JP2004221368A - 光起電力装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】この光起電力装置は、表面および裏面を有し、表面側から光が入射されるn型単結晶シリコン基板1と、n型単結晶シリコン基板1の表面上に順次形成されたノンドープ非晶質シリコン膜2およびp型非晶質シリコン膜3と、p型非晶質シリコン膜3上に形成され、約1.5wt%以上約5wt%以下のSnドーパントが含有されている透明導電膜4と、n型単結晶シリコン基板1の裏面上に形成され、表面側の透明導電膜4のSnドーパントの含有量よりも少ないSnドーパント(約0.5wt%以上約3wt%)が含有されている透明導電膜14とを備えている。
【選択図】図1
Description
【発明の属する技術分野】
この発明は、光起電力装置に関し、特に、結晶系半導体基板の表面側および裏面側に、それぞれ、透明導電膜が形成された光起電力装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、表面側から光が入射される第1導電型の結晶系シリコン基板の表面上に、実質的に真性な非単結晶シリコン膜、第2導電型の非単結晶シリコン膜および透明導電膜が順次形成されたHIT(Heterojunction withintrinsic thin‐layer)構造の光起電力装置が知られている(たとえば、特許文献1参照)。
【0003】
また、従来では、上記特許文献1に開示されたHIT構造の光起電力装置において、第1導電型の結晶系シリコン基板の裏面上に、実質的に真性な非単結晶シリコン膜、第1導電型の非単結晶シリコン膜および酸化物からなる透明導電膜が形成されたいわゆるBSF(Back Surface Field)構造を有する両面HIT構造の光起電力装置も知られている。この従来の両面HIT構造の光起電力装置では、通常、光が入射される結晶系シリコン基板の表面側の抵抗と光吸収とのバランスが最適になるように、表面側の透明導電膜に含有される金属ドーパントの量が制御されている。すなわち、酸化物からなる透明導電膜は、金属ドーパントの含有量が多くなれば、抵抗が低くなるとともに、光吸収が増加する。その一方、金属ドーパントの含有量が少なくなれば、抵抗が高くなるとともに、光吸収が低減する。したがって、表面側(光入射側)の透明導電膜の金属ドーパントの含有量を制御することによって、表面側の透明導電膜の抵抗と光吸収とのバランスを制御することが可能となる。また、従来の両面HIT構造の光起電力装置では、表面側(光入射側)の透明導電膜と裏面側の透明導電膜とは同じ膜質設計にするのが一般的であるので、表面側の透明導電膜と裏面側の透明導電膜とには同じ量の金属ドーパントが含有されていた。
【0004】
【特許文献1】
特開2001−345463号公報
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来の両面HIT構造の光起電力装置では、上記のように、表面側(光入射側)の透明導電膜の抵抗と光吸収とのバランスのみを考慮して、表面側および裏面側の透明導電膜に同じ量の金属ドーパントを含有していたので、結晶系シリコン基板の裏面側における光吸収の抑制が効率的に行われていなかった。このため、裏面側の透明導電膜の光吸収損失に起因して出力が低下するという不都合があった。その結果、高いセル特性を実現するのが困難であるという問題点があった。
【0005】
この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、この発明の1つの目的は、高いセル特性を実現することが可能な光起電力装置を提供することである。
【0006】
この発明のもう1つの目的は、上記の光起電力装置において、結晶系半導体基板の裏面側における光吸収損失に起因する出力の低下を抑制することである。
【0007】
【課題を解決するための手段および発明の効果】
