JP2004227102A - 定電流回路 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】外付け抵抗器5の両端が短絡するなどして短絡状態になると、レギュレータ端子4から接地に向けて短絡電流ISが流れるが、この短絡電流ISは、電流制限回路10における基準電圧、NMOSトランジスタ11のゲート・ソース間電圧および電流制限用抵抗素子12の抵抗値とレギュレータ回路2におけるNMOSトランジスタ21のソース・ドレイン間電圧とによって決定される。すなわち、短絡電流の大きさは、電流制限回路10における基準電圧と電流制限用抵抗素子12の抵抗値とを調整することによって小さい値に制限することができる。しかも、短絡電流ISの大きさは、カレントミラー回路1の電源端子3に印加される電源電圧に関係しないようになる。
【選択図】 図2
Description
【発明の属する技術分野】
この発明は、MOSトランジスタで構成される定電流回路に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
定電流回路としては、ゲート電極が共通に接続され、ソース電極がそれぞれ電源に接続される複数のPMOSトランジスタで構成され、ゲート電極とドレイン電極とが接続されるPMOSトランジスタのそのドレイン電極を一方の端子とし、残りのPMOSトランジスタのドレイン電極を他方の端子とするカレントミラー回路と、このカレントミラー回路を前記一方の端子から定電流を引き込んでオン動作させ、カレントミラー回路の前記他方の端子から定電流を出力させるレギュレータ回路とを備えたものが知られている(例えば特許文献1)。
【0003】
前記レギュレータ回路は、レギュレータ出力端子と接地との間に外付け抵抗器が接続されるとともに、前記カレントミラー回路の一方の端子にドレイン電極が接続され、ソース電極が前記外付け抵抗器を介して接地に接続されるNMOSトランジスタと、基準電圧源と、この基準電圧源の基準電圧と前記外付け抵抗器の端子電圧との誤差が少なくなるように、つまり外付け抵抗器に流れる電流が定電流(基準電流)となるように前記NMOSトランジスタのゲート電圧を制御するアンプ回路とで構成される。
【0004】
【特許文献1】
特開2000−183717号公報(図1、符号11)
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記のようにカレントミラー回路とレギュレータ回路とで構成される定電流回路では、外付け抵抗器の両端が短絡するなどの短絡事故が発生すると、レギュレータ出力端子から接地に向けて短絡電流が流れ、カレントミラー回路の一方の端子が過大電流で引き込まれるので、その一方の端子を構成するPMOSトランジスタのゲート電圧がゲート耐圧を超えることが起こり、素子破壊に至る場合がある。
【0006】
特に、近年では、ウェハプロセスの微細化に伴いMOSトランジスタのゲート酸化膜が薄くなる傾向にあり、その結果、MOSトランジスタのゲート耐圧が低くなってきている。そのため、上記のようにカレントミラー回路とレギュレータ回路とで構成される定電流回路では、カレントミラー回路を構成するPMOSトランジスタにそのゲート耐圧が電源電圧よりも低いものが用いられる場合があることから、上記の短絡事故による素子破壊が起こり易い状況になっている。
【0007】
したがって、外付け抵抗器の短絡事故に備えて、短絡電流に制限を加える措置が必要であるが、短絡時には電源電圧の変動も起こるので、どのように構成するかが問題である。
【0008】
この発明は、上記に鑑みてなされたもので、外付け抵抗器の短絡時に電源電圧が変動しても安定的に短絡電流に制限を加えることのできる回路を備えた定電流回路を得ることを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、この発明にかかる定電流回路は、ゲート電極が共通に接続され、ソース電極がそれぞれ電源に接続される複数のPMOSトランジスタで構成され、ゲート電極とドレイン電極とが接続されるPMOSトランジスタのそのドレイン電極を一方の端子とし、残りのPMOSトランジスタのドレイン電極を他方の端子とするカレントミラー回路と、第1基準電圧源と、ドレイン電極が前記カレントミラー回路の一方の端子に接続され、ゲート電極に前記第1基準電圧源から第1基準電圧が印加される第1NMOSトランジスタと、前記第1NMOSトランジスタのソース電極に一端が接続される電流制限用抵抗素子とを備える電流制限回路と、ドレイン電極が前記電流制限用抵抗素子の他方の端子に接続され、ソース電極が外付け抵抗器を介して接地に接続される第2NMOSトランジスタと、第2基準電圧源と、前記外付け抵抗器の端子電圧が前記第2基準電圧源が出力する第2基準電圧と等しくなるように前記第2NMOSトランジスタのゲート電圧を制御するアンプ回路とで構成されるレギュレータ回路とを備えたことを特徴とする。
