JP2007250939A - Ｉｃチップ実装モジュール、ｉｃチップ実装方法及びｉｃチップ - Google Patents

Abstract

【課題】ＩＣチップの動作に所望の電波を損なうことなく、動作に不要な電波のみを抑圧するＩＣチップ実装モジュール、ＩＣチップを提供する。
【解決手段】空洞を有するモジュール本体１０内の空洞に実装されるＩＣチップに搭載の回路を第１の領域１１と第２の領域１２との二つの回路部に分離し、両者の回路部を接続する信号伝送線路が存在する第３の領域１３を、接地された配線で絶縁体を介して該信号伝送線路を覆う構造とし、第３の領域１３の上方に近接して、電波を吸収する電波吸収体５又は反射する金属板を、前記空洞を２分する状態で配置する。電波吸収体５又は金属板の大きさは、第３の領域１３との間隔及び前記空洞の天井や側壁との間隔を、対象とする電波の波長の（１／４）よりも小さくし、幅は、第３の領域１３よりも狭くする。さらに、第１の領域１１及び／又は第２の領域１２の上方に、電波吸収体７ａ及び／又は電波吸収体７ｂを配置しても良い。
【選択図】図６

Description

本発明は、ＩＣチップ実装モジュール、ＩＣチップ実装方法及びＩＣチップに関し、特に、ＩＣチップをモジュールヘ実装するに当たり、不要なモードの電波（電磁波）を抑圧する技術に関するものであり、ミリ波以上の高周波信号を扱うＭＭＩＣ（Monolithic Microwave ＩＣ）チップ、該ＭＭＩＣチップを実装する実装モジュール、実装方法に特に好適に適用することができる。

ＩＣチップは、使用する際に、入出力端子や電源端子などを有するモジュールに実装される。このモジュールへの実装技術は、極めて小さいＩＣチップの使用の利便性を高めると共に、外来する電波（電磁波）、粉塵などから、ＩＣチップを保護するという目的を有するものであり、必要不可欠である。また、高周波領域で動作するＩＣチップを実装する場合においては、モジュールの設計精度が性能に大きく寄与するため、ＩＣチップの性能を最大限に引き出すという点でも重要な技術となっている。

一般に、モジュールに用いられる材料としては、銅、真鍮などの金属が用いられることが多い。この理由は、金属のモジュールは、電気的に完全なシールド性を得ることが可能であり、かつ、堅牢で加工精度が高いからである。また、ＩＣに多くの電流が流れる場合には、モジュールに対して熱設計も必要となり、熱伝導度が一般的に高い金属は、熱設計の観点からも有利となるからである。

一方、ＩＣチップをモジュールに実装するに当たり、ＩＣチップの入出力間アイソレーションを確保することが重要である。何故ならば、モジュールは、前述のように、外来する電磁波からＩＣチップを保護するが、同時に、モジュール内で放射された不要モードの電磁波を封じ込める役割をも果たしてしまうからである。

以下、図８を用いて不要モードの伝搬の様子について説明する。図８は、モジュールの内の空洞にＩＣチップを実装した様子を示す模式図であり、この例では、モジュール１０の形状として直方体状の空洞内にＩＣチップ１Ａが置かれている。図８の場合において、ＩＣチップ１Ａ内の伝送線路として、チップ基板２上の金属メッキ３，４ａ，４ｂに示すように、コプレーナ線路を用いているものと仮定する。実際のモジュール１０内は、電源端子及びその端子とＩＣチップ１Ａとを繋ぐ電線や、入出力端子及びその端子とＩＣチップ１Ａとを接続する線が存在し、ＩＣチップ１Ａを納める空洞の形状も単純な直方体でない場合が多い。しかし、今回の説明では簡単化のために、モジュール１０内部の詳細な構造は省略している。

図９は、図８に示すような直方体形状のモジュール１０内の電界の発生状況を模式的に示す説明図である。図９（ａ）は、入力端子から金属メッキ３に入力された信号が金属メッキ４ａ，４ｂのコプレーナ線路に入力され、伝搬する際に生じる所望の電波の電界を示しており、チップ基板２上のコプレーナモードの金属メッキ４ａ，４ｂへと向かう必要なモードの電波の電界を示している。一方、図９（ｂ）は、チップ基板２上に施された金属メッキ３，４ａ，４ｂとモジュール１０の空洞天井１０Ａとの間において、ＴＥ１０モードの電波（電磁波）として伝搬する不要モード（すなわち所望の信号の伝搬には不要な電波のモード）の電界を示している。

