007-10-18 Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd プラズマ処理装置およびプラズマ生成装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR20130015677A (ko) 2013-02-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101495288B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
US7815740B2 (en) Substrate mounting table, substrate processing apparatus and substrate processing method
US20090114158A1 (en) Workpiece Support With Fluid Zones For Temperature Control
US20200194241A1 (en) Support unit, apparatus and method for treating a substrate
KR102287835B1 (ko) 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 기록 매체
KR20130085984A (ko) 플라즈마 처리 장치
KR20080111627A (ko) 플라즈마 공정장치 및 그 방법
US20160032451A1 (en) Remote plasma clean source feed between backing plate and diffuser
US11189483B2 (en) Method of manufacturing semiconductor device and non-transitory computer-readable recording medium
KR101965154B1 (ko) 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 기록 매체
US20070256638A1 (en) Electrode plate for use in plasma processing and plasma processing system
KR20100022146A (ko) 플라즈마 공정장치 및 그 방법
KR20190086586A (ko) 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 기록 매체
KR101924843B1 (ko) 기판의 패시베이션층 또는 절연층 증착장치 및 증착방법
JP4126042B2 (ja) 半導体製造装置
KR101569904B1 (ko) 전극 어셈블리, 그리고 기판 처리 장치 및 방법
KR101873851B1 (ko) 기판의 패시베이션층 또는 절연층 증착장치 및 증착방법
KR20180110030A (ko) 반도체 장치의 제조 방법, 기록 매체 및 기판 처리 장치
KR101869949B1 (ko) 복합막 증착방법 및 기판 처리 장치
TWI767655B (zh) 蝕刻裝置及蝕刻方法
KR102465993B1 (ko) 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 기록 매체
EP1154466A1 (en) Method and apparatus for plasma processing
KR20160081264A (ko) 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
JP4052476B2 (ja) ＳｉＮ薄膜の製造方法
KR101594935B1 (ko) 기판 처리 장치 및 전력 공급 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
X701 Decision to grant (after re-examination)
GRNT Written decision to grant