JP2004214577A - マイクロ波集積回路実装ケース - Google Patents
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Abstract
【課題】従来のマイクロ波集積回路の実装ケースでは、回路規模が大きくなったり周波数が高くなった場合に実装ケースだけではカットオフ構造が取れない場合に上蓋となる金属カバー全面に電波吸収体または抵抗体を取付けて電気特性を安定化させていたが、大面積の電波吸収体または抵抗体を取付けるには、割れ、欠け、脱落等が発生するという課題があった。
【解決手段】空胴共振によって使用周波数帯域内に発生する空間中の定在波の山となる略位置の金属カバー５の当該部に、部分的に電波吸収体８または抵抗体８を取付ける構造とした。
【選択図】 図３
【解決手段】空胴共振によって使用周波数帯域内に発生する空間中の定在波の山となる略位置の金属カバー５の当該部に、部分的に電波吸収体８または抵抗体８を取付ける構造とした。
【選択図】 図３
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、高集積化されたマイクロ波集積回路を実装するパッケージや筐体などの実装ケースに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
マイクロ波集積回路を収納する金属製の実装ケースは、その内部寸法や内部に収納したマイクロ波集積回路等により、マイクロ波の一部がケース内空間を伝搬する導波管伝送モード及び共振モードが存在する。この導波管伝送モードにより出力端子から入力端子への信号の帰還により特性が劣化したり、共振モードにより共振周波数近傍の電気特性が不安定となるため、一般には使用周波数帯域で充分な電気特性が得られるように実装ケースの内側寸法を小さくすることが行われるが、内部に実装する回路規模が大きくなることにより実装ケースが大きくなると、導波管伝送モードや共振モードを防止することが困難となる。このような場合に電気特性の劣化を防ぐため、金属カバーの内側全面に所望する周波数帯で電磁波減衰特性のある電波吸収体や、抵抗体を取付けた従来技術が知られている。（例えば、特許文献１参照）
【０００３】
【特許文献１】
特開平５−３３５４７７号公報（２頁、第１図）
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
従来のマイクロ波集積回路の実装ケースは、以上のように構成されているため、内部に収納するマイクロ波集積回路等の回路規模が大きくなると、大面積の電波吸収体や抵抗体を貼りつけるため、それらの割れ、欠け及び脱落等が発生するといった課題があった。
【０００５】
この発明は、上記のような課題を解決するためになされたもので、簡単な形状で、電波吸収体または抵抗体の割れ、欠け及び脱落等を防止でき、かつ、効率的にマイクロ波集積回路の電気特性を安定化させることができるマイクロ波集積回路実装ケースを供給することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
この発明に係るマイクロ波集積回路実装ケースは、金属カバー内面に複数の小面積の電波吸収体または抵抗体を取付けることにより、導波管伝送モードで空間を伝送するマイクロ波信号を減衰させると共に、共振周波数においてはさらに効果的に減衰できる位置に電波吸収体または抵抗体を取付けることにより電気特性を安定化させるものである。
【０００７】
また、この発明に係るマイクロ波集積回路の実装ケースは、金属フレーム内側の側面周囲に電波吸収体または抵抗体を取付けることにより導波管伝送モードで空間を伝搬し、金属フレームの側面内側で反射して生じる共振を緩和することにより電気特性を安定化させるものである。
【０００８】
【発明の実施の形態】
実施の形態１．
図１は、この発明の実施の形態１を示すマイクロ波集積回路実装ケースの上面図であり、図２は、図１の断面Ａ−Ａ’を示す図であり、図３は、電波吸収体または抵抗体の取付例を示す図である。図１において、マイクロ波集積回路１は、金属プレート２と、金属プレート２上に設けられた入力フィードスルー３ａ、出力フィードスルー３ｂ及び金属フレーム４と、金属フレーム４上に接合された金属カバー５とからなる金属製の実装ケースに実装される。高周波信号は、入力フィードスルー３ａから金属ワイヤ６ａを通してマイクロ波集積回路１上に設けられた入力パッド７ａに入力される。マイクロ波集積回路１の出力信号は出力パッド７ｂから出力され、金属ワイヤ６ｂ、出力フィードスルー３ｂを通り外部に出力される。また、金属カバー５の内側面には図３に示すように小面積の電波吸収体または抵抗体８が取付けられる。
【０００９】
次に動作について、図４、図５を用いて説明する。図４は、実装ケース内の電界分布を示す図であり、図５は、図４の断面Ｂ−Ｂ’の電界分布を示す図である。実装ケースは、金属プレート２と、フィードスルー３ａ及び３ｂと、金属フレーム４と、金属カバー５で閉じられた空胴共振器となる。ここで、例えば、空胴共振器内の実効誘電率がεｅｆｆ、金属フレーム４の内寸をそれぞれａ、ｂ、金属プレート２から金属カバー５までの高さをｃとしたときのＴＥ（ｌｍｎ）共振モードの共振周波数ｆｃは式（１）で表わされる。