上記目的を達成するために、この発明の一の局面による光起電力装置は、表面および裏面を有し、表面側から光が入射される第1導電型の結晶系半導体基板と、結晶系半導体基板の表面上に形成された非晶質半導体膜と、非晶質半導体膜上に形成され、1.5質量%以上5質量%以下の金属ドーパントが含有されている第1透明導電膜と、結晶系半導体基板の裏面上に形成され、第1透明導電膜の金属ドーパントの含有量よりも少ない金属ドーパントが含有されている第2透明導電膜とを備えている。なお、本発明における非晶質半導体膜は、微結晶半導体膜も含む広い概念である。
【0008】
この一の局面による光起電力装置では、上記のように、結晶系半導体基板の表面側(光入射側)に形成される第1透明導電膜の金属ドーパントの含有量を、1.5質量%以上5質量%以下にするとともに、結晶系半導体基板の裏面側に形成される第2透明導電膜の金属ドーパントの含有量を、第1透明導電膜の金属ドーパントの含有量よりも少なくすることによって、結晶系半導体基板の表面側の抵抗と光吸収とのバランスを最適化しながら、結晶系半導体基板の裏面側における光吸収の増加を抑制することができる。これにより、結晶系半導体基板の表面側における抵抗と光吸収とのバランスを最適化しながら、結晶系半導体基板の裏面側における光吸収損失に起因する出力の低下を抑制することができるので、高いセル特性を実現することができる。
【0009】
上記一の局面による光起電力装置において、好ましくは、第2透明導電膜の金属ドーパントの含有量は、0.5質量%以上3質量%以下である。このように構成すれば、容易に、結晶系半導体基板の裏面側における光吸収損失に起因する出力の低下を抑制することができる。
【0010】
上記一の局面による光起電力装置において、好ましくは、第1透明導電膜および第2透明導電膜は、ITO膜を含み、金属ドーパントは、Snドーパントを含む。このように構成すれば、第1透明導電膜および第2透明導電膜を構成するITO膜に対するSnドーパントの含有量を上記のように設定することにより、容易に、結晶系半導体基板の表面側(光入射側)における抵抗と光吸収とのバランスを最適化しながら、結晶系半導体基板の裏面側における光吸収損失に起因する出力の低下を抑制することができる。
【0011】
上記一の局面による光起電力装置において、好ましくは、第1透明導電膜および第2透明導電膜は、ZnO膜を含み、金属ドーパントは、AlドーパントおよびGaドーパントのいずれか一方を含む。このように構成すれば、第1透明導電膜および第2透明導電膜を構成するZnO膜に対するAlドーパントおよびGaドーパントのいずれか一方の含有量を上記のように設定することにより、容易に、結晶系半導体基板の表面側(光入射側)における抵抗と光吸収とのバランスを最適化しながら、結晶系半導体基板の裏面側における光吸収損失に起因する出力の低下を抑制することができる。
【0012】
上記一の局面による光起電力装置において、好ましくは、非晶質半導体膜は、結晶系半導体基板上に形成された実質的に真性な第1非晶質半導体膜と、第1非晶質半導体膜上に形成された第2導電型の第2非晶質半導体膜とを含み、結晶系半導体基板の裏面と第2透明導電膜との間に形成された実質的に真性な第3非晶質半導体膜と、第3非晶質半導体膜の裏面上に形成された第1導電型の第4非晶質半導体膜とをさらに備える。このように構成すれば、高いセル特性を有する両面HIT構造の光起電力装置を実現することができる。
【0013】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
【0014】
図1は、本発明の一実施形態による両面HIT構造を有する光起電力装置の構造を示した断面図である。まず、図1を参照して、本実施形態による光起電力装置の構造について説明する。
【0015】