【0010】
この発明によれば、外付け抵抗器の両端が短絡するなどして、外付け抵抗器が短絡状態になると、レギュレータ回路の出力端子から接地に向けて短絡電流が流れるが、この短絡電流は、第1基準電圧と第1NMOSトランジスタのゲート・ソース間電圧と電流制限用抵抗素子の抵抗値と第2NMOSトランジスタのソース・ドレイン間電圧とによって決定される。すなわち、短絡電流の大きさは、第1基準電圧と電流制限用抵抗素子の抵抗値とを調整することによって小さい値に制限することができる。しかも、短絡電流の大きさは、カレントミラー回路の電源端子に印加される電源電圧に関係しないようになる。したがって、電流制限回路では、電源電圧の変動に対して安定した制限電流値を設定することができるので、外付け抵抗器の短絡事故が発生しても、カレントミラー回路の一方の端子を構成するPMOSトランジスタのゲート・ソース間電圧をそのゲート耐圧以下に安定的に制限することができる。
【0011】
【発明の実施の形態】
以下に添付図面を参照して、この発明にかかる定電流回路の好適な実施の形態を詳細に説明する。
【0012】
図1は、この発明の一実施の形態である定電流回路の構成を示す回路図である。まず、図3を参照して、定電流回路の一般的な構成と動作について説明する。なお、図3は、この発明が対象とする定電流回路の構成例を示す回路図である。
【0013】
図3に示す定電流回路は、カレントミラー回路1とレギュレータ回路2とを備えている。カレントミラー回路1は、ゲート電極が共通に接続され、ソース電極がそれぞれ電源端子3に接続される複数のPMOSトランジスタ1−1〜1−nで構成されている。
【0014】
このカレントミラー回路1では、ゲート電極とドレイン電極とが接続されるPMOSトランジスタ1−1のそのドレイン電極が一方の端子となり、残りのPMOSトランジスタ1−2〜1−nのドレイン電極が他方の端子となっている。そして、PMOSトランジスタ1−1〜1−nは、ゲート耐圧が電源端子3に印加される電源電圧よりも低い素子となっている。
【0015】
レギュレータ回路2は、レギュレータ端子4と接地との間に外付け抵抗器5が接続されるとともに、NMOSトランジスタ21と基準電圧源22とアンプ回路23とを備え、このカレントミラー回路1をその一方の端子から定電流を引き込んでオン動作させ、カレントミラー回路1の他方の端子から定電流を出力させるように構成されている。
【0016】
すなわち、レギュレータ回路2では、NMOSトランジスタ21のドレイン電極がカレントミラー回路1の前記一方の端子に接続され、ソース電極がレギュレータ端子4とアンプ回路23の一方の入力端とに接続され、ゲート電極がアンプ回路23の出力端に接続されている。そして、アンプ回路23の他方の入力端には、基準電圧源22から基準電圧が入力される。
【0017】
以上の構成において、レギュレータ回路2では、アンプ回路23は、電源が投入されるとNMOSトランジスタ21をオン動作させる。その結果、カレントミラー回路1では、PMOSトランジスタ1−1がオン動作を行い、PMOSトランジスタ1−2〜1−nのドレイン電極からミラー電流が出力される。
【0018】
この状態でアンプ回路23は、外付け抵抗器5の端子電圧(つまりレギュレータ端子4の電圧)が基準電圧源22の基準電圧と等しくなるようにNMOSトランジスタ21のゲート電圧を制御する。その結果、PMOSトランジスタ1−1のドレイン電流が外付け抵抗器5に流れる定電流(基準電流)によって引き込まれ、PMOSトランジスタ1−2〜1−nのドレイン電極から定電流が出力される。
【0019】
そして、外付け抵抗器5の両端が短絡線7で接続されるなどして、外付け抵抗器5が短絡状態になると、レギュレータ端子4から接地に向けて短絡電流Isが流れ、PMOSトランジスタ1−1が過大電流で引き込まれる。このとき、PMOSトランジスタ1−1は、ゲート耐圧が電源端子3に印加される電源電圧よりも低いので、ゲート電圧がゲート耐圧を超えることが起こり、素子破壊に至る。
【0020】