【００１０】
【数１】
【００１１】
式１において、例えば、ｌ＝３、ｍ＝３、ｎ＝０の場合は、ＴＥ（３３０）が共振モードとなる。このとき、空胴共振器内の電界は、電界強度の輪郭線９及び電界分布１０で示すようになる。なお、電界強度の輪郭線９は、中心ほど電界強度が強いことを表わす。この場合、電界強度が高い場所は９箇所存在する。電波吸収体または抵抗体８は、図３に示すように、金属カバー５の電界強度が最も強い位置に取付けることにより、金属カバー全面に電波吸収体または抵抗体を取付けなくても、効果的に共振したマイクロ波を吸収し、共振を緩和することにより、電気特性を安定化させることができる。なお、図では円形であるが、三角形や四角形等の多角形など、他の形状でも同様な効果が得られることは論を待たない。
【００１２】
実施の形態２．
図６は、この発明の実施の形態２を示すマイクロ波集積回路実装ケースの上面図であり、図７は、図６の断面Ｃ−Ｃ’を示す図である。図において、金属フレーム４の内側側面には電波吸収体または抵抗体８が取付けられる。
【００１３】
次に動作について説明する。金属プレート２と、フィードスルー３ａ及び３ｂと、金属フレーム４と、金属カバー５で閉じられた空間は空胴共振器となるが、金属フレーム４の内側に電波吸収体または抵抗体８を取付けることにより、金属で反射されるマイクロ波が減衰し、多重反射により空間に生じる定在波の大きさが小さくなり、共振器としてのＱを下げることができるため、電気特性を安定化させることができる。
【００１４】
【発明の効果】
この発明によれば、導波管伝送モードで空間を伝搬するマイクロ波信号、及び空胴共振する周波数帯でのマイクロ波信号を効果的に減衰させることにより、電気特性を安定化させることができる。また、電波吸収体または抵抗体が大きくなることによる割れ、欠け及び脱落等を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の実施の形態１を示すマイクロ波集積回路の実装上面図を示す。
【図２】この発明の実施の形態１を示すマイクロ波集積回路の実装断面図を示す。
【図３】この発明の実施の形態１の電波吸収体または抵抗体の取付例の図を示す。
【図４】この発明の実施の形態１空胴共振の電界強度を示す上面図を示す。
【図５】この発明の実施の形態１空洞共振の電界分布を示す断面図を示す。
【図６】この発明の実施の形態２を示すマイクロ波集積回路の実装上面図を示す。
【図７】この発明の実施の形態２を示すマイクロ波集積回路の実装断面図を示す。
【符号の説明】
１ マイクロ波集積回路、２ 金属フレーム、３ａ、３ｂ 入力及び出力フィードスルー、４ 金属フレーム、５ 金属カバー、６ａ、６ｂ 金属ワイヤ、７ａ、７ｂ 入力及び出力パッド、８ 電波吸収体または抵抗体、９ 電界強度の輪郭線、１０ 電界分布。
【発明の属する技術分野】
この発明は、高集積化されたマイクロ波集積回路を実装するパッケージや筐体などの実装ケースに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
マイクロ波集積回路を収納する金属製の実装ケースは、その内部寸法や内部に収納したマイクロ波集積回路等により、マイクロ波の一部がケース内空間を伝搬する導波管伝送モード及び共振モードが存在する。この導波管伝送モードにより出力端子から入力端子への信号の帰還により特性が劣化したり、共振モードにより共振周波数近傍の電気特性が不安定となるため、一般には使用周波数帯域で充分な電気特性が得られるように実装ケースの内側寸法を小さくすることが行われるが、内部に実装する回路規模が大きくなることにより実装ケースが大きくなると、導波管伝送モードや共振モードを防止することが困難となる。このような場合に電気特性の劣化を防ぐため、金属カバーの内側全面に所望する周波数帯で電磁波減衰特性のある電波吸収体や、抵抗体を取付けた従来技術が知られている。（例えば、特許文献１参照）
【０００３】
【特許文献１】
特開平５−３３５４７７号公報（２頁、第１図）
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
従来のマイクロ波集積回路の実装ケースは、以上のように構成されているため、内部に収納するマイクロ波集積回路等の回路規模が大きくなると、大面積の電波吸収体や抵抗体を貼りつけるため、それらの割れ、欠け及び脱落等が発生するといった課題があった。
【０００５】
この発明は、上記のような課題を解決するためになされたもので、簡単な形状で、電波吸収体または抵抗体の割れ、欠け及び脱落等を防止でき、かつ、効率的にマイクロ波集積回路の電気特性を安定化させることができるマイクロ波集積回路実装ケースを供給することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