このＴＥ１０モードの電波は、主に、入力端子とＩＣチップ１Ａとの接続部におけるインピーダンスの不整合による放射によって発生する。また、ＩＣチップ１Ａ内の回路を通過せずに入出力端子間を伝搬するため、入出力間アイソレーションの悪化の主たる要因となっている。入出力間アイソレーションが不十分である場合、ＩＣチップ１Ａの入力部から放射された信号が出力部へ、又は、出力部から放射された信号が入力部へと、それぞれ雑音として寄与してしまうため、特性が劣化する。また、ＩＣチップ１Ａ内に増幅器が存在する場合には、リング発振を生じる場合がある。

対象とする信号のカットオフ周波数を考慮しつつ、このような課題を解決するために、特許文献１の特開２０００−１３８４９５号公報「高周波集積回路パッケージ」では、図１０に示すように、実装したＩＣチップ１Ａ付近に誘電体基板を介して電波吸収体２１を配置することを提案している。図１０は、特許文献１に示す従来の不要モード電磁波抑圧方法を示す模式図である。なお、図１０には、本発明に直接関係しない誘電体基板を省略して示している。

電波吸収体２１を配置する方法によって、不要モードとしているＴＥ１０モードの電波は、図１０（ｂ）に示すように、その電波の電界と電波吸収体２１とが接するため、ＩＣチップ１Ａの入力部、出力部間を伝搬する間に、電波吸収体２１によって吸収される。よって、入出力間アイソレーションを向上させることができる。なお、図１０（ａ）は、図９（ａ）と同様、チップ基板２上のコプレーナモードの金属メッキ４ａ，４ｂ間へと向かう所望のモードの電波の電界を示している。
特開２０００−１３８４９５号公報

しかしながら、前記特許文献１のような方法では、伝送線路に発生する所望のモードを妨げないようにするために、図１０（ａ）に示すように、電波吸収体２１とＩＣチップ１Ａとの距離を十分離して設置せざるを得ない。その結果、ＴＥ１０モードのような不要モードの電波伝搬に必要な電界の分布が広くなるため、単位面積当たりの電界の強さが小さくなり、電波吸収体２１へ吸収される効率が低下する。よって、電波吸収体２１による不要モードの電波の抑圧の程度が不十分であるという問題であった。

本発明は、かかる課題に鑑みてなされたものであり、ＩＣチップの動作に必要な電波を損なうことなく、不要モードの電波を抑圧することが可能なＩＣチップ実装モジュール、ＩＣチップ実装方法及びＩＣチップを提供することに、その目的がある。

本発明は、前述の課題を解決するために、以下のごとき各技術手段から構成されている。

第１の技術手段は、空洞を有するモジュール内にＩＣチップを実装するＩＣチップ実装モジュールにおいて、前記ＩＣチップに搭載する回路を任意に分割した２つの回路部それぞれが、第１の領域と第２の領域とに分離して配置され、前記第１の領域の回路部と前記第２の領域の回路部とを接続する信号伝送線路が存在する領域が、接地された配線で前記信号伝送線路が絶縁体を介して覆われている第３の領域として形成され、該第３の領域が位置する前記空洞内に、電波を吸収する電波吸収体が配置されていることを特徴とする。

第２の技術手段は、前記第１の技術手段に記載のＩＣチップ実装モジュールにおいて、前記第３の領域の上方に配置される前記電波吸収体が、等方的に電波の吸収を行う等方性電波吸収体であることを特徴とする。

第３の技術手段は、前記第１又は第２の技術手段に記載のＩＣチップ実装モジュールにおいて、前記電波吸収体が、前記第３の領域の幅よりも狭い幅であることを特徴とする。

第４の技術手段は、前記第１ないし第３の技術手段のいずれかに記載のＩＣチップ実装モジュールにおいて、前記電波吸収体と前記ＩＣチップとの間隔、及び、前記電波吸収体と前記空洞の天井、側壁との間隔が、吸収する電波の波長の（１／４）よりも小さいことを特徴とする。

第５の技術手段は、前記第１ないし第４の技術手段のいずれかに記載のＩＣチップ実装モジュールにおいて、前記電波吸収体の代わりに、接地された金属板が用いられることを特徴とする。