本実施形態による光起電力装置では、図1に示すように、約1Ω・cmの抵抗率および約300μmの厚みを有するとともに、(100)面を表面とするn型単結晶シリコン基板1の表面上に、約5nmの厚みを有する実質的に真性なノンドープ非晶質シリコン膜2、約5nmの厚みを有するp型非晶質シリコン膜3、約100nmの厚みを有するITO(酸化インジウム錫)膜からなる透明導電膜4、および、数十μmの厚みを有する銀からなる金属電極5が順次形成されている。なお、n型単結晶シリコン基板1は、本発明の「結晶系半導体基板」の一例である。また、ノンドープ非晶質シリコン膜2は、本発明の「非晶質半導体膜」および「第1非晶質半導体膜」の一例であり、p型非晶質シリコン膜3は、本発明の「非晶質半導体膜」および「第2非晶質半導体膜」の一例である。また、透明導電膜4は、本発明の「第1透明導電膜」および「ITO膜」の一例である。
【0016】
また、n型単結晶シリコン基板1の裏面上には、n型単結晶シリコン基板1に近い方から順に、約5nmの厚みを有する実質的に真性なノンドープ非晶質シリコン膜12、約5nmの厚みを有するn型非晶質シリコン膜13、約100nmの厚みを有するITO膜からなる透明導電膜14、および、数十μmの厚みを有する銀からなる金属電極15が形成されている。そして、ノンドープ非晶質シリコン膜12、n型非晶質シリコン膜13および透明導電膜14によって、いわゆるBSF構造が構成される。なお、ノンドープ非晶質シリコン膜12は、本発明の「第3非晶質半導体膜」の一例であり、n型非晶質シリコン膜13は、本発明の「第4非晶質半導体膜」の一例である。また、透明導電膜14は、本発明の「第2透明導電膜」および「ITO膜」の一例である。
【0017】
ここで、本実施形態では、n型単結晶シリコン基板1の表面側に形成された透明導電膜4のSn(錫)ドーパントの含有量は、約1.5wt%(質量%)以上約5wt%以下(たとえば、約3wt%)に設定されているとともに、n型単結晶シリコン基板1の裏面側に形成された透明導電膜14のSnドーパントの含有量は、表面側の透明導電膜4のSnドーパントの含有量よりも少なく、かつ、約0.5wt%以上約3wt%以下(たとえば、約1wt%)に設定されている。なお、裏面側の透明導電膜14のSnドーパントの含有量を少なくすることにより、裏面側の透明導電膜14の抵抗が高くなる。しかし、n型単結晶シリコン基板1の裏面側は、n型単結晶シリコン基板1と同じn型領域であるため、n型単結晶シリコン基板1の表面側と異なり、n型単結晶シリコン基板1自体がキャリアを集電するための領域として機能する。このため、裏面側の透明導電膜14のSnドーパントの含有量を少なくした場合に、裏面側の透明導電膜14の抵抗が高くなることにより、裏面側の透明導電膜14においてキャリアの移動度が低下したとしても、n型単結晶シリコン基板1でキャリアが集電されるので、光起電力装置の集電特性の劣化が抑制される。したがって、裏面側の透明導電膜14のSnドーパントの含有量を少なくしたとしても問題はない。
【0018】
図2〜図4は、図1に示した一実施形態による光起電力装置の製造プロセスを説明するための断面図である。次に、図1〜図4を参照して、本実施形態による光起電力装置の製造プロセスについて説明する。
【0019】
まず、図2に示すように、約1Ω・cmの抵抗率および約300μmの厚みを有するとともに、(100)面を表面とするn型単結晶シリコン基板1を洗浄することによって、n型単結晶シリコン基板1の表面に付着した不純物を除去する。
【0020】
次に、図3に示すように、高周波プラズマCVD法を用いて、n型単結晶シリコン基板1の表面上に、約5nmの厚みを有する実質的に真性なノンドープ非晶質シリコン膜2、および、約5nmの厚みを有するp型非晶質シリコン膜3を順次形成する。このノンドープ非晶質シリコン膜2およびp型非晶質シリコン膜3の形成条件は、形成温度:約100℃〜約250℃、反応圧力:約26.6Pa〜約79.8Pa、高周波電力:約10W〜約100W、および、周波数:約13.56MHzである。
【0021】
この後、上記したノンドープ非晶質シリコン膜2およびp型非晶質シリコン膜3の形成プロセスと同様のプロセスを用いて、n型単結晶シリコン基板1の裏面上に、n型単結晶シリコン基板1に近い方から順に、約5nmの厚みを有する実質的に真性なノンドープ非晶質シリコン膜12、および、約5nmの厚みを有するn型非晶質シリコン膜13を形成する。