この発明に係るマイクロ波集積回路実装ケースは、金属カバー内面に複数の小面積の電波吸収体または抵抗体を取付けることにより、導波管伝送モードで空間を伝送するマイクロ波信号を減衰させると共に、共振周波数においてはさらに効果的に減衰できる位置に電波吸収体または抵抗体を取付けることにより電気特性を安定化させるものである。
【０００７】
また、この発明に係るマイクロ波集積回路の実装ケースは、金属フレーム内側の側面周囲に電波吸収体または抵抗体を取付けることにより導波管伝送モードで空間を伝搬し、金属フレームの側面内側で反射して生じる共振を緩和することにより電気特性を安定化させるものである。
【０００８】
【発明の実施の形態】
実施の形態１．
図１は、この発明の実施の形態１を示すマイクロ波集積回路実装ケースの上面図であり、図２は、図１の断面Ａ−Ａ’を示す図であり、図３は、電波吸収体または抵抗体の取付例を示す図である。図１において、マイクロ波集積回路１は、金属プレート２と、金属プレート２上に設けられた入力フィードスルー３ａ、出力フィードスルー３ｂ及び金属フレーム４と、金属フレーム４上に接合された金属カバー５とからなる金属製の実装ケースに実装される。高周波信号は、入力フィードスルー３ａから金属ワイヤ６ａを通してマイクロ波集積回路１上に設けられた入力パッド７ａに入力される。マイクロ波集積回路１の出力信号は出力パッド７ｂから出力され、金属ワイヤ６ｂ、出力フィードスルー３ｂを通り外部に出力される。また、金属カバー５の内側面には図３に示すように小面積の電波吸収体または抵抗体８が取付けられる。
【０００９】
次に動作について、図４、図５を用いて説明する。図４は、実装ケース内の電界分布を示す図であり、図５は、図４の断面Ｂ−Ｂ’の電界分布を示す図である。実装ケースは、金属プレート２と、フィードスルー３ａ及び３ｂと、金属フレーム４と、金属カバー５で閉じられた空胴共振器となる。ここで、例えば、空胴共振器内の実効誘電率がεｅｆｆ、金属フレーム４の内寸をそれぞれａ、ｂ、金属プレート２から金属カバー５までの高さをｃとしたときのＴＥ（ｌｍｎ）共振モードの共振周波数ｆｃは式（１）で表わされる。
【００１０】
【数１】
式１において、例えば、ｌ＝３、ｍ＝３、ｎ＝０の場合は、ＴＥ（３３０）が共振モードとなる。このとき、空胴共振器内の電界は、電界強度の輪郭線９及び電界分布１０で示すようになる。なお、電界強度の輪郭線９は、中心ほど電界強度が強いことを表わす。この場合、電界強度が高い場所は９箇所存在する。電波吸収体または抵抗体８は、図３に示すように、金属カバー５の電界強度が最も強い位置に取付けることにより、金属カバー全面に電波吸収体または抵抗体を取付けなくても、効果的に共振したマイクロ波を吸収し、共振を緩和することにより、電気特性を安定化させることができる。なお、図では円形であるが、三角形や四角形等の多角形など、他の形状でも同様な効果が得られることは論を待たない。
【００１２】
実施の形態２．
図６は、この発明の実施の形態２を示すマイクロ波集積回路実装ケースの上面図であり、図７は、図６の断面Ｃ−Ｃ’を示す図である。図において、金属フレーム４の内側側面には電波吸収体または抵抗体８が取付けられる。
【００１３】
次に動作について説明する。金属プレート２と、フィードスルー３ａ及び３ｂと、金属フレーム４と、金属カバー５で閉じられた空間は空胴共振器となるが、金属フレーム４の内側に電波吸収体または抵抗体８を取付けることにより、金属で反射されるマイクロ波が減衰し、多重反射により空間に生じる定在波の大きさが小さくなり、共振器としてのＱを下げることができるため、電気特性を安定化させることができる。
【００１４】
【発明の効果】
この発明によれば、導波管伝送モードで空間を伝搬するマイクロ波信号、及び空胴共振する周波数帯でのマイクロ波信号を効果的に減衰させることにより、電気特性を安定化させることができる。また、電波吸収体または抵抗体が大きくなることによる割れ、欠け及び脱落等を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の実施の形態１を示すマイクロ波集積回路の実装上面図を示す。
【図２】この発明の実施の形態１を示すマイクロ波集積回路の実装断面図を示す。
【図３】この発明の実施の形態１の電波吸収体または抵抗体の取付例の図を示す。
【図４】この発明の実施の形態１空胴共振の電界強度を示す上面図を示す。
【図５】この発明の実施の形態１空洞共振の電界分布を示す断面図を示す。
【図６】この発明の実施の形態２を示すマイクロ波集積回路の実装上面図を示す。
【図７】この発明の実施の形態２を示すマイクロ波集積回路の実装断面図を示す。
【符号の説明】
１ マイクロ波集積回路、２ 金属フレーム、３ａ、３ｂ 入力及び出力フィードスルー、４ 金属フレーム、５ 金属カバー、６ａ、６ｂ 金属ワイヤ、７ａ、７ｂ 入力及び出力パッド、８ 電波吸収体または抵抗体、９ 電界強度の輪郭線、１０ 電界分布。
Claims (2)