第６の技術手段は、前記第１ないし第５の技術手段のいずれかに記載のＩＣチップ実装モジュールにおいて、前記電波吸収体又は接地された前記金属板の他に、さらに、前記第１の領域及び／又は前記第２の領域の上方の前記空洞の天井に電波吸収体を配置することを特徴とする。

第７の技術手段は、前記第６の技術手段に記載のＩＣチップ実装モジュールにおいて、前記第３の領域の上方に配置される前記電波吸収体と第１の領域及び／又は前記第２の領域の上方に配置される前記電波吸収体とが一体化されていることを特徴とする。

第８の技術手段は、空洞を有するモジュール内にＩＣチップを実装するＩＣチップ実装方法において、前記ＩＣチップに搭載する回路を任意に分割した２つの回路部それぞれを、第１の領域と第２の領域とに分離して配置し、前記第１の領域の回路部と前記第２の領域の回路部とを接続する信号伝送線路が存在する領域を、接地された配線で前記信号伝送線路が絶縁体を介して覆われている第３の領域として形成し、該第３の領域が位置する前記空洞内に、電波を吸収する電波吸収体を配置していることを特徴とする。

第９の技術手段は、前記第８の技術手段に記載のＩＣチップ実装方法において、前記電波吸収体を、等方的に電波の吸収を行う等方性電波吸収体とすることを特徴とする。

第１０の技術手段は、前記第８又は第９の技術手段に記載のＩＣチップ実装方法において、前記電波吸収体を、前記第３の領域の幅よりも狭い幅とすることを特徴とする。

第１１の技術手段は、前記第８ないし第１０の技術手段のいずれかに記載のＩＣチップ実装方法において、前記電波吸収体と前記ＩＣチップとの間隔、及び、前記電波吸収体と前記空洞の天井、側壁との間隔を、吸収する電波の波長の（１／４）よりも小さくすることを特徴とする。

第１２の技術手段は、前記第８ないし第１１の技術手段のいずれかに記載のＩＣチップ実装方法において、前記電波吸収体の代わりに、接地した金属板を用いることを特徴とする。

第１３の技術手段は、前記第８ないし第１２の技術手段のいずれかに記載のＩＣチップ実装方法において、前記第３の領域の上方に配置される前記電波吸収体又は接地した前記金属板の他に、さらに、前記第１の領域及び／又は前記第２の領域の上方の前記空洞の天井に電波吸収体を配置することを特徴とする。

第１４の技術手段は、前記第１３の技術手段に記載のＩＣチップ実装方法において、前記第３の領域の上方に配置される前記電波吸収体と第１の領域及び／又は前記第２の領域の上方に配置される前記電波吸収体とを一体化することを特徴とする。

第１５の技術手段は、空洞を有するモジュールに実装するＩＣチップであって、当該ＩＣチップに搭載する回路を任意に分割した複数の回路部それぞれが、異なる領域に分離して配置され、異なる領域に配置された前記回路部それぞれを接続する信号伝送線路が存在する領域が、接地された配線で前記信号伝送線路が絶縁体を介して覆われている領域として形成されていることを特徴とする。

第１６の技術手段は、前記第１５の技術手段に記載のＩＣチップにおいて、前記信号伝送線路が、接地面を有するマイクロストリップ線路あるいは接地面を有するコプレーナ線路であることを特徴とする。

本発明のＩＣチップ実装モジュール、ＩＣチップ実装方法及びＩＣチップによれば、モジュール本体の内部空洞にＩＣチップを設置する際に、ＩＣチップの回路を、第１の領域と第２の領域との二つの回路部に分けて配置し、さらに、第１の領域と第２の領域の間に、この二つの領域の回路部を接続する信号伝送線路を有する第３の領域を配置し、該第３の領域として、前記信号伝送線路を絶縁体を介して覆い、かつ、接地された配線を有するＩＣチップとすることにより、さらには、該第３領域の上方に位置する空洞天井に電波吸収体又は金属板をＩＣチップに近接して配置することにより、ＩＣチップの動作に所望の電波を損なうことなく、動作に全く不要な電波のみを確実に抑圧することが可能となる。

この結果、ＩＣチップの伝送損失を増加させずに、入出力間アイソレーションを向上させることが可能となる。而して、ＩＣチップが実装されたＩＣチップ実装モジュールの性能を確実に向上させることができる。