この外付け抵抗器の短絡事故に備えて、PMOSトランジスタ1−1のゲート電圧を制御する方法として、次の(1)〜(3)の方法が考えられる。すなわち、(1)NMOSトランジスタ21のソース電極とレギュレータ端子4との間に抵抗素子を介在させて短絡時の電流を制限し、PMOSトランジスタ1−1のゲート・ソース間電圧が一定値以上開かないようにする。(2)NMOSトランジスタ21のドレイン電極とPMOSトランジスタ1−1のドレイン電極との間に抵抗素子を介在させて短絡時の電流を制限し、PMOSトランジスタ1−1のゲート・ソース間電圧が一定値以上開かないようにする。(3)さらにPMOSトランジスタ1−1のゲート・ソース間にツェナーダイオードを接続し、短絡時にPMOSトランジスタ1−1のゲート・ソース間電圧がツェナー電圧で制限されるようにする。
【0021】
しかし、(1)の方法では、通常の動作時においてアンプ回路23の電源電圧が低い場合、NMOSトランジスタ21のゲート電圧が介在させた抵抗素子の両端電圧の分だけ上昇しレギュレータ回路2の出力電圧(レギュレータ端子4の電圧)とアンプ回路23の電源電圧との電圧差が狭くなるので、アンプ回路23の電源電圧を低電圧化するのが困難になる。
【0022】
また、(2)の方法では、短絡時の制限電流値が電源端子3に印加される電源電圧の変動に応じて変動するので、短絡電流に応じてPMOSトランジスタ1−1のサイズを調整することになり、短絡電流が大きい場合には、PMOSトランジスタ1−1のサイズを大きくする必要がある。同様に、(3)の方法では、短絡電流が大きい場合は、ツェナーダイオードのサイズを大きくする必要がある。
【0023】
そこで、この実施の形態では、通常の動作時においてアンプ回路23の電源電圧を低電圧化することの妨げとならず、かつ少ない素子数で外付け抵抗器5の短絡時に電源電圧が変動しても安定的に短絡電流に制限を加えることのできる回路を備えた定電流回路を実現するようにしている。
【0024】
以下、図1を参照して説明する。なお、図1では、図3に示した構成と同一ないしは同等である構成要素には、同一の符号が付されている。ここでは、この実施の形態に関わる部分を中心に説明する。
【0025】
図1に示すように、この実施の形態による定電流回路では、カレントミラー回路1とレギュレータ回路2との間に、電流制限回路10が設けられている。電流制限回路10は、ドレイン電極がカレントミラー回路1の前記一方の端子に接続されるNMOSトランジスタ11と、NMOSトランジスタ11のソース電極に一端が接続される電流制限用抵抗素子12と、基準電圧源13とを備えている。NMOSトランジスタ11のゲート電極には基準電圧源13から基準電圧が印加される。また、電流制限用抵抗素子12の他端は、レギュレータ回路2におけるNMOSトランジスタ21のドレイン電極に接続されている。
【0026】
次に、図1と図2を参照して、図1に示す定電流回路の動作を説明する。なお、図2は、図1に示す定電流回路の外付け抵抗器短絡時の動作を説明する図である。図1において、通常動作時において外付け抵抗器5を流れる基準電流IREFは、上記したように、基準電圧源22が出力する基準電圧VREF1と、外付け抵抗器5の抵抗値R1とで決定される。すなわち、IREF=VREF1/R1である。
【0027】
このとき、NMOSトランジスタ21のドレイン電圧は、上記基準電流IREFによって決定されるNMOSトランジスタ11のゲート・ソース間電圧VGSと電流制限用抵抗素子12の端子電圧との和であるが、基準電圧源13が出力する基準電圧VREF2と電流制限用抵抗素子12の抵抗値R2とは、NMOSトランジスタ11のソース・ドレイン間電圧VDSが飽和領域(5極菅領域)における値となるように定められている。
【0028】
そして、図2に示すように、外付け抵抗器5の両端が短絡線15で接続されるなどして、外付け抵抗器5が短絡状態になると、レギュレータ端子4から接地に向けて短絡電流ISが流れる。この短絡電流ISは、式(1)に示されるように、基準電圧VREF2とNMOSトランジスタ11のゲート・ソース間電圧VGSと電流制限用抵抗素子12の抵抗値R2とNMOSトランジスタ11のソース・ドレイン間電圧VDSとによって決定される。
IS=(VREF2−VGS−VDS)÷R2 …(1)
【0029】
式(1)から明らかなように、短絡電流ISの大きさは、基準電圧VREF2と電流制限用抵抗素子12の抵抗値R2とを調整することによって小さい値に制限することができる。すなわち、基準電圧VREF2と電流制限用抵抗素子12の抵抗値R2とを、カレントミラー回路1のPMOSトランジスタ1−1のゲート・ソース間電圧がそのゲート耐圧以下となるように設定する。これによって、外付け抵抗器5の短絡時において、この電流制限回路10では、PMOSトランジスタ1−1のゲート・ソース間電圧がそのゲート耐圧以下となるように短絡電流ISを制限することができるので、PMOSトランジスタ1−1のゲート破壊を防止することができる。