- マイクロ波集積回路を実装する金属プレートと、前記金属プレート上に設けられた金属フレームと、前記金属フレームに取付けられた電磁シールドまたは封止のための金属カバーとで構成される実装ケースにおいて、空胴共振によって使用周波数帯域内に発生する空間中の定在波の山となる略位置の金属カバーの当該部に、部分的に電波吸収体または抵抗体を取付けたことを特徴とするマイクロ波集積回路実装ケース。
- マイクロ波集積回路を実装する金属プレートと、前記金属プレート上に設けられた金属フレームと、前記金属フレームに取付けられた電磁シールドまたは封止のための金属カバーとで構成される実装ケースにおいて、この金属フレーム内側の側面周囲に電波吸収体または抵抗体を取付けたことを特徴とするマイクロ波集積回路実装ケース。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003002796A JP2004214577A (ja) | 2003-01-09 | 2003-01-09 | マイクロ波集積回路実装ケース |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003002796A JP2004214577A (ja) | 2003-01-09 | 2003-01-09 | マイクロ波集積回路実装ケース |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2004214577A true JP2004214577A (ja) | 2004-07-29 |
Family
ID=32820430
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003002796A Pending JP2004214577A (ja) | 2003-01-09 | 2003-01-09 | マイクロ波集積回路実装ケース |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2004214577A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006202827A (ja) * | 2005-01-18 | 2006-08-03 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体パッケージ |
| JP2010272700A (ja) * | 2009-05-21 | 2010-12-02 | Mitsubishi Electric Corp | 多層高周波パッケージ基板 |
| JP2011018776A (ja) * | 2009-07-09 | 2011-01-27 | Fuji Xerox Co Ltd | 電子回路を収容する容器及び電子装置 |
| US7888797B2 (en) * | 2005-07-11 | 2011-02-15 | Kabushiki Kaisha Toshiba | High frequency package device with internal space having a resonant frequency offset from frequency used |
| JP2016050998A (ja) * | 2014-08-29 | 2016-04-11 | 住友大阪セメント株式会社 | 光変調器、及び光スイッチ |
| JP2016050999A (ja) * | 2014-08-29 | 2016-04-11 | 住友大阪セメント株式会社 | 光変調器、及び光スイッチ |
| CN109887904A (zh) * | 2019-04-16 | 2019-06-14 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 一种毫米波芯片的封装结构及印刷电路板 |
-
2003
- 2003-01-09 JP JP2003002796A patent/JP2004214577A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006202827A (ja) * | 2005-01-18 | 2006-08-03 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体パッケージ |
| JP4490832B2 (ja) * | 2005-01-18 | 2010-06-30 | 株式会社日立国際電気 | 半導体パッケージ |
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Legal Events
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|
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| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20050830 |