以下に、本発明に係るＩＣチップ実装モジュール、ＩＣチップ実装方法及びＩＣチップの最良の実施形態についてその一例を、図面を参照しながら詳細に説明する。

(本発明の概要)
まず、本発明の概要について説明する。本発明は、モジュールに実装するＩＣチップの回路を、任意の回路が存在する２つの領域に分割し、例えば、信号入力部が存在する第１領域と信号出力部が存在する第２領域との２つの領域に分割し、さらに、第１領域と第２領域との間の回路部を接続する信号伝送線路の領域を、前記第１領域と前記第２領域との間を分断するように介在させ、該信号伝送線路を絶縁体を介して覆う、接地された配線を、上層の配線として形成するＩＣチップとするものである。

さらに、本発明は、モジュールに当該ＩＣチップを実装する際に、第１領域と第２領域との間に介在する信号伝送線路の領域、すなわち、前記第３の領域の真上のみに、電波を吸収する電波吸収体又は金属板を近接して配置するように、あるいは、さらに、前記第１の領域、前記第２の領域の上方にも、電波吸収体を配置するように、実装するものである。

かかるＩＣチップやＩＣチップ実装モジュールの構成のように、上面の配線を接地させて覆った構造の信号伝送線路は、ＩＣチップの表面から外に信号伝送に必要な電界が存在しないので、上面の配線を接地させた信号伝送線路のみで構成された回路領域を第３の領域として恣意的に設け、その第３の領域上に、ＩＣチップと接するように、電波吸収体又は金属体を配置したとしても、ＩＣチップ内の回路の信号伝送を損なうこともなく、さらには、電波吸収体又は金属体で、ＩＣチップとの間や空洞天井、側壁との間の空間を塞ぐ構造となっているため、ＩＣチップ表面と空洞天井や側壁との間で伝搬する不要な電波を抑圧し、もって、ＩＣチップの入出力間のアイソレーションを向上させることを可能としている。

（第１の実施形態）
次に、本発明に係るＩＣチップ実装モジュール、ＩＣチップ実装方法及びＩＣチップの第１の実施形態として、まず、ＩＣチップの具体的な構成例を、図１を用いて説明する。図１は、本発明に係るＩＣチップの第１の実施形態を説明する説明図であり、ＩＣチップを斜め上から見た斜視図として示している。図１に示すように、ＩＣチップ１は、ＩＣチップ表面に配置されている回路が配置されている領域を３つの領域に分離して構成している。

第１の領域１１と第２の領域１２とは、ＩＣチップ１の所定の動作を遂行するために搭載されている任意の回路のうち、任意に分割した２つの回路部がそれぞれ存在している領域であり、例えば、第１の領域１１には、ＩＣチップ１への信号入力部が存在し、第２の領域１２には、ＩＣチップ１からの信号出力部が存在している。また、第３の領域１３は、第１の領域１１に存在する回路部例えば信号入力部と第２の領域１２に存在する回路部例えば信号出力部とを接続する信号伝送線路が配置されており、該第３の領域１３の信号伝送線路を覆っている上層の配線例えば第３の領域１３の最表面の配線は接地されている。

ここで、最表面の配線が設置された第３の領域１３における信号伝送線路の構成例を図２の断面図に示す。図２に示す第３の領域１３の断面図のうち、図２（ａ）は、第３の領域１３の断面構造を示す図であり、図２（ｂ）は、信号伝送線路に信号が伝搬する際に生じる電界の様子を示す図である。

図２（ａ）に示すように、第３の領域１３は、ＩＣチップ１の基板１３１と絶縁体１３２と、接地された最表面の配線１３３と信号伝送線路１３４とからなり、配線１３３と信号伝送線路１３４とは絶縁体１３２によって、互いに絶縁された状態になっている。ここで、実際のＩＣチップ１は、膜はがれの抑制や、歩留まりの向上などの要求から、さらに複雑な層構造を有している場合や、ＩＣチップ１の表面を保護する目的により、最表面の配線１３３の上にさらに絶縁体膜を有している場合もあるが、本実施形態の説明では詳細な構造は省いている。