【0022】
次に、図4に示すように、マグネトロンスパッタリング法を用いて、表面側のp型非晶質シリコン膜3上に、約100nmの厚みを有するITO(酸化インジウム錫)膜からなる透明導電膜4を形成する。この表面側の透明導電膜4の形成条件は、形成温度:約250℃、Ar(アルゴン)ガス流量:約200sccm、O2(酸素)ガス流量:約50sccm、電力:約0.5kW〜約3kWである。また、ターゲット(図示せず)としては、表面側の透明導電膜4のSn(錫)ドーパントの含有量が、約1.5wt%以上約5wt%以下(たとえば、約3wt%)になるようにSnドーパントの含有量が制御されたITOからなるターゲットを用いる。
【0023】
この後、上記した表面側の透明導電膜4の形成プロセスと同様のプロセスを用いて、裏面側のn型非晶質シリコン膜13上に、約100nmの厚みを有するITO膜からなる透明導電膜14を形成する。この際、本実施形態では、ターゲットとして、裏面側の透明導電膜14のSnドーパントの含有量が、表面側の透明導電膜4のSnドーパントの含有量よりも少なく、かつ、約0.5wt%以上約3wt%以下(たとえば、約1wt%)になるようにSnドーパントの含有量が制御されたITOからなるターゲット(図示せず)を用いる。
【0024】
最後に、図1に示したように、スクリーン印刷法を用いて、透明導電膜4および14上の所定領域に、それぞれ、数十μmの厚みを有する銀からなる金属電極5および15を形成する。これにより、本実施形態による光起電力装置が形成される。
【0025】
本実施形態では、上記のように、n型単結晶シリコン基板1の表面側(光入射側)に形成される透明導電膜4のSnドーパントの含有量を、約1.5wt%以上約5wt%以下(たとえば、約3wt%)にするとともに、n型単結晶シリコン基板1の裏面側に形成される透明導電膜14のSnドーパントの含有量を、表面側の透明導電膜4のSnドーパントの含有量よりも少なく、かつ、約0.5wt%以上約3wt%以下(たとえば、約1wt%)にすることによって、n型単結晶シリコン基板1の表面側の抵抗と光吸収とのバランスを最適化しながら、n型単結晶シリコン基板1の裏面側における光吸収の増加を抑制することができる。これにより、n型単結晶シリコン基板1の表面側における抵抗と光吸収とのバランスを最適化しながら、n型単結晶シリコン基板1の裏面側における光吸収損失に起因する出力の低下を抑制することができるので、高いセル特性を実現することができる。
【0026】
次に、上記した本実施形態による効果を確認するために、表面側の透明導電膜のSnドーパントの含有量および裏面側の透明導電膜のSnドーパントの含有量をそれぞれ変化させた場合の光起電力装置の出力改善率を測定した結果について説明する。ここで、出力改善率とは、表面側の透明導電膜のSnドーパントの含有量および裏面側の透明導電膜のSnドーパントの含有量がそれぞれ約10wt%に設定された光起電力装置のセル出力との比率である。
【0027】
図5は、表面側の透明導電膜のSnドーパントの含有量を変化させた場合の光起電力装置の出力改善率を示したグラフであり、図6は、裏面側の透明導電膜のSnドーパントの含有量を変化させた場合の光起電力装置の出力改善率を示したグラフである。なお、表面側の透明導電膜のSnドーパントの含有量を変化させた場合(図5)は、裏面側の透明導電膜のSnドーパントの含有量を約10wt%に設定し、裏面側の透明導電膜のSnドーパントの含有量を変化させた場合(図6)は、表面側の透明導電膜のSnドーパントの含有量を約10wt%に設定した。また、透明導電膜のSnドーパントの含有量は、上記した透明導電膜4および14の形成プロセスにおいて、ターゲットとしてのITOのSnドーパントの含有量を制御することにより制御した。また、透明導電膜のSnドーパントの含有量は、SIMS(Secondary Ion Mass Spectrometer:2次イオン質量分析法)を用いて測定した。