【0030】
また、式(1)から明らかなように、短絡電流ISの大きさは、電源端子3に印加される電源電圧に関係しない。したがって、この電流制限回路10では、電源電圧の変動に対して安定した制限電流値を設定することができるので、外付け抵抗器5の短絡時におけるPMOSトランジスタ1−1のゲート・ソース間電圧をそのゲート耐圧以下に安定的に制限することができる。
【0031】
【発明の効果】
以上説明したように、この発明によれば、ゲート電極が共通に接続され、ソース電極が共通に電源に接続される複数のPMOSトランジスタで構成され、ゲート電極とドレイン電極とが接続されるPMOSトランジスタのそのドレイン電極を一方の端子とするカレントミラー回路と、前記カレントミラー回路の一方の端子から定電流を引き込むNMOSトランジスタのゲート電極を前記NMOSトランジスタのソース電極と接地との間に設けられる外付け抵抗器の端子電圧が基準電圧と等しくなるように制御するレギュレータ回路とを備える定電流回路において、前記カレントミラー回路と前記レギュレータ回路との間に、ドレイン電極が前記カレントミラー回路の一方の端子に接続され、ゲート電極に基準電圧が印加されるNMOSトランジスタと、NMOSトランジスタのソース電極に一端が接続され、他端が前記レギュレータ回路におけるNMOSトランジスタのドレイン電極に接続される電流制限用抵抗素子とを備える電流制限回路を設けたので、外付け抵抗器の両端が短絡するなどして発生するレギュレータ回路の出力端子から接地に向けて流れる短絡電流は、電流制限回路における基準電圧、NMOSトランジスタのゲート・ソース間電圧および電流制限用抵抗素子の抵抗値とレギュレータ回路におけるNMOSトランジスタのソース・ドレイン間電圧とによって決定されるようになる。すなわち、短絡電流の大きさは、電流制限回路における基準電圧と電流制限用抵抗素子の抵抗値とを調整することによって小さい値に制限することができる。しかも、短絡電流の大きさは、カレントミラー回路の電源端子に印加される電源電圧に関係しないようになる。したがって、電流制限回路では、電源電圧の変動に対して安定した制限電流値を設定することができるので、外付け抵抗器の短絡事故が発生しても、カレントミラー回路の一方の端子を構成するPMOSトランジスタのゲート・ソース間電圧をそのゲート耐圧以下に安定的に制限することができ、素子破壊が防止できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の一実施の形態である定電流回路の構成を示す回路図である。
【図2】図1に示す定電流回路の外付け抵抗器短絡時の動作を説明する図である。
【図3】この発明が対象とする定電流回路の構成例を示す回路図である。
【符号の説明】
1 カレントミラー回路、1−1〜1−n PMOSトランジスタ、2 レギュレータ回路、3 電源端子、4 レギュレータ端子、5 外付け抵抗器、10電流制限回路、11 NMOSトランジスタ、12 電流制限用抵抗素子、13 基準電圧源、15 短絡線、21 NMOSトランジスタ、22 基準電圧源、23 アンプ回路。
Claims (1)
- ゲート電極が共通に接続され、ソース電極がそれぞれ電源に接続される複数のPMOSトランジスタで構成され、ゲート電極とドレイン電極とが接続されるPMOSトランジスタのそのドレイン電極を一方の端子とし、残りのPMOSトランジスタのドレイン電極を他方の端子とするカレントミラー回路と、
第1基準電圧源と、ドレイン電極が前記カレントミラー回路の一方の端子に接続され、ゲート電極に前記第1基準電圧源が出力する第1基準電圧が印加される第1NMOSトランジスタと、前記第1NMOSトランジスタのソース電極に一端が接続される電流制限用抵抗素子とを備える電流制限回路と、
ドレイン電極が前記電流制限用抵抗素子の他方の端子に接続され、ソース電極が外付け抵抗器を介して接地に接続される第2NMOSトランジスタと、第2基準電圧源と、前記外付け抵抗器の端子電圧が前記第2基準電圧源が出力する第2基準電圧と等しくなるように前記第2NMOSトランジスタのゲート電圧を制御するアンプ回路とで構成されるレギュレータ回路と、
を備えたことを特徴とする定電流回路。
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