JP2004220591A5 - - Google Patents

Claims (19)

1. 第１の基板と、
   前記第１の基板上に接着剤を介して設けられた酸化物膜と、
   前記酸化物膜上に設けられた表示装置及び多結晶半導体膜を用いた半導体素子を有する薄膜集積回路と、
   前記表示装置及び前記薄膜集積回路上に設けられた第２の基板と、を有し、
   前記表示装置は、前記薄膜集積回路に接続され、
   前記薄膜集積回路及び前記表示装置は、前記第１の基板及び前記第２の基板の間に樹脂で封止されており、
   前記第１の基板及び前記第２の基板はプラスチック基板であることを特徴とする記録媒体。
2. 第１の基板と、
   前記第１の基板上に接着剤を介して設けられた酸化物膜と、
   前記酸化物膜上に設けられたアンテナ、表示装置、及び多結晶半導体膜を用いた半導体素子を有する薄膜集積回路と、
   前記アンテナ、前記表示装置、及び前記薄膜集積回路上に設けられた第２の基板と、を有し、
   前記表示装置は、前記薄膜集積回路に接続され、
   前記薄膜集積回路は、前記アンテナに接続され、
   前記薄膜集積回路及び前記表示装置は、前記第１の基板及び前記第２の基板の間に樹脂で封止されており、
   前記第１の基板及び前記第２の基板はプラスチック基板であることを特徴とする記録媒体。
3. 請求項２において、
   前記記録媒体は、データの送受信を前記アンテナの電磁誘導を用いて非接触で行うことを特徴とする記録媒体。
4. 請求項１乃至請求項３のいずれか１項において、
   前記表示装置は、パッシブマトリクス型であることを特徴とする記録媒体。
5. 第１の基板と、
   前記第１の基板上に接着剤を介して設けられた酸化物膜と、
   前記酸化物膜上に設けられ、多結晶半導体膜を用いた半導体素子を有する表示装置及び薄膜集積回路と、
   前記表示装置及び前記薄膜集積回路上に設けられた第２の基板と、を有し、
   前記表示装置は、前記薄膜集積回路に接続され、
   前記薄膜集積回路及び前記表示装置は、前記第１の基板及び前記第２の基板の間に樹脂で封止されており、
   前記第１の基板及び前記第２の基板はプラスチック基板であることを特徴とする記録媒体。
6. 第１の基板と、
   前記第１の基板上に接着剤を介して設けられた酸化物膜と、
   前記酸化物膜上に設けられたアンテナ、並びに多結晶半導体膜を用いた半導体素子を有する表示装置及び薄膜集積回路と、
   前記アンテナ、前記表示装置、及び前記薄膜集積回路上に設けられた第２の基板と、を有し、
   前記表示装置は、前記薄膜集積回路に接続され、
   前記薄膜集積回路は、前記アンテナに接続され、
   前記薄膜集積回路及び前記表示装置は、前記第１の基板及び前記第２の基板の間に樹脂で封止されており、
   前記第１の基板及び前記第２の基板はプラスチック基板であることを特徴とする記録媒体。
7. 請求項６において、
   前記記録媒体は、データの送受信を前記アンテナの電磁誘導を用いて非接触で行うことを特徴とする記録媒体。
8. 請求項５乃至請求項７のいずれか１項において、
   前記表示装置は、アクティブマトリクス型であることを特徴とする記録媒体。
9. 請求項１乃至請求項８のいずれか１項において、
   前記表示装置は、液晶表示装置または発光装置であることを特徴とする記録媒体。
10. 請求項１乃至請求項９のいずれか１項において、
    前記記録媒体には、太陽電池が設けられていることを特徴とする記録媒体。
11. 請求項１乃至請求項１０のいずれか１項において、
    前記薄膜集積回路の厚さは、１μｍ以上５μｍ以下であることを特徴とする記録媒体。
12. 請求項１乃至請求項１１のいずれか１項において、
    前記記録媒体の厚さは、０．０５ｍｍ以上１．５ｍｍ以下であることを特徴とする記録媒体。
13. 請求項１乃至請求項１２のいずれか１項において、
    前記記録媒体は、カードであることを特徴とする記録媒体。
14. 請求項１乃至請求項１３のいずれか１項において、
    前記記録媒体は、ＩＤカードであることを特徴とする記録媒体。
15. 請求項１乃至請求項１４のいずれか１項において、
    前記記録媒体は、セミハードカードであることを特徴とする記録媒体。
16. 請求項１乃至請求項１５のいずれか１項において、
    前記記録媒体は、端末装置において行われた取引の日時、及び預金残高の情報のいずれかまたは全部を前記薄膜集積回路において記録し、記録された前記取引の日時、及び前記預金残高の情報のいずれかまたは全部を前記表示装置において表示することを特徴とする記録媒体。
17. 第１の基板上に金属膜、当該金属膜上に酸化物膜を形成し、
    前記酸化物膜上に多結晶半導体膜を形成し、
    前記多結晶半導体膜を用いて、薄膜集積回路及び表示装置を形成し、
    前記薄膜集積回路及び前記表示装置を第１の樹脂で覆い、当該第１の樹脂上に第２の基板を貼り合わせ、
    前記金属膜と前記酸化物膜とを剥離し、
    前記酸化物膜の前記金属膜が剥離された部分に接着剤を介して第１のプラスチック基板を貼り合わせ、
    前記第１の樹脂と第２の基板を剥離し、
    前記第１の樹脂を除去し、
    前記第１のプラスチック基板上の薄膜集積回路及び前記表示装置を第２の樹脂で覆い、
    前記第２の樹脂上に第２のプラスチック基板を貼り合わせることを特徴とする記録媒体の作製方法。
18. 第１の基板上に金属膜、当該金属膜上に酸化物膜を形成し、
    前記酸化物膜上に多結晶半導体膜を形成し、
    前記多結晶半導体膜を用いて、薄膜集積回路及び表示装置を形成し、
    前記薄膜集積回路上に導電膜を形成し、
    前記導電膜を用いてアンテナを形成し、
    前記アンテナ、前記薄膜集積回路、及び前記表示装置を第１の樹脂で覆い、当該第１の樹脂上に第２の基板を貼り合わせ、
    前記金属膜と前記酸化物膜とを剥離し、
    前記酸化物膜の前記金属膜が剥離された部分に接着剤を介して第１のプラスチック基板を貼り合わせ、
    前記第１の樹脂と第２の基板を剥離し、
    前記第１の樹脂を除去し、
    前記第１のプラスチック基板上の薄膜集積回路及び前記表示装置を第２の樹脂で覆い、
    前記第２の樹脂上に第２のプラスチック基板を貼り合わせることを特徴とする記録媒体の作製方法。
19. 請求項１７または請求項１８において、
    前記多結晶半導体膜は、膜厚が２５ｎｍ以上１００ｎｍ以下の半導体膜を熱処理することにより形成されることを特徴とする記録媒体の作製方法。