【0028】
図5を参照して、表面側の透明導電膜のSnドーパントの含有量が約1.5wt%以上約5wt%以下の範囲では、出力改善率が約2%以上向上するとともに、最大で約2.5%向上する(Snドーパントの含有量が約3wt%の場合)ことが判明した。これは、表面側の透明導電膜のSnドーパントの含有量が約1.5wt%以上約5wt%以下の範囲では、n型単結晶シリコン基板の表面側の抵抗と光吸収とのバランスが最適化されるためであると考えられる。また、図6を参照して、裏面側の透明導電膜のSnドーパントの含有量が約0.5wt%以上約3wt%以下の範囲では、出力改善率が約0.5%以上向上するとともに、最大で約1%向上する(Snドーパントの含有量が約1wt%の場合)ことが判明した。これは、裏面側の透明導電膜のSnドーパントの含有量が約0.5wt%以上約3wt%以下の範囲では、n型単結晶シリコン基板の裏面側において、金属電極により反射された光の吸収が抑制されるためであると考えられる。
【0029】
また、表面側の透明導電膜のSnドーパントの含有量および裏面側の透明導電膜のSnドーパントの含有量が、それぞれ、約3wt%および約1wt%に設定された光起電力装置の出力改善率を測定した結果、出力改善率が約3.5%向上することが判明した。これは、上記のSnドーパントの含有量の場合、n型単結晶シリコン基板の表面側の抵抗と光吸収とのバランスが最適化され、かつ、n型単結晶シリコン基板の裏面側において、金属電極により反射された光の吸収が抑制されるためであると考えられる。
【0030】
上記した結果より、n型単結晶シリコン基板の表面側に形成される透明導電膜のSnドーパントの含有量を、約3wt%(約1.5wt%以上約5wt%以下)にするとともに、n型単結晶シリコン基板の裏面側に形成される透明導電膜のSnドーパントの含有量を、約1wt%(約0.5wt%以上約3wt%以下)にすることによって、n型単結晶シリコン基板の表面側における抵抗と光吸収とのバランスを最適化しながら、n型単結晶シリコン基板の裏面側における光吸収損失に起因する出力の低下を抑制することができることが確認された。
【0031】
なお、今回開示された実施形態は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施形態の説明ではなく特許請求の範囲によって示され、さらに特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれる。
【0032】
たとえば、上記実施形態では、ITO膜からなる透明導電膜4および14を用いた場合について説明したが、本発明はこれに限らず、ZnO膜からなる透明導電膜を用いるようにしてもよい。この場合、本願発明者が実験により確認したところ、ZnO膜からなる透明導電膜に対してAlをドーパントとして用いるとともに、表面側のZnO膜からなる透明導電膜のAlドーパントの含有量および裏面側のZnO膜からなる透明導電膜のAlドーパントの含有量を、それぞれ、約3wt%および約1wt%に設定することによって、光起電力装置の出力改善率を約2.5%向上させることができた。また、ZnO膜からなる透明導電膜を用いる場合、Gaをドーパントとして用いるとともに、表面側のZnO膜からなる透明導電膜のGaドーパントの含有量および裏面側のZnO膜からなる透明導電膜のGaドーパントの含有量を、それぞれ、約3wt%および約1wt%に設定することによっても、光起電力装置の出力改善率を約2.5%向上させることができた。なお、透明導電膜としてZnO膜を用いる場合のAlドーパントまたはGaドーパントの含有量としては、表面側の透明導電膜については、約1.5wt%以上約5wt%以下の範囲であることが好ましく、裏面側の透明導電膜については、表面側の透明導電膜よりも含有量が少なく、かつ、約0.5wt%以上約3wt%以下の範囲であることが好ましい。
【0033】