ここで、最表面の配線１３３は、ビアホールやワイヤボンディングなどの手段によって、前述のように、接地されている。一方、絶縁体１３２で囲まれた下層の配線すなわち信号伝送線路１３４は、第１の領域１１と第２の領域１２とにそれぞれ存在している回路部間で送受信される所定の信号が伝送される配線となっている。図２（ａ）のような配線構造において、信号伝送線路１３４に信号が伝搬する際に生じる電界は、図２（ｂ）に示すようになり、最表面の配線１３３を接地面としてマイクロストリップモードで信号が伝搬することになり、ＩＣチップ１の外部には漏れないような構造となっている。

図３は、図１に示したような回路配置パターンを有するＩＣチップ１をモジュールに実装した場合のＩＣチップ１と電波吸収体との配置関係を示す説明図である。また、図３で定義した断面１、断面２におけるＩＣチップ実装モジュールの断面形状をそれぞれ図４、図５に示す。

図３ないし図５に示すように、本実施形態のＩＣチップ実装モジュール１００においては、モジュール本体１０の内部空洞の窪みに電波吸収体６が配置され、その上に、ＩＣチップ１が配置される。さらに、ＩＣチップ１表面の第３の領域１３（すなわち図１に示すように最表面に接地された配線１３３を有する領域）の上方には、第３の領域１３の幅よりも狭い幅で、空洞をほぼカバーするより広い奥行きと高さとを有する電波吸収体５が、モジュール本体１０の天井に、ＩＣチップ１の第３の領域１３と近接するように、延在した形で配置され、モジュール本体１０の内部の空洞を二つの空間に二分するようにしている。

ここで用いた電波吸収体５及び電波吸収体６は、対象とする所定の周波数の電波に対して、等方的に電波の吸収を行う等方性電波吸収体である。また、電波吸収体５とＩＣチップ１表面との間隔は接していることが望ましいが、ＩＣチップ１の表面の保護及び実装の利便性から、吸収する電波の波長すなわち不要信号の波長をλとしたとき、（λ／４）よりも十分小さければ、両者の間に間隔が空いていても良い。

次に、図３に示すＩＣチップ実装モジュール１００の実際の動作について以下に説明する。ＩＣチップ実装モジュール１００で処理すべき信号は、ＩＣチップ実装モジュール１００の外部から入力され、所定の信号伝達手段によってＩＣチップ実装モジュール１００の内部まで伝達され、ＩＣチップ１の信号入力部へ入力される。また、ＩＣチップ１から出力された信号は、所定の信号伝達手段によって伝達され、ＩＣチップ実装モジュール１００の外部へ出力される。ここで、前記信号伝達手段とＩＣチップ１との間の接続点のインピーダンスの不整合や、前記信号伝達手段内で発生するインピーダンスの不整合などによって、信号の一部がＩＣチップ実装モジュール１００の内部空洞へ放射され、不要信号となる。

放射された不要信号は、ＩＣチップ１の表面と、ＩＣチップ実装モジュール１００の内部空洞の天井との間で伝搬モードを形成し、ＩＣチップ１の入出力間を伝搬する。この時、前記不要信号のＩＣチップ１の入出力方向への伝搬経路は、電波吸収体５によって塞がれている。すなわち、電波吸収体５とＩＣチップ１との間や、電波吸収体５と空洞天井や側壁との間は、互いに接しているか、あるいは、不要信号の波長λの（１／４）すなわち（λ／４）よりも十分小さい間隔の空間しか空いていないため、不要信号は、このような狭い間隔を通過することができない。結局、不要信号の電波は、電波吸収体５によって、反射、又は、吸収されてしまう。よって、不要信号の電波は抑圧され、ＩＣチップ１の入出力間のアイソレーションを向上させることができる。

一方、ＩＣチップ１内を伝搬する信号は、第３の領域１３においては、最表面が接地された配線１３３で覆われた信号伝送線路１３４内を通過するものであり、信号伝搬に必要な電界は、ＩＣチップ１表面より上方に漏れることはない。よって、第３の領域１３の上方に配置された電波吸収体５の影響を受けることはなく、ＩＣチップ１内を伝搬する信号の伝搬性能は損なわれない。

したがって、以上のようなＩＣチップ実装方法によって構成したＩＣチップ実装モジュール１００においては、ＩＣチップ１内を伝搬する信号の品質を損なうことなく、不要信号の電波を確実に抑圧することが可能となる。