また、上記実施形態では、n型単結晶シリコン基板1とp型非晶質シリコン膜3との間、および、n型単結晶シリコン基板1とn型非晶質シリコン膜13との間に、それぞれ、実質的に真性なノンドープ非晶質シリコン膜2および12を形成したHIT構造に本発明を適用した場合について説明したが、本発明はこれに限らず、導電性を有する単結晶シリコン基板と導電性を有する非晶質シリコン膜との間に、実質的に真性なノンドープ非晶質シリコン膜を形成しない構造の光起電力装置にも適用可能である。
【0034】
また、上記実施形態では、n型単結晶シリコン基板1の裏面上に実質的に真性なノンドープ非晶質シリコン膜12およびn型非晶質シリコン膜13が形成されたBSF構造を有する光起電力装置の透明導電膜に本発明を適用する例を示したが、本発明はこれに限らず、BSF構造を有しない光起電力装置の透明導電膜にも適用可能である。
【0035】
また、上記実施形態では、結晶系半導体基板の表面上および裏面上に形成される非晶質半導体膜の一例として、非晶質シリコン膜を用いた場合について説明したが、本発明はこれに限らず、非晶質シリコン膜に代えて、非晶質SiC膜、非晶質SiGe膜、非晶質SiOX膜および非晶質SiN膜などのシリコン系半導体材料からなる非晶質半導体膜を用いてもよい。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態による両面HIT構造を有する光起電力装置の構造を示した断面図である。
【図2】図1に示した一実施形態による光起電力装置の製造プロセスを説明するための断面図である。
【図3】図1に示した一実施形態による光起電力装置の製造プロセスを説明するための断面図である。
【図4】図1に示した一実施形態による光起電力装置の製造プロセスを説明するための断面図である。
【図5】表面側の透明導電膜のSnドーパントの含有量を変化させた場合の光起電力装置の出力改善率を示したグラフである。
【図6】裏面側の透明導電膜のSnドーパントの含有量を変化させた場合の光起電力装置の出力改善率を示したグラフである。
【符号の説明】
1 n型単結晶シリコン基板(結晶系半導体基板)
2 ノンドープ非晶質シリコン膜(非晶質半導体膜、第1非晶質半導体膜)
3 p型非晶質シリコン膜(非晶質半導体膜、第2非晶質半導体膜)
4 透明導電膜(第1透明導電膜、ITO膜)
12 ノンドープ非晶質シリコン膜(第3非晶質半導体膜)
13 n型非晶質シリコン膜(第4非晶質半導体膜)
14 透明導電膜(第2透明導電膜、ITO膜)
Claims (5)
- 表面および裏面を有し、前記表面側から光が入射される第1導電型の結晶系半導体基板と、
前記結晶系半導体基板の表面上に形成された非晶質半導体膜と、
前記非晶質半導体膜上に形成され、1.5質量%以上5質量%以下の金属ドーパントが含有されている第1透明導電膜と、
前記結晶系半導体基板の裏面上に形成され、前記第1透明導電膜の金属ドーパントの含有量よりも少ない金属ドーパントが含有されている第2透明導電膜とを備えた、光起電力装置。 - 前記第2透明導電膜の金属ドーパントの含有量は、0.5質量%以上3質量%以下である、請求項1に記載の光起電力装置。
- 前記第1透明導電膜および前記第2透明導電膜は、ITO膜を含み、
前記金属ドーパントは、Snドーパントを含む、請求項1または2に記載の光起電力装置。 - 前記第1透明導電膜および前記第2透明導電膜は、ZnO膜を含み、
前記金属ドーパントは、AlドーパントおよびGaドーパントのいずれか一方を含む、請求項1または2に記載の光起電力装置。 - 前記非晶質半導体膜は、
前記結晶系半導体基板上に形成された実質的に真性な第1非晶質半導体膜と、
前記第1非晶質半導体膜上に形成された第2導電型の第2非晶質半導体膜とを含み、
前記結晶系半導体基板の裏面と前記第2透明導電膜との間に形成された実質的に真性な第3非晶質半導体膜と、
前記第3非晶質半導体膜の裏面上に形成された第1導電型の第4非晶質半導体膜とをさらに備える、請求項1〜4のいずれか1項に記載の光起電力装置。
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