本実施形態においては、図２で説明したように、第３の領域１３で用いる信号伝送線路１３４として上面に接地面を有するマイクロストリップ線路を具体例として挙げたが、複数配線のうち、上面に接地面を有する伝送線路であれば如何なるものであっても良く、例えば、上面に接地面を有するコプレーナ線路などであっても良い。

また、本実施形態においては、電波吸収体５をモジュール本体１０の内部空洞の天井に配置したが、第３の領域１３より狭い幅と空洞をほぼカバーするより広い奥行きと高さとを有するものであり、ＩＣチップ実装モジュール１００の内部空洞を２分するように設置できれば何処でも良く、例えば、ＩＣチップ１の横のモジュール床を用いて、ＩＣチップ１を跨ぐように配置しても良い。なお、この場合についても、ＩＣチップ１表面と電波吸収体５、及び、モジュール本体１０の内部空洞の天井や側壁と電波吸収体５とは互いに接していることが望ましいが、ＩＣチップ１の表面の保護及び実装の利便性などから、不要信号の波長をλとしたとき、（λ／４）よりも十分小さければ、両者の間に間隔が空いていても良い。 なお、ＩＣチップ１に搭載される回路は、二つの回路部に分割されるのみに限るものではなく、任意の複数の回路部に分割し、分割した回路部それぞれを、異なる領域に分離して配置して、異なる領域に配置した回路部それぞれを当該ＩＣチップ１上で接続する信号伝送線路が存在する領域が、信号伝送線路を、絶縁体を介して、接地された配線で覆われているように構成しても良い。かかる場合においては、例えば、不要な電波として最も遮蔽したい回路部間を接続する信号伝送線路が存在する領域の上方に、電波吸収体を配置するように構成すれば良い。

（第２の実施形態）
本実施形態は、前述した第１の実施形態の図３ないし図５において用いている電波吸収体５を金属板によって置き換える例を示すものである。

金属板は、図４に示す電波吸収体５の場合と同様に、モジュール本体１０の内部空洞の天井と接続することにより、接地されている。

金属板とＩＣチップ１との間は、図４に示す電波吸収体５の場合と同様に、互いに接しているか、（λ／４）よりも十分小さい間隔しか空いていないため、不要信号の電波は、このような狭い間隔を通過することができない。したがって、不要信号の電波は、金属板によって反射されてしまい、ＩＣチップ１の入出力間のアイソレーションを向上させることができる。

なお、本実施形態では、前述のように、金属板を、モジュール本体１０の内部空洞の天井に接続して配置したが、第３の領域１３より狭い幅と空洞をほぼカバーするより広い奥行きと高さとを有し、ＩＣチップ実装モジュール１００の内部空洞を２分するように設置することができ、かつ、接地されておれば、何処に配置しても良く、また、モジュール本体１０と一体となっていても良い。

（第３の実施形態）
本実施形態は、第１の実施形態の図３ないし５に示すＩＣチップ実装モジュール１００又は第２の実施形態のＩＣチップ実装モジュールに対して、ＩＣチップ１の第３の領域１３の上方に配置した電波吸収体５又は金属板の他に、さらに、ＩＣチップ１の第１の領域１１及び／又は第２の領域１２の上方に位置する、モジュール本体１０の内部空洞の天井に、電波吸収体を配置する例を示すものである。

図６は、本発明に係るＩＣチップの第３の実施形態を説明する説明図であり、第１の実施形態に示す図４の断面図と同じ断面を示すものである。図６に示すＩＣチップ実装モジュール１００Ａにおいては、ＩＣチップ１の第１の領域１１及び第２の領域１２の上方に、それぞれ、電波吸収体７ａ、電波吸収体７ｂが、モジュール本体１０の内部空洞の天井に配置されている例を示している。しかし、ＩＣチップ１の第１の領域１１又は第２の領域１２のいずれか一方の上方に、電波吸収体７ａ又は電波吸収体７ｂを配置するようにしても良い。

図６のＩＣチップ実装モジュール１００Ａにおいて、電波吸収体７ａ及び／又は電波吸収体７ｂと第１の領域１１及び／又は第２の領域１２のＩＣチップ１表面との間の距離として、高さｌの距離を設けている。この高さｌは、使用者が任意に決定しても良い。なお、第１の領域１１及び第２の領域１２は、ＩＣチップ１表面上方にも信号の伝搬に必要な電界の電波が存在するので、高さｌをあまり小さい値に設定すると、不要な電波のみならず信号の伝搬に必要な電波をも抑圧して阻害してしまう結果を招いてしまう。このような阻害を回避するためには、高さｌを十分に大きくすれば良く、例えば、ＩＣチップ１の基板厚の１０倍以上にすれば良い。

本実施形態におけるＩＣチップ実装モジュール１００Ａにおいては、第１の領域１１及び／又は第２の領域１２の上方にも、電波吸収体７ａ及び／又は電波吸収体７ｂが存在しているので、第１の実施形態のＩＣチップ実装モジュール１００よりも、さらに、不要信号を抑圧することができる。

なお、本実施形態において、電波吸収体５と、電波吸収体７ａと、電波吸収体７ｂとは必ずしも同じ材質である必要はなく、所定の周波数で電波の吸収性を有するものであれば如何なる材料のものでも、混在して用いても良い。

（第４の実施形態）
本実施形態は、第３の実施形態の図６に示したＩＣチップ実装モジュール１００Ａにおける、ＩＣチップ１の第３の領域１３の上方に配置されている電波吸収体５と、第１の領域１１及び／又は第２の領域１２の上方に配置されている電波吸収体７ａ及び／又は電波吸収体７ｂとが一体となっている例を示すものである。

図７は、本発明に係るＩＣチップの第４の実施形態を説明する説明図であり、第３の実施形態に示す図６の断面図と同じ断面を示すものである。図７に示すＩＣチップ実装モジュール１００Ｂは、ＩＣチップ１全体の上方のモジュール本体１０の内部空洞の天井に電波吸収体８を配置するものであり、第３の実施形態における図６のＩＣチップ実装モジュール１００Ａの電波吸収体５と電波吸収体７ａ，７ｂとが、電波吸収体８として一体となって構成されている。

なお、ＩＣチップ１の第１の領域１１又は第２の領域１２のいずれか一方の上方に、電波吸収体７ａ又は電波吸収体７ｂを配置している場合には、配置している電波吸収体７ａ又は電波吸収体７ｂと電波吸収体５とが、電波吸収体８として一体化される。このように一体化することによって、電波を吸収するための電波吸収体の体積が増加し、実装時の取り扱いの利便性が向上するという効果が得られる。

以上に詳細に説明したように、本発明に係るＩＣチップ実装モジュール、ＩＣチップ実装方法及びＩＣチップにおいては、モジュール本体１０の内部空洞にＩＣチップ１を設置する際に、ＩＣチップ１の動作に所望の電波を損なうことなく、動作に全く不要な電波のみを確実に抑圧することが可能となる。この結果、ＩＣチップの伝送損失を増加させずに、入出力間アイソレーションを向上させることが可能となる。而して、ＩＣチップ１が実装されたＩＣチップ実装モジュール１００，１００Ａ，１００Ｂの性能を確実に向上させることができる。

本発明に係るＩＣチップの第１の実施形態を説明する説明図である。 最表面の配線が設置された第３の領域における信号伝送線路の構成例を示す説明図である。 図１に示したような回路配置パターンを有するＩＣチップをモジュールに実装した場合のＩＣチップと電波吸収体との配置関係を示す説明図である。 図３で定義した断面１におけるＩＣ実装モジュールの断面形状を示す断面図である。 図３で定義した断面２におけるＩＣ実装モジュールの断面形状を示す断面図である。 本発明に係るＩＣチップの第３の実施形態を説明する説明図である。 本発明に係るＩＣチップの第４の実施形態を説明する説明図である。 モジュールの内の空洞にＩＣチップを実装した様子を示す模式図である。 直方体形状のモジュール内の電界の発生状況を模式的に示す説明図である。 従来の不要モード電磁波抑圧方法を示す模式図である。

符号の説明

１，１Ａ…ＩＣチップ、２…チップ基板、３，４ａ，４ｂ…金属メッキ、５，６、７ａ，７ｂ…電波吸収体、１０…モジュール（本体）、１０Ａ…モジュール空洞天井、１０Ｂ…モジュール空洞床、１１…第１の領域、１２…第２の領域、１３…第３の領域、２１…電波吸収体、１００，１００Ａ…ＩＣチップ実装モジュール、１３１…チップ基板、１３２…絶縁体、１３３…配線、１３４…信号伝送線路、

Claims (16)

1. 空洞を有するモジュール内にＩＣチップを実装するＩＣチップ実装モジュールにおいて、前記ＩＣチップに搭載する回路を任意に分割した２つの回路部それぞれが、第１の領域と第２の領域とに分離して配置され、前記第１の領域の回路部と前記第２の領域の回路部とを接続する信号伝送線路が存在する領域が、接地された配線で前記信号伝送線路が絶縁体を介して覆われている第３の領域として形成され、該第３の領域が位置する前記空洞内に、電波を吸収する電波吸収体が配置されていることを特徴とするＩＣチップ実装モジュール。
2. 前記電波吸収体が、等方的に電波の吸収を行う等方性電波吸収体であることを特徴とする請求項１に記載のＩＣチップ実装モジュール。
3. 前記電波吸収体が、前記第３の領域の幅よりも狭い幅であることを特徴とする請求項１又は２に記載のＩＣチップ実装モジュール。
4. 前記電波吸収体と前記ＩＣチップとの間隔、及び、前記電波吸収体と前記空洞の天井、側壁との間隔が、吸収する電波の波長の（１／４）よりも小さいことを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載のＩＣチップ実装モジュール。
5. 前記電波吸収体の代わりに、接地された金属板が用いられることを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載のＩＣチップ実装モジュール。
6. 前記電波吸収体又は接地された前記金属板の他に、さらに、前記第１の領域及び／又は前記第２の領域の上方の前記空洞の天井に電波吸収体を配置することを特徴とする請求項１ないし５のいずれかに記載のＩＣチップ実装モジュール。
7. 前記第３の領域の上方に配置される前記電波吸収体と第１の領域及び／又は前記第２の領域の上方に配置される前記電波吸収体とが一体化されていることを特徴とする請求項６に記載のＩＣチップ実装モジュール。
8. 空洞を有するモジュール内にＩＣチップを実装するＩＣチップ実装方法において、前記ＩＣチップに搭載する回路を任意に分割した２つの回路部それぞれを、第１の領域と第２の領域とに分離して配置し、前記第１の領域の回路部と前記第２の領域の回路部とを接続する信号伝送線路が存在する領域を、接地された配線で前記信号伝送線路が絶縁体を介して覆われている第３の領域として形成し、該第３の領域が位置する前記空洞内に、電波を吸収する電波吸収体を配置していることを特徴とするＩＣチップ実装方法。
9. 前記電波吸収体を、等方的に電波の吸収を行う等方性電波吸収体とすることを特徴とする請求項８に記載のＩＣチップ実装方法。
10. 前記電波吸収体を、前記第３の領域の幅よりも狭い幅とすることを特徴とする請求項８又は９に記載のＩＣチップ実装方法。
11. 前記電波吸収体と前記ＩＣチップとの間隔、及び、前記電波吸収体と前記空洞の天井、側壁との間隔を、吸収する電波の波長の（１／４）よりも小さくすることを特徴とする請求項８ないし１０のいずれかに記載のＩＣチップ実装方法。
12. 前記電波吸収体の代わりに、接地した金属板を用いることを特徴とする請求項８ないし１１のいずれかに記載のＩＣチップ実装方法。
13. 前記電波吸収体又は接地した前記金属板の他に、さらに、前記第１の領域及び／又は前記第２の領域の上方の前記空洞の天井に電波吸収体を配置することを特徴とする請求項８ないし１２のいずれかに記載のＩＣチップ実装方法。
14. 前記第３の領域の上方に配置される前記電波吸収体と第１の領域及び／又は前記第２の領域の上方に配置される前記電波吸収体とを一体化することを特徴とする請求項１３に記載のＩＣチップ実装方法。
15. 空洞を有するモジュールに実装するＩＣチップであって、当該ＩＣチップに搭載する回路を任意に分割した複数の回路部それぞれが、異なる領域に分離して配置され、異なる領域に配置された前記回路部それぞれを接続する信号伝送線路が存在する領域が、接地された配線で前記信号伝送線路が絶縁体を介して覆われている領域として形成されていることを特徴とするＩＣチップ。
16. 前記信号伝送線路が、接地面を有するマイクロストリップ線路あるいは接地面を有するコプレーナ線路であることを特徴とする請求項１５に記載のＩＣチップ